JPH0552084B2 - - Google Patents
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- JPH0552084B2 JPH0552084B2 JP58133721A JP13372183A JPH0552084B2 JP H0552084 B2 JPH0552084 B2 JP H0552084B2 JP 58133721 A JP58133721 A JP 58133721A JP 13372183 A JP13372183 A JP 13372183A JP H0552084 B2 JPH0552084 B2 JP H0552084B2
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- JP
- Japan
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- distortion
- amplifier
- output
- signal
- fet
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Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/32—Modifications of amplifiers to reduce non-linear distortion
- H03F1/3241—Modifications of amplifiers to reduce non-linear distortion using predistortion circuits
- H03F1/3252—Modifications of amplifiers to reduce non-linear distortion using predistortion circuits using multiple parallel paths between input and output
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Amplifiers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
(a) 発明の技術分野
本発明はFET電力増幅装置に係り、特に単側
波帯(SSBと省略)多重無線装置に使用する電界
効果トランジスタ(FETと省略)を用いた直線
電力増幅装置に関するものである。
波帯(SSBと省略)多重無線装置に使用する電界
効果トランジスタ(FETと省略)を用いた直線
電力増幅装置に関するものである。
(b) 従来技術と問題点
従来のSSB多重無線用電力増幅器としては進行
波管増幅器が使用され、FET増幅器はFM多重無
線装置等の飽和出力に近い所に使用する増幅器に
は使用されてきたが、SSB多重無線装置等の直線
電力増幅装置には使用されなかつた。
波管増幅器が使用され、FET増幅器はFM多重無
線装置等の飽和出力に近い所に使用する増幅器に
は使用されてきたが、SSB多重無線装置等の直線
電力増幅装置には使用されなかつた。
しかして進行波管は大型で、消費電力も大で価
格も高く寿命も短いという問題があり、一方
FETは安定で寿命も長く、消費電力も小で価格
も安いという利点がある。
格も高く寿命も短いという問題があり、一方
FETは安定で寿命も長く、消費電力も小で価格
も安いという利点がある。
(c) 発明の目的
本発明はかかるFETの利点を考慮し、温度等
の環境変化によるFET増幅回路の利得及び歪成
分変化に対し、その変動を小さくおさえて安定化
を計り、出来るだけ小さな飽和出力で低歪の直線
電力増幅装置をFETを使用して実現することを
目的とする。
の環境変化によるFET増幅回路の利得及び歪成
分変化に対し、その変動を小さくおさえて安定化
を計り、出来るだけ小さな飽和出力で低歪の直線
電力増幅装置をFETを使用して実現することを
目的とする。
(d) 発明の構成
上記目的は本発明により、入力信号によつて制
御され歪成分を発生する1個の歪発生用FET増
幅器の出力から歪成分信号のみを取出す歪信号発
生回路と、 歪信号発生回路よりの歪成分信号が被補償
FET増幅器で生ずる歪成分と振幅が同じで逆相
となる如く減衰量及び移相量を制御する可変減衰
器ATT−2と可変移相器PS−2との直列回路
と、直列回路よりの歪成分信号を付加する合成手
段及び可変減衰器ATT−4を介し入力信号が入
力される被補償FET増幅器を有する主信号線路
と、 検波器DET−1を介する入力信号及び検波器
DET−2を介する被補償FET増幅器よりの出力
信号が入力され、被補償FET増幅器の利得変化
