JPS59124182A - 半導体レ−ザ駆動回路 - Google Patents
半導体レ−ザ駆動回路Info
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- JPS59124182A JPS59124182A JP22924582A JP22924582A JPS59124182A JP S59124182 A JPS59124182 A JP S59124182A JP 22924582 A JP22924582 A JP 22924582A JP 22924582 A JP22924582 A JP 22924582A JP S59124182 A JPS59124182 A JP S59124182A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- current
- circuit
- voltage
- amplitude
- bias current
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/068—Stabilisation of laser output parameters
- H01S5/06804—Stabilisation of laser output parameters by monitoring an external parameter, e.g. temperature
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
発明の技術分野
本発明は半導体レーザを駆動して発光させるための半導
体レーザ駆動副路に関するものである。
体レーザ駆動副路に関するものである。
従来技術と問題点
光通信用光源としてのレーザダイオード（以下ＬＤと略
す）には、従来Ｓ Ａ Ｓ （Ｓｅｌｆ Ａｌｉｇｎｅ
ｄＳｔｒｕｃｔｕｒｅ ）構造を有するＳＡＳ、−ＬＤ
が多く用いられていた。しかしながらＳＡＳ −ＬＤは
発光に必要な動作電流が大きく、通常１００ｍＡ程度流
す必要がある。これに対してＶ Ｓ Ｂ （Ｖ −ｇｒ
ｏｏｖｅｄＳｕｂｓｔｒａｔｅ ’Ｂａｒｒｉｅｄ−ｈ
ｅｔｅｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅ ） °Ｌ Ｄは動作電
流が小さく、約４０ｍＡ流せば十分であり、かつ高速性
能がよいという特徴があるため、１．３μ川程度の長波
長用レーザとして今後広く使用されるものと考えられて
いる。
す）には、従来Ｓ Ａ Ｓ （Ｓｅｌｆ Ａｌｉｇｎｅ
ｄＳｔｒｕｃｔｕｒｅ ）構造を有するＳＡＳ、−ＬＤ
が多く用いられていた。しかしながらＳＡＳ −ＬＤは
発光に必要な動作電流が大きく、通常１００ｍＡ程度流
す必要がある。これに対してＶ Ｓ Ｂ （Ｖ −ｇｒ
ｏｏｖｅｄＳｕｂｓｔｒａｔｅ ’Ｂａｒｒｉｅｄ−ｈ
ｅｔｅｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅ ） °Ｌ Ｄは動作電
流が小さく、約４０ｍＡ流せば十分であり、かつ高速性
能がよいという特徴があるため、１．３μ川程度の長波
長用レーザとして今後広く使用されるものと考えられて
いる。
しかしながらＶ Ｓ Ｂ −’Ｌ Ｄはその駆動電流特
性が従来のＳＡＳ −ＬＤとかなり異なるため、従来の
ＳＡＳ −ＬＤ用駆動回路を利用して駆動することはで
きず、異なった特性を有する駆動回路が必要となる。
性が従来のＳＡＳ −ＬＤとかなり異なるため、従来の
ＳＡＳ −ＬＤ用駆動回路を利用して駆動することはで
きず、異なった特性を有する駆動回路が必要となる。
第１図はＳＡＳ、−ＬＤの各温度における駆動電流対光
