JPH0550736B2 - - Google Patents
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- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 41
- 239000000178 monomer Substances 0.000 claims description 39
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 36
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 34
- -1 mono-N-substituted sulfonamide group Chemical group 0.000 claims description 30
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 claims description 18
- FJKROLUGYXJWQN-UHFFFAOYSA-N papa-hydroxy-benzoic acid Natural products OC(=O)C1=CC=C(O)C=C1 FJKROLUGYXJWQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 229940090248 4-hydroxybenzoic acid Drugs 0.000 claims description 12
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 10
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims description 8
- 239000003999 initiator Substances 0.000 claims description 8
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 claims description 7
- SBRNNFKJRZCFRF-UHFFFAOYSA-N benzene-1,4-diol;2-methylprop-2-enoic acid Chemical compound CC(=C)C(O)=O.OC1=CC=C(O)C=C1 SBRNNFKJRZCFRF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 claims description 6
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 claims description 4
- 125000000565 sulfonamide group Chemical group 0.000 claims description 4
- 150000003512 tertiary amines Chemical class 0.000 claims description 4
- 125000003396 thiol group Chemical group [H]S* 0.000 claims description 4
- YRHRIQCWCFGUEQ-UHFFFAOYSA-N thioxanthen-9-one Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C3=CC=CC=C3SC2=C1 YRHRIQCWCFGUEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 claims description 3
- XZSZONUJSGDIFI-UHFFFAOYSA-N n-(4-hydroxyphenyl)-2-methylprop-2-enamide Chemical compound CC(=C)C(=O)NC1=CC=C(O)C=C1 XZSZONUJSGDIFI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 125000000449 nitro group Chemical group [O-][N+](*)=O 0.000 claims description 3
- 125000004093 cyano group Chemical group *C#N 0.000 claims 2
- IKWOMDFVBQDYNQ-UHFFFAOYSA-N 3-hydroxy-2-methyl-n-phenylprop-2-enamide Chemical compound OC=C(C)C(=O)NC1=CC=CC=C1 IKWOMDFVBQDYNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- QNVNLUSHGRBCLO-UHFFFAOYSA-N H2BDC Natural products OC(=O)C1=CC(O)=CC(C(O)=O)=C1 QNVNLUSHGRBCLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 49
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical compound ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 36
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 36
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 31
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 31
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 31
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 23
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 21
- 238000000034 method Methods 0.000 description 21
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 19
- SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxy-5-methylphenyl)ethanamine Chemical compound COC1=CC=C(C)C=C1CCN SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- VVQNEPGJFQJSBK-UHFFFAOYSA-N Methyl methacrylate Chemical compound COC(=O)C(C)=C VVQNEPGJFQJSBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- 238000011161 development Methods 0.000 description 17
- JIGUQPWFLRLWPJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acrylate Chemical compound CCOC(=O)C=C JIGUQPWFLRLWPJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- PNJWIWWMYCMZRO-UHFFFAOYSA-N pent‐4‐en‐2‐one Natural products CC(=O)CC=C PNJWIWWMYCMZRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 15
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 14
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 13
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 13
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 13
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 10
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 10
- 239000001294 propane Substances 0.000 description 9
- KHUFHLFHOQVFGB-UHFFFAOYSA-N 1-aminoanthracene-9,10-dione Chemical compound O=C1C2=CC=CC=C2C(=O)C2=C1C=CC=C2N KHUFHLFHOQVFGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- TVBNRFCUTVWHQB-UHFFFAOYSA-N 1-anilino-4-(methylamino)anthracene-9,10-dione Chemical compound C1=2C(=O)C3=CC=CC=C3C(=O)C=2C(NC)=CC=C1NC1=CC=CC=C1 TVBNRFCUTVWHQB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 7
- 239000002585 base Substances 0.000 description 6
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 6
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 6
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 description 6
- 239000004014 plasticizer Substances 0.000 description 6
- DAKWPKUUDNSNPN-UHFFFAOYSA-N Trimethylolpropane triacrylate Chemical compound C=CC(=O)OCC(CC)(COC(=O)C=C)COC(=O)C=C DAKWPKUUDNSNPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- FPYJFEHAWHCUMM-UHFFFAOYSA-N maleic anhydride Chemical compound O=C1OC(=O)C=C1 FPYJFEHAWHCUMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 5
- 229940096522 trimethylolpropane triacrylate Drugs 0.000 description 5
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- BTANRVKWQNVYAZ-UHFFFAOYSA-N butan-2-ol Chemical compound CCC(C)O BTANRVKWQNVYAZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 4
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 4
- KDFFXYVOTKKBDI-UHFFFAOYSA-N n-ethylnaphthalen-1-amine Chemical compound C1=CC=C2C(NCC)=CC=CC2=C1 KDFFXYVOTKKBDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000008961 swelling Effects 0.000 description 4
- AAAQKTZKLRYKHR-UHFFFAOYSA-N triphenylmethane Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 AAAQKTZKLRYKHR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- JESXATFQYMPTNL-UHFFFAOYSA-N 2-ethenylphenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1C=C JESXATFQYMPTNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N Methacrylic acid Chemical class CC(=C)C(O)=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 3
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000008064 anhydrides Chemical class 0.000 description 3
- VYHBFRJRBHMIQZ-UHFFFAOYSA-N bis[4-(diethylamino)phenyl]methanone Chemical compound C1=CC(N(CC)CC)=CC=C1C(=O)C1=CC=C(N(CC)CC)C=C1 VYHBFRJRBHMIQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 3
- ORBFAMHUKZLWSD-UHFFFAOYSA-N ethyl 2-(dimethylamino)benzoate Chemical compound CCOC(=O)C1=CC=CC=C1N(C)C ORBFAMHUKZLWSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 3
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 3
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 3
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 description 3
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 3
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 3
- FUGYGGDSWSUORM-UHFFFAOYSA-N 4-hydroxystyrene Chemical compound OC1=CC=C(C=C)C=C1 FUGYGGDSWSUORM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QIGBRXMKCJKVMJ-UHFFFAOYSA-N Hydroquinone Chemical compound OC1=CC=C(O)C=C1 QIGBRXMKCJKVMJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- YSMRWXYRXBRSND-UHFFFAOYSA-N TOTP Chemical compound CC1=CC=CC=C1OP(=O)(OC=1C(=CC=CC=1)C)OC1=CC=CC=C1C YSMRWXYRXBRSND-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N Vinyl acetate Chemical class CC(=O)OC=C XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QYKIQEUNHZKYBP-UHFFFAOYSA-N Vinyl ether Chemical class C=COC=C QYKIQEUNHZKYBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005917 acylation reaction Methods 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 2
- 229910001854 alkali hydroxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000008044 alkali metal hydroxides Chemical class 0.000 description 2
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 2
