JPH05507366A - 光ビームのための高速シャッタ機構 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるため要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 光ビームのための高速シャッタ機構 技術分野 この発明は光ビームのためのシャッタ機構に関し、かつより特定的には電磁的に 動作されるシャッタに関する。

背景技術 先行技術の典型的なシャッタ機構は電磁石を含み、それはパンケーキボビン上の 磁気巻線（ｗｉｎｄｉｎｇ　）によって取囲まれたフェライトコアを含み、かつ 非常に薄い長尺の可撓性のフォイルスチールストリップをまた含み、それは−万 端て留めねじによってつばに取付けられかつ電磁石か不活性であるとき光ビーム 進路に平行にかつその下に横たわる。動作において、巻線が付勢され、磁石を活 性化しかつフォイルストリップの自由端が磁石に引きつけられかつビーム進路へ と上方向へ曲がることを引き起こす。ストリップの端部がビームの進路を遮るの で、ビームは進路から少しだけそれて反射される。反射の角度はフォイルの端部 が磁石に接近するに従って増加する。完全に閉鎖された位置において、ストリッ プは磁石に対して平らな平面に従い、それから鋭利に下方向へと曲がり留めねじ へと向い、ビームを封鎖する。

フォイルストリップは過度に可撓性であるのみてなく、また低い質量を有し、そ れは電磁石とのストリップの衝突によって引き起こされる振動を減少することに おいて役立つ。しかしながら、ストリップはまた非常に弱く、特にたわみにおけ る応力点においてそうであり、それによって破損か生じるまてに約ｔｏｏｏｏｏ サイクルの寿命を存すのみである。ストリップは変更されないビーム進路のもの に近い角度でビームを反射し、それは切り取られなければならない必要とされな い迷光反射線を生み出す。完全に閉鎖された位置におけるストリップの配向はレ ーザ光がレーザ内に分散し戻ることを可能にし、それによっである応用における 使用を妨げる。熱においては、薄いフォイルは高電力レーザの光の吸収から生ず る十分な熱を導き去ることは不可能である。

米国特許第４．７９９．７６７号において、ウッドラフ（Ｗｏｏｄｒｕｆｆ）は 電磁石の極とのＶ−型の関係において装置された堅いが可撓性のある強磁性ブレ ード（ｂｌａｄｅ）を有するシャッタ機構を説明する。電磁石は極を規定する縦 方向の、すなわち軸状のスライス（ｓＨｃｅ　）を有する円筒形コアを存しかつ 電源と連通ずるコアの周りで環状の巻線を有する。電磁石が活性化されるとき、 ブレードの自由端は磁極表面に向かってたわむ。１つの実施例において、光の進 路は磁極とブレードとの間を通過し、通常それはビーム進路に平行であり、それ は下方向へとたわみビームを封鎖する。たわまされたブレードおよびブレードが 通常それらに対して置かれる光吸収バックアッププレートは、ビームだめのＶ− 型光トラップを規定するように結びつく。

別の実施例において、ブレードは通常ビーム進路を介する縦方向における角度で 横たわりかつバックアッププレートに載り、それはプレートにおいて開口を覆う 。電磁石の極の間ての光吸収性のつまみ（ｔｏｎｇｕｅ）はブレードと組合わさ れ光トラップを形成する。ブレードが下方向にたわむとき、光はバックアッププ レートにおける開口を介して通過する。双方の実施例において、ビーム進路はブ レードの長さに沿って全体へと方向付けされる。

この発明の目的は高速パルス動作に適するように長い寿命を有しかついずれの迷 光反射をも有さないレーザビームシャッタ機構を製造することである。

この発明の別の目的は高電力レーザおよび他のビーム源での使用に適するシャッ タ機構を製造することである。

発明の開示 上記の目的は平坦な、相対的に堅いか可撓性のある、フェロ−磁気ブレードを有 するビームシャッタに適い、それはビームの進路にほぼ直角のブレードの縦方向 で配向され、かつビームの進路に関しておおよそ４５°の角度で配向されるよう に横方向において上方へと傾斜される。言い換えれば、ビームはブレードに関連 の側面から入射する。ブレードは通常はまっすぐな位置に置かれるが、電源と連 通ずる電磁石によってたわまされた位置へとたわまされ得る。

