JPH0551792A - リードフレーム構造 - Google Patents
リードフレーム構造Info
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- JPH0551792A JPH0551792A JP20937291A JP20937291A JPH0551792A JP H0551792 A JPH0551792 A JP H0551792A JP 20937291 A JP20937291 A JP 20937291A JP 20937291 A JP20937291 A JP 20937291A JP H0551792 A JPH0551792 A JP H0551792A
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- lead frame
- plating
- lead
- leads
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
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-
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- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
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- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
- H01L2224/48464—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area also being a ball bond, i.e. ball-to-ball
Landscapes
- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 メッキ工程を有するリードフレーム構造に関
し、リードフレームへのメッキが容易に行なえる構造を
提供することを目的とする。 【構成】 リードフレーム１をダミーリード２により接
続することにより半導体装置の四辺分のリードフレーム
１を電気的に導通させ、四辺分のリードフレーム１のメ
ッキを行なう。
し、リードフレームへのメッキが容易に行なえる構造を
提供することを目的とする。 【構成】 リードフレーム１をダミーリード２により接
続することにより半導体装置の四辺分のリードフレーム
１を電気的に導通させ、四辺分のリードフレーム１のメ
ッキを行なう。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はリードフレーム構造に係
り、特にメッキ工程を有するリードフレーム構造に関す
る。
り、特にメッキ工程を有するリードフレーム構造に関す
る。
【０００２】近年、表面実装構造の半導体装置の要望が
強まっている。表面実装構造の半導体装置に用いられる
リードフレームはＪ形やＬ形に折曲する必要があるた
め、リードフレームの製造時には半導体装置の各辺毎で
別々にリードフレームが製造されていた。
強まっている。表面実装構造の半導体装置に用いられる
リードフレームはＪ形やＬ形に折曲する必要があるた
め、リードフレームの製造時には半導体装置の各辺毎で
別々にリードフレームが製造されていた。
【０００３】このため、この種のリードフレームではリ
ードフレームにメッキを等を行なう場合、辺毎にリード
フレームをメッキ治具に取付けなければならず、メッキ
工数が多くなってしまいコストが高くなる。したがっ
て、コスト削減のためメッキ工数の削減が要求されてい
た。
ードフレームにメッキを等を行なう場合、辺毎にリード
フレームをメッキ治具に取付けなければならず、メッキ
工数が多くなってしまいコストが高くなる。したがっ
て、コスト削減のためメッキ工数の削減が要求されてい
た。
【０００４】
【従来の技術】図３はＤＩＰ型パッケージの半導体装置
の断面図を示す。ＤＩＰ型パッケージはリード７がキャ
ップ５ａ、半導体キャップ６が搭載された基板５ｂより
なるパッケージ５の下方に延出していて、半導体装置を
取り付ける基板に設けられたスルーホールを介して、半
導体装置の載置面とは逆の面から半田付けが行なわれ
る。
の断面図を示す。ＤＩＰ型パッケージはリード７がキャ
ップ５ａ、半導体キャップ６が搭載された基板５ｂより
なるパッケージ５の下方に延出していて、半導体装置を
取り付ける基板に設けられたスルーホールを介して、半
導体装置の載置面とは逆の面から半田付けが行なわれ
る。
【０００５】このようなＤＩＰ型パッケージに変わり図
４に示すようなＪリード型の半導体装置や図５に示すよ
うにＬリード型の半導体装置等の表面実装型が半導体装
置が用いられるようになっている。
４に示すようなＪリード型の半導体装置や図５に示すよ
うにＬリード型の半導体装置等の表面実装型が半導体装
置が用いられるようになっている。
【０００６】Ｊ型、Ｌ型のリードを有する半導体装置で
はリード８を半導体チップ６が搭載される基板９ｂと半
導体チップ６を密封するためのキャップ９ａとで低融点
ガラス１０を介在させ狭持することにより固着させパッ
ケージ９が形成されていた。このとき、リード８には低
融点ガラス１０との密着を良くすると共に半導体チップ
６とのボンディング時のボンディングワイヤ１１との密
着を良好なものとするためにアルミニウム（Ａｌ）等の
膜が蒸着他により形成される。
はリード８を半導体チップ６が搭載される基板９ｂと半
導体チップ６を密封するためのキャップ９ａとで低融点
ガラス１０を介在させ狭持することにより固着させパッ
ケージ９が形成されていた。このとき、リード８には低
融点ガラス１０との密着を良くすると共に半導体チップ
