JP3266941B2 - 定電流回路 - Google Patents
定電流回路Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は温度依存性を排除した集
積回路用定電流回路に関するものである。
積回路用定電流回路に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】集積回路用定電流回路の一例を図３を参
照して以下に説明する。まず図３（ａ）に示す定電流回
路（１）において、（２）は温度補償性基準電圧発生
部、（Ｑｐ）は定電流出力用トランジスタ、（Ｒｐ）は
出力用抵抗、（Ｖｏ）は出力端子である。上記基準電圧
発生部（２）は、カレントミラー回路用トランジスタ
（Ｑａ）（Ｑｂ）と出力段トランジスタ（Ｑｃ）と抵抗
（Ｒａ）（Ｒｂ）（Ｒｃ）と電流源（Ｉｒ）とを具備し
たバンドギャップ回路からなり、トランジスタ（Ｑｃ）
のコレクタ（Ｃｃ）から基準電圧（Ｖｂ）を出力する。
上記バンドギャップ回路では、集積回路内で負の温度依
存性を持つトランジスタのベース・エミッタ間電圧と正
の温度依存性を持つ抵抗とを適宜、選択的に組み合わせ
て出力の温度依存性を補償している。トランジスタ（Ｑ
ｐ）はベース（Ｂｐ）をトランジスタ（Ｑｃ）のコレク
タ（Ｃｃ）に接続すると共に、コレクタ（Ｃｐ）を出力
端子（Ｖｏ）に接続してエミッタ（Ｅｐ）を抵抗（Ｒ
ｐ）を介して基準電圧発生部（２）の出力の一端に共通
接続する。
照して以下に説明する。まず図３（ａ）に示す定電流回
路（１）において、（２）は温度補償性基準電圧発生
部、（Ｑｐ）は定電流出力用トランジスタ、（Ｒｐ）は
出力用抵抗、（Ｖｏ）は出力端子である。上記基準電圧
発生部（２）は、カレントミラー回路用トランジスタ
（Ｑａ）（Ｑｂ）と出力段トランジスタ（Ｑｃ）と抵抗
（Ｒａ）（Ｒｂ）（Ｒｃ）と電流源（Ｉｒ）とを具備し
たバンドギャップ回路からなり、トランジスタ（Ｑｃ）
のコレクタ（Ｃｃ）から基準電圧（Ｖｂ）を出力する。
上記バンドギャップ回路では、集積回路内で負の温度依
存性を持つトランジスタのベース・エミッタ間電圧と正
の温度依存性を持つ抵抗とを適宜、選択的に組み合わせ
て出力の温度依存性を補償している。トランジスタ（Ｑ
ｐ）はベース（Ｂｐ）をトランジスタ（Ｑｃ）のコレク
タ（Ｃｃ）に接続すると共に、コレクタ（Ｃｐ）を出力
端子（Ｖｏ）に接続してエミッタ（Ｅｐ）を抵抗（Ｒ
ｐ）を介して基準電圧発生部（２）の出力の一端に共通
接続する。
【０００３】上記構成によれば、トランジスタ（Ｑｐ）
のベース電圧がバンドギャップ出力電圧（Ｖｂ）になる
ため、抵抗（Ｒｐ）に流れる電流が一定となってコレク
タ（Ｃｐ）に流れる出力電流（Ｉｏ）が一定となる。そ
こで、出力電流（Ｉｏ）は、Ｉｏ＝（Ｖｂ−Ｖｂｅ）／
Ｒｐとなり、その大きさはバンドギャップ出力電圧（Ｖ
ｂ）と抵抗（Ｒｐ）によって決まる。（但し、Ｖｂｅ：
トランジスタ（Ｑｐ）のベース・エミッタ間電圧）
のベース電圧がバンドギャップ出力電圧（Ｖｂ）になる
ため、抵抗（Ｒｐ）に流れる電流が一定となってコレク
タ（Ｃｐ）に流れる出力電流（Ｉｏ）が一定となる。そ
こで、出力電流（Ｉｏ）は、Ｉｏ＝（Ｖｂ−Ｖｂｅ）／
Ｒｐとなり、その大きさはバンドギャップ出力電圧（Ｖ
ｂ）と抵抗（Ｒｐ）によって決まる。（但し、Ｖｂｅ：
トランジスタ（Ｑｐ）のベース・エミッタ間電圧）
【０００４】又、他の集積回路用定電流回路（３）を図
３（ｂ）に示すと、相違する点は、バンドギャップ回路
（２）のカレントミラー回路ベース（Ｂａ）と出力用ト
ランジスタ（Ｑｐ）のベース（Ｂｐ）とをミラー接続し
