JPH05502759A - 蒸着接点を太陽電池に付与する方法 - Google Patents

蒸着接点を太陽電池に付与する方法

Info

Publication number
JPH05502759A
JPH05502759A JP3512445A JP51244591A JPH05502759A JP H05502759 A JPH05502759 A JP H05502759A JP 3512445 A JP3512445 A JP 3512445A JP 51244591 A JP51244591 A JP 51244591A JP H05502759 A JPH05502759 A JP H05502759A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
ink
pad
printing ink
printing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP3512445A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2831130B2 (ja
Inventor
ボタリ,フランク・ジェイ
ハノカ,ジャック
シルバ,フランク・ダブリュー
Original Assignee
エイエスイー・アメリカス・インコーポレーテッド
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by エイエスイー・アメリカス・インコーポレーテッド filed Critical エイエスイー・アメリカス・インコーポレーテッド
Publication of JPH05502759A publication Critical patent/JPH05502759A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2831130B2 publication Critical patent/JP2831130B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/83Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/28Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L24/29Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02Details
    • H01L31/0224Electrodes
    • H01L31/022408Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/022425Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099Material
    • H01L2224/29198Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29298Fillers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/8319Arrangement of the layer connectors prior to mounting
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/838Bonding techniques
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00011Not relevant to the scope of the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00013Fully indexed content
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01005Boron [B]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01006Carbon [C]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01013Aluminum [Al]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01014Silicon [Si]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01015Phosphorus [P]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01019Potassium [K]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01023Vanadium [V]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01024Chromium [Cr]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01027Cobalt [Co]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01033Arsenic [As]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01038Strontium [Sr]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01047Silver [Ag]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01052Tellurium [Te]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01057Lanthanum [La]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/0106Neodymium [Nd]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01067Holmium [Ho]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01073Tantalum [Ta]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01075Rhenium [Re]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01077Iridium [Ir]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01079Gold [Au]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01082Lead [Pb]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/06Polymers
    • H01L2924/078Adhesive characteristics other than chemical
    • H01L2924/0781Adhesive characteristics other than chemical being an ohmic electrical conductor
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/12Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1203Rectifying Diode
