JPH0551926B2 - - Google Patents

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JPH0551926B2
JPH0551926B2 JP57191029A JP19102982A JPH0551926B2 JP H0551926 B2 JPH0551926 B2 JP H0551926B2 JP 57191029 A JP57191029 A JP 57191029A JP 19102982 A JP19102982 A JP 19102982A JP H0551926 B2 JPH0551926 B2 JP H0551926B2
Authority
JP
Japan
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transistor
constant current
resistor
base
collector
Prior art date
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Expired - Lifetime
Application number
JP57191029A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS5979322A (ja
Inventor
Kazuhisa Ishiguro
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sanyo Electric Co Ltd
Original Assignee
Sanyo Electric Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Sanyo Electric Co Ltd filed Critical Sanyo Electric Co Ltd
Priority to JP19102982A priority Critical patent/JPS5979322A/ja
Publication of JPS5979322A publication Critical patent/JPS5979322A/ja
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Granted legal-status Critical Current

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    • GPHYSICS
    • G05CONTROLLING; REGULATING
    • G05FSYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
    • G05F3/00Non-retroactive systems for regulating electric variables by using an uncontrolled element, or an uncontrolled combination of elements, such element or such combination having self-regulating properties
    • G05F3/02Regulating voltage or current
    • G05F3/08Regulating voltage or current wherein the variable is dc
    • G05F3/10Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics
    • G05F3/16Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices
    • G05F3/20Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations
    • G05F3/30Regulators using the difference between the base-emitter voltages of two bipolar transistors operating at different current densities