たことである。上記構成によれば、出力電流（Ｉｏ）
は、トランジスタ（Ｑａ）に流れる電流に比例するた
め、一定となり、その大きさはカレントミラー比で決ま
る。そこで、トランジスタ（Ｑａ）（Ｑｐ）を同一素子
で形成した場合、カレントミラー比は１となって、Ｉｏ
＝（Ｖｂ−Ｖｂｅ）／Ｒａとなる。
３（ｂ）に示すと、相違する点は、バンドギャップ回路
（２）のカレントミラー回路ベース（Ｂａ）と出力用ト
ランジスタ（Ｑｐ）のベース（Ｂｐ）とをミラー接続し
たことである。上記構成によれば、出力電流（Ｉｏ）
は、トランジスタ（Ｑａ）に流れる電流に比例するた
め、一定となり、その大きさはカレントミラー比で決ま
る。そこで、トランジスタ（Ｑａ）（Ｑｐ）を同一素子
で形成した場合、カレントミラー比は１となって、Ｉｏ
＝（Ｖｂ−Ｖｂｅ）／Ｒａとなる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】解決しようとする課題
は、定電流回路（１）（３）を集積回路内で使用する場
合、抵抗とトランジスタのベース・エミッタ間電圧はそ
れぞれ正負の温度依存性を持つため、例えば温度が上昇
すると、電圧（Ｖｂｅ）は小さくなる一方、抵抗（Ｒ
ｐ）は大きくなって出力電流（Ｉｏ）を一定に保持出来
ず、温度依存性が現われる点である。この場合、例えば
定電流回路（１）において、抵抗（Ｒｐ）とトランジス
タ（Ｑｐ）のベース・エミッタ間電圧（Ｖｂｅ）を選択
することにより出力電流（Ｉｏ）の温度依存性を補償す
ることが出来る。ところが、温度補償性を実現すべく回
路定数を選択したバンドギャップ回路（２）では出力の
基準電圧（Ｖｂ）が１．２５Ｖ付近に限られる。そのた
め、所望の出力電流（Ｉｏ）を設定した後、基準電圧
（Ｖｂ）及び電圧（Ｖｂｅ）に対して抵抗（Ｒｐ）を選
択すると、電圧（Ｖｂｅ）の温度依存性は材料条件で予
め決まるため、それに見合う温度特性の抵抗（Ｒｐ）の
選択の余地がなく、実際上、温度依存性を補償出来な
い。定電流回路（３）の場合も同様である。
は、定電流回路（１）（３）を集積回路内で使用する場
合、抵抗とトランジスタのベース・エミッタ間電圧はそ
れぞれ正負の温度依存性を持つため、例えば温度が上昇
すると、電圧（Ｖｂｅ）は小さくなる一方、抵抗（Ｒ
ｐ）は大きくなって出力電流（Ｉｏ）を一定に保持出来
ず、温度依存性が現われる点である。この場合、例えば
定電流回路（１）において、抵抗（Ｒｐ）とトランジス
タ（Ｑｐ）のベース・エミッタ間電圧（Ｖｂｅ）を選択
することにより出力電流（Ｉｏ）の温度依存性を補償す
ることが出来る。ところが、温度補償性を実現すべく回
路定数を選択したバンドギャップ回路（２）では出力の
基準電圧（Ｖｂ）が１．２５Ｖ付近に限られる。そのた
め、所望の出力電流（Ｉｏ）を設定した後、基準電圧
（Ｖｂ）及び電圧（Ｖｂｅ）に対して抵抗（Ｒｐ）を選
択すると、電圧（Ｖｂｅ）の温度依存性は材料条件で予
め決まるため、それに見合う温度特性の抵抗（Ｒｐ）の
選択の余地がなく、実際上、温度依存性を補償出来な
い。定電流回路（３）の場合も同様である。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、温度補償性基
準電圧発生部と、ベース・エミッタ間電圧の温度依存性
を打ち消すように選択した温度補償用エミッタ抵抗を上
記基準電圧発生部出力の一端とエミッタ間に挿入し、且
つ、コレクタを出力端子に接続した定電流出力用トラン
ジスタと、分圧比が温度依存性を持たない分圧用第１、
第２抵抗を上記基準電圧発生部の２出力間に直列に接続