ブレードは反射性を有しかつ２つの位置のうちの１つにおいてのみビームの進路 を妨げる。このように通常開されたシャッタ環境において、ブレードは光をそれ がまっすぐであるとき封鎖しかつ下方向へと反射するが、それがたわまされると きにはビームが通過することを可能にする。通常の開放されたシャッタの実施例 において、ブレードはビームが、それかまっすぐであるときに通過することを可 能にするが、下方向へとたわみビームを封鎖しかつ再び方向付ける。反射された 光ビームは典型的にはｖ−童光トラップによって収束される。

電磁石は好ましくは磁極を規定するＪ−アームおよびＪ−フックの端部を伴うＪ −型断面を存する長尺のコアを含む。ワイヤ巻線は極の間のチャネルにおけるコ アの周りで縦方向に巻きかけられる。極は、ブレードと同様に、横方向に、すな わち極から極へと傾斜され、それによって一方の極か他方よりも高くなる。極は ビーム進路に関しておおよそ４５°の角度で横方向に配向される平面においてか つまっすぐであるブレードとのＶ−型関係において縦方向に実質的に横たわる。

極はたわまされたブレードの形状に密に対応する弧状の表面プロフィルを存する 。エラストメリック（ｅｌａｓｔｏｍｅｒｉｃ　）部材は極の各々の上に配置さ れ得る。

上で説明されたように配向されたブレードでのこの電磁石の使用は過度の応力点 を除去することによってブレードの寿命を延ばしかつ優れた磁気カップリングを 発生する。

典型的には、ブレードおよび電磁石はハウジング内に包含される。ハウジングは ハウジングを介するビーム進路を規定するために対向する側面において少なくと も１組のアパーチャを有する。高電力動作のために、熱はブレードがそのまっす ぐな位置にあるときブレードに隣接する熱伝導性の復帰位置のブレードトップに よって放散され得る。ストップはストップ内のチャネルを介するクーラントの流 れによって冷却され得る。光トラップおよび電磁石はまたクーラントの流れによ って冷却され得る。

ブレードがまっすぐであるとき共働して光ビームを封鎖する２つの隣接するブレ ードが使用され得る。２つのブレードは対の電磁石によって対向する方向におい て可撓性を有し、光ビームが通過することを可能にする。

図面の簡単な説明 図１はハウジングまたはケースが明晰さのために取除かれ、想像図（ｐｈａｎｔ ｏｍ）において示されたこの発明のビームシャッタ機構の透視図である。

図２はハウジングの一方の側面のみが取除かれた図１におけるビームシャッタの 側面図である。ブレードの曲げられた位置は想像図において示される。

図３は図１および図２におけるビームシャッタの部分端面図である。

図４はブレードストップの流量冷却での代替的なビームシャッタの実施例の側面 図である。

図５はこの発明のビームシャッタの使用のための光トラップの側面図である。

図６は図５においてＭ６−６で破断された光トラップの１方の側壁の断面図であ る。

図７および図８は２つのブレードでのこの発明の第３のビームシャッタの実施例 の側面および端面図のそれぞれである。

図９および図１Ｏはこの発明での使用のための２つの代替的なブレード構成の透 視図である。

この発明を実行するための最良のモード図１ないし図３を参照して、この発明の ビームシャッタ機構の実施例はフレームの対向する左および右側面上にそれぞれ 配置された２つの平らなプレート１７および１８ならびにフレーム１２からなる ハウジングまたはケース１１を含む。ハウジング１１の側面プレート１７および １８はそこにおいて規定されたアパーチャまたは開口】３ないし１６を有する。

１組のアパーチャＩ３および１４はハウジングを介する光ビーム４７のための第 １の進路を規定する。

フレーム１１はまたハウジングを介する光ビーム５Ｉのための第２の進路を規定 するための第２の組のアパーチャ１５および１６を含み得る。

シャッタはまたハウジング１１の一方端でフレーム１２へと、みそ付けされた部 材またはクランプ２１において装置された平らな長尺の強磁性ブレード１９を含 む。みそ付けされたマウント２１からの他方端２０で、ブレード１９は固定され ず、すなわち磁場に応答して屈曲するかまたは曲げることのできるように、装置 されずまた固定されない。

