JPH0563050A - Icリードフレームの状態測定方法及び装置 - Google Patents

Icリードフレームの状態測定方法及び装置

Info

Publication number
JPH0563050A
JPH0563050A JP3244468A JP24446891A JPH0563050A JP H0563050 A JPH0563050 A JP H0563050A JP 3244468 A JP3244468 A JP 3244468A JP 24446891 A JP24446891 A JP 24446891A JP H0563050 A JPH0563050 A JP H0563050A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
lead frame
sensor
projection
state
edge
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP3244468A
Other languages
English (en)
Inventor
Noriaki Kaneda
田 憲 明 金
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
ADOTETSUKU ENG KK
Original Assignee
ADOTETSUKU ENG KK
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by ADOTETSUKU ENG KK filed Critical ADOTETSUKU ENG KK
Priority to JP3244468A priority Critical patent/JPH0563050A/ja
Priority to US07/909,971 priority patent/US5287759A/en
Publication of JPH0563050A publication Critical patent/JPH0563050A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K13/00Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or adjusting assemblages of electric components
    • H05K13/02Feeding of components
    • H05K13/022Feeding of components with orientation of the elements

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
  • Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】簡単にICリードフレームBの状態を測定する
方法と装置を提供する。 【構成】鉛直方向から上面エッジEUと下面エッジEDを
検出してXn2とXn4を測定し、次に所定角度傾斜させ
てXn1とXn3を得る。これらの位置情報からPnとH
nを算出する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】この発明はICリードフレームの
状態測定装置に関する。
【0002】
【従来の技術】近年種々の分野でICが広く利用されて
いる。ICには多数のリードフレームが備えられてお
り、このリードフレームをソケットに挿入したり或いは
PC基板に直接挿入して回路との接続を行うようになっ
ている。このリードフレームは所定のピッチで並び、ま
た上下方向に位置が揃っていることが必要であるが、ピ
ッチの不揃いや浮きと呼ばれる上下方向の位置の不揃い
がしばしば生じ、ICを実装する前にこれらの検査が必
要である。従来リードフレームの検査はCCDやITV
カメラを用いて対象物の反射光を観察して行ったり、ま
たレーザ光を用いてその反射光を観察する方法などが用
いられている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の検査方
法はリードフレームのピッチと浮きを別々に検査するた
め、検査装置が複雑になり、また検査時間も長くなる欠
点があった。本発明は上記した欠点を改善するためにな
されたもので、ピッチと浮きを簡単な操作で測定できる
新たな方法及び装置を提供することを目的とする。
【0004】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明のICリードフレームの状態測定方法は、リー
ドフレームの上面のエッジの基準面への第1の投影位置
と、投影角度を変えた第2の該投影位置とを測定し、前
記リードフレームBの下面のエッジの基準面への第1の
投影位置と、投影角度を変えた第2の該投影位置とを測
定し、前記測定した投影位置に基づいてリードフレーム
の状態を測定することを基本的な特徴とする。
【0005】
【作用】リードフレームの上面のエッジの基準面への第
1の投影位置と、投影角度を変えた第2の該投影位置と
を測定し、前記リードフレームの下面のエッジの基準面
への第1の投影位置と、投影角度を変えた第2の該投影
位置とを測定する。これにより測定した4つの投影位置
情報はリードフレームのピッチに関する情報を含んでお
り、また該投影位置情報と投影角度とは浮きの情報を含
んでいる。これらの情報に基づいてリードフレームの状
態を算出し測定する。
【0006】
【実施例】以下本発明の実施例を図面に基づいて説明す
る。図1は本発明方法の一実施例の説明図であり、図2
乃至図6は装置の説明図である。IC50は図3乃至図
5に示すようにその周囲にリードフレームBを備えてお
り、このリードフレームBの図5に示すように平面から
見た間隔(ピッチ)と、図4に示す側面からみたリード
フレームBの上下方向の位置を測定し、ピッチの不揃い
と上下方向の不揃い(浮き)を測定することを目的とす
る。図1はリードフレームBを側面から見た状態を示し
ており、1からnまでのリードフレームBが並んでい
る。この方法においては、リードフレームBの上面の上
面エッジEUと下面の下面エッジEDを角度を変えて検出
することによりリードフレームBの状態を測定する。即
ち、上面エッジEUを垂直方向から基準面Mに投影した
