JPH05504025A - レーザダイオード制御回路 - Google Patents

レーザダイオード制御回路

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JPH05504025A JP3500030A JP50003091A JPH05504025A JP H05504025 A JPH05504025 A JP H05504025A JP 3500030 A JP3500030 A JP 3500030A JP 50003091 A JP50003091 A JP 50003091A JP H05504025 A JPH05504025 A JP H05504025A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるため要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 一部 この発明は、レーザダイオードの制御回路、及びレーザダイオードの制御方法に 関する。
良く知られているように、例えば光伝送システムの光源として使用されるレーザ ダイオードの特性曲線(電流に対する光出力側)は、一般的にレーザダイオード の動作に要求される領域であるほぼリニア領域の下部に、非直線性の折曲り部、 すなわち膝部を有している。従って、通常は、レーザダイオードがその折曲り部 の上部のリニア領域で動作するようにバイアス電流をレーザダイオードに供給す る。バイアス電流が不十分であれば、レーザダイオードは非直線性で動作し、そ して、バイアス電流が過剰であれば、レーザダイオードは電力を浪費する。
レーザダイオードで問題となる点は、エージングや温度変化によって、レーザダ イオードの特性曲線、特に、折曲り部の位置(最適なバイアス3珀及び折曲り部 の上部のリニア領域のスロープが時間とともに変化することである。従って、レ ーザダイオードに対しては、少なくともバイアス電流の設定においては、適応型 制御回路が要求されるということが知られている。例えば、トリメルによる19 83年5月24日発行の米国特許4.385.387号、発明の名称「レーザダ イオードのプリコンダクション電流制御」において、バイアス電流が正弦波成分 を含むように正弦波パイロット信号が挿入され、帰還ループを介してバイアス電 流(プリコンダクション電流と呼ばれる)が制御される構成について説明されて いる。その帰還ループにおいて、レーザダイオード出力中の正弦波信号成分の一 部は、正弦波の選択された時間間隔の間に検出されて、その検出出力が整流され 、バイアス電流を制御するために閾値と比較される。
そのような良く知られた構成は、適応的な制御レベルを提供するが、それは比較 的に複雑であり、レーザダイオードの特性曲線の変化に対して十分な補償ができ ない。特に、特性曲線のリニア領域のスロープの変化に対して十分な補償ができ ない。
従って、この発明の目的は改良されたレーザダイオードの制御回路を提供するこ とにある。
この発明の一つは、レーザダイオードの制御回路を提供することにあり、これは 、アンプを含みレーザダイオードのバイアス電流を制御する第1の制御手段と、 アンプの一人力にパイロット信号を供給する手段と、このアンプの出力のパイロ ット信号レベルに応じてレーザダイオードの変調電流を制御する第2の制御手段 とから構成される。
このように、この制御回路は、2つの内部接続制御ループを含み、その制御ルー プはレーザのバイアス電流と変調電流をそれぞれ制御する。上記パイロット信号 はバイアス電流を制御するため制御ループ内で増幅されるので、レーザダイオー ドの所定の平均電力を出力するアンプでの出力パイロット信号のレベルは、その レーザダイオードの特性曲線のリニア領域のスロープを表わす。この発明によれ ば、このパイロット信号のレベルは、レーザダイオードの変調電流を制御する上 記第2の制御ループの中で用いられる。このように、この2つの制御ループは、 制御ループが、エージングや温度変化等による特性曲線の変化を補償するために 、適応的に維持されることによって、レーザダイオードが特性曲線のリニア領域 の所定の部分で動作するように相互に作用する。
第2の制御手段は、基準電圧と比較の結果、上記アンプの出力でのパイロット信 号レベルを表わす出力電圧を発生するためにパイロット信号を検出する手段がら 構成される。このパイロット信号は、便宜的にはパイロット・トーンがら構成さ れ、パイロット信号を検出する手段は、同期検出器及び/又はローパスフィルタ から構成される。
この発明の実施例においては、比較的高い減衰率を有し、特性曲線のほぼ折曲り 部でのバイアス電流によって動作するレーザダイオードの動作に対して、上記第 2の制御手段は、好ましくは、更に、出力電圧を基準電圧と比較する手段と、そ の比較結果に応じて変調電流を制御する手段を含む。