ブレード１９は概してハウジング１１の端部から端部への縦方向に配向され、そ れによってみぞ付けされたマウント２１から自由端２０へのブレード１９の縦方 向がノーウジングＩＩにおけるアパーチャ】３ないし１６を介するビームの進路 ４７および５１におおよそ直角である。９０’の完全な直角から１５°の変形が 許容可能であり、それによってこの場合における「おおよそ」という言葉はビー ム進路４７および５１に関して７５−１０５°の範囲を示す。ブレード１９はま た斜めに配向され、それによってブレード１９の一方の側面の端縁が他方よりも 高くなる。特に図３において示されるように、ブレード１９の横方向はビーム進 路４７および５１に関しておおよそ４５°の角度、すなわち３０ないし６０°の 範囲的である。

ブレード】９は相対的に堅いが、同様に可撓性を有するべく十分に薄い。ブレー ド１９は通常図１ないし図３に示されるようにまっすぐであるが、図２および図 ３における想像図において示されるたわまされた位１ｔ２３へとたわまされ得る 。ブレード１９は捩じってというよりもむしろその主表面に対して垂直にたわむ 。まっすぐなかつたわまされた位置のうちの一方において、ブレードＩ９はハウ ジング１１を介する所与のビーム進路４７および５１を妨げ、一方で、他方の位 置において、それはその進路４７または５１上の光がハウジング１１を介して妨 げられずに通過することを可能にする。たとえば、説明された実施例において、 ブレード１９のまっすぐな位置はビーム進路４７を妨げかつ進路５１における光 を妨げられずにハウジングを介して通過させ、一方たわまされた位置２３はビー ム進路５１を妨げかつ進路４７における光を通過させる。ハウジング１１はいず れかまたは双方の組のアパーチャ１３ないし１６およびビーム進路４７および５ １のいずれかまたは双方を有し得る。２つのビーム進路４７および５１を有する ハウジングにおいて、進路のいずれか一方または双方が実際に使用され得、すな わちその上に光ビームを呈させる。

ブレードＩ９は光の高度な反射性を有し、好ましくは可視光と同様に近赤外線お よび近紫外線光を含み、かつ典型的には９５°より大きな反射率を有する。ブレ ード１９は磨かれかつ金属または誘電反射被覆で被覆され、高電力応用のための その反射率をより高める。ブレード１９か光ビームを妨げるとき、それがハウジ ング１１を介するその通常の進路からの光を封鎖しかつそれを光トラップ３９に 向けて下方へと再び方向付けする。たとえば、図１および図３において、進路４ ７上の光ビーム入射は新しい光進路４９上で反射され、光トラツプ３９内へと進 む。光トラップ３１は典型的には吸収性を有する側壁４０および４１を有するフ レーム１２に接続された狭いＶ−型のエレメントである。壁４０および４１の間 の角度は３０°よりも少ないことが好ましい。

図９および図ＩＯに示されるように、ブレード１９は一定の幅Ｗを有する平衡の 平らな短形形状であり得る。代替的には、図ＩＯに示されるように、ブレード９ １が使用され得、それは装置された端部９４に近い切り抜き９５によって形成さ れた狭い下に向かって括れた領域９３を有する。

この後者の構造９１はブレードをたわませるために必要とされる機械的な力を減 少させ、一方でブレードの磁気および光学領域において大きな領域を維持する。

下に向かって括れた領域９３はみそ付けされたマウント２１の近くに位置される であろう。図１Ｏにおける端部の右手９６は下に向かって括れた領域９３から最 も離れ、かつ自由端である。