    • H01L2924/12036PN diode
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/02Details
    • H05K1/0284Details of three-dimensional rigid printed circuit boards
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/10Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
    • H05K3/12Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using thick film techniques, e.g. printing techniques to apply the conductive material or similar techniques for applying conductive paste or ink patterns
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Sustainable Energy (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)
  • Printing Methods (AREA)
  • Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるため要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 蒸着接点を太陽電池に付与する方法 発明の分野 本発明は、太陽電池の製造方法、特に、蒸着導体を太陽電池基板の表面及び裏面 に付与する方法に関するものである。
&盟の背景 蒸着接点又は導体を太陽電池基板の表面及び裏面に付与する多数の技術が存在す る。残念なことに、これら公知の技術は、典型的にその有効性を制約する1又は 2以上の欠点がある。かかる欠点として、過度の材料コスト、不当に長い付与時 間、蒸着接点の厚さの不均一性、及び蒸着付与の結果として、太陽電池基板の破 損率が過度である。
一般にスクリーン印刷と称されるかかる公知の一つの技術は、形成された蒸着パ ターンを有するスクリーンを基板の片側に付与する段階を含む。次に、スクリー ンを横断して該スクリーンと直接接触した状態で駆動される狭小幅の細長いブレ ードを使用して、スクリーン内の蒸着パターンの上にスクリーン印刷金属インキ を分散させる。スクリーンの除去後、蒸着インキを加熱してインキ内のバインダ を除去し、インキ内の金属を基板に接着させる。かかるスクリーン印刷法は、米 国特許第4.293.451号及び同第4.388.346号に記載されている 。
スクリーン印刷法は、蒸着接点をある型式の太陽電池基板に付与するのに有効な 技術である。残念なこと(二このスクリーン印刷法は、比較的脆弱でかつ不規則 な不均一な面を有する太陽電池基板に蒸着接点を付与するため利用する場合に、 幾つかの欠点を伴う。第一に、EFG法で成長させた太陽電池基板にスクリーン 印刷により蒸着インキを付与する結果、その蒸着インキにて形成される接点の厚 さが著しく変動する。この厚さの変動は、EFG基板の表面の形状に起因する。
典型的に、EFG法で成長させた基板の表面は起伏部分又は不規則な凹凸があり 、平坦度の偏差は4乃至lOミルの範囲にある。印刷スクリーンは、不拘−又は 不規則な基板の表面の高所部分に着座するため、スクリーン印刷法により形成さ れる蒸着接点の厚さは、蒸着接点の幅及び長さに亙って著しく異なってものとな る可能性がある。かかる厚さの変動の結果、金属印刷インキの使用量が過大とな り、これにより太陽電池の全体的コストが増大する。更に、基板の低い箇所の上 になるスクリーン印刷された接点部分に生ずるように、電流を良好に流すのに必 要な厚ざ以上の厚さで金属インキを付与した場合、金属インキを基板に結合させ る加熱段階により生ずる応力の結果、その基板が屈曲する傾向となる。かかる屈 曲の結果、太陽電池が破損し、別個の太陽電池を大形の太陽電池アレーに取り付 ける場合に問題が生じるため、かかる屈曲が生ずることは不利である。
不均一な表面を有する脆弱な太陽電池基板にスクリーン印刷により、蒸着接点を 付与するときの第二の問題点は、典型的に、この方法の結果として許容し得ない 多量の数の基板が破損することである。かかる破損は、表面積の単位で測定した とき、金属インキをスクリーン全体に散布するのに使用される幅の狭いプレート により基板に対して比較的大きい力が付与されることに起因すると考えられる。
溶射又は蒸発析出のような技術を使用して均一な厚さの蒸着層を太陽電池基板に 付与することが出来る。残念なことに、かかる技術は、マスキング及びその他の 制約が伴う。又、写真平版を使用して蒸着層を太陽電池用の表面グリッド電極の パターンのようなパターンの形態にて蒸着層を付与することも可能である。しか し、写真平版は、太陽電池基板の製造時間及びコストが増大する。
太陽電池の製造に無関係な技術分野において、不規則な表面を有する対象物に一 般にタコ印刷(pad printing)と呼ばれる技術によりパターンを付 与することが公知である。例えば、タコ印刷を利用し、ゴルフボール、時計表面 、陶器、ガラス製品及び玩具に装飾用パターンを付与することが出来る。従来の タコ印刷装置は、典型的に、エツチング印刷すべきパターンの形状に対応するエ ツチング腐食部分を有するグラビア板と、加工物支持体と、インキ塗布パッドと 、フラッドブレード及びドクターブレードが取り付けられたブレード支持体とを 備えている。
このパッド及びブレード組立体は、相互に離間した関係で可動キャリッジに取り 付けられる。加工物を加工物支持体に取り付けた後、印刷インキをグラビア板の 表面に注入する。次に、フラッドブレードをグラビア板を横断して引き出し、印 刷インキを板のエツチング腐食部分内に分散させる。次に、ドクターブレードを 使用して、グラビア板の全てのエツチング腐食部分を除く全ての部分から除去す る。次に、パッドを(1)下降させてグラビア板に接触させ、グラビア板の腐食 部分のインキを拾い上げ、(2)持ち上げ、加工物の上方で動かし、(3)下降 させ、加工物に接触させ、(4)加工物から持ち上げて離反させ、加工物上に印 刷されたインキパターンが残るようにする。
従来のタコ印刷方法(即ち、陶器、ガラス製品、ゴルフポール、時計表面、玩具 等のような商品に適用されるタコ印刷)は、蒸着導体を太陽電池の基板に付与す る方法として、この方法を不適肖にする幾つかの特徴がある。従来のタコ印刷法 により付与されるパターンの厚さは、典型的に、インキがまだ湿っているときに 、約0.25乃至約1.0ミルの厚さであり、インキを加熱した後、約1.0乃 至約2.0μmの範囲となる。他方、太陽電池は、加熱後、少なくとも約40− 10μmの厚さの蒸着導体を必要とする。又、公知のタコ印刷技術は、導電性金 属インキを使用して電気導体を形成する段階は含まないと考えられる。更に、従 来の公知のタコ印刷技術に関し、時間の経過と共に、グラビア板の表面及びドク ターブレードの作用端縁に切欠き又は刻み線を生じることが多く、その結果、漏 れたインキの付着分がパッドにより拾い上げられかつ析出され、印刷されたパタ ーンの外方に伸長する。太陽電池の場合、かかる漏れたインキの、<ターンは、 太陽電池の表面及び裏側を電気的に結合させ、これにより、p/n接合の絶縁を 損なうため、その配置位置いかんにより問題を生ずる。
発明の目的及び概要 本発明の一つの目的は、蒸着接点を太陽電池基板に付与する方法を提供し、この 方法の結果として、基板の破損率を顕著に軽減することである。
本発明の別の目的は、不均一な表面を有する太陽電池基板に蒸着接点を付与し、 その接点が付与される表面の不規則性に適合し、これにより、接点の厚さがその 輻及び長さに亙り略均−であるようにする方法を提供することである。
