JPH0559020A - 置換フエノキシスルホニルカルバモイルトリアゾール誘導体の製造法 - Google Patents
置換フエノキシスルホニルカルバモイルトリアゾール誘導体の製造法Info
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- JPH0559020A JPH0559020A JP21505791A JP21505791A JPH0559020A JP H0559020 A JPH0559020 A JP H0559020A JP 21505791 A JP21505791 A JP 21505791A JP 21505791 A JP21505791 A JP 21505791A JP H0559020 A JPH0559020 A JP H0559020A
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【構成】 下記反応式で表わされる、除草剤として有用
な式（Ｉ）の置換フェノキシスルホニルカルバモイルト
リアゾール誘導体の製造法。 〔式中、Ｒ１およびＲ２は低級アルキル基、低級アルケ
ニル基、Ｙは水素原子、ハロゲン原子、低級アルキル基
など、ｍは１〜５の整数、Ｘはハロゲン原子を示す〕 【効果】 式（Ｉ）の置換フェノキシスルホニルカルバ
モイルトリアゾール誘導体を効率的に製造できる。
な式（Ｉ）の置換フェノキシスルホニルカルバモイルト
リアゾール誘導体の製造法。 〔式中、Ｒ１およびＲ２は低級アルキル基、低級アルケ
ニル基、Ｙは水素原子、ハロゲン原子、低級アルキル基
など、ｍは１〜５の整数、Ｘはハロゲン原子を示す〕 【効果】 式（Ｉ）の置換フェノキシスルホニルカルバ
モイルトリアゾール誘導体を効率的に製造できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は置換フェノキシスルホニ
ルカルバモイルトリアゾール誘導体の製造法に関し、さ
らに詳しくは、除草剤として有用な下記式（Ｉ）、
ルカルバモイルトリアゾール誘導体の製造法に関し、さ
らに詳しくは、除草剤として有用な下記式（Ｉ）、
【化４】 〔式中、Ｒ1 およびＲ2 は同一若しくは異なって低級ア
ルキル基、低級アルケニル基、低級ハロアルケニル基ま
たは低級ハロアルキル基を表わすか、Ｒ1 およびＲ2 が
一緒になって低級アルキル基で置換されてもよい炭素数
３〜６のアルキレン鎖を表わし、Ｙは水素原子、ハロゲ
ン原子、低級アルキル基、低級アルケニル基、低級アル
コキシ基、低級ハロアルキル基、低級ハロアルコキシ
基、低級アルキルカルボニル基、フェニル基、フェノキ
シ基、ベンジル基、ベンジルオキシ基、ホルミル基、低
級アルコキシカルボニル基、ニトロ基またはアセチルア
ミノ基を表わし、ｍは１，２，３，４または５の整数を
表わす〕で表わされるカルバモイルトリアゾール誘導体
の製造法に関する。
ルキル基、低級アルケニル基、低級ハロアルケニル基ま
たは低級ハロアルキル基を表わすか、Ｒ1 およびＲ2 が
一緒になって低級アルキル基で置換されてもよい炭素数
３〜６のアルキレン鎖を表わし、Ｙは水素原子、ハロゲ
ン原子、低級アルキル基、低級アルケニル基、低級アル
コキシ基、低級ハロアルキル基、低級ハロアルコキシ
基、低級アルキルカルボニル基、フェニル基、フェノキ
シ基、ベンジル基、ベンジルオキシ基、ホルミル基、低
級アルコキシカルボニル基、ニトロ基またはアセチルア
ミノ基を表わし、ｍは１，２，３，４または５の整数を
表わす〕で表わされるカルバモイルトリアゾール誘導体
の製造法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、前記式（Ｉ）で示される化合物の
製造方法として、下記反応式Ａに示す行程に従い合成す
る方法が知られている（特願平２−４１６５０２号明細
書参照）。
製造方法として、下記反応式Ａに示す行程に従い合成す
る方法が知られている（特願平２−４１６５０２号明細
書参照）。
【０００３】
【化５】 〔式中、Ｙ，ｍ，Ｒ1 およびＲ2 は上記と同義であり、
ＺおよびＡはハロゲン原子を表わす。〕