- HTZCNXWZYVXIMZ-UHFFFAOYSA-M benzyl(triethyl)azanium;chloride Chemical compound [Cl-].CC[N+](CC)(CC)CC1=CC=CC=C1 HTZCNXWZYVXIMZ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 239000012043 crude product Substances 0.000 description 2
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- KIQBVKPQYARZTK-UHFFFAOYSA-N n-(2-hydroxyphenyl)prop-2-enamide Chemical compound OC1=CC=CC=C1NC(=O)C=C KIQBVKPQYARZTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QIWKUEJZZCOPFV-UHFFFAOYSA-N phenyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CC(=C)C(=O)OC1=CC=CC=C1 QIWKUEJZZCOPFV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 238000010992 reflux Methods 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 2
- SZRRUIHQQCIPMY-UHFFFAOYSA-N (2-chloro-4-hydroxyphenyl) prop-2-enoate Chemical compound C(C=C)(=O)OC1=C(C=C(C=C1)O)Cl SZRRUIHQQCIPMY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IUSXXDHQFMPZQX-UHFFFAOYSA-N (2-hydroxyphenyl) prop-2-enoate Chemical compound OC1=CC=CC=C1OC(=O)C=C IUSXXDHQFMPZQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RBIIYFVXIIISQM-UHFFFAOYSA-N (2-sulfanylphenyl) prop-2-enoate Chemical compound SC1=CC=CC=C1OC(=O)C=C RBIIYFVXIIISQM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PUALFRKNFOFFLJ-UHFFFAOYSA-N (3-chloro-4-hydroxyphenyl) prop-2-enoate Chemical compound C(C=C)(=O)OC1=CC(=C(C=C1)O)Cl PUALFRKNFOFFLJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DRZPXZMMDBMTHL-UHFFFAOYSA-N (3-hydroxyphenyl) prop-2-enoate Chemical compound OC1=CC=CC(OC(=O)C=C)=C1 DRZPXZMMDBMTHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NCROAGQEQOMPST-UHFFFAOYSA-N (4-hydroxy-3-methoxyphenyl) prop-2-enoate Chemical compound COC1=CC(OC(=O)C=C)=CC=C1O NCROAGQEQOMPST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIUHGYUFFPSEOW-UHFFFAOYSA-N (4-hydroxyphenyl) prop-2-enoate Chemical compound OC1=CC=C(OC(=O)C=C)C=C1 NIUHGYUFFPSEOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- USYRFEZJZLRDLK-UHFFFAOYSA-N (4-sulfanylphenyl) prop-2-enoate Chemical compound SC1=CC=C(OC(=O)C=C)C=C1 USYRFEZJZLRDLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XFIUYCVKQRUKFV-UHFFFAOYSA-N 1-(3-hydroxy-2-prop-2-enoylphenyl)prop-2-en-1-one Chemical compound OC1=CC=CC(C(=O)C=C)=C1C(=O)C=C XFIUYCVKQRUKFV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LUNZSIHYTDHKKO-UHFFFAOYSA-N 1-(3-hydroxy-5-prop-2-enoylphenyl)prop-2-en-1-one Chemical compound OC1=CC(C(=O)C=C)=CC(C(=O)C=C)=C1 LUNZSIHYTDHKKO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YTVLGMVODFNHOX-UHFFFAOYSA-N 1-(4-hydroxy-2-prop-2-enoylphenyl)prop-2-en-1-one Chemical compound OC1=CC=C(C(=O)C=C)C(C(=O)C=C)=C1 YTVLGMVODFNHOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SIJQYQZRMYGMFA-UHFFFAOYSA-N 1-(7-hydroxynaphthalen-2-yl)prop-2-en-1-one Chemical compound C1=CC(C(=O)C=C)=CC2=CC(O)=CC=C21 SIJQYQZRMYGMFA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YNSNJGRCQCDRDM-UHFFFAOYSA-N 1-chlorothioxanthen-9-one Chemical compound S1C2=CC=CC=C2C(=O)C2=C1C=CC=C2Cl YNSNJGRCQCDRDM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QZKVUSSYPPWURQ-UHFFFAOYSA-N 1-methylthioxanthen-9-one Chemical compound S1C2=CC=CC=C2C(=O)C2=C1C=CC=C2C QZKVUSSYPPWURQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KJCVRFUGPWSIIH-UHFFFAOYSA-N 1-naphthol Chemical group C1=CC=C2C(O)=CC=CC2=C1 KJCVRFUGPWSIIH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JAHNSTQSQJOJLO-UHFFFAOYSA-N 2-(3-fluorophenyl)-1h-imidazole Chemical compound FC1=CC=CC(C=2NC=CN=2)=C1 JAHNSTQSQJOJLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BEWCNXNIQCLWHP-UHFFFAOYSA-N 2-(tert-butylamino)ethyl 2-methylprop-2-enoate Chemical group CC(=C)C(=O)OCCNC(C)(C)C BEWCNXNIQCLWHP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HWSSEYVMGDIFMH-UHFFFAOYSA-N 2-[2-[2-(2-methylprop-2-enoyloxy)ethoxy]ethoxy]ethyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CC(=C)C(=O)OCCOCCOCCOC(=O)C(C)=C HWSSEYVMGDIFMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FLFWJIBUZQARMD-UHFFFAOYSA-N 2-mercapto-1,3-benzoxazole Chemical compound C1=CC=C2OC(S)=NC2=C1 FLFWJIBUZQARMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HKGCRCBOKALXPA-UHFFFAOYSA-N 2-methylhex-1-en-3-one Chemical compound CCCC(=O)C(C)=C HKGCRCBOKALXPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZKYCLDTVJCJYIB-UHFFFAOYSA-N 2-methylidenedecanamide Chemical group CCCCCCCCC(=C)C(N)=O ZKYCLDTVJCJYIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BKUZZZJNRDDTRP-UHFFFAOYSA-N 2-phenylethene-1,1-diol Chemical compound OC(O)=CC1=CC=CC=C1 BKUZZZJNRDDTRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GNSFRPWPOGYVLO-UHFFFAOYSA-N 3-hydroxypropyl 2-methylprop-2-enoate Chemical group CC(=C)C(=O)OCCCO GNSFRPWPOGYVLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PEAOADVZXHOLJJ-UHFFFAOYSA-N 4-ethenyl-n-methylbenzenesulfonamide Chemical compound CNS(=O)(=O)C1=CC=C(C=C)C=C1 PEAOADVZXHOLJJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NBILTFFMEJBNPV-UHFFFAOYSA-N 4-prop-2-enoylbenzenesulfonamide Chemical compound NS(=O)(=O)C1=CC=C(C(=O)C=C)C=C1 NBILTFFMEJBNPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CWEDDSDRLSQGPX-UHFFFAOYSA-N 5-hydroxy-2-methylhex-1-en-3-one Chemical compound CC(O)CC(=O)C(C)=C CWEDDSDRLSQGPX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BTBUEUYNUDRHOZ-UHFFFAOYSA-N Borate Chemical compound [O-]B([O-])[O-] BTBUEUYNUDRHOZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JZQLNCCDJHMOQR-UHFFFAOYSA-N C=CC(=O)OC1=CC(=CC=C1)S Chemical compound C=CC(=O)OC1=CC(=CC=C1)S JZQLNCCDJHMOQR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L Carbonate Chemical compound [O-]C([O-])=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- ZAFNJMIOTHYJRJ-UHFFFAOYSA-N Diisopropyl ether Chemical compound CC(C)OC(C)C ZAFNJMIOTHYJRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N Propanedioic acid Natural products OC(=O)CC(O)=O OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910006074 SO2NH2 Inorganic materials 0.000 description 1
- YGSDEFSMJLZEOE-UHFFFAOYSA-N Salicylic acid Natural products OC(=O)C1=CC=CC=C1O YGSDEFSMJLZEOE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GAZZTULIUXRAAI-UHFFFAOYSA-N [2,3-bis(diethylamino)phenyl]-phenylmethanone Chemical compound CCN(CC)C1=CC=CC(C(=O)C=2C=CC=CC=2)=C1N(CC)CC GAZZTULIUXRAAI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 229920006243 acrylic copolymer Polymers 0.000 description 1
- HFBMWMNUJJDEQZ-UHFFFAOYSA-N acryloyl chloride Chemical compound ClC(=O)C=C HFBMWMNUJJDEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000013543 active substance Substances 0.000 description 1
- 238000012644 addition polymerization Methods 0.000 description 1
- 239000002318 adhesion promoter Substances 0.000 description 1
- UYEMGAFJOZZIFP-UHFFFAOYSA-N alpha-resorcylic acid Natural products OC(=O)C1=CC(O)=CC(O)=C1 UYEMGAFJOZZIFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 229940092714 benzenesulfonic acid Drugs 0.000 description 1
- 239000012965 benzophenone Substances 0.000 description 1
- 150000008366 benzophenones Chemical class 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 150000001642 boronic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 230000001680 brushing effect Effects 0.000 description 1
- 150000004649 carbonic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 1
- 239000003518 caustics Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000001627 detrimental effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 125000000816 ethylene group Chemical class [H]C([H])([*:1])C([H])([H])[*:2] 0.000 description 1
- VOZRXNHHFUQHIL-UHFFFAOYSA-N glycidyl methacrylate Chemical compound CC(=C)C(=O)OCC1CO1 VOZRXNHHFUQHIL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000383 hazardous chemical Substances 0.000 description 1