パワー特性とこれに対応するバイアス電流マおよび振幅
電流を示したものである。同図において（ａ）は駆動電
流（横軸）対光パワー（縦軸）の特性を示し、発光の闇
値は約７０ｍＡであってかなり大きく、一方微分効率は
５°Ｃ〜５０°Ｃの範囲でほぼ一定であることが示され
ている。また（ｂ）は各温度におけるバイアス電流ＩＩ
３と振幅電流Ｉｓとを示し、闇値電流が大きいため高温
になるに従って微分効率が多少低下しても、最高温５０
°Ｃで消光比を満足するように振幅電流を選んでおけば
、低温になって振幅電流が小さくてすむ状態になっても
、振幅電流はそのままでバイアス電流を小さくすること
でカバーし得ることが示されている。従ってＳＡＳ −
ＬＤを対象とする従来の駆動回路では振幅電流は５０°
Ｃで消光比を満足するように調整し、バイアス電流のみ
を制御することによって駆動電流（−バイアス電流＋振
幅電流）を定めるようにし、これによって光パワーのピ
ーク値を一定に保つようにしていた。
パワー特性とこれに対応するバイアス電流マおよび振幅
電流を示したものである。同図において（ａ）は駆動電
流（横軸）対光パワー（縦軸）の特性を示し、発光の闇
値は約７０ｍＡであってかなり大きく、一方微分効率は
５°Ｃ〜５０°Ｃの範囲でほぼ一定であることが示され
ている。また（ｂ）は各温度におけるバイアス電流ＩＩ
３と振幅電流Ｉｓとを示し、闇値電流が大きいため高温
になるに従って微分効率が多少低下しても、最高温５０
°Ｃで消光比を満足するように振幅電流を選んでおけば
、低温になって振幅電流が小さくてすむ状態になっても
、振幅電流はそのままでバイアス電流を小さくすること
でカバーし得ることが示されている。従ってＳＡＳ −
ＬＤを対象とする従来の駆動回路では振幅電流は５０°
Ｃで消光比を満足するように調整し、バイアス電流のみ
を制御することによって駆動電流（−バイアス電流＋振
幅電流）を定めるようにし、これによって光パワーのピ
ーク値を一定に保つようにしていた。
一方、第２図はＶＳＢ −ＬＤの各温度における駆動電
流対光パワー特性とこれに対応するバイアス電流および
振幅電流を示したものである。同図において、（ａ）は
駆動電流（横軸）対光パワー（縦軸）の特性を示し、発
光の闇値は約１０ｍＡであって小さく、微分効率は５°
Ｃ〜２５°Ｃの範囲ではほぼ一定であるが高温になるに
つれて低下し、５０°Ｃではかなり低くなることが示さ
れている。また（ｂ）は各温度におけるバイアス電流Ｉ
Ｂと振幅電流Ｉｓとを示し、闇値電流が小さいため最高
温５０°Ｃて消光比を満足するように振幅電流を選んで
おくと、最低温５°Ｃではバイアス電流が負になってし
まうことが示されている。
流対光パワー特性とこれに対応するバイアス電流および
振幅電流を示したものである。同図において、（ａ）は
駆動電流（横軸）対光パワー（縦軸）の特性を示し、発
光の闇値は約１０ｍＡであって小さく、微分効率は５°
Ｃ〜２５°Ｃの範囲ではほぼ一定であるが高温になるに
つれて低下し、５０°Ｃではかなり低くなることが示さ
れている。また（ｂ）は各温度におけるバイアス電流Ｉ
Ｂと振幅電流Ｉｓとを示し、闇値電流が小さいため最高
温５０°Ｃて消光比を満足するように振幅電流を選んで
おくと、最低温５°Ｃではバイアス電流が負になってし
まうことが示されている。
しかしながらＬＤに対して負のバイアス電流を供給する
ことは困難であり、このため従来のＬＤ駆動回路によっ
てＶＳＢ −ＬＤを駆動することはできなかった。
ことは困難であり、このため従来のＬＤ駆動回路によっ
てＶＳＢ −ＬＤを駆動することはできなかった。
これに対して発光ダイオード（ＬＥＤ）のような線形素
子の場合と同様に、バイアス電流を与えないで振幅電流
のみによってＶＳＢ−ＬＤを駆動することが考えられる