に対応する出力信号を発生する差動増幅器とを備
え、 差動増幅器の出力は可変減衰器ATT−4の減
衰量を制御すると共に、可変減衰器ATT−2及
び可変移相器PS−2を制御することを特徴とす
るSSB多重無線装置用FET直線電力増幅装置に
よつて達成される。
御され歪成分を発生する1個の歪発生用FET増
幅器の出力から歪成分信号のみを取出す歪信号発
生回路と、 歪信号発生回路よりの歪成分信号が被補償
FET増幅器で生ずる歪成分と振幅が同じで逆相
となる如く減衰量及び移相量を制御する可変減衰
器ATT−2と可変移相器PS−2との直列回路
と、直列回路よりの歪成分信号を付加する合成手
段及び可変減衰器ATT−4を介し入力信号が入
力される被補償FET増幅器を有する主信号線路
と、 検波器DET−1を介する入力信号及び検波器
DET−2を介する被補償FET増幅器よりの出力
信号が入力され、被補償FET増幅器の利得変化
に対応する出力信号を発生する差動増幅器とを備
え、 差動増幅器の出力は可変減衰器ATT−4の減
衰量を制御すると共に、可変減衰器ATT−2及
び可変移相器PS−2を制御することを特徴とす
るSSB多重無線装置用FET直線電力増幅装置に
よつて達成される。
(e) 発明の実施例
第1図は本発明の一実施例のブロツク接続図で
ある。
ある。
図中、HYB−1〜HYB−5はハリブリツド回
路を、ATT−1,ATT−3は減衰器を、ATT
−2,ATT−4は可変減衰器を、PS−1は移相
器を、PS−2は可変移相器を、A−1,A−2
はFET増幅器を、DET−1,DET−2は検波器
を、DLは遅延回路を、COMは差動増幅器を、
DA−1〜DA−3は直流増幅器を、C−1は方
向性結合器を、IN及びOUTは入力端子及び出力
端子をそれぞれ示す。
路を、ATT−1,ATT−3は減衰器を、ATT
−2,ATT−4は可変減衰器を、PS−1は移相
器を、PS−2は可変移相器を、A−1,A−2
はFET増幅器を、DET−1,DET−2は検波器
を、DLは遅延回路を、COMは差動増幅器を、
DA−1〜DA−3は直流増幅器を、C−1は方
向性結合器を、IN及びOUTは入力端子及び出力
端子をそれぞれ示す。
これらの各ブロツクは次の様に接続されてい
る。
る。
ハイブリツド回路HYB−1の入力端子1は入
力端子INに、出力端子2はハイブリツド回路
HYB−2の入力端子1と、出力端子3は検波器
DET−1、差動増幅器COM及び直流増幅器DA
−1を介して可変減衰器ATT−4の入力端子2
と、ハイブリツド回路HYB−2の出力端子2は
遅延回路DL、減衰器ATT−3及び合成手段とし
てのハイブリツド回路HYB−5を介して前記可
変減衰器ATT−4の入力端子1と、ハイブリツ
ド回路HYB−2の出力端子3は点線で示した歪
信号発生回路DG、可変減衰器ATT−2及び可変
移相器PS−2を介して合成手段としてのハイブ
リツド回路HYB−5の入力端子3にそれぞれ接
続される。
力端子INに、出力端子2はハイブリツド回路
HYB−2の入力端子1と、出力端子3は検波器
DET−1、差動増幅器COM及び直流増幅器DA
−1を介して可変減衰器ATT−4の入力端子2
と、ハイブリツド回路HYB−2の出力端子2は
遅延回路DL、減衰器ATT−3及び合成手段とし
てのハイブリツド回路HYB−5を介して前記可
変減衰器ATT−4の入力端子1と、ハイブリツ
ド回路HYB−2の出力端子3は点線で示した歪
信号発生回路DG、可変減衰器ATT−2及び可変
移相器PS−2を介して合成手段としてのハイブ
リツド回路HYB−5の入力端子3にそれぞれ接
続される。
又、可変減衰器ATT−4の出力端子3はFET
増幅器A−2及び方向性結合器C−1を介して出
力端子OUTに、方向性結合器C−1の出力端子
3は検波器DET−2を介して差動増幅器COMの
入力端子2に接続される。
増幅器A−2及び方向性結合器C−1を介して出
力端子OUTに、方向性結合器C−1の出力端子
3は検波器DET−2を介して差動増幅器COMの
入力端子2に接続される。
この差動増幅器COMの出力端子に接続される
直流増幅器DA−1は可変減衰器ATT−4に接
続され、又直流増幅器DA−2を介して可変減衰
器の入力端子2に、らさに直流増幅器DA−3を
介して可変移相器PS−2の入力端子2にそれぞ
れ接続される。
直流増幅器DA−1は可変減衰器ATT−4に接
続され、又直流増幅器DA−2を介して可変減衰
器の入力端子2に、らさに直流増幅器DA−3を
介して可変移相器PS−2の入力端子2にそれぞ
れ接続される。
尚、一転鎖線の部分が本発明を実施するために
付加された部分である。
付加された部分である。
即ちFET増幅器では温度等の変化によつて入
力−出力特性に従つて利得も変化するが、増幅器
