JPH0554816A - カラー受像管 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【構成】 シャドウマスク20のマスクフレーム22を磁性
体から構成し、その側壁部27をマスク本体26のスカート
部25の蛍光体スクリーン3 側端部よりも蛍光体スクリー
ン側に延出させ、その延出する部分の長さＡを、マスク
本体のスカート部の蛍光体スクリーン側端部からパネル
内面までの距離をＢ、同じくその蛍光体スクリーン側端
部からマスク本体の有効部最外の電子ビーム通過孔10a
を通過する電子ビーム10a がマスクフレームの側壁部の
蛍光体スクリーン側への延長線との交点までの距離をＣ
とするとき、マスクフレームの側壁部の全周または一部
が、Ｂ／５≦Ａ＜ＣかつＢ／５≦Ａ≦Ｂ−５の関係を満
足する大きさとした。 【効果】 外部磁界によるランディングずれを効果的に
減少させて、色純度を良好にすることができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は、カラー受像管に係
り、特に地磁気を遮蔽して良好なランディングが得られ
るカラー受像管に関する。

【０００２】

【従来の技術】一般にカラー受像管は、図６に示すよう
に、ほぼ矩形状のパネル１およびこのパネル１に一体に
接合された漏斗状のファンネル２からなる外囲器を有
し、そのパネル１内面に、青，緑，赤に発光する３色蛍
光体層からなる蛍光体スクリーン３が形成され、この蛍
光体スクリーン３に接近して、その内側にほぼ矩形状の
シャドウマスク４が配置されている。このシャドウマス
ク４は、多数の電子ビーム通過孔の形成された有効部の
外周にスカート部５が形成されたほぼ矩形状のマスク本
体６と、このマスク本体６のスカート部５を内側にして
マスク本体６に取付けられた管軸（ｚ軸）に平行な側壁
部７を有する断面Ｌ字形のマスクフレーム８とからな
る。またファンネル２のネック９内に、３電子ビーム10
を放出する電子銃11が配置されている。そして、この電
子銃11から放出される３電子ビーム10をファンネル２の
外側に装着された偏向ヨーク12の発生する磁界により偏
向して、上記シャドウマスク４を介して蛍光体スクリー
ン３を水平、垂直走査することにより、この蛍光体スク
リーン３上にカラー画像を表示する構造に形成されてい
る。

【０００３】上記蛍光体スクリーン３上に正しく画像を
表示するためには、蛍光体スクリーン３とシャドウマス
ク４とは、整合関係に配置されていなければならない
が、それでもなおカラー受像管は、地磁気などの外部磁
界の影響を受けると、ローレンツ力により電子ビーム10
の軌道が変化し、３色蛍光体層に対するランディンクが
ずれて色純度が劣化することがある。そのため、従来よ
りカラー受像管は、シャドウマスク４のマスクフレーム
８に磁性体からなる内部磁気遮蔽体14を取付けてファン
ネル２の内側に配置し、最も外部磁界の影響を受けやす
いファンネル２の内側の電子ビーム通過領域を遮蔽して
いる。

【０００４】上記内部磁気遮蔽体14の最も基本的な構造
として、図７に示すように、板厚０．１〜０．３mm程度
の軟鋼板を四角形台形状に成形したものがある。しかし
この構造では、遮蔽効果が十分でなく、良好なランディ
ングが得られない場合がある。

【０００５】説明を簡単にするため、蛍光体スクリーン
を構成する３色蛍光体層が垂直方向に細長いストライプ
からなるカラー受像管について、その内部磁気遮蔽体14
の遮蔽効果を説明すると、このカラー受像管では、電子
ビームのランディングが垂直方向にずれても同一色の蛍
光体層をランディングし、色純度の劣化は生じないた
め、ランディンクずれは問題とならない。しかし水平方
向のランディンクずれは、色純度を劣化する。

