JPH0554970A - 直流型エレクトロルミネツセンス素子 - Google Patents
直流型エレクトロルミネツセンス素子Info
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- JPH0554970A JPH0554970A JP21369491A JP21369491A JPH0554970A JP H0554970 A JPH0554970 A JP H0554970A JP 21369491 A JP21369491 A JP 21369491A JP 21369491 A JP21369491 A JP 21369491A JP H0554970 A JPH0554970 A JP H0554970A
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Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 長寿命の直流型エレクトロルミネッセンス素
子を得る。 【構成】 直流型エレクトロルミネッセンス素子におい
て、非表示部分にゼオライトからなる吸着剤を設けたも
ので、エレクトロルミネッセンス素子の製造工程におけ
るフォーミング時の発熱によって高温度となっても、水
分が吸着剤から放出されて蛍光体を劣化させることはな
く、長寿命のエレクトロルミネッセンス素子を得ること
ができる。
子を得る。 【構成】 直流型エレクトロルミネッセンス素子におい
て、非表示部分にゼオライトからなる吸着剤を設けたも
ので、エレクトロルミネッセンス素子の製造工程におけ
るフォーミング時の発熱によって高温度となっても、水
分が吸着剤から放出されて蛍光体を劣化させることはな
く、長寿命のエレクトロルミネッセンス素子を得ること
ができる。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は直流型エレクトロルミネ
ッセンス素子に関し、とくに防湿に特徴を有するエレク
トロルミネッセンス素子に関する。
ッセンス素子に関し、とくに防湿に特徴を有するエレク
トロルミネッセンス素子に関する。
【0002】
【従来の技術】直流型エレクトロルミネッセンス素子
は、発光層である蛍光体を背面電極と表示面側の透明電
極で直接に挟み、両電極に電圧を印加して発光させてい
る。 図4は、従来の直流型エレクトロルミネッセンス
素子41の部分断面図を示したものである。発光層42
をアルミニウムなどの背面電極43と透明電極44で挟
み、さらに両電極を吸湿性を有するナイロン6フイルム
45で挟み、全体をポリクロロトリフルオロエチレンの
防湿性フィルム46でサンドイッチ構造にしたものであ
る。
は、発光層である蛍光体を背面電極と表示面側の透明電
極で直接に挟み、両電極に電圧を印加して発光させてい
る。 図4は、従来の直流型エレクトロルミネッセンス
素子41の部分断面図を示したものである。発光層42
をアルミニウムなどの背面電極43と透明電極44で挟
み、さらに両電極を吸湿性を有するナイロン6フイルム
45で挟み、全体をポリクロロトリフルオロエチレンの
防湿性フィルム46でサンドイッチ構造にしたものであ
る。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】直流型エレクトロルミ
ネッセンス素子においては、表面を銅化合物で被覆した
蛍光体を使用している。このような蛍光体のペーストを
背面電極となるアルミニウム等の基板上に塗布して乾燥
して発光層を形成し、発光層上にはITO膜等からなる
透明導電膜を形成し両電極を吸湿性のあるナイロン6な
どのフイルムで挟んだ後に、防湿フイルムで被覆してい
る。
ネッセンス素子においては、表面を銅化合物で被覆した
蛍光体を使用している。このような蛍光体のペーストを
背面電極となるアルミニウム等の基板上に塗布して乾燥
して発光層を形成し、発光層上にはITO膜等からなる
透明導電膜を形成し両電極を吸湿性のあるナイロン6な
どのフイルムで挟んだ後に、防湿フイルムで被覆してい
る。
【0004】得られた直流型エレクトロルミネッセンス
素子は、蛍光体粒子の表面が銅の硫化物で被覆されてい