が、高速変調の場合駆動電流パターンの違いによって出
力光波形の立ち６上り時間に差を生しる。
子の場合と同様に、バイアス電流を与えないで振幅電流
のみによってＶＳＢ−ＬＤを駆動することが考えられる
が、高速変調の場合駆動電流パターンの違いによって出
力光波形の立ち６上り時間に差を生しる。
第３図は振幅電流のみによってＶＳＢ −ＬＤを駆動し
た場合の駆動電流波形と出力光波形との関係を示したも
のである。同図において（ａ）は駆動電流パルスが連続
した場合を示し、駆動電流パルスに対して光出力パルス
の立ち上りに遅れを生じない。（ｂ）は孤立した駆動電
流パルスか与えられた場合を示し、駆動電流パルスに対
して光出力パルスの乙ち上りに遅れτを生じたことが示
されている。
た場合の駆動電流波形と出力光波形との関係を示したも
のである。同図において（ａ）は駆動電流パルスが連続
した場合を示し、駆動電流パルスに対して光出力パルス
の立ち上りに遅れを生じない。（ｂ）は孤立した駆動電
流パルスか与えられた場合を示し、駆動電流パルスに対
して光出力パルスの乙ち上りに遅れτを生じたことが示
されている。
このような現象はＬＤの特性に基ついて生じるものであ
って、先にポンピングされた電子がレーザ準位に残って
いる量が、消光時間によって異なるためであり、これに
よって発振立ち上り時間に差が生じるものである。
って、先にポンピングされた電子がレーザ準位に残って
いる量が、消光時間によって異なるためであり、これに
よって発振立ち上り時間に差が生じるものである。
従ってＶＳＢ −ＬＤを駆動して所要の温度範囲で望ま
しい発光動作を行わせるためには、振幅電流を変化させ
るとともにバイアス電流も変化させなければならないが
、従来このような半導体レーザ駆動回路は全く知られて
いなかった。
しい発光動作を行わせるためには、振幅電流を変化させ
るとともにバイアス電流も変化させなければならないが
、従来このような半導体レーザ駆動回路は全く知られて
いなかった。
発明の目的
本発明はこのような従来技術の問題点を解決しようとす
るものであって、その目的は、ハ′イアス電流と振幅電
流とをそれぞれ可変にすることによって、ＶＳＢ −Ｌ
Ｄを駆動して入力に正しく対応した光出力を発生するこ
とができる駆動回路を提供することにある。
るものであって、その目的は、ハ′イアス電流と振幅電
流とをそれぞれ可変にすることによって、ＶＳＢ −Ｌ
Ｄを駆動して入力に正しく対応した光出力を発生するこ
とができる駆動回路を提供することにある。
発明の実施例
ＶＳＢ −ＬＤに対する駆動電流における変動要因とし
ては、 （１）闇値電流１ ｔｈの変動に基つくもの（１１）微
分効率の変動に基づくもの の二つか考えられる。（ｉ）の変動要因に対しては従来
の駆動回路と同様にバイアス電流を制御するためのルー
プを構成すればよＧ゛。一方（ｉｉ）の変動要因に対し
ては、温度Ｔにおけるバイアス電流Ｉ ｅ （Ｔ ）と
振幅電流ｌ５（Ｔ）との関係が次のように温度に対しで
ある関数Ａ （Ｔ）をなすと考えれば、この関数に従っ
てバイアス電流と振幅電流を制御することによって、Ｌ
Ｄ特性に基づく温度変動を吸収して入力に正しく対応し
た光出力を得ることができる。
ては、 （１）闇値電流１ ｔｈの変動に基つくもの（１１）微
分効率の変動に基づくもの の二つか考えられる。（ｉ）の変動要因に対しては従来
の駆動回路と同様にバイアス電流を制御するためのルー
プを構成すればよＧ゛。一方（ｉｉ）の変動要因に対し
ては、温度Ｔにおけるバイアス電流Ｉ ｅ （Ｔ ）と
振幅電流ｌ５（Ｔ）との関係が次のように温度に対しで
ある関数Ａ （Ｔ）をなすと考えれば、この関数に従っ
てバイアス電流と振幅電流を制御することによって、Ｌ
Ｄ特性に基づく温度変動を吸収して入力に正しく対応し
た光出力を得ることができる。
