JPH0559546A - スパツタデポジシヨン装置 - Google Patents
スパツタデポジシヨン装置Info
- Publication number
- JPH0559546A JPH0559546A JP22199291A JP22199291A JPH0559546A JP H0559546 A JPH0559546 A JP H0559546A JP 22199291 A JP22199291 A JP 22199291A JP 22199291 A JP22199291 A JP 22199291A JP H0559546 A JPH0559546 A JP H0559546A
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- JP
- Japan
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- rotating
- sample stage
- target
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- Pending
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- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】 試料を搭載して自己の中心のまわりに回転す
る自転試料台と、自転試料台を搭載して自己の中心のま
わりに回転する公転試料台とを設け、自転試料台および
公転試料台を回転させながらスパッタリングを行う。 【効果】 均一な膜厚の薄膜を形成することができる。
る自転試料台と、自転試料台を搭載して自己の中心のま
わりに回転する公転試料台とを設け、自転試料台および
公転試料台を回転させながらスパッタリングを行う。 【効果】 均一な膜厚の薄膜を形成することができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、コンピュータ等の電子
機器に使用する回路基板や液晶表示板等を製造するとき
に用いる薄膜作成用のスパッタデポジション装置に関す
る。
機器に使用する回路基板や液晶表示板等を製造するとき
に用いる薄膜作成用のスパッタデポジション装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】図２は従来のスパッタデポジション装置
の一例を示す図で、（ａ）は縦断面図、（ｂ）はＢ−Ｂ
線断面図ある。
の一例を示す図で、（ａ）は縦断面図、（ｂ）はＢ−Ｂ
線断面図ある。
【０００３】コンピュータ等の電子機器に使用する回路
基板や液晶表示板等を製造するときに用いる薄膜作成用
の従来のスパッタデポジション装置は、図２に示すよう
に、上面に試料４を搭載する固定の試料台（固定試料
台）５と、固定試料台５の上方に設置され下面にターゲ
ット２を保持する電極部１と、固定試料台５および電極
部１を内部に収容し、側面にガス導入口３を有し、下面
に排気口７を有する真空槽６と、排気口７に接続されて
真空槽６内の空気を排出する真空ポンプ８とを備えてお
り、ガス導入口３からガスを導入してそれを高エネルギ
ーのイオン１９とし、イオン１９をターゲット２の表面
に衝突させる。イオン１９を衝突されたターゲット２
は、イオン１９と運動量の交換を行ってスパッタ原子２
０を放出する。ターゲット２から放出されたスパッタ原
子２０は、固定試料台５に搭載されている試料４の位置
に到達し、試料４の表面に付着して薄膜を形成する。
基板や液晶表示板等を製造するときに用いる薄膜作成用
の従来のスパッタデポジション装置は、図２に示すよう
に、上面に試料４を搭載する固定の試料台（固定試料
台）５と、固定試料台５の上方に設置され下面にターゲ
ット２を保持する電極部１と、固定試料台５および電極
部１を内部に収容し、側面にガス導入口３を有し、下面
に排気口７を有する真空槽６と、排気口７に接続されて
真空槽６内の空気を排出する真空ポンプ８とを備えてお
り、ガス導入口３からガスを導入してそれを高エネルギ
ーのイオン１９とし、イオン１９をターゲット２の表面
に衝突させる。イオン１９を衝突されたターゲット２
は、イオン１９と運動量の交換を行ってスパッタ原子２
０を放出する。ターゲット２から放出されたスパッタ原
子２０は、固定試料台５に搭載されている試料４の位置
に到達し、試料４の表面に付着して薄膜を形成する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上述したような従来の
スパッタデポジション装置は、試料台が固定の試料台と
なっているため、その上に搭載した試料にスパッタリン
グを行って薄膜を形成したとき、試料台の中心部では成
膜速度が早くなり、周辺部では遅くなるため、同一試料
でも、試料台の中心部に載置した部分の膜厚が厚くな
