JPH0564853B2 - - Google Patents
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- JPH0564853B2 JPH0564853B2 JP4823185A JP4823185A JPH0564853B2 JP H0564853 B2 JPH0564853 B2 JP H0564853B2 JP 4823185 A JP4823185 A JP 4823185A JP 4823185 A JP4823185 A JP 4823185A JP H0564853 B2 JPH0564853 B2 JP H0564853B2
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
- H01L21/4814—Conductive parts
- H01L21/4846—Leads on or in insulating or insulated substrates, e.g. metallisation
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明はIC、LSI等の半導体チツプを固定する
のに用いるリードフレームの製造方法に関する。
のに用いるリードフレームの製造方法に関する。
従来より半導体チツプを樹脂モールドで一体化
して複数ピンを突設した半導体装置の組立てには
金属性のリードフレームが用いられている。この
リードフレームは薄い金属板をプレスで打ち抜い
たり、エツチングなどによつて形成されており、
その形状は第３図に示すように、半導体素子１を
取り付ける矩形のタブ２をその４隅において支持
するタブリード３と、タブ２の周縁に内端を臨ま
せる複数のフインガ４と、これらフインガ４及び
タブリード３の外端を支持する枠部５と、枠部５
の両側縁に沿つて定間隔を設けられたスプロケツ
ト孔６とからなつている。
して複数ピンを突設した半導体装置の組立てには
金属性のリードフレームが用いられている。この
リードフレームは薄い金属板をプレスで打ち抜い
たり、エツチングなどによつて形成されており、
その形状は第３図に示すように、半導体素子１を
取り付ける矩形のタブ２をその４隅において支持
するタブリード３と、タブ２の周縁に内端を臨ま
せる複数のフインガ４と、これらフインガ４及び
タブリード３の外端を支持する枠部５と、枠部５
の両側縁に沿つて定間隔を設けられたスプロケツ
ト孔６とからなつている。
このようなリードフレームを用いて半導体装置
を組み立てるには、まずタブ２上に半導体装置１
を取り付けた後、半導体素子１の各電極とこれに
対応するフインガ４の内端をワイヤあるいはワイ
ヤを用いず直接に接続し、その後矩形枠部５の内
側領域を合成樹脂でモールドし半導体素子１を被
覆し、次いで枠部５を切除し、フラツトリードあ
るいはインライン型の半導体装置を得るのであ
る。
を組み立てるには、まずタブ２上に半導体装置１
を取り付けた後、半導体素子１の各電極とこれに
対応するフインガ４の内端をワイヤあるいはワイ
ヤを用いず直接に接続し、その後矩形枠部５の内
側領域を合成樹脂でモールドし半導体素子１を被
覆し、次いで枠部５を切除し、フラツトリードあ
るいはインライン型の半導体装置を得るのであ
る。
ところで、リードフレームは極めて細いタブリ
ードやフインガが設けられるが、最近のようにフ
インガ数（電極ピンの数）が増加し、かつ小型化
を維持するためには、タブリード、フインガの幅
も更に小さくならざるを得ず（例えば0.3mm程
度）、このようなリードフレームを打抜きプレス
にて加工するのは極めて困難となつてきている。
ードやフインガが設けられるが、最近のようにフ
インガ数（電極ピンの数）が増加し、かつ小型化
を維持するためには、タブリード、フインガの幅
も更に小さくならざるを得ず（例えば0.3mm程
度）、このようなリードフレームを打抜きプレス
にて加工するのは極めて困難となつてきている。
そこで、エツチングによつてリードフレームを
成形する方法が行なわれるようになつたが、エツ
チング加工は製造工程が複雑でコストも高いとい
う欠点がある。
成形する方法が行なわれるようになつたが、エツ
チング加工は製造工程が複雑でコストも高いとい
う欠点がある。
本発明は上記の点に鑑みてなさたもので、製造
が容易で微細なフインガ等を十分に成形できる半
導体装置のリードフレーム製造方法の提供を目的
とするものである。
が容易で微細なフインガ等を十分に成形できる半
導体装置のリードフレーム製造方法の提供を目的
とするものである。
上記目的を達成するために、本発明は、少なく
とも表面に導電性を有するベース材にプツシユバ
ツク法によりデイバイス孔を含む所望数、所望形
状の窓部を形成して切抜片を各々の窓部に保持す
る工程と、 切抜片を保持する前記ベース材上に所望パター
ンのレジスト層を形成する工程と、 レジストされないベース材上に電鋳により導電
性金属層からなるリードフレームを形成する工程