位置X12と所定角度θ1傾斜して投影した位置X11と
を測定する。同じく下面エッジEDについても同様にX1
4を求め、所定角度θ1傾斜させてX13を求める。具体
的には所定のセンサを用いて上面エッジEUと下面エッ
ジEDを検出し、その検出した時のセンサの位置を前記
した投影位置とすれば良い。基準面Mから上面エッジE
Uまでの高さh1と、基準面Mから下面エッジEDまでの
高さh1’は、前記測定したX11、X12、X13、X1
4と角度θ1とから下式により求めることができる。
【数1】
【数2】 そして更に基準面MからリードフレームBの中心位置ま
での高さH1は前記したh1とh1’の和の2分の1であ
るから、数1と数2とからH1は下式で表される。
【数3】 この中心位置の高さH1が各リードフレームBにおいて
同じであれば、浮きなどが生じておらず、正常な状態で
あることがわかる。H1が異常値を示すリードフレーム
Bは上下方向に曲がっており、浮きが生じていることが
わかる。また、リードフレームBのピッチはリードフレ
ームBのX12とX14及びその隣のリードフレームBの
X22とX24とから下式により簡単に求めることができ
る。
【数4】 上記数3と数4をn番目のリードフレームBについて一
般式として表せば下式の通りである。
【数5】
【数6】 上記方法において各投影位置はセンサの位置として求め
てもよく、その場合基準面Mは仮想的なものとなる。ま
た、リードフレームBの高さHの基準面はセンサの位置
となる。
【0007】次に具体的な測定装置を説明する。図3及
び図4に示すようにセンサ1は断面コの字状をしてお
り、その突出部の対向する位置にレーザ発光部15と受
光部16が設けられている。センサ1は図2に示すよう
に回転機構部10により回動可能になっており、図6に
示すように所定角度θだけIC50に対して傾けること
ができるようになっている。またセンサ1はスキャン機
構部11によりIC50に沿って平行に(図3のX方
向)移動可能になっており、これにより各リードフレー
ムBのエッジ検出を行うように構成されている。更にセ
ンサ1は先端割出機構部12により前後方向に(図3の
Y方向)進退可能に構成され、リードフレームBの先端
から所定の位置においてエッジ検出を行うことができる
ように構成されている。これらの各機構はモータコント
ロール部13を介してマイクロコンピュータ3に制御さ
れている。レーザ発光部15からのレーザ光は受光部1
6に受光され、その信号は入力インターフェース17を
介してマイクロコンピュータ3に入力するように構成さ
れている。エンコーダ2はセンサ1がIC50に平行に
移動してスキャンする時のセンサ1の位置を検出し、該
信号をカウンタ20に送り、DMA部21を介してメモ
リ4に記憶させるように構成されている。マイクロコン
ピュータ3は前記した数1乃至数6に示す演算を行い、
その結果を表示部5に表示するようになっている。表示
部5はCRT表示あるいはプリンタ等を使用することが
可能である。
【0008】次に動作を説明する。まず先端割出機構部
12をY方向に移動させ、リードフレームBの先端を検
出し、その位置から更に所定距離センサ1を前進させ
て、図4に示すようにセンサ1の位置合わせを行う。ま
た、回転機構部10を駆動してセンサ1をIC50に対
して垂直の位置に姿勢制御する。そして、図5に示すよ
うにスキャン機構部11によりセンサ1をIC50に平
行に移動させ、各リードフレームBを順次スキャンして
いく。レーザ光は図1に示すようにリードフレームBに
対して鉛直に投射され、上面エッジEUの位置で遮閉さ
れ、また下面エッジEDの位置で光が透過する。この信
号は入力インターフェース17を介してマイクロコンピ
ュータ3に入力され、その時のセンサ1の位置がエンコ
ーダ2により検出され、カウンタ20で計数されてメモ
リ4に書き込まれる。即ち、最初に図1に示すX12と
X14の値がメモリ4に格納される。そして、順次スキ
ャンの進行に従って、X22とX24の値が検出され読み
込まれ、Xn2とXn4まで読み込まれて一方向のスキャ
ンが終了する。次にマイクロコンピュータ3は回転機構
部10を駆動して、図6に示すようにセンサ1を所定角
度θ傾斜させ、センサ1を戻る方向にスキャンさせる。
戻り方向のスキャンに際しては、図1に示すようにXn
3とXn1の値がメモリ4に格納され、同様に順次X1
3、X11までメモリ4に記憶される。上記した各エッ
ジ検出におけるセンサ1の位置情報が得られたら、マイ
クロコンピュータ3は数5及び数6に従って演算を実行
し、各リードフレームBの上下方向の位置Hと隣合う各
リードフレームBのピッチPとを算出して表示部5に表
示する。なお、ピッチPのみを得たい場合にはセンサ1
を傾斜させずに一方向のみのスキャンを行えばよい。
【0009】なお、上記実施例ではセンサ1を回動させ
るように構成しているが、別途所定角度を設けたレーザ
発光部15と受光部16のペアを組み込んでおいても良
いし、また所定角度傾斜した他のセンサ1を設けても良
い。
【0010】以上説明した構成によれば、角度の異なる
エッジ検出を実行することにより、簡単にリードフレー
ムBの浮きの測定を実行することができる。また、レー
ザ発光部15と受光部16による透過式センサを用いて
いるため、反射型に比較して誤差が少ない等の効果があ
る。
【0011】
【発明の効果】以上説明したように本発明のICリード
フレームBの状態測定方法によれば、リードフレームB
の上面のエッジの基準面への第1の投影位置と、投影角
度を変えた第2の該投影位置とを測定し、前記リードフ
レームBの下面のエッジの基準面への第1の投影位置
と、投影角度を変えた第2の該投影位置とを測定し、前
記測定した投影位置に基づいてリードフレームBの状態
を測定するようにしているため、簡単にICリードフレ
ームBの状態を測定できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明方法の一実施例を示す説明図。
【図2】本発明装置の一実施例を示すブロック図。
【図3】動作説明図。
【図4】動作説明図。
【図5】動作説明図。
【図6】動作説明図。
【符号の説明】
1:センサ、2:エンコーダ、3:マイクロコンピュー
タ、4:メモリ、5:表示部、10:回転機構部、1
1:スキャン機構部、12:先端割出機構部、13:モ
ータコントロール部、15:レーザ発光部、16:受光
部、17:入力インターフェース、20:カウンタ、2
1:DMA部。

