JPH0557937A - サーマルヘツドの製造方法 - Google Patents
サーマルヘツドの製造方法Info
- Publication number
- JPH0557937A JPH0557937A JP3220497A JP22049791A JPH0557937A JP H0557937 A JPH0557937 A JP H0557937A JP 3220497 A JP3220497 A JP 3220497A JP 22049791 A JP22049791 A JP 22049791A JP H0557937 A JPH0557937 A JP H0557937A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thermal head
- layer
- protective film
- heating resistor
- protective
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Electronic Switches (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 印画寿命を改善することができるとともに、
印画品質を格段に向上することができるサーマルヘッド
の製造方法を提供することである。 【構成】 サーマルヘッド１を製造するに際して、電極
層５，６を形成して後に、窒素ガスを５％含むアルゴン
ガスを用いて、保護層形成領域をスパッタリングしエッ
チングを行う。これにより、保護層形成領域における発
熱抵抗体層４あるいは電極５，６の表面の酸化膜および
汚れが除去され、清浄化される。また、アルゴンイオン
の衝突により保護層形成領域表面の構成原子にエネルギ
が付与され、構成原子が活性化する。したがって、この
後に保護膜８をスパッタリングなどの薄膜技術で成膜す
る際に、前記保護膜形成領域の構成原子と、保護膜８を
構成するシリコン、窒素などの分子とが化学結合を行い
両者の密着力が向上する。
印画品質を格段に向上することができるサーマルヘッド
の製造方法を提供することである。 【構成】 サーマルヘッド１を製造するに際して、電極
層５，６を形成して後に、窒素ガスを５％含むアルゴン
ガスを用いて、保護層形成領域をスパッタリングしエッ
チングを行う。これにより、保護層形成領域における発
熱抵抗体層４あるいは電極５，６の表面の酸化膜および
汚れが除去され、清浄化される。また、アルゴンイオン
の衝突により保護層形成領域表面の構成原子にエネルギ
が付与され、構成原子が活性化する。したがって、この
後に保護膜８をスパッタリングなどの薄膜技術で成膜す
る際に、前記保護膜形成領域の構成原子と、保護膜８を
構成するシリコン、窒素などの分子とが化学結合を行い
両者の密着力が向上する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、サーマルヘッドに関
し、とりわけ印画寿命を改善したサーマルヘッドの製造
方法に関する。
し、とりわけ印画寿命を改善したサーマルヘッドの製造
方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】図２は、従来例の説明に用いられると共
に後述するように実施例においても参照される本発明の
基礎となる構成を示す典型的なサーマルヘッド１の断面
図である。サーマルヘッド１は、アルミナ系セラミック
などから成る絶縁基板２上にガラスから成るグレーズ層
３が形成され、その上にスパッタリングなどの薄膜技術
で窒化タンタルＴａ3Ｎ4を成膜して発熱抵抗体層４が形
成される。発熱抵抗体層４上には、アルミニウムなどの
金属をスパッタリングなどで成膜し、エッチングを施し
て共通電極５および個別電極６が形成され、たとえば６
ドット／ｍｍの密度で複数の発熱素子７が構成される。
このような絶縁基板２は、保護膜形成領域を５酸化タン
タルＴａ2Ｏ5などから成る保護膜８で被覆される。この
ようなサーマルヘッド１は、プラテンローラ９との間で
感熱記録紙１０を挟圧し、感熱印画を行う。
に後述するように実施例においても参照される本発明の
基礎となる構成を示す典型的なサーマルヘッド１の断面
図である。サーマルヘッド１は、アルミナ系セラミック
などから成る絶縁基板２上にガラスから成るグレーズ層
３が形成され、その上にスパッタリングなどの薄膜技術
で窒化タンタルＴａ3Ｎ4を成膜して発熱抵抗体層４が形
成される。発熱抵抗体層４上には、アルミニウムなどの
金属をスパッタリングなどで成膜し、エッチングを施し
て共通電極５および個別電極６が形成され、たとえば６
ドット／ｍｍの密度で複数の発熱素子７が構成される。
このような絶縁基板２は、保護膜形成領域を５酸化タン
タルＴａ2Ｏ5などから成る保護膜８で被覆される。この
ようなサーマルヘッド１は、プラテンローラ９との間で