と、 前記切抜片をベース材から抜き出して前記窓部
を開口せしめる工程とからなることを特徴とする
ものである。
とも表面に導電性を有するベース材にプツシユバ
ツク法によりデイバイス孔を含む所望数、所望形
状の窓部を形成して切抜片を各々の窓部に保持す
る工程と、 切抜片を保持する前記ベース材上に所望パター
ンのレジスト層を形成する工程と、 レジストされないベース材上に電鋳により導電
性金属層からなるリードフレームを形成する工程
と、 前記切抜片をベース材から抜き出して前記窓部
を開口せしめる工程とからなることを特徴とする
ものである。
第１図は本発明の実施例によつて製造されリー
ドフレームの一部を断面した斜視図である。
ドフレームの一部を断面した斜視図である。
リードフレームはポリイミド、ポリエステル等
の合成樹脂からなる電鋳成形用の土台となるベー
ス材、例えばフイルム７上に積層されたニツケル
その他の導電性金属薄膜からなり、従来例と同様
に半導体素子１を取り付ける矩形のタブ２と、タ
ブ２を支持する４本のタブリード３と、タブ２の
周縁に内端を臨ませる複数のフインガ４と、これ
らフインガ４とタブリード３の外端を支持する枠
部５とを有し、前記フイルム７のタブ２に対向す
る位置にはデイバイス孔８を穿ち、フイルム７の
前記枠部５の両側部には、リードフレームの組
立、搬送の際の位置決め孔であるスプロケツト孔
６が形成してある。
の合成樹脂からなる電鋳成形用の土台となるベー
ス材、例えばフイルム７上に積層されたニツケル
その他の導電性金属薄膜からなり、従来例と同様
に半導体素子１を取り付ける矩形のタブ２と、タ
ブ２を支持する４本のタブリード３と、タブ２の
周縁に内端を臨ませる複数のフインガ４と、これ
らフインガ４とタブリード３の外端を支持する枠
部５とを有し、前記フイルム７のタブ２に対向す
る位置にはデイバイス孔８を穿ち、フイルム７の
前記枠部５の両側部には、リードフレームの組
立、搬送の際の位置決め孔であるスプロケツト孔
６が形成してある。
第２図はこのリードフレームの成形工程を示す
図で、まずａ〜ｂ図に示すようにポリイミド、ポ
リエステル等の合成樹脂からなるフイルム７にプ
ツシユバツク法によるプレス加工でデイバイス孔
８を設ける。プツシユバツク法はａ図の如くまず
押型によつて所望部分を打ち抜き、次いで受型を
再度上昇させてｂ図の如く切抜片９を一度穿つた
デイバイス孔８内に嵌合保持させる加工方法であ
る。従つて、加工後はフイルム７はデイバイス孔
８が開口されないｂ図の状態で維持され、一枚の
シートとして取扱うことができる。尚、このデイ
バイス孔８の形成時には、その他前記スプロケツ
ト孔６等の窓部も同時に成形することができる。
図で、まずａ〜ｂ図に示すようにポリイミド、ポ
リエステル等の合成樹脂からなるフイルム７にプ
ツシユバツク法によるプレス加工でデイバイス孔
８を設ける。プツシユバツク法はａ図の如くまず
押型によつて所望部分を打ち抜き、次いで受型を
再度上昇させてｂ図の如く切抜片９を一度穿つた
デイバイス孔８内に嵌合保持させる加工方法であ
る。従つて、加工後はフイルム７はデイバイス孔
８が開口されないｂ図の状態で維持され、一枚の
シートとして取扱うことができる。尚、このデイ
バイス孔８の形成時には、その他前記スプロケツ
ト孔６等の窓部も同時に成形することができる。
次に開口されない前記フイルム７上にはｃ図の
如く銅などの導電性金属層１０が無電解メツキ、
蒸着などの手段にて形成される。更に導電性金属
層１０の上にはｄ図のようにフオトレジスト層１
１が塗布され、もしくは、厚さ150μ程度のドラ
イフイルム状レジスト層が貼着され、フオトマス
ク１２をかけて所望パターンに露光した後洗浄す
ることにより、このレジスト層としてボジ型レジ
ストを使用する場合、感光した部分のみ取り除か
れてｅ図の如きレジスト層１１が導電性金属層１
０上に形成される。
如く銅などの導電性金属層１０が無電解メツキ、
蒸着などの手段にて形成される。更に導電性金属
層１０の上にはｄ図のようにフオトレジスト層１
１が塗布され、もしくは、厚さ150μ程度のドラ
イフイルム状レジスト層が貼着され、フオトマス
ク１２をかけて所望パターンに露光した後洗浄す
ることにより、このレジスト層としてボジ型レジ
ストを使用する場合、感光した部分のみ取り除か
れてｅ図の如きレジスト層１１が導電性金属層１
０上に形成される。
勿論ネガ型レジストの場合はフオトマスク１２
のパターンは逆になる。プツシユバツク後のこの
導電性金属層やフオトレジスト層は切抜片１０の
不要な脱落を防止する仮止め手段としての機能を
有するもので、ベース材７が厚物の場合に比べ、
フイルムのように薄状物のプツシユバツクされた
物のように脱落し易いものの仮止めに特に有効で
ある。
のパターンは逆になる。プツシユバツク後のこの
導電性金属層やフオトレジスト層は切抜片１０の
不要な脱落を防止する仮止め手段としての機能を
有するもので、ベース材７が厚物の場合に比べ、
フイルムのように薄状物のプツシユバツクされた
物のように脱落し易いものの仮止めに特に有効で