またこの発明の実施例において、比較的低い減衰率を有し、特性曲線の折曲り部 のかなり上方でのバイアス電流によって動作するレーザダイオードの動作に対し て、上記第2の制御手段は、好ましくは、更に、出力電圧を増幅する手段と、増 幅された出力電圧に応じて変調電流を制御する手段と、上記出力電圧と基準電圧 とに応じて電圧を発生する手段とを含む。この電圧に応答して、変調電流を制御 する手段は更に所定の動作領域でレーザダイオードの動作を確立するように動作 する。
この発明の他の態様によれば、この発明はレーザダイオードを制御する方法を提 供することにあり、この制御方法は、レーザダイオードの出力を検出し、前記の 検出された出力を前記パイロット信号と組み合わせ、その組み合わされた信号を 増幅し、増幅されたレベルをパイロット信号成分として有する増幅された信号を 発生し、前記の増幅された信号に従って前記レーザダイオードのバイアス電流を 制御し、前記の増幅された信号中の前記パイロット信号の増幅レベルに従ってレ ーザダイオードの変調電流を制御する。
この変調電流を制御するステップは、好ましくは、増幅信号の中のパイロット信 号のレベルを検出して、その検出されたパイロット信号のレベルを基準レベルと 比較するように構成される。
この発明は、以下の添付図面を引用した以下の説明により、更によく理解される であろう。
図1は、この発明の実施例のレーザ制御回路のブロック図を示す。
図2aと図2bは、図1のレーザ制御回路の動作図を示す。
図3は、図1のレーザ制御回路の一実施例の回路図を示す。
図4は、図1と図3のレーザ制御回路の好ましい動作を示す図である。
図5は、図3の回路図の一部分の変形例を示す。
図6は、図4に示す変形例のレーザ制御回路の動作図を示す。
図1は、レーザダイオードモジュール10用の制御回路のブロック図を示す。
そのモジュールはレーザーダイオードを含み、そのレーザーダイオードは、線1 2を経て供給されるデータに従って変調され変調光信号を発生し、光伝送路(図 示せnを介してデータを伝送する。レーザダイオードモジュール10は、制御回 路の制御電流源14.16によってそれぞれ定められる電流IbとImとを流す 。電流Ibは、レーザダイオードがその特性曲線の折曲り部の上部のほぼリニア 領域で動作するためにバイアスするバイアス電流である。電流Imは、レーザダ イオードを介して流れ、又はデータに従属しないで流れる変調電流であり、それ によって、レーザダイオードによって発生された光信号を変調する。
制御電流デバイス14.16に加えて、制御回路はレーザダイオードで発生され た光信号のバツクファセット成分を検出するためのピンダイオード検出器18、 パイロット・トーン発生器20、パイロット・トーン検出器22、及び差動アン プ24.26を含む。
検出器18、アンプ24及び制御電流源14は、第1の帰還ループを形成し、そ の第1の帰還ループはレーザダイオードの平均電力を安定化するためにレーザダ イオードのバイアス電流Ibを制御する。この目的のために、検出器18の出力 はアンプ24で増幅され、そのアンプ出力は電流源14を制御するために用いら れ、それにより電流rbを制御する。パイロット・トーン発生器20と、パイロ ット・トーン検出器22、アンプ26及び制御電流源16は、レーザダイオード 変調電流Imを制御する第2の帰還ループを形成する。この目的のために、パイ ロット・トーン発生器20の出力はアンプ24において検出器18の出力から差 引かれ、パイロット・トーン検出器22はアンプ24の出力に存在するパイロッ ト・トーンのレベルを検出し、アンプ26は比較器として動作し、そのパイロッ ト・トーンの検出レベルを基準電圧Vrefと比較して、電流源16を制御する 。
パイロット・トーン検出器22は、同期検出器を用いることが好ましく、従って 、パイロット・トーン発生器20から線28を介してパイロット・トーンが供給 される。
この制御回路の動作は、図2aと図2bを参照して以下に説明する。この図は、 レーザダイオードの電流に対してプロットされるレーザダイオードの出力電力、 及び同時に変調された光出力信号の特性曲線を示す。その出力信号は、光伝送路 に伝送されるばかりでなく検出器18によっても検出される。この特性曲線は、 閾値又は折曲り部42の上部にほぼリニアな領域40を有する。変調された光出 力信号は、パイロット・トーン信号の正弦波変化を表わす信号包絡線44と、変 調データのビットレートで発生する高速データ遷移部46を有する。レーザダイ オード電流は、バイナリOのデータビットに対してはIbであり、またバイナリ 1のデータビットに対してはIb+1mである。
図2aと図2bとは、それぞれ、レーザダイオードがらの平均出力電力Apは同 じであるが、バイアス電流Ibが特性曲線の折曲り部42の上又は下にある場合 の動作図を示す。その平均電力Apは、レーザダイオードの出力電力の平均値を 示し、バイナリ0とバイナリ1のデータビットに対応してそれぞれ電流IbとI b+1mをを流す。図2aと図2bとは、それぞれ基準電圧Vrefが高いレベ ル又は低いレベルの動作と対応する。
