JPH0564579A - 細胞培養用具およびその表面加工方法 - Google Patents
細胞培養用具およびその表面加工方法Info
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- JPH0564579A JPH0564579A JP22699791A JP22699791A JPH0564579A JP H0564579 A JPH0564579 A JP H0564579A JP 22699791 A JP22699791 A JP 22699791A JP 22699791 A JP22699791 A JP 22699791A JP H0564579 A JPH0564579 A JP H0564579A
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- polystyrene
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- Apparatus Associated With Microorganisms And Enzymes (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ポリスチレン細胞培養用具のプラズマ処理後
の表面経時変化を安定化し、かつ細胞増殖性を改善する
こと。 【構成】 ポリスチレン成型品の表面に低温プラズマ処
理を施し、その後3日間静置した後、1〜4個の炭素原
子を有する脂肪族アルコールに浸漬し、もしくは該アル
コールの蒸気に接触させる。
の表面経時変化を安定化し、かつ細胞増殖性を改善する
こと。 【構成】 ポリスチレン成型品の表面に低温プラズマ処
理を施し、その後3日間静置した後、1〜4個の炭素原
子を有する脂肪族アルコールに浸漬し、もしくは該アル
コールの蒸気に接触させる。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、ポリスチレン成型品よ
りなる細胞培養用具、およびその表面加工方法に関する
ものである。
りなる細胞培養用具、およびその表面加工方法に関する
ものである。
【0002】
【従来の技術】ポリスチレンは、シャーレ、フラスコ、
試験管、マルチウェルプレートなど細胞培養用具の素材
として広く使用されているが、細胞培養に使用するため
の要件として、表面がある程度親水性であることが必要
とされる。
試験管、マルチウェルプレートなど細胞培養用具の素材
として広く使用されているが、細胞培養に使用するため
の要件として、表面がある程度親水性であることが必要
とされる。
【0003】ポリスチレンを初めとするプラスチック材
料は一般に親水性に欠けるため、そのまゝでは細胞培養
の用途には適さない。そこで従来より、種々の方法でプ
ラスチック成形物の表面処理をして、その親水性を高め
ることが行なわれている。
料は一般に親水性に欠けるため、そのまゝでは細胞培養
の用途には適さない。そこで従来より、種々の方法でプ
ラスチック成形物の表面処理をして、その親水性を高め
ることが行なわれている。
【0004】ポリスチレン表面に親水性を付与する方法
としては、減圧した空気、アルゴンガス等の雰囲気下で
高電圧をかけ、プラズマを発生させて表面にラジカルを
生成させ、このラジカルに水蒸気や酸素を接触させて反
応させ、水酸基、カルボキシル基などの親水性の官能基
を生成させる方法が利用されている。
としては、減圧した空気、アルゴンガス等の雰囲気下で
高電圧をかけ、プラズマを発生させて表面にラジカルを
生成させ、このラジカルに水蒸気や酸素を接触させて反
応させ、水酸基、カルボキシル基などの親水性の官能基
を生成させる方法が利用されている。
【0005】しかしながら、このような方法では、プラ
ズマ処理後、ポリスチレン表面は徐々に疎水性に変化し
ていき、1週間後からほぼ一定になる。一方、細胞増殖
性はプラズマ処理の直後から徐々に向上し、3日目に最
大となるが、その後は低下して1週間後から安定し始め
ると言う問題点を有している。この経時変化を抑える有
効な手段がなかったため、細胞増殖に好都合な表面状態
を保持できず、そのため、特性が安定するまでの期間と
してプチズマ処理後1ヶ月間放置する必要が生じ、結果
的には細胞増殖を減衰させてから使用すると言う不本意
な状況になっていた。
ズマ処理後、ポリスチレン表面は徐々に疎水性に変化し
ていき、1週間後からほぼ一定になる。一方、細胞増殖
性はプラズマ処理の直後から徐々に向上し、3日目に最
大となるが、その後は低下して1週間後から安定し始め
ると言う問題点を有している。この経時変化を抑える有
効な手段がなかったため、細胞増殖に好都合な表面状態
を保持できず、そのため、特性が安定するまでの期間と
してプチズマ処理後1ヶ月間放置する必要が生じ、結果
的には細胞増殖を減衰させてから使用すると言う不本意
な状況になっていた。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、従来のプラ
ズマ処理後の表面経時変化という問題点を解決すべく、
種々の検討の結果なされたもので、素材表面を安定化し
かつ細胞増殖性を改善することを目的とするものであ
る。
ズマ処理後の表面経時変化という問題点を解決すべく、
種々の検討の結果なされたもので、素材表面を安定化し
かつ細胞増殖性を改善することを目的とするものであ
る。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明は、低温プラズマ
発生装置を用いてポリスチレン成型品の表面を処理し、
その表面に1〜4個の炭素原子を有する脂肪族アルコー
ルを接触させることを特徴とする細胞培養用具、および
その表面加工方法である。
発生装置を用いてポリスチレン成型品の表面を処理し、
その表面に1〜4個の炭素原子を有する脂肪族アルコー