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 リードフレームの上面のエッジの基準面
    への第1の投影位置と、投影角度を変えた第2の該投影
    位置とを測定し、 前記リードフレームの下面のエッジの基準面への第1の
    投影位置と、投影角度を変えた第2の該投影位置とを測
    定し、 前記測定した投影位置に基づいてリードフレームの状態
    を測定する、 ことを特徴とするICリードフレームの状態測定方法。
  2. 【請求項2】 前記投影位置と投影角度からリードフレ
    ームの浮きを測定する請求項1に記載のICリードフレ
    ームの状態測定方法。
  3. 【請求項3】 前記投影位置からリードフレームのピッ
    チを測定する請求項1に記載のICリードフレームの状
    態測定方法。
  4. 【請求項4】 前記第1の投影位置がリードフレームの
    上面のエッジと下面のエッジを結ぶ直線上にある請求項
    1に記載のICリードフレームの状態測定方法。
  5. 【請求項5】 少なくとも2つの異なる角度から光を放
    射することによりリードフレームのエッジを検出するセ
    ンサと、 該センサをリードフレームを横断する方向に移動させる
    移動手段と、 該センサの位置を検出する手段と、 前記センサによるエッジの検出と、前記センサの位置と
    からリードフレームの状態を算出する手段と、 を備えたことを特徴とするICリードフレームの状態測
    定装置。
  6. 【請求項6】 前記センサが発光素子と受光素子とから
    構成される請求項5に記載のICリードフレームの状態
    測定装置。
  7. 【請求項7】 前記センサが回動することにより異なる
    角度から光を放射する請求項5に記載のICリードフレ
    ームの状態測定装置。
JP3244468A 1991-08-29 1991-08-29 Icリードフレームの状態測定方法及び装置 Pending JPH0563050A (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP3244468A JPH0563050A (ja) 1991-08-29 1991-08-29 Icリードフレームの状態測定方法及び装置
US07/909,971 US5287759A (en) 1991-08-29 1992-07-07 Method and apparatus of measuring state of IC lead frame

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP3244468A JPH0563050A (ja) 1991-08-29 1991-08-29 Icリードフレームの状態測定方法及び装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH0563050A true JPH0563050A (ja) 1993-03-12

Family

ID=17119103

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP3244468A Pending JPH0563050A (ja) 1991-08-29 1991-08-29 Icリードフレームの状態測定方法及び装置

Country Status (2)

Country Link
US (1) US5287759A (ja)
JP (1) JPH0563050A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7806540B2 (en) 2005-08-26 2010-10-05 Ccs, Inc. Illumination device