感熱記録紙１０を挟圧し、感熱印画を行う。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】このようなサーマルヘ
ッド１を用いて図２の左右方向への印画走行を繰返した
場合、プラテンローラ９からサーマルヘッド１への圧力
に基づいて保護膜８と感熱記録紙１０との間に、図２に
示す矢符Ｆ１の摩擦力が生じる。保護膜８は、発熱抵抗
体層４と電極５，６上に、スパッタリングによる物理吸
着の作用、ずなわちファンデルワールス力によってのみ
付着しており、したがって保護膜８の発熱抵抗体層４お
よび電極５，６の表面への密着力は比較的低く、保護膜
８に矢符Ｆ１の方向の摩擦力が生じると、保護膜８と電
極５，６とは両者の界面１１で両者の間に剥離を生じ、
保護膜８にクラックを誘発し、外部からの水分の侵入な
どにより電極５，６および発熱抵抗体層４を腐食させ、
動作不良や寿命を短くするなどの不具合を生じている。
ッド１を用いて図２の左右方向への印画走行を繰返した
場合、プラテンローラ９からサーマルヘッド１への圧力
に基づいて保護膜８と感熱記録紙１０との間に、図２に
示す矢符Ｆ１の摩擦力が生じる。保護膜８は、発熱抵抗
体層４と電極５，６上に、スパッタリングによる物理吸
着の作用、ずなわちファンデルワールス力によってのみ
付着しており、したがって保護膜８の発熱抵抗体層４お
よび電極５，６の表面への密着力は比較的低く、保護膜
８に矢符Ｆ１の方向の摩擦力が生じると、保護膜８と電
極５，６とは両者の界面１１で両者の間に剥離を生じ、
保護膜８にクラックを誘発し、外部からの水分の侵入な
どにより電極５，６および発熱抵抗体層４を腐食させ、
動作不良や寿命を短くするなどの不具合を生じている。
【０００４】また界面１１における剥離を生じさせる保
護膜８の変形は、電極５，６と発熱抵抗体層４との界面
１２付近に伝達し、この部分においても電極５，６と発
熱抵抗体層４との間に剥離が生じ、発熱素子７における
抵抗値が不所望に上昇し、印画不良となるなどの不具合
を生じている。
護膜８の変形は、電極５，６と発熱抵抗体層４との界面
１２付近に伝達し、この部分においても電極５，６と発
熱抵抗体層４との間に剥離が生じ、発熱素子７における
抵抗値が不所望に上昇し、印画不良となるなどの不具合
を生じている。
【０００５】本件発明者はこのような不具合を確認する
ために、発熱素子７が６ドット／ｍｍの密度であって、
日本工業規格Ａ列４番のサイズの感熱記録紙１０を印画
可能なラインプリンタであるサーマルヘッド１を用い、
印加電力を０．５９Ｗ／ドットとし、印加パルス周期
２．５ｍｓ、印画パルス幅１．５ｍｓの条件で印画を行
い、サーマルヘッド１内の複数の発熱素子７における印
画走行５ｋｍ走行後の抵抗値上昇が１％以上のドット数
を計数した。この測定結果を、図４のラインＬ１に示
す。なお、図４の横軸は１つのサーマルヘッドあたり全
体の荷重である。この計測結果からは、プラテンローラ
９の圧力に正に相関して発熱素子７の抵抗値の異常が増
大することが理解される。
ために、発熱素子７が６ドット／ｍｍの密度であって、
日本工業規格Ａ列４番のサイズの感熱記録紙１０を印画
可能なラインプリンタであるサーマルヘッド１を用い、
印加電力を０．５９Ｗ／ドットとし、印加パルス周期
２．５ｍｓ、印画パルス幅１．５ｍｓの条件で印画を行
い、サーマルヘッド１内の複数の発熱素子７における印
画走行５ｋｍ走行後の抵抗値上昇が１％以上のドット数
を計数した。この測定結果を、図４のラインＬ１に示
す。なお、図４の横軸は１つのサーマルヘッドあたり全
体の荷重である。この計測結果からは、プラテンローラ
９の圧力に正に相関して発熱素子７の抵抗値の異常が増
大することが理解される。
【０００６】すなわち、従来例のサーマルヘッド１で
は、電極５，６や発熱抵抗体層４の腐食により印画寿命
が低下し、また各発熱素子７における抵抗値の不所望な
上昇により印画品質が低下するという不具合を有してい
る。
は、電極５，６や発熱抵抗体層４の腐食により印画寿命
が低下し、また各発熱素子７における抵抗値の不所望な
上昇により印画品質が低下するという不具合を有してい
る。
【０００７】本発明の目的は、上述の技術的課題を解消
し、印画寿命を改善できるとともに印画品質を向上する
ことができるサーマルヘッドを提供することである。
し、印画寿命を改善できるとともに印画品質を向上する
ことができるサーマルヘッドを提供することである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、絶縁性基板上
にグレーズ層と発熱抵抗体層と電極層と保護層とを順次
形成するサーマルヘッドの製造方法において、電極層を
形成した後に、少なくとも解離しやすい気体成分を含む
気体を用いて、保護層形成領域をスパッタリングしてエ
ッチングを行う工程を設け、当該工程終了後に保護層の
形成を行うようにしたことを特徴とするサーマルヘッド
の製造方法である。