ｌ５（Ｔ）／ ＩＢ（Ｔ）＝Ａ （Ｔ） −（
１）第４図はＶＳＢ −ＬＤのバイアス電流と振幅電流
の温度に対する変化を示したものである。同図において
（ａ）はバイアス電流Ｉ を示し、温度Ｔに対し次の関
係によって定まることが示されている。
１）第４図はＶＳＢ −ＬＤのバイアス電流と振幅電流
の温度に対する変化を示したものである。同図において
（ａ）はバイアス電流Ｉ を示し、温度Ｔに対し次の関
係によって定まることが示されている。
ここで１０．αはそれぞれ定数である。また（ｂ）は振
幅電流Ｉｓを示−し、温度５°Ｃ〜２５°Ｃの範囲は一
定であるが、２５°Ｃ以上では次第に増加することが示
されている。第４図に示されたバイアス電流１ｂと振幅
電流Ｉｓのデータから（１）式の関係によって、関数Ａ
（Ｔ）を求めることができる。
幅電流Ｉｓを示−し、温度５°Ｃ〜２５°Ｃの範囲は一
定であるが、２５°Ｃ以上では次第に増加することが示
されている。第４図に示されたバイアス電流１ｂと振幅
電流Ｉｓのデータから（１）式の関係によって、関数Ａ
（Ｔ）を求めることができる。
第５図はこのようにして求められた関数Ａ （Ｔ）の−
例を示している。同図において横軸はバイアス電流■８
を、縦軸は振幅電流Ｉｓを示し、ａは５°Ｃ〜２５“Ｃ
で必要な振幅電流、ｂは２５゜Ｃでのバイアス電流、Ｃ
は５０°Ｃでのバイアス電流、ｄは５０°Ｃでの振幅電
流である。０点およびｄ点は第２図に示されたＶＳＥ
−ＬＤの駆動電流対光パワーの特性から読み取ることに
よって求められる。関数Ａ （Ｔ＞は第５図に示すごと
く、温度５°Ｃ〜２５°Ｃの範囲はバイアス電流ＩＢに
対して振幅電流Ｉｓが一定であり、２５°Ｃ〜５０°Ｃ
の範囲は、バイアス電流Ｉ＆の増加に対して振幅電流Ｉ
ｓが一定の傾きをもって増加する関数となる。傾きは第
５図における点（ｂ、ａ）。
例を示している。同図において横軸はバイアス電流■８
を、縦軸は振幅電流Ｉｓを示し、ａは５°Ｃ〜２５“Ｃ
で必要な振幅電流、ｂは２５゜Ｃでのバイアス電流、Ｃ
は５０°Ｃでのバイアス電流、ｄは５０°Ｃでの振幅電
流である。０点およびｄ点は第２図に示されたＶＳＥ
−ＬＤの駆動電流対光パワーの特性から読み取ることに
よって求められる。関数Ａ （Ｔ＞は第５図に示すごと
く、温度５°Ｃ〜２５°Ｃの範囲はバイアス電流ＩＢに
対して振幅電流Ｉｓが一定であり、２５°Ｃ〜５０°Ｃ
の範囲は、バイアス電流Ｉ＆の増加に対して振幅電流Ｉ
ｓが一定の傾きをもって増加する関数となる。傾きは第
５図における点（ｂ、ａ）。
（ｃ、ｄ）から求めることができる。
第６図は本発明の半導体レーザ駆動回路の一実施例の構
成を示している。同図において、１は加え合せ点、２は
増幅器、３はレベルシフト回路、４は傾き発生回路、５
はクランプ回路、６はバイアス電流用の電圧−電流変換
回路、７は振幅電流用の電圧−電流変換回路、８は加算
回路、９はＬＤ、１０は光−電圧変換回路である。
成を示している。同図において、１は加え合せ点、２は
増幅器、３はレベルシフト回路、４は傾き発生回路、５
はクランプ回路、６はバイアス電流用の電圧−電流変換
回路、７は振幅電流用の電圧−電流変換回路、８は加算
回路、９はＬＤ、１０は光−電圧変換回路である。
第６図において加え合せ点１には入力パルスが基準電圧
として加えられる。加え合せ点１において、光−電圧変
換図ｉｉｏの電圧出力と基準電圧との誤差を検出し、誤
差電圧は増幅器２において増幅されたのちレベルシフト
回路３とバイアス電流用の電圧−電流変換回路６に入力
される。レベルシフト回路３においては、第５図に示さ
れた関数における傾斜部の延長線と縦軸との切片Ａに相
当する振幅電流値を増幅器２の出力に加算する。傾き発
生回路４はＡ点からバイアス電流の増加に応じて一定の