図2aにおいて、平均電力レベルApを供給するために、比較的高いバイアス電 流1bと比較的低い変調電流Imとを有している。レーザダイオードはリニア領 域4oの中で動作するので、パイロット・トーンの正弦波信号包絡線はデータの バイナリ1とバイナリ0の両者に対してレーザ出力中に現れる。レーザダイオー ドの効率(リニア領域40のスロープとして示される)とアンプ24の利得に応 じて、あるレベルのパイロット・トーンがアンプ24の出力に発生され、このパ イロット・トーンは変調電流Imを決定するために検出器22によって検出され る。
図2bにおいて、同じ平均電力レベルApを提供するために、比較的低いバイア ス電流Ibと比較的高い変調電流Imとを有している。レーザダイオードはデー タのバイナリ1に対してはリニア領域40中で動作し、データのバイナリ0に対 しては折曲り部42の下方で動作するので、図2bに示すように、パイロット・ トーンの正弦波信号包絡線はバイナリ0に対する変調信号出力中では大きく減少 する。従って、アンプ24の出力でより大きなレベルのパイロット・トーンが発 生され、それが検出器22によって検出され、より高い変調電流1mが決定され る。
基準電圧Vrefのレベルは、所定の平均電力Apに対して、変調電流1mの値 を定め、それによって折曲り部42に関連するデータ0のレベル(バイアス電流 Ib)の位置を定める。例えば、もしレーザ効率が減少するならば、特性曲線の ほぼリニアな領域40のスロープは緩やかになるので、回路はパイロット・トー ンに対し一定の変調深さを維持するために変調電流Imを増加させる。一方、も しImを増加するためV refが増加するならば、構成要素18.24及び1 4から構成される制御ループは同じ平均電力Apを維持するためIbを減少する 。このように、基準電圧Vrefのレベルは、折曲り部42に関して正確にバイ アス電流Ibを位置決めする。例えば、レーザダイオードの最大ピーク電力のた め最大の平均電力Apを供給するために正確にその折曲り部42の点が位置決め される。
図3は、図1のより詳細な制御回路を示し、図1と同一の符号は同一の要素を示 している。図3において、レーザダイオードモジュール10は、レーザダイオー ド50を含み、このレーザダイオード50は2つの差動的に接続されたFET( 電界効果トランジスタ)52.54の制御バスに接続され、これらのFETは線 12上のデータ信号によって差動的に駆動される。更に、FET56は、現在導 通しているFET52.54のどちらか一方を通過する変調電流Imを制御する 。更に、FET58は、レーザダイオード50を連続的に流れるバイアス電流I bを制御する。制御電流源14は、その細部と配線は図3に示されるように、5 mA/Vの電圧・電流変換回路で構成され、制御電流源は、図3のブロックで簡 単に示すように同様な変換回路(V−I変換回路)によって構成される。
° 上記検出器18はピンダイオード60とインピーダンス変換アンプ64から 構成され、このピンダイオード60は、矢印62に示すようにレーザダイオード 50からのバツクファセット光を受けるために配置される。差動アンプ24は、 負帰還パスの中にコンデンサ66を設けることによりループフィルターとしての 機能を有する。また差動アンプ24は、パイロット・トーン発生器20によって 構成される発振器から周波数5kHzの0.IVpp(ピーク・ピーク間)の振 幅信号が供給され、それにより、5%以下の非常に小さい変調深さを提供する。
パイロット・トーン検出器22は、同期検出器68と次段のローパスフィルタ7 0から構成される。この同期検出器68は、線28を介してより高い振幅を有す る0゜5Vp%’)パイロット・トーンと、アンプ24の出力が供給される。こ の同期検出器68は、NE602型集積回路で構成してもよい。アンプ26は、 このローパスフィルタ70の出力と、上記で述べたようにマニュアルで設定され る規準電圧Vrefとが供給され、負帰還パスに積分コンデンサ72を含んでい る。
図3の制御回路において、インピーダンス変換アンプ64のゲインは、レーザー ダイオードの所定の平均出力電力をセットするために、アンプ64の負帰還路の 可変抵抗74の抵抗値を調整することによって変化される。例、tJf1m4に 例示されるように、基準電圧V refは、バイアス電流Ibの動作点を特性曲 線の折曲り部42に置いて、所定の出力電力包絡線を供給するようにに設定され る。図4はバイナリ0のデータビットに対するパイロット・トーン包絡線44の 形が異なる点を除いては、図2aや図2bと同じである。
上述の制御回路は、特に200Mb/sオーダー以上のデータビットレート又は 比較的高い減衰率(例えば、バイナリ1とバイナリ0のデータビットに対する出 力電力比)で動作するレーザダイオードに対しては好都合である。比較的低い減 衰率の動作に対しては、約1550nmの光信号波長に対しては光ファイバが分 散的であるので、レーザダイオード”チャープ(Chirp)”、すなわち波長 変化、が減少するようにすることが必要又は好ましいので、図5と図6で以下に 説明するような制御回路の変形形式が採用される。