- 229930005346 hydroxycinnamic acid Natural products 0.000 description 1
- 235000010359 hydroxycinnamic acids Nutrition 0.000 description 1
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 1
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 description 1
- 230000000977 initiatory effect Effects 0.000 description 1
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N maleic acid Chemical compound OC(=O)\C=C/C(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N 0.000 description 1
- 239000011976 maleic acid Substances 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 229910001507 metal halide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000005309 metal halides Chemical class 0.000 description 1
- 125000005395 methacrylic acid group Chemical group 0.000 description 1
- VHRYZQNGTZXDNX-UHFFFAOYSA-N methacryloyl chloride Chemical compound CC(=C)C(Cl)=O VHRYZQNGTZXDNX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LVHBHZANLOWSRM-UHFFFAOYSA-N methylenebutanedioic acid Natural products OC(=O)CC(=C)C(O)=O LVHBHZANLOWSRM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SCVVYMCOQLYOMS-UHFFFAOYSA-N n-(2-sulfanylphenyl)prop-2-enamide Chemical compound SC1=CC=CC=C1NC(=O)C=C SCVVYMCOQLYOMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- POVITWJTUUJBNK-UHFFFAOYSA-N n-(4-hydroxyphenyl)prop-2-enamide Chemical compound OC1=CC=C(NC(=O)C=C)C=C1 POVITWJTUUJBNK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RINSWHLCRAFXEY-UHFFFAOYSA-N n-(4-sulfamoylphenyl)prop-2-enamide Chemical compound NS(=O)(=O)C1=CC=C(NC(=O)C=C)C=C1 RINSWHLCRAFXEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KTLVKNDUDRKJEX-UHFFFAOYSA-N n-(4-sulfanylphenyl)prop-2-enamide Chemical compound SC1=CC=C(NC(=O)C=C)C=C1 KTLVKNDUDRKJEX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AFADJBULGVQQRV-UHFFFAOYSA-N n-[4-(phenylsulfamoyl)phenyl]prop-2-enamide Chemical compound C1=CC(NC(=O)C=C)=CC=C1S(=O)(=O)NC1=CC=CC=C1 AFADJBULGVQQRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KUMNPBBBYDIFMZ-UHFFFAOYSA-N n-phenyl-4-prop-2-enoylbenzenesulfonamide Chemical compound C1=CC(C(=O)C=C)=CC=C1S(=O)(=O)NC1=CC=CC=C1 KUMNPBBBYDIFMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 125000005429 oxyalkyl group Chemical group 0.000 description 1
- NWVVVBRKAWDGAB-UHFFFAOYSA-N p-methoxyphenol Chemical compound COC1=CC=C(O)C=C1 NWVVVBRKAWDGAB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960003742 phenol Drugs 0.000 description 1
- 150000002989 phenols Chemical class 0.000 description 1
- 239000008363 phosphate buffer Substances 0.000 description 1
- XHXFXVLFKHQFAL-UHFFFAOYSA-N phosphoryl trichloride Chemical compound ClP(Cl)(Cl)=O XHXFXVLFKHQFAL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 208000017983 photosensitivity disease Diseases 0.000 description 1
- 231100000434 photosensitization Toxicity 0.000 description 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 1
- 239000013047 polymeric layer Substances 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 150000004760 silicates Chemical class 0.000 description 1
- 229910000029 sodium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000017550 sodium carbonate Nutrition 0.000 description 1
- PXQLVRUNWNTZOS-UHFFFAOYSA-N sulfanyl Chemical class [SH] PXQLVRUNWNTZOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000005420 sulfonamido group Chemical group S(=O)(=O)(N*)* 0.000 description 1
- 125000000542 sulfonic acid group Chemical group 0.000 description 1
- VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N trans-butenedioic acid Natural products OC(=O)C=CC(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920006305 unsaturated polyester Polymers 0.000 description 1
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 1
- 239000011345 viscous material Substances 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
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Description
光重合性混合物およびそれにより製造される記
録材料はプリント回路製造のために電子工業で使
用されるレジスト材料と同様にプリント板および
レリーフ写真を製造するために主として使用され
る。 実際の要求に応じるにはかかる材料は、特にそ
れらがレジスト材料として使用されようとする場
合には、しばしば組合わせるのが非常に困難であ
る多数の性質を示さなければならない。 たとえば洗い落とされるべきレジスト材料であ
つて洗つた後には残りのコーテイングが実質的に
除去されてしまうレジスト材料には、未露光部分
が急速にアルカリ水溶液で洗い落とされうるが、
他方、露光された領域はこれら現像液に対して完
全に抵抗しなければならないことが必要とされ
る。また、その後の工程中より強いアルカリ水溶
液を使用して急速にかつ残留物を伴わずに露光さ
れた領域を除去することも可能でなければならな
い。未重合領域および重合領域の区別された溶媒
作用は本質的には結合剤に包まれた疎水性単量体
がその結合剤と一緒に洗い落とされるように、未
露光領域中の可溶性結合剤に対する水性アルカリ
現像液の攻撃に基づいている。露光される領域で
は単量体の交叉結合が、現像液の親水性作用から
その現像液に生来、可溶性である結合剤を保護す
る。 露光される領域が十分に交叉結合されていない
場合には処理ラチチユードは許容しえない程に減
少される。さらに露光された領域が親水性アルカ
リエツチング溶液により攻撃されて、レジストと
して不適当になりうることもある。露光される場
所がより疎水性であればある程、洗い落とされる
レリーフの品質はより優れたものになる。親水性
現像液中における重合された領域の僅かな膨潤は
非常に微細な線構造の歪みをもたらすことになり
それで再生品質をそこなうことがありうる。かか
る品質損傷は乾燥後でさえ元に戻すことができな
い。さらにこの膨潤は直線的なレジストの側壁の
生成を防止する。 水性アルカリ溶液中で現像されそして除去され
うるレジスト物質を製造するためには望ましくな
い膨潤が処理中全く起らないように十分疎水性で
あり、しかもさらに露光された領域で結合剤を強
く交叉する単量体を使用するのが慣例である。 現像工程後、一旦レジストとしてその目的を果
してしまつた後では、基体上に残留する光重合さ
れた層がより疎水性であればある程、親水性スト
リツピング溶液での除去はより困難で、遅くしか
も不完全であるのでそれは不利なことである。た
とえば単量体の濃度を小さくすることにより網目
密度を減少させてそのストリツピング性質を改良
するための試みでは処理ラチチユードが許容しえ
ない程に減少されるということが示された。 低分子料物質たとえば可塑剤を添加するとスト
リツピングでの挙動は改良さるが、しかしこのや
り方は、殊にテンテイング（tenting）での応用
においてその物質の機械的性質に害悪をもたら
す。さらに電鍍浴が可塑剤のしみ出により汚染さ
れることもありうる。 アルカリ性ストリツピング溶液は重合された領
域を直接攻撃することはできないので、既知の水
性−アルカリ性処理可能物質のストリツピングは
重合される層と金属ベースとの間の密着性を前記
ストリツピング溶液の作用によつて減少させるこ
とにより生ずる。これは重合された層を大きな薄
片ではがれさせる。 これら「はがされた」レジストの薄片はしばし
ばパイプ、ポンプなどを詰まらせることによりス
トリツピングマシンに中断をもたらす。 しかしながら、遥かに不利なことは特に微細に
線書きされたエレメントの領域または過度に鍍金
された領域において、金属ベースと光重合された
層との間の密着性は、処理マシンにより提供され
た時間では十分に減少されないということであ
る。したがつて、プリント回路ボードはストリツ
ピングマシン通過後に続く噴霧処理にもかかわら
ず完全には除去されない。このことはその後の操
作工程の成績をそこなうし、したがつてまたその
プリント回路の質をもそこなうことになる。 したがつて、優れたストリツピング作用のため
にはストリツピングが完全に起こるばかりでなく
処理マシンで提供される短時間内に実施されるこ
とも必要である。 ドイツ特許明細書第2611577号から、エツチン
グおよび／または鍍金レジストとして役立つ光重
合された領域が、水性−アルカリ性ストリツピン
グ溶液に可溶性である水性−アルカリ性処理可能
の光重合性レジスト材料が知られるようになつ
た。かかるレジスト材料は残留物なしで自然に除
去されうる。しかしながら、絶えず高まりつつあ
る環境保護への要求に関して云えば高濃度の溶解
された危険物質が存在することのストリツピング
溶液を除去することはかなり困難なことであると
いう不利な点がある。 したがつて本発明の課題は既知の水性−アルカ
リ性処理可能な記録材料に比べて改良されたスト
リツピング作用によりたとえば処理ラチチユー
ド、微細な線素の再生品質または機械的性質など
のようなその物質の他の性質をそこなわず、しか
もストリツピング溶液または鍍金浴が、溶解され
た有害物質により許容量を越えては汚染されてい
ないものであるという特徴を有する光重合混合物
およびそれらから製造される記録材料を記載する
ことである。 この課題は前記「特許請求の範囲」の第１項に
記載による少なくとも１種の光重合性単量体を含
有する光重合性混合物およびそれらから製造され
る記録材料により達成される。 すなわち本発明の目的は必須要素として以下の
ものすなわち アルカリ水溶液に可溶性であるかまたは少なく
とも膨潤しうる非水溶性結合剤、光開始剤または
光開始剤系および１種または数種の光重合性エチ
レン系不飽和単量体 を含有する光重合性混合物並びにそれから製造さ
れる記録材料である。 この光重合性混合物およびそれから製造される
記録材料は光重合性エチレン系不飽和単量体の少
なくとも１つが少なくとも１個の芳香族の水酸
基、メルカプト基、スルホンアミド基またはモノ
−Ｎ−置換スルホンアミド基あるいはこれらの組
み合わせを有する点に特徴を有する。 手近に得られる本発明の適当な単量体はたとえ
ば以下の一般式
録材料はプリント回路製造のために電子工業で使
用されるレジスト材料と同様にプリント板および
レリーフ写真を製造するために主として使用され
る。 実際の要求に応じるにはかかる材料は、特にそ
れらがレジスト材料として使用されようとする場
合には、しばしば組合わせるのが非常に困難であ
る多数の性質を示さなければならない。 たとえば洗い落とされるべきレジスト材料であ
つて洗つた後には残りのコーテイングが実質的に
除去されてしまうレジスト材料には、未露光部分
が急速にアルカリ水溶液で洗い落とされうるが、
他方、露光された領域はこれら現像液に対して完
全に抵抗しなければならないことが必要とされ
る。また、その後の工程中より強いアルカリ水溶
液を使用して急速にかつ残留物を伴わずに露光さ
れた領域を除去することも可能でなければならな
い。未重合領域および重合領域の区別された溶媒
作用は本質的には結合剤に包まれた疎水性単量体
がその結合剤と一緒に洗い落とされるように、未
露光領域中の可溶性結合剤に対する水性アルカリ
現像液の攻撃に基づいている。露光される領域で
は単量体の交叉結合が、現像液の親水性作用から
その現像液に生来、可溶性である結合剤を保護す
る。 露光される領域が十分に交叉結合されていない
場合には処理ラチチユードは許容しえない程に減
少される。さらに露光された領域が親水性アルカ
リエツチング溶液により攻撃されて、レジストと
して不適当になりうることもある。露光される場
所がより疎水性であればある程、洗い落とされる
レリーフの品質はより優れたものになる。親水性
現像液中における重合された領域の僅かな膨潤は
非常に微細な線構造の歪みをもたらすことになり
それで再生品質をそこなうことがありうる。かか
る品質損傷は乾燥後でさえ元に戻すことができな
い。さらにこの膨潤は直線的なレジストの側壁の
生成を防止する。 水性アルカリ溶液中で現像されそして除去され
うるレジスト物質を製造するためには望ましくな
い膨潤が処理中全く起らないように十分疎水性で
あり、しかもさらに露光された領域で結合剤を強
く交叉する単量体を使用するのが慣例である。 現像工程後、一旦レジストとしてその目的を果
してしまつた後では、基体上に残留する光重合さ
れた層がより疎水性であればある程、親水性スト
リツピング溶液での除去はより困難で、遅くしか
も不完全であるのでそれは不利なことである。た
とえば単量体の濃度を小さくすることにより網目
密度を減少させてそのストリツピング性質を改良
するための試みでは処理ラチチユードが許容しえ
ない程に減少されるということが示された。 低分子料物質たとえば可塑剤を添加するとスト
リツピングでの挙動は改良さるが、しかしこのや
り方は、殊にテンテイング（tenting）での応用
においてその物質の機械的性質に害悪をもたら