【０００６】今、管軸をＺ、水平軸をＸ、垂直軸をＹ、
磁束密度をＢ、電子ビームの速度をｖとすると、上記水
平方向のランディンクに影響する磁界は、その垂直軸方
向成分Ｂy ，管軸方向成分Ｂz であり、これら磁界成分
Ｂy ，Ｂz に電子ビームの管軸方向速度成分ｖz ，垂直
軸方向速度成分ｖy が作用してランディンクずれを生じ
させる。図８（ａ）は、管軸方向成分Ｂz によるランデ
ィンクずれを矢印16aで示したもので、このランディン
クずれは、実際には、カラー受像管を北向きに設置した
場合の地磁気の管軸方向成分Ｂz と垂直偏向にともなう
電子ビームの垂直方向速度成分ｖy とによるランディン
クずれである。カラー受像管を南向きに設置した場合
は、この図８（ａ）に示した矢印16とは逆向きのランデ
ィンクずれが生ずる。また図８（ｂ）は、垂直軸方向成
分Ｂy によるランディンクずれを矢印16b で示したもの
で、このランディンクずれは、北半球における地磁気の
垂直軸方向成分Ｂy と電子ビームの管軸方向速度成分ｖ
z とによるランディンクずれである。

【０００７】上述した内部磁気遮蔽体では、その内側の
電子ビーム通過領域に上記磁界成分Ｂy ，Ｂz をもつ漏
れ磁界が存在し、そのために図８（ａ）および（ｂ）に
示したランディンクずれが生じ、色純度を劣化する。

【０００８】しかし図８（ｂ）に示した磁界の垂直軸方
向成分Ｂy によるランディンクずれは、カラー受像管の
仕向地に対応して、蛍光体スクリーン形成時に仕様を微
変更することで対応できるが、図８（ａ）に示した磁界
の管軸方向成分Ｂｚによるランディンクずれは、カラー
受像管の実際の動作、使用状況などに応じて種々変化す
るものであるため、蛍光体スクリーン形成時に対策する
ことは不可能である。

【０００９】上記図８（ａ）に示した磁界の管軸方向成
分Ｂｚによるランディンクずれを軽減するために、特開
昭５３−１５０６１号公報には、図９に示すように、四
角形台形の短辺にＶ字状の切込み17を設けた内部磁気遮
蔽体14a が示されている。また実公昭５５−３６２９８
号公報には、画面の上下端側に磁気遮蔽体を偏在させる
ことが示されている。

【００１０】このような磁気遮蔽体を用いると、カラー
受像管を北向きに設置したとき、管軸方向の磁力線が磁
気遮蔽体の長辺方向に強制され、それにともない垂直軸
方向成分Ｂy が増加する。すなわち、＋ｙ方向（正方
向）では＋Ｂy が、−ｙ方向（負方向）では−Ｂy が増
加し、電子ビームは、画面上部では右方向、画面下部で
は左方向にずれ、右回転のランディンクずれを生ずる。
これは、図８（ａ）に示した左回転のランディンクずれ
を軽減するものであり、したがってカラー受像管を北向
きまたは南向きに設置した場合の色純度を向上させる。

【００１１】しかし上記構造では、カラー受像管を東向
きまたは西向きに設置した場合、地磁気の水平軸方向成
分Ｂx が内部磁気遮蔽体14a の内側を通過しやすくな
る。そのため、内部磁気遮蔽体14a 内側の電子ビーム通
過領域の磁束密度が増加し、かつその内側のバレル形磁
界が強化される。たとえばカラー受像管を東向きに設置
した場合は、図10に示すように、その内側の磁界18はよ
りバレル形となり、画面コーナ部に近いほど、垂直軸方
向成分Ｂy が増加し、矢印16c で示す台形状のランディ
ングずれを生ずる。またカラー受像管を西向きに設置し
た場合は、矢印16c とは逆向きのランディングずれ（逆
台形状）が生ずる。