の入力−出力の非直線性にもとずく歪も入力−歪
出力特性に従つて変化する。
力−出力特性に従つて利得も変化するが、増幅器
の入力−出力の非直線性にもとずく歪も入力−歪
出力特性に従つて変化する。
従つて歪成分は利得変化に伴い変化すると共に
歪成分には非線形成分の変化もあり、従つて利得
変化に伴つて可変減衰器ATT−4を変化すれば
利得変化に伴う歪成分の変化を補償することが出
来るが、非線形成分の変化自体を補償することは
出来ない。この非線形成分自体の変化を補正する
のが可変減衰器ATT−2と可変移相器PS−2で
ある。
歪成分には非線形成分の変化もあり、従つて利得
変化に伴つて可変減衰器ATT−4を変化すれば
利得変化に伴う歪成分の変化を補償することが出
来るが、非線形成分の変化自体を補償することは
出来ない。この非線形成分自体の変化を補正する
のが可変減衰器ATT−2と可変移相器PS−2で
ある。
例えば温度t1の場合、t1に対する入力−出力特
性において入力がaの時に出力がbとなり、又t1
に対する入力−歪出力特性において歪出力がc1に
なるとする。
性において入力がaの時に出力がbとなり、又t1
に対する入力−歪出力特性において歪出力がc1に
なるとする。
又温度がt2の場合はt2に対する入力−出力特性
においては、入力aの時に出力が(b+α)とな
り、一方t2に対する入力−歪出力特性により歪出
力も(c1+β)になるとする。
においては、入力aの時に出力が(b+α)とな
り、一方t2に対する入力−歪出力特性により歪出
力も(c1+β)になるとする。
しかしてFET増幅器では、かかるt1からt2への
温度変化によつて出力はbから(b+α)とな
り、かつ出力を一定のbとするため利得制御が行
なわれ、入力を(a−γ)とすることによつてt2
の入力−出力特性で出力がbとなるように可変減
衰器ATT−4が制御される。一方歪出力におい
ても入力aにおいてt1における入力−歪出力特性
における歪出力c1は、入力がaの時t2に対する入
力−歪出力特性によつて(c1+β)となり、かつ
入力が(a−γ)となると歪出力はc2となる。従
つてこの歪出力についての変化の特性は、出力に
ついて変化の特性とは異なつたものとなる。
温度変化によつて出力はbから(b+α)とな
り、かつ出力を一定のbとするため利得制御が行
なわれ、入力を(a−γ)とすることによつてt2
の入力−出力特性で出力がbとなるように可変減
衰器ATT−4が制御される。一方歪出力におい
ても入力aにおいてt1における入力−歪出力特性
における歪出力c1は、入力がaの時t2に対する入
力−歪出力特性によつて(c1+β)となり、かつ
入力が(a−γ)となると歪出力はc2となる。従
つてこの歪出力についての変化の特性は、出力に
ついて変化の特性とは異なつたものとなる。
即ち歪出力信号はFET増幅器の温度変化と入
力の変化に対応する変化を示し、かつFET増幅
器で生ずる歪成分と振巾は同じで位相は逆相とな
るように可変減衰器ATT−2と可変移相器PS−
2の特性は決定され、しかも可変減衰器ATT−
2及び可変移相器PS−2はFET増幅器の利得変
化に対応して入力がaから(a−γ)に変化した
時に歪出力がc2となるようにされる。
力の変化に対応する変化を示し、かつFET増幅
器で生ずる歪成分と振巾は同じで位相は逆相とな
るように可変減衰器ATT−2と可変移相器PS−
2の特性は決定され、しかも可変減衰器ATT−
2及び可変移相器PS−2はFET増幅器の利得変
化に対応して入力がaから(a−γ)に変化した
時に歪出力がc2となるようにされる。
この様に接続された一実施例の動作は次の様で
ある。
ある。
入力端子INに加えられた入力信号はハイブリ
ツド回路HYB−1で2つに分配され、一つは検
波器DET−1で検波され直流電圧が得られ、こ
の電圧は差動増幅器COMの入力端子1に加えら
れる。他はハイブリツド回路HYB−2により更
に2つに分配され、それぞれ主信号線路MLと歪
信号発生回路DGとに加えられる。
ツド回路HYB−1で2つに分配され、一つは検
波器DET−1で検波され直流電圧が得られ、こ
の電圧は差動増幅器COMの入力端子1に加えら
れる。他はハイブリツド回路HYB−2により更
に2つに分配され、それぞれ主信号線路MLと歪
信号発生回路DGとに加えられる。
後者は歪信号だけを取り出すための回路で、信
号を更にハイブリツド回路HYB−3で2つに分
配し、1つは1個のFET増幅器A−1で歪を発
生させ、他は移相器PS−1を通し、ハイブリツ
ド回路HYB−4で逆相で合成する。
号を更にハイブリツド回路HYB−3で2つに分
配し、1つは1個のFET増幅器A−1で歪を発
生させ、他は移相器PS−1を通し、ハイブリツ
ド回路HYB−4で逆相で合成する。