る。マンガンをドープした硫化亜鉛はn型半導体であ
り、表面に被覆した銅の硫化物(Cux S)は、p型半
導体である。そこでITO膜側にはプラス、アルミニウ
ム側にはマイナスの電圧を印加してフォーミングを行う
と、接合界面にp−n接合が形成されてダイオード特性
があらわれる。このp−n接合にバイアス電圧が印加さ
れることによって導電層から発光層に電子が注入されて
さらに高い1×106 V/cm程度の高電界によって加
速されて発光中心を励起して発光するものである。フォ
ーミングの際には通常の動作電圧よりも高い電圧を印加
しているが、この過程でエレクトロルミネッセンス素子
の温度は発熱によって100℃程度の温度にまで上昇す
る。温度の上昇によって、吸湿性のあるナイロン6など
のフイルムに保持されていた水分が蒸発し、その結果発
光層の蛍光体を劣化させ、エレクトロルミネッセンス素
子の発光効率等が早期に低下することが起こる。本発明
は、発光効率が長期にわたり安定した長寿命のエレクト
ロルミネッセンス素子を得ることを目的とするものであ
る。
素子は、蛍光体粒子の表面が銅の硫化物で被覆されてい
る。マンガンをドープした硫化亜鉛はn型半導体であ
り、表面に被覆した銅の硫化物(Cux S)は、p型半
導体である。そこでITO膜側にはプラス、アルミニウ
ム側にはマイナスの電圧を印加してフォーミングを行う
と、接合界面にp−n接合が形成されてダイオード特性
があらわれる。このp−n接合にバイアス電圧が印加さ
れることによって導電層から発光層に電子が注入されて
さらに高い1×106 V/cm程度の高電界によって加
速されて発光中心を励起して発光するものである。フォ
ーミングの際には通常の動作電圧よりも高い電圧を印加
しているが、この過程でエレクトロルミネッセンス素子
の温度は発熱によって100℃程度の温度にまで上昇す
る。温度の上昇によって、吸湿性のあるナイロン6など
のフイルムに保持されていた水分が蒸発し、その結果発
光層の蛍光体を劣化させ、エレクトロルミネッセンス素
子の発光効率等が早期に低下することが起こる。本発明
は、発光効率が長期にわたり安定した長寿命のエレクト
ロルミネッセンス素子を得ることを目的とするものであ
る。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明は、銅硫化物で表
面を被覆した蛍光体を発光層とした直流型エレクトロル
ミネッセンス素子の非表示部分にゼオライトを設けたこ
とを特徴とするものである。
面を被覆した蛍光体を発光層とした直流型エレクトロル
ミネッセンス素子の非表示部分にゼオライトを設けたこ
とを特徴とするものである。
【0006】ゼオライトはアルミノシリケートの含水ア
ルカリ金属塩であり、吸着あるいはイオン交換材料とし
て知られている。とくにゼオライトは他の吸着剤である
活性アルミナやシリカゲル等が温度の上昇とともに吸着
能力が急激に低下するのに対して、温度の上昇によって
も吸着能力の低下が小さいという性質を有している。と
くに好ましいゼオライトは、合成ゼオライトであって市
販の代表的な合成ゼオライトであるユニオンカーバイド
社製のモレキュラーシーブである。
ルカリ金属塩であり、吸着あるいはイオン交換材料とし
て知られている。とくにゼオライトは他の吸着剤である
活性アルミナやシリカゲル等が温度の上昇とともに吸着
能力が急激に低下するのに対して、温度の上昇によって
も吸着能力の低下が小さいという性質を有している。と
くに好ましいゼオライトは、合成ゼオライトであって市
販の代表的な合成ゼオライトであるユニオンカーバイド
社製のモレキュラーシーブである。
【0007】図2には、モレキュラーシーブ(4A)と
シリカゲル、活性アルミナについての圧力10mmHg
での水の等圧吸着の平衡図を示すが、モレキュラーシー
ブ(4A)は100℃においても水に対して大きな吸着
能力を持っている。
シリカゲル、活性アルミナについての圧力10mmHg
での水の等圧吸着の平衡図を示すが、モレキュラーシー
ブ(4A)は100℃においても水に対して大きな吸着
能力を持っている。
【0008】図1には本発明の直流型エレクトロルミネ
ッセンス素子1の一部の断面図を示す。発光層2はアル
ミニウムなどの背面電極3とITO膜等の透明電極4に