【００１２】以上要するに従来のカラー受像管は、内部
磁気遮蔽体を配置しても、これを北向きまたは南向きに
設置した場合のランディングずれを軽減しようとする
と、東向きまたは西向きに設置した場合のランディング
ずれが増大し、すべての向きに対しランディングずれを
軽減して、色純度を良好にすることが不可能である。

【００１３】しかもこの地磁気などの外部磁界がランデ
ィングに与える影響は、カラー受像管が大形になるほど
大きく、たとえば３７インチ程度の超大形カラー受像管
になると、電子銃から蛍光体スクリーンまでの距離が２
１インチ型カラー受像管と比較しても、約１．７倍とな
り、電子ビームの移動量は約２．８倍にもなる。さらに
蛍光体スクリーンとシャドウマスクとの間隔も大きくな
り、それに対応して電子ビームの移動量はより大きくな
る。

【００１４】実際に内部磁気遮蔽体を配置した３７イン
チ型カラー受像管について、日本国内での地磁気による
ランディングずれを測定した結果、カラー受像管を南向
きから北向きにした場合、および西向きから東向きにし
た場合、ともに約５０μm 移動した。また最近開発が進
められている蛍光体スクリーンのアスペクト比が１６：
９の横長画面の高品位カラー受像管では、蛍光体層の配
列ピッチが０．５〜０．７mmと微細化され、たとえば民
生用の３７インチ超大形カラー受像管でも、その蛍光体
層の配列ピッチは、画面中央部で約０．７mm、画面周辺
部で約０．８mmである。これに製造工程でのばらつきを
考慮すると、電子ビームの移動量の余裕度は、３０〜４
０μm である。これに対して、実際の電子ビームの移動
量は、南向きから北向きにした場合約６０μm 、西向き
から東向きにした場合約３０μmとなるため、画面品位
を大幅に劣化する。

【００１５】つまり、超大形カラー受像管については、
地磁気などの外部磁界の影響により、内部磁気遮蔽体を
配置してもランディングずれが大きく、色純度を大幅に
劣化する。

【００１６】

【発明が解決しようとする課題】上記のように、カラー
受像管は、地磁気などの外部磁界の影響を避けるため
に、ファンネルの内側に内部磁気遮蔽体が配置されてい
る。しかし内部磁気遮蔽体を配置しても、従来の内部磁
気遮蔽体では、その遮蔽効果が十分でなく、３色蛍光体
層に対する電子ビームのランディングずれが生じ、色純
度が劣化する。特に超大形カラー受像管については、電
子ビームの移動量が大きくなるばかりでなく、さらに高
品位カラー受像管では、蛍光体層の配列ピッチが微細化
して、電子ビームの移動量の余裕度が小さくなるため、
色純度が大幅に劣化するようになる。

【００１７】この発明は、上記問題点を解決するために
なされたものであり、地磁気などの外部磁界による電子
ビームの移動量を小さくして、通常のカラー受像管は勿
論、超大形カラー受像管や高品位カラー受像管について
も、色純度を良好にすることを目的とする。

【００１８】

【課題を解決するための手段】パネルおよびファンネル
からなる外囲器と、そのパネル内面に形成された蛍光体
スクリーンと対向してパネル内側に配置され、多数の電
子ビーム通過孔の形成された有効部の外周にスカート部
が形成されたマスク本体およびこのマスク本体にスカー
ト部を内側にして取付けられた管軸に平行な側壁部を有
するマスクフレームからなるシャドウマスクと、そのマ
スクフレームに取付けられてファンネルの内側に配置さ
れた磁気遮蔽体と、ファンネルのネック内に配置された
電子銃とを備えるカラー受像管において、マスクフレー
ムを磁性体から構成し、かつそのマスクフレームの側壁
部がマスク本体のスカート部の蛍光体スクリーン側端部
よりも蛍光体スクリーン側に延出し、この蛍光体スクリ
ーン側に延出する部分の長さＡを、マスク本体のスカー
ト部の蛍光体スクリーン側端部からパネル内面までの距
離をＢとし、マスク本体のスカート部の蛍光体スクリー
ン側端部からマスク本体の有効部最外の電子ビーム通過
孔を通過する電子ビームがマスクフレームの側壁部の蛍
光体スクリーン側への延長線との交点までの距離をＣと
するとき、マスクフレームの側壁部の全周または一部が Ｂ／５≦Ａ＜Ｃ かつ Ｂ／５≦Ａ≦Ｂ−５ の関係を満足する大きさとした。

