JPH0559019A - アミノスルホニルカルバモイルトリアゾール誘導体の製造法 - Google Patents

アミノスルホニルカルバモイルトリアゾール誘導体の製造法

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JPH0559019A
JPH0559019A JP21505691A JP21505691A JPH0559019A JP H0559019 A JPH0559019 A JP H0559019A JP 21505691 A JP21505691 A JP 21505691A JP 21505691 A JP21505691 A JP 21505691A JP H0559019 A JPH0559019 A JP H0559019A
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iii
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JP21505691A
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Atsushi Go
敦 郷
Yoshihiro Usui
義浩 臼井
Norishige Sotojima
徳重 外島
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Mitsubishi Petrochemical Co Ltd
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Mitsubishi Petrochemical Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 (修正有) 【構成】 下記の反応式で表わされる、除草剤として有
用な式(I)のアミノスルホニルカルバモイルトリアゾ
ール誘導体の製造法。 〔式中、RおよびRは低級アルキル基、低級アルケ
ニル基など、Rは置換されてもよいアリール基および
アラルキル基、Rは水素原子、低級アルキル基、低級
アルケニル基など、Xはハロゲン原子を示す〕 【効果】 式(I)のアミノスルホニルカルバモイルト
リアゾール誘導体を効率的に製造できる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明はアミノスルホニルカルバ
モイルトリアゾール誘導体の製造法に関し、さらに詳し
くは、除草剤として有用な下記式(I)、
【0002】
【化4】 〔式中、R1 およびR2 は同一若しくは異なって低級ア
ルキル基、低級アルケニル基、低級ハロアルケニル基ま
たは低級ハロアルキル基を表わすか、R1 およびR2
一緒になって低級アルキル基で置換されてもよい炭素数
3〜6のアルキレン鎖を表わし、R3は置換されてもよ
いアリール基(但し、ハロゲン置換を除く)、置換され
てもよいアラルキル基を表わし、R4 は水素原子または
低級アルキル基、低級アルケニル基、低級アルキニル
基、ハロアルキル基、低級ハロアルケニル基、シアノア
ルキル基、アルコキシ基、アルコキシアルキル基、アル
コキシカルボニルアルキル基、ベンジルオキシ基、フェ
ニルカルボニル基を表わす、〕で示されるカルバモイル
トリアゾール誘導体の製造法に関する。
【0003】
【従来の技術】従来、前記式(I)で示される化合物の
製造方法として、下記反応式Aに示す行程に従い合成す
る方法が知られている(特願平3−110798号明細
書参照)。
【0004】
【化5】 〔式中、X,R1 ,R2 ,R3 およびR4 は上記と同義
であり、Aはハロゲン原子を表わす。〕
【0005】しかしながら、前記反応において使用する
原料の前記式(IV)化合物は、非常に不安定であり、貯
蔵することができず、また反応性の低い前記式(II)で示
される化合物とは反応しがたいという欠点を有してい
る。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、優れ
た除草活性を有する化合物である前記式(I)の化合物
を、入手し易い安価でかつ安定な原料を用いて、短い反
応工程で製造する方法を見い出すことである。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、少ない施
用量で高い除草活性を示し、殺草スペクトラムが広く且
つ主要作物に良好な選択性を有する前記式(I)で示さ
れるカルバモイルトリアゾール誘導体の製法を確立すべ
く鋭意研究努力を重ねた。その結果、従来の文献に未載
の下記式(III)
【0008】
【化6】 〔式中、Y,R1 およびR2 は、上記と同義である。〕
で示されるハロゲン化スルホニルカルバモイルトリアゾ
ール誘導体を前記式(II)で示されるアミン類と反応さ