ＺおよびＡはハロゲン原子を表わす。〕
【０００４】しかしながら、前記反応において使用する
原料の上記式（IV）で示される化合物は、非常に不安定
であり、貯蔵することができず、また反応性の低い前記
式(II)で示される化合物とは反応しがたいという欠点を
有している。
原料の上記式（IV）で示される化合物は、非常に不安定
であり、貯蔵することができず、また反応性の低い前記
式(II)で示される化合物とは反応しがたいという欠点を
有している。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、優れ
た除草活性を有する化合物である前記式（Ｉ）の化合物
を、入手し易い安価でかつ安定な原料を用いて、短い反
応工程で製造する方法を見い出すことである。
た除草活性を有する化合物である前記式（Ｉ）の化合物
を、入手し易い安価でかつ安定な原料を用いて、短い反
応工程で製造する方法を見い出すことである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、少ない施
用量で高い除草活性を示し、殺草スペクトラムが広く且
つ主要作物に良好な選択性を有する前記式（Ｉ）で示さ
れる置換フェノキシスルホニルカルバモイルトリアゾー
ル誘導体の効率的な製造法を確立すべく鋭意研究努力を
重ねた。その結果、従来の文献に未載の下記式（III)
用量で高い除草活性を示し、殺草スペクトラムが広く且
つ主要作物に良好な選択性を有する前記式（Ｉ）で示さ
れる置換フェノキシスルホニルカルバモイルトリアゾー
ル誘導体の効率的な製造法を確立すべく鋭意研究努力を
重ねた。その結果、従来の文献に未載の下記式（III)
【０００７】
【化６】 〔式中、Ｙ，Ｒ1 およびＲ2 は、前記と同義であり、Ｘ
はハロゲン原子を表す。〕で示されるハロゲン化スルホ
ニルカルバモイルトリアゾール誘導体を前記式（II）で
示されるフェノール類と反応させることにより、除草剤
として非常に有用な前記式（Ｉ）で示される置換フェノ
キシスルホニルカルバモイルトリアゾール誘導体が有利
に製造できることを見い出し本発明を完成するに至っ
た。かくして、本発明によれば、下記式（Ｉ）
はハロゲン原子を表す。〕で示されるハロゲン化スルホ
ニルカルバモイルトリアゾール誘導体を前記式（II）で
示されるフェノール類と反応させることにより、除草剤
として非常に有用な前記式（Ｉ）で示される置換フェノ
キシスルホニルカルバモイルトリアゾール誘導体が有利
に製造できることを見い出し本発明を完成するに至っ
た。かくして、本発明によれば、下記式（Ｉ）
【０００８】
【化７】 〔式中、Ｒ1 およびＲ2 は同一若しくは異なって低級ア
ルキル基、低級アルケニル基、低級ハロアルケニル基ま
たは低級ハロアルキル基を表わすか、Ｒ1 およびＲ2 が
一緒になって低級アルキル基で置換されてもよい炭素数
３〜６のアルキレン鎖を表わし、Ｙは水素原子、ハロゲ
ン原子、低級アルキル基、低級アルケニル基、低級アル
コキシ基、低級ハロアルキル基、低級ハロアルコキシ
基、低級アルキルカルボニル基、フェニル基、フェノキ
シ基、ベンジル基、ベンジルオキシ基、ホルミル基、低
級アルコキシカルボニル基、ニトロ基またはアセチルア
ミノ基を表わし、ｍは１，２，３，４または５の整数を
表わす〕で示される置換フェノキシスルホニルカルバモ
イルトリアゾール誘導体を製造するにあたり、下記式
（II）
ルキル基、低級アルケニル基、低級ハロアルケニル基ま
たは低級ハロアルキル基を表わすか、Ｒ1 およびＲ2 が
一緒になって低級アルキル基で置換されてもよい炭素数
３〜６のアルキレン鎖を表わし、Ｙは水素原子、ハロゲ
ン原子、低級アルキル基、低級アルケニル基、低級アル
コキシ基、低級ハロアルキル基、低級ハロアルコキシ
基、低級アルキルカルボニル基、フェニル基、フェノキ
シ基、ベンジル基、ベンジルオキシ基、ホルミル基、低
級アルコキシカルボニル基、ニトロ基またはアセチルア
ミノ基を表わし、ｍは１，２，３，４または５の整数を
表わす〕で示される置換フェノキシスルホニルカルバモ
イルトリアゾール誘導体を製造するにあたり、下記式
（II）
【０００９】