【００１９】

【作用】上記のようにシャドウマスクのマスクフレーム
を構成すると、カラー受像管を北向きまたは南向きに設
置した場合、蛍光体スクリーンとこれに接近して配置さ
れるシャドウマスクとの間の空間を通る外部磁界を、マ
スクフレームの側壁部の蛍光体スクリーン側の端部から
その空間に放射される放出磁界により相殺することがで
き、従来カラー受像管を北向きまたは南向きに設置した
場合に生じたランディングずれ（図９（ａ）参照）を効
果的に減少させることができるようになる。

【００２０】

【実施例】以下、図面を参照してこの発明を実施例に基
づいて説明する。

【００２１】図１（ａ）にその一実施例であるカラー受
像管の全体の構成を、同（ｂ）にその要部を拡大して示
す。

【００２２】このカラー受像管は、ほぼ矩形状のパネル
１およびこのパネル１に一体に接合された漏斗状のファ
ンネル２からなる外囲器を有し、そのパネル１内面に、
青，緑，赤に発光する３色蛍光体層からなる蛍光体スク
リーン３が形成され、この蛍光体スクリーン３に接近し
て、その内側にほぼ矩形状のシャドウマスク20が配置さ
れ、パネル１の四隅部に固定されたスタッドピン21と後
述するシャドウマスク20のほぼ矩形状のマスクフレーム
22の四隅部に取付けられてこのスタッドピン21に嵌合係
止するほぼＶ字状の弾性支持体23とにより、パネル１内
側に支持されている。また上記マスクフレーム22に、フ
ァンネル２の内側に位置する内部磁気遮蔽体14が取付け
られている。さらにファンネル２のネック９内に、３電
子ビーム10を放出する電子銃11が配置されている。

【００２３】なお、12はファンネル２の外側に装着され
た偏向ヨークである。

【００２４】上記シャドウマスク20は、多数の電子ビー
ム通過孔24の形成された有効部の外周にスカート部25が
形成されたほぼ矩形状のマスク本体26と、管軸（Ｚ軸）
に平行な側壁部27およびこの側壁部27の電子銃11側端部
から内側に張出した張出部28を有する断面Ｌ字形のほぼ
矩形状の低炭素鋼板などの磁性体からなるマスクフレー
ム22とから構成され、そのマスク本体26は、そのスカー
ト部25がそのマスクフレーム22の側壁部27の中間部内側
に溶接により取付けられ、側壁部27の蛍光体スクリーン
３側端部は、マスク本体26の周縁、すなわちマスク本体
26のスカート部26の蛍光体スクリーン３側端部よりも、
蛍光体スクリーン３側に延出している。

【００２５】しかもこのマスクフレーム22の側壁部27の
蛍光体スクリーン３側に延出する部分の長さＡは、マス
ク本体26の有効部最外の電子ビーム通過孔24a を通過す
る電子ビーム10a を阻止しないように、マスク本体26の
スカート部26の蛍光体スクリーン３側端部から上記電子
ビーム10a の軌道と側壁部27の蛍光体スクリーン３側へ
の延長線との交点29までの距離をＣよりも短くなってい
る（Ａ＜Ｃ）。ただしカラー受像管の公称偏向角あるい
は偏向方向によっては、マスク本体の有効部最外の電子
ビーム通過孔24a を通過してパネル１内面に達する電子
ビーム10が側壁部27の蛍光体スクリーン３側への延長線
よりも管軸側になり、側壁部の蛍光体スクリーン側への
延長線と交差しない場合もある。この場合は、特に上記
電子ビーム10a の軌道との関係は考慮する必要はない。