にグレーズ層と発熱抵抗体層と電極層と保護層とを順次
形成するサーマルヘッドの製造方法において、電極層を
形成した後に、少なくとも解離しやすい気体成分を含む
気体を用いて、保護層形成領域をスパッタリングしてエ
ッチングを行う工程を設け、当該工程終了後に保護層の
形成を行うようにしたことを特徴とするサーマルヘッド
の製造方法である。
【０００９】また本発明は、上記解離しやすい気体成分
は窒素ガスであることを特徴とするサーマルヘッドの製
造方法である。
は窒素ガスであることを特徴とするサーマルヘッドの製
造方法である。
【００１０】前記保護膜の組成として、窒化シリコンＳ
ｉＮ、ＳｉＯＮ、酸化シリコンＳｉＯ2 、シリコンカー
バイトＳｉＣの内、少なくとも１種類の材料から選ばれ
る。
ｉＮ、ＳｉＯＮ、酸化シリコンＳｉＯ2 、シリコンカー
バイトＳｉＣの内、少なくとも１種類の材料から選ばれ
る。
【００１１】
【作用】本発明に従えば、絶縁基板上にグレーズ層と発
熱抵抗体層と電極層と保護層とを順次形成してサーマル
ヘッドを製造するに際して、電極層を形成して後に少な
くとも解離しやすい気体成分を含む気体を用いて、保護
層形成領域をスパッタリングしエッチングを行う。これ
により、保護層形成領域における発熱抵抗体層あるいは
電極層の表面の酸化膜および汚れが除去され、清浄化さ
れる。また、気体分子の衝突により保護層形成領域表面
の構成原子にエネルギが付与され、構成原子が活性化す
る。したがって、この後に保護膜をスパッタリングなど
の薄膜技術で成膜する際に、前記保護膜形成領域の構成
原子と、保護膜を構成する分子とが化学結合を行うな
ど、両者の密着力が向上する。
熱抵抗体層と電極層と保護層とを順次形成してサーマル
ヘッドを製造するに際して、電極層を形成して後に少な
くとも解離しやすい気体成分を含む気体を用いて、保護
層形成領域をスパッタリングしエッチングを行う。これ
により、保護層形成領域における発熱抵抗体層あるいは
電極層の表面の酸化膜および汚れが除去され、清浄化さ
れる。また、気体分子の衝突により保護層形成領域表面
の構成原子にエネルギが付与され、構成原子が活性化す
る。したがって、この後に保護膜をスパッタリングなど
の薄膜技術で成膜する際に、前記保護膜形成領域の構成
原子と、保護膜を構成する分子とが化学結合を行うな
ど、両者の密着力が向上する。
【００１２】これにより、保護膜が発熱抵抗体層あるい
は電極層への密着性が向上し、サーマルヘッドの印画寿
命を改善でき、かつ印画品質を向上することができる。
またスパッタリングによるエッチングを行う気体中に、
窒素ガスＮ2を適量含有させることにより、前記スパッ
タリング時に中性の窒素分子が発熱抵抗体層および電極
層の表面に埋め込まれ、保護膜形成時に保護膜材料と吸
着あるいは共有結合を行うため、両者の界面の密着力が
更に向上する。
は電極層への密着性が向上し、サーマルヘッドの印画寿
命を改善でき、かつ印画品質を向上することができる。
またスパッタリングによるエッチングを行う気体中に、
窒素ガスＮ2を適量含有させることにより、前記スパッ
タリング時に中性の窒素分子が発熱抵抗体層および電極
層の表面に埋め込まれ、保護膜形成時に保護膜材料と吸
着あるいは共有結合を行うため、両者の界面の密着力が
更に向上する。
【００１３】これにより、電極層と保護層との層間剥離
が防止され、保護層にクラックが生じる事態を防止で
き、このクラックに沿う外部の水分の侵入による電極層
や発熱抵抗体層の腐食が防止される。これにより、印画
寿命を格段に改善できる。一方、前記保護層の変形は電
極層と発熱抵抗体層との界面付近にも及ぶが、前記密着
力の向上により、電極層の発熱抵抗体層への密着性が保
持される。これにより、印画品質が格段に向上される。
が防止され、保護層にクラックが生じる事態を防止で
き、このクラックに沿う外部の水分の侵入による電極層
や発熱抵抗体層の腐食が防止される。これにより、印画
寿命を格段に改善できる。一方、前記保護層の変形は電
極層と発熱抵抗体層との界面付近にも及ぶが、前記密着
力の向上により、電極層の発熱抵抗体層への密着性が保
持される。これにより、印画品質が格段に向上される。
【００１４】
【実施例】図１は本発明の一実施例のサーマルヘッドの
製造工程を示す断面図であり、図２は前述したように、
本発明の基礎となる構成を示す典型的なサーマルヘッド
１の断面図である。サーマルヘッド１は、アルミナ系セ
ラミックなどから成る絶縁基板２上にガラスから成るグ
レーズ層３が形成され、その上にスパッタリングなどの
薄膜技術で窒化タンタルＴａ3Ｎ4を成膜して発熱抵抗体
層４が形成される。発熱抵抗体層４上には、アルミニウ
ムなどの金属をスパッタリングなどで成膜し、エッチン
グを施して共通電極５および個別電極６が形成され、た
とえば６ドット／ｍｍの密度で複数の発熱素子７が構成
される。このような絶縁基板２は、保護膜形成領域を５
酸化タンタルＴａ2Ｏ5などから成る保護膜８で被覆され