【化８】 〔式中、Ｙおよびｍは上記と同義である、〕で示される
フェノール類と、下記式(III)
フェノール類と、下記式(III)
【００１０】
【化９】 〔式中、Ｒ1 およびＲ2 は上記と同義であり、Ｘはハロ
ゲン原子を表わす、〕で示されるハロゲン化スルホニル
カルバモイルトリアゾール誘導体とを反応させることを
特徴とする前記式（Ｉ）で示される置換フェノキシスル
ホニルカルバモイルトリアゾール誘導体の製造法が提供
される。
ゲン原子を表わす、〕で示されるハロゲン化スルホニル
カルバモイルトリアゾール誘導体とを反応させることを
特徴とする前記式（Ｉ）で示される置換フェノキシスル
ホニルカルバモイルトリアゾール誘導体の製造法が提供
される。
【００１１】本発明の方法は、前記式（II）で示される
フェノール類と、前記式（III)で示されるハロゲン化ス
ルホニルカルバモイルトリアゾール誘導体とのカップリ
ング反応により、前記式（Ｉ）で示されるカルバモイル
トリアゾール誘導体を工業的に収率よく製造できる非常
に有用な方法である。すなわち、前記式（Ｉ）で示され
る化合物は、下記反応式Ｂのとおり、式（II）で示され
るフェノール類と式（III)て示されるハロゲン化スルホ
ニルカルバモイル誘導体とを、塩基の存在下、適当な有
機溶媒中で反応させることにより製造することができ
る。
フェノール類と、前記式（III)で示されるハロゲン化ス
ルホニルカルバモイルトリアゾール誘導体とのカップリ
ング反応により、前記式（Ｉ）で示されるカルバモイル
トリアゾール誘導体を工業的に収率よく製造できる非常
に有用な方法である。すなわち、前記式（Ｉ）で示され
る化合物は、下記反応式Ｂのとおり、式（II）で示され
るフェノール類と式（III)て示されるハロゲン化スルホ
ニルカルバモイル誘導体とを、塩基の存在下、適当な有
機溶媒中で反応させることにより製造することができ
る。
【００１２】
【化１０】 〔式中、Ｙ，Ｘ，ｍ，Ｒ1 およびＲ2 は前記と同義であ
る。〕本発明の出発原料として用いられる上記式（III)
の化合物は、Ｘが塩素原子または臭素原子の場合、下記
反応式Ｃのとおり、式（VI) で示されるベンジルチオカ
ルバモイルトリアゾール誘導体と塩素原子または臭素原
子とを反応させることにより製造することができる。
る。〕本発明の出発原料として用いられる上記式（III)
の化合物は、Ｘが塩素原子または臭素原子の場合、下記
反応式Ｃのとおり、式（VI) で示されるベンジルチオカ
ルバモイルトリアゾール誘導体と塩素原子または臭素原
子とを反応させることにより製造することができる。
【００１３】
【化１１】 〔式中、Ｘ′は塩素原子または臭素原子を表わし、Ｒ1
およびＲ2 は前記と同義である。〕また、式（III)の化
合物においてＸがフッ素原子の場合、下記反応式Ｄのと
おり、反応式Ｃに示される方法で製造された式（III −
ｂ）のクロロスルホニルカルバモイルトリアゾール誘導
体とフッ素化剤とを反応させることにより製造すること
ができる。
およびＲ2 は前記と同義である。〕また、式（III)の化
合物においてＸがフッ素原子の場合、下記反応式Ｄのと
おり、反応式Ｃに示される方法で製造された式（III −
ｂ）のクロロスルホニルカルバモイルトリアゾール誘導
体とフッ素化剤とを反応させることにより製造すること
ができる。
【００１４】
【化１２】 〔式中、Ｒ1 およびＲ2 は前記と同義である。〕これら
の式（III −ａ），（III −ｂ），（III −ｃ）で示さ
れる化合物の製造法は、特願平３−２０６９９２号明細
書に詳細に述べられている。出発原料として用いられる
前記式（II）で示されるフェノール類は、全て市販され
ており、容易に入手可能である。さらに、式（III)の化
合物の出発原料として用いられる式（VI) で示される化
合物の製造法は、例えばドイツ公開特許第３０３１１９
１Ａ１号公報および特開昭５７−５８６７５号公報等に
記載されている。
の式（III −ａ），（III −ｂ），（III −ｃ）で示さ
れる化合物の製造法は、特願平３−２０６９９２号明細
書に詳細に述べられている。出発原料として用いられる