【００２６】しかしこのような場合でも、パネル１内面
と側壁部27の蛍光体スクリーン３側端部との間隔（余
裕）は、考慮する必要がある。すなわち、パネル１内面
と側壁部27の蛍光体スクリーン３側端部との間隔が小さ
くなると、蛍光体スクリーンの形成工程など、カラー受
像管の製造工程で繰返しおこなわれるシャドウマスク20
の着脱時に側壁部27の蛍光体スクリーン３側端部がパネ
ル１内面に当って傷付け、蛍光体スクリーン３形成後に
おこなわれるパネル１とファンネル２との接合（封着）
あるいは排気工程での高温加熱時にクラックが発生しや
すくなる。

【００２７】本発明者の実験結果では、カラー受像管の
大きさにもよるが、上記パネル１内面と側壁部27の蛍光
体スクリーン３側端部との間隔は、５mm程度が適正であ
った。勿論、この間隔は、パネル１に対するシャドウマ
スク20の着脱を注意深くおこなえば、さらに小さく設定
できるが、間隔が小さくなると、それに比例してシャド
ウマスク20の着脱の作業性が低下し、量産に適さなくな
る。

【００２８】つまり、マスクフレーム22の側壁部27の蛍
光体スクリーン３側に延出する部分の長さＡは、マスク
本体26のスカート部25の蛍光体スクリーン３側端部から
パネル１内面までの距離Ｂに対して、 Ａ≦Ｂ−５ を満足するように形成される。

【００２９】ところで、上記のようにシャドウマスク20
を構成すると、カラー受像管を南向きに設置した場合、
図２（ａ）に示す磁界が形成される。比較のために同
（ｂ）に示した従来のカラー受像管では、内部磁気遮蔽
体14などを介してマスクフレーム８を通過する磁気によ
り、マスクフレーム８の側壁部７の蛍光体スクリーン３
側端部がＮ極に磁化され、放出磁界31が形成される。こ
の放出磁界31の一部は、内部磁気遮蔽体14側に形成され
るＳ極に向かい、内部磁気遮蔽体14の内側の電子ビーム
通過領域を通る磁気32の一部を相殺して遮蔽する。しか
し蛍光体スクリーン３とシャドウマスク４との間の空間
については、磁気32を相殺する方向の放出磁界31が形成
されないため、磁気32に対する遮蔽効果は、全く得られ
ない。

【００３０】これに対して図２（ａ）に示したこの例の
カラー受像管では、上記従来のカラー受像管と同様に、
マスクフレーム22の側壁部27の蛍光体スクリーン３側端
部がＮ極に磁化され、放出磁界31が形成され、その一部
は、内部磁気遮蔽体14側のＳ極に向かい、内部磁気遮蔽
体14の内側の電子ビーム通過領域を通る磁気32の一部を
相殺するが、この例のカラー受像管の放出磁界31は、従
来のカラー受像管にくらべて側壁部27の蛍光体スクリー
ン３側端部が蛍光体スクリーン３側に接近して延出して
いるため、放出磁界31が蛍光体スクリーン３側に張出
す。その結果、内部磁気遮蔽体14の内側の電子ビーム通
過領域ばかりでなく、パネル１内面とシャドウマスク20
との間の空間を通る磁気32も相殺する。

