JPH0562898A - 単結晶膜の製造方法 - Google Patents
単結晶膜の製造方法Info
- Publication number
- JPH0562898A JPH0562898A JP3224184A JP22418491A JPH0562898A JP H0562898 A JPH0562898 A JP H0562898A JP 3224184 A JP3224184 A JP 3224184A JP 22418491 A JP22418491 A JP 22418491A JP H0562898 A JPH0562898 A JP H0562898A
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- single crystal
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- material film
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- Pending
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-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Recrystallisation Techniques (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 低コストで、高効率、且つ長寿命の半導体太
陽電池の製造方法を提供する。 【構成】 第1の固体表面の一部に第2の固体単結晶か
ら成る単結晶育成種を設け、該固体単結晶育成種に少な
くとも接して成り、且つ第1の固体表面を被覆した多結
晶またはアモルファス状態の第2と同一材料から成る膜
または第3の固体材料膜が形成されて成った基板を形成
し、該基板を前記固体材料膜の融点より僅かに低温に保
ちながら少なくとも前記固体単結晶育成種と前記固体材
料膜とが接した部分からエネルギービームを照射して融
解しながら移動走査し、前記エネルギービームにより第
1の固体表面上の前記固体材料膜を実質的に連続して融
解と冷却過程による固体化により単結晶化を行い、前記
固体材料膜を基板表面において単結晶化する。
陽電池の製造方法を提供する。 【構成】 第1の固体表面の一部に第2の固体単結晶か
ら成る単結晶育成種を設け、該固体単結晶育成種に少な
くとも接して成り、且つ第1の固体表面を被覆した多結
晶またはアモルファス状態の第2と同一材料から成る膜
または第3の固体材料膜が形成されて成った基板を形成
し、該基板を前記固体材料膜の融点より僅かに低温に保
ちながら少なくとも前記固体単結晶育成種と前記固体材
料膜とが接した部分からエネルギービームを照射して融
解しながら移動走査し、前記エネルギービームにより第
1の固体表面上の前記固体材料膜を実質的に連続して融
解と冷却過程による固体化により単結晶化を行い、前記
固体材料膜を基板表面において単結晶化する。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は太陽電池用の半導体単結
晶膜の製造方法に関する。
晶膜の製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、半導体による太陽電池にはアモル
ファス半導体膜、多結晶半導体ウエーハ、単結晶半導体
ウエーハが用いられるのが通例であった。
ファス半導体膜、多結晶半導体ウエーハ、単結晶半導体
ウエーハが用いられるのが通例であった。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記従来技術
によると、アモルファス半導体膜による太陽電池は変換
効率が低く、寿命が短いと言う課題があった。又、多結
晶半導体ウエーハによる太陽電池は変換効率が単結晶半
導体ウエーハによる太陽電池には及ばないと言う課題が
あった。更に、単結晶半導体ウエーハによる太陽電池は
コスト高につくと言う課題があった。
によると、アモルファス半導体膜による太陽電池は変換
効率が低く、寿命が短いと言う課題があった。又、多結
晶半導体ウエーハによる太陽電池は変換効率が単結晶半
導体ウエーハによる太陽電池には及ばないと言う課題が
あった。更に、単結晶半導体ウエーハによる太陽電池は
コスト高につくと言う課題があった。
【0004】本発明は、上記従来技術の課題を解決し、
低コストで、変換効率の良い、長寿命の太陽電池を提供
することを目的とする。
低コストで、変換効率の良い、長寿命の太陽電池を提供
することを目的とする。
【0005】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決し、上記
目的を達成するために本発明は、単結晶膜の製造方法に
関し、(1) 第1の固体表面の一部に第2の固体単結
晶から成る単結晶育成種を設け、該固体単結晶育成種に
少なくとも接して成り、且つ第1の固体表面を被覆した
多結晶またはアモルファス状態の第2と同一材料から成
る膜または第3の固体材料膜が形成されて成った基板を