せることにより、除草剤として非常に有用な前記式
(I)で示されるアミノスルホニルカルバモイルトリア
ゾール誘導体が有利に製造できることを見い出し本発明
を完成するに至った。
【0009】かくして、本発明によれば、下記式(I)
【0010】
【化7】 〔式中、R1 およびR2 は同一若しくは異なって低級ア
ルキル基、低級アルケニル基、低級ハロアルケニル基ま
たは低級ハロアルキル基を表わすか、R1 およびR2
一緒になって低級アルキル基で置換されてもよい炭素数
3〜6のアルキレン鎖を表わし、R3は置換されてもよ
いアリール基(但し、ハロゲン置換を除く)、置換され
てもよいアラルキル基を表わし、R4 は水素原子または
低級アルキル基、低級アルケニル基、低級アルキニル
基、ハロアルキル基、低級ハロアルケニル基、シアノア
ルキル基、アルコキシ基、アルコキシアルキル基、アル
コキシカルボニルアルキル基、ベンジルオキシ基、フェ
ニルカルボニル基を表わす、〕で示されるカルバモイル
トリアゾール誘導体を製造するにあたり、下記式(II)
【0011】
【化8】 〔式中、R3 およびR4 は上記と同義である、〕で示さ
れるアミン類と、下記式(III)
【0012】
【化9】 〔式中、R1 およびR2 は上記と同義であり、Xはハロ
ゲン原子を表わす、〕で示されるハロゲン化スルホニル
カルバモイルトリアゾール誘導体とを反応させることを
特徴とする前記式(I)で示されるアミノスルホニルカ
ルバモイルトリアゾール誘導体の製造法が提供される。
【0013】本発明の方法は、前記式(II)で示される
アミン類と、前記式(III)で示されるハロゲン化スルホ
ニルカルバモイルトリアゾール誘導体との反応により、
前記式(I)で示されるアミノスルホニルカルバモイル
トリアゾール誘導体を工業的に収率よく製造できる有用
な方法である。すなわち、前記式(I)で示される化合
物は、下記反応式Bのとおり、式(II)で示されるアミ
ン類と式(III)で示されるハロゲン化スルホニルカルバ
モイルトリアゾール誘導体とを、塩基の存在下、適当な
溶媒中で反応させることにより製造することができる。
【0014】
【化10】 〔式中、Y、R1 、R2 、R3 およびR4 は上記と同義
である。〕 本発明の出発原料として用いられる上記式(III)の化合
物は、Xが塩素原子または臭素原子の場合、下記反応式
Cのとおり式(VI) で示されるベンジルチオカルバモイ
ルトリアゾール誘導体と塩素原子または臭素原子とを反
応させることにより製造することができる。
【0015】
【化11】 〔式中、X′は塩素原子または臭素原子を表わし、R1
およびR2 は上記と同義である。〕 また、式(III)の化合物においてXがフッ素原子の場
合、下記反応式Dのとおり、反応式Cに示される方法で
製造された式(III −b)のクロロスルホニルカルバモ
イルトリアゾール誘導体とフッ素化剤とを反応させるこ
とにより製造することができる。
【0016】
【化12】 〔式中、R1 およびR2 は前記と同義である。〕 これらの式(III −a)、(III −b)、(III −c)
で示される化合物の製造法は、特願平3−206992
号明細書に詳細に述べられている。出発原料として用い
られる前記式(II)で示されるアミン類は全て市販され
ており、容易に入手可能である。
【0017】さらに、式(III)の化合物の出発原料とし
て用いられる式(VI) で示される化合物の製造法は、例
えばドイツ公開特許第3031191A1号公報および
特開昭57−58675号公報等に記載されている。
【0018】ここで本明細書において、「ハロゲン原
子」としてはたとえばフッ素、塩素、臭素が挙げられ
る。これらの中でも臭素または塩素原子が好ましい。ま
た、本明細書において「低級」なる語はこの語が付され
た原子団または化合物の炭素原子数が6個以下、好まし
くは4個以下であることを意味する。かくして、「低級
アルキル基」は、直鎖状または分岐鎖状のいずれかのタ
イプのものであってもよく、例えばメチル、エチル、n
−プロピル、iso −プロピル、n−ブチル、sec −ブチ
ル、iso −ブチル、tert−ブチル、n−アミル等が挙げ
られる。
【0019】「低級アルケニル基」は、例えば、アリ
ル、2−メチル−2−プロペニル、2−ブテニルおよび
3−ブテニル基等が挙げられる。「低級ハロアルケニル
基」は、例えば3−クロロ−2−プロペニル、2−クロ
ロ−2−プロペニル、4−クロロ−2−ブテニルおよび
3−クロロ−2−ブテニル基等が挙げられる。「低級ハ
ロアルキル基」は、例えば、モノクロロメチル、トリフ
ルオロメチル、2−クロロエチルおよびトリフルオロエ
チル基等が挙げられる。
【0020】「R1 およびR2 が一緒になって低級アル
キル基で置換されていてもよい炭素数3〜6のアルキレ
ン鎖」は、例えば2−メチルピペリジル環基、2,6−