る。このようなサーマルヘッド１は、プラテンローラ９
との間で感熱記録紙１０を挟圧し、感熱印画を行う。
製造工程を示す断面図であり、図２は前述したように、
本発明の基礎となる構成を示す典型的なサーマルヘッド
１の断面図である。サーマルヘッド１は、アルミナ系セ
ラミックなどから成る絶縁基板２上にガラスから成るグ
レーズ層３が形成され、その上にスパッタリングなどの
薄膜技術で窒化タンタルＴａ3Ｎ4を成膜して発熱抵抗体
層４が形成される。発熱抵抗体層４上には、アルミニウ
ムなどの金属をスパッタリングなどで成膜し、エッチン
グを施して共通電極５および個別電極６が形成され、た
とえば６ドット／ｍｍの密度で複数の発熱素子７が構成
される。このような絶縁基板２は、保護膜形成領域を５
酸化タンタルＴａ2Ｏ5などから成る保護膜８で被覆され
る。このようなサーマルヘッド１は、プラテンローラ９
との間で感熱記録紙１０を挟圧し、感熱印画を行う。
【００１５】図３は本実施例に従うサーマルヘッド１の
製造工程を説明する工程図である。工程ａ１では、絶縁
基板２の全面に亘ってガラス層をスクリーン印刷などの
厚膜技術で形成し、焼成してグレーズ層３を得る。工程
ａ２ではグレーズ層３上に前述したように、スパッタリ
ングなどの薄膜技術で発熱抵抗体層４を成膜する。工程
ａ３では発熱抵抗体層４上にアルミニウムからなる金属
層をスパッタリングで成膜し、共通電極５および個別電
極６が得られるようにパターンニングする。
製造工程を説明する工程図である。工程ａ１では、絶縁
基板２の全面に亘ってガラス層をスクリーン印刷などの
厚膜技術で形成し、焼成してグレーズ層３を得る。工程
ａ２ではグレーズ層３上に前述したように、スパッタリ
ングなどの薄膜技術で発熱抵抗体層４を成膜する。工程
ａ３では発熱抵抗体層４上にアルミニウムからなる金属
層をスパッタリングで成膜し、共通電極５および個別電
極６が得られるようにパターンニングする。
【００１６】工程ａ４では、この製造段階の絶縁基板２
において、発熱抵抗体層４や電極５，６の表面における
後述する保護膜８が形成される保護膜形成領域に、保護
膜形成に先立って、スパッタリングによる表面のエッチ
ングを行う。本実施例のエッチングに使用するガスはた
とえば窒素ガスＮ2 を５％含有したアルゴンＡｒガスを
用い、５ｍｔｏｒｒのガス圧の下でスパッタリング装置
内に収納されたサーマルヘッド１の絶縁基板２を保持す
る保持具に高周波電力を印加し、前記保持具を負極に設
定することにより、エッチングを行う。このとき、高周
波電力によってアルゴンＡｒガスはアルゴンイオンＡｒ
+ に電離され、前記発熱抵抗体層４および電極５，６の
表面に衝突し、エッチングが施される。
において、発熱抵抗体層４や電極５，６の表面における
後述する保護膜８が形成される保護膜形成領域に、保護
膜形成に先立って、スパッタリングによる表面のエッチ
ングを行う。本実施例のエッチングに使用するガスはた
とえば窒素ガスＮ2 を５％含有したアルゴンＡｒガスを
用い、５ｍｔｏｒｒのガス圧の下でスパッタリング装置
内に収納されたサーマルヘッド１の絶縁基板２を保持す
る保持具に高周波電力を印加し、前記保持具を負極に設
定することにより、エッチングを行う。このとき、高周
波電力によってアルゴンＡｒガスはアルゴンイオンＡｒ
+ に電離され、前記発熱抵抗体層４および電極５，６の
表面に衝突し、エッチングが施される。
【００１７】これにより、前記保護膜形成領域における
表面の汚れや酸化物層が除去され、表面が清浄化され
る。また発熱抵抗体層４および電極５，６の表面の構成
原子が衝突したアルゴンイオンＡｒ+ によってエネルギ
を付与され、構成原子のポテンシャルを増大して活性化
する。このエッチングはたとえばエッチング深さにして
数〜１０原子層（３〜３０Å）行われる。一方、スパッ
タリングガス中の窒素ガスＮ2 は中性ガスもしくは活性
化された状態で、発熱抵抗体層４および電極５，６の表
面に図１で示されるように熱運動によって拡散到達し、
トラップされ埋め込まれる。
表面の汚れや酸化物層が除去され、表面が清浄化され
る。また発熱抵抗体層４および電極５，６の表面の構成
原子が衝突したアルゴンイオンＡｒ+ によってエネルギ
を付与され、構成原子のポテンシャルを増大して活性化
する。このエッチングはたとえばエッチング深さにして
数〜１０原子層（３〜３０Å）行われる。一方、スパッ
タリングガス中の窒素ガスＮ2 は中性ガスもしくは活性
化された状態で、発熱抵抗体層４および電極５，６の表
面に図１で示されるように熱運動によって拡散到達し、
トラップされ埋め込まれる。
【００１８】工程ａ５では、前記スパッタリングによる
エッチングを行ったままスパッタリング装置の真空を破
ることなく、たとえば窒化シリコンＳｉＮを主成分とす
るターゲットを用いてスパッタリングを行い、保護膜８
を形成する。このとき前記発熱抵抗体層４および電極
５，６の表面に到達した窒化シリコンの分子は、前記活