すると共に、分圧点を上記トランジスタのベースに接続
してなり、分圧比の選択により所望の出力電流を得るよ
うに上記トランジスタベース電圧を選択的に与える温度
非依存性分圧部とを具備したことを特徴とし、又、出力
用トランジスタとしてダーリントントランジスタを用い
たことを特徴とする。
準電圧発生部と、ベース・エミッタ間電圧の温度依存性
を打ち消すように選択した温度補償用エミッタ抵抗を上
記基準電圧発生部出力の一端とエミッタ間に挿入し、且
つ、コレクタを出力端子に接続した定電流出力用トラン
ジスタと、分圧比が温度依存性を持たない分圧用第１、
第２抵抗を上記基準電圧発生部の２出力間に直列に接続
すると共に、分圧点を上記トランジスタのベースに接続
してなり、分圧比の選択により所望の出力電流を得るよ
うに上記トランジスタベース電圧を選択的に与える温度
非依存性分圧部とを具備したことを特徴とし、又、出力
用トランジスタとしてダーリントントランジスタを用い
たことを特徴とする。
【０００７】
【作用】上記技術的手段によれば、アース・エミッタ間
に挿入した定電流出力用トランジスタのエミッタ抵抗を
ベース・エミッタ間電圧の温度依存性を打ち消すように
選択すると共に、温度非依存性分圧部の第１、第２抵抗
を温度補償性基準電圧発生部の２出力間に直列に接続
し、その分圧比が温度依存性を持たないように設定し、
分圧点を上記トランジスタのベースに接続して分圧比の
選択により上記トランジスタベース電圧を選択的に与え
る。それにより温度補償性を実現し、且つ、所望の出力
電流を得る。
に挿入した定電流出力用トランジスタのエミッタ抵抗を
ベース・エミッタ間電圧の温度依存性を打ち消すように
選択すると共に、温度非依存性分圧部の第１、第２抵抗
を温度補償性基準電圧発生部の２出力間に直列に接続
し、その分圧比が温度依存性を持たないように設定し、
分圧点を上記トランジスタのベースに接続して分圧比の
選択により上記トランジスタベース電圧を選択的に与え
る。それにより温度補償性を実現し、且つ、所望の出力
電流を得る。
【０００８】
【実施例】本発明に係る定電流回路の実施例を図１及び
図２を参照して以下に説明する。まず図１において、図
３に示す部分と同一部分には同一参照符号を付してその
説明を省略する。相違する点は、基準電圧発生部（バン
ドギャップ回路）（２）の出力（Ｖｂ）とアース間に、
第１、第２抵抗（Ｒｄ）（Ｒｅ）の直列接続からなる温
度非依存性分圧部（４）を接続すると共に、分圧点
（Ｐ）に出力用トランジスタ（Ｑｏ）のベース（Ｂｏ）
を接続したことで、トランジスタ（Ｑｏ）のコレクタ
（Ｃｏ）とエミッタ（Ｅｏ）にそれぞれ出力端子（Ｖ
ｏ）とエミッタ抵抗（Ｒｏ）を接続する。
図２を参照して以下に説明する。まず図１において、図
３に示す部分と同一部分には同一参照符号を付してその
説明を省略する。相違する点は、基準電圧発生部（バン
ドギャップ回路）（２）の出力（Ｖｂ）とアース間に、
第１、第２抵抗（Ｒｄ）（Ｒｅ）の直列接続からなる温
度非依存性分圧部（４）を接続すると共に、分圧点
（Ｐ）に出力用トランジスタ（Ｑｏ）のベース（Ｂｏ）
を接続したことで、トランジスタ（Ｑｏ）のコレクタ
（Ｃｏ）とエミッタ（Ｅｏ）にそれぞれ出力端子（Ｖ
ｏ）とエミッタ抵抗（Ｒｏ）を接続する。
【０００９】上記構成において、基準電圧を（Ｖｂ）、
トランジスタ（Ｑｏ）のベース・エミッタ間電圧を Ｖ
ｂｅ＝Ｖｂｅ（０）（１＋βｔ）、抵抗（Ｒｄ）（Ｒ
ｅ）（Ｒｏ）の値をそれぞれ Ｒｄ＝Ｒｄ（０）（１＋
αｔ）、Ｒｅ＝Ｒｅ（０）（１＋αｔ）、Ｒｏ＝Ｒｏ
（０）（１＋αｔ）、出力電流をＩｏ（ｔ）とする。但