傾斜で増加する振幅電流を発生する。
として加えられる。加え合せ点１において、光−電圧変
換図ｉｉｏの電圧出力と基準電圧との誤差を検出し、誤
差電圧は増幅器２において増幅されたのちレベルシフト
回路３とバイアス電流用の電圧−電流変換回路６に入力
される。レベルシフト回路３においては、第５図に示さ
れた関数における傾斜部の延長線と縦軸との切片Ａに相
当する振幅電流値を増幅器２の出力に加算する。傾き発
生回路４はＡ点からバイアス電流の増加に応じて一定の
傾斜で増加する振幅電流を発生する。
クランプ回路５は第５図におけるａ点以下の振幅型・流
を一定値ａにクランプする。電圧−電流変換回路６は増
幅器２の出力に応じて電圧−電流変換を行ってバイアス
電流を発生する。電圧−電流変換回路７はクランプ回路
５の出力電圧を変換して振幅電流を発生する。加算回路
８は両型圧−電流変換回路の出力電流を加算してＬＤ９
に対する駆動電流を発生する。ＬＤ９は駆動電流に応じ
て発光を行い、光パワーＰは図示されない光ファイバ等
に出力される。光−電圧変換回路１０はＬＤ９の背光を
変換して、ＬＤ９の発生光レベルに応じた電圧を発生す
る。この電圧は前述のように加え合せ点１に帰還されて
誤差電圧の発生に用いられ、このような帰還制御が行わ
れることによって、基準電圧として加えられている入力
パルスを、第５図に示された関数に従って補正した駆動
電流がＬＤ９に与えられる。従ってＬＤ９において温度
変化に基づく闇値電流の変動および微分効率の変動があ
っても、出力光パワーＰにおいてはこれらの変動の影響
は吸収されて現れず、常に入力パルスに正しく対応した
光出力を発生することができる。
を一定値ａにクランプする。電圧−電流変換回路６は増
幅器２の出力に応じて電圧−電流変換を行ってバイアス
電流を発生する。電圧−電流変換回路７はクランプ回路
５の出力電圧を変換して振幅電流を発生する。加算回路
８は両型圧−電流変換回路の出力電流を加算してＬＤ９
に対する駆動電流を発生する。ＬＤ９は駆動電流に応じ
て発光を行い、光パワーＰは図示されない光ファイバ等
に出力される。光−電圧変換回路１０はＬＤ９の背光を
変換して、ＬＤ９の発生光レベルに応じた電圧を発生す
る。この電圧は前述のように加え合せ点１に帰還されて
誤差電圧の発生に用いられ、このような帰還制御が行わ
れることによって、基準電圧として加えられている入力
パルスを、第５図に示された関数に従って補正した駆動
電流がＬＤ９に与えられる。従ってＬＤ９において温度
変化に基づく闇値電流の変動および微分効率の変動があ
っても、出力光パワーＰにおいてはこれらの変動の影響
は吸収されて現れず、常に入力パルスに正しく対応した
光出力を発生することができる。
第７図は第６図の実施例におけるレベルシフト回路、傾
き発生回路およびクランプ回路の具体的構成例を示した
ものである。同図において、１１．１２は演算増幅器、
１３はダイオード、１４〜１９は抵抗である。
き発生回路およびクランプ回路の具体的構成例を示した
ものである。同図において、１１．１２は演算増幅器、
１３はダイオード、１４〜１９は抵抗である。
第７図において演算増幅器１１は抵抗１４〜１６ととも
に周知の加算回路を構成し、抵抗１４を経てレベルシフ
ト電圧を、抵抗１５を経て第６図の回路における増幅器
２の出力を加えられることによって、増幅器２の出力に
レベルシフト電圧を加算する。
に周知の加算回路を構成し、抵抗１４を経てレベルシフ
ト電圧を、抵抗１５を経て第６図の回路における増幅器
２の出力を加えられることによって、増幅器２の出力に
レベルシフト電圧を加算する。
レベルシフト電圧は第５図の切片Ａに相当する電圧値に
選ばれている。演算増幅器１２は抵抗１７．１８ととも
に周知の乗算回路を構成しており、抵抗１７を経て入力