性化された構成原子と容易に化学結合を実現し、発熱抵
抗体層４および電極５，６の表面に強く付着する。ま
た、前記表面に埋め込まれた窒化ガスＮ2 は、飛来する
窒化シリコンのシリコン分子Ｓｉ、窒素Ｎ2、あるいは
炭素Ｃと共有結合を実現し、これによっても保護膜８が
発熱抵抗体層４あるいは電極５，６の表面に強固に固着
する。
エッチングを行ったままスパッタリング装置の真空を破
ることなく、たとえば窒化シリコンＳｉＮを主成分とす
るターゲットを用いてスパッタリングを行い、保護膜８
を形成する。このとき前記発熱抵抗体層４および電極
５，６の表面に到達した窒化シリコンの分子は、前記活
性化された構成原子と容易に化学結合を実現し、発熱抵
抗体層４および電極５，６の表面に強く付着する。ま
た、前記表面に埋め込まれた窒化ガスＮ2 は、飛来する
窒化シリコンのシリコン分子Ｓｉ、窒素Ｎ2、あるいは
炭素Ｃと共有結合を実現し、これによっても保護膜８が
発熱抵抗体層４あるいは電極５，６の表面に強固に固着
する。
【００１９】このようにして製造されたサーマルヘッド
１は、保護膜８が前述のように強固に発熱抵抗体層４お
よび電極５，６に固着するので、従来技術の項で述べた
ような保護膜８の剥離、あるいは電極５，６の発熱抵抗
体層４からの剥離などが防止される。
１は、保護膜８が前述のように強固に発熱抵抗体層４お
よび電極５，６に固着するので、従来技術の項で述べた
ような保護膜８の剥離、あるいは電極５，６の発熱抵抗
体層４からの剥離などが防止される。
【００２０】前記実施例において、スパッタリングを行
うガスとして、アルゴンガスを挙げて説明したが、これ
に代えてネオンガスやクリプトンガスなどを用いるよう
にしてもよい。すなわち発熱抵抗体層４や電極５，６の
表面の構成原子に運動エネルギを付与して活性化できる
種類の中から適宜選ばれる。
うガスとして、アルゴンガスを挙げて説明したが、これ
に代えてネオンガスやクリプトンガスなどを用いるよう
にしてもよい。すなわち発熱抵抗体層４や電極５，６の
表面の構成原子に運動エネルギを付与して活性化できる
種類の中から適宜選ばれる。
【００２１】このようなサーマルヘッド１を用いてプラ
テンローラ９との間で感熱記録紙１０に感熱動作を行う
場合、感熱記録紙１０は図１の左右方向、すなわちサー
マルヘッド１の副走査方向に走行する。したがって保護
膜８には、図１の矢符Ｆ２方向の摩擦力が生じる。この
摩擦力により、電極５，６と保護膜８との界面１１にお
いて、保護膜８が電極５，６から剥離する方向に変形す
る場合があるが、このような場合でも保護膜８は発熱抵
抗体層４および電極５，６に前述したように強固に密着
しており、これにより、電極５，６と保護膜８との層間
剥離が防止される。
テンローラ９との間で感熱記録紙１０に感熱動作を行う
場合、感熱記録紙１０は図１の左右方向、すなわちサー
マルヘッド１の副走査方向に走行する。したがって保護
膜８には、図１の矢符Ｆ２方向の摩擦力が生じる。この
摩擦力により、電極５，６と保護膜８との界面１１にお
いて、保護膜８が電極５，６から剥離する方向に変形す
る場合があるが、このような場合でも保護膜８は発熱抵
抗体層４および電極５，６に前述したように強固に密着
しており、これにより、電極５，６と保護膜８との層間
剥離が防止される。
【００２２】またこのような保護膜８の変形は、電極
５，６と発熱抵抗体層４との界面１１付近に及ぶが、こ
の点に関しても保護膜８は発熱抵抗体層４および電極
５，６に対する密着性が良好であり、発熱抵抗体層４と
電極５，６との密着性を維持することができる。
５，６と発熱抵抗体層４との界面１１付近に及ぶが、こ
の点に関しても保護膜８は発熱抵抗体層４および電極
５，６に対する密着性が良好であり、発熱抵抗体層４と
電極５，６との密着性を維持することができる。
【００２３】このようにして、製造されたサーマルヘッ
ド１を従来例における図４を参照して説明した印画条件
と同一条件で印画動作を行い、５ｋｍの印画走行に対し
てプラテン圧を変化させ、保護膜８と電極５，６との層
間剥離および、電極５，６と発熱抵抗体層４との層間剥
離の発生に伴う発熱素子７における抵抗値の異常な上昇
を計測した。この計測結果は、図４の黒丸を付したライ
ンＬ３で示される。すなわち、プラテンローラ９からサ
ーマルヘッド１への圧力を変化させても、サーマルヘッ
ド１における発熱素子７の抵抗値の異常上昇は観測され
なかった。すなわち、前述したような図４を参照して説
明した界面１１，１２における層間剥離の発生が防止で
きることが確認された。
ド１を従来例における図４を参照して説明した印画条件
と同一条件で印画動作を行い、５ｋｍの印画走行に対し
てプラテン圧を変化させ、保護膜８と電極５，６との層
間剥離および、電極５，６と発熱抵抗体層４との層間剥
離の発生に伴う発熱素子７における抵抗値の異常な上昇
を計測した。この計測結果は、図４の黒丸を付したライ
ンＬ３で示される。すなわち、プラテンローラ９からサ