【００３１】図３にアスペクト比が１６：９の３６イン
チ型高品位カラー受像管について、マスクフレームの側
壁部の蛍光体スクリーン側に延出する部分の長さＡを種
々変え、日本国内での地磁気によるランディングずれを
測定した結果を示す。図の縦軸に示すＮ／Ｓ移動量は、
カラー受像管を北向きから南向きにしたときのランディ
ングずれ量であり、Ｅ／Ｗ移動量は、東向きから西向き
にしたときのランディングずれ量である。なお、横軸に
は、側壁部の蛍光体スクリーン側に延出する部分の長さ
Ａを、マスク本体のスカート部の蛍光体スクリーン側端
部からパネル内面までの距離Ｂとの比で示した。図３
（ａ）に示した曲線33は画面対角軸端でのＮ／Ｓ移動
量、線34は同じく画面対角軸端でのＥ／Ｗ移動量、同
（ｂ）の曲線35は画面垂直軸端でのＮ／Ｓ移動量であ
る。

【００３２】図３（ａ）に示したように、画面対角軸端
では、Ａ／Ｂ＝０、すなわちＡ＝０である従来のカラー
受像管の場合は、Ｎ／Ｓ移動量が約６０μm 、Ｅ／Ｗ移
動量が約３０μm であり、特にＮ／Ｓ移動量が大きく、
蛍光体層の配列ピッチの小さい高品位カラー受像管につ
いては、画面品位が大幅に劣化するが、Ａを大きくする
にしたがってＮ／Ｓ移動量は大きく減少し、マスクフレ
ームの側壁部がシャドウマスクの有効部最外の電子ビー
ム通過孔を通過して蛍光体層をランディングする電子ビ
ームを阻害しない大きさ、すなわちカラー受像管の幾何
学的寸法から割出したＡ／Ｂ≦４０％の最大寸法Ａ／Ｂ
＝４０％では、約２０μm となり、従来のカラー受像管
のＡ＝０の場合に対して、Ｎ／Ｓ移動量を１／３に低減
することができる。

【００３３】また図３（ｂ）に示したように、画面垂直
軸端では、Ａ／Ｂ＝０の従来のカラー受像管の場合は、
Ｎ／Ｓ移動量が約３０μm であるが、Ａを大きくするに
したがってＮ／Ｓ移動量は減少し、パネル内面との間隔
が問題とならない大きさ（一般に画面垂直軸端ではマス
クフレームの側壁部が電子ビームを阻害することはな
い）、すなわち、Ａ＝Ｂ−５mmとなる最大寸法Ａ／Ｂ＝
６０％では、約１０μmとなり、従来のカラー受像管の
Ａ＝０の場合に対して、Ｎ／Ｓ移動量を１／３に低減す
ることができる。

【００３４】しかも画面対角軸端および垂直軸端でＮ／
Ｓ移動量の減少が明確に現れるのは、Ａ／Ｂ≧２０％で
あり、Ａ≧Ｂ／５としたときに、効果的な磁気遮蔽効果
が得られるようになる。

【００３５】またＥ／Ｗ移動量については、図３（ａ）
に示したように、ほとんど変化はない。これは、Ａを大
きくすれば、パネル内面とシャドウマスクとの間の空間
を通る磁気を相殺して、この空間の不要磁界の磁束密度
を小さくするが、逆に図１０に示したと同じようにマス
クフレーム内側の磁界のバレル成分が増大する。そのた
め、総合的にＥ／Ｗ移動量はほとんど変わらない。