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5628110A (en) * 1994-07-15 1997-05-13 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Inspecting method of an electronic component during a mounting operation of the same onto a substrate
BE1011535A3 (nl) * 1997-11-05 1999-10-05 Framatome Connectors Belgium Werkwijze en inrichting voor het opmeten van de positie van een reeks contactpennen en voor het aanbrengen van deze reeks in een plaat met gedrukte schakelingen.
DE102007023457B4 (de) * 2007-05-19 2009-05-20 Leica Biosystems Nussloch Gmbh Verfahren zur automatischen Annäherung eines dünn zu schneidenden Präparates an das Messer eines Mikrotoms
DE202007007160U1 (de) * 2007-05-19 2007-08-02 Leica Microsystems Nussloch Gmbh Vorrichtung zur Erzeugung von Dünnschnitten
CN102905479B (zh) * 2011-07-25 2017-06-06 富泰华工业(深圳)有限公司 可折叠的便携式电子装置
JP5748284B2 (ja) * 2011-11-01 2015-07-15 富士機械製造株式会社 テープフィーダ
DE102011088031A1 (de) * 2011-12-08 2013-06-13 Robert Bosch Gmbh Getriebesteuermodul
CN103929939B (zh) * 2014-04-18 2017-12-01 东莞市健创电子有限公司 一种车载智能系统

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6131909A (ja) * 1984-07-25 1986-02-14 Hitachi Ltd 金属物体の立体形状検出装置およびその方法
JPS61246609A (ja) * 1985-04-25 1986-11-01 Toshiba Corp 形状検査装置
US4774768A (en) * 1987-04-14 1988-10-04 Allteq Industries Coplanarity tester for surface mounted device
JPH0666370B2 (ja) * 1987-04-14 1994-08-24 株式会社東芝 半導体デバイス用外観検査装置
US4754555A (en) * 1987-05-18 1988-07-05 Adcotech Corporation Apparatus for inspecting the coplanarity of leaded surface mounted electronic components
JPS6474437A (en) * 1987-09-17 1989-03-20 Kyushu Nippon Electric Lead inspecting device for semiconductor device
JPH01277708A (ja) * 1988-04-30 1989-11-08 Nec Corp 集積回路の外観検査装置
JPH02136708A (ja) * 1988-11-16 1990-05-25 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置におけるリードの曲り検査方法
JPH02136707A (ja) * 1988-11-16 1990-05-25 Nec Corp リード曲り検出機
JPH0310104A (ja) * 1989-06-07 1991-01-17 Fujitsu Ltd 光点位置測定装置
JPH07111998B2 (ja) * 1989-08-18 1995-11-29 株式会社東芝 ワイヤボンディング検査装置
JPH0794976B2 (ja) * 1990-05-10 1995-10-11 松下電器産業株式会社 電子部品のリード浮きの検出方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7806540B2 (en) 2005-08-26 2010-10-05 Ccs, Inc. Illumination device

Also Published As

Publication number Publication date
US5287759A (en) 1994-02-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3511450B2 (ja) 光学式測定装置の位置校正方法
US4978224A (en) Method of and apparatus for inspecting mounting of chip components
US6278797B1 (en) Apparatus for inspecting land-attached circuit board
JP3078668B2 (ja) 自動ガラススクライバー
JPH0563050A (ja) Icリードフレームの状態測定方法及び装置
JP2008196974A (ja) 突起物の高さ測定装置及び高さ測定方法
JP2001359126A (ja) 光軸傾斜角度検出装置とそれを備えた画像測定装置
JP2018205024A (ja) 画像検査装置、画像検査方法、画像検査プログラム及びコンピュータで読み取り可能な記録媒体並びに記録した機器
JP4603121B2 (ja) 光学式スケール装置及び光学式ロータリースケール装置
JPH07260444A (ja) 光切断法による対象物の三次元計測方法およびその装置
JPH0356402B2 (ja)
SE470029B (sv) Optisk anordning för kontroll av jämnhet och planhet hos en yta
JP3823488B2 (ja) Icリード浮き検査装置及び検査方法
JPH0735644A (ja) カメラキャリブレーション装置
JPH0666533A (ja) リードの状態測定方法及び装置
JPH01298634A (ja) 試料面の2次元的分析装置
JP2559443B2 (ja) 三次元物体の計測装置
JP2795790B2 (ja) 3次元計測装置のセンサ座標補正方法
JP2989960B2 (ja) 自動車の視界測定方法及び装置
JP3006566B2 (ja) リード曲がり検査装置
JP2630034B2 (ja) リード曲り測定装置
JPH08327336A (ja) 3次元形状測定装置
JP3007927B2 (ja) 画像処理システム
JP2827639B2 (ja) 画像処理におけるバー判別方法
JPS63128215A (ja) カメラ光軸の傾き検出方法