形成し、該基板を前記固体材料膜の融点より僅かに低温
に保ちながら少なくとも前記固体単結晶育成種と前記固
体材料膜とが接した部分からエネルギービームを照射し
て融解しながら移動走査し、前記エネルギービームによ
り第1の固体表面上の前記固体材料膜を実質的に連続し
て融解と冷却過程による固体化により単結晶化を行い、
前記固体材料膜を基板表面において単結晶化する手段を
とること、および(2) (1)項記載の第1の固体表
面の一部に凹部が形成され、該凹部内に第2の固体単結
晶から成る単結晶育成種が埋め込んで設ける手段をとる
こと、および(3) (1)項記載の第1の固体を耐熱
合金、セラミック、耐熱ガラス、石英、磁器、炭素ある
いはそれらの複合材等と成す手段をとること、および
(4) (1)項記載の第2の固体単結晶をSi,Ga
As,InP等の半導体と成す手段をとること、(5)
(1)項記載の第3の固体材料膜をSi,GaAs,
InP等の半導体と成す手段をとること、等の手段をと
る。
目的を達成するために本発明は、単結晶膜の製造方法に
関し、(1) 第1の固体表面の一部に第2の固体単結
晶から成る単結晶育成種を設け、該固体単結晶育成種に
少なくとも接して成り、且つ第1の固体表面を被覆した
多結晶またはアモルファス状態の第2と同一材料から成
る膜または第3の固体材料膜が形成されて成った基板を
形成し、該基板を前記固体材料膜の融点より僅かに低温
に保ちながら少なくとも前記固体単結晶育成種と前記固
体材料膜とが接した部分からエネルギービームを照射し
て融解しながら移動走査し、前記エネルギービームによ
り第1の固体表面上の前記固体材料膜を実質的に連続し
て融解と冷却過程による固体化により単結晶化を行い、
前記固体材料膜を基板表面において単結晶化する手段を
とること、および(2) (1)項記載の第1の固体表
面の一部に凹部が形成され、該凹部内に第2の固体単結
晶から成る単結晶育成種が埋め込んで設ける手段をとる
こと、および(3) (1)項記載の第1の固体を耐熱
合金、セラミック、耐熱ガラス、石英、磁器、炭素ある
いはそれらの複合材等と成す手段をとること、および
(4) (1)項記載の第2の固体単結晶をSi,Ga
As,InP等の半導体と成す手段をとること、(5)
(1)項記載の第3の固体材料膜をSi,GaAs,
InP等の半導体と成す手段をとること、等の手段をと
る。
【0006】
【実施例】以下、実施例により本発明を詳述する。
【0007】図1は本発明の一実施例を示す単結晶膜育
成方法を示す断面図である。すなわち、石英から成る基
板1の表面の一部にSiから成る単結晶育成種2を張り
付けて設置し、該単結晶育成種2に接して且つ基板1の
表面にCVD法によりアモルファスSiまたは多結晶S
iから成る半導体膜3を形成して、基板1をSiの融点
より僅かに低い1300℃台に加熱しながら、ストライ
プヒータにより単結晶育成種2の表面から基板1の表面
の半導体膜3の方向に移動走査しながら、少なくとも半
導体膜3の表面を融解しながら固化することにより半導
体膜3の少なくとも表面は単結晶半導体膜と成すことが
できる。尚、半導体膜3の表面には予めCVD酸化膜等
が被覆されていても良い。
成方法を示す断面図である。すなわち、石英から成る基
板1の表面の一部にSiから成る単結晶育成種2を張り
付けて設置し、該単結晶育成種2に接して且つ基板1の
表面にCVD法によりアモルファスSiまたは多結晶S
iから成る半導体膜3を形成して、基板1をSiの融点
より僅かに低い1300℃台に加熱しながら、ストライ
プヒータにより単結晶育成種2の表面から基板1の表面
の半導体膜3の方向に移動走査しながら、少なくとも半
導体膜3の表面を融解しながら固化することにより半導
体膜3の少なくとも表面は単結晶半導体膜と成すことが
できる。尚、半導体膜3の表面には予めCVD酸化膜等
が被覆されていても良い。
【0008】図2は本発明の他の実施例を示す単結晶膜
育成方法を示す断面図である。すなわち、石英から成る
基板11の表面の一部の凹部にSiから成る単結晶育成
種12を張り付けて設置し、該単結晶育成種12に接し
て且つ基板1の表面にCVD法によりアモルファスSi
または多結晶Siから成る半導体膜13を形成して、基
板11をSiの融点より僅かに低い1300℃台に加熱
しながら、ストライプヒータにより単結晶育成種12の
表面から基板11の表面の半導体膜13の方向に移動走
査しながら、少なくとも半導体膜13の表面を融解しな
がら固化することにより半導体膜13の少なくとも表面
は単結晶半導体膜と成すことができる。尚、半導体膜1
3の表面には予めCVD酸化膜等が被覆されていても良
い。
育成方法を示す断面図である。すなわち、石英から成る
基板11の表面の一部の凹部にSiから成る単結晶育成
種12を張り付けて設置し、該単結晶育成種12に接し
て且つ基板1の表面にCVD法によりアモルファスSi
または多結晶Siから成る半導体膜13を形成して、基
板11をSiの融点より僅かに低い1300℃台に加熱
しながら、ストライプヒータにより単結晶育成種12の
表面から基板11の表面の半導体膜13の方向に移動走
査しながら、少なくとも半導体膜13の表面を融解しな