更に別の目的は、表面及び裏側接点を太陽電池に付与する新規かつ改良された方 法を提供することである。
上記及びその他の目的は、従来のタコ印刷装置及び特殊な金属印刷インキを使用 して、蒸着接点を太陽電池基板に付与する方法により実現される。蒸着接点は従 来のタコ印刷技術と同様の方法を使用して基板に付与されるが、次の変更を加え る。第一に、裏側接点を印刷する前にマスクを基板の裏側に配置し、漏れたイン キ付着分がその裏側の周端縁に付与されないようにする。第二に、本発明は、( 1)加熱した蒸着接点が所望の導電率を有し、(2)加熱した接点が4乃至10 μmの範囲の厚さとなるのを許容する厚さでインキが容易にかつ確実に付与され るようにインキを調合する。接点の厚さは、グラビア板のへこみ又は凹所の深さ を制御することにより更に制御される。更に別の選択随意の特徴として、蒸着接 点を付与するのに使用されるパッドの構造及び形状は、付与すべき接点の寸法及 び形状に従って変更を加えることが出来る。
パッド印刷方法により接点を付与した後、基板を加熱して印刷インキ内の溶剤及 びバインダを除去し、その接点を基板に強固に結合させる。
このタコ印刷方法を利用して、裏側抵抗接点及び/又はグリッド状の表面抵抗接 点を太陽電池に付与することも可能である。
図面の簡単な説明 本発明の性質及び目的を一層良く理解するためには、添付図面に関する以下の詳 細な説明を参照する必要がある。添付図面において、第1図は、フラッドブレー ドをインキをグラビア板に付与する状態で示す、本発明の方法を実行するのに使 用される型式のプリンタのパッドの概略図的な側面図、 第2図は、ドクターブレードが余分なインキをグラビア板から除去する状態を示 す点を除いて第1図と同様の図、 第3図は、パッドがグラビア板の腐食部分からインキを受け取る状態を示す点を 除いて第2図と同様の図、 第4図は、インキ被覆パッドが電極が形成される基板の上方の位置に配置された 状態を示す点を除いて第3図と同様の図、第5図は、パッドが基板の上面に係合 した状態を示す点を除いて第4図と同様の図、 第6図は、インキが基板の上面に付着した後、基板の上方に配置されたパッドを 示す第4図と同様の図、 第6図aは、不均一な上面を有する太陽電池基板の拡大断面図であり、均一な厚 さの印刷インキ層がその上面を覆う状態を示す図、第7図は、印刷される基板の 部分を覆うのに使用されるマスク及び該マスクを支持するフレームの平面図、 第8図は、本発明の方法を使用してその裏側に付与された接点を有する太陽電池 基板の平面図、 第9図は、第8図の線9−9に沿った断面図、第10図は、本発明を実施するの に使用されるパッドの側面図、第11図は、第8図に示した裏側接点を形成する のに使用されるグラビア板の平面図、 第12図は、第8図に示した裏側接点上に銀パッドを形成するのに使用されるグ ラビア板の平面図、 第13図は、第8図に示した裏側接点上に銀パッドを付与するのに使用されるパ ッドの側面図、 第14図は、第8図に示した裏側液、ζ上に銀バットを付与するのに使用される 別のパッドの側面図、 第15図は、本発明を利用して、その表面側に付与されたグリッド接点を有する 太陽電池基板の平面図、 第16図は、第15図に示した表面側グリッド接点を形成するのに使用されるグ ラビア板の平面図、 第17図は、頂部面を覆う頂部面の形態と共に変化する肉厚を有する印刷インキ 層を備える不均一の頂部面を有する太陽電池基板の断面図である。
発明の詳細な説明 本発明は、蒸着接点を太陽電池基板の面に付与する方法である。本発明は、EF G法により成長させた基板のような不均一な表面を有する基板に対し、特に有効 であるが、本発明は、広範囲の半導体基板に適用し、良好な結果を得ることが可 能である。公知であるように、例えば、米国特許第3.686.036号に記載 された型式のグリッド状電極は、典型的に太陽電池の表面に使用され、太陽電池 のp/n接合から電流を伝達して送る。更に、アルミニウムのような金属層から 成る接点により太陽電池の基板の裏側を覆うことも従来技術である。本発明は、 かかる接点を比較的、低コストで太陽電池基板に付与し、大きい生産量及び基板 の極めて低い破損率を実現するものである。
本発明は、タコ印刷業界で広(使用される型式の第1図乃至第6図に概略図で示 した従来のタコ印刷機械20を使用して、良好に実現することが出来る。機械2 0は、グラビア板26を支持する基部22を備えている。該グラビア板は符号2 8で概略図的に示した1又は2以上のエツチング腐食部分を備え、そのエツチン グ腐食部分の形状は太陽電池基板に付与される蒸着接点の形状に対応する。本発 明の目的上、グラビア板にエツチング腐食される凹所の深さは、2.5乃至6ミ ル、望ましくは3.0ミル以上であり、4−5ミル以上ではないように設定する 。
この深さは、皿、ゴルフポールなどのような家庭用物品にタコ印刷するために従 来から使用されてきた深さよりも深く、タコ印刷機械により厚い印刷膜を基板に 付与することが確実となる。
又、機械20は、シリコン基板38を支持する基板支持体36を備えている。
支持体36は、グラビア板26の正面に直接耐直される。基板支持体36は、該 基板を解放可能に保持する真空チャック39を備えることが望ましい。本発明を 一層良く示すため、基板38の厚さは第1図乃至第6図では誇張して示しである ことを理解すべきである。
該タコ印刷機械20は、細長いキャリッジ40と、該キャリツノを支持しかつ該 キャリッジを長手方向軸線に沿って前後に動かす駆動組立体42とを更に備えて いる。パッド組立体44及びブレード組立体46がキャリッジ40に選択した離 間した関係で取り付けられる。
バット組立体44は、パッド48と、該パッドをキャリッジ組立体42に解放可 能に固着すると共に、以下に更に詳細に説明するように、該パッドを上方位置と 上方位置との間で並進させる並進装置50とを備えている。パット48は、略円 錐形の形状であり、典型的にシリコンゴムにより形成される。以下に更に詳細に 説明するように、パッド48の形状は変形させて、印刷すべき蒸着接点の形状に 適合させることが出来る。又、本発明を実施するため、パッド48のジュロメー タ硬度は、ショア硬度OOスケールの15−40の範囲内とし、20ジユロメ一 タ硬度が望ましい。
ブレード組立体46は、印刷インキをグラビア板26の頂部面の全体に分散させ るフラッドブレード60と、印刷1′ンキをグラビア板のエツチング腐食部分2 8を除く全ての部分から除去するドクターブレード62とを備えている。フラッ ドブレード60は、典型的に、比較的硬く、剛性なプラスチック材料にて形成さ れ、ドクターブレード62は、典型的に、焼き入れ鋼にて形成される。ブレード 組立体46は、フラットブレード60がグラビア板26の上面に係合する上方位 1と、フラットブレードがグラビア板の頂部面から離間した上方位置との間で該 フラッドブレード60を動かす作動機構64を備えている。ブレード組立体46 は、ドクターブレードがグラビア板26の上面に係合する上方位置と、ドクター ブレードがグラビア板の上面から離間した上方位置との間で該ドクターブレード 62を動かす割り出し機構66を更に備えている。
第1図、第2図及び第7図を参照すると、以下に更に詳細に説明するように、あ る状況下にては、パッド48を基板の露出面に係合させる前に、基板38の露出 面の一部を物理的に遮断することが望ましいことがある。従って、この機械は、 基板38の露出面の一部を遮断するマスク76(第7図)を支持するフレーム7 4を備えるように改造する。以下に更に詳細に説明するように、マスク76の寸 法及び形状は、マスキングすべき基板の面の部分に対応するようにする。フレー ム74は、マスク76が基板38の露出面から離反して位置決めされる第1図に 示した前方の不作動位置と、該マスク76が第2図に示すように基板36の露出 面に係合する後方の作用位置との間で可動であるように基板支持体36に枢動可 能に取り付けられる。マスク76と基板の裏面との間には、タイトなシールが不 要であるため、フレーム74の重量のみでマスク76を基板38のχ出面に保持 するのに十分である。