前記式（II）で示されるフェノール類は、全て市販され
ており、容易に入手可能である。さらに、式（III)の化
合物の出発原料として用いられる式（VI) で示される化
合物の製造法は、例えばドイツ公開特許第３０３１１９
１Ａ１号公報および特開昭５７−５８６７５号公報等に
記載されている。
【００１５】ここで本明細書において、「ハロゲン原
子」としてはたとえばフッ素、塩素、臭素が挙げられ
る。これらの中でも臭素または塩素原子が好ましい。ま
た、本明細書において「低級」なる語はこの語が付され
た原子団または化合物の炭素原子数が６個以下、好まし
くは４個以下であることを意味する。かくして、「低級
アルキル基」は、直鎖状または分岐鎖状のいずれかのタ
イプのものであってもよく、例えばメチル、エチル、ｎ
−プロピル、iso −プロピル、ｎ−ブチル、sec −ブチ
ル、iso −ブチル、tert−ブチル、ｎ−アミル等が挙げ
られる。「低級アルケニル基」は、例えば、アリル、２
−メチル−２−プロペニル、２−ブテニルおよび３−ブ
テニル基等が挙げられる。
子」としてはたとえばフッ素、塩素、臭素が挙げられ
る。これらの中でも臭素または塩素原子が好ましい。ま
た、本明細書において「低級」なる語はこの語が付され
た原子団または化合物の炭素原子数が６個以下、好まし
くは４個以下であることを意味する。かくして、「低級
アルキル基」は、直鎖状または分岐鎖状のいずれかのタ
イプのものであってもよく、例えばメチル、エチル、ｎ
−プロピル、iso −プロピル、ｎ−ブチル、sec −ブチ
ル、iso −ブチル、tert−ブチル、ｎ−アミル等が挙げ
られる。「低級アルケニル基」は、例えば、アリル、２
−メチル−２−プロペニル、２−ブテニルおよび３−ブ
テニル基等が挙げられる。
【００１６】「低級ハロアルケニル基」は、例えば、３
−クロロ−２−プロペニル、２−クロロ−２−プロペニ
ル、４−クロロ−２−ブテニルおよび３−クロロ−２−
ブテニル基等が挙げられる。「低級ハロアルキル基」
は、例えば、モノクロロメチル、トリフルオロメチル、
２−クロロエチルおよびトリフルオロエチル基等が挙げ
られる。「Ｒ1 およびＲ2 が一緒になって低級アルキル
基で置換されていてもよい炭素数３〜６のアルキレン
鎖」は、例えば２−メチルピペリジル環基、２，６−ジ
メチルピペリジル環基および２−エチルピペリジル環基
等が挙げられる。
−クロロ−２−プロペニル、２−クロロ−２−プロペニ
ル、４−クロロ−２−ブテニルおよび３−クロロ−２−
ブテニル基等が挙げられる。「低級ハロアルキル基」
は、例えば、モノクロロメチル、トリフルオロメチル、
２−クロロエチルおよびトリフルオロエチル基等が挙げ
られる。「Ｒ1 およびＲ2 が一緒になって低級アルキル
基で置換されていてもよい炭素数３〜６のアルキレン
鎖」は、例えば２−メチルピペリジル環基、２，６−ジ
メチルピペリジル環基および２−エチルピペリジル環基
等が挙げられる。
【００１７】「低級アルコキシ基」は、例えば、メトキ
シ、エトキシ、ｎ−プロポキシ、イソプロポキシ、ｎ−
ブトキシ、イソブトキシ、第二ブトキシおよび第三ブト
キシ基等が挙げられる。「低級ハロアルコキシ基」は、
例えば、ジフルオロメトキシ、トリフルオロエトキシお
よびテトラフルオロエトキシ基等が挙げられる。「低級
アルキルカルボニル基」は、例えば、アセチル、プロピ
オニル、ブチリル、イソブチリル、バレリル、イソバレ
リルおよびピバロイル基等が挙げられる。また「低級ア
ルコキシカルボニル基」は、例えば、メトキシカルボニ
ル、エトキシカルボニルおよびｎ−プロポキシカルボニ
ル基等が挙げられる。
シ、エトキシ、ｎ−プロポキシ、イソプロポキシ、ｎ−
ブトキシ、イソブトキシ、第二ブトキシおよび第三ブト
キシ基等が挙げられる。「低級ハロアルコキシ基」は、
例えば、ジフルオロメトキシ、トリフルオロエトキシお
よびテトラフルオロエトキシ基等が挙げられる。「低級
アルキルカルボニル基」は、例えば、アセチル、プロピ
オニル、ブチリル、イソブチリル、バレリル、イソバレ
リルおよびピバロイル基等が挙げられる。また「低級ア
ルコキシカルボニル基」は、例えば、メトキシカルボニ