挟まれており、背面電極の外側にはゼオライト層5が形
成されている。そして、これらの全体はポリクロロトリ
フルオロエチレン等の防湿フイルム6で被覆されてい
る。
ッセンス素子1の一部の断面図を示す。発光層2はアル
ミニウムなどの背面電極3とITO膜等の透明電極4に
挟まれており、背面電極の外側にはゼオライト層5が形
成されている。そして、これらの全体はポリクロロトリ
フルオロエチレン等の防湿フイルム6で被覆されてい
る。
【0009】ゼオライト層はゼオライトの粉末をシート
状にしたもの、あるいは型枠、繊維質、合成樹脂フイル
ム等のゼオライトの吸着性能に影響を及ぼさないもので
あれば任意の支持体を用いることができ、これらの支持
体に充填あるいは塗布して使用する。
状にしたもの、あるいは型枠、繊維質、合成樹脂フイル
ム等のゼオライトの吸着性能に影響を及ぼさないもので
あれば任意の支持体を用いることができ、これらの支持
体に充填あるいは塗布して使用する。
【0010】使用するゼオライトにはモレキュラーシー
ブ3Aないし5A等の有効細孔径のものが好ましいが、
とくに4Aが好ましい。また、またゼオライトの使用量
は有効面積に対して500〜1500μmの厚さが望ま
しい。
ブ3Aないし5A等の有効細孔径のものが好ましいが、
とくに4Aが好ましい。また、またゼオライトの使用量
は有効面積に対して500〜1500μmの厚さが望ま
しい。
【0011】
【作用】本発明は、直流型エレクトロルミネッセンス素
子において、表示部分以外にゼオライトを設けたもので
あり、エレクトロルミネッセンス素子のフォーミング時
に高温度になっても従来の吸着剤のように吸着していた
水が吸着剤から放出されるようなことはなく、その結果
水分によって発光層の蛍光体が劣化することはない。
子において、表示部分以外にゼオライトを設けたもので
あり、エレクトロルミネッセンス素子のフォーミング時
に高温度になっても従来の吸着剤のように吸着していた
水が吸着剤から放出されるようなことはなく、その結果
水分によって発光層の蛍光体が劣化することはない。
【0012】
【実施例】以下に実施例を示しこの発明をさらに詳細に
説明する。 実施例1 ガラス製容器中のエチルアルコール150mlに、硝酸
銅3水塩0.35g、臭化アンモニウム1.40gを加
え、次いで硫化亜鉛を100g加えて1時間混合撹拌す
る。ガラス容器を電気マントルヒータで60℃に加熱保
持して2時間混合撹拌してアルコールを蒸発させるとと
もに均一な混合物を作る。得られた混合物を石英坩堝に
いれて硫化水素雰囲気中において1000℃で4時間焼
成する。
説明する。 実施例1 ガラス製容器中のエチルアルコール150mlに、硝酸
銅3水塩0.35g、臭化アンモニウム1.40gを加
え、次いで硫化亜鉛を100g加えて1時間混合撹拌す
る。ガラス容器を電気マントルヒータで60℃に加熱保
持して2時間混合撹拌してアルコールを蒸発させるとと
もに均一な混合物を作る。得られた混合物を石英坩堝に
いれて硫化水素雰囲気中において1000℃で4時間焼
成する。
【0013】ついで、得られた蛍光体表面の過剰の銅化
合物を10%のシアン化ナトリウムによって溶解除去
し、純水で洗浄する。洗浄の終点はシアン試験紙によっ
て洗浄水からシアンイオンが検出されなくなるのを終点
とする。
合物を10%のシアン化ナトリウムによって溶解除去
し、純水で洗浄する。洗浄の終点はシアン試験紙によっ
て洗浄水からシアンイオンが検出されなくなるのを終点
とする。
【0014】過剰の銅化合物を除去した蛍光体を60℃
の10%硫酸銅水溶液に30分間浸漬し、ガラスろ過板
(柴田科学器械(株)製 3G)によってろ過し、純水
で水洗を繰り返し、充分に水洗を行った後に石英製坩堝
に入れて硫化水素雰囲気中で150℃に加熱した。
の10%硫酸銅水溶液に30分間浸漬し、ガラスろ過板
(柴田科学器械(株)製 3G)によってろ過し、純水
で水洗を繰り返し、充分に水洗を行った後に石英製坩堝
に入れて硫化水素雰囲気中で150℃に加熱した。
【0015】次に得られた蛍光体と、シアノエチルセル
ロースとシクロヘキサノンを8:2の割合で混合したバ
インダーとを7:3の割合で比率で混合し、3本ロール
