JPH0562898A - 単結晶膜の製造方法 - Google Patents

単結晶膜の製造方法

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JPH0562898A
JPH0562898A JP3224184A JP22418491A JPH0562898A JP H0562898 A JPH0562898 A JP H0562898A JP 3224184 A JP3224184 A JP 3224184A JP 22418491 A JP22418491 A JP 22418491A JP H0562898 A JPH0562898 A JP H0562898A
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JP
Japan
Prior art keywords
solid
single crystal
film
material film
substrate
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Pending
Application number
JP3224184A
Other languages
English (en)
Inventor
Seiichi Iwamatsu
誠一 岩松
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp filed Critical Seiko Epson Corp
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Publication of JPH0562898A publication Critical patent/JPH0562898A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy

Landscapes

  • Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)
  • Recrystallisation Techniques (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 低コストで、高効率、且つ長寿命の半導体太
陽電池の製造方法を提供する。 【構成】 第１の固体表面の一部に第２の固体単結晶か
ら成る単結晶育成種を設け、該固体単結晶育成種に少な
くとも接して成り、且つ第１の固体表面を被覆した多結
晶またはアモルファス状態の第２と同一材料から成る膜
または第３の固体材料膜が形成されて成った基板を形成
し、該基板を前記固体材料膜の融点より僅かに低温に保
ちながら少なくとも前記固体単結晶育成種と前記固体材
料膜とが接した部分からエネルギービームを照射して融
解しながら移動走査し、前記エネルギービームにより第
１の固体表面上の前記固体材料膜を実質的に連続して融
解と冷却過程による固体化により単結晶化を行い、前記
固体材料膜を基板表面において単結晶化する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は太陽電池用の半導体単結
晶膜の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体による太陽電池にはアモル
ファス半導体膜、多結晶半導体ウエーハ、単結晶半導体
ウエーハが用いられるのが通例であった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記従来技術
によると、アモルファス半導体膜による太陽電池は変換
効率が低く、寿命が短いと言う課題があった。又、多結
晶半導体ウエーハによる太陽電池は変換効率が単結晶半
導体ウエーハによる太陽電池には及ばないと言う課題が
あった。更に、単結晶半導体ウエーハによる太陽電池は
コスト高につくと言う課題があった。
【０００４】本発明は、上記従来技術の課題を解決し、
低コストで、変換効率の良い、長寿命の太陽電池を提供
することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決し、上記
目的を達成するために本発明は、単結晶膜の製造方法に
関し、（１） 第１の固体表面の一部に第２の固体単結
晶から成る単結晶育成種を設け、該固体単結晶育成種に
少なくとも接して成り、且つ第１の固体表面を被覆した
多結晶またはアモルファス状態の第２と同一材料から成
る膜または第３の固体材料膜が形成されて成った基板を
形成し、該基板を前記固体材料膜の融点より僅かに低温
に保ちながら少なくとも前記固体単結晶育成種と前記固
体材料膜とが接した部分からエネルギービームを照射し
て融解しながら移動走査し、前記エネルギービームによ
り第１の固体表面上の前記固体材料膜を実質的に連続し
て融解と冷却過程による固体化により単結晶化を行い、
前記固体材料膜を基板表面において単結晶化する手段を
とること、および（２） （１）項記載の第１の固体表
面の一部に凹部が形成され、該凹部内に第２の固体単結
晶から成る単結晶育成種が埋め込んで設ける手段をとる
こと、および（３） （１）項記載の第１の固体を耐熱
合金、セラミック、耐熱ガラス、石英、磁器、炭素ある
いはそれらの複合材等と成す手段をとること、および
（４） （１）項記載の第２の固体単結晶をＳｉ，Ｇａ
Ａｓ，ＩｎＰ等の半導体と成す手段をとること、（５）
（１）項記載の第３の固体材料膜をＳｉ，ＧａＡｓ，
ＩｎＰ等の半導体と成す手段をとること、等の手段をと
る。
【０００６】
【実施例】以下、実施例により本発明を詳述する。
【０００７】図１は本発明の一実施例を示す単結晶膜育
成方法を示す断面図である。すなわち、石英から成る基
板１の表面の一部にＳｉから成る単結晶育成種２を張り
付けて設置し、該単結晶育成種２に接して且つ基板１の
表面にＣＶＤ法によりアモルファスＳｉまたは多結晶Ｓ
ｉから成る半導体膜３を形成して、基板１をＳｉの融点
より僅かに低い１３００℃台に加熱しながら、ストライ
プヒータにより単結晶育成種２の表面から基板１の表面
の半導体膜３の方向に移動走査しながら、少なくとも半
導体膜３の表面を融解しながら固化することにより半導
体膜３の少なくとも表面は単結晶半導体膜と成すことが
できる。尚、半導体膜３の表面には予めＣＶＤ酸化膜等
が被覆されていても良い。
【０００８】図２は本発明の他の実施例を示す単結晶膜
育成方法を示す断面図である。すなわち、石英から成る
基板１１の表面の一部の凹部にＳｉから成る単結晶育成
種１２を張り付けて設置し、該単結晶育成種１２に接し
て且つ基板１の表面にＣＶＤ法によりアモルファスＳｉ
または多結晶Ｓｉから成る半導体膜１３を形成して、基
板１１をＳｉの融点より僅かに低い１３００℃台に加熱
しながら、ストライプヒータにより単結晶育成種１２の
表面から基板１１の表面の半導体膜１３の方向に移動走
査しながら、少なくとも半導体膜１３の表面を融解しな
がら固化することにより半導体膜１３の少なくとも表面
は単結晶半導体膜と成すことができる。尚、半導体膜１
３の表面には予めＣＶＤ酸化膜等が被覆されていても良
い。
【０００９】更に、基板１、１１は耐熱合金、セラミッ
ク、耐熱ガラス、石英、磁器、炭素あるいはそれらの複
合材等と成しても良く、単結晶育成種２、１２はＳｉ，
ＧａＡｓ，ＩｎＰ等の半導体と成しても良く、半導体膜
３、１３はＳｉ，ＧａＡｓ，ＩｎＰ等の半導体と成して
も良い。
【００１０】
【発明の効果】本発明により低コストで、高効率、且つ
長寿命の半導体太陽電池を提供することができる項かが
ある。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の一実施例を示す単結晶膜育成方法を
示す断面図。
【図２】 本発明の他の実施例を示す単結晶膜育成方法
を示す断面図。
【符号の説明】
１、１１・・・基板 ２、１２・・・単結晶育成種 ３、１３・・・半導体膜