本発明の方法を実施するために多数の印刷インキが使用され、良好が結果が得ら れている。基本的に、このインキは、パッド印刷用に適した流動性を備えるよう 希釈した従来のシルクスクリーン印刷インキとすることが出来る。この従来のノ ルクスクリーン印刷インキの具体的な組成は、インキ製造業者の特許に係るもの である。しかし、本発明の実施に有効であることが確認されている従来の印刷イ ンキは、重量比で約60−85%のアルミニウム(又は、銀接点を形成する場合 は銀)のような金属粒子を含み、その残りがエチルセルロースのような有機バイ ンダ及びカルピトール又はテルピネオールのような溶剤を含むと考えられる。
銀インキの場合、該インキは又重量比で約4%乃至約10%のガラスフリット、 望ましくは、鉛ホウケイ酸塩ガラスフリットを含む。これら従来のインキは、一 般に、25℃で約1000ポイズの粘度及び107秒のせん断速度を備えている 。
本発明によれば、このインキは、25℃で約50ポイズの粘度及び10/秒のせ ん断速度を備えるように希釈する。典型的に、希釈したインキは、重量%で50 乃至75%の範囲の金属粒子濃度である。
アルミニウム接点を太陽電池基板に付与する目的にて、カルフォルニア州のフェ ロ=・カンパニー(Fello Company) 、ペンシルバニア州のエレ クトロ・サイエンス・ラブズ(Electro 5cience Labs)及 びニューシャーシー州のエンゲルハード・カンパニー(Engelhard C ompany)により製造され、適当な溶剤で希釈したスクリーン印刷インキが 使用されている。より具体的には、開始インキの重量比で2−30%の範囲の量 のカルピトールをインキに添加して希釈したエンゲルハードアルミニウムスクリ ーン印刷インキ#A3484を使用して、従来のタコ印刷機械を使用し、アルミ ニウム接点をシリコン基板に付与している。希釈されたインキは、25℃で約5 0ポイズの粘度及び10/秒のせん断速度を備えることを要する。又、アルミニ ウム接点は、フェロ−・カンパニーにより製造される製品コードDP−53−0 20、DP53−015、DP53−017の特注のアルミニウムインキを使用 して、タコ印刷により良好に付与することが出来、これらインキの全ては、25 ℃で約50ポイズの粘度及び10/秒のせん断速度を備えている。
銀接点は、フェロ−・カンパニーにより製造され、製品番号3398で識別され る従来の銀スクリーン印刷インキを使用して、タコ印刷によりシリコン基板の裏 側に付与されている。このインキは、重量比でインキの5−20%に相当する量 のカルピトールを添加することにより希釈され、上述のように、約50ポイズの 粘度となるようにした。又、フエa−社の特注の銀インキDP33−072を使 用して銀接点をシリコン基板の裏側に付与している。又、この特注インキは、約 50ポイズの粘度であり、従って、希釈を必要としない。双方のインキは、ガラ スフリットを含む。
表面基板は、重量比でインキの2−30%に相当する量でカルピトールを添加し て希釈したフェロ−社の銀スクリーン印刷インキ#3349を使用して、タコ印 刷により太陽電池基板に付与している。
各場合共、インキは、加熱前に約2ミル乃至約4ミルの範囲の厚さ、及び加熱後 に4−10μmの厚さとなるように付与する。約2−4ミルの最初の厚さはグラ ビア板にエツチング腐食させた凹所の深さ、及びインキの表面張力に起因するも のである。
本発明の詳細な説明に関し、第1図乃至第7図を参照すべきである。この方法の 最初の段階として、太陽電池基板38を基板支持体36に固着し、該基板がグラ ビア板38に対し所定の離間した関係となるようにする。基板38は支持体36 に取り付ける前に、p/n接合の形成のような幾つかの準備的な製造工程を経る ことが理解される。連続的な太陽電池基板が基板38と同一位置でグラビア板2 6に対し支持体36上に支持されることを確実にするため、支持体36は、基板 をグラビア板に対して所定の空間的関係に位置決めする従来の整合手段(図示せ ず)を備えることが望ましい3゜ 次に、又は基板38を支持体36に取り付ける前に、基板38の露出面の一部を マスキングすることが望ましい場合、適当な形状のマスク76をフレーム74に 取り付ける。又、本発明の方法の幾つかの具体的な例に関して以下に説明するよ うに、マスク76は、厚さ約5ミルのマイラー(Mylar)シートにて形成す ることが望ましい。次に、基板38が支持体36上の適所にあるとき、フレーム 74を枢動させ、第2図に示すようにマスク76を基板38の露出面と接触させ る。
印刷インキをグラビア板26の上面に分散させた後、手動操作により又は自動的 に駆動組立体42を作動させ、キャリッジ46を第1図に見て左方向に動かし、 フラッドフレーム60がグラビア板26の上面を横断して、インキを分散させる ようにする。次に、作動機構64を作動させ、フラッドブレード60をグラビア 板26から上方に持ち上げる。
その後、キャリッ′)40を作動させ、ドクターブレード62がグラビア板26 の左端縁(第2図に示すように)の上方に配置されるようにする。次に、割り出 し機構66を作動させ、ドクターブレード62を下方に動かし、グラビア板26 の上面に接触させる。次に、第2図に示すように、キャリッジ40を作動させ、 ドクターブレード62をグラビア板26の上面を横断して右方向に動かし、グラ ビア板の上の余分なインキ、即ち、グラビア板の腐食部分28を除く全てのイン キを拭き取る。
キャリッジ40を作動させ、ドクターブレード62が余分なインキを拭き取った ならば、第3図に示すように、パッド48をグラビア板26の腐食部分28の真 上の位置まで動かす。かかる位置決めは、極めて正確に行わなければならず、更 に、多数回の製造工程中、反復可能でなければならない。次に、並進装置50を 作動させ、パッド48を十分に下降させ、該パッドの底部分がグラビア板26に 接触し、腐食部分28内のインキを拾い上げ得るようにする。その後、装fIL 50はパッド48を持ち上げ、グラビア板26と非接触状態にする。
次に、第4図に示すように、キャリッジ40を作動させ、パッド48を基板38 の真上の位置まで左方向に動かす。又、この位置決めも極めて正確に行い、パッ ド48上に担持されたインキパターンが基板38の端縁と反復可能に適正に整合 されるようにしなければならない。
次に、第5図に示すように、並進機構50を作動させ、パッド48を下降させて 基板38の上面に接触させる。パッド48は十分下方に下降させ、そのインキ支 承部分を平坦にし、これら部分が基板38の上面の露出頭載に接触するようにす る。
その後、第6図に図示するように、並進機構50を作動させ、パッド48を基板 38の露出面の上方lこ持ち上げる4、パッドが基板に係合したならば直ちに、 インキの一部は基板に転写されるが、殆んどのインキは実際には、パッドを持ち 上げて基板と非接触状態にしたとき、パッド48から基板38に転写されると考 えられる。上述のように、インキがパッド48の表面よりも、基板38の方に一 層容易に接着するようなインキ成分を選択する。
第6図aを参照すると、パッド48の適合可能な性質のため、基板38に付与さ れるインキ78の厚さは、典型的に約1−5%しか変化しない。故に、基板38 の表面の「谷部分」82(第6図a)に付与されるインキの厚さは、基板の面の 「ピーク部分」82(第6図a)に付与されるインキの厚さと略等しくなる。
パッドを持ち上げた後、マスク支持フレーム74を基板38から上方に枢動させ 、次に、該基板38をホルダ36から除去する。その後、典型的に揮発性溶剤を 気化させるのに十分な相当な温度まで加熱することにより基板38を乾燥させる 。
その後、基板を加熱して有機バインダを熱分解させ、インキ内の金属成分を基板 に融着させ、良好な抵抗接点を形成する。アルミニウムインキの場合、アルミニ ウムは、シリコン基板と共に合金を形成する。加熱工程の特定のパラメータは、 多数のファクタにより変化し、その主たるファクタは印刷インキの成分である。