【００３６】また、アスペクト比が４：３の３７インチ
型カラー受像管について同様の試験をおこなった結果で
は、図４に画面対角軸端でのＮ／Ｓ移動量を曲線36、同
Ｅ／Ｗ移動量を曲線37で示すように、従来のカラー受像
管については（Ａ／Ｂ＝０，Ａ＝０）、画面対角軸端で
のＮ／Ｓ移動量およびＥ／Ｗ移動量は、ともに約５０μ
m であるが、Ａを大きくするにしたがって、Ｎ／Ｓ移動
量およびＥ／Ｗ移動量はともに低減し、特にＮ／Ｓ移動
量が大きく減少する。またこのカラー受像管では、マス
クフレームの側壁部がシャドウマスクの有効部最外の電
子ビーム通過孔を通過して蛍光体層をランディングする
電子ビームを阻害しない大きさは、Ａ／Ｂ≦４５％であ
り、その最大寸法Ａ／Ｂ＝４５％では、約１５μm とな
り、従来のカラー受像管に対して、Ｎ／Ｓ移動量を約３
０％に低減することができる。しかもそのＮ／Ｓ移動量
の減少が明確に現れるのは、前記３６インチ型高品位カ
ラー受像管の場合と同様にＡ／Ｂ≧２０％、すなわちＡ
≧Ｂ／５とした場合である。これに対してＥ／Ｗ移動量
は、Ｎ／Ｓ移動量のように顕著な変化は現れない。

【００３７】さらに、アスペクト比が４：３の３４イン
チ型カラー受像管について同様の試験をおこなった結果
では、図５に画面対角軸端でのＮ／Ｓ移動量を曲線38、
同Ｅ／Ｗ移動量を曲線39で示すように、従来のカラー受
像管については（Ａ／Ｂ＝０，Ａ＝０）、画面対角軸端
でのＮ／Ｓ移動量が約４０μm 、Ｅ／Ｗ移動量が約３５
μm であるが、Ａを大きくするにしたがって、Ｎ／Ｓ移
動量およびＥ／Ｗ移動量はともに低減し、特にＮ／Ｓ移
動量が大きく減少する。またこのカラー受像管では、マ
スクフレームの側壁部がシャドウマスクの有効部最外の
電子ビーム通過孔を通過して蛍光体層をランディングす
る電子ビームを阻害しない大きさは、前記３７インチ型
カラー受像管と同様にＡ／Ｂ≦４５％であり、その最大
寸法Ａ／Ｂ＝４５％では、約１０μm となり、従来のカ
ラー受像管に対して、Ｎ／Ｓ移動量を約２５％に低減す
ることができる。しかもＮ／Ｓ移動量の減少が明確に現
れるのは、Ａ／Ｂ≧２０％、すなわちＡ≧Ｂ／５とした
場合である。これに対してＥ／Ｗ移動量は、前記３７イ
ンチ型カラー受像管と同様にＮ／Ｓ移動量ほど顕著な変
化は現れない。

【００３８】以上要するにこの例のカラー受像管は、シ
ャドウマスク20のマスクフレーム22の側壁部27をマスク
本体26のスカート部25の蛍光体スクリーン３側端部から
蛍光体スクリーン３側に延在する部分の長さＡを、 Ｂ／５≦Ａ＜Ｃ かつ Ｂ／５≦Ａ≦Ｂ−５ を満足する大きさにすることにより、少なくともＥ／Ｗ
移動量を劣化させることなく、Ｎ／Ｓ移動量を大幅に低
減させて、良好な磁気遮蔽効果が得られる。

【００３９】なお、上記実施例では、シャドウマスクを
その四隅部で支持するカラー受像管について説明した
が、この発明は、シャドウマスクを四隅部以外で支持す
るカラー受像管についても適用可能である。

【００４０】

【発明の効果】パネル内面に形成された蛍光体スクリー
ンと対向してその内側に配置されるシャドウマスクのマ
スクフレームの管軸に平行な側壁部を、マスク本体のス
カート部の蛍光体スクリーン側端部よりも蛍光体スクリ
ーン側に延出し、その延出する部分の長さＡを、マスク
本体のスカート部の蛍光体スクリーン側端部からからパ
ネル内面までの距離をＢとし、マスク本体のスカート部
の蛍光体スクリーン側端部からマスク本体の有効部最外
の電子ビーム通過孔を通過する電子ビームがマスクフレ
ームの側壁部の蛍光体スクリーン側への延長線と交差す
る点までの距離をＣとして、マスクフレームの側壁部の
全周または一部を、 Ｂ／５≦Ａ＜Ｃ かつ Ｂ／５≦Ａ≦Ｂ−５ の関係を満足する大きさにすると、蛍光体スクリーンと
シャドウマスクとの間の空間を通る外部磁界をマスクフ
レームの側壁部の蛍光体スクリーン側の端部からその空
間に放射される放出磁界により相殺して、従来カラー受
像管に生じたランディングずれを効果的に減少させ、色
純度良好なカラー受像管とすることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】図１（ａ）はこの発明の一実施例であるカラー
受像管の全体の構成を示す図、図１（ｂ）はその要部を
拡大して示す図である。