再び図１ないし図３を参照すると、ビームシャッタはまたブレード１９をたわま せるための電磁石２５を含む。電磁石２５はワイヤ巻き上げ３５で巻き掛けられ たコア２７を含む。コア材料は高い透磁率を有する鉄のような磁気グレード（ｇ ｒａｄｅ　）の材料であり、それは低いヒステリシス損失および高い効率を与え る。コア２７はＪ−型断面を有する長尺の部分である。Ｊ−アームおよびＪ−フ ックはコアのそれぞれの側面３１および２９を形成し、かつＪ−アームおよびＪ −フックの端部はそれぞれの磁極３２および３０を規定する。側面３１を２９と の間のチャネルはワイヤ巻線３５を収容し、それかコアの周りに縦方向に巻きか けられる。ブレード１９の斜めの傾斜のように、磁気コア２７のＪ型は一方の極 ３２が他方極３０よりも高く、極３０および３２がビーム進路４７および５１に 関しておおよそ４５°の角度でのその横方向（極から極）を存する平面に実質的 におかれるということを規定する。好ましくは、この角度はブレード１９の横方 向の配向角度に実質的に等しいものである。コア形状はまた極３０および３２を 規定する対角平面に沿って破断された縦方向の断面での基本的に円筒形であるも のとして説明され得る。

電磁石２５がブレード１９をその極３０および３２に向けて下方向へとたわませ ることができるように電磁石２５およびブレード１９はお互いに配向される。こ うして、極３０および３２が実質的に置かれる平面はブレード１９のまっすぐな 位置とＶ−型関係にある縦方向に配向される。

まっすぐであるときに、ブレード１９と極３０および３２の間の典型的な角度は 約５ないし１５°である。ワイヤ巻線３５は電磁石２５を活性化するためにリー ド３７を介して電源に連通ずる。この発明の部分てはない駆動電子工学は電磁石 に供給された電力のデユーティサイクルおよび周波数を制御する。典型的には、 短い期間の高電圧パルスが電磁石２５に送られ、ブレード１９をたわまされた位 置２３内へと移動させ、持続したより低い電圧かそれに続き、ブレード１９を磁 極３０および３２に対して保持する。極３０および３２は弧状のまたはカテナリ 表面プロフィルを有し、それはブレードＩ９かそれがたわまされると仮定すると き自然のストリップ持ばね輪郭に密に対応する。エラストメリック部材は典型的 にはエラストマー（ｅｌａｓｔｏｍｅｒ）材料の薄い膜の形状にあり、磁極３０ および３２の各々上に配置され得、それによってブレードの振動を減少させる。

ビームシャッタはまたブレード１９を冷却するための多数のエレメント、高電力 応用のための電磁石２５および光トラップ３９を含む。図１ないし図３において 、復帰位置ブレードストップ４３はハウジング１１のフレーム１２の頂部へと装 置される。ブレードストップ４３はブレード１９がそのまっすぐな位置にあると きブレード１９に隣接する。ブレードストップ４３上の磁石４５はストップに対 してブレード１９をしっかりと熱でつかわせる。磁石４５は電磁石２５よりも弱 く、それによって後者が活性化されるとき、それはブレード１９に過剰な動力を 与え、かつそれを下へと引き下げ得る。ブレードストップ４３は金属のように熱 伝導性を有し、それによって熱をブレードの端部からハウジング１１に伝える。

ハウジングフレーム１２は高い熱伝導性のために典型的にはアルミニウムである 。低い電力付加のために、ストップ４３はエラストメリックであり、それによっ てブレードの振動を減少させる。ブレードストップ４３はビーム進路４７または ５１を妨げない。

図４において、代替的なシャッタの実施例は図１ないし図３に対して前に説明さ れたようにハウジングまたはケース６１内に包含されたブレード５５、電磁石５ ７および光トラップ５９を含む。この実施例は、しかしながら図１ないし図３の 活動的でない冷却されたストップ４３の代わりに活性の水−冷却ブレードストッ プ６３を利用する。ブレードストップ６３は再びハウジング６１のフレームに装 置されかつブレードがそのまっすぐな位置にあるときブレード５５に隣接する。

再び、弱い磁石６５はより効率のよい熱除去のためにブレード５５をストップ６ ３に対してしっかりとつかわせることかできる。アパーチャ６７はハウジングを 介してビーム進路を妨げないようにブレードストップ６３内に設けられる。ブレ ードストップ６３はそこにおいて形成されたチャネル６９を含み、ストップ地縁 ７ｏにおける開ロア２および７４はハウジング６１における開口と同様のものと 整列される。チャネル６９はそれらをエツチングするかまたは第１のブレードス トップ片（ｐｉｅｃｅ　）の表面内へと機械加工し、それからウォータタイト被 覆片でチャネル−形成された片を被覆することによって形成され得る。水のよう なり−ラントはチャネルＧ９を介して開ロア２て流れ込み、それはブレード５５ から熱を取り上げ、それから矢印７１および７３によって示されるように開ロア ４を介して流れ出る。