特定の加熱パラメータは、以下に掲げた本発明の幾つかの実施例に関して説明す る。
基板38に付与される蒸着接点の所望の厚さいかんにより、■又は2以上の付加 的なインキ層を上述の方法を利用して存在するインキ頂部に付与することが出来 る。かかる付加的なインキ層は、最初に付与したインキ層が乾燥し、及び/又は 加熱される前に又はその後に付与することが可能である。
第1の大廊倒 第1図及び第8図乃至第12図を参照すると、本発明の方法は、接点104(第 8図)を長さ約101.6mm (約4インチ)×幅約101.6mm (約4 インチ)の結晶シリコン基板38a(第8図)の裏側に付与するために利用した 。このシリコン基板は、その表面から深さ約0.5μmの位置に形成された浅い p/n接合を備えている。更に、基板の表面には、厚さ約800人の窒化ケイ素 層の形態の反射防止:1−ティングを被覆した。裏側接点104は、アルミニウ ムの薄層106を備えており、該薄層は一連の穴108を備え、又、基板の端縁 の手前で終端となり、基板の裏面の周縁部分110を露出させる。
第9図に示すように、接点104を付与した後、複数の銀パッド112を穴lO B内に付着させ、基板に接触し得るようにした。これらの穴108は、2つの平 行な列状に配lすることが望ましい。
裏側接点104は、従来のタコ印刷機械を使用して付与した。第10図を参照す ると、ジュロメータ硬度約20の従来のシリコンゴムパッド48aを使用してイ ンキを印刷した。
この第1の実施例は、エツチング腐食により形成された矩形の凹状部分28aを 備えるグラビア板26a(第11図ンを使用して行った。このエツチング腐食部 分28aの幅及び長さ寸法は、シリコン基板に付与した裏側接点104の対応す る寸法と略同−である、即ち、約100.584m m x 10+1584m  m (約3,96インチ×3.96インチ)である。エツチング腐食部分28 aの深さは約3.5ミルとした。複数のランド部114がエツチング腐食部分2 8a内に配置され、これらランド部分の上面は、グラビア板26aの上面と同一 面状であるようにした。これらランド部114の各々は、約3.UmmX3.8 1mm (約0.150インチX0.150インチ)の矩形の形状であり、2つ の平行な列状に配置した。
アルミニウム裏側接点104は、エンゲルハード・カンパニーにより製造され、 製品コードA3484で識別されるアルミニウムスクリーン印刷インキを使用し て付与した。このスクリーン印刷インキは、カルピトールを重量比で約15%添 加して希釈した。エンゲルハードインキA3484を同一の溶剤で重量比2o− 30%の範囲内の上記以外の濃度に希釈したときにも満足すべぎ結果が得られた 。
エンゲルハードA3484インキの具体的な組成は特許に係るものであるが、こ のA3484インキは、上述のように希釈する前は、約60−70%のアルミニ ウム粒子、10%の有機バインダ及び20−30%の溶剤を含むと考えられる。
この第1の実施例に適用したときの工程段階を要約すると、希釈したエンゲルハ ードインキは、最初にグラビア板26aの全体に拡散させ、次にエツチング腐食 部分28aを除いてその他の全ての部分から除去した。次に、その前にフレーム 74に取り付けたマスク76(第7図)はフレームを枢動可能に動かし、基板と 囲繞関係にさせることにより、基板の裏面上に配置した。フレーム74(アルミ ニウムにて形成した)の重量のみで、マスク76を基板38aの裏側と接触状態 に保持するのに十分であった。マスク76は、厚さ約5ミルのマイラーにて形成 し、インキが基板38aの裏側の周端縁部分110にのみ付与されるような形状 とした。端縁部分110は、幅約1.016mm (約0.04インチ)とした 。エツチング腐食部分28aに対応する領域の外側におけるグラビア板26の表 面部分の漏れたインキの析出物が基板の裏面上に形成されないようにするため、 マスク76を使用し、これにより、周縁部分10にインキが無い状態にした。
次ニ、パット48aは、(1)下降させ、エツチング腐食部分28aと接触させ てインキを拾い上げ、(2)持ち上げ、(3)基板38aの上方の所定の整合位 置まで動かし、(4)下降させ、基板の裏面に接触させ、(5)持ち上げて、裏 面から離反させ、これにより、エツチング腐食部分28aの形状部分内の印刷イ ンキを基板の裏面上に析出させた。
この第1の印刷工程により、アルミニウム印刷インキは、周縁部分110(マス ク76により)及び穴108を除いて、基板の裏面の全面に付与した。印刷イン キはドクターブレードによりラント部114の上面から除去されているため、パ ッド48aは、これらランド部からインキを拾い上げず、従って、六108が形 成された。バンドIこより形成されたインキパターンは、基板支持体36の上に 基板38aを適正に位看決めすることにより、図示するように基板上に中心部め した。
次に、基板を支持体36から除去し、加熱炉に搬送し、この加熱炉にて、加熱し て印刷接点104内の溶剤及びバインダを除去し、接点が基板に強固に融着され るようにした。具体的には、1371.6m m (54インチ)の加熱領域を 有する従来のベルト加熱炉を使用して、基板を約3分間、窒素雰囲気中で加熱し 、溶剤を除去し、バインダを熱分解させ、インキの残留金属成分を基板に融着さ せた。この加熱は、基板の温度を200℃から670’C乃至850℃の温度領 域に昇温させ、次に、200℃に戻すことにより行った。次に、基板を加熱炉か ら除去し、空気中で室温まで冷却させた。加熱したアルミニウム接点は、約7μ m±3μmの厚さであった。印刷インキが未だ湿った状態のとき、基板を加熱す ることが望ましくないある製造段階においては、この基板は、5−15分間、1 00℃−150℃にて乾燥させることが出来る。その後、該基板は、上述のよう に窒素雰囲気中で加熱することが可能である。
次に、基板は、第12図に示した第2のグラビア板26bを使用して、第2の印 刷工程を行った。グラビア板26bは、グラビア板26a(第10図)のエツチ ング腐食部分28aのラント部114と形状及び配置位置が適合するエツチング 凹所28bを備えている。凹所28bの水平方向寸法は、ランド部114の対応 する寸法を約0.762mm (約0.03インチ)だけ上清ることが望ましく 、例えば、凹所28bの寸法は4.−572mmX4.572mm (0,18 0インチxo、isoインチ)とする。
又、凹所28bの深さも約35ミルとした。
第2の印刷工程は、カルフォルニア州、サンタ・バーバラのフェロ−・カンパニ ーにより製造され、製品コード3398として識別される銀スクリーン印刷イン キを使用して行った。該3398インキは、約8%の金属固体(その内、約3% はアルミニウムであり、約77%は銀である)を含むと考えられる。このインキ の他の成分は、ガラスフリット(このガラスフリットは、重量比でインキの約5 %に相当する量の鉛ホウケイ酸塩ガラスフリットであると考えられる)と、熱分 解型有機バインダと、有a溶剤とから成っている。この3398インキは重量比 で約10%のカルピトールを添加して希釈した。この第2の印刷工程は、接点1 04を形成するのに使用するのと同一のタコ印刷機械、又は別の機械で行うこと が出来る。
この第2の印刷工程は、上述の第1の印刷工程と略同−の方法にて行ったが、基 板の裏面は印刷前にマスキングをしなかった点が異なる。エツチング腐食部分2 8bをグラビア板26b上に配置し、第2の印刷工程時にパッド48がそこまで 動く基板の上方の位置は正確に制御し、パッドによりエツチング腐食部分28b から拾い上げられた銀印刷インキがアルミニウム裏側接点104内の矩形の穴1 08内に正確に付着され、そのアルミニウム接点をこれら穴の各側部にて約0゜ 787mm (約0.031インチ)だけ覆うようにする。第9図には、銀パッ ド112が垂直方向断面か略丁字形であり、バットがアルミニウム層106上に 重なり合い、該アルミニウム層106に対する電気接点を形成する状態が示しで ある。