がら固化することにより半導体膜13の少なくとも表面
は単結晶半導体膜と成すことができる。尚、半導体膜1
3の表面には予めCVD酸化膜等が被覆されていても良
い。
【0009】更に、基板1、11は耐熱合金、セラミッ
ク、耐熱ガラス、石英、磁器、炭素あるいはそれらの複
合材等と成しても良く、単結晶育成種2、12はSi,
GaAs,InP等の半導体と成しても良く、半導体膜
3、13はSi,GaAs,InP等の半導体と成して
も良い。
ク、耐熱ガラス、石英、磁器、炭素あるいはそれらの複
合材等と成しても良く、単結晶育成種2、12はSi,
GaAs,InP等の半導体と成しても良く、半導体膜
3、13はSi,GaAs,InP等の半導体と成して
も良い。
【0010】
【発明の効果】本発明により低コストで、高効率、且つ
長寿命の半導体太陽電池を提供することができる項かが
ある。
長寿命の半導体太陽電池を提供することができる項かが
ある。
【図1】 本発明の一実施例を示す単結晶膜育成方法を
示す断面図。
示す断面図。
【図2】 本発明の他の実施例を示す単結晶膜育成方法
を示す断面図。
を示す断面図。
1、11・・・基板 2、12・・・単結晶育成種 3、13・・・半導体膜
Claims (5)
- 【請求項1】 第1の固体表面の一部には第2の固体単
結晶から成る単結晶育成種が設けられ、該固体単結晶育
成種に少なくとも接して成り、且つ第1の固体表面を被
覆した多結晶またはアモルファス状態の第2と同一材料
から成る膜または第3の固体材料膜が形成されて成った
基板を形成し、該基板を前記固体材料膜の融点より僅か
に低温に保ちながら少なくとも前記固体単結晶育成種と
前記固体材料膜とが接した部分からエネルギービームを
照射して融解しながら移動走査し、前記エネルギービー
ムにより第1の固体表面上の前記固体材料膜を実質的に
連続して融解と冷却過程による固体化により単結晶化を
行い、前記固体材料膜を基板表面において単結晶化する
ことを特徴とする単結晶膜の製造方法。 - 【請求項2】 第1の固体表面の一部には凹部が形成さ
れ、該凹部内に第2の固体単結晶から成る単結晶育成種
が埋め込まれて設けられて成ることを特徴とする請求項
1記載の単結晶膜の製造方法。 - 【請求項3】 第1の固体を耐熱合金、セラミック、耐
熱ガラス、石英、磁器あるいはそれらの複合材等と成す
ことを特徴とする請求項1記載の単結晶膜の製造方法。 - 【請求項4】 第2の固体単結晶をSi,GaAs,I
nP等の半導体と成すことを特徴とする請求項1記載の
単結晶膜の製造方法。 - 【請求項5】 第3の固体材料膜をSi,GaAs,I
nP等の半導体と成すことを特徴とする請求項1記載の
単結晶膜の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3224184A JPH0562898A (ja) | 1991-09-04 | 1991-09-04 | 単結晶膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3224184A JPH0562898A (ja) | 1991-09-04 | 1991-09-04 | 単結晶膜の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0562898A true JPH0562898A (ja) | 1993-03-12 |
Family
ID=16809844
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3224184A Pending JPH0562898A (ja) | 1991-09-04 | 1991-09-04 | 単結晶膜の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0562898A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004158780A (ja) * | 2002-11-08 | 2004-06-03 | Seiko Epson Corp | 半導体薄膜の製造方法、半導体装置の製造方法及び半導体装置、薄膜トランジスタの製造方法及び薄膜トランジスタ、集積回路、電気光学装置、電子機器 |
-
1991
- 1991-09-04 JP JP3224184A patent/JPH0562898A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004158780A (ja) * | 2002-11-08 | 2004-06-03 | Seiko Epson Corp | 半導体薄膜の製造方法、半導体装置の製造方法及び半導体装置、薄膜トランジスタの製造方法及び薄膜トランジスタ、集積回路、電気光学装置、電子機器 |
JP4655448B2 (ja) * | 2002-11-08 | 2011-03-23 | セイコーエプソン株式会社 | 薄膜トランジスタの製造方法 |
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