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Radar, Positioning & Navigation (AREA)
  • Automation & Control Theory (AREA)
  • Control Of Electrical Variables (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 (イ) 技術分野 本発明は、定電流回路に関するもので、特に定
電流回路の出力定電流が温度変化に応じて変化し
ない様、回路定数を所定の値に設定したIC化に
適した電流回路を提供せんとするものである。
(ウ) 技術の背景 IC(集積回路)においては、定電流回路が多用
されているが、従来の定電流回路は、電源電圧の
変動に対しては安定な出力定電流を得ることが出
来る反面、周囲温度が変化し、定電流回路を構成
する回路素子が温度変化を起すと、それに応じて
出力電流が変化し、定電流性が保てなくなるとい
う欠点を有していた。
(エ) 発明の要点 本発明は、上述の点に鑑み成されたもので、抵
抗(R1)とトランジスタのベースエミツタ間電
圧(VBE)とに依存する定電流I1を流すことが出
来る定電流源と、ダイオード接続され、かつコレ
クタに前記定電流源が接続された第1トランジス
タと、エミツタに抵抗が接続され、前記第1トラ
ンジスタと電流ミラー関係に接続された第2トラ
ンジスタとから成り、該第2トランジスタのコレ
クタに得られる出力定電流I2が温度に依存しない
様、前記抵抗の値R2を所定値に設定したもので
ある。
(ニ) 実施例 第1図は、本発明の一実施例を示すもので、1
は定電流I1を流すことが出来る定電流源、2はコ
レクタが該設定電流源1に、エミツタが電源(+
VCC)に、ベースがコレクタと共通にそれぞれ接
続された第1トランジスタ、及び3はベースが該
第1トランジスタ2のベースに、エミツタが抵抗
4を介して前記電源に、コレクタが負荷5にそれ
ぞれ接続された第2トランジスタである。
しかして、第1図の定電流回路においては、定
電流源1に定電流I1が流れると、該定電流I1は、
第1トランジスタ2のエミツタに流れ、前記定電
流I1と所定の関係を有する定電流I2が第2トラン
ジスタ3のコレクタから負荷5に流れる様に成さ
れている。定電流源1は、トランジスタ及び抵抗
を含んでおり、前記トランジスタのベース・エミ
ツタ間電圧VBEと、前記抵抗の値R1とによつて定
電流源I1の値が定められる。
いま、定電流源1に流れる電流I1を、 I1=VBE/R1 とし、第1及び第2トランジスタ2及び3のベー
ス電流を無視すれば、抵抗4の両端電圧VR2は、 VR2=R2I2=VBE1−VBE2 ……(2) 〔ただし、R2は抵抗4の抵抗値、VBE1は第1
トランジスタ2のベース・エミツタ間電圧、VBE2
は第2トランジスタ3のベース・エミツタ間電
圧〕 となる。ところで、前記BE1及びVBE2は、それぞ
れ、 VBE1=VTln(I1/IS) ……(3) VBE2=VTln(I2/IS) ……(4) 〔ただし、VT(=KT/q;Kはボルツマン定数、 Tは絶対温度、qは電子の電荷)は熱電圧、IS
トランジスタの飽和電流〕 となるから、第(1)乃至第(4)式より、定電流源I2
は、 I2=VT/R2ln(VBE/R1I2) ……(5) となる。また、第(5)式を温度Tで微分すると、 I′2=V′TR2−VTR′2/R22lnVBE/R1I2+VT/R2
f′(T)/f(T) ……(6) 〔ただし、f(T)=VBE/R1I2、 f′(T)=VBER1I2VBE(R′1I2+R1I′2)/R2
1I22〕 となり、第(5)及び(6)式から、 I′2=I2(V′T/VT−R′2/R2)+VT2(V′BE/VB
E
−R′1/R1−I′2I2) ……(7) となる。この第(7)式を整理すると、 I′2/I22+I2/VT+R2I2(V′T/VT−R′22) +VT/VT+R2I2(V′BER′1/VBER1) ……(7)′ となるから、R2I2=nVTとおけば、第(7)′式は、 I′2/I2=1/1+n {n(V′T/VT−R′22)+(V′BE/VBE−R′1
/R1)}……(8) となる。この第(8)式において、左辺が零となる条
件は、 n(V′T/VT−R′2/R2)+V′BE/VBE−R′1/R1
0……(9) であり、結局nが n=R′1/R1−V′BE/VBE/V′T/VT−R2/R2……(1
0) となれば、出力定電流I2は、周囲温度に依存しな
いものとなることは明らかである。従つて、最終
的に R2I2=nVT=R′1/R1−V′BE/VBE/V′T/VT−R2/R
2VT……(11) となる様に、抵抗(4)の値R2を選択すれば、第2
トランジスタ(3)のコレクタに得られる定電流I2
周囲温度に依存しないものとなる。
第(11)式において、R′1/R1は、定電流源(1)の定電
流 I1を決める為の抵抗R1の温度係数、V′BE/VBEはトラ ンジスタのベース・エミツタ間電圧VBEの温度係
数、V′T/VTは熱電圧VTの温度係数、及びR′2/R2は抵 抗(4)の温度係数である。そして、第1図に示され
る回路を単一のIC内に作成した場合には、前記
nが定数となるので、前記抵抗(4)の値を設定する
ことにより、出力定電流I2の設定を簡単に行い得
る。例えば、一般的なICにおいて、抵抗(4)をベ
ース拡散抵抗により作成すれば、V′T/VT= 3400ppm/℃、V′BE/VBE=−2800ppm/℃、R′1/R1= R′2/R2=2000ppm/℃となるので、n=3.42とな り、例えば100μAの出力定電流I2を得る為には、
第(11)式から0.89KΩの抵抗4を前記第2トランジ
スタ3のエミツタに接続すればよいことになる。
尚、各温度係数は、ICが有する固有の定数であ
る。
第2図は、第1図における定電流源1を具体回
路で示した本発明の別の実施例を示すもので、定
電流源1を、ベース・コレクタ間が短絡されてダ
イオード接続と成された第3トランジスタ6と、
該第3トランジスタ6と電流ミラー関係に接続さ
れた第4トランジスタ7と、第1及び第2分圧抵
抗8及び9と、該第1及び第2分圧抵抗8及び9
の分圧点を定電圧とする為の第1及び第2ダイオ
ード10及び11とによつて構成したものであ
る。しかして、第2分圧抵抗9の値をR1、第1
及び第2ダイオード10及び11のアノード・カ
ソード間電圧と第3トランジスタ6のベース・エ
ミツタ間電圧とをVBEとすれば、該抵抗9に流れ
る電流I1は、 2VBE=R1I1+VBE ∴I1=VBE/R1 ……(12) となり、第3及び第4トランジスタ6及び7は電
流ミラー関係にあるから、前記第4トランジスタ
7のコレクタ電流もI1となり、結局、第1図の定
電流源1の条件を満す定電流回路が構成出来る。
一方、第(8)式において、IC化した場合の先の
条件、すなわち、V′T/VT=3400ppm/℃、V′BE/VBE
= −2800ppm/℃、R′1/R1=R′2/R2=2000ppm/℃とい う条件を代入すると、 I′2/I2=1/1+n(1400n−4800) ……(13) となり、この第(13)式を図示すると第3図の如くな
る。しかして、第3図からn=3.42とすれば、
I′2/I2、すなわち出力定電流I2の温度係数は零とな る。また、n=3.42の近傍すなわち、2.5<n<
5程度の範囲でも、出力定電流I2の温度係数は、
±300ppm/℃程度と極めて小さく、略温度に依
存しない定電流を発生することが出来る。従つ
て、本発明は、温度に依存しない定電流を発生す
るという本発明の主旨に基き、出力定電流I2の温
度係数が零となる抵抗値ばかりでな、その近傍の
値を選択し得ることは勿論である。
(ホ) 効果 以上述べた如く、本発明に依れば、温度に依存
しない定電流を得ることが出来るので、特に熱的
に均一性を保つことの出来るIC内における定電
流回路に応用して効果の高いものである。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例を示す回路図、第2
図は本発明の別の実施例を示す回路図、及び第3
図は本発明の説明に供する為の特性図である。 主な図番の説明、1……定電流源、2……第1
トランジスタ、3……第2トランジスタ、4……
抵抗。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 ベース・コレクタ間が短絡され、エミツタが
    電源に接続された第1トランジスタと、該第1ト
    ランジスタのコレクタに接続され、少なくともト
    ランジスタ(ベース・エミツタ間電圧がVBE)及
    び第1抵抗(抵抗値R1)を含み、I1=VBE/R1となる 定電流を流す定電流源と、ベースが前記第1トラ
    ンジスタのベースに、コレクタが負荷に接続され
    た第2トランジスタと、該第2トランジスタのエ
    ミツタと前記電源との間に接続された第2抵抗
    (抵抗値R2)とを備え、前記第2トランジスタの
    コレクタに得られる定電流をI2とするとき、 R2≒α(R1)−α(VBE)/α(VT)−α(R2)・VT
    /I2 となる様に、前記第2抵抗の値R2を定め、前記
    定電流I2が温度に依存しない様にしたことを特徴
    とする定電流回路。(ただし、α(VBE)は各トラ
    ンジスタのベース・エミツタ間電圧の温度係数、
    α(R1)は第1抵抗の温度係数、α(VTは、熱電
    圧VT(=KT/q;Kはボルツマン定数、Tは絶対温 度、qは電子の電荷)の温度係数、α(R2)は第
    2抵抗の温度計数である。)
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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5320554A (en) * 1976-08-11 1978-02-24 Hitachi Ltd Constant current circuit

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