す。さらに電鍍浴が可塑剤のしみ出により汚染さ
れることもありうる。 アルカリ性ストリツピング溶液は重合された領
域を直接攻撃することはできないので、既知の水
性−アルカリ性処理可能物質のストリツピングは
重合される層と金属ベースとの間の密着性を前記
ストリツピング溶液の作用によつて減少させるこ
とにより生ずる。これは重合された層を大きな薄
片ではがれさせる。 これら「はがされた」レジストの薄片はしばし
ばパイプ、ポンプなどを詰まらせることによりス
トリツピングマシンに中断をもたらす。 しかしながら、遥かに不利なことは特に微細に
線書きされたエレメントの領域または過度に鍍金
された領域において、金属ベースと光重合された
層との間の密着性は、処理マシンにより提供され
た時間では十分に減少されないということであ
る。したがつて、プリント回路ボードはストリツ
ピングマシン通過後に続く噴霧処理にもかかわら
ず完全には除去されない。このことはその後の操
作工程の成績をそこなうし、したがつてまたその
プリント回路の質をもそこなうことになる。 したがつて、優れたストリツピング作用のため
にはストリツピングが完全に起こるばかりでなく
処理マシンで提供される短時間内に実施されるこ
とも必要である。 ドイツ特許明細書第2611577号から、エツチン
グおよび／または鍍金レジストとして役立つ光重
合された領域が、水性−アルカリ性ストリツピン
グ溶液に可溶性である水性−アルカリ性処理可能
の光重合性レジスト材料が知られるようになつ
た。かかるレジスト材料は残留物なしで自然に除
去されうる。しかしながら、絶えず高まりつつあ
る環境保護への要求に関して云えば高濃度の溶解
された危険物質が存在することのストリツピング
溶液を除去することはかなり困難なことであると
いう不利な点がある。 したがつて本発明の課題は既知の水性−アルカ
リ性処理可能な記録材料に比べて改良されたスト
リツピング作用によりたとえば処理ラチチユー
ド、微細な線素の再生品質または機械的性質など
のようなその物質の他の性質をそこなわず、しか
もストリツピング溶液または鍍金浴が、溶解され
た有害物質により許容量を越えては汚染されてい
ないものであるという特徴を有する光重合混合物
およびそれらから製造される記録材料を記載する
ことである。 この課題は前記「特許請求の範囲」の第１項に
記載による少なくとも１種の光重合性単量体を含
有する光重合性混合物およびそれらから製造され
る記録材料により達成される。 すなわち本発明の目的は必須要素として以下の
ものすなわち アルカリ水溶液に可溶性であるかまたは少なく
とも膨潤しうる非水溶性結合剤、光開始剤または
光開始剤系および１種または数種の光重合性エチ
レン系不飽和単量体 を含有する光重合性混合物並びにそれから製造さ
れる記録材料である。 この光重合性混合物およびそれから製造される
記録材料は光重合性エチレン系不飽和単量体の少
なくとも１つが少なくとも１個の芳香族の水酸
基、メルカプト基、スルホンアミド基またはモノ
−Ｎ−置換スルホンアミド基あるいはこれらの組
み合わせを有する点に特徴を有する。 手近に得られる本発明の適当な単量体はたとえ
ば以下の一般式
【式】または
（式中、
Ａは１つの化学結合、−Ｏ−、
【式】
【式】または
【式】
Ｂは１つの化学結合、（―CHR3o――Ｏ−、また
は（―C2HR3o――、 Ｘは１つの化学結合、
は（―C2HR3o――、 Ｘは１つの化学結合、
【式】−CH2−、ま
たは
【式】
R1は−OH、−SH、または−SO2NHR5、
R2はＨ、C1〜C4のアルキル、ハライド、R1、
C1〜C4のオキシアルキル、ニトロ、−CH、
C1〜C4のオキシアルキル、ニトロ、−CH、
【式】または
【式】
R3はＨ、
【式】
【式】−OH、−SHまたは−NH2、
R4はＨ、C1〜C6のアルキルまたは
【式】
R5はＨ、C1〜C6のアルキルまたはフエニルお
よび、C1〜C4アルキルで置換されたフエニル、
ｎは０〜６そして n1は１〜２を表わす） に相当する化合物である。 前記式で表される代表的な単量体の例としてた
とえば以下のものがあげられる。 ２−ヒドロキシフエニルアクリレート、 ３−ヒドロキシフエニルアクリレート、 ４−ヒドロキシフエニルアクリレート、 ２−クロロ−４−ヒドロキシフエニルアクリレ
ート、 ３−クロロ−４−ヒドロキシフエニルアクリレ
ート、 ２−メトキシ−４−ヒドロキシフエニルアクリ
レート、 ３−メトキシ−４−ヒドロキシフエニルアクリ
レート、 Ｎ−（２−ヒドロキシフエニル）−アクリルアミ
ド、 Ｎ−（２−ヒドロキシフエニル）−アクリルアミ
ド、 Ｎ−（４−ヒドロキシフエニル）−アクリルアミ
ド、 ２−メルカプトフエニルアクリレート、 ３−メルカプトフエニルアクリレート、 ４−メルカプトフエニルアクリレート、 Ｎ−（４−メルカプトフエニル）−アクリルアミ
ド、 Ｎ−（２−メルカプトフエニル）−アクリルアミ
ド、 ４−アクリロイルベンゼンスルホン酸アミド、 ４−アクリルアミドベンゼンスルホン酸アミ
ド、 ４−アクリロイルベンゼンスルホン酸アニリ
ド、 ４−アクリルアミドベンゼンスルホン酸アニリ
ド、 １，２−ジ−アクリロイル−３−ヒドロキシベ
ンゼン、 １，２−ジ−アクリロイル−４−ヒドロキシベ
ンゼン、 １，３−ジ−アクリロイル−５−ヒドロキシベ
ンゼン、 ２，４−ジヒドロキシアクリルアニリド、 ｏ−，ｍ−，ｐ−ビニルフエノール、 Ｎ−メチル−（ｐ−ビニル）−ベンゼンスルホン
アミド、 １−（２−ヒドロキシ安息香酸）−２−ヒドロキ
シ−３−アクリロイルプロパン、 １−（４−ヒドロキシ安息香酸）−２−ヒドロキ
シ−３−アクリロイルプロパン、 １−（２，４−ヒドロキシ安息香酸）−２−ヒド
ロキシ−３−アクリロイルプロパン、 １−（３，５−ジヒドロキシ安息香酸）−２−ヒ
ドロキシ−３−アクリロイルプロパン、 １−（２−ヒドロキシ安息香酸）−２−アクリロ
イルエタン、 １−（４−ヒドロキシ安息香酸）−２−アクリロ
イルエタン、 １−（２−メルカプト安息香酸）−２−ヒドロキ
シ−３−アクリロイルプロパン、 １−（２−ヒドロキシ−３−ナフトエ酸）−２−
ヒドロキシ−３−アクリロイルプロパン、 ２−アクリロイル−７−ヒドロキシナフタリ
ン、 （２−ヒドロキシ−３−アクリロイルプロピ
ル）−エンボン酸ジエステル。 前記アクリル化合物の代りに相当するメタクリ
ル化合物を使用することもできる。 特に好ましい単量体はｐ−ヒドロキシメタクリ
ルアニリド、ヒドロキノンモノメタクリレート、
１−（４−ヒドロキシ安息香酸）−２−ヒドロキシ
−３−メタクリロイル−プロパン、１−（２−ヒ
ドロキシ安息香酸）−２−ヒドロキシ−３−メタ
クリロイル−プロパンおよびジ−（２−ヒドロキ
シ−３−アクリロイルプロピル）−５−ヒドロキ
シ−イソフタル酸エステルである。 前記単量体は既知方法にしたがつてたとえば
OH−、SH−または−SO2NH2の基で置換され
た芳香族カルボン酸とエポキシ置換のアクリル酸
および／またはメタクリル酸の誘導体との反応に
よりあるいはアクリル酸クロライドまたはメタク
リル酸クロライドによる多官能性フエノール類ま
たはチオフエノール類の部分的な酸素−アシル化
および／または硫黄−アシル化により製造されう
る。ついで本発明にしたがつて使用されうる２種
の代表的な単量体の製法を以下に記載する。 １ ヒドロキノンモノメタクリレートの製法 220ｇ（２モル）のヒドロキノンおよび87ml
（１モル）のメタクリル酸を１のジイソプロ
ピルエーテル中において還流温度（68℃）にす
る。これに１時間かかつて91ml（１モル）のオ
キシ塩化亜リンを滴々と加える。この混合物を
さらに30時間還流に保持すると強いHClの流れ
が発生する。室温に冷却後そのエーテル相を
250mlの蒸留水で４回洗浄しついでCaCl2で乾
燥させる。エーテルを除去後に黄色がかつた油
状液体が残留するが、これは室温に冷却すると
晶出する。この得られた粗生成物を150mlとイ
ソプロパノールに溶解しついでその溶液を強く
撹拌しながら３の蒸留水に滴加する。沈殿し
た粗生成物を去しついで真空中で50°で乾燥
させる。収量：102.1ｇ−理論値の57.4％、融
点：112〜119℃。 ２ １−（４−ヒドロキシ安息香酸）−２−ヒドロ
キシ−３−メタクリロイル−プロパンの製法 71ｇ（0.5モル）のグリシジルメタクリレー
ト、69ｇ（0.5モル）のｐ−ヒドロキシ安息香
酸、3.3ｇのｐ−メトキシフエノールおよび1.1
ｇのベンジルトリエチルアンモニウムクロライ
ドからなる混合物を撹拌しながら90℃に加熱す
る。開始反応は強い反応熱により目だつ。この
温度は氷で冷却しながら120℃に保持される。
ついで１時間以上80℃で撹拌する。化合物は澄
んでいて、僅かに黄色で、非常に粘稠性である
物質として生成されるが、これは室温に冷却す
るとガラスになる。 これら単量体は単独であるいはお互いの混合物
で使用できる。 また一定の性質を得るには本発明による単量体
は他の既知単量体と組み合わせて使用することも
できる。 光重合性混合物中の各単量体の全量は混合物の
全成分の10〜80重量％である。 光重合性混合物を製造するにはアルカリ水溶液
中において可溶性でありそして／または膨潤しう
るすべての既知である非水溶性結合剤が使用され
うる。かかる結合剤はしばしばたとえば酸無水
物、カルボキシルまたはスルホン酸の基のよう
な、それら結合剤をアルカリ中で可溶性にする基
を含有する。このような結合剤の例としてはアク
リル酸および／またはメタクリル酸からなる重合
体あるいはそれらの他の単量体たとえばアクリル
酸エステルまたは他のアクリル誘導体、ビニル化
合物（たとえばビニルエーテル、ビニルアセテー
トまたはそれのけん化生成物、スチレン、ビニル
ピロリドン、ブタジエンおよび類似単量体）との
共重合体、ポリアクリル酸無水物、あるいはマレ
イン酸無水物、マレイン酸、マレイン酸半エステ
ル、マレイン酸半アミドおよび／または無水物お
よびたとえばイタコン酸のような類似化合物の誘
導体たとえばスチレン、ビニルエーテル類、ビニ
ルアセテート類などのような適当なコモノマーと
の共重合物をあげることができる。 結合剤の量は一般的には混合物の全成分に関し
て20〜90重量％である。 光開始剤としては実際にはこの目的のために既
知の全化合物を使用することができる。付加重合
を開始させる光開始剤系は１種または数種の化合
物を含有することができ、これら化合物は放射に
よりあるいはそれらが放射で活性化される増感剤
により励起された後に活性化されるならば直接フ
リーラジカルを提供する。適当な光開始剤およ
び／または開始剤系の例としてはたとえばベンゾ
フエノン／ミヒラーケトン、ヘキサアリールビス
イミダゾール／メルカプトベンゾキサゾール、置
換チオキサントン／第３級アミン、たとえばｐ−
ジメチルアミノ安息香酸エチルエステルおよびベ
ンジルジメチルケタールがある。ケタール−構造
またはチオキサントン／第３級アミン系を有する
開始剤が特に適当であることが見出された。 フリーラジカルを生成する光開始剤系の濃度は
混合物の全成分に関して約0.01〜10重量％である
のが好ましい。 光重合性混合物およびそれらから製造される記
録材料はたとえば染料および顔料並びにたとえば
可塑剤、接着促進剤などのようなその他の添加剤
であるさらに別の添加剤を含有することができ
る。 本発明による光重合性混合物は好ましくは適当
な支持体上で記録材料を形づくる光感受性層の形
態で用いられる。 適当な支持体の例としてはたとえば紙、金属基
体、ガラスおよびセラミツク基体とともにたとえ
ばポリエチレン、ポリプロピレン、ポリカーボネ
ート、ポリアミド、ポリエステルなどのような合
成フイルムの支持体をあげることができる。 本発明による光重合性混合物はレジスト物質を
製造するのに使用するのが特に有利である。 このためには感光性混合物を好ましくは合成フ
イルムである透明な一時的支持体に適用しそして
必要により除去しうる合成フイルムをカバーシー
トとしてラミネートする。レジストの画像を作る
ためにはもし存在するならばそのカバーシートを
除去しそして一時的な支持体上に置かれた感光性
層を、通常の場合はしばしば銅表面である永久の
支持体上にラミネートされる。ついでこの物質は
通常の方法で露光される。このことは一時的な支
持体を通じて実施されうるか、さらにまた一時的
な支持体を除去した後に光重合性混合物と直接、
接触させて実施されうる。もしも露光が一時的な
支持体を通して行なわれる場合には後者の支持体
は露光後に除去されそしてその露光された層は現
像される。 現像は画像の重合されなかつた部分をたとえば
噴霧、ブラツシングなどのような既知方法にした
がつてアルカリ水溶液で洗い落とすことによりな
される。それら溶液のPH−値は９〜11の範囲でな
ければならない。現像溶液として適当なアルカリ
はアルカリの炭酸塩、硼酸塩、珪酸塩およびアル
カリ水酸化物並びに既知の炭酸塩緩衝系、硼酸塩
緩衝系およびリン酸塩緩衝系である。現像液はさ
らに表面活性物質を含有することができる。 この現像処理の後でこの物質は更に鍍金または
エツチングのために既知の方法を用いる常套手段
で処理される。 ついで永久の支持体上に残留する重合された層
はそれを約13のPH−値を有するアルカリ性ストリ
ツピング溶液で処理することにより容易に完全除
去されうる。ストリツピング溶液としては一般
に、１〜20重量％アルカリ水酸化物を含有する強
アルカリ性水溶液が使用される。ストリツピング
工程は普通連続マシンまたはタンク中において
30°〜90℃の高められた温度好ましくは40°〜80℃
で実施される。 前記の光重合性混合物およびそれらから製造さ
れる記録材料はレリーフ材料へのすべて既知の適
用のために使用されうる。しかしながら、それら
のより優れた作用に基づいてそれらはプリント回
路製造用のレジスト材料として使用されるのが好
ましい。 このより優れたストリツピング作用は感光中に
生成される重合体がストリツピング溶液中の芳香
族親水性置換基のために膨潤しそして突然破裂し
て小粒子になり、それらは小粒子のために処理マ
シン内に妨害をもたらさずしかもフイルターの助
けで容易に除去されうるという事実に基づいてい
る。感光されたレジストフイルムのこの分解に基
づいてストリツピング工程は第一に非常に迅速
に、一般には既知のレジスト材料よりも約２〜３
倍も速く実施されうる。第二には臨界域すなわち
非常に微細な線構造を有する地域または強く上部
に鍍金された（overplated）領域がこの短時間内
に残留物を伴わずに除去されうる。既知のレジス
ト材料ではストリツピング溶液を濃く噴霧するに
もかかわらず、しばしばレジストの各部分が鍍金
された回路の線の間に残留し、したがつてたとえ
ば基体の銅のエツチング処理のような回路板のさ
らに別の処理をそこなつたりまたは不可能にさせ
る。 良好な洗い落とし特性、前記単量体による安定
なレリーフ画像および改良されたストリツピング
作用を有するレジスト材料を得ることが可能であ
つたということは２つの点で驚くべきことであつ
た。 すなわち芳香族親水性置換基を含有する光重合
体がアルカリ性水溶液の現像液に対しては十分に
疎水性であろうとは予想されなかつたことであつ
た。すなわちそれらは現像工程中に攻撃されるこ
とはないであろうということおよびそれらは膨潤
しないであろうということであつた。しかしなが
ら驚くべきことに芳香族の水酸基、メルカプト基
またはスルホンアミド基を含有する単量体を使用
する場合には現像液中における水性−アルカリ性
可溶性結合剤の膨潤が、完全な安定レリーフを得
るための選択現像が可能であるような程度にまで
露光によつて減少されうるということが見出され
た。 たとえばドイツ特許明書細第1098197号および
米国特許明細書第3629197号から、芳香族水酸基
を有する化合物が重合抑制剤および／または光酸
化剤として使用され、他方、芳香族メルカプト基
を有する化合物が重合度を低下させるのに使用さ
れるということは一般に知られている。したがつ
てこの分野の専門家ならばかかる基を含有する単
量体は光感受性層において不適切に交叉結合する
だけであり、したがつて結合剤は少なくとも部分
的に露光領域中においても洗い落とされるという
ことを予期するにちがいない。またこの予断はド
イツ特許明細書第1232020号、ドイツ特許明細書
第1522362号およびドイツ特許公開明細書第
2446056号の各明細書によつて確認される。ドイ
ツ特許第1232020号明細書において色形成基とし
てフエノール環およびナフトール環を含有する色
形成単量体は保護されている。この特許明細書の
第８欄からは露光中において単に低い重合度の重
合だけが達成され、本質的にはただ二重体および
三重体が形成されるものであることが理解できる
であろう。云い換えれば画像の露光部分は不溶性
にならず、つまり層は交叉結合されずにむしろ各
単量体の拡散動作だけが減少されるということで
ある。画像の製作は結合剤ではなくて単量体を選
択的に溶解する溶媒を使用して未露光領域の単量
体をすつかり溶解することによりなされるが、こ
のことは得られた低重合度ではレリーフの生成は
不可能であることを意味している。 ドイツ特許公告明細書第1522362号から本質的
な配合剤としての結合剤を含み、これと例えば不
飽和ポリエステルのような交叉結合可能な基と、
単量体と光重合開始剤との光重合可能な混合物が
知られている。そして、適当な単量体としてビニ
ルフエノールおよびジヒドロキシスチレンが挙げ
られている。しかしながらこの特許出願によれば
もしも結合剤にかかる交叉結合可能な基が充分に
多数の数で含まれているとして充分な光による交
叉結合が達成しうるだけで、さもなければ唯のゲ
ル様の状態が達成しうるにすぎないのである。そ