このとき減衰器ATT−1と移相器PS−1は
FET増幅器A−1に加えられた入力信号を打ち
消す様に設定すると、増幅器A−1で発生した歪
成分だけをハイブリツド回路HYB−4の出力端
子1に取り出す事が出来る。
FET増幅器A−1に加えられた入力信号を打ち
消す様に設定すると、増幅器A−1で発生した歪
成分だけをハイブリツド回路HYB−4の出力端
子1に取り出す事が出来る。
この歪成分は可変減衰器ATT−2及び可変移
相器PS−2を通して合成手段としてのハイブリ
ツド回路HYB−5の入力端子3に入力するが、
入力信号に無関係に歪成分は可変減衰器ATT−
2及び可変移相器PS−2により振幅と位相が
FET増幅器A−2で生ずる歪成分と振幅は同じ
で位相は逆相となるように変える事が出来る。
相器PS−2を通して合成手段としてのハイブリ
ツド回路HYB−5の入力端子3に入力するが、
入力信号に無関係に歪成分は可変減衰器ATT−
2及び可変移相器PS−2により振幅と位相が
FET増幅器A−2で生ずる歪成分と振幅は同じ
で位相は逆相となるように変える事が出来る。
即ち歪出力はFET増幅器A−2での温度変化
と入力変化に対応して変化するようにATT−2
及びPS−2は調整されている。
と入力変化に対応して変化するようにATT−2
及びPS−2は調整されている。
一方、合成手段としてのハイブリツド回路
HYB−5の入力端子2には主信号線路MLを通
つた信号が遅延回路DL及び減衰器ATT−3を経
由して加えられるので、この回路HYB−5の出
力端子1で前記2つの信号が重畳される。
HYB−5の入力端子2には主信号線路MLを通
つた信号が遅延回路DL及び減衰器ATT−3を経
由して加えられるので、この回路HYB−5の出
力端子1で前記2つの信号が重畳される。
そこで、この重畳された信号をFET増幅器A
−2に加え、ここで発生する歪成分と振幅が同じ
で位相が逆相になる様に前述の如く可変減衰器
ATT−2及び可変移相器PS−2は設定されてい
るので、FET増幅器A−2の出力波に含まれる
歪成分は打ち消され歪量を改善する事が出来る。
−2に加え、ここで発生する歪成分と振幅が同じ
で位相が逆相になる様に前述の如く可変減衰器
ATT−2及び可変移相器PS−2は設定されてい
るので、FET増幅器A−2の出力波に含まれる
歪成分は打ち消され歪量を改善する事が出来る。
次に、FET増幅器A−2の出力端子1と出力
端子OUTとの間に方向性結合器C−1を設け、
この方向性結合器C−1の結合量を検波器DET
−1とDET−2の検波器に加えられる高周波電
圧が等しくなる様に設定して置けば、両方の検波
器で等しい直流電圧が得られ、入力信号レベルが
変化しても同じだけ出力信号レベルが変化するの
で、差動増幅器COMの出力は一定となる。
端子OUTとの間に方向性結合器C−1を設け、
この方向性結合器C−1の結合量を検波器DET
−1とDET−2の検波器に加えられる高周波電
圧が等しくなる様に設定して置けば、両方の検波
器で等しい直流電圧が得られ、入力信号レベルが
変化しても同じだけ出力信号レベルが変化するの
で、差動増幅器COMの出力は一定となる。
しかしFET電力増幅器A−2の利得が変化し
た時は、検波器DET−1,DET−2の検波電圧
に差が生じ差動増幅器COMの出力が変化する。
た時は、検波器DET−1,DET−2の検波電圧
に差が生じ差動増幅器COMの出力が変化する。
この変化した出力を直流増幅器DA−1で増幅
し、FET増幅器A−2の前段に接続された可変
減衰器ATT−4を制御すれば、FET直線電力増
幅装置の利得の安定化を図る事が出来る。
し、FET増幅器A−2の前段に接続された可変
減衰器ATT−4を制御すれば、FET直線電力増
幅装置の利得の安定化を図る事が出来る。
一方、この電圧を直流増幅器DA−2及びDA
−3を通して可変減衰器ATT−2及び可変移相
器PS−2を制御すれば、FET増幅器A−2の利
得変化に伴う歪量の変化も補償する事が出来る。
−3を通して可変減衰器ATT−2及び可変移相
器PS−2を制御すれば、FET増幅器A−2の利
得変化に伴う歪量の変化も補償する事が出来る。
即ちFET電力増幅器が利得変化することによ
つて発生する歪変化分を抑圧するのに必要な歪補
正信号の振幅と位相を予め測定しておく。そして
FET電力増幅器に利得変化が発生した時、変化
量に対応して可変減衰器ATT−2及び可変移相
器PS−2の減衰量と移相量を制御すれば所望の
歪補償信号が得られ、歪変化分を補償することが
出来る。
つて発生する歪変化分を抑圧するのに必要な歪補
正信号の振幅と位相を予め測定しておく。そして
FET電力増幅器に利得変化が発生した時、変化
量に対応して可変減衰器ATT−2及び可変移相
器PS−2の減衰量と移相量を制御すれば所望の