ある。
次にこのフイルム７上に亜セレン酸や苛性ソー
ダ等により剥離処理を施し、ニツケル、銅、金な
どの金属を電鋳成形すると、ｆ図に示すようにレ
ジスト層１１が形成されていない導電性金属層１
０の上に所望パターンのリードフレーム１３が形
成される。
ダ等により剥離処理を施し、ニツケル、銅、金な
どの金属を電鋳成形すると、ｆ図に示すようにレ
ジスト層１１が形成されていない導電性金属層１
０の上に所望パターンのリードフレーム１３が形
成される。
ニツケルなどの金属でリードフレームを電鋳す
る際、0.07％以下の光沢剤（カーボンが0.01〜
0.04％、イオウが0.01〜0.04％でこれらの合計が
0.07％以下）が使用される。光沢剤の含有率は通
常0.1％程度であるが、このように含有率が高い
と、ICチツプとの接合時におけるリードフレー
ムの温度上昇により、ニツケルが脆化する。その
ため光沢剤は含有率は0.07％以下に制限する必要
がある。また光沢剤を全くが含有しなければ、機
械的強度が十分に得られず、加工時の変形によつ
て隣のリードと短絡する恐れがある。
る際、0.07％以下の光沢剤（カーボンが0.01〜
0.04％、イオウが0.01〜0.04％でこれらの合計が
0.07％以下）が使用される。光沢剤の含有率は通
常0.1％程度であるが、このように含有率が高い
と、ICチツプとの接合時におけるリードフレー
ムの温度上昇により、ニツケルが脆化する。その
ため光沢剤は含有率は0.07％以下に制限する必要
がある。また光沢剤を全くが含有しなければ、機
械的強度が十分に得られず、加工時の変形によつ
て隣のリードと短絡する恐れがある。
電鋳形成後にレジスト層１１を除去し、次いで
デイバイス孔８を含む窓部８ａを閉鎖している切
抜片９を抜き落せば、ｇ図の如き断面のリードフ
レーム１３が合成樹脂フイム７上に形成されるの
である。この場合、導電性金属層１０は電鋳のた
めの導電性を確保するために設ける程度の厚さ例
えば５〜10μ程度であるので、抜き落し力は小さ
くて済みリードフレーム１３を変形させることは
ない。
デイバイス孔８を含む窓部８ａを閉鎖している切
抜片９を抜き落せば、ｇ図の如き断面のリードフ
レーム１３が合成樹脂フイム７上に形成されるの
である。この場合、導電性金属層１０は電鋳のた
めの導電性を確保するために設ける程度の厚さ例
えば５〜10μ程度であるので、抜き落し力は小さ
くて済みリードフレーム１３を変形させることは
ない。
尚、上記実施例においては、リードフレーム１
３は合成樹脂フイルム７上に形成したが、合成樹
脂フイルム７の代わりに、導電性の金属ステンレ
ス等のように電鋳成形用の土台として、その表面
に導電性を備えていれば、フイルム状のものより
厚いものなど種々の素材が適用できる。
３は合成樹脂フイルム７上に形成したが、合成樹
脂フイルム７の代わりに、導電性の金属ステンレ
ス等のように電鋳成形用の土台として、その表面
に導電性を備えていれば、フイルム状のものより
厚いものなど種々の素材が適用できる。
この場合は、第２図ｃに示す如き銅などからな
る導電性金属層１０を新たに設けることがなく、
ステンレスフイルム７の上にフオトレジスト層１
１を形成し、直線電鋳によつてステンレスフイル
ム上にニツケル、銅、金やその合金等からなるリ
ードフレームを形成することが可能である。
る導電性金属層１０を新たに設けることがなく、
ステンレスフイルム７の上にフオトレジスト層１
１を形成し、直線電鋳によつてステンレスフイル
ム上にニツケル、銅、金やその合金等からなるリ
ードフレームを形成することが可能である。
またニツケルなどの金属でリードフレームを電
鋳する際、光沢剤が含有されない層と光沢剤が含
有された層の二層を重ね合わせたリードフレーム
を作ることもできる。光沢剤を入れないで電鋳す
ると、表面が粗面化され凹凸の著しいものとな
り、このためICチツプとの接合時の温度集中、
特に圧接状態で接合する際の温度集中が起こり易
く、接合を確実なものとすることができる。一
方、接合面と反対側に光沢剤入りの層を設けれ
ば、リードフレームとしての機械的強度を確保す
ることができる。なお、光沢剤の含有率は前記実
施例で述べたように0.07％以下に制限する方が望
ましい。
鋳する際、光沢剤が含有されない層と光沢剤が含
有された層の二層を重ね合わせたリードフレーム
を作ることもできる。光沢剤を入れないで電鋳す
ると、表面が粗面化され凹凸の著しいものとな
り、このためICチツプとの接合時の温度集中、
特に圧接状態で接合する際の温度集中が起こり易
く、接合を確実なものとすることができる。一
方、接合面と反対側に光沢剤入りの層を設けれ
ば、リードフレームとしての機械的強度を確保す
ることができる。なお、光沢剤の含有率は前記実
施例で述べたように0.07％以下に制限する方が望
ましい。
本発明は以上の通りであつて、リードフレーム
自身は電鋳成形によつて形成されるから、小型で
フインガ数の多いものであつても容易にかつ精度
よく成形することができるとともに、ベース材に
設けられるデイバイス孔等の窓部は予めプツシユ