り、試料台の周辺部に載置した部分の膜厚が薄くなると
いう欠点を有している。
スパッタデポジション装置は、試料台が固定の試料台と
なっているため、その上に搭載した試料にスパッタリン
グを行って薄膜を形成したとき、試料台の中心部では成
膜速度が早くなり、周辺部では遅くなるため、同一試料
でも、試料台の中心部に載置した部分の膜厚が厚くな
り、試料台の周辺部に載置した部分の膜厚が薄くなると
いう欠点を有している。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明のスパッタデポジ
ション装置は、上面に試料を搭載して自己の中心のまわ
りに回転する自転試料台と、前記自転試料台を搭載して
自己の中心のまわりに回転する公転試料台と、前記自転
試料台の上方に設置され下面にターゲットを保持する電
極部と、前記自転試料台および前記公転試料台および前
記電極部を内部に収容しかつ側面にガス導入口を有し下
面に排気口を有する真空槽と、前記排気口に接続されて
前記真空槽内の空気を排出する真空ポンプとを備えたも
のである。
ション装置は、上面に試料を搭載して自己の中心のまわ
りに回転する自転試料台と、前記自転試料台を搭載して
自己の中心のまわりに回転する公転試料台と、前記自転
試料台の上方に設置され下面にターゲットを保持する電
極部と、前記自転試料台および前記公転試料台および前
記電極部を内部に収容しかつ側面にガス導入口を有し下
面に排気口を有する真空槽と、前記排気口に接続されて
前記真空槽内の空気を排出する真空ポンプとを備えたも
のである。
【０００６】
【実施例】次に、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。
て説明する。
【０００７】図１は本発明の一実施例を示すブロック図
である。
である。
【０００８】本実施例は、図１に示すように、上面に試
料１４を搭載して自己の中心のまわりに回転（自転軌道
Ｃ）する自転試料台１０と、自転試料台１０を搭載して
自己の中心のまわりに回転（公転軌道Ｄ）する公転試料
台１５と、自転試料台１０の上方に設置され下面にター
ゲット１２を保持する電極部１１と、自転試料台１０お
よび公転試料台１５および電極部１１を内部に収容し、
側面にガス導入口１３を有し、下面に排気口１７を有す
る真空槽１６と、排気口１７に接続されて真空槽１６内
の空気を排出する真空ポンプ１８とを備えている。
料１４を搭載して自己の中心のまわりに回転（自転軌道
Ｃ）する自転試料台１０と、自転試料台１０を搭載して
自己の中心のまわりに回転（公転軌道Ｄ）する公転試料
台１５と、自転試料台１０の上方に設置され下面にター
ゲット１２を保持する電極部１１と、自転試料台１０お
よび公転試料台１５および電極部１１を内部に収容し、
側面にガス導入口１３を有し、下面に排気口１７を有す
る真空槽１６と、排気口１７に接続されて真空槽１６内
の空気を排出する真空ポンプ１８とを備えている。
【０００９】上述のように構成したスパッタデポジショ
ン装置によって試料１４に対してスパッタリングを行う
ときは、ガス導入口１３からアルゴンガス等のガスを導
入してそれに高電圧を印加する。これによってプラズマ
放電が生じ、高エネルギーの正イオン（イオン）１９が
発生する。このイオン１９をターゲット１２の表面に衝
突させると、ターゲット１２の表面からスパッタ原子２
０を放出する。ターゲット１２から放出されたスパッタ
原子２０は、自転試料台１０に搭載されている試料１４
の位置に到達し、試料１４の表面に付着して薄膜を形成
する。このとき、公転試料台１５を回転させ、かつ自転
試料台１０も回転させると、試料上の成膜速度が平均化
されるため、試料の膜厚は均一となる。
ン装置によって試料１４に対してスパッタリングを行う
ときは、ガス導入口１３からアルゴンガス等のガスを導
入してそれに高電圧を印加する。これによってプラズマ
放電が生じ、高エネルギーの正イオン（イオン）１９が
発生する。このイオン１９をターゲット１２の表面に衝
突させると、ターゲット１２の表面からスパッタ原子２
０を放出する。ターゲット１２から放出されたスパッタ
原子２０は、自転試料台１０に搭載されている試料１４
の位置に到達し、試料１４の表面に付着して薄膜を形成
する。このとき、公転試料台１５を回転させ、かつ自転
試料台１０も回転させると、試料上の成膜速度が平均化
されるため、試料の膜厚は均一となる。
【００１０】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のスパッタ
デポジション装置は、試料を搭載して自己の中心のまわ
りに回転する自転試料台と、自転試料台を搭載して自己
の中心のまわりに回転する公転試料台とを設け、自転試
料台および公転試料台を回転させながらスパッタリング
を行うことにより、均一な膜厚の薄膜を形成することが
できるという効果がある。