混合機で均一混合し蛍光体ペーストを得た。蛍光体ペー
ストを印刷機によって厚さ100μmのポリエステルフ
イルムを基材とした透明導電膜上に厚さ40μmで塗布
し、180℃で30分間乾燥した。
ロースとシクロヘキサノンを8:2の割合で混合したバ
インダーとを7:3の割合で比率で混合し、3本ロール
混合機で均一混合し蛍光体ペーストを得た。蛍光体ペー
ストを印刷機によって厚さ100μmのポリエステルフ
イルムを基材とした透明導電膜上に厚さ40μmで塗布
し、180℃で30分間乾燥した。
【0016】蛍光体上に背面電極となる厚さ70μmの
アルミニウム箔を積層し、150℃で2時間加熱して乾
燥した。次いで、アルミニウム電極面にモレキュラーシ
ーブのシートを設けて両面にポリクロロトリフルオロエ
チレンからなる防湿フイルムを温度180℃、20cm
/分、圧力5kg/cm2 の加圧ローラを用いてラミネ
ートした。モレキュラーシーブのシートはポリエステル
フイルム上にアクリル系接着剤をコートし、その上にモ
レキュラーシーブを噴霧して作成した。
アルミニウム箔を積層し、150℃で2時間加熱して乾
燥した。次いで、アルミニウム電極面にモレキュラーシ
ーブのシートを設けて両面にポリクロロトリフルオロエ
チレンからなる防湿フイルムを温度180℃、20cm
/分、圧力5kg/cm2 の加圧ローラを用いてラミネ
ートした。モレキュラーシーブのシートはポリエステル
フイルム上にアクリル系接着剤をコートし、その上にモ
レキュラーシーブを噴霧して作成した。
【0017】ITO膜側にプラス、アルミニウム側にマ
イナスとして、直流30Vの電圧を印加した。当初の発
光効率は低いが、約10時間電流を流し続けると電流値
は一定となり、徐々に電気抵抗値が高くなり、やがて一
定となる。この時の輝度は約300cd/m2 である。
また、直流の10Vを印加して、経過時間と当初の輝度
に対する相対輝度の変化を測定し、その結果を図3に示
す。
イナスとして、直流30Vの電圧を印加した。当初の発
光効率は低いが、約10時間電流を流し続けると電流値
は一定となり、徐々に電気抵抗値が高くなり、やがて一
定となる。この時の輝度は約300cd/m2 である。
また、直流の10Vを印加して、経過時間と当初の輝度
に対する相対輝度の変化を測定し、その結果を図3に示
す。
【0018】比較例1 モレキュラーシーブのシートに代えて、ナイロン6を用
いた点を除いて実施例1と同様にエレクトロルミネッセ
ンス素子を製造し、直流の10Vを印加して輝度の変化
を測定した結果を図3に示す。
いた点を除いて実施例1と同様にエレクトロルミネッセ
ンス素子を製造し、直流の10Vを印加して輝度の変化
を測定した結果を図3に示す。
【0019】
【発明の効果】本発明は、直流型エレクトロルミネッセ
ンス素子において、非表示部にゼオライトからなる吸着
剤を設けたもので、エレクトロルミネッセンス素子の製
造工程におけるフォーミング時の発熱によって高温度と
なっても、水分が吸着剤から放出されて蛍光体を劣化さ
せることはなく、長寿命のエレクトロルミネッセンス素
子を得ることができる。
ンス素子において、非表示部にゼオライトからなる吸着
剤を設けたもので、エレクトロルミネッセンス素子の製
造工程におけるフォーミング時の発熱によって高温度と
なっても、水分が吸着剤から放出されて蛍光体を劣化さ
せることはなく、長寿命のエレクトロルミネッセンス素
子を得ることができる。
【図1】本発明の直流型エレクトロルミネッセンス素子
の1実施例を示す図。
の1実施例を示す図。
【図2】各種の吸着剤の等圧吸着平衡を示す図。
【図3】経過時間と相対輝度の変化を示す図。
【図4】従来の直流型エレクトロルミネッセンス素子を
示す図。
示す図。
1…直流型エレクトロルミネッセンス素子、2…発光
層、3…背面電極、4…透明電極、5…ゼオライト層、
6…防湿フイルム、41…従来の直流型エレクトロルミ
ネッセンス素子、42…発光層、43…背面電極、44
…透明電極、45…ナイロン6フイルム、46…防湿性
フィルム
層、3…背面電極、4…透明電極、5…ゼオライト層、
6…防湿フイルム、41…従来の直流型エレクトロルミ
ネッセンス素子、42…発光層、43…背面電極、44