し、αは抵抗の温度係数、βはトランジスタのベース・
エミッタ間電圧の温度係数、ｔは温度である。
トランジスタ（Ｑｏ）のベース・エミッタ間電圧を Ｖ
ｂｅ＝Ｖｂｅ（０）（１＋βｔ）、抵抗（Ｒｄ）（Ｒ
ｅ）（Ｒｏ）の値をそれぞれ Ｒｄ＝Ｒｄ（０）（１＋
αｔ）、Ｒｅ＝Ｒｅ（０）（１＋αｔ）、Ｒｏ＝Ｒｏ
（０）（１＋αｔ）、出力電流をＩｏ（ｔ）とする。但
し、αは抵抗の温度係数、βはトランジスタのベース・
エミッタ間電圧の温度係数、ｔは温度である。
【００１０】 Ｉｏ（ｔ）＝｛Ｖｂ・Ｒｅ／（Ｒｄ＋Ｒｅ）−Ｖｂｅ｝／Ｒｏ ＝［Ｖｂ・Ｒｅ（０）（１＋αｔ）／｛Ｒｄ（０）（１＋αｔ）＋ Ｒｅ（０）（１＋αｔ）｝−Ｖｂｅ（０）（１＋βｔ）］／Ｒｏ （０）（１＋αｔ）
【００１１】 ＝［Ｖｂ・Ｒｅ（０）／｛Ｒｄ（０）＋Ｒｅ（０）｝ −Ｖｂｅ（０）（１＋βｔ）］／Ｒｏ（０）（１＋αｔ）
【００１２】 ∴ Ｉｏ（ｔ）・Ｒｏ（０）（１＋αｔ）＝Ｖｂ・Ｒｅ（０）／｛Ｒｄ（０） ＋Ｒｅ（０）｝−Ｖｂｅ（０）（１＋βｔ）…（イ）
【００１３】（イ）式の両辺をｔについて微分すると、 左辺＝｛ｄＩｏ（ｔ）／ｄｔ｝Ｒｏ（０）（１＋αｔ）
＋Ｉｏ（ｔ）・Ｒｏ（０）・α…（ロ）
＋Ｉｏ（ｔ）・Ｒｏ（０）・α…（ロ）
【００１４】右辺＝−Ｖｂｅ（０）・β…（ハ） ここにおいて、Ｉｏ（ｔ）＝Ｉｏ（ｃｏｎｓｔ）におい
て、ｄＩｏ（ｔ）／ｄｔ＝０とするＲｏ（又はＲｏ
（０））を求めると、 Ｉｏ・Ｒｏ（０）・α＝−Ｖｂｅ（０）・β ∴ Ｒｏ（０）＝−Ｖｂｅ（０）・β／Ｉｏ・α ここで、Ｖｂｅ（０）は基準となる温度におけるトラン
ジスタ（Ｑｏ）のベース・エミッタ間電圧であって一定
であり、α、βはそれぞれ抵抗（Ｒｏ）、及びトランジ
スタ（Ｑｏ）のベース・エミッタ間電圧の温度係数であ
ってそれぞれ設計（特に材料）により定まった一定値で
ある。
て、ｄＩｏ（ｔ）／ｄｔ＝０とするＲｏ（又はＲｏ
（０））を求めると、 Ｉｏ・Ｒｏ（０）・α＝−Ｖｂｅ（０）・β ∴ Ｒｏ（０）＝−Ｖｂｅ（０）・β／Ｉｏ・α ここで、Ｖｂｅ（０）は基準となる温度におけるトラン
ジスタ（Ｑｏ）のベース・エミッタ間電圧であって一定
であり、α、βはそれぞれ抵抗（Ｒｏ）、及びトランジ
スタ（Ｑｏ）のベース・エミッタ間電圧の温度係数であ
ってそれぞれ設計（特に材料）により定まった一定値で
ある。
【００１５】又、αは正、βは負であるので、Ｒｏ
（０）はＩｏが与えられれば、正の値として定まる。即
ち、抵抗（Ｒｄ）と（Ｒｅ）は同じ温度係数を有する設
計（通常同一材料）であれば、分圧点（Ｐ）、即ち出力
用トランジスタのベース電圧（Ｖｂｏ）は温度係数をも
たないので、電圧（Ｖｂｅ）の温度特性を補償するよう
にエミッタ抵抗（Ｒｏ）を選択すると、出力電流（Ｉ
ｏ）は温度特性を持たなくなる。この時、出力電流値は
分圧比［Ｒｅ／（Ｒｄ＋Ｒｅ）］を選択して電圧（Ｖｂ
ｏ）を適宜、変えることにより任意の大きさに設定出来
る。
（０）はＩｏが与えられれば、正の値として定まる。即
ち、抵抗（Ｒｄ）と（Ｒｅ）は同じ温度係数を有する設
計（通常同一材料）であれば、分圧点（Ｐ）、即ち出力
用トランジスタのベース電圧（Ｖｂｏ）は温度係数をも
たないので、電圧（Ｖｂｅ）の温度特性を補償するよう
にエミッタ抵抗（Ｒｏ）を選択すると、出力電流（Ｉ
ｏ）は温度特性を持たなくなる。この時、出力電流値は
分圧比［Ｒｅ／（Ｒｄ＋Ｒｅ）］を選択して電圧（Ｖｂ
ｏ）を適宜、変えることにより任意の大きさに設定出来
る。
【００１６】又、図１（ｂ）に示す定電流回路（５）は
基準電圧発生部（２）として水銀電池等の温度特性の小