デポジション装置は、試料を搭載して自己の中心のまわ
りに回転する自転試料台と、自転試料台を搭載して自己
の中心のまわりに回転する公転試料台とを設け、自転試
料台および公転試料台を回転させながらスパッタリング
を行うことにより、均一な膜厚の薄膜を形成することが
できるという効果がある。
【図１】本発明の一実施例を示す図で、（ａ）は縦断面
図、（ｂ）はＡ−Ａ線断面図ある。
図、（ｂ）はＡ−Ａ線断面図ある。
【図２】従来のスパッタデポジション装置の一例を示す
図で、（ａ）は縦断面図、（ｂ）はＢ−Ｂ線断面図あ
る。
図で、（ａ）は縦断面図、（ｂ）はＢ−Ｂ線断面図あ
る。
１ 電極部 ２ ターゲット ３ ガス導入口 ４ 試料 ５ 試料台（固定試料台） ６ 真空槽 ７ 排気口 ８ 真空ポンプ １０ 自転試料台 １１ 電極部 １２ ターゲット １３ ガス導入口 １４ 試料 １５ 公転試料台 １６ 真空槽 １７ 排気口 １８ 真空ポンプ １９ イオン ２０ スパッタ原子
Claims (1)
- 【請求項１】 上面に試料を搭載して自己の中心のまわ
りに回転する自転試料台と、前記自転試料台を搭載して
自己の中心のまわりに回転する公転試料台と、前記自転
試料台の上方に設置され下面にターゲットを保持する電
極部と、前記自転試料台および前記公転試料台および前
記電極部を内部に収容しかつ側面にガス導入口を有し下
面に排気口を有する真空槽と、前記排気口に接続されて
前記真空槽内の空気を排出する真空ポンプとを備えるこ
とを特徴とするスパッタデポジション装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22199291A JPH0559546A (ja) | 1991-09-03 | 1991-09-03 | スパツタデポジシヨン装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22199291A JPH0559546A (ja) | 1991-09-03 | 1991-09-03 | スパツタデポジシヨン装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0559546A true JPH0559546A (ja) | 1993-03-09 |
Family
ID=16775390
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22199291A Pending JPH0559546A (ja) | 1991-09-03 | 1991-09-03 | スパツタデポジシヨン装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0559546A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6829032B2 (en) | 2002-02-06 | 2004-12-07 | Lg. Philips Lcd Co., Ltd. | Apparatus and method for manufacturing liquid crystal device using unitary vacuum processing chamber |
-
1991
- 1991-09-03 JP JP22199291A patent/JPH0559546A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6829032B2 (en) | 2002-02-06 | 2004-12-07 | Lg. Philips Lcd Co., Ltd. | Apparatus and method for manufacturing liquid crystal device using unitary vacuum processing chamber |
| US7256860B2 (en) | 2002-02-06 | 2007-08-14 | Lg.Philips Lcd Co., Ltd. | Apparatus and method for manufacturing liquid crystal display device using unitary vacuum processing chamber |
| US7369210B2 (en) | 2002-02-06 | 2008-05-06 | Lg.Philips Lcd Co., Ltd. | Apparatus and method for manufacturing liquid crystal display device using unitary vacuum processing chamber |
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