ジメチルピペリジル環基および2−エチルピペリジル環
基等が挙げられる。
【0021】「置換されていてもよいアラルキル基」
は、例えば、ベンジル、2−ブロモベンジル、2−クロ
ロベンジル、2−メトキシベンジルおよび2−メチルベ
ンジル基等が挙げられる。「低級アルキニル基」は、例
えば2−プロピニル、2−ブチニルおよび3−ブチニル
基等が挙げられる。「シアノアルキル基」は、例えば、
シアノメチル、シアノエチル、シアノn−プロピルおよ
びシアノイソプロピル基等が挙げられる。
【0022】「アルコキシ基」は、例えば、メトキシ、
エトキシ、n−プロポキシ、イソプロポキシ、n−ブト
キシ、イソブトキシ、第二ブトキシおよび第三ブトキシ
基等が挙げられる。「アルコキシアルキル基」は、例え
ば、メトキシメチル、1−エトキシエチル、1−メチル
−1−メトキシエチルおよび1−イソプロポキシエチル
基等が挙げられる。
【0023】また、「アルコキシカルボニルアルキル
基」は、例えば、メトキシカルボニルメチル、エトキシ
カルボニルメチル、n−プロポキシカルボニルメチル基
等が挙げられる。
【0024】上記反応式Bで示される本発明方法におい
て、式(II)の化合物に対する式(III)の化合物の使用
割合は特に厳密に制限されるものではないが、通常式
(II)の化合物1当量に対して式(III)の化合物は1〜
1.2当量の範囲内の量で使用するのが好ましい。本発
明方法は、通常塩基の存在下に行うことができ、用いう
る塩基としては、例えば水酸化ナトリウム、水酸化カリ
ウム、水素化ナトリウム、炭酸ナトリウム、炭酸水素ナ
トリウム、炭酸カリウム、炭酸水素カリウム等の無機塩
基;トリエチルアミン、ジエチルアニリン、ピリジンな
どの有機塩基を好ましく例示することができる。その使
用量は適宜に選択できるが、例えば式(II)の化合物1
モルに対して通常1〜5モル、好ましくは1〜2モルの
範囲内の使用量を例示することができる。
【0025】反応温度は、氷冷下ないし溶媒の沸点の温
度範囲で任意に設定できる。反応時間は、設定条件によ
って変化するが、通常1〜24時間で終了させることが
できる。上記の反応は通常溶媒中で行うことができ、使
用しうる溶媒としては、例えば、アセトンなどのケトン
類;テトラヒドロフラン、ジオキサン、エーテルなどの
エーテル類;酢酸エチルなどのエステル類;ジクロロメ
タンなどのハロゲン化炭化水素類;ベンゼン、クロロベ
ンゼンなどの芳香族炭化水素類;ジメチルホルムアミド
などの極性溶媒などの単独または混合溶媒を例示するこ
とができる。更に、水と上記溶媒類との混合溶媒も使用
可能である。
【0026】溶媒の使用量は適当に選択変更でき、例え
ば式(II)の化合物に対して5〜20重量倍量の如き使
用量を例示することができる。かくして式(I)の目的
化合物を製造することができる。
【0027】本発明の出発原料として用いられる式(II
I)の化合物は、Xが塩素原子または臭素原子の場合、前
記反応式Cで示されるとおり、式(VI) の化合物に、適
当な溶媒中、−10℃〜10℃の温度範囲内で5〜10
時間塩素を吹き込むか、または攪拌しながら臭素を滴下
することにより製造することができる。この反応に使用
しうる溶媒としては、例えば5〜20%食塩水、水−塩
化鉄混合溶媒などを、あるいはXが塩素原子の場合は1
〜5規定塩酸、Xが臭素原子の場合は1〜5規定臭化水
素酸などを例示することができる。
【0028】溶媒の使用量は適当に選択変更でき、例え
ば(VI)の化合物に対して5〜20重量倍が適当であ
る。式(III)の化合物において、Xがフッ素原子の場合
は、前記反応式Dで示されるとおり、式(III −b)の
化合物に、適当な溶媒の存在下、フッ素化剤を反応させ
ることにより製造することができる。
【0029】反応に使用しうるフッ素化剤としては例え
ばフッ化カリウムなどを使用することができ、その使用
量は化合物(III −b)1当量に対して1〜3当量が適
当である。反応温度は、氷冷下ないし、溶媒の沸点の温
度範囲内で任意に設定できる。反応時間は、設定条件に
よって変化し、特に限定されないが、通常1〜24時間
が適当である。
【0030】上記反応は通常溶媒中で行うことができ、
使用しうる溶媒としては、例えば、アセトンなどのケト
ン類;テトラヒドロフラン、ジオキサン、エチルエーテ
ルなどのエーテル類;酢酸エチルなどのエステル類;ジ
クロロメタンなどのハロゲン化炭化水素類;ベンセン、
クロロベンゼンなどの芳香族炭化水素類;ジメチルホル
ムアミドなどの極性溶媒などの単独または混合溶媒を例
示することができる。更に、水と前記溶媒類との混合系
も使用可能である。溶媒の使用量には特別な制限はない
が、通常式(III −b)の化合物に対して5〜20重量
倍が適当である。
【0031】かくして式(III )の本発明の原料として
用いられる化合物を製造することができる。以上に述べ