…透明電極、45…ナイロン6フイルム、46…防湿性
フィルム
Claims (2)
- 【請求項1】 直流型エレクトロルミネッセンス素子に
おいて、防湿フイルムに被覆された素子の内部の非表示
部分にゼオライトからなる吸着剤を設けたことを特徴と
する直流型エレクトロルミネッセンス素子。 - 【請求項2】 発光層には粒子表面を銅化合物で被覆し
た蛍光体を有し、背面電極の背後にゼオライト層を設け
たことを特徴とする請求項1記載の直流型エレクトロル
ミネッセンス素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP21369491A JPH0554970A (ja) | 1991-08-26 | 1991-08-26 | 直流型エレクトロルミネツセンス素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP21369491A JPH0554970A (ja) | 1991-08-26 | 1991-08-26 | 直流型エレクトロルミネツセンス素子 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0554970A true JPH0554970A (ja) | 1993-03-05 |
Family
ID=16643445
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP21369491A Pending JPH0554970A (ja) | 1991-08-26 | 1991-08-26 | 直流型エレクトロルミネツセンス素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0554970A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1168892A2 (en) * | 2000-06-29 | 2002-01-02 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | EL element |
JP2010135482A (ja) * | 2008-12-03 | 2010-06-17 | Mitsubishi Electric Corp | 回路基板の製造方法および回路基板 |
JP2014007063A (ja) * | 2012-06-25 | 2014-01-16 | Panasonic Corp | 発光パネルの製造方法並びに発光パネル及び発光パネルの中間製品 |
-
1991
- 1991-08-26 JP JP21369491A patent/JPH0554970A/ja active Pending
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1168892A2 (en) * | 2000-06-29 | 2002-01-02 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | EL element |
EP1168892A3 (en) * | 2000-06-29 | 2003-09-10 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | EL element |
US7083861B2 (en) | 2000-06-29 | 2006-08-01 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | EL element |
JP2010135482A (ja) * | 2008-12-03 | 2010-06-17 | Mitsubishi Electric Corp | 回路基板の製造方法および回路基板 |
JP2014007063A (ja) * | 2012-06-25 | 2014-01-16 | Panasonic Corp | 発光パネルの製造方法並びに発光パネル及び発光パネルの中間製品 |
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