ーマルヘッド１への圧力を変化させても、サーマルヘッ
ド１における発熱素子７の抵抗値の異常上昇は観測され
なかった。すなわち、前述したような図４を参照して説
明した界面１１，１２における層間剥離の発生が防止で
きることが確認された。
【００２４】このようにして本実施例によれば、電極
５，６と保護膜８との層間剥離が防止され、これにより
保護膜８にクラックが生じる事態が防止され、このクラ
ックによる外部からの水分などの侵入による電極５，６
や、発熱抵抗体層４の腐食が防止され、印画寿命を格段
に改善することがてきる。また、電極５，６と発熱抵抗
体層４との層間剥離が防止され、このような層間剥離が
生じた場合に観測される発熱素子７における抵抗値の異
常上昇が防止され、したがって印画品質を向上すること
ができる。
５，６と保護膜８との層間剥離が防止され、これにより
保護膜８にクラックが生じる事態が防止され、このクラ
ックによる外部からの水分などの侵入による電極５，６
や、発熱抵抗体層４の腐食が防止され、印画寿命を格段
に改善することがてきる。また、電極５，６と発熱抵抗
体層４との層間剥離が防止され、このような層間剥離が
生じた場合に観測される発熱素子７における抵抗値の異
常上昇が防止され、したがって印画品質を向上すること
ができる。
【００２５】本実施例は、いわゆるラインプリンタにつ
いて説明したけれども、シリアルプリンタについても実
施されるものである。
いて説明したけれども、シリアルプリンタについても実
施されるものである。
【００２６】
【発明の効果】以上のように本発明に従えば、絶縁基板
上にグレーズ層と発熱抵抗体層と電極層と保護層とを順
次形成してサーマルヘッドを製造するに際して、電極層
を形成して後に少なくとも解離しやすい気体成分を含む
気体を用いて、保護層形成領域をスパッタリングしエッ
チングを行う。これにより、保護層形成領域における発
熱抵抗体層あるいは電極層の表面の酸化膜および汚れが
除去され、清浄化される。また、気体分子の衝突により
保護層形成領域表面の構成原子にエネルギが付与され、
構成原子が活性化する。したがって、この後に保護膜を
スパッタリングなどの薄膜技術で成膜する際に、前記保
護膜形成領域の構成原子と、保護膜を構成する分子とが
化学結合を行うなど、両者の密着力が向上する。
上にグレーズ層と発熱抵抗体層と電極層と保護層とを順
次形成してサーマルヘッドを製造するに際して、電極層
を形成して後に少なくとも解離しやすい気体成分を含む
気体を用いて、保護層形成領域をスパッタリングしエッ
チングを行う。これにより、保護層形成領域における発
熱抵抗体層あるいは電極層の表面の酸化膜および汚れが
除去され、清浄化される。また、気体分子の衝突により
保護層形成領域表面の構成原子にエネルギが付与され、
構成原子が活性化する。したがって、この後に保護膜を
スパッタリングなどの薄膜技術で成膜する際に、前記保
護膜形成領域の構成原子と、保護膜を構成する分子とが
化学結合を行うなど、両者の密着力が向上する。
【００２７】これにより、保護膜が発熱抵抗体層あるい
は電極層への密着性が向上し、サーマルヘッドの印画寿
命を改善でき、かつ印画品質を向上することができる。
またスパッタリングによるエッチングを行う気体中に、
窒素ガスＮ2を適量含有させることにより、前記スパッ
タリング時に中性の窒素分子が発熱抵抗体層および電極
層の表面に埋め込まれ、保護膜形成時に保護膜材料と吸
着あるいは共有結合を行うため、両者の界面の密着力が
更に向上する。
は電極層への密着性が向上し、サーマルヘッドの印画寿
命を改善でき、かつ印画品質を向上することができる。
またスパッタリングによるエッチングを行う気体中に、
窒素ガスＮ2を適量含有させることにより、前記スパッ
タリング時に中性の窒素分子が発熱抵抗体層および電極
層の表面に埋め込まれ、保護膜形成時に保護膜材料と吸
着あるいは共有結合を行うため、両者の界面の密着力が
更に向上する。
【００２８】これにより、電極層と保護層との層間剥離
が防止され、保護層にクラックが生じる事態を防止で
き、このクラックに沿う外部の水分の侵入による電極層
や発熱抵抗体層の腐食が防止される。これにより、印画
寿命を格段に改善できる。一方、前記保護層の変形は電
極層と発熱抵抗体層との界面付近にも及ぶが、前記密着
力の向上により、電極層の発熱抵抗体層への密着性が保
持される。これにより、印画品質が格段に向上される。
が防止され、保護層にクラックが生じる事態を防止で
き、このクラックに沿う外部の水分の侵入による電極層
や発熱抵抗体層の腐食が防止される。これにより、印画
寿命を格段に改善できる。一方、前記保護層の変形は電
極層と発熱抵抗体層との界面付近にも及ぶが、前記密着
力の向上により、電極層の発熱抵抗体層への密着性が保
持される。これにより、印画品質が格段に向上される。
【図１】本発明の一実施例の製造工程を説明するサーマ
ルヘッド１の断面図である。
ルヘッド１の断面図である。