た本発明方法により得られた生成物の反応混合物からの
分離及び/又は精製は、それ自体既知の方法、例えば抽
出、再結晶、カラムクロマトグラフィー等の方法で行な
うことができる。
【0032】
【実施例】次に実施例により本発明の方法をさらに具体
的に説明する。 実施例1:N−ベンジル[1−(ジエチルカルバモイ
ル)−1,2,4−トリアゾール−3−イル]スルホン
アミドの製造; ドイツ公開特許第3031191A1号公報および特開
昭57−58675号公報に記載の方法に準じて合成し
た1−ジエチルカルバモイル−3−ベンジルチオ−1,
2,4−トリアゾール20gを2規定塩酸250mlに
溶解し、−5〜0℃で攪拌しながら塩素を10時間吹き
込んだ。生じた粗結晶を水で洗浄、さらに副生するベン
ジルクロリドをヘキサンで除去した後、溶媒を留去して
1−ジエチルカルバモイル−3−クロロスルホニル1,
2,4−トリアゾール11.5gを得た(収率62%;
融点55〜57℃)。
【0033】次に、ベンジルアミン0.41gをテトラ
ヒドロフラン10mlに溶解し、攪拌ながらトリエチル
アミン0.28mlを加えた。さらに氷冷下、攪拌しな
がら上記で合成した1−ジエチルカルバモイル−3−ク
ロロスルホニル−1,2,4−トリアゾール0.50g
を徐々に加え、室温で15時間攪拌した。テトラヒドロ
フランを減圧下で留去し、2N塩酸10mlを加え、粗
結晶を得た。これをn−ヘキサン−酢酸エチルから再結
晶して標題化合物0.94gを得た(収率73%)。
【0034】この化合物の 1H−NMRデータ(δ pp
m;CDCl3 中)は次のとおりであった。 1.28(6H,t)、3.54(4H,q)、4.3
3(2H,d)、5.74(1H,br,t)、7.2
2(5H,s)、8.67(1H,s)。
【0035】実施例2:N−エチル−N−ベンジル[1
−(ジエチルカルバモイル)−1,2,4−トリアゾー
ル−3−イル]スルホンアミドの製造; N−エチルアニリン0.45gをテトラヒドロフラン1
0mlに溶解し、攪拌しながらトリエチルアミン0.2
8mlを加える。さらに氷冷下、攪拌しながら実施例1
で合成した1−ジエチルカルバモイル−3−クロロスル
ホニル−1,2,4−トリアゾール0.50gを徐々に
加え、室温で15時間攪拌した。実施例1と同様の後処
理をして標題化合物0.66gを得た(収率50%)。
【0036】この化合物の 1H−NMRデータ(δ pp
m;CDCl3 中)は次のとおりであった。 1.16(3H,t)、1.23(6H,t)、3.5
4(4H,q)、3.90(2H,q)、7.6(5
H,s)、8.83(1H,s)。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 下記式(I) 【化1】 〔式中、R1 およびR2 は同一若しくは異なって低級ア
    ルキル基、低級アルケニル基、低級ハロアルケニル基ま
    たは低級ハロアルキル基を表わすか、R1 およびR2
    一緒になって低級アルキル基で置換されてもよい炭素数
    3〜6のアルキレン鎖を表わし、R3は置換されてもよ
    いアリール基(但し、ハロゲン置換を除く)、置換され
    てもよいアラルキル基を表わし、R4 は水素原子または
    低級アルキル基、低級アルケニル基、低級アルキニル
    基、ハロアルキル基、低級ハロアルケニル基、シアノア
    ルキル基、アルコキシ基、アルコキシアルキル基、アル
    コキシカルボニルアルキル基、ベンジルオキシ基、フェ
    ニルカルボニル基を表わす、〕で示されるカルバモイル
    トリアゾール誘導体を製造するにあたり、下記式(II) 【化2】 〔式中、R3 およびR4 は上記と同義である、〕で示さ
    れるアミン類と、下記式(III) 【化3】 〔式中、R1 およびR2 は上記と同義であり、Xはハロ
    ゲン原子を表わす、〕で示されるハロゲン化スルホニル
    カルバモイルトリアゾール誘導体とを反応させることを
    特徴とする前記式(I)で示されるアミノスルホニルカ
    ルバモイルトリアゾール誘導体の製造法。
JP21505691A 1991-08-27 1991-08-27 アミノスルホニルカルバモイルトリアゾール誘導体の製造法 Pending JPH0559019A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102017217205A1 (de) 2016-09-27 2018-03-29 Musashi Seimitsu Industry Co., Ltd. Anlaufscheibe und Differenzialvorrichtung

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