ルを接触させることを特徴とする細胞培養用具、および
その表面加工方法である。
【0008】本発明におけるポリスチレン製の細胞培養
用具には、シャーレ、フラスコ、広口びん、細口びん、
試験管、マルチウェルプレートなどを含むが、特にこれ
らに限定されるものではない。
用具には、シャーレ、フラスコ、広口びん、細口びん、
試験管、マルチウェルプレートなどを含むが、特にこれ
らに限定されるものではない。
【0009】低温プラズマを発生させるための雰囲気ガ
スの種類としては、空気、酸素、アルゴン等種々の気体
が使用し得るが、本発明の目的には空気を用いるのが好
ましい。ポリスチレン成型品の表面を酸素雰囲気で低温
プラズマ処理した場合、作用が強すぎて効果のコントロ
ールが難かしく、一方、アルゴンガス等の不活性ガス雰
囲気では、作用が弱く、細胞増殖性が低く十分な効果が
得られない。低温プラズマは10分間も照射すれば十分
にラジカルが発生し、それ以上に照射時間を長くしても
生成ラジカルは増加しないので、プラズマ照射時間は1
0分間程度にとどめるのが良い。
スの種類としては、空気、酸素、アルゴン等種々の気体
が使用し得るが、本発明の目的には空気を用いるのが好
ましい。ポリスチレン成型品の表面を酸素雰囲気で低温
プラズマ処理した場合、作用が強すぎて効果のコントロ
ールが難かしく、一方、アルゴンガス等の不活性ガス雰
囲気では、作用が弱く、細胞増殖性が低く十分な効果が
得られない。低温プラズマは10分間も照射すれば十分
にラジカルが発生し、それ以上に照射時間を長くしても
生成ラジカルは増加しないので、プラズマ照射時間は1
0分間程度にとどめるのが良い。
【0010】ポリスチレン表面の細胞増殖性は、前記の
ように、プラズマ処理後徐々に向上して3日目に最大と
なり、その後は再び低下するので、細胞増殖性が最大と
なるこの処理の3日後に、アルコールに接触させて処理
表面に残留しているラジカルを除去し、その後生じる表
面の経時変化を防ぐ。これによって、細胞増殖性が最大
になった表面状態を保持すると共に、細胞増殖性が一定
の値を示す安定状態を速やかに達することが出来る。
ように、プラズマ処理後徐々に向上して3日目に最大と
なり、その後は再び低下するので、細胞増殖性が最大と
なるこの処理の3日後に、アルコールに接触させて処理
表面に残留しているラジカルを除去し、その後生じる表
面の経時変化を防ぐ。これによって、細胞増殖性が最大
になった表面状態を保持すると共に、細胞増殖性が一定
の値を示す安定状態を速やかに達することが出来る。
【0011】プラズマ処理したポリスチレン表面に接触
させるアルコールとしては、メチルアルコール、エチル
アルコール、N−プロピルアルコール、イソプロピルア
ルコール、ブチルアルコール、エチレングリコール、グ
リセリン等、1〜4個の炭素原子を有する1価、2価も
しくは3価の脂肪族アルコールを使用することが出来る
が、ごく一般的にはエチルアルコールを用いるのが好ま
しい。炭素原子の数が多くなると粘度が高くなり、処理
が難くなるので好ましくない。
させるアルコールとしては、メチルアルコール、エチル
アルコール、N−プロピルアルコール、イソプロピルア
ルコール、ブチルアルコール、エチレングリコール、グ
リセリン等、1〜4個の炭素原子を有する1価、2価も
しくは3価の脂肪族アルコールを使用することが出来る
が、ごく一般的にはエチルアルコールを用いるのが好ま
しい。炭素原子の数が多くなると粘度が高くなり、処理
が難くなるので好ましくない。
【0012】以下、実施例により本発明を具体的に説明
する。
する。
【0013】
【実施例1】低温プラズマ発生装置内にポリスチレン3
5mmφシャーレを置き、3×10-4Torrまで空気を減圧
し、13.56 MHz の高周波電圧を印加して10分間プラズ
マを発生せしめ、ポリスチレンシャーレの表面にこのプ
ラズマを照射した。これをプラズマ発生装置から取り出
して室温に静置し、プラズマ処理72時間経過した後に
エチルアルコール中に浸漬した。室温で24時間浸漬し
た後、エチルアルコール浴から引きあげ風乾した。
5mmφシャーレを置き、3×10-4Torrまで空気を減圧
し、13.56 MHz の高周波電圧を印加して10分間プラズ
マを発生せしめ、ポリスチレンシャーレの表面にこのプ
ラズマを照射した。これをプラズマ発生装置から取り出
して室温に静置し、プラズマ処理72時間経過した後に
エチルアルコール中に浸漬した。室温で24時間浸漬し
た後、エチルアルコール浴から引きあげ風乾した。
【0014】得られたシャーレを用いてHeLa細胞を
10%CS含有MEM培地中に播種し、37℃、5%C
O2 雰囲気下で48時間培養後、細胞数を数えて細胞増
殖率を算出したところ、従来の細胞培養用シャーレに比
べて1.3倍であり、増殖率の改善がみられた。また、同
時に接触角を液滴法にて測定したところ、約23°から
50°に上昇し疎水性に変化しいて、その後の接触角の
経時変化はみられず、エチルアルコールで浸漬処理した
ことにより、ただちに安定化していた。
10%CS含有MEM培地中に播種し、37℃、5%C
O2 雰囲気下で48時間培養後、細胞数を数えて細胞増
殖率を算出したところ、従来の細胞培養用シャーレに比
べて1.3倍であり、増殖率の改善がみられた。また、同
時に接触角を液滴法にて測定したところ、約23°から
50°に上昇し疎水性に変化しいて、その後の接触角の
経時変化はみられず、エチルアルコールで浸漬処理した
ことにより、ただちに安定化していた。
【0015】
【実施例2】実施例1と同様にして低温プラズマ処理を
施し72時間室温で静置したシャーレを、エチルアルコ
ール蒸気中に室温にて24時間静置し、十分乾燥した
後、実施例1と同様の方法で細胞増殖性と接触角を測定
した。細胞増殖性は従来品に比べて1.2倍の増殖率を示
し、また、接触角は40°に上昇したが、実施例1の浸