ル、エトキシカルボニルおよびｎ−プロポキシカルボニ
ル基等が挙げられる。
【００１８】上記反応式Ｂで示される本発明方法におい
て、式（II）の化合物に対する式（III)の化合物の使用
割合は特に厳密に制限されるものではないが、通常式
（II）の化合物１当量に対して式（III)の化合物は１〜
１．２当量の範囲内の量で使用するのが好ましい。本発
明方法は、通常塩基の存在下に行うことができ、用いう
る塩基としては、例えば水酸化ナトリウム、水酸化カリ
ウム、水素化ナトリウム、炭酸ナトリウム、炭酸水素ナ
トリウム、炭酸カリウム、炭酸水素カリウム等の無機塩
基；トリエチルアミン、ジエチルアニリン、ピリジンな
どの有機塩基を好ましく例示することができる。その使
用量は適宜に選択できるが、例えば式（II）の化合物１
モルに対して通常１〜５モル、好ましくは１〜２モルの
範囲内の使用量を例示することができる。
て、式（II）の化合物に対する式（III)の化合物の使用
割合は特に厳密に制限されるものではないが、通常式
（II）の化合物１当量に対して式（III)の化合物は１〜
１．２当量の範囲内の量で使用するのが好ましい。本発
明方法は、通常塩基の存在下に行うことができ、用いう
る塩基としては、例えば水酸化ナトリウム、水酸化カリ
ウム、水素化ナトリウム、炭酸ナトリウム、炭酸水素ナ
トリウム、炭酸カリウム、炭酸水素カリウム等の無機塩
基；トリエチルアミン、ジエチルアニリン、ピリジンな
どの有機塩基を好ましく例示することができる。その使
用量は適宜に選択できるが、例えば式（II）の化合物１
モルに対して通常１〜５モル、好ましくは１〜２モルの
範囲内の使用量を例示することができる。
【００１９】反応温度は、氷冷下ないし溶媒の沸点の温
度範囲で任意に設定できる。反応時間は、設定条件によ
って変化するが、通常１〜２４時間で終了させることが
できる。上記の反応は通常溶媒中で行うことができ、使
用しうる溶媒としては、例えば、アセトンなどのケトン
類；テトラヒドロフラン、ジオキサン、エーテルなどの
エーテル類；酢酸エチルなどのエステル類；ジクロロメ
タンなどのハロゲン化炭化水素類；ベンゼン、クロロベ
ンゼンなどの芳香族炭化水素類；ジメチルホルムアミド
などの極性溶媒などの単独または混合溶媒を例示するこ
とができる。更に、水と上記溶媒類との混合溶媒も使用
可能である。溶媒の使用量は適当に選択変更でき、例え
ば式（II）の化合物に対して５〜２０重量倍量の如き使
用量を例示することができる。かくして式（Ｉ）の目的
化合物を製造することができる。
度範囲で任意に設定できる。反応時間は、設定条件によ
って変化するが、通常１〜２４時間で終了させることが
できる。上記の反応は通常溶媒中で行うことができ、使
用しうる溶媒としては、例えば、アセトンなどのケトン
類；テトラヒドロフラン、ジオキサン、エーテルなどの
エーテル類；酢酸エチルなどのエステル類；ジクロロメ
タンなどのハロゲン化炭化水素類；ベンゼン、クロロベ
ンゼンなどの芳香族炭化水素類；ジメチルホルムアミド
などの極性溶媒などの単独または混合溶媒を例示するこ
とができる。更に、水と上記溶媒類との混合溶媒も使用
可能である。溶媒の使用量は適当に選択変更でき、例え
ば式（II）の化合物に対して５〜２０重量倍量の如き使
用量を例示することができる。かくして式（Ｉ）の目的
化合物を製造することができる。
【００２０】本発明の出発原料として用いられる式（II
I)の化合物は、Ｘが塩素原子または臭素原子の場合、前
記反応式Ｃで示されるとおり、式（VI) の化合物に、適
当な溶媒中、−１０℃〜１０℃の温度範囲内で５〜１０
時間塩素を吹き込むか、または攪拌しながら臭素を滴下
することにより製造することができる。この反応に使用
しうる溶媒としては、例えば５〜２０％食塩水、水−塩
化鉄混合溶媒などを、あるいはＸが塩素原子の場合は１
〜５規定塩酸、Ｘが臭素原子の場合は１〜５規定臭化水
素酸などを例示することができる。溶媒の使用量は適当
に選択変更でき、例えば（VI）の化合物に対して５〜２
０重量倍が適当である。式（III)の化合物において、Ｘ
がフッ素原子の場合は、前記反応式Ｄで示されるとお