れ故に高い交叉結合度を要する用途のためにかか
る単量体を交叉結合しうる基を含まない結合剤と
組合わせて用いることについては自明のことであ
るとは云えないのである。 ドイツ特許公開明細書第2446056号からは完全
に水性の現像可能な光重合可能な混合物であつ
て、とり分け芳香族性スルホンアミド基を有する
単量体を含むものが知られている。そこではかか
る材料は現像剤溶液中で強く膨潤することから不
利であることが言及されている。このことは層の
不充分な交叉結合を示すものでそのことにより現
像剤溶液が層の中に拡散することを許容し、膨潤
することになるのである。それ故にこの分野の専
門知識を有する者はこれらの事実から、親水性基
を有する単量体は、露光された領域において求め
られる高度の交叉結合には到達できずまた疎水性
の挙動を示しえないとの理由で、この発明におい
て必要とされる要求のために不適当なものである
と考えざるを得なかつたのである。 以下に本発明を実施例によりさらに例示する。 実施例 １ 以下の組成： メチレンクロライド 80ml メタノール ３ml メチルメタクリレート、エチルアクリレート、ア
クリル酸（55／38／７重量部）からなり、平均分
子量が30000である共重合物 14.60ｇ １−（ｐ−ヒドロキシ安息香酸）−２−ヒドロキシ
−３−メタクルイロイル−プロパン 5.40ｇ ヒドロキノンモノメタクリレート 6.60ｇ ベンジルジメチルケタール 1.20ｇ ４，4′−ビス（ジエチルアミノ）−ベンゾフエノ
ンとＮ−エチル−１−ナフチルアミンとの反応に
より製造される１種のトリフエニルメタン染料で
あるビクトリアブルー 0.025ｇ からなる被覆のための溶液を、乾燥後の層の厚さ
が40μｍとなるようにポリエチレンテレフタレー
トフイルム上に塗布する。ついでその上にポリエ
チレンからなる、厚さが25μｍの透明なカバーシ
ートをラミネートする。 さらに続く処理ではカバーシートを除去後フオ
レジスト（＝感光性耐食膜）フイルムは基材上に
ラミネートされ、60℃で35μｍ厚さの銅フイルム
で被覆されついで65cmの距離で65秒間、金属ハラ
イドランプ（1000ワツト）でラインパターン（線
の幅は25μｍ〜250μｍ）を通して感光される。 現像は30℃で40秒間１重量％の水性Na2CO3溶
液でスプレープロセツサーにより実施される。 40μｍの線解像力を有するレリーフが得られる
が、その画像の露光部分はアンダーカツテイング
を全く示さず、すなわちレジストエツジが垂直に
形成される。ついで通常の方法にしたがつて最初
に銅を50μｍの厚さで、ついで錫／鉛を10μｍの
厚さでめつきされる。 オーパープレーテイングはほぼ20μｍである。
このオーバープレートされたプレートのストリツ
ピングのためにこのプレートを60℃で３重量％の
水性KOH溶液の浴中に浸せきする。20秒後重合
層が激しく膨潤し始めそして分解し出してついに
は非常に小さな粒子になる。30秒後このプレート
に水流を噴霧する。このレジスト層は75μｍのラ
イン幅までの状態で残留物を伴わず、完全にプレ
ートから除去される。ついで基板の銅は既知方法
にしたがつてエツチングされうる。 同様にオーバープレートされたプレートはスト
リツピングマシン中で60℃において２重量％の水
性KOH溶液で噴霧される。26秒後その重合層は
ラインの幅が75μｍまでの細さで容易に除去しう
る小粒子の状態で残留物を伴わずに除去される。 実施例 ２ 以下の組成： メチレンクロライド 80ml メタノール ８ml メチルメタクリレート、アクリル酸、第３級オク
チルアクリルアミド、ヒドロキシプロピルメタク
リレート、第３級ブチルアミノエチルメタクリレ
ート（35／16／40／５／４重量部）からなる共重
合物 14.85ｇ トリエチレングリコールジメタクリレート4.85ｇ １−（ｐ−ヒドロキシ安息香酸）−２−ヒドロキシ
−３−メタクルイロイル−プロパン 7.29ｇ ジメチルアミノ安息香酸エチルエステル 2.25ｇ クロロチオキサントン 0.9ｇ ４，4′−ビス（ジエチルアミノ）−ベンゾフエノ
ンとＮ−エチル−１−ナフチルアミンとの反応に
より製造される１種のトリフエニルメタン染料で
あるビクトリアブルー 0.025ｇ からなる被覆のための溶液を、乾燥後の層の厚さ
が40μｍであるようにポリエチレンテレフタレー
トフイルム上に塗布し、ついでその上にポリエチ
レンからなる、厚さが25μｍの透明なカバーシー
トをラミネートする。 さらに続く処理ではカバーシートを除去後フオ
レジストフイルムは基材上にラミネートされ、60
℃で35μｍ厚さの銅フイルムで被覆されついで前
記実施例１のデータにしたがつて35秒間露光され
る。 現像は30℃で40秒間１重量％の水性のNa2CO3
溶液でスプレープロセツサーにより実施される。 40μｍまでの線解像力を伴うレリーフが得られ
る。その画像の露光部分はアンダーカツテイング
を全く示さないが、これはレジストエツジが垂直
に生成されるということである。 ついで常套法にしたがつて最初に銅を50μｍの
厚さで、ついで錫／鉛を10μｍの厚さでめつきす
る。オーパープレーテイングは約20μｍである。 ついでこのオーバープレートされた板のストリ
ツプのためにプレートを60℃で15重量％KOHの
浴中に浸せきさせる。20大後重合層が激しく膨潤
し始めそして分解し出して、ついには非常に小さ
な粒子になる。30秒後そのプレートに水流を噴霧
する。これらのレジスト層は75μｍのライン幅ま
での状態で残留物を伴わずに完全にプレートから
除去される。ついで基板の銅は既知方法にしたが
つてエツチングされうる。 実施例 ３ 以下の組成： メチレンクロライド 80ml メタノール ３ml メチルメタクリレート、エチルアクリレート、ア
クリル酸（55／38／７重量部）からなり、平均分
子量が30000である共重合物 14.6ｇ ヒドロキノンモノメタクリレート 12.0ｇ ベンジルジメチルケタール 1.2ｇ 0.05ｇの、１種のアミノアントラキノン染料で
あるオラセツトブルーからなる被覆のための溶液
を前記実施例１に記載のデータにしたがつて流し
込み、カバーシートを供給し、それを銅フイルム
で被覆された基材上にラミネートしついで実施例
１のデータにしたがつて90秒間感光させる。 現像は30℃で36秒間１重量％の水性Na2CO3溶
液でスプレープロセツサーにより実施される。 残留物のない状態で洗い落とされたパターンの
ネガが40μｍの線解像力で得られついでベースの
銅がアルカリ苛性溶液でエツチングマシン中にお
いて既知方法にしたがつてエツチングされる。つ
いで層除去のためにこのエツチングされたプレー
トを60℃で３重量％KOHの浴中に浸せきさせる。
25秒後に重合層が激しく膨潤し、表面から分離し
そして分解し始めて、ついには小粒子になる。水
流ですすいだ後にはこれらの層が完全に除去され
たボードが得られる。 実施例 ４ 以下の組成： メチレンクロライド 80ml メタノール ８ml メチルメタクリレート、エチルアクリレート、ア
クリル酸（55／38／７重量部）からなり、平均分
子量が30000である共重合物 10.6ｇ メチルメタクリレート、エチルアクリレート、ア
クリル酸（71／17／12重量部）からなり、平均分
子量が200000である共重合物 2.7ｇ ジ−（２−ヒドロキシ−３−メタクリロイルプロ
ピル）−５−ヒドロキシ−イソフタル酸エステル
13.3ｇ ベンジルジメチルケタール 2.75ｇ ４，4′−ビス（ジエチルアミノ）−ベンゾフエノ
ンとＮ−エチル−１−ナフチルアミンとの反応に
より製造される１種のトリフエニルメタン染料て
あるビクトリアブルー 0.025ｇ からなる被覆のための溶液を、前記実施例１に記
載のデータにしたがつて被覆し、カバーシートを
供給し、それを銅フイルムで被覆された基剤上に
ラミネートする。ついで露光および現像は実施例
３のデータにしたがつて実施する。 完全に洗い落とされた、パターンのネガは40μ
ｍの線解像力を示す。 常套手段にしたがつて銅は50μｍの厚さでめつ
きされる。このメツキされたボードのストリツプ
のためにこのめつきされた60℃で３重量％KOH
の浴中に浸せきされる。15秒後重合層は分離し、
分解して小粒子になる。水洗ですすいだ後にこれ
らの層が線解像力が＜80μｍの完全にストリツプ
されたボードが得られる。 実施例 ５ 以下の組成： メチレンクロライド 80ml メタノール ３ml メチルメタクリレート、エチルアクリレート、ア
クリル酸（55／38／７重量部）からなり、平均分
子量が30000である共重合物 14.6ｇ １−（ｐ−ヒドロキシ安息香酸）−２−ヒドロキシ
−３−メタクリロイル−プロパン 5.4ｇ ｐ−ヒドロキシメタクリルアニリド 6.6ｇ ベンジルジメチルケタール 1.2ｇ １種のアミノアントラキノン染料であるオラセツ
トブルー 0.05ｇ からなる被覆のための溶液を前記実施例１に記載
のデータにしたがつて流し込み、カバーシートを
供給し、それを銅フイルムで被覆された基材上に
ラミネートしついで実施例１のデータにしたがつ
て180秒間感光させる。 現像は35℃で30秒間１重量％Na2CO3の溶液で
スプレープロセツサーにより実施される。 完全に洗い落とされた、パターンのネガは垂直
に生成されたエツジおよび40μｍの線解像力を有
する。ついで銅は常套手段で50μｍの厚さでめつ
きされる。このメツキされたボードのストリツプ
のためにこの３重量％KOHを含有する浴中に浸
せきさせる。15秒後にはすでに重合層が最も微細
画像から非常に小さな粒子の形態で除去され、よ
り大きな画像は20〜25秒後に分解して非常に小さ
な粒子になる。水流ですすいだ後に線解像力が
75μｍのライン幅までの細さの状態で完全にスト
リツプされたボードが得られる。 実施例 ６ 以下の組成： メチレンクロライド 80ml メタノール ３ml メチルメタクリレート、エチルアクリレート、ア
クリル酸（55／38／７重量部）からなり、平均分
子量が30000である共重合物 14.60ｇ ベンジルジメチルケタール 1.2ｇ １種のアミノアントラキノン染料であるオラセツ
トブルー 0.05ｇ からなる被覆のための溶液をＡおよびＢの２つの
部分に分ける。Ａ部分には以下のもの： １−（ｐ−ヒドロキシ安息香酸）−２−ヒドロキシ
−３−メタクリロイル−プロパン(a) 5.4ｇ ヒドロキノンメタクリレート(b) 6.6ｇ を加えそしてＢ部分には以下のもの： １−安息香酸−ヒドロキシ−３−メタクリロイル
−プロパン(c) 5.4ｇ および フエノールメタクリレート(d) 6.6ｇ を加え、これら溶液を前記実施例１に記載のデー
タにしたがつて塗布し、カバーシートを供給しつ
いで銅フイルムで被覆された基材上にラミネート
しそして露光させる。 現像は30℃で40秒間１重量％のNa2CO3溶液で
スプレープロセツサーにより実施される。 ついで銅が通常の方法で50μｍの厚さでめつき
される。 ストリツピングのためにはこれらのプレートを
３重量％のKOHを含有する浴中に浸せきさせる。 プレートのＡおよびＢの層除去作用は表１に要
約されている。
よび、C1〜C4アルキルで置換されたフエニル、
ｎは０〜６そして n1は１〜２を表わす） に相当する化合物である。 前記式で表される代表的な単量体の例としてた
とえば以下のものがあげられる。 ２−ヒドロキシフエニルアクリレート、 ３−ヒドロキシフエニルアクリレート、 ４−ヒドロキシフエニルアクリレート、 ２−クロロ−４−ヒドロキシフエニルアクリレ
ート、 ３−クロロ−４−ヒドロキシフエニルアクリレ
ート、 ２−メトキシ−４−ヒドロキシフエニルアクリ
レート、 ３−メトキシ−４−ヒドロキシフエニルアクリ
レート、 Ｎ−（２−ヒドロキシフエニル）−アクリルアミ
ド、 Ｎ−（２−ヒドロキシフエニル）−アクリルアミ
ド、 Ｎ−（４−ヒドロキシフエニル）−アクリルアミ
ド、 ２−メルカプトフエニルアクリレート、 ３−メルカプトフエニルアクリレート、 ４−メルカプトフエニルアクリレート、 Ｎ−（４−メルカプトフエニル）−アクリルアミ
ド、 Ｎ−（２−メルカプトフエニル）−アクリルアミ
ド、 ４−アクリロイルベンゼンスルホン酸アミド、 ４−アクリルアミドベンゼンスルホン酸アミ
ド、 ４−アクリロイルベンゼンスルホン酸アニリ
ド、 ４−アクリルアミドベンゼンスルホン酸アニリ
ド、 １，２−ジ−アクリロイル−３−ヒドロキシベ
ンゼン、 １，２−ジ−アクリロイル−４−ヒドロキシベ
ンゼン、 １，３−ジ−アクリロイル−５−ヒドロキシベ
ンゼン、 ２，４−ジヒドロキシアクリルアニリド、 ｏ−，ｍ−，ｐ−ビニルフエノール、 Ｎ−メチル−（ｐ−ビニル）−ベンゼンスルホン
アミド、 １−（２−ヒドロキシ安息香酸）−２−ヒドロキ
シ−３−アクリロイルプロパン、 １−（４−ヒドロキシ安息香酸）−２−ヒドロキ
シ−３−アクリロイルプロパン、 １−（２，４−ヒドロキシ安息香酸）−２−ヒド
ロキシ−３−アクリロイルプロパン、 １−（３，５−ジヒドロキシ安息香酸）−２−ヒ
ドロキシ−３−アクリロイルプロパン、 １−（２−ヒドロキシ安息香酸）−２−アクリロ
イルエタン、 １−（４−ヒドロキシ安息香酸）−２−アクリロ
イルエタン、 １−（２−メルカプト安息香酸）−２−ヒドロキ
シ−３−アクリロイルプロパン、 １−（２−ヒドロキシ−３−ナフトエ酸）−２−
ヒドロキシ−３−アクリロイルプロパン、 ２−アクリロイル−７−ヒドロキシナフタリ
ン、 （２−ヒドロキシ−３−アクリロイルプロピ
ル）−エンボン酸ジエステル。 前記アクリル化合物の代りに相当するメタクリ
ル化合物を使用することもできる。 特に好ましい単量体はｐ−ヒドロキシメタクリ
ルアニリド、ヒドロキノンモノメタクリレート、
１−（４−ヒドロキシ安息香酸）−２−ヒドロキシ
−３−メタクリロイル−プロパン、１−（２−ヒ
ドロキシ安息香酸）−２−ヒドロキシ−３−メタ
クリロイル−プロパンおよびジ−（２−ヒドロキ
シ−３−アクリロイルプロピル）−５−ヒドロキ
シ−イソフタル酸エステルである。 前記単量体は既知方法にしたがつてたとえば
OH−、SH−または−SO2NH2の基で置換され
た芳香族カルボン酸とエポキシ置換のアクリル酸
および／またはメタクリル酸の誘導体との反応に
よりあるいはアクリル酸クロライドまたはメタク
リル酸クロライドによる多官能性フエノール類ま
たはチオフエノール類の部分的な酸素−アシル化
および／または硫黄−アシル化により製造されう
る。ついで本発明にしたがつて使用されうる２種
の代表的な単量体の製法を以下に記載する。 １ ヒドロキノンモノメタクリレートの製法 220ｇ（２モル）のヒドロキノンおよび87ml
（１モル）のメタクリル酸を１のジイソプロ
ピルエーテル中において還流温度（68℃）にす
る。これに１時間かかつて91ml（１モル）のオ
キシ塩化亜リンを滴々と加える。この混合物を
さらに30時間還流に保持すると強いHClの流れ
が発生する。室温に冷却後そのエーテル相を
250mlの蒸留水で４回洗浄しついでCaCl2で乾
燥させる。エーテルを除去後に黄色がかつた油
状液体が残留するが、これは室温に冷却すると
晶出する。この得られた粗生成物を150mlとイ
ソプロパノールに溶解しついでその溶液を強く
撹拌しながら３の蒸留水に滴加する。沈殿し
た粗生成物を去しついで真空中で50°で乾燥
させる。収量：102.1ｇ−理論値の57.4％、融
点：112〜119℃。 ２ １−（４−ヒドロキシ安息香酸）−２−ヒドロ
キシ−３−メタクリロイル−プロパンの製法 71ｇ（0.5モル）のグリシジルメタクリレー
ト、69ｇ（0.5モル）のｐ−ヒドロキシ安息香
酸、3.3ｇのｐ−メトキシフエノールおよび1.1
ｇのベンジルトリエチルアンモニウムクロライ
ドからなる混合物を撹拌しながら90℃に加熱す
る。開始反応は強い反応熱により目だつ。この
温度は氷で冷却しながら120℃に保持される。
ついで１時間以上80℃で撹拌する。化合物は澄
んでいて、僅かに黄色で、非常に粘稠性である
物質として生成されるが、これは室温に冷却す
るとガラスになる。 これら単量体は単独であるいはお互いの混合物
で使用できる。 また一定の性質を得るには本発明による単量体
は他の既知単量体と組み合わせて使用することも
できる。 光重合性混合物中の各単量体の全量は混合物の
全成分の10〜80重量％である。 光重合性混合物を製造するにはアルカリ水溶液
中において可溶性でありそして／または膨潤しう
るすべての既知である非水溶性結合剤が使用され
うる。かかる結合剤はしばしばたとえば酸無水
物、カルボキシルまたはスルホン酸の基のよう
な、それら結合剤をアルカリ中で可溶性にする基
を含有する。このような結合剤の例としてはアク
リル酸および／またはメタクリル酸からなる重合
体あるいはそれらの他の単量体たとえばアクリル
酸エステルまたは他のアクリル誘導体、ビニル化
合物（たとえばビニルエーテル、ビニルアセテー
トまたはそれのけん化生成物、スチレン、ビニル
ピロリドン、ブタジエンおよび類似単量体）との
共重合体、ポリアクリル酸無水物、あるいはマレ
イン酸無水物、マレイン酸、マレイン酸半エステ
ル、マレイン酸半アミドおよび／または無水物お
よびたとえばイタコン酸のような類似化合物の誘
導体たとえばスチレン、ビニルエーテル類、ビニ
ルアセテート類などのような適当なコモノマーと
の共重合物をあげることができる。 結合剤の量は一般的には混合物の全成分に関し
て20〜90重量％である。 光開始剤としては実際にはこの目的のために既
知の全化合物を使用することができる。付加重合
を開始させる光開始剤系は１種または数種の化合
物を含有することができ、これら化合物は放射に
よりあるいはそれらが放射で活性化される増感剤
により励起された後に活性化されるならば直接フ
リーラジカルを提供する。適当な光開始剤およ