漬時より小さい角度であった。
施し72時間室温で静置したシャーレを、エチルアルコ
ール蒸気中に室温にて24時間静置し、十分乾燥した
後、実施例1と同様の方法で細胞増殖性と接触角を測定
した。細胞増殖性は従来品に比べて1.2倍の増殖率を示
し、また、接触角は40°に上昇したが、実施例1の浸
漬時より小さい角度であった。
【0016】
【発明の効果】本発明により表面加工を施したポリスチ
レン細胞培養用具は、従来のポリスチレン細胞培養用具
を使用したときに比べて、1.2〜1.3倍の細胞増殖性の
改善がみられ、かつアルコール処理後ただちに接触角が
上昇し、安定化して表面の経時変化が抑えられので、細
胞培養用具として有用である。
レン細胞培養用具は、従来のポリスチレン細胞培養用具
を使用したときに比べて、1.2〜1.3倍の細胞増殖性の
改善がみられ、かつアルコール処理後ただちに接触角が
上昇し、安定化して表面の経時変化が抑えられので、細
胞培養用具として有用である。
Claims (2)
- 【請求項1】 ポリスチレン成型品の表面を低温プラズ
マ処理し、その表面に1〜4個の炭素原子を有する脂肪
族アルコールを接触させて、細胞増殖性を改善したこと
を特徴とする細胞培養用具。 - 【請求項2】 低温プラズマ発生装置により減圧空気雰
囲気下でポリスチレン成型品の表面を処理し、その後3
日間静置した後、前記成型品を1〜4個の炭素原子を有
する脂肪族アルコールに浸漬し、もしくは該脂肪族アル
コールの蒸気に接触させて、細胞増殖性を改善すること
を特徴とする細胞培養用具の表面加工方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP22699791A JPH0564579A (ja) | 1991-09-06 | 1991-09-06 | 細胞培養用具およびその表面加工方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP22699791A JPH0564579A (ja) | 1991-09-06 | 1991-09-06 | 細胞培養用具およびその表面加工方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0564579A true JPH0564579A (ja) | 1993-03-19 |
Family
ID=16853898
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP22699791A Pending JPH0564579A (ja) | 1991-09-06 | 1991-09-06 | 細胞培養用具およびその表面加工方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0564579A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06327462A (ja) * | 1993-05-21 | 1994-11-29 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 細胞凝集体の形成方法 |
JP2011521091A (ja) * | 2008-05-27 | 2011-07-21 | エーオー テクノロジー アーゲー | ポリマーの表面改質 |
JP5025043B2 (ja) * | 1999-03-24 | 2012-09-12 | ユィロス・パテント・アクチボラグ | 表面およびその製造および使用 |
US8932969B2 (en) | 2011-07-01 | 2015-01-13 | Avanstrate Inc. | Glass substrate for flat panel display and method for manufacturing same |
JP2015527075A (ja) * | 2012-09-06 | 2015-09-17 | プルリステム リミテッド | 細胞の培養のためのデバイス及び方法 |
-
1991
- 1991-09-06 JP JP22699791A patent/JPH0564579A/ja active Pending
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06327462A (ja) * | 1993-05-21 | 1994-11-29 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 細胞凝集体の形成方法 |
JP5025043B2 (ja) * | 1999-03-24 | 2012-09-12 | ユィロス・パテント・アクチボラグ | 表面およびその製造および使用 |
JP2011521091A (ja) * | 2008-05-27 | 2011-07-21 | エーオー テクノロジー アーゲー | ポリマーの表面改質 |
US8932969B2 (en) | 2011-07-01 | 2015-01-13 | Avanstrate Inc. | Glass substrate for flat panel display and method for manufacturing same |
JP2015527075A (ja) * | 2012-09-06 | 2015-09-17 | プルリステム リミテッド | 細胞の培養のためのデバイス及び方法 |
US9512393B2 (en) | 2012-09-06 | 2016-12-06 | Pluristem Ltd. | Devices and methods for culture of cells |
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