【図２】本発明の基礎となる構成のサーマルヘッド１の
断面図である。
断面図である。
【図３】本実施例の製造工程を説明する工程図である。
【図４】サーマルヘッド１の抵抗値異常を生じるドット
数を示すグラフである。
数を示すグラフである。
１ サーマルヘッド ２ 絶縁基板 ３ グレーズ層 ４ 発熱抵抗体層 ５ 共通電極 ６ 個別電極 ７ 発熱素子 ８ 保護膜 ９ プラテンローラ
Claims (2)
- 【請求項１】 絶縁性基板上にグレーズ層と発熱抵抗体
層と電極層と保護層とを順次形成するサーマルヘッドの
製造方法において、 電極層を形成した後に、少なくとも解離しやすい気体成
分を含む気体を用いて、保護層形成領域をスパッタリン
グしてエッチングを行う工程を設け、 当該工程終了後に保護層の形成を行うようにしたことを
特徴とするサーマルヘッドの製造方法。 - 【請求項２】 上記解離しやすい気体成分は窒素ガスで
あることを特徴とする請求項１記載のサーマルヘッドの
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3220497A JPH0557937A (ja) | 1991-08-30 | 1991-08-30 | サーマルヘツドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3220497A JPH0557937A (ja) | 1991-08-30 | 1991-08-30 | サーマルヘツドの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0557937A true JPH0557937A (ja) | 1993-03-09 |
Family
ID=16751978
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3220497A Pending JPH0557937A (ja) | 1991-08-30 | 1991-08-30 | サーマルヘツドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0557937A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5554866A (en) * | 1994-08-01 | 1996-09-10 | Texas Instruments Incorporated | Pre-oxidizing high-dielectric-constant material electrodes |
-
1991
- 1991-08-30 JP JP3220497A patent/JPH0557937A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5554866A (en) * | 1994-08-01 | 1996-09-10 | Texas Instruments Incorporated | Pre-oxidizing high-dielectric-constant material electrodes |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6375312B1 (en) | HEAT GENERATING RESISTOR CONTAINING TaN0.8, SUBSTRATE PROVIDED WITH SAID HEAT GENERATING RESISTOR FOR LIQUID JET HEAD, LIQUID JET HEAD PROVIDED WITH SAID SUBSTRATE, AND LIQUID JET APPARATUS PROVIDED WITH SAID LIQUID JET HEAD | |
| EP0319000B1 (en) | Ink jet head, substrate therefor, process for preparing thereof and ink jet apparatus having said head | |
| US4694306A (en) | Liquid jet recording head with a protective layer formed by converting the surface of a transducer into an insulating material | |
| EP0355998A1 (en) | Glass ceramic substrate having electrically conductive film | |
| US6558563B2 (en) | Method of fabricating thermal head | |
| JP2844051B2 (ja) | サーマルヘッド | |