び／または開始剤系の例としてはたとえばベンゾ
フエノン／ミヒラーケトン、ヘキサアリールビス
イミダゾール／メルカプトベンゾキサゾール、置
換チオキサントン／第３級アミン、たとえばｐ−
ジメチルアミノ安息香酸エチルエステルおよびベ
ンジルジメチルケタールがある。ケタール−構造
またはチオキサントン／第３級アミン系を有する
開始剤が特に適当であることが見出された。 フリーラジカルを生成する光開始剤系の濃度は
混合物の全成分に関して約0.01〜10重量％である
のが好ましい。 光重合性混合物およびそれらから製造される記
録材料はたとえば染料および顔料並びにたとえば
可塑剤、接着促進剤などのようなその他の添加剤
であるさらに別の添加剤を含有することができ
る。 本発明による光重合性混合物は好ましくは適当
な支持体上で記録材料を形づくる光感受性層の形
態で用いられる。 適当な支持体の例としてはたとえば紙、金属基
体、ガラスおよびセラミツク基体とともにたとえ
ばポリエチレン、ポリプロピレン、ポリカーボネ
ート、ポリアミド、ポリエステルなどのような合
成フイルムの支持体をあげることができる。 本発明による光重合性混合物はレジスト物質を
製造するのに使用するのが特に有利である。 このためには感光性混合物を好ましくは合成フ
イルムである透明な一時的支持体に適用しそして
必要により除去しうる合成フイルムをカバーシー
トとしてラミネートする。レジストの画像を作る
ためにはもし存在するならばそのカバーシートを
除去しそして一時的な支持体上に置かれた感光性
層を、通常の場合はしばしば銅表面である永久の
支持体上にラミネートされる。ついでこの物質は
通常の方法で露光される。このことは一時的な支
持体を通じて実施されうるか、さらにまた一時的
な支持体を除去した後に光重合性混合物と直接、
接触させて実施されうる。もしも露光が一時的な
支持体を通して行なわれる場合には後者の支持体
は露光後に除去されそしてその露光された層は現
像される。 現像は画像の重合されなかつた部分をたとえば
噴霧、ブラツシングなどのような既知方法にした
がつてアルカリ水溶液で洗い落とすことによりな
される。それら溶液のPH−値は９〜11の範囲でな
ければならない。現像溶液として適当なアルカリ
はアルカリの炭酸塩、硼酸塩、珪酸塩およびアル
カリ水酸化物並びに既知の炭酸塩緩衝系、硼酸塩
緩衝系およびリン酸塩緩衝系である。現像液はさ
らに表面活性物質を含有することができる。 この現像処理の後でこの物質は更に鍍金または
エツチングのために既知の方法を用いる常套手段
で処理される。 ついで永久の支持体上に残留する重合された層
はそれを約13のPH−値を有するアルカリ性ストリ
ツピング溶液で処理することにより容易に完全除
去されうる。ストリツピング溶液としては一般
に、１〜20重量％アルカリ水酸化物を含有する強
アルカリ性水溶液が使用される。ストリツピング
工程は普通連続マシンまたはタンク中において
30°〜90℃の高められた温度好ましくは40°〜80℃
で実施される。 前記の光重合性混合物およびそれらから製造さ
れる記録材料はレリーフ材料へのすべて既知の適
用のために使用されうる。しかしながら、それら
のより優れた作用に基づいてそれらはプリント回
路製造用のレジスト材料として使用されるのが好
ましい。 このより優れたストリツピング作用は感光中に
生成される重合体がストリツピング溶液中の芳香
族親水性置換基のために膨潤しそして突然破裂し
て小粒子になり、それらは小粒子のために処理マ
シン内に妨害をもたらさずしかもフイルターの助
けで容易に除去されうるという事実に基づいてい
る。感光されたレジストフイルムのこの分解に基
づいてストリツピング工程は第一に非常に迅速
に、一般には既知のレジスト材料よりも約２〜３
倍も速く実施されうる。第二には臨界域すなわち
非常に微細な線構造を有する地域または強く上部
に鍍金された（overplated）領域がこの短時間内
に残留物を伴わずに除去されうる。既知のレジス
ト材料ではストリツピング溶液を濃く噴霧するに
もかかわらず、しばしばレジストの各部分が鍍金
された回路の線の間に残留し、したがつてたとえ
ば基体の銅のエツチング処理のような回路板のさ
らに別の処理をそこなつたりまたは不可能にさせ
る。 良好な洗い落とし特性、前記単量体による安定
なレリーフ画像および改良されたストリツピング
作用を有するレジスト材料を得ることが可能であ
つたということは２つの点で驚くべきことであつ
た。 すなわち芳香族親水性置換基を含有する光重合
体がアルカリ性水溶液の現像液に対しては十分に
疎水性であろうとは予想されなかつたことであつ
た。すなわちそれらは現像工程中に攻撃されるこ
とはないであろうということおよびそれらは膨潤
しないであろうということであつた。しかしなが
ら驚くべきことに芳香族の水酸基、メルカプト基
またはスルホンアミド基を含有する単量体を使用
する場合には現像液中における水性−アルカリ性
可溶性結合剤の膨潤が、完全な安定レリーフを得
るための選択現像が可能であるような程度にまで
露光によつて減少されうるということが見出され
た。 たとえばドイツ特許明書細第1098197号および
米国特許明細書第3629197号から、芳香族水酸基
を有する化合物が重合抑制剤および／または光酸
化剤として使用され、他方、芳香族メルカプト基
を有する化合物が重合度を低下させるのに使用さ
れるということは一般に知られている。したがつ
てこの分野の専門家ならばかかる基を含有する単
量体は光感受性層において不適切に交叉結合する
だけであり、したがつて結合剤は少なくとも部分
的に露光領域中においても洗い落とされるという
ことを予期するにちがいない。またこの予断はド
イツ特許明細書第1232020号、ドイツ特許明細書
第1522362号およびドイツ特許公開明細書第
2446056号の各明細書によつて確認される。ドイ
ツ特許第1232020号明細書において色形成基とし
てフエノール環およびナフトール環を含有する色
形成単量体は保護されている。この特許明細書の
第８欄からは露光中において単に低い重合度の重
合だけが達成され、本質的にはただ二重体および
三重体が形成されるものであることが理解できる
であろう。云い換えれば画像の露光部分は不溶性
にならず、つまり層は交叉結合されずにむしろ各
単量体の拡散動作だけが減少されるということで
ある。画像の製作は結合剤ではなくて単量体を選
択的に溶解する溶媒を使用して未露光領域の単量
体をすつかり溶解することによりなされるが、こ
のことは得られた低重合度ではレリーフの生成は
不可能であることを意味している。 ドイツ特許公告明細書第1522362号から本質的
な配合剤としての結合剤を含み、これと例えば不
飽和ポリエステルのような交叉結合可能な基と、
単量体と光重合開始剤との光重合可能な混合物が
知られている。そして、適当な単量体としてビニ
ルフエノールおよびジヒドロキシスチレンが挙げ
られている。しかしながらこの特許出願によれば
もしも結合剤にかかる交叉結合可能な基が充分に
多数の数で含まれているとして充分な光による交
叉結合が達成しうるだけで、さもなければ唯のゲ
ル様の状態が達成しうるにすぎないのである。そ
れ故に高い交叉結合度を要する用途のためにかか
る単量体を交叉結合しうる基を含まない結合剤と
組合わせて用いることについては自明のことであ
るとは云えないのである。 ドイツ特許公開明細書第2446056号からは完全
に水性の現像可能な光重合可能な混合物であつ
て、とり分け芳香族性スルホンアミド基を有する
単量体を含むものが知られている。そこではかか
る材料は現像剤溶液中で強く膨潤することから不
利であることが言及されている。このことは層の
不充分な交叉結合を示すものでそのことにより現
像剤溶液が層の中に拡散することを許容し、膨潤
することになるのである。それ故にこの分野の専
門知識を有する者はこれらの事実から、親水性基
を有する単量体は、露光された領域において求め
られる高度の交叉結合には到達できずまた疎水性
の挙動を示しえないとの理由で、この発明におい
て必要とされる要求のために不適当なものである
と考えざるを得なかつたのである。 以下に本発明を実施例によりさらに例示する。 実施例 １ 以下の組成： メチレンクロライド 80ml メタノール ３ml メチルメタクリレート、エチルアクリレート、ア
クリル酸（55／38／７重量部）からなり、平均分
子量が30000である共重合物 14.60ｇ １−（ｐ−ヒドロキシ安息香酸）−２−ヒドロキシ
−３−メタクルイロイル−プロパン 5.40ｇ ヒドロキノンモノメタクリレート 6.60ｇ ベンジルジメチルケタール 1.20ｇ ４，4′−ビス（ジエチルアミノ）−ベンゾフエノ
ンとＮ−エチル−１−ナフチルアミンとの反応に
より製造される１種のトリフエニルメタン染料で
あるビクトリアブルー 0.025ｇ からなる被覆のための溶液を、乾燥後の層の厚さ
が40μｍとなるようにポリエチレンテレフタレー
トフイルム上に塗布する。ついでその上にポリエ
チレンからなる、厚さが25μｍの透明なカバーシ
ートをラミネートする。 さらに続く処理ではカバーシートを除去後フオ
レジスト（＝感光性耐食膜）フイルムは基材上に
ラミネートされ、60℃で35μｍ厚さの銅フイルム
で被覆されついで65cmの距離で65秒間、金属ハラ
イドランプ（1000ワツト）でラインパターン（線
の幅は25μｍ〜250μｍ）を通して感光される。 現像は30℃で40秒間１重量％の水性Na2CO3溶
液でスプレープロセツサーにより実施される。 40μｍの線解像力を有するレリーフが得られる
が、その画像の露光部分はアンダーカツテイング
を全く示さず、すなわちレジストエツジが垂直に
形成される。ついで通常の方法にしたがつて最初
に銅を50μｍの厚さで、ついで錫／鉛を10μｍの
厚さでめつきされる。 オーパープレーテイングはほぼ20μｍである。
このオーバープレートされたプレートのストリツ
ピングのためにこのプレートを60℃で３重量％の
水性KOH溶液の浴中に浸せきする。20秒後重合
層が激しく膨潤し始めそして分解し出してついに
は非常に小さな粒子になる。30秒後このプレート
に水流を噴霧する。このレジスト層は75μｍのラ
イン幅までの状態で残留物を伴わず、完全にプレ
ートから除去される。ついで基板の銅は既知方法
にしたがつてエツチングされうる。 同様にオーバープレートされたプレートはスト
リツピングマシン中で60℃において２重量％の水
性KOH溶液で噴霧される。26秒後その重合層は
ラインの幅が75μｍまでの細さで容易に除去しう
る小粒子の状態で残留物を伴わずに除去される。 実施例 ２ 以下の組成： メチレンクロライド 80ml メタノール ８ml メチルメタクリレート、アクリル酸、第３級オク
チルアクリルアミド、ヒドロキシプロピルメタク
リレート、第３級ブチルアミノエチルメタクリレ
ート（35／16／40／５／４重量部）からなる共重
合物 14.85ｇ トリエチレングリコールジメタクリレート4.85ｇ １−（ｐ−ヒドロキシ安息香酸）−２−ヒドロキシ
−３−メタクルイロイル−プロパン 7.29ｇ ジメチルアミノ安息香酸エチルエステル 2.25ｇ クロロチオキサントン 0.9ｇ ４，4′−ビス（ジエチルアミノ）−ベンゾフエノ
ンとＮ−エチル−１−ナフチルアミンとの反応に
より製造される１種のトリフエニルメタン染料で
あるビクトリアブルー 0.025ｇ からなる被覆のための溶液を、乾燥後の層の厚さ
が40μｍであるようにポリエチレンテレフタレー
トフイルム上に塗布し、ついでその上にポリエチ
レンからなる、厚さが25μｍの透明なカバーシー
トをラミネートする。 さらに続く処理ではカバーシートを除去後フオ
レジストフイルムは基材上にラミネートされ、60
℃で35μｍ厚さの銅フイルムで被覆されついで前
記実施例１のデータにしたがつて35秒間露光され
る。 現像は30℃で40秒間１重量％の水性のNa2CO3
溶液でスプレープロセツサーにより実施される。 40μｍまでの線解像力を伴うレリーフが得られ
る。その画像の露光部分はアンダーカツテイング
を全く示さないが、これはレジストエツジが垂直
に生成されるということである。 ついで常套法にしたがつて最初に銅を50μｍの
厚さで、ついで錫／鉛を10μｍの厚さでめつきす
る。オーパープレーテイングは約20μｍである。 ついでこのオーバープレートされた板のストリ
ツプのためにプレートを60℃で15重量％KOHの
浴中に浸せきさせる。20大後重合層が激しく膨潤
し始めそして分解し出して、ついには非常に小さ
な粒子になる。30秒後そのプレートに水流を噴霧
する。これらのレジスト層は75μｍのライン幅ま
での状態で残留物を伴わずに完全にプレートから
除去される。ついで基板の銅は既知方法にしたが
つてエツチングされうる。 実施例 ３ 以下の組成： メチレンクロライド 80ml メタノール ３ml メチルメタクリレート、エチルアクリレート、ア
クリル酸（55／38／７重量部）からなり、平均分
子量が30000である共重合物 14.6ｇ ヒドロキノンモノメタクリレート 12.0ｇ ベンジルジメチルケタール 1.2ｇ 0.05ｇの、１種のアミノアントラキノン染料で
あるオラセツトブルーからなる被覆のための溶液
を前記実施例１に記載のデータにしたがつて流し
込み、カバーシートを供給し、それを銅フイルム
で被覆された基材上にラミネートしついで実施例
１のデータにしたがつて90秒間感光させる。 現像は30℃で36秒間１重量％の水性Na2CO3溶
液でスプレープロセツサーにより実施される。 残留物のない状態で洗い落とされたパターンの
ネガが40μｍの線解像力で得られついでベースの
銅がアルカリ苛性溶液でエツチングマシン中にお
いて既知方法にしたがつてエツチングされる。つ
いで層除去のためにこのエツチングされたプレー
トを60℃で３重量％KOHの浴中に浸せきさせる。
25秒後に重合層が激しく膨潤し、表面から分離し
そして分解し始めて、ついには小粒子になる。水
流ですすいだ後にはこれらの層が完全に除去され
たボードが得られる。 実施例 ４ 以下の組成： メチレンクロライド 80ml メタノール ８ml メチルメタクリレート、エチルアクリレート、ア
クリル酸（55／38／７重量部）からなり、平均分
子量が30000である共重合物 10.6ｇ メチルメタクリレート、エチルアクリレート、ア
クリル酸（71／17／12重量部）からなり、平均分
子量が200000である共重合物 2.7ｇ ジ−（２−ヒドロキシ−３−メタクリロイルプロ
ピル）−５−ヒドロキシ−イソフタル酸エステル
13.3ｇ ベンジルジメチルケタール 2.75ｇ ４，4′−ビス（ジエチルアミノ）−ベンゾフエノ
ンとＮ−エチル−１−ナフチルアミンとの反応に
より製造される１種のトリフエニルメタン染料て
あるビクトリアブルー 0.025ｇ からなる被覆のための溶液を、前記実施例１に記
載のデータにしたがつて被覆し、カバーシートを
供給し、それを銅フイルムで被覆された基剤上に
ラミネートする。ついで露光および現像は実施例
３のデータにしたがつて実施する。 完全に洗い落とされた、パターンのネガは40μ
ｍの線解像力を示す。 常套手段にしたがつて銅は50μｍの厚さでめつ
きされる。このメツキされたボードのストリツプ
のためにこのめつきされた60℃で３重量％KOH
の浴中に浸せきされる。15秒後重合層は分離し、
分解して小粒子になる。水洗ですすいだ後にこれ
らの層が線解像力が＜80μｍの完全にストリツプ
されたボードが得られる。 実施例 ５ 以下の組成： メチレンクロライド 80ml メタノール ３ml メチルメタクリレート、エチルアクリレート、ア
クリル酸（55／38／７重量部）からなり、平均分
子量が30000である共重合物 14.6ｇ １−（ｐ−ヒドロキシ安息香酸）−２−ヒドロキシ
−３−メタクリロイル−プロパン 5.4ｇ ｐ−ヒドロキシメタクリルアニリド 6.6ｇ ベンジルジメチルケタール 1.2ｇ １種のアミノアントラキノン染料であるオラセツ
トブルー 0.05ｇ からなる被覆のための溶液を前記実施例１に記載
のデータにしたがつて流し込み、カバーシートを
供給し、それを銅フイルムで被覆された基材上に
ラミネートしついで実施例１のデータにしたがつ
て180秒間感光させる。 現像は35℃で30秒間１重量％Na2CO3の溶液で
スプレープロセツサーにより実施される。 完全に洗い落とされた、パターンのネガは垂直
に生成されたエツジおよび40μｍの線解像力を有
する。ついで銅は常套手段で50μｍの厚さでめつ
きされる。このメツキされたボードのストリツプ
のためにこの３重量％KOHを含有する浴中に浸
せきさせる。15秒後にはすでに重合層が最も微細
画像から非常に小さな粒子の形態で除去され、よ
り大きな画像は20〜25秒後に分解して非常に小さ
な粒子になる。水流ですすいだ後に線解像力が
75μｍのライン幅までの細さの状態で完全にスト
リツプされたボードが得られる。 実施例 ６ 以下の組成： メチレンクロライド 80ml メタノール ３ml メチルメタクリレート、エチルアクリレート、ア
クリル酸（55／38／７重量部）からなり、平均分
子量が30000である共重合物 14.60ｇ ベンジルジメチルケタール 1.2ｇ １種のアミノアントラキノン染料であるオラセツ
トブルー 0.05ｇ からなる被覆のための溶液をＡおよびＢの２つの
部分に分ける。Ａ部分には以下のもの： １−（ｐ−ヒドロキシ安息香酸）−２−ヒドロキシ
−３−メタクリロイル−プロパン(a) 5.4ｇ ヒドロキノンメタクリレート(b) 6.6ｇ を加えそしてＢ部分には以下のもの： １−安息香酸−ヒドロキシ−３−メタクリロイル