図５および図６を参照すると、シャッタの実施例のいずれの光トラップ３９また は５９もまたクーラントの流れて活性化されて冷却され得る。上で説明されたよ うに、光トラップ３９はＶ−型であり、それは光吸収性のある直立して角度付け られた側壁４０および４１を存する。ここで側壁４０および４１は多重ストリッ プエレメントである。側壁４０の１つの片７７はチャネル８１を有し、それはエ ツチングされもしくはその主表面のうちの１つへと機械加工されるか、または代 替的にそれに添付された配管を存する。

この片７７はそれから側壁４０の底部分に添付される。側壁４１は同様にチャネ ル片７９で構成される。側壁４０および４１は水のようなり−ラントのチャネル または配管８１内へのかつそこからの通過のために配管入口および出口８３．８ ５．８７および８９を収納する。

図７を参照すると、別の冷却構造は電磁石のワイヤ巻線１１１の周りで巻き掛け られた配管９５である。配管９５は電磁石１０７および１０９から熱を除去する ためのクーラントの流れを含む。配管９５は水−冷却されたブレードストップ１ １７および１１９におけるチャネル１２０の入口および出口に接続する同じ配管 であり得る。

図７および図８において、この発明のビームシャッタ機構の別の実施例は一対の 平らな可撓性の強磁性ブレード９７および９９を含む。ブレード９７および９９ の双方は図１ないし図３においてのように配向され、その縦方向はアパーチャ１ ００を開始する光ビーム１０２の進路に関しておおよそ直角（すなわち７５°か ら１０５°）でありかつその横方向は光進路に関しておおよそ４５°の角度（す なわち３０°ないし６０°）で配向される。プレート９７および９９の各々はみ そ付けされたクランプ１０１およびＩＯ２によって遠端て装置されかつブレード がまっすぐであるときビーム進路１０２を妨げる自由端を存する。ブレード９７ および９９の各々は通常はまっすぐな位置にあるが、それぞれの電磁石１０７お よび１０９に対してたわまされた位置内へとたわませることが可能である。ブレ ード９７および９９の各々はまっすぐな位置にあるときに部分的にのみビーム進 路１０２を個々に妨げるか、ブレード９７および９９の対は双方のブレードがそ れらのまっすぐな位置にあるとき共にビーム進路１０２の全体を妨げる。好まし くは、ブレード９７および９９は図８において領域９８によって示されるように それらの端縁で僅かに積み重なり、完全なビームの封鎖を確実にする。ギャップ ９８は２つのブレード９７および９９が静止位置に戻るときに衝突しないために 十分な長さであるべきである。進路１０２上の光ビームはそれから光トラップ】 １５へと新しい光進路１０４上で再び方向付けされ、それはブレード９７および ９９が高度に反射性を有するからである。

図７および図８のビームシャッタ機構はまた一対の電磁石１０７および１０９を 含む。図１ないし図３における電磁石２５と同様に、電磁石１０７および１０９ の各々はＪ−型の断面を有する長尺のコア１１０を有し、Ｊ−アームおよびＪ− フックの端部はそれらの間でチャネルを有して磁［ｊｌ１３を規定する。チャネ ルはワイヤ巻線ＩＩＩを収容し、それはコア１１０の周りで縦方向に巻き掛けら れかつ電磁石１０７および１０９を活性化するためにリードＩＩ２を介して電源 に連通ずる。図１ないし＠３において電磁石２５に対して前に説明されたように 、図７および図８における電磁′：Ｅｉ１０７および１０９の各々はその極１］ ３が実質的に平面において横たわるように配向され、極から極へのその横方向は ビームの進路１０２に対しておおよそ４５°の角度でありかつその縦方向はまっ すぐであるときブレード９７および９９に対してＶ−型関係にある。活性化され るとき電磁石１０７および１０９はそれらの対応するブレード９７および９９を それらの極１１３に向けてたわませる。言い換えれば、ブレード９７および９９ は反対方向において曲げ離され、ビーム進路１０２を妨げられない光通路へと開 く。極１１３は弧状のまたはカテナリ表面プロフィルを有し、それはブレード９ ７および９９がそれらがたわまされるときに仮定する形状に密に対応する。典型 的にはエラストマ材料の薄膜の形状にあるエラストメリック部材は極１１３の各 々上に配置され得る。