歪補償信号が得られ、歪変化分を補償することが
出来る。
(f) 発明の効果
以上説明した様に、本発明によればFET直線
電力増幅器で発生する歪成分の変化の傾向と、
FETを用いた歪信号発生回路で得られた歪補償
成分の変化の傾向が類似している事を利用して、
前記FET直線圧力増幅装置の利得の安定化に使
用する制御電圧を、歪補償用信号を制御すること
にも使用する事により、利得が一定で歪の少ない
SSB多重無線装置用FET直線電力増幅装置が得
られる。
電力増幅器で発生する歪成分の変化の傾向と、
FETを用いた歪信号発生回路で得られた歪補償
成分の変化の傾向が類似している事を利用して、
前記FET直線圧力増幅装置の利得の安定化に使
用する制御電圧を、歪補償用信号を制御すること
にも使用する事により、利得が一定で歪の少ない
SSB多重無線装置用FET直線電力増幅装置が得
られる。
第1図は本発明の一実施例を示すブロツク接続
図を示す。 図中、HYB−1〜HYB−5はハイブリツド回
路を、ATT−1,ATT−3は減衰器を、ATT
−2,ATT−4は可変減衰器を、PS−1は移相
器を、PS−2は可変移相器を、A−1,A−2
は増幅器を、DET−1,DET−2は検波器を、
DLは遅延回路を、COMは差動増幅器、DA−1
〜DA−3は直流増幅器を、C−1は方向性結合
器を、IN及びOUTは入力端子及び出力端子をそ
れぞれ示す。
図を示す。 図中、HYB−1〜HYB−5はハイブリツド回
路を、ATT−1,ATT−3は減衰器を、ATT
−2,ATT−4は可変減衰器を、PS−1は移相
器を、PS−2は可変移相器を、A−1,A−2
は増幅器を、DET−1,DET−2は検波器を、
DLは遅延回路を、COMは差動増幅器、DA−1
〜DA−3は直流増幅器を、C−1は方向性結合
器を、IN及びOUTは入力端子及び出力端子をそ
れぞれ示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 入力信号によつて制御され歪成分を発生する
1個の歪発生用FET増幅器の出力から歪成分信
号のみを取出す歪信号発生回路と、 歪信号発生回路よりの歪成分信号が被補償
FET増幅器で生ずる歪成分と振幅は同じで移相
が逆相となる如く減衰量及び移相量を制御する可
変減衰器ATT−2と可変移相器PS−2との直列
回路と、 直列回路よりの歪成分信号を付加する合成手段
及び可変減衰器ATT−4を介し入力信号が入力
される被補償FET増幅器を有する主信号線路と、 検波器DET−1を介する入力信号及び検波器
DET−2を介する被補償FET増幅器よりの出力
信号が入力され、被補償FET増幅器の利得変化
に対応する出力信号を発生する差動増幅器とを備
え、 差動増幅器の出力は可変減衰器ATT−4の減
衰量を制御すると共に、可変減衰器ATT−2及
び可変移相器PS−2を制御することを特徴とす
るSSB多重無線装置用FET直線電力増幅装置。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58133721A JPS6025310A (ja) | 1983-07-22 | 1983-07-22 | Ssb多重無線装置用fet直線電力増幅装置 |
EP84108398A EP0132760B1 (en) | 1983-07-22 | 1984-07-17 | Fet power amplifying apparatus |
DE8484108398T DE3485947T2 (de) | 1983-07-22 | 1984-07-17 | Fet-leistungsverstaerker. |
US06/632,052 US4550290A (en) | 1983-07-22 | 1984-07-18 | FET Power amplifying apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58133721A JPS6025310A (ja) | 1983-07-22 | 1983-07-22 | Ssb多重無線装置用fet直線電力増幅装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6025310A JPS6025310A (ja) | 1985-02-08 |
JPH0552084B2 true JPH0552084B2 (ja) | 1993-08-04 |
Family
ID=15111352
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
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