された演算増幅器１１を含む加算回路の出力を一定増幅
度によって増幅することによって、バイアス電流の増加
に伴って一定の傾斜をもって直線的に増加する出力を発
生する。ダイオード１３は抵抗１９を経て一定のクラン
プ電圧を与えられており、演算増幅器１３を含む乗算回
路の出力における一定電圧以下を一定値にクランプする
。
選ばれている。演算増幅器１２は抵抗１７．１８ととも
に周知の乗算回路を構成しており、抵抗１７を経て入力
された演算増幅器１１を含む加算回路の出力を一定増幅
度によって増幅することによって、バイアス電流の増加
に伴って一定の傾斜をもって直線的に増加する出力を発
生する。ダイオード１３は抵抗１９を経て一定のクラン
プ電圧を与えられており、演算増幅器１３を含む乗算回
路の出力における一定電圧以下を一定値にクランプする
。
発明の詳細
な説明したように本発明の半導体レーザ駆動回路によれ
ば、電気的入力とレーザダイオード出力光に応じた電気
的出力との誤差を検出し、誤差出力に対応するバイアス
電流を発生するとともに、バイアス電流の一定値以下で
は一定値を有しバイアス電流の一定値以上ではバイアス
電流の増加に伴って直線的に増加する振幅電流を発生し
、このバイアス電流と振幅電流とを加算してレーザダイ
オードを駆動するようにしたので、温度変動に伴って闇
値電流と微分効率との両者が変化するＶＳＢレーザに対
しても入力パルスに正しく対応した光出力を発生するこ
とができる。
ば、電気的入力とレーザダイオード出力光に応じた電気
的出力との誤差を検出し、誤差出力に対応するバイアス
電流を発生するとともに、バイアス電流の一定値以下で
は一定値を有しバイアス電流の一定値以上ではバイアス
電流の増加に伴って直線的に増加する振幅電流を発生し
、このバイアス電流と振幅電流とを加算してレーザダイ
オードを駆動するようにしたので、温度変動に伴って闇
値電流と微分効率との両者が変化するＶＳＢレーザに対
しても入力パルスに正しく対応した光出力を発生するこ
とができる。
【図面の簡単な説明】
第１図はＳＡＳレーザにおける駆動電流対光出力特性と
バイアス電流および振幅電流の関係を示す図、第２図は
ＶＳＢレーザにおける駆動電流対光出力特性とバイアス
電流および振幅電流の関係を示す図、第３図は振幅電流
のみによってＶＳＢレーザを駆動した場合の駆動電流波
形と出力光波形の関係を示す図、第４図はＶＳ’Ｂレー
ザのバイアス電流および振幅電流の温度に対する変化を
示す図、第５図はＶＳＢレーザにおけるバイアス電流と
振幅電流の関係を表す関数Ａ （Ｔ）を示す図、第６図
は本発明の半導体レーザ駆動回路の一実施例の構成を示
す図、第７図はレヘルシフト回路。 傾き発生回路およびクランプ回路の一構成例を示す図で
ある。 ■−加え合せ点、２−増幅器、３−レヘルシフト回路、
４−傾き発生回路、５−クランプ回路２＆、６．７−−
電圧−電流変換回路、８−加算回路、９−レーザダイオ
ード、１〇−光一電圧発生回路特許出願人 富士通株式
会社 代理人 弁理士 工具久五部 （外３名）第１図 （α） 第２図 （（１） 第 ３ （α） 第４ （α） Ｔ Ｃｂ） 圀 （ｂ） ７
バイアス電流および振幅電流の関係を示す図、第２図は
ＶＳＢレーザにおける駆動電流対光出力特性とバイアス
電流および振幅電流の関係を示す図、第３図は振幅電流
のみによってＶＳＢレーザを駆動した場合の駆動電流波
形と出力光波形の関係を示す図、第４図はＶＳ’Ｂレー
ザのバイアス電流および振幅電流の温度に対する変化を
示す図、第５図はＶＳＢレーザにおけるバイアス電流と
振幅電流の関係を表す関数Ａ （Ｔ）を示す図、第６図
は本発明の半導体レーザ駆動回路の一実施例の構成を示
す図、第７図はレヘルシフト回路。 傾き発生回路およびクランプ回路の一構成例を示す図で