６とのボンディング時のボンディングワイヤ１１との密
着を良好なものとするためにアルミニウム（Ａｌ）等の
膜が蒸着他により形成される。
【０００７】従来のＬリード型のリードフレーム構造は
図６に示すように半導体装置各辺毎にダイバー部１ｂに
より結合された複数のリード１２ａにより構成されてい
た。このため、メッキ時には各辺毎にリードフレームを
メッキ治具に取付け、電解液に浸してメッキ治具に電流
を流してメッキが行なわれていた。
図６に示すように半導体装置各辺毎にダイバー部１ｂに
より結合された複数のリード１２ａにより構成されてい
た。このため、メッキ時には各辺毎にリードフレームを
メッキ治具に取付け、電解液に浸してメッキ治具に電流
を流してメッキが行なわれていた。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかるに、従来のこの
種の半導体装置のリードフレーム構造は各辺のリードフ
レームが独立していたため、メッキを行なう場合、各辺
毎のリードフレームをメッキ治具に夫々取付けなければ
ならず、したがって、メッキ治具への取付け工数が多く
なり、組立効率が上がらない等の問題点があった。
種の半導体装置のリードフレーム構造は各辺のリードフ
レームが独立していたため、メッキを行なう場合、各辺
毎のリードフレームをメッキ治具に夫々取付けなければ
ならず、したがって、メッキ治具への取付け工数が多く
なり、組立効率が上がらない等の問題点があった。
【０００９】本発明は上記の点に鑑みてなされたもの
で、リードフレームへのメッキが容易に行なえるリード
フレーム構造を提供することを目的とする。
で、リードフレームへのメッキが容易に行なえるリード
フレーム構造を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は複数辺からリー
ドが延出した半導体装置の一辺分のリードを結合部によ
り一体的に結合したリードフレーム構造において、前記
半導体装置の複数の辺に対応した複数の前記結合部を接
続部材により電気的に接続してなる。
ドが延出した半導体装置の一辺分のリードを結合部によ
り一体的に結合したリードフレーム構造において、前記
半導体装置の複数の辺に対応した複数の前記結合部を接
続部材により電気的に接続してなる。
【００１１】
【作用】複数辺分からのリードフレームを接続部材によ
り電気的に接続しているため、メッキ治具に一辺分毎に
リードフレームを取付けなくとも済み、メッキ治具への
リードフレームの取付けが簡略化される。
り電気的に接続しているため、メッキ治具に一辺分毎に
リードフレームを取付けなくとも済み、メッキ治具への
リードフレームの取付けが簡略化される。
【００１２】
【実施例】図１は本発明の一実施例の平面図を示す。同
図中、１は一辺分のリードフレームでリード部１ａ及び
ダイバー部１ｂよりなる。リード部１ａは複数のリード
１ a-1 〜１a-n よりなり、複数のリード１a-1 〜１a-n
は、ダイバー部１ｂにより接合されている。四辺のダイ
バー部１ｂは互いにダミーリード２により電気的に接続
されている。
図中、１は一辺分のリードフレームでリード部１ａ及び
ダイバー部１ｂよりなる。リード部１ａは複数のリード
１ a-1 〜１a-n よりなり、複数のリード１a-1 〜１a-n
は、ダイバー部１ｂにより接合されている。四辺のダイ
バー部１ｂは互いにダミーリード２により電気的に接続
されている。
【００１３】ダミーリード２は弾性を有し、細線状に形
成されその一部に湾曲部２ａを有する構造とされてい
る。このように湾曲部２ａを設けることによりその弾性
力によりリードフレーム１間に生じる応力を湾曲部２ａ
で吸収できる。特に、リード部１ａが「Ｌ」形に折曲さ
れたリードフレーム１を複数接続する場合には有効とな
る。
成されその一部に湾曲部２ａを有する構造とされてい
る。このように湾曲部２ａを設けることによりその弾性
力によりリードフレーム１間に生じる応力を湾曲部２ａ
で吸収できる。特に、リード部１ａが「Ｌ」形に折曲さ
れたリードフレーム１を複数接続する場合には有効とな
る。
【００１４】また、リード１a-1 〜１a-n はその先端部
分が図５に示すように「Ｌ」字状（ガルウィング状）に
折曲されている。
分が図５に示すように「Ｌ」字状（ガルウィング状）に
折曲されている。
【００１５】本実施例のリードフレーム１は図に示すよ
うに半導体チップを搭載する基板とその基板に封着され
るキャップとの間に保持され外部と半導体チップとの導
通を計る半導体装置に用いられる。基板とキャップとは
低融点ガラスにより封着される。
うに半導体チップを搭載する基板とその基板に封着され
るキャップとの間に保持され外部と半導体チップとの導
通を計る半導体装置に用いられる。基板とキャップとは
低融点ガラスにより封着される。
【００１６】したがって、１a-1 〜１a-n は低融点ガラ
スにより固着されることになる。
スにより固着されることになる。
【００１７】このため、リード１a-1 〜１a-n は低融点
ガラスとの密着性を良くすると共に半導体チップとリー
ド１a-1 〜１a-n とを接続するワイヤとの密着性を良く
するために通常Ａｌ（アルミニウム）が施される。ま
た、リード材の４２アロイにはスズメッキ等の膜が形成
される。
ガラスとの密着性を良くすると共に半導体チップとリー
ド１a-1 〜１a-n とを接続するワイヤとの密着性を良く
するために通常Ａｌ（アルミニウム）が施される。ま
た、リード材の４２アロイにはスズメッキ等の膜が形成
される。
【００１８】リード１a-1 〜１a-n へのスズメッキ等の
膜の形成は電解メッキにより行なわれる。このため、リ
ードフレーム１のダイバー部１ｂにはメッキ治具との接
続を行なうための係止穴１ｃが形成されている。
膜の形成は電解メッキにより行なわれる。このため、リ
ードフレーム１のダイバー部１ｂにはメッキ治具との接
続を行なうための係止穴１ｃが形成されている。