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 第１の固体表面の一部には第２の固体単
    結晶から成る単結晶育成種が設けられ、該固体単結晶育
    成種に少なくとも接して成り、且つ第１の固体表面を被
    覆した多結晶またはアモルファス状態の第２と同一材料
    から成る膜または第３の固体材料膜が形成されて成った
    基板を形成し、該基板を前記固体材料膜の融点より僅か
    に低温に保ちながら少なくとも前記固体単結晶育成種と
    前記固体材料膜とが接した部分からエネルギービームを
    照射して融解しながら移動走査し、前記エネルギービー
    ムにより第１の固体表面上の前記固体材料膜を実質的に
    連続して融解と冷却過程による固体化により単結晶化を
    行い、前記固体材料膜を基板表面において単結晶化する
    ことを特徴とする単結晶膜の製造方法。
  2. 【請求項２】 第１の固体表面の一部には凹部が形成さ
    れ、該凹部内に第２の固体単結晶から成る単結晶育成種
    が埋め込まれて設けられて成ることを特徴とする請求項
    １記載の単結晶膜の製造方法。
  3. 【請求項３】 第１の固体を耐熱合金、セラミック、耐
    熱ガラス、石英、磁器あるいはそれらの複合材等と成す
    ことを特徴とする請求項１記載の単結晶膜の製造方法。
  4. 【請求項４】 第２の固体単結晶をＳｉ，ＧａＡｓ，Ｉ
    ｎＰ等の半導体と成すことを特徴とする請求項１記載の
    単結晶膜の製造方法。
  5. 【請求項５】 第３の固体材料膜をＳｉ，ＧａＡｓ，Ｉ
    ｎＰ等の半導体と成すことを特徴とする請求項１記載の
    単結晶膜の製造方法。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004158780A (ja) * 2002-11-08 2004-06-03 Seiko Epson Corp 半導体薄膜の製造方法、半導体装置の製造方法及び半導体装置、薄膜トランジスタの製造方法及び薄膜トランジスタ、集積回路、電気光学装置、電子機器

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004158780A (ja) * 2002-11-08 2004-06-03 Seiko Epson Corp 半導体薄膜の製造方法、半導体装置の製造方法及び半導体装置、薄膜トランジスタの製造方法及び薄膜トランジスタ、集積回路、電気光学装置、電子機器
JP4655448B2 (ja) * 2002-11-08 2011-03-23 セイコーエプソン株式会社 薄膜トランジスタの製造方法

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