【図２】図２（ａ）は上記一実施例カラー受像管の磁気
遮蔽効果を説明するための図、図２（ｂ）は比較のため
に示した従来のカラー受像管の磁気遮蔽効果を説明する
ための図である。

【図３】図３（ａ）は上記一実施例の３６インチ型高品
位カラー受像管の画面対角軸端でのＮ／Ｓ移動量および
Ｅ／Ｗ移動量を説明するための図、図３（ｂ）は同じく
画面垂直軸端でのＮ／Ｓ移動量を説明するための図であ
る。

【図４】同じく３７インチ型カラー受像管の画面対角軸
端でのＮ／Ｓ移動量およびＥ／Ｗ移動量を説明するため
の図である。

【図５】同じく３４インチ型カラー受像管の画面対角軸
端でのＮ／Ｓ移動量およびＥ／Ｗ移動量を説明するため
の図である。

【図６】従来のカラー受像管の構成を示す図である。

【図７】その内部磁気遮蔽体の基本的な構造を示す図で
ある。

【図８】図８（ａ）および（ｂ）はそれぞれ上記内部磁
気遮蔽体を用いた従来のカラー受像管のランディングず
れを示す図である。

【図９】従来の改良された内部磁気遮蔽体の構造を示す
図である。

【図１０】その改良された内部磁気遮蔽体を用いたカラ
ー受像管のランディングずれを示す図である。

【符号の説明】

１…パネル ２…ファンネル ３…蛍光体スクリーン 11…電子銃 14…内部磁気遮蔽体 20…シャドウマスク 21…スタッドピン 22…マスクフレーム 23…マスクフレーム 24…電子ビーム通過孔 25…スカート部 26…マスク本体 27…側壁部

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 パネルおよびファンネルからなる外囲器
   と、上記パネル内面に形成された蛍光体スクリーンと対
   向して上記パネル内側に配置され、多数の電子ビーム通
   過孔の形成された有効部の外周にスカート部が形成され
   たマスク本体およびこのマスク本体に上記スカート部を
   内側にして取付けられた管軸に平行な側壁部を有するマ
   スクフレームからなるシャドウマスクと、上記マスクフ
   レームに取付けられて上記ファンネルの内側に配置され
   た磁気遮蔽体と、上記のファンネルのネック内に配置さ
   れた電子銃とを備えるカラー受像管において、 上記マスクフレームは磁性体から構成され、かつ上記マ
   スクフレームの側壁部は上記マスク本体のスカート部の
   蛍光体スクリーン側端部よりも上記蛍光体スクリーン側
   に延出し、この蛍光体スクリーン側に延出する部分の長
   さＡが、上記マスク本体のスカート部の蛍光体スクリー
   ン側端部から上記パネル内面までの距離をＢとし、上記
   マスク本体のスカート部の蛍光体スクリーン側端部から
   上記マスク本体の有効部最外の電子ビーム通過孔を通過
   する電子ビームが上記マスクフレームの側壁部の蛍光体
   スクリーン側への延長線との交点までの距離をＣとする
   とき、上記マスクフレームの側壁部の全周または一部が Ｂ／５≦Ａ＜Ｃ かつ Ｂ／５≦Ａ≦Ｂ−５ の関係を満足することを特徴とするカラー受像管。