−プロパン(c) 5.4ｇ および フエノールメタクリレート(d) 6.6ｇ を加え、これら溶液を前記実施例１に記載のデー
タにしたがつて塗布し、カバーシートを供給しつ
いで銅フイルムで被覆された基材上にラミネート
しそして露光させる。 現像は30℃で40秒間１重量％のNa2CO3溶液で
スプレープロセツサーにより実施される。 ついで銅が通常の方法で50μｍの厚さでめつき
される。 ストリツピングのためにはこれらのプレートを
３重量％のKOHを含有する浴中に浸せきさせる。 プレートのＡおよびＢの層除去作用は表１に要
約されている。
【表】
上記表は本発明による単量体を使用する場合に
はストリツピングが２倍も速くしかも75μｍのラ
イン幅までの細い状態で実施されうることを示し
ている。 プレートＢに関しては150μｍ以下の幅のライ
ンはたとえ100秒間ストリツピング溶液中に浸せ
きさせてもストリツプされえない。 実施例 ７ 以下の組成： メチレンクロライド 90ml メタノール 10ml 第２級ブタノールで部分的にエステル化されたマ
レイン酸無水物およびスチレンからなる共重合物
6.75ｇ メチルメタクリレート、エチルアクリレート、ア
クリル酸（55／38／７重量部）からなる共重合物
5.95ｇ メチルメタクリレート、エチルアクリレート、ア
クリル酸（71／17／12重量部）からなり、平均分
子量が200000である共重合物 4.28ｇ ベンジルジメチルケタール 1.0ｇ メチルチオキサントン 0.18ｇ ジメチルアミノ安息香酸エチルエステル 0.85ｇ ４，4′−ビス（ジエチルアミノ）−ベンゾフエノ
ンとＮ−エチル−１−ナフチルアミンとの反応に
より製造される１種のトリフエニルメタン染料て
あるビクトリアブルー 0.02ｇ からなる被覆のための溶液をＡ、ＢおよびＣの３
つの部分に分ける。Ａ部分には6.27ｇのトリメチ
ロールプロパントリアクリレートおよび可塑剤と
しての0.95ｇのトリクレシルホスフエートを含有
する以外はＡ部分と同じである。Ｃ部分には以下
のもの： ジ−（２−ヒドロキシ−３−アクリロイルプロピ
ル）−５−ヒドロキシイソフタル酸エステル
4.27ｇ １−（ｏ−ヒドロキシ安息香酸）−２−ヒドロキシ
−３−メタクリロイル−プロパン 2.00ｇ トリクレシルホスフエート（可塑剤として）
0.95ｇ を加える。これらの被覆のための溶液を前記実施
例１に記載のデータにしたがつて塗布し、銅シー
トを供給しついで銅シートで被覆された基材上に
ラミネートすると１〜６mm直径のホールを示しそ
して前記実施例１のデータにしたがつて40秒間露
光させる。 現像は30℃で60秒間１重量％のNa2CO3溶液で
スプレープロセツサーにより実施される。 残留物のない洗い落とされたパターンのネガが
40μｍまで細さの線解像力で得られる。その後こ
のベースの銅はアルカリ性エツチング溶液でエツ
チングマシン中において既知方法にしたがつてエ
ツチングされる。ストリツピングのためにはこれ
らのエツチングされたＡ、ＢおよびＣのプレート
を60℃で３重量％のKOHの浴中に浸せきさせる。
ストリツピングに対する挙動は以下の表に要約さ
れている。
はストリツピングが２倍も速くしかも75μｍのラ
イン幅までの細い状態で実施されうることを示し
ている。 プレートＢに関しては150μｍ以下の幅のライ
ンはたとえ100秒間ストリツピング溶液中に浸せ
きさせてもストリツプされえない。 実施例 ７ 以下の組成： メチレンクロライド 90ml メタノール 10ml 第２級ブタノールで部分的にエステル化されたマ
レイン酸無水物およびスチレンからなる共重合物
6.75ｇ メチルメタクリレート、エチルアクリレート、ア
クリル酸（55／38／７重量部）からなる共重合物
5.95ｇ メチルメタクリレート、エチルアクリレート、ア
クリル酸（71／17／12重量部）からなり、平均分
子量が200000である共重合物 4.28ｇ ベンジルジメチルケタール 1.0ｇ メチルチオキサントン 0.18ｇ ジメチルアミノ安息香酸エチルエステル 0.85ｇ ４，4′−ビス（ジエチルアミノ）−ベンゾフエノ
ンとＮ−エチル−１−ナフチルアミンとの反応に
より製造される１種のトリフエニルメタン染料て
あるビクトリアブルー 0.02ｇ からなる被覆のための溶液をＡ、ＢおよびＣの３
つの部分に分ける。Ａ部分には6.27ｇのトリメチ
ロールプロパントリアクリレートおよび可塑剤と
しての0.95ｇのトリクレシルホスフエートを含有
する以外はＡ部分と同じである。Ｃ部分には以下
のもの： ジ−（２−ヒドロキシ−３−アクリロイルプロピ
ル）−５−ヒドロキシイソフタル酸エステル
4.27ｇ １−（ｏ−ヒドロキシ安息香酸）−２−ヒドロキシ
−３−メタクリロイル−プロパン 2.00ｇ トリクレシルホスフエート（可塑剤として）
0.95ｇ を加える。これらの被覆のための溶液を前記実施
例１に記載のデータにしたがつて塗布し、銅シー
トを供給しついで銅シートで被覆された基材上に
ラミネートすると１〜６mm直径のホールを示しそ
して前記実施例１のデータにしたがつて40秒間露
光させる。 現像は30℃で60秒間１重量％のNa2CO3溶液で
スプレープロセツサーにより実施される。 残留物のない洗い落とされたパターンのネガが
40μｍまで細さの線解像力で得られる。その後こ
のベースの銅はアルカリ性エツチング溶液でエツ
チングマシン中において既知方法にしたがつてエ
ツチングされる。ストリツピングのためにはこれ
らのエツチングされたＡ、ＢおよびＣのプレート
を60℃で３重量％のKOHの浴中に浸せきさせる。
ストリツピングに対する挙動は以下の表に要約さ
れている。
【表】
上記表は、層の除去される時間が増加された量
の可塑剤により短縮されるが、しかしながらこの
際には単にホールが最大で３mmの直径まで完全に
テンテツドされうるにすぎないような程度に機械
的性質が悪化することを示している。他方、前記
単量体を使用する場合には機械的性質をそこなわ
ずに容易に除去しうる小さな粒子の形態でしかも
より迅速に層を除去することが可能である。 実施例 ８ 以下の組成： メチレンクロライド 80ml メタノール ３ml メチルメタクリレート、エチルアクリレート、ア
クリル酸（55／38／７重量部）からなり、平均分
子量が10000である共重合物 14.6ｇ １−（ヒドロキシ珪皮酸）−２−ヒドロキシ−３−
メタクリロイル−プロパン 12.0ｇ ベンジルメチルケタール 1.2ｇ １種のアミノアントラキノン染料であるオラセツ
トブルー 0.02ｇ からなる被覆のための溶液を前記実施例１に記載
のデータにしたがつて塗布し、カバーシートを供
給しついで銅フイルムで被覆された基材上にラミ
ネートしそして実施例１の記載にしたがつて300
秒間露光させる。 現像は35℃で42秒間１重量％のNa2CO3溶液で
スプレープロセツサーにより実施する。 完全に洗い落とされたパターンのネガは垂直に
生成されたエツジおよび40μｍまでの細さの線解
像力を有する。 引き続きベースの銅はアルカリ性のエツチング
溶液でエツチングマシン中において既知方法にし
たがつてエツチングされる。 ストリツピングのためにはこのエツチングされ
たプレートを60℃で３重量％のKOHを含有する
浴中に浸せきさせる。20秒後重合層は激しく膨潤
し始めついで分解して小さな粒子になる。水流で
すすいだ後に完全にストリツプされたボードが得
られる。 実施例 ９ 以下の組成： メチレンクロライド 80ml メタノール ３ml メチルメタクリレート、エチルアクリレート、ア
クリル酸（55／38／７重量部）からなり、平均分
子量が30000である共重合物 14.6ｇ １−（２，４−ヒドロキシ安息香酸）−２−ヒドロ
キシ−３−メタクリロイル−プロパン 6.0ｇ トリメチロール−プロパン−トリアクリレート
6.0ｇ ベンジルメチルケタール 1.2ｇ １種のアミノアントラキノン染料であるオラセツ
トブルー 0.02ｇ からなる被覆のための溶液を、前記実施例に記載
のデータにしたがつて塗布し、カバーシートを供
給しついで銅フイルムで被覆された基材上にラミ
ネートしそして実施例１のデータにしたがつて10
秒間露光させる。 現像は35℃で30秒間１重量％のNa2CO3溶液で
スプレープロセツサーにより実施される。 完全に洗い落とされたパターンのネガは垂直に
生成されたエツジおよび40μｍまでの細さの線解
像力を有する。 ついで銅そして引き続き錫／鉛を通常の方法に
したがつて全体の厚さ40μｍでめつきする。スト
リツピングのためにこのめつきされたボードを20
秒間10重量％のKOHを含有する浴中に浸せきし
ついで水流ですすぐと重合層が分解して非常に小
さな粒子になる。80μｍ以下のライン幅までの細
さの線を有する完全にストリツプされたボードが
得られる。 実施例 10 以下の組成： メチレンクロライド 42ml メタノール ３ml 第２級ブタノールで部分的にエステル化されたマ
レイン酸無水物およびスチレンからなり、平均分
子量が10000である共重合物 4.04ｇ メチルメタクリレート、エチルアクリレート、ア
クリル酸（55／38／７重量部）からなり、平均分
子量が30000である共重合物 3.00ｇ メチルメタクリレート、エチルアクリレート、ア
クリル酸（71／17／12重量部）からなり、平均分
子量が200000からなる共重合物 2.25ｇ （４−メタクリルアミド）−ベンゼンスルホン酸
アニリド 3.0ｇ トリメチロールプロパントリアクリレート 1.5ｇ ベンジルメチルケタール 1.2ｇ １種のアミノアントラキノン染料であるオラセツ
トブルー 0.02ｇ からなる被覆のための溶液を前記実施例１に記載
のデータにしたがつて塗布し、カバーシートを供
給しついで銅フイルムで被覆された基材上にラミ
ネートしそして実施例１のデータにしたがつて40
秒間露光させる。 現像は30℃で120秒間１重量％のN2CO3溶液で
スプレープロセツサーにより実施される。 完全に洗い落とされたパターンのネガは垂直に
形成されたエツジおよび45μｍよりも良好な線解
像力を有する。次いで通常の方法に従つて銅を厚
さ50μｍとなるまでめつきした。ストリツピング
のためにはこのめつきされたボードを60℃で３重
量％のKOHを含有する浴中に浸せきさせる。10
秒の反応時間を経てその後に水流ですすぐと重合
層が分解しながらプレートから完全に分離して小
さな粒子になる。75μｍまでの細さのライン幅を
有する完全にストリツプされたボードが得られ、
基板の材料は既知方法にしたがつてエツチングに
より除去しうる。 実施例 11 以下の組成： メチレンクロライド 42ml メタノール ３ml 第２級ブタノールで部分的にエステル化されたマ
レイン酸無水物およびスチレンからなり、平均分
子量が10000である共重合物 4.04ｇ メチルメタクリレート、エチルアクリレート、ア
クリル酸（55／38／７重量部）からなり、平均分
子量が30000である共重合物 3.00ｇ メチルメタクリレート、エチルアクリレート、ア
クリル酸（71／17／12重量部）からなり、平均分
子量が200000である共重合物 2.25ｇ ２−メルカプト安息香酸−（２−ヒドロキシ−３
−メタクリルオキシ−プロピル）−エステル 3.0ｇ トリメチロールプロパントリアクリレート 1.5ｇ ベンジルジメチルケタール 1.2ｇ １種のアミノアントラキノン染料であるオラセツ
トブルー 0.02ｇ からなる被覆のための溶液を前記実施例１に記載
のデータにしたがつて塗布し、カバーシートを供
給しついで銅フイルムで被覆された基材上にラミ
ネートしそして実施例１のデータにしたがつて80
秒間露光させる。 現像は30℃で120秒間１重量％のN2CO3溶液で
スプレープロセツサーにより実施される。 完全に洗い落とされたパターンのネガ像は垂直
に形成されたエツジおよび40μｍまでの細さの線
解像力を有する。 ついで銅を通常の方法にしたがつて50μｍの厚
さでめつきする。ストリツピングのためにはこの
めつきされたボードを60℃で３重量％のKOHを
含有する浴中に浸せきさせる。15秒の反応時間を
経てその後に水流ですすぐと重合層が分解しなが
らボードから完全に分離して小さな粒子になる。
40μｍまでのライン幅で残留物なしで解像され、
基板の銅は既知方法にしたがつてエツチングで除
去しうる。 実施例 12 以下の組成： メチレンクロライド 42ml メタノール ３ml 第２級ブタノールで部分的にエステル化されたマ
レイン酸無水物およびスチレンからなり、平均分
子量が10000である共重合物 4.04ｇ メチルメタクリレート、エチルアクリレート、ア
クリル酸（55／38／７重量部）からなり、平均分
子量が30000である共重合物 3.00ｇ メチルメタクリレート、エチルアクリレート、ア
クリル酸（71／17／12重量部）からなり、平均分
子量が200000である共重合物 2.25ｇ ｏ−ビニルフエノール 3.0ｇ トリメチロールプロパントリアクリレート 1.5ｇ ベンジルジメチルケタール 1.2ｇ １種のアミノアントラキノン染料であるオラセツ
トブルー 0.02ｇ からなる被覆のための溶液を前記実施例１に記載
のデータにしたがつて塗布し、カバーシートを供
給しついで銅フイルムで被覆された基材上にラミ
ネートしそして実施例１のデータにしたがつて
180秒間露光させる。 現像は30℃で120秒間１重量％のN2CO3溶液で
スプレープロセツサーにより実施される。 完全に洗い落とされたパターンのネガ像は垂直
に形成されたエツジおよび40μｍの線解像力を有
する。 ついで銅の通常の方法にしたがつて50μｍの厚
さでめつきする。ストリツピングのためにはこの
めつきされたボードを60℃で３重量％のKOHを
含有する浴中に浸せきする。10秒の反応時間を経
てその後に水流ですすぐと重量層が分解しながら
ボードから完全に分離して小さな粒子になる。
75μｍまでのライン幅で残留物なしで解像され、
ベースの銅は既知方法にしたがつてエツチングさ
れうる。
の可塑剤により短縮されるが、しかしながらこの
際には単にホールが最大で３mmの直径まで完全に
テンテツドされうるにすぎないような程度に機械
的性質が悪化することを示している。他方、前記
単量体を使用する場合には機械的性質をそこなわ
ずに容易に除去しうる小さな粒子の形態でしかも
より迅速に層を除去することが可能である。 実施例 ８ 以下の組成： メチレンクロライド 80ml メタノール ３ml メチルメタクリレート、エチルアクリレート、ア
クリル酸（55／38／７重量部）からなり、平均分
子量が10000である共重合物 14.6ｇ １−（ヒドロキシ珪皮酸）−２−ヒドロキシ−３−
メタクリロイル−プロパン 12.0ｇ ベンジルメチルケタール 1.2ｇ １種のアミノアントラキノン染料であるオラセツ
トブルー 0.02ｇ からなる被覆のための溶液を前記実施例１に記載
のデータにしたがつて塗布し、カバーシートを供
給しついで銅フイルムで被覆された基材上にラミ
ネートしそして実施例１の記載にしたがつて300
秒間露光させる。 現像は35℃で42秒間１重量％のNa2CO3溶液で
スプレープロセツサーにより実施する。 完全に洗い落とされたパターンのネガは垂直に
生成されたエツジおよび40μｍまでの細さの線解
像力を有する。 引き続きベースの銅はアルカリ性のエツチング
溶液でエツチングマシン中において既知方法にし
たがつてエツチングされる。 ストリツピングのためにはこのエツチングされ
たプレートを60℃で３重量％のKOHを含有する
浴中に浸せきさせる。20秒後重合層は激しく膨潤
し始めついで分解して小さな粒子になる。水流で
すすいだ後に完全にストリツプされたボードが得
られる。 実施例 ９ 以下の組成： メチレンクロライド 80ml メタノール ３ml メチルメタクリレート、エチルアクリレート、ア
クリル酸（55／38／７重量部）からなり、平均分
子量が30000である共重合物 14.6ｇ １−（２，４−ヒドロキシ安息香酸）−２−ヒドロ
キシ−３−メタクリロイル−プロパン 6.0ｇ トリメチロール−プロパン−トリアクリレート
6.0ｇ ベンジルメチルケタール 1.2ｇ １種のアミノアントラキノン染料であるオラセツ
トブルー 0.02ｇ からなる被覆のための溶液を、前記実施例に記載
のデータにしたがつて塗布し、カバーシートを供
給しついで銅フイルムで被覆された基材上にラミ
ネートしそして実施例１のデータにしたがつて10
秒間露光させる。 現像は35℃で30秒間１重量％のNa2CO3溶液で
スプレープロセツサーにより実施される。 完全に洗い落とされたパターンのネガは垂直に
生成されたエツジおよび40μｍまでの細さの線解
像力を有する。 ついで銅そして引き続き錫／鉛を通常の方法に
したがつて全体の厚さ40μｍでめつきする。スト
リツピングのためにこのめつきされたボードを20
秒間10重量％のKOHを含有する浴中に浸せきし
ついで水流ですすぐと重合層が分解して非常に小
さな粒子になる。80μｍ以下のライン幅までの細
さの線を有する完全にストリツプされたボードが
得られる。 実施例 10 以下の組成： メチレンクロライド 42ml メタノール ３ml 第２級ブタノールで部分的にエステル化されたマ
レイン酸無水物およびスチレンからなり、平均分
子量が10000である共重合物 4.04ｇ メチルメタクリレート、エチルアクリレート、ア
クリル酸（55／38／７重量部）からなり、平均分
子量が30000である共重合物 3.00ｇ メチルメタクリレート、エチルアクリレート、ア
クリル酸（71／17／12重量部）からなり、平均分
子量が200000からなる共重合物 2.25ｇ （４−メタクリルアミド）−ベンゼンスルホン酸
アニリド 3.0ｇ トリメチロールプロパントリアクリレート 1.5ｇ ベンジルメチルケタール 1.2ｇ １種のアミノアントラキノン染料であるオラセツ