さい電池（Ｅ）を用いたものである。
基準電圧発生部（２）として水銀電池等の温度特性の小
さい電池（Ｅ）を用いたものである。
【００１７】次に、図２（ａ）（ｂ）に示す定電流回路
（６）（７）は、出力用トランジスタとしてトランジス
タ（Ｑｅ）（Ｑｆ）からなるダーリントントランジスタ
（Ｑｄ）を用い、それに応じて抵抗（Ｒｆ）を選択した
ものである。上記第１の実施例における出力トランジス
タ（Ｑｏ）において、ベース電流分が分割抵抗（Ｒｄ）
に流れる為に厳密にはベース電圧（Ｖｂｏ）は若干の温
度特性を有する。上記ダーリントントランジスタ（Ｑ
ｄ）は１０００以上の電流増幅率（ｈfe）を持つため、
トランジスタ（Ｑｏ）［電流増幅率（ｈfe）は１００程
度］の場合よりもベース電流（Ｉｂ＝Ｉｅ／ｈfe、Ｉｅ
はエミッタ電流）が更に小さくなって、製造上、電流増
幅率（ｈfe）がバラついても高精度の出力電流（Ｉｏ）
が得られる。
（６）（７）は、出力用トランジスタとしてトランジス
タ（Ｑｅ）（Ｑｆ）からなるダーリントントランジスタ
（Ｑｄ）を用い、それに応じて抵抗（Ｒｆ）を選択した
ものである。上記第１の実施例における出力トランジス
タ（Ｑｏ）において、ベース電流分が分割抵抗（Ｒｄ）
に流れる為に厳密にはベース電圧（Ｖｂｏ）は若干の温
度特性を有する。上記ダーリントントランジスタ（Ｑ
ｄ）は１０００以上の電流増幅率（ｈfe）を持つため、
トランジスタ（Ｑｏ）［電流増幅率（ｈfe）は１００程
度］の場合よりもベース電流（Ｉｂ＝Ｉｅ／ｈfe、Ｉｅ
はエミッタ電流）が更に小さくなって、製造上、電流増
幅率（ｈfe）がバラついても高精度の出力電流（Ｉｏ）
が得られる。
【００１８】
【発明の効果】本発明によれば、集積回路用定電流回路
において温度依存性を除去出来ると共に、所望の出力電
流を得ることが出来るし、又、所望の温度特性を持った
出力電流を得ることが出来る。
において温度依存性を除去出来ると共に、所望の出力電
流を得ることが出来るし、又、所望の温度特性を持った
出力電流を得ることが出来る。
【図１】（ａ）は本発明に係る定電流回路の実施例を示
す回路図である。（ｂ）は本発明に係る定電流回路の他
の実施例で、図１（ａ）の変形を示す回路図である。
す回路図である。（ｂ）は本発明に係る定電流回路の他
の実施例で、図１（ａ）の変形を示す回路図である。
【図２】（ａ）は本発明に係る定電流回路の他の実施例
を示す回路図である。（ｂ）は本発明に係る定電流回路
の他の実施例で、図２（ａ）の変形を示す回路図であ
る。
を示す回路図である。（ｂ）は本発明に係る定電流回路
の他の実施例で、図２（ａ）の変形を示す回路図であ
る。
【図３】（ａ）は従来の定電流回路の一例を示す回路図
である。（ｂ）は従来の定電流回路の他の一例を示す回
路図である。
である。（ｂ）は従来の定電流回路の他の一例を示す回
路図である。
２ 基準電圧発生部 ４ 温度非依存性分圧部 Ｑｏ 出力用トランジスタ Ｒｏ エミッタ抵抗 Ｒｄ 第１抵抗 Ｒｅ 第２抵抗
フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H03F 3/343 G05F 3/02 H01L 23/58
Claims (3)
- 【請求項１】 温度補償性基準電圧発生部と、ベース・
エミッタ間電圧の温度依存性を打ち消すように選択した
温度補償用エミッタ抵抗を上記基準電圧発生部出力の一
端とエミッタ間に挿入し、且つ、コレクタを出力端子に
接続した定電流出力用トランジスタと、分圧比が温度依
存性を持たない分圧用第１、第２抵抗を上記基準電圧発