図７および図８に示される２つのブレード構成に対する代替的ではあるか均等な 配置は対のブレードを存し、それらはまっすぐな位置において通常はお互いから 離されて位置されるが、ブレード端縁でわずかに積み重なるたわまされた位置内 へとお互いに可撓性を有する。こうして、２っのブレードは個々に部分的にのみ ビーム進路を封鎖するが、双方のブレードがたわまされた位置にあるとき共にビ ーム進路の全体の封鎖を行なうであろう。ブレードがまっすぐであるとき、ビー ム進路は明らかになりかつビームは妨げられないで通過することを可能にされる 。図７および図８における電磁石１０７および１０９は逆にされかつビームスト ップ１１７および１１９はブレード９７および９９の反対側面へと移動され、そ れによって電磁石は活性化されたときブレードを共にたわませることができる。

ブレードの冷却のために、熱伝導性がある復帰位置のブレードストップ１１７お よび１１９はブレード９７および９９の各々に対してそれぞれに装置され、それ らの相関のブレードにそれらがまっすぐである時に隣接する。１つまたはそれ以 上の弱い電磁石１２２が与えられ、それによってブレード９７および９９をスト ップ１１７および１１９に対してしっかりと保持する。図４の実施例におけるよ うに、ブレードストップ１１７および１１９はその各々がクーラントの流れの通 過のためにそこに形成されたチャネル１２０を有し得る。クーラントは電磁石１ ０７および１０９を冷却するために使用される同じ配管９５を介して与えられ得 る。切り抜き１２４はブレードストップ１１７および１１９の各々の端縁内に設 けられ、ブレードがたわまされるとき光ビーム進路１０２に対するアパーチャを 与える。

光トラップ１１５はまた図５および図６におけるように冷却されたクーラントで あり得る。

図７および図８における実施例は同じ大きさのブレードに対する図１ないし図３ におけるものよりも大きな光ビームに適応され、したがって単一のより大きな、 より重いかつより堅いブレードを使用することによって生じ得る切換速度を損失 しない。さらに、同じ大きさの光ビームに対して、図７および図８における実施 例は図１ないし図３におけるブレード１９と比較してブレード９７および９９の 各々からのたわみの半分のみを必要とし、光進路を完全に開く。こうして、それ は図１ないし図３における実施例よりも早い切換速度で動作し得る。図１ないし 図３における実施例は縦に方向付けられたビームを使用する先行技術の装置より も薄いものである。

ＩＧＪ 特表千５−５０７３６６　（７） 要約 平らな、可撓性のかつ反射性を有する強磁性ブレード（１９）を有し、ブレード の縦方向がビーム進路（４７，５１）に対してほぼ直角に配向されかつ横方向に おいてビーム進路に対しておおよそ４５°で配向されるように上へと傾斜され、 ビームを光トラップ（３９）へ下方へ反射する高速ビームシャッタである。ブレ ードはそのまっすぐであるかまたはたわまされた位置の双方においてではなくそ のいずれかにおいて光進路を妨げかつ電磁石（２５）を使用してたわまされる。

電磁石は磁極を規定するＪ−アーム（３１）およびＪ−フック（２９）を有する Ｊ−型の断面を有する長尺のコア（２７）を育する。ブレード、電磁石および光 トラップはビーム進路を規定する側面アパーチャ（１３，１５，１４，１６）を 存するケース（１１）に収容され得る。ビームストップ（４３，６３）でのブレ ードの導電性のおよび水冷却のならびに光トラップおよび電磁石の冷却の双方か 備えられ得る。２つのブレード、２つの電磁石の実施例が説明される（図７およ び図８）。

国際調査報告

Claims (13)