この変形形式の制御回路においては、図3の回路の積分アンプ26は、図5で示 すように、可変抵抗76で設定される可変ゲインを有する非積分アンプ回路26 °及び、差動アンプ80.ダイオード82及びコンデンサ84とから構成される 初期化すなわち非ラツチアンプ回路78で置き換えられる。上記ローパスフィル タ70の出力は、回路26”中の差動アンプ86の非反転入力に印加され、かつ アンプ80の反転入力にも印加される。そのアンプ80の非反転入力には基準電 圧Vrefが供給される。電圧/電流変換器16の入力は、アンプ86の出力が 印加され、更に、電圧/電流変換器16の入力は、ダイオード82を介してアン プ80の出力に結合され、またコンデンサ84を介して接地される。この制御回 路の残りの回路は、図3に示す回路と同じである。
この変形形式の制御回路においては、図6に示すように、上記と同様に平均電力 Apと変調電流Imとを有し、この変調電流1mは、所定の減衰率を供給するた めに可変抵抗76によって設定される。図6さらに、図2a、図2b及び図4に おいては、パイロット・トーン信号包絡線は、明確にするため大きく誇張して示 されている。例えば、変調深さは上述の通り5%以下であり、典型的には約2% である。図6で示すように通常の動作では、回路78は機能しない。その理由は 、アンプ8oの出力がダイオード82を逆方向にバイアスしているからである。
しかしながら、初期化又は異常な動作条件の場合には、回路78は、図6に示す ように特性曲線のリニア領域40上で動作し又は維持する必要がある。
この発明の特有の実施例は、上述した通りであるが、この請求項に記載したこの 発明の請求の範囲内で他の多くの変形、変更、改良が可能である。例えば、検出 器18は、パックファセット成分よりもむしろレーザダイオードによって伝送さ れる光線の一部分を検出するようにアレンジできる。この発明はまた、レーザダ イオードのバイナリ変調以外の他の変調にも応用できる。例えば、上述したバイ ナリ0のレベルに対応して共通に生じる最小変調レベルがある限り、3進法又は アナログ変調の構成にも適用できる。
i) 補正書の写しく翻訳文)提出書 (特許法第184条の8) 平成4年7月27日

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. 1.入出力部を有するアンプを含み、レーザダイオードのバイアス電流を制御す る第1の制御手段と、 前記アンプの入力部にパイロット信号を供給する手段と、前記アンプの出力部に 接続され、前記アンプの出力部での前記パイロット信号の増幅されたレベルに応 じて、前記レーザダイオードの変調電流を制御する第2の制御手段と、 を含むことを特徴とするレーザダイオード制御回路。
  2. 2.請求項1において、前記第2の制御手段は、前記パイロット信号の増幅され たレベルを検出し、さらに、基準電圧と比較することによって前記パイロット信 号の増幅されたレベルを示す出力電圧を発生する検出手段を含むことを特徴とす るレーザダイオード制御回路。
  3. 3.請求項2において、前記パイロット信号はパイロット・トーンから成り、前 記パイロット信号を検出する前記検出手段は同期検出器を含むことを特徴とする レーザダイオード制御回路。
  4. 4.請求項2において、前記パイロット信号を検出する前記検出手段はローパス フィルタを含むことを特徴とするレーザダイオード制御回路。
  5. 5.請求項2において、前記第2の制御手段は、さらに、制御電圧を発生するた めに前記検出手段からの出力電圧を基準電圧と比較する手段と、前記制御電圧に 応じて変調電流を制御する手段とを含むことを特徴とするレーザダイオード制御 回路。
  6. 6.請求項2において、前記第2の制御手段は、さらに、制御電圧を供給するた めに前記出力電圧を増幅する手段と、前記制御電圧に応じて前記変調電流を制御 する手段とを含むことを特徴とするレーザダイオード制御回路。
  7. 7.請求項6において、前記第2制御手段は、さらに、前記出力電圧及び基準電 圧に応答する手段を含み、その制御手段は前記変調電流を制御する手段へ制御電 圧を発生し供給することを特徴とするレーザダイオード制御回路。
  8. 8.レーザダイオードの出力を検出し、パイロット信号を供給し、 前記の検出された出力を前記パイロット信号と結合し、その結合された信号を増 幅し、増幅されたレベルをパイロット信号成分として有する増幅された信号を発 生し、 前記の増幅された信号に従って前記レーザダイオードのバイアス電流を制御し、 前記の増幅された信号中の前記パイロット信号の増幅レベルに従ってレーザダイ オードの変調電流を制御する、 ことを特徴とするレーザダイオードを制御する方法。
  9. 9.請求項8において、前記の変調電流を制御するステップは、増幅された信号 の中のパイロット信号の増幅レベルを検出し、前記の検出されたパイロット信号 レベルを基準レベルと比較することを特徴とするレーザダイオードを制御する方 法。
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