【００１９】次に、リードフレーム１へのメッキ工程に
ついて図２と共に説明する。
ついて図２と共に説明する。
【００２０】ダミーリード２により接続された四辺分の
リードフレーム１はメッキ治具４に設けられた係止用ピ
ン４ａにリードフレーム１のダイバー部１ｂに形成され
た係止孔１ｃを係合させることにより係止され、メッキ
治具４との電気的導通が行なわれる。メッキ治具４には
ダミーリードにより接続された四辺分のリードフレーム
１が多数係止される。メッキ治具４は電解液５中に浸さ
れ、電流が流される。メッキ工程が完了した後、半導体
チップとのボンディングが行なわれ、半導体チップが搭
載された基板とキャップとにより四辺にリードフレーム
１を挟んだ状態で封着が行なわれる。
リードフレーム１はメッキ治具４に設けられた係止用ピ
ン４ａにリードフレーム１のダイバー部１ｂに形成され
た係止孔１ｃを係合させることにより係止され、メッキ
治具４との電気的導通が行なわれる。メッキ治具４には
ダミーリードにより接続された四辺分のリードフレーム
１が多数係止される。メッキ治具４は電解液５中に浸さ
れ、電流が流される。メッキ工程が完了した後、半導体
チップとのボンディングが行なわれ、半導体チップが搭
載された基板とキャップとにより四辺にリードフレーム
１を挟んだ状態で封着が行なわれる。
【００２１】基板にキャップが封着された後、リードフ
レーム１のダイバー部１ｂ及びダミーリード２がカット
され、半導体装置が完成する。
レーム１のダイバー部１ｂ及びダミーリード２がカット
され、半導体装置が完成する。
【００２２】このように、ダミーリード２により四辺分
のリードフレーム１を接続することによりメッキ時にメ
ッキ治具４に１辺毎のリードフレーム１を１つ１つ取り
付ける必要がなく、四辺分一度に取付けられるため、メ
ッキ作業工程を大幅に削減できる。したがって製造コス
トを低下させることができる。
のリードフレーム１を接続することによりメッキ時にメ
ッキ治具４に１辺毎のリードフレーム１を１つ１つ取り
付ける必要がなく、四辺分一度に取付けられるため、メ
ッキ作業工程を大幅に削減できる。したがって製造コス
トを低下させることができる。
【００２３】
【発明の効果】上述の如く、本発明によれば、半導体装
置１つ分のリードフレームを接続部材により電気的に接
続することができるため、電解メッキ時に、メッキ治具
への取付けが容易となり、メッキ作業の工数を削減で
き、したがって、コストを低下させることができる等の
特長を有する。
置１つ分のリードフレームを接続部材により電気的に接
続することができるため、電解メッキ時に、メッキ治具
への取付けが容易となり、メッキ作業の工数を削減で
き、したがって、コストを低下させることができる等の
特長を有する。
【図１】本発明の一実施例の平面図である。
【図２】本発明の一実施例のメッキ時の平面図である。
【図３】ＤＩＰ型の半導体装置の断面図である。
【図４】Ｊリード型の半導体装置の断面図である。
【図５】Ｌリード型の半導体装置の断面図である。
【図６】従来の一例の平面図である。
１ リードフレーム １ａ リード部 １ｂ ダイバー部 ２ ダミーリード ３ 半導体装置
Claims (2)
- 【請求項１】 複数辺からリード（１a-1 〜１a-n ）が
延出した半導体装置（３）の一辺分のリード（１a-1 〜
１a-n ）を結合部（１ｂ）により一体的に結合したリー
ドフレーム構造において、 前記半導体装置（３）の複数の辺に対応した複数の前記
結合部（１ｂ）を接続部材（２）により電気的に接続し
たことを特徴とするリードフレーム構造。 - 【請求項２】 前記接続部材（２）を線状で、湾曲させ
た構造とし、前記結合部（１ｂ）間に生じる応力を前記
接続部材（２）により吸収することを特徴とする請求項
１記載のリードフレーム構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20937291A JPH0551792A (ja) | 1991-08-21 | 1991-08-21 | リードフレーム構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20937291A JPH0551792A (ja) | 1991-08-21 | 1991-08-21 | リードフレーム構造 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0551792A true JPH0551792A (ja) | 1993-03-02 |
Family
ID=16571840
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20937291A Withdrawn JPH0551792A (ja) | 1991-08-21 | 1991-08-21 | リードフレーム構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0551792A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110491860A (zh) * | 2019-08-02 | 2019-11-22 | 中电国基南方集团有限公司 | 一种满足Ka波段TR组件封装陶瓷外壳及无损镀覆方法 |
-
1991
- 1991-08-21 JP JP20937291A patent/JPH0551792A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110491860A (zh) * | 2019-08-02 | 2019-11-22 | 中电国基南方集团有限公司 | 一种满足Ka波段TR组件封装陶瓷外壳及无损镀覆方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19981112 |