【特許請求の範囲】
1. １．源から進路に沿って進行する光ビームをシャッタリングするためのシャッタ 機構であって、平らな可換性の強磁性ブレードを含み、前記ブレードの縦方向が 光ビームの進路に関しておおよそ直角でありかつ前記ブレードの横方向が光ビー ムの進路に関して３０°から６０°の範囲における角度で配向され、前記ブレー ドは通常はまっすぐな位置にあるが、たわまされた位置へと可撓性があり、前記 ブレードは反射性を有しかつ前記まっすぐなかったわまされた位置のうちの１つ においてのみ光ビームの進路を妨げ、 電源に連通しかつ前記ブレードに関連する位置において装置された電磁石をさら に含み、それは前記電磁石が活性化されるとき前記プレードを前記たわまされた 位置へと曲げることができるためであるシャッタ機構。
2. ２．前記電磁石がＪ−型の断面を有する長尺のコアおよび前記コアの周りの縦方 向のワイヤ巻線を含み、前記コアのＪ−アームおよびＪ−フックの端部が磁極を 規定し、前記極は平面において実質的に横たわり、それはその横方向が光ビーム の進路に関して３０°から６０°の範囲における角度でかつその縦方向が前記ま っすぐな位置における前記ブレードとのＶ−型関係にあるように配向され、前記 極は前記たわまされた位置において前記プレードの形状に密に対応する弧状の表 面プロフィルを有する、請求項１に記載のシャッタ機構。
3. ３．エラストメリック部材が前記極の各々上に配置される、請求項２に記載のシ ャッタ機構。
4. ４．前記ブレードによって反射された光を吸収するための手段をさらに含む、請 求項１に記載のシャッタ機構。
5. ５．前記吸収のための手段が吸収性のある側面を有する狭いＶ−型の光トラップ を含み、それは前記ブレードよりも下に配置され、前記プレードによりほぼ直角 で下方向に反射する光を収束する、請求項４に記載のシャッタ機構。
6. ６．前記光トラップがそこから熱を除去するための手段を有する、請求項５に記 載のシャッタ機構。
7. ７．熱を前記プレードから放散させるための熱伝導性手段をさらに含む、請求項 １に記載のシャッタ機構。
8. ８．前記熱伝導性手段が前記ブレードが前記まっすぐな位置にあるとき前記プレ ードに対して隣接するプレードストップを含む、請求項７に記載のシャッタ機構 。
9. ９．前記プレードストップがクーラントを搬送するためにその中に流量チャネル を有する、請求項８に記載のシャッタ機構。
10. １０．前記プレードおよび前記電磁石がハウジング内に装置され、前記ハウジン グがその対向する側面において規定された１組のアパーチャを有し、前記アパー チャが前記ハウジングを介する前記光ビームの前記進路を規定する、請求項１に 記載のシャッタ機構。
11. １１．前記ハウジングが前記対向する側面において規定された第２の組のアパー チャを存し、前記第２の組のアパーチャが前記ハウジングを介する光ビームのた めの第２の進路を規定し、前記ブレードが前記まっすぐな位置にあるとき前記ハ ウジングを介する一方の光進路を封鎖しかつ前記たわまされた位置にあるとき他 方の光進路を封鎖する、請求項１０に記載のシャッタ機構。
12. １２．第１のプレードおよび電磁石に実質的に同一の第２のブレードおよび第２ の電磁石をさらに含み、前記第２のブレードはその横方向が光ビームの進路に関 しておおよそ４５°の角度で配向され、２つのブレードの各々は個々に光ビーム の進路をまっすぐな位置にあるときに部分的にのみ妨げ、前記第２のブレードは 第１のブレードの端縁と部分的に積み重なり、２つのブレードはともに双方のブ レードがまっすぐな位置にあるとき光ビームの進路を全体にわたって妨げ、２つ の電磁石はそれらのそれぞれのブレードに関して装置され、それは活性化された ときに対向する方向におけるブレードをたわまされた位置へとたわませることが できるためであり、それによって光ビームの進路が妨げられない、請求項１に記 載のシャッタ機構。
13. １３．前記電磁石が不活性であるとき前記ブレードストップが前記ブレードを前 記ストップに固定させるために前記電磁石よりも弱い磁石を含む、請求項１に記 載のシャッタ機構。