ある。 ■−加え合せ点、２−増幅器、３−レヘルシフト回路、
４−傾き発生回路、５−クランプ回路２＆、６．７−−
電圧−電流変換回路、８−加算回路、９−レーザダイオ
ード、１〇−光一電圧発生回路特許出願人 富士通株式
会社 代理人 弁理士 工具久五部 （外３名）第１図 （α） 第２図 （（１） 第 ３ （α） 第４ （α） Ｔ Ｃｂ） 圀 （ｂ） ７
Claims (1)
- レーザダイオードを駆動して電気的入力パルスに対応す
る光出力を発生させる駆動回路において、該電気的入力
とレーザダイオード出力光レベルに応じた電気的出力と
の誤差を検出する手段と、該誤差出力に対応するバイア
ス電流を発生する手段と、一定温度以下では該バイアス
電流に一定値を加算した値を有するとともに該一定温度
以上ではバイアス電流の増加に伴って直線的に増加する
値を有する振幅電流を発生する手段と、前記バイアス電
流と振幅電流とを加算して前記レーザダイオードを駆動
する手段とを具えたことを特徴とする半導体レーザ駆動
回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22924582A JPS59124182A (ja) | 1982-12-29 | 1982-12-29 | 半導体レ−ザ駆動回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22924582A JPS59124182A (ja) | 1982-12-29 | 1982-12-29 | 半導体レ−ザ駆動回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59124182A true JPS59124182A (ja) | 1984-07-18 |
Family
ID=16889087
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22924582A Pending JPS59124182A (ja) | 1982-12-29 | 1982-12-29 | 半導体レ−ザ駆動回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59124182A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0421674A2 (en) * | 1989-10-06 | 1991-04-10 | AT&T Corp. | Laser driver with temperature compensation |
| CN108206449A (zh) * | 2016-12-16 | 2018-06-26 | 上海航天科工电器研究院有限公司 | 激光器驱动电路 |
-
1982
- 1982-12-29 JP JP22924582A patent/JPS59124182A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0421674A2 (en) * | 1989-10-06 | 1991-04-10 | AT&T Corp. | Laser driver with temperature compensation |
| CN108206449A (zh) * | 2016-12-16 | 2018-06-26 | 上海航天科工电器研究院有限公司 | 激光器驱动电路 |
| CN108206449B (zh) * | 2016-12-16 | 2020-04-10 | 上海航天科工电器研究院有限公司 | 激光器驱动电路 |
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