トブルー 0.02ｇ からなる被覆のための溶液を前記実施例１に記載
のデータにしたがつて塗布し、カバーシートを供
給しついで銅フイルムで被覆された基材上にラミ
ネートしそして実施例１のデータにしたがつて40
秒間露光させる。 現像は30℃で120秒間１重量％のN2CO3溶液で
スプレープロセツサーにより実施される。 完全に洗い落とされたパターンのネガは垂直に
形成されたエツジおよび45μｍよりも良好な線解
像力を有する。次いで通常の方法に従つて銅を厚
さ50μｍとなるまでめつきした。ストリツピング
のためにはこのめつきされたボードを60℃で３重
量％のKOHを含有する浴中に浸せきさせる。10
秒の反応時間を経てその後に水流ですすぐと重合
層が分解しながらプレートから完全に分離して小
さな粒子になる。75μｍまでの細さのライン幅を
有する完全にストリツプされたボードが得られ、
基板の材料は既知方法にしたがつてエツチングに
より除去しうる。 実施例 11 以下の組成： メチレンクロライド 42ml メタノール ３ml 第２級ブタノールで部分的にエステル化されたマ
レイン酸無水物およびスチレンからなり、平均分
子量が10000である共重合物 4.04ｇ メチルメタクリレート、エチルアクリレート、ア
クリル酸（55／38／７重量部）からなり、平均分
子量が30000である共重合物 3.00ｇ メチルメタクリレート、エチルアクリレート、ア
クリル酸（71／17／12重量部）からなり、平均分
子量が200000である共重合物 2.25ｇ ２−メルカプト安息香酸−（２−ヒドロキシ−３
−メタクリルオキシ−プロピル）−エステル 3.0ｇ トリメチロールプロパントリアクリレート 1.5ｇ ベンジルジメチルケタール 1.2ｇ １種のアミノアントラキノン染料であるオラセツ
トブルー 0.02ｇ からなる被覆のための溶液を前記実施例１に記載
のデータにしたがつて塗布し、カバーシートを供
給しついで銅フイルムで被覆された基材上にラミ
ネートしそして実施例１のデータにしたがつて80
秒間露光させる。 現像は30℃で120秒間１重量％のN2CO3溶液で
スプレープロセツサーにより実施される。 完全に洗い落とされたパターンのネガ像は垂直
に形成されたエツジおよび40μｍまでの細さの線
解像力を有する。 ついで銅を通常の方法にしたがつて50μｍの厚
さでめつきする。ストリツピングのためにはこの
めつきされたボードを60℃で３重量％のKOHを
含有する浴中に浸せきさせる。15秒の反応時間を
経てその後に水流ですすぐと重合層が分解しなが
らボードから完全に分離して小さな粒子になる。
40μｍまでのライン幅で残留物なしで解像され、
基板の銅は既知方法にしたがつてエツチングで除
去しうる。 実施例 12 以下の組成： メチレンクロライド 42ml メタノール ３ml 第２級ブタノールで部分的にエステル化されたマ
レイン酸無水物およびスチレンからなり、平均分
子量が10000である共重合物 4.04ｇ メチルメタクリレート、エチルアクリレート、ア
クリル酸（55／38／７重量部）からなり、平均分
子量が30000である共重合物 3.00ｇ メチルメタクリレート、エチルアクリレート、ア
クリル酸（71／17／12重量部）からなり、平均分
子量が200000である共重合物 2.25ｇ ｏ−ビニルフエノール 3.0ｇ トリメチロールプロパントリアクリレート 1.5ｇ ベンジルジメチルケタール 1.2ｇ １種のアミノアントラキノン染料であるオラセツ
トブルー 0.02ｇ からなる被覆のための溶液を前記実施例１に記載
のデータにしたがつて塗布し、カバーシートを供
給しついで銅フイルムで被覆された基材上にラミ
ネートしそして実施例１のデータにしたがつて
180秒間露光させる。 現像は30℃で120秒間１重量％のN2CO3溶液で
スプレープロセツサーにより実施される。 完全に洗い落とされたパターンのネガ像は垂直
に形成されたエツジおよび40μｍの線解像力を有
する。 ついで銅の通常の方法にしたがつて50μｍの厚
さでめつきする。ストリツピングのためにはこの
めつきされたボードを60℃で３重量％のKOHを
含有する浴中に浸せきする。10秒の反応時間を経
てその後に水流ですすぐと重量層が分解しながら
ボードから完全に分離して小さな粒子になる。
75μｍまでのライン幅で残留物なしで解像され、
ベースの銅は既知方法にしたがつてエツチングさ
れうる。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ アルカリ水溶液に可溶性であるかまたは少な
くとも膨潤することのできる非水溶性結合剤、光
開始剤または光開始剤系および１種または数種の
光重合性エチレン系不飽和単量体からなる光重合
性混合物において、上記光重合性エチレン系不飽
和単量体の少なくとも１つが少なくとも１個の芳
香族の水酸基、メルカプト基、スルホンアミド基
またはモノ−Ｎ−置換スルホンアミド基またはそ
れらの組合わせたものを有することを特徴とする
光重合性混合物。 ２ 光重合性エチレン系不飽和単量体のうちの少
なくとも１つが以下の一般式 【式】または （式中、 Ａは１つの化学結合、−Ｏ−、
【式】 【式】【式】 または【式】 Ｂは１つの化学結合、（―CHR3o――Ｏ−、また
は（―C2HR3o――、 Ｘは１つの化学結合、【式】−CH2−、ま たは【式】 R1は−OH、−SH、または−SO2NHR5、 R2はＨ、C1〜C4のアルキル、ハライド、R1、
C1〜C4のオキシアルキル、ニトロ、−CN、 【式】または 【式】 R3はＨ、【式】 【式】−OH、−SHまたは−NH2、 R4はＨ、C1〜C6のアルキルまたは
【式】 R5はＨ、C1〜C6のアルキルまたはフエニルお
よび、C1〜C4アルキルで置換されたフエニル、 ｎは０〜６そして n1は１〜２を表わす） のうちの一つに相当することを特徴とする前記特
許請求の範囲第１項の記載による光重合性混合
物。 ３ 光重合性エチレン糸不飽和単量体としてｐ−
ヒドロキシメタクリルアニリド、ヒドロキノンモ
ノメタクリレート、１−（４−ヒドロキシ安息香
酸）−２−ヒドロキシ−３−メタクリロイルプロ
パン、１−（２−ヒドロキシ安息香酸）−２−ヒド
ロキシ−３−メタクリロイルプロパンまたはジ−
（２−ヒドロキシ−３−アクリロイルプロピル）−
５−ヒドロキシ−イソフタル酸エステルを含有す
ることを特徴とする前記特許請求の範囲第２項の
記載による光重合性混合物。 ４ 開始剤または開始剤系としてケタールおよ
び／または系、チオキサントン／第３級アミンを
含有することを特徴とする前記特許請求の範囲第
２項の記載による光重合性混合物。 ５ 開始剤としてベンジルジメチルケタールを含
有することを特徴とする前記特許請求の範囲第４
項の記載による光重合性混合物。 ６ 支持体、少なくとも１つの光重合性層および
場合により保護層または除去しうるカバーシート
からなる感光性記録材料であり、該光重合性層
が、アルカリ水溶液に可溶性であるかまたは少な
くとも膨潤することのできる非水溶性結合剤、光
開始剤または光開始剤系および１種または数種の
光重合性エチレン系不飽和単量体からなる光重合
性混合物において上記光重合性エチレン系不飽和
単量体の少なくとも１つが少なくとも１個の芳香
族の水酸基、メルカプト基、スルホンアミド基ま
たはモノ−Ｎ−置換スルホンアミド基またはそれ
らの組合わせたものを有している光重合可能な混
合物からなることを特徴とする感光性記録材料。 ７ 単量体が以下の一般式 【式】または （式中、 Ａは１つの化学結合、−Ｏ−、
【式】 【式】【式】 または【式】 Ｂは１つの化学結合、（―CHR3o――Ｏ−、また
は（―C2HR3o――、 Ｘは１つの化学結合、【式】−CH2−、ま たは【式】 R1は−OH、−SHまたは−SO2NHR5、 R2はＨ、C1〜C4のアルキル、ハライド、R1、
C1〜C4のオキシアルキル、ニトロ、−CN、 【式】または 【式】 R3はＨ、【式】 【式】−OH、−SHまたは−NH2、 R4はＨ、C1〜C6のアルキルまたは
【式】 R5はＨ、C1〜C6のアルキルまたはフエニルお
よび、C1〜C4アルキルで置換されたフエニル、 ｎは０〜６そして n1は１〜２を表わす） のうちの一つに相当する前記特許請求の範囲第６
項に記載の記録材料。 ８ 単量体としてｐ−ヒドロキシメタクリルアニ
リド、ヒドロキノンモノメタクリレート、１−
（４−ヒドロキシ安息香酸）−２−ヒドロキシ−３
−メタクリロイルプロパン、１−（２−ヒドロキ
シ安息香酸）−２−ヒドロキシ−３−メタクリロ
イルプロパンまたはジ−（２−ヒドロキシ−３−
アクリロイルプロピル）−５−ヒドロキシ−イソ
フタル酸エステルを含有する前記特許請求の範囲
第７項に記載の記録材料。 ９ 開始剤または開始剤系としてケタールおよ
び／または系、チオキサントン／第３級アミンを
含有する前記特許請求の範囲第７項に記載の記録
材料。 １０ 開始剤としてベンジルジメチルケタールを
含有する前記特許請求の範囲第６項に記載の記録
材料。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE3409821 | 1984-03-17 | ||
| DE3409821.6 | 1984-03-17 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60254033A JPS60254033A (ja) | 1985-12-14 |
| JPH0550736B2 true JPH0550736B2 (ja) | 1993-07-29 |
Family
ID=6230793
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60050663A Granted JPS60254033A (ja) | 1984-03-17 | 1985-03-15 | 光重合性混合物およびそれより製造される記録材料 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4604342A (ja) |
| EP (1) | EP0155652B2 (ja) |
| JP (1) | JPS60254033A (ja) |
Families Citing this family (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SE458860B (sv) * | 1986-02-06 | 1989-05-16 | Itronic Process Ab | Anordning vid en foer vaermebehandling av banformiga alster anordnad behandlingsanlaeggning |
| JPS63218945A (ja) * | 1987-03-06 | 1988-09-12 | Fuji Photo Film Co Ltd | 感光性組成物 |
| JPH06105353B2 (ja) * | 1987-04-15 | 1994-12-21 | 富士写真フイルム株式会社 | 感光性組成物 |
| EP0324482B1 (en) * | 1988-01-15 | 1993-03-31 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Process of forming reflection holograms in photopolymerizable layers |
| US5260149A (en) * | 1988-01-15 | 1993-11-09 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Photopolymerizable compositions in elements for hologram imaging |
| DE68906270T2 (de) * | 1988-01-15 | 1993-11-18 | Du Pont | Lagerstabile photopolymerisierbare Zusammensetzung für die Aufzeichnung von Beugungsbildern. |
| US4942112A (en) * | 1988-01-15 | 1990-07-17 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Photopolymerizable compositions and elements for refractive index imaging |
| DE4017863C1 (ja) * | 1990-06-02 | 1991-07-18 | Du Pont De Nemours (Deutschland) Gmbh, 4000 Duesseldorf, De | |
| JP2764480B2 (ja) * | 1991-05-17 | 1998-06-11 | 日本化薬株式会社 | カラーフィルター用光重合組成物 |
| US5856065A (en) * | 1996-03-27 | 1999-01-05 | Olin Microelectronic Chemicals, Inc. | Negative working photoresist composition based on polyimide primers |
| DE102004003143A1 (de) * | 2004-01-21 | 2005-08-18 | Kodak Polychrome Graphics Gmbh | Strahlungsempfindliche Zusammensetzungen mit mercapto-funktionalisierten, radikalisch polymerisierbaren Monomeren |
| JP4652967B2 (ja) * | 2005-12-14 | 2011-03-16 | 凸版印刷株式会社 | 液晶表示素子用感光性組成物およびこれを用いたカラーフィルタ |
| JP5260094B2 (ja) * | 2007-03-12 | 2013-08-14 | ローム・アンド・ハース・エレクトロニック・マテリアルズ，エル．エル．シー． | フェノール系ポリマー及びこれを含有するフォトレジスト |
| KR101273140B1 (ko) * | 2010-11-19 | 2013-06-17 | 주식회사 엘지화학 | 아크릴레이트계 화합물 및 이를 포함하는 감광성 조성물 |
| CN110079150A (zh) * | 2018-01-26 | 2019-08-02 | 蓝思科技（长沙）有限公司 | 一种uv保护油墨及其制备方法和应用 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3070442A (en) * | 1958-07-18 | 1962-12-25 | Du Pont | Process for producing colored polymeric relief images and elements therefor |
| NL129237C (ja) * | 1965-03-11 | |||
| US3870768A (en) * | 1971-09-15 | 1975-03-11 | Stepan Chemical Co | Unsaturated amides of oxybis(benzenesulfonic acid) and their use as cross-linking agents |
| GB1420958A (en) * | 1972-06-30 | 1976-01-14 | Ici Ltd | Photo-polymerisable composition |
| DE3120052A1 (de) * | 1981-05-20 | 1982-12-09 | Hoechst Ag, 6000 Frankfurt | Durch strahlung polymerisierbares gemisch und damit hergestelltes kopiermaterial |
| US4542844A (en) * | 1982-10-04 | 1985-09-24 | Swingline, Inc. | Staple forming and driving machine |
-
1985
- 1985-03-13 US US06/711,251 patent/US4604342A/en not_active Expired - Lifetime
- 1985-03-15 EP EP85103013A patent/EP0155652B2/en not_active Expired
- 1985-03-15 JP JP60050663A patent/JPS60254033A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0155652B2 (en) | 1991-07-10 |
| US4604342A (en) | 1986-08-05 |
| JPS60254033A (ja) | 1985-12-14 |
| EP0155652A3 (en) | 1986-07-30 |
| EP0155652B1 (en) | 1988-01-07 |
| EP0155652A2 (en) | 1985-09-25 |
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