バツク法によつて閉塞された状態であつて、最終
工程によつて開口されるものであるから、電鋳加
工法が簡単に採用でき、エツチング法などに比べ
製造コストを低く抑えることができる。
自身は電鋳成形によつて形成されるから、小型で
フインガ数の多いものであつても容易にかつ精度
よく成形することができるとともに、ベース材に
設けられるデイバイス孔等の窓部は予めプツシユ
バツク法によつて閉塞された状態であつて、最終
工程によつて開口されるものであるから、電鋳加
工法が簡単に採用でき、エツチング法などに比べ
製造コストを低く抑えることができる。
第１図は本発明実施例によつて作成したリード
フレームの一部を取り除いた斜視図、第２図ａ〜
ｇは本発明実施例におけるリードフレームの製造
工程を示す図、第３図は一般式なリードフレーム
の平面図である。 １……半導体素子、２……タブ、３……タブリ
ード、４……フインガ、５……枠部、６……スプ
ロケツト孔、７……フイルム、デイバイス孔、８
ａ……窓部、９……切抜片、１０……導電性金属
層、１１……レジスト層、１３……リードフレー
ム。
フレームの一部を取り除いた斜視図、第２図ａ〜
ｇは本発明実施例におけるリードフレームの製造
工程を示す図、第３図は一般式なリードフレーム
の平面図である。 １……半導体素子、２……タブ、３……タブリ
ード、４……フインガ、５……枠部、６……スプ
ロケツト孔、７……フイルム、デイバイス孔、８
ａ……窓部、９……切抜片、１０……導電性金属
層、１１……レジスト層、１３……リードフレー
ム。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 少なくとも表面に導電性を有するベース材に
プツシユバツク法によりデイバイス孔を含む所望
数、所望形状の窓部を形成して切抜片を各々の窓
部に保持する工程と、 切抜片を保持する前記ベース材上に所望パター
ンのレジスト層を形成する工程と、 レジストされないベース材上に電鋳により導電
性金属層からなるリードフレームを形成する工程
と、 前記切抜片をベース材から抜き出して前記窓部
を開口せしめる工程とからなる半導体装置のリー
ドフレーム製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4823185A JPS61208245A (ja) | 1985-03-13 | 1985-03-13 | 半導体装置のリ−ドフレ−ム製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4823185A JPS61208245A (ja) | 1985-03-13 | 1985-03-13 | 半導体装置のリ−ドフレ−ム製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61208245A JPS61208245A (ja) | 1986-09-16 |
| JPH0564853B2 true JPH0564853B2 (ja) | 1993-09-16 |
Family
ID=12797663
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4823185A Granted JPS61208245A (ja) | 1985-03-13 | 1985-03-13 | 半導体装置のリ−ドフレ−ム製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61208245A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5556810A (en) * | 1990-06-01 | 1996-09-17 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method for manufacturing a semiconductor device wherein a semiconductor chip is connected to a lead frame by metal plating |
| JP2540652B2 (ja) * | 1990-06-01 | 1996-10-09 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
| KR20040064191A (ko) * | 2003-01-09 | 2004-07-16 | 김정식 | 적층박막전주가공물과 그 제작방법. |
-
1985
- 1985-03-13 JP JP4823185A patent/JPS61208245A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61208245A (ja) | 1986-09-16 |
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