り、式（III −ｂ）の化合物に、適当な溶媒の存在下、
フッ素化剤を反応させることにより製造することができ
る。
I)の化合物は、Ｘが塩素原子または臭素原子の場合、前
記反応式Ｃで示されるとおり、式（VI) の化合物に、適
当な溶媒中、−１０℃〜１０℃の温度範囲内で５〜１０
時間塩素を吹き込むか、または攪拌しながら臭素を滴下
することにより製造することができる。この反応に使用
しうる溶媒としては、例えば５〜２０％食塩水、水−塩
化鉄混合溶媒などを、あるいはＸが塩素原子の場合は１
〜５規定塩酸、Ｘが臭素原子の場合は１〜５規定臭化水
素酸などを例示することができる。溶媒の使用量は適当
に選択変更でき、例えば（VI）の化合物に対して５〜２
０重量倍が適当である。式（III)の化合物において、Ｘ
がフッ素原子の場合は、前記反応式Ｄで示されるとお
り、式（III −ｂ）の化合物に、適当な溶媒の存在下、
フッ素化剤を反応させることにより製造することができ
る。
【００２１】反応に使用しうるフッ素化剤としては例え
ばフッ化カリウムなどを使用することができ、その使用
量は化合物（III −ｂ）１当量に対して１〜３当量が適
当である。反応温度は、氷冷下ないし、溶媒の沸点の温
度範囲内で任意に設定できる。反応時間は、設定条件に
よって変化し、特に限定されないが、通常１〜２４時間
が適当である。上記反応は通常溶媒中で行うことがで
き、使用しうる溶媒としては、例えば、アセトンなどの
ケトン類；テトラヒドロフラン、ジオキサン、エチルエ
ーテルなどのエーテル類；酢酸エチルなどのエステル
類；ジクロロメタンなどのハロゲン化炭化水素類；ベン
セン、クロロベンゼンなどの芳香族炭化水素類；ジメチ
ルホルムアミドなどの極性溶媒などの単独または混合溶
媒を例示することができる。更に、水と前記溶媒類との
混合系も使用可能である。溶媒の使用量には特別な制限
はないが、通常式（III −ｂ）の化合物に対して５〜２
０重量倍が適当である。
ばフッ化カリウムなどを使用することができ、その使用
量は化合物（III −ｂ）１当量に対して１〜３当量が適
当である。反応温度は、氷冷下ないし、溶媒の沸点の温
度範囲内で任意に設定できる。反応時間は、設定条件に
よって変化し、特に限定されないが、通常１〜２４時間
が適当である。上記反応は通常溶媒中で行うことがで
き、使用しうる溶媒としては、例えば、アセトンなどの
ケトン類；テトラヒドロフラン、ジオキサン、エチルエ
ーテルなどのエーテル類；酢酸エチルなどのエステル
類；ジクロロメタンなどのハロゲン化炭化水素類；ベン
セン、クロロベンゼンなどの芳香族炭化水素類；ジメチ
ルホルムアミドなどの極性溶媒などの単独または混合溶
媒を例示することができる。更に、水と前記溶媒類との
混合系も使用可能である。溶媒の使用量には特別な制限
はないが、通常式（III −ｂ）の化合物に対して５〜２
０重量倍が適当である。
【００２２】かくして式（III ）の本発明の原料として
用いられる化合物を製造することができる。以上に述べ
た本発明方法により得られた生成物の反応混合物からの
分離及び／又は精製は、それ自体既知の方法、例えば抽
出、再結晶、カラムクロマトグラフィー等の方法で行な
うことができる。
用いられる化合物を製造することができる。以上に述べ
た本発明方法により得られた生成物の反応混合物からの
分離及び／又は精製は、それ自体既知の方法、例えば抽
出、再結晶、カラムクロマトグラフィー等の方法で行な
うことができる。
【００２３】
【実施例】次に実施例により本発明の方法をさらに具体
的に説明する。 実施例１：４−メチルフェニル−［１−（ジエチルカル
バモイル）−１，２，４−トリアゾール−３−イル］ス
ルホネート（化合物番号）の製造； ドイツ公開特許第３０３１１９１Ａ１号公報および特開
昭５７−５８６７５号公報に記載の方法に準じて合成し
た１−ジエチルカルバモイル−３−ベンジルチオ−１，
２，４−トリアゾール２０ｇを２規定塩酸２５０ｍｌに
溶解し、−５〜０℃で攪拌しながら塩素を１０時間吹き
込んだ。生じた粗結晶を水で洗浄、さらに副生するベン
ジルクロリドをヘキサンで除去した後、溶媒を留去して
１−ジエチルカルバモイル−３−クロロスルホニル１，