選択随意でありかつ好適な措置として、第2の印刷工程は、パッド48aに代え てパッド48b(第13図)を使用して行うことも可能である。かかるパッド4 8bは、谷部分122がパッドの中心部に形成される点を除いて、パッド48a と同様である。谷部分122を提供することにより、2つの平行で同様の形状の 接点面124.126が形成される。これら接点面124.126間の間隔は、 グラビア板26bのエツチング腐食部分28bの列間の間隔に対応する(銀パッ ト112が裏側接点104に好適な状態で重なり合うのを許容する)。谷部分1 22が存在することは、パッドにより基板に付与される応力を軽減する働きをす る。この応力を低下させることにより、基板の破損の可能性が軽減される。
第14図には、パッド48bに代えて使用し、銀パッド112を接点104の穴 108に付与することの出来るパッド48Cの別の形態が図示しである。パッド 48cはシリコンゴムにて形成され、ジュロメータ硬度は15−40範囲内であ る。更に、パッド48Cは、銀パッド112に対してそれぞれ一つずつ設けられ る複数の小さい円錐形のインキ付与パッド部分130を備えるように形成する。
このように、パッド48Cを下降させ、グラビア板26bに接触させ、その後に 基板と接触させたとき、各パッド部分130は、対応するそれぞれのエツチング 腐食部分28bからインキを拾い上げ、そのインキを基板に付与し、穴108を 充填しかつその穴108に重なり合わせる。
第2の印刷工程が終了したならば、銀印刷インキは、外気雰囲気中で赤外線加熱 炉内で3分間加熱した。この加熱は、200℃で開始し、670℃−850℃の 範囲の温度まで昇温させ、次に、200℃まで戻した。次に、加熱された基板を 加熱炉から除去し、空気中で室温まで冷却させた。加熱した銀パッド112の厚 さは約8−20μmであった。
その加熱後、太陽電池は更なる公知の製造工程を行った。
第2の実施例 本発明の方法を利用して、グリッド接点200(第15図)を幅約101.6m  m(約4インチ)×長さ約101.6mm (約4インチ)の結晶をシリコン 基板38bの表面側に付与した。該基板は、その表面から深さ約0.5−0.6 μmの箇所にて浅いP−N接合を備えるように加工した。更に、基板の表面側は 、約800人の厚さの窒化シリコン層で被覆した。表面接点200は、一対の平 行な離間した母線バー202.204と、これら母線バー202.204の間を 伸長し、これら母線に対し垂直に伸長する複数の平行なフィンガ206とを備え ている。
表面接点200は、従来のタコ印刷機械及び第10図に図示するような略円錐形 のパッド48aを使用して付与した。第16図に図示するようなグラビア板26 Cをタコ印刷機械と共に使用した。グラビア板26Cは、母線バー202.20 4に対応する形状の一対の平行に離間したエツチング凹所28c、28dと、こ れら凹所28C128dの間を伸長しかつこれら凹所に対し垂直に伸長する複数 の平行で狭小なエツチング凹所28eとを備えている。これらエツチング腐食部 分28C,28dは深さ2.5ミルであり、エツチング腐食部分28eの深さは 4ミルとした。
表面接点200は、カルフォルニア州、サンタ・バーバラの7エロー・カンパニ ーにより製造され、製品コード3349として識別される標準的な銀スクリーン 印刷インキを使用して付与した。この3349インキの具体的な組成は、特許に 係るものであるが、重量比で約65−80%の銀と、重量比で約5%のホウケイ 酸塩と、重量比で約15%の液体媒体であって、エチルセルロースのような有機 質バインダ及びテルピネオール又はカルピトールのような溶剤を含む液体媒体と から成ると考えられる。この3349インキは、重量比で約10%のカルピトー ルを添加して希釈した。又、フェロ−3349インキを重量比で2−30%の範 囲内の異なる量のカルピトールを添加して希釈したときにも又良好な結果が得ら れた。
精粗したフェロ−銀スクリーン印刷インキ3349は、アルミニウムの裏側接点 106を基板38aに付与するための第1の実施例における上述の方法と略同− の方法により、従来のタコ印刷機械及びパッド48a (第10図)を使用しで 、シリコン基板の表面に付与した。しかし2、表面接点200の付与は、マスキ ング段階を含まずに行った。
第2の実施例の方法の段階を要約すると、最初に、希釈したフェa−銀インキを グラビア板26cを横断して分散させ、次に、洋弓62で示すようなドクターブ レードを使用してエツチング腐食部分28c、28dを除く、全てのインキを除 去した。次に、パッド4.8 aを下降させ、グラビア板に接触させ、エツチン グ腐食部分28c、28d、28eからインキを拾い上げ、次に持ち上げて基板 38bの上方の所定の整合位lまで動かし、基板の表面上に下降させ、再度、そ の表面から持ち上げ、これにより、エツチング腐食部分28c、28d、28e の形状部分の印刷インキが基板の表面を被覆する窒化シリコンコーティング上に 付着されるようにした。基板38bに対するパッド48aの所定の整合位看は、 パッド上のインキパターンが基板上で中心法めされるように選択した。
最後に、基板38bを支持体36から除去し、外気雰囲気中で赤外線加熱炉内で 3分間、加熱し、その温度は200℃から約800−850℃まで昇温させ、そ の後、200℃まで戻した。この加熱の結果、インキは、窒化シリコンを通って 進み、その下方のシリコン基板に対する抵抗接点を形成した。この加熱後、基板 は空気中で室温まで冷却さぜた。その後、基板に対して幾つかの付加的な従来の 製造段階を実施し、機能可能な太陽電池を製造した9、第9図に示すように、銀 パッド112がアルミニウム裏側接点104上に優先的に重なり合うようにした ことは、一部、プリンタの整合上の問題を回避し、又は解決しようとすること、 及び銀パyF112と裏側アルミニウム層106との間の接触面積を増大させよ うとするためである。この重なり合いは、約0−762mm (0,03インチ )とすることが望ましい。しかし、又、銀パッドは重なり合わずに穴108を完 全に充填し得るようにすることも可能である。
本発明の一つの重要な利点は、パッドにより基板に付与される力は、シルクスク リーン法により接点を印刷したときに基板に付与される力よりも著しく小さいこ とである。スクリーン印刷の場合のように硬く幅の狭いブレードではなく、接点 lこ対し極めて柔らかいパッド(好適なシゴア硬度OOスケールのジュロメータ 硬度は20である)を付与することにより、基板の破損率は著しく軽減される。
この破損率が低下することは、大形(例えば、101.6mm (4インチ)  X304.8mm(12インチ))のシリコン基板にとって、特に重要なことで ある。
蒸着接点を付与するスクリーン印刷法に優る本発明の別の利点は、接点を不規則 又は不均一な表面を有する基板(例えば、EFGで成長させた基板)に付与した とき、接点の厚さが接点の長さ及び幅に亙ってはるかに均一となることである。
印刷パッドを製造するの1こ使用される材料(シリコンゴム)、パッドの柔軟性 (ショア硬度OOスケールのジュロメータ硬度15−40)及びパッドの形状( 略円錐形)を理由として、該パッドは印刷されるシリコン基板の不規則な表面に 極めて正確に適合することが可能となる(第6図aに示した方法で基板に押し付 けたとき、基板に不当な応力を作用させることなく)。従って、基板の面の「谷 部分」に付与されるインキの厚さは、「ピーク部分ヨに付与されるインキの厚さ と賂等しい。他方、第17図に概略図で図示するように、スクリーン印刷により 、金属インキ330を不均一な表面を有するシリコン基板338に付与したとき 、インキコーティングは面の「谷部分」340で比較的厚くなり、面の「ピーク 部分」342にて比較的薄くなる傾向がある。
均一な厚さの蒸着コーティングを基板の表面に付与することに起因する一つの重 要な利点は、加熱工程の結果、基板が屈曲する傾向が顕著に軽減されることであ る。かかる屈曲は、基板の破損の原因になるため問題である。更に、均一な厚さ の蒸着接点を付与することにより、金属の必要量は少なくて済む。特に、銀接点 の場合、この材料の節約は太陽電池の製造コストを顕著に軽減することを可能に するものである。