| JPH07132628A (ja) | サーマルヘッドおよびその製造方法 | |
| US7876343B2 (en) | Thermal print head and method for manufacturing same | |
| JPH0557937A (ja) | サーマルヘツドの製造方法 | |
| JP4397923B2 (ja) | サーマルヘッド | |
| JP3041601B2 (ja) | サーマルヘッドの製造方法 | |
| US4708915A (en) | Thermal head for thermal recording | |
| JP5415194B2 (ja) | サーマルプリントヘッドおよびその製造方法 | |
| US4786916A (en) | Thermal head | |
| JPH0557938A (ja) | サーマルヘツドの製造方法 | |
| JP3127647B2 (ja) | 熱制御型インクジェット記録素子 | |
| JP3320168B2 (ja) | サーマルヘッド | |
| JPH08293259A (ja) | 気体放電表示パネル及びその電極の形成方法 | |
| US4742361A (en) | Thermal print head | |
| JPH0557931A (ja) | サーマルヘツド | |
| JP4280095B2 (ja) | サーマルヘッドの製造方法 | |
| US6140909A (en) | Heat-generating resistor and use thereof | |
| JP2000246929A (ja) | サーマルヘッドの製造方法 | |
| JPH064323B2 (ja) | 液体噴射記録ヘツド | |
| JP2002181844A (ja) | 加速度センサ用起歪体の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20060131 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Effective date: 20060221 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 |
|
| A601 | Written request for extension of time |
Effective date: 20060519 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 |
|
| A602 | Written permission of extension of time |
Effective date: 20060524 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 |
|
| A521 | Written amendment |
Effective date: 20060821 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Effective date: 20070413 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 |
|
| A521 | Written amendment |
Effective date: 20070713 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070830 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20071018 |
|
| A521 | Written amendment |
Effective date: 20080215 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 |
|
| A911 | Transfer of reconsideration by examiner before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20080404 |
|
| A912 | Removal of reconsideration by examiner before appeal (zenchi) |
Effective date: 20080509 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 |
|
| RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20080821 |
|
| RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20080826 |