２，４−トリアゾール１１．５ｇを得た（収率６２％；
融点５５〜５７℃）。
的に説明する。 実施例１：４−メチルフェニル−［１−（ジエチルカル
バモイル）−１，２，４−トリアゾール−３−イル］ス
ルホネート（化合物番号）の製造； ドイツ公開特許第３０３１１９１Ａ１号公報および特開
昭５７−５８６７５号公報に記載の方法に準じて合成し
た１−ジエチルカルバモイル−３−ベンジルチオ−１，
２，４−トリアゾール２０ｇを２規定塩酸２５０ｍｌに
溶解し、−５〜０℃で攪拌しながら塩素を１０時間吹き
込んだ。生じた粗結晶を水で洗浄、さらに副生するベン
ジルクロリドをヘキサンで除去した後、溶媒を留去して
１−ジエチルカルバモイル−３−クロロスルホニル１，
２，４−トリアゾール１１．５ｇを得た（収率６２％；
融点５５〜５７℃）。
【００２４】次に、Ｐ−クレゾール０．４４ｇをテトラ
ヒドロフラン２０ｍｌに溶解し、攪拌ながらトリエチル
アミン０．５６ｍｌを加えた。さらに氷冷下、攪拌しな
がら上記で合成した１−ジエチルカルバモイル−３−ク
ロロスルホニル−１，２，４−トリアゾール１．００ｇ
を徐々に加え、室温で１４時間攪拌した。テトラヒドロ
フランを減圧下で留去し、２Ｎ塩酸１０ｍｌを加え、粗
結晶を得た。これをｎ−ヘキサン−酢酸エチルから再結
晶して標題化合物０．９０ｇを得た（収率７０％）。こ
の化合物の 1Ｈ−ＮＭＲデータ（δ ppm；CDCl3 中）は
次のとおりであった。１．２３（６Ｈ，ｔ）、２．３０
（３Ｈ，ｓ）、３．５１（４Ｈ，ｑ）、７．６０（４
Ｈ，ｓ）、８．８５（１Ｈ，ｓ）。
ヒドロフラン２０ｍｌに溶解し、攪拌ながらトリエチル
アミン０．５６ｍｌを加えた。さらに氷冷下、攪拌しな
がら上記で合成した１−ジエチルカルバモイル−３−ク
ロロスルホニル−１，２，４−トリアゾール１．００ｇ
を徐々に加え、室温で１４時間攪拌した。テトラヒドロ
フランを減圧下で留去し、２Ｎ塩酸１０ｍｌを加え、粗
結晶を得た。これをｎ−ヘキサン−酢酸エチルから再結
晶して標題化合物０．９０ｇを得た（収率７０％）。こ
の化合物の 1Ｈ−ＮＭＲデータ（δ ppm；CDCl3 中）は
次のとおりであった。１．２３（６Ｈ，ｔ）、２．３０
（３Ｈ，ｓ）、３．５１（４Ｈ，ｑ）、７．６０（４
Ｈ，ｓ）、８．８５（１Ｈ，ｓ）。
【００２５】実施例２：２−ｔ−ブチルフェニル−［１
−（ジエチルカルバモイル−１，２，４−トリアゾール
−３−イル］スルホネート（化合物番号２）の製造； ２−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール１．９５ｇをテトラヒ
ドロフラン２０ｍｌに溶解し、水素化ナトリウム（６０
％ in oil ）０．５２ｇを氷冷下で少しずつ添加し、さ
らに実施例１で合成した１−ジエチルカルバモイル−３
−クロロスルホニル−１，２，４−トリアゾール３．５
０ｇの２０ｍｌテトラヒドロフラン溶液を加え、２０時
間加熱還流した。テトラヒドロフランを減圧下で留去
と、氷水に注ぎ、酢酸エチルで抽出した。有機層を飽和
食塩水で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥した後、溶媒
を留去して得られる油状物質をカラムクロマトグラフィ
ー（シリカゲル／ｎ−ヘキサン：酢酸エチル＝１０：
１）で精製し標題化合物１．０１ｇを得た（収率２０
％）。この化合物の 1Ｈ−ＮＭＲデータ（δ ppm；CDCl
3 中）は次のとおりであった。１．２９（６Ｈ，ｔ）、
１．４０（９Ｈ，ｓ）、３．５８（４Ｈ，ｑ）、７．０
〜７．６（４Ｈ，ｍ）、８．９０（１Ｈ，ｓ）。
−（ジエチルカルバモイル−１，２，４−トリアゾール
−３−イル］スルホネート（化合物番号２）の製造； ２−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール１．９５ｇをテトラヒ
ドロフラン２０ｍｌに溶解し、水素化ナトリウム（６０
％ in oil ）０．５２ｇを氷冷下で少しずつ添加し、さ
らに実施例１で合成した１−ジエチルカルバモイル−３
−クロロスルホニル−１，２，４−トリアゾール３．５