又、本発明は、シルクスクリーン技術により形成されるものと同等な厚さでイン キを基板に付与することが可能となり、その結果、本発明により形成される加熱 した接点は、シルクスクリーン法を利用して形成されるものと略同−の厚さとな る。他方、本発明を使用することにより、インキをシルクスクリーン法lこより 付与したときよりもインキの付与中に基板が物理的に変形することが少ない。
銀パッド112が裏側接点104の上に重なり合うように銀パット112を形成 することは又、これら構成要素間の接触面積を増大させ、プリンタの整合上の問 題を最小にする点で有益なことである。
本発明は、結晶シリコン太陽電池基板に蒸着接点を付与する技術として主に説明 したが、本発明の方法は又その他の半導体素子の製造にも適用し、良好な結果が 得られるものであることを理解すべきである。更に、該方法は、非結晶シリコン 基板又はチョクラルスキ法により成長させたプールをスライスした基板のような 比較的平滑な面を有する基板から太陽電池を製造するためにも適用される。
ここに開示した本発明の範囲から逸脱せずに、上記の方法には、幾つかの変形例 が可能であるため、上述し、又は添付図面に示した全ての事項は単に一例にしか 過ぎず、限定的な意味を有するものと解釈されるべきではない。
二5【6A ニラ713 要約帯 従来のタコ印刷装置(第1図)を使用して蒸着接点を半導体基板(38)の面に 付与する方法である。適当な溶剤により重量比で2−30%に希釈した標準的な スクリーン印刷インキを使用して、この方法を実施し、良好な結果が得られる。
ある接点の形状の場合、基板の面部分は、タコ印刷工程中、マイラーマスク(7 6)で被覆する。この方法により、不均一な基板の面、例えば、EFG法により 製造されるシリコン基板の面上に均一な厚さを有する蒸着接点(104,112 ,200)を形成することが可能となる。
補正帯の翻訳文提出書 (特許法第184条の7第1項) 平成4年 4目 1日

Claims (24)

    【特許請求の範囲】
  1. 1.蒸着導体を半導体基板の面に付与する方法にして、(a)タコ印刷装置であ って、(1)半導体基板の面に付与される蒸着導体の寸法及び形状に対応する寸 法及び形状を有するキャビティがエッチング腐食された上面を有する板と、(2 )可撓性パッドと、(3)半導体基板を解放可能に支持する支持体であって、前 記板に隣接しかつ前記板に対し固定状態に配置された支持体とを備えるタコ印刷 装置を提供する段階と、(b)前記基板の片面が露出されるように半導体基板を 前記支持体上に配置する段階と、 (c)前記板の前記キャビティに金属を含む印刷インキを充填する段階と、(d )前記パッドで前記板に接触し、前記印刷インキが前記パッドに接着するのを許 容する段階と、 (e)前記パッドを動かし、前記基板の片面に係合させる段階と、(f)前記パ ッドを動かし、前記基板と非接触状態にし、これにより、前記印刷インキが前記 片面に転写されるようにする段階とを備えることを特徴とする方法。
  2. 2.請求の範囲第1項に記載の方法にして、前記印刷インキが、熱分解型バイン ダと、揮発性溶剤とを含み、前記基板を加熱し、前記印刷インキの金属成分を前 記片面に強固に接着させる段階を更に備えることを特徴とする方法。
  3. 3.請求の範囲第1項に記載の方法にして、前記基板の前記片面の1又は2以上 の選択された部分を物理的にマスキングし、前記パッドが前記片面の1又は2以 上の選択された部分に前記印刷インキを付与するのを阻止するようにする段階を 更に備えることを特徴とする方法。
  4. 4.請求の範囲第1項に記載の方法にして、前記パッドの組成及び形状、前記キ ャビティの深さ及び前記印刷インキの組成が、前記印刷インキが前記基板の前記 片面に2−4ミルの範囲の均一な厚さで転写されるように選択されることを特徴 とする方法。
  5. 5.請求の範囲第1項に記載の方法にして、提供される前記パッドが、15乃至 40(ショア硬度00スケール)の範囲のジュロメータ硬度を有することを特徴 とする方法。
  6. 6.請求の範囲第5項に記載の方法にして、前記ジュロメータ硬度が約20(シ ョア硬度00スケール)であることを特徴とする方法。
  7. 7.請求の範囲第1項に記載の方法にして、前記段階(d)、(e)及び(f) が、一群として1又は2回以上反復され、多数の印刷インキ層を前記基板に付与 することを特徴とする方法。
  8. 8.請求の範囲第1項に記載の方法にして、前記インキが25℃で約50ポイズ の粘度及び10/秒のせん断速度を備えることを特徴とする方法。
  9. 9.請求の範囲第1項に記載の方法にして、前記基板が表面と、前記表面を被覆 する絶縁層とを備え、前記片面が前記絶縁層の面であり、前記インキを加熱し、 前記インキを前記絶縁層に貫入させ、前記基板に対する抵抗接点を形成するよう にする段階を更に備えることを特徴とする方法。
  10. 10.請求の範囲第1項に記載の方法にして、段階(e)の前、前記基板の前記 片面の少なくとも1つの選択された部分をマスキングし、前記パッドにより前記 金属印刷インキが前記片面の前記少なくとも選択された部分に付与されるのを阻 止し、段階(f)の後、前記マスクを除去し、前記基板を加熱し、前記印刷イン キの金属成分を金属層として前記片面に強固に接着させることを特徴とする方法 。
  11. 11.請求の範囲第10項に記載の方法にして、前記印刷インキが熱分解型バイ ンダと、揮発性溶剤とを含み、前記バインダ及び溶剤が前記インキから除去され 、前記金属成分が前記片面に冶金的に結合されるような状態で前記基板を加熱す ることを更に特徴とする方法。
  12. 12.請求の範囲第10項に記載の方法にして、第2の金属印刷インキが前記片 面の前記少なくとも1つの選択された部分に付与され、前記第2の金属印刷イン キを加熱して、前記第2のインキの金属成分が前記基板に接着されるようにする ことを特徴とする方法。
  13. 13.請求の範囲第12項に記載の方法にして、前記第1のインキがアルミニウ ムを含むインキであり、前記第2のインキが銀を含むインキであることを特徴と する方法。
  14. 14.請求の範囲第10項に記載の方法にして、前記片面の前記少なくとも1つ の選択された部分が少なくとも2つの相互に離間した部分を備えることを特徴と する方法。
  15. 15.請求の範囲第12項に記載の方法にして、前記第2のインキが前記片面の 相互に離間した部分及び前記金属層の隣接部分を被覆し得るように付与されるこ とを特徴とする方法。
  16. 16.請求の範囲第1項に記載の方法にして、前記基板がその反対面に隣接する 浅い接合部を備え、前記反対面上に銀電極を形成する段階を更に備えることを特 徴とする方法。
  17. 17.請求の範囲第16項に記載の方法にして、前記銀電極がタコ印刷により形 成されることを特徴とする方法。
  18. 18.結晶シリコン基板の不均一な面に蒸着導体を付与する方法にして、(a) タコ印刷装置であって、(1)半導体基板の面に付与される蒸着導体の寸法及び 形状に対応する寸法及び形状を有するキャビティがエッチング腐食された上面を 有する板と、(2)可撓性パッドと、(3)半導体基板を解放可能に支持する支 持体であって、前記板に隣接して配置された支持体とを備えるタコ印刷装置を提 供する段階と、 (b)前記不均一な面が露出されるように不均一な面を有する結晶シリコン基板 を前記支持体上に配置する段階と、 (c)前記板の前記キャビティに金属印刷インキを充填する段階と、(d)前記 パッドで前記板に接触し、前記印刷インキが前記パッドに接着するのを許容する 段階と、 (e)前記パッドを動かし、前記基板の不均一な面に係合させ、前記パッドに接 着した前記印刷インキを前記不均一な面に転写し、その上に均一な厚さのインキ パターンを形成する段階とを備えることを特徴とする方法。