生部の２出力間に直列に接続すると共に、分圧点を上記
トランジスタのベースに接続してなり、分圧比の選択に
より所望の出力電流を得るように上記トランジスタベー
ス電圧を選択的に与える温度非依存性分圧部とを具備し
たことを特徴とする定電流回路。 - 【請求項２】 温度補償性基準電圧発生部と、ベース・
エミッタ間電圧の温度依存性を打ち消すように選択した
温度補償用エミッタ抵抗を上記基準電圧発生部出力の一
端とエミッタ間に挿入し、且つ、コレクタを出力端子に
接続した定電流出力用ダーリントントランジスタと、分
圧比が温度依存性を持たない分圧用第１、第２抵抗を上
記基準電圧発生部の２出力間に直列に接続すると共に、
分圧点を上記トランジスタのベースに接続してなり、分
圧比の選択により所望の出力電流を得るように上記トラ
ンジスタベース電圧を選択的に与える温度非依存性分圧
部とを具備したことを特徴とする定電流回路。 - 【請求項３】 請求項１又は２記載の定電流回路を内蔵
したことを特徴とする集積回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23659892A JP3266941B2 (ja) | 1992-09-04 | 1992-09-04 | 定電流回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23659892A JP3266941B2 (ja) | 1992-09-04 | 1992-09-04 | 定電流回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0685563A JPH0685563A (ja) | 1994-03-25 |
| JP3266941B2 true JP3266941B2 (ja) | 2002-03-18 |
Family
ID=17003021
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23659892A Expired - Fee Related JP3266941B2 (ja) | 1992-09-04 | 1992-09-04 | 定電流回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3266941B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1189012C (zh) | 2000-07-18 | 2005-02-09 | 松下电器产业株式会社 | 图象读取装置及图象处理装置 |
| EP1865398A1 (en) * | 2006-06-07 | 2007-12-12 | Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH | A temperature-compensated current generator, for instance for 1-10V interfaces |
-
1992
- 1992-09-04 JP JP23659892A patent/JP3266941B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0685563A (ja) | 1994-03-25 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20011211 |
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