０ｇの２０ｍｌテトラヒドロフラン溶液を加え、２０時
間加熱還流した。テトラヒドロフランを減圧下で留去
と、氷水に注ぎ、酢酸エチルで抽出した。有機層を飽和
食塩水で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥した後、溶媒
を留去して得られる油状物質をカラムクロマトグラフィ
ー（シリカゲル／ｎ−ヘキサン：酢酸エチル＝１０：
１）で精製し標題化合物１．０１ｇを得た（収率２０
％）。この化合物の 1Ｈ−ＮＭＲデータ（δ ppm；CDCl
3 中）は次のとおりであった。１．２９（６Ｈ，ｔ）、
１．４０（９Ｈ，ｓ）、３．５８（４Ｈ，ｑ）、７．０
〜７．６（４Ｈ，ｍ）、８．９０（１Ｈ，ｓ）。
Claims (1)
- 【請求項１】 下記式（Ｉ） 【化１】 〔式中、Ｒ1 およびＲ2 は同一若しくは異なって低級ア
ルキル基、低級アルケニル基、低級ハロアルケニル基ま
たは低級ハロアルキル基を表わすか、Ｒ1 およびＲ2 が
一緒になって低級アルキル基で置換されてもよい炭素数
３〜６のアルキレン鎖を表わし、Ｙは水素原子、ハロゲ
ン原子、低級アルキル基、低級アルケニル基、低級アル
コキシ基、低級ハロアルキル基、低級ハロアルコキシ
基、低級アルキルカルボニル基、フェニル基、フェノキ
シ基、ベンジル基、ベンジルオキシ基、ホルミル基、低
級アルコキシカルボニル基、ニトロ基またはアセチルア
ミノ基を表わし、ｍは１，２，３，４または５の整数を
表わす、〕で示される置換フェノキシスルホニルカルバ
モイルトリアゾール誘導体を製造するにあたり、下記式
（II） 【化２】 〔式中、Ｙおよびｍは上記と同義である、〕で示される
フェノール類と、下記式（III) 【化３】 〔式中、Ｒ1 およびＲ2 は上記と同義であり、Ｘはハロ
ゲン原子を表わす、〕で示されるハロゲン化スルホニル
カルバモイルトリアゾール誘導体とを反応させることを
特徴とする前記式（Ｉ）で示される置換フエノキシスル
ホニルカルバモイルトリアゾール誘導体の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21505791A JPH0559020A (ja) | 1991-08-27 | 1991-08-27 | 置換フエノキシスルホニルカルバモイルトリアゾール誘導体の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21505791A JPH0559020A (ja) | 1991-08-27 | 1991-08-27 | 置換フエノキシスルホニルカルバモイルトリアゾール誘導体の製造法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0559020A true JPH0559020A (ja) | 1993-03-09 |
Family
ID=16666048
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21505791A Pending JPH0559020A (ja) | 1991-08-27 | 1991-08-27 | 置換フエノキシスルホニルカルバモイルトリアゾール誘導体の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0559020A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1296363C (zh) * | 2002-04-03 | 2007-01-24 | 国际壳牌研究有限公司 | 制备环氧烷的方法 |
-
1991
- 1991-08-27 JP JP21505791A patent/JPH0559020A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1296363C (zh) * | 2002-04-03 | 2007-01-24 | 国际壳牌研究有限公司 | 制备环氧烷的方法 |
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