  19. 19.請求の範囲第18項に記載の方法にして、前記段階(e)が、前記印刷パ ターンが前記板の前記キャビティの形状に対応する形状を有するように実行され ることを特徴とする方法。
  20. 20.請求の範囲第18項に記載の方法にして、前記印刷パターンの厚さが2乃 至4ミルであることを特徴とする方法。
  21. 21.請求の範囲第18項に記載の方法にして、前記基板の前記不均一な面の1 又は2以上の選択された部分を物理的にマスキングし、前記パッドに接着した印 刷インキが前記面の前記1又は2以上の選択された部分に付与されるのを阻止す る段階を更に備えることを特徴とする方法。
  22. 22.裏側接点を結晶太陽電池基板に付与する方法にして、(a)タコ印刷装置 であって、(1)選択された形状の第1のキャビティが形成された上面を有する 第1の板であって、前記第1のキャビティ内に配置された複数のランド部を備え 、前記複数のランド部の各々が前記第1の板の前記上面と同一程度に伸長する上 面を有する第1の板と、(2)可撓性パッドと、(3)半導体基板を前記板に対 し固定状態で解放可能に支持する支持体とを備えるタコ印刷装置を提供する段階 と、 (b)表面及び裏面を有する太陽電池基板を提供し、前記裏面が露出されるよう に前記基板を前記支持体上に配置する段階と、(c)前記第1の板の前記第1の キャビティにアルミニウム印刷インキを充填し、前記ランド部の前記上面が前記 インキで被覆されないようにする段階と、(d)前記パッドで前記板に接触し、 前記印刷インキが前記パッドに接着するのを許容する段階と、 (e)前記パッドを動かし、前記基板の前記裏面に接触させ、前記パッド上の前 記印刷インキを前記裏面に転写し、前記選択された形状に適合する形状を有する インキパターンを前記裏面に付与し、前記パターンが複数の穴を備え、前記穴の 各々が前記複数のランド部のそれぞれ1つのランド部に対応する形状及び配置位 置を備えるようにする段階と、 (f)タコ印刷装置であって、(1)前記第1の板の前記ランド部の形状及び位 置に対応する複数の第2のキャビティが形成された第2の板と、(2)可撓性パ ッドと、(3)前記太陽電池基板を解放可能に支持する支持体とを備えるタコ印 刷装置を提供する段階と、 (g)前記裏面が露出されるように、前記太陽電池基板を前記支持体上に配置す る段階と、 (h)前記複数の第2のキャビティにガラスフリットを含む銀印刷インキを充填 する段階と、 (i)前記パッドで前記第2の板に接触し、前記銀印刷インキが前記パッドに接 着するのを許容する段階と、 (j)前記パッドを動かし、前記パターン内の前記複数の穴を通じて露出された 前記基板の前記裏面の前記部分に接触させ、パッドに接着した前記銀インキが前 記基板の前記露出部分に転写されるようにする段階とを備えることを特徴とする 方法。
  23. 23.請求の範囲第22項に記載の方法にして、前記段階(e)の前、前記裏面 の周縁部分を物理的にマスキングし、前記アルミニウム印刷インキが前記周縁部 分に転写されるのを阻止するようにする段階を更に備えることを特徴とする方法 。
  24. 24.蒸着インキのパターンを半導体基板の面に付与する方法にして、(a)タ コ印刷装置であって、(1)半導体基板の面に付与される蒸着インキのパターン の寸法及び形状に対応する寸法及び形状を有する少なくとも1つのキャビティが エッチング腐食された上面を有する板と、(2)可撓性パッドと、(3)半導体 基板を解放可能に支持する支持体であって、前記板に隣接しかつ前記板に対し固 定状態に配置された支持体とを構えるタコ印刷装置を提供する段階と、(b)前 記基板の片面が露出されるように、半導体基板を前記支持体上に配置する段階と 、 (c)前記板の前記キャビティに金属印刷インキを充填する段階と、(d)前記 パッドで前記板に接触し、印刷インキが前記パッドに接着するのを許容する段階 と、 (e)前記パッドを動かし、前記基板の前記片面に係合させる段階と、(f)前 記パッドを動かし、前記基板と非接触状態にし、これにより、前記印刷インキが 前記片面に転写されるようにする段階とを備えることを特徴とする方法。
JP3512445A 1990-08-01 1991-07-01 蒸着接点を太陽電池に付与する方法 Expired - Lifetime JP2831130B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US561101 1983-12-13
US07/561,101 US5151386A (en) 1990-08-01 1990-08-01 Method of applying metallized contacts to a solar cell

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH05502759A true JPH05502759A (ja) 1993-05-13
JP2831130B2 JP2831130B2 (ja) 1998-12-02

Family

ID=24240640

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP3512445A Expired - Lifetime JP2831130B2 (ja) 1990-08-01 1991-07-01 蒸着接点を太陽電池に付与する方法

Country Status (7)

Country Link
US (1) US5151386A (ja)
EP (1) EP0495035B1 (ja)
JP (1) JP2831130B2 (ja)
AU (2) AU643550B2 (ja)
CA (1) CA2065871A1 (ja)
DE (1) DE69129185T2 (ja)
WO (1) WO1992002952A1 (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004358931A (ja) * 2003-06-09 2004-12-24 Kanji Maruyama パッドによるuv印刷システム
JP2005184025A (ja) * 2005-02-03 2005-07-07 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置の製造方法
JP2014095937A (ja) * 2012-11-07 2014-05-22 Toyoda Gosei Co Ltd タッチパネル装置の製造方法
WO2014080894A1 (ja) * 2012-11-21 2014-05-30 長州産業株式会社 光発電装置

Families Citing this family (35)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5182623A (en) * 1989-11-13 1993-01-26 Texas Instruments Incorporated Charge coupled device/charge super sweep image system and method for making
US5118362A (en) * 1990-09-24 1992-06-02 Mobil Solar Energy Corporation Electrical contacts and methods of manufacturing same
US5302224A (en) * 1992-06-18 1994-04-12 Fashion Nails, Inc. Method and apparatus for creating images on nails
US5411897A (en) * 1994-02-04 1995-05-02 Mobil Solar Energy Corporation Machine and method for applying solder paste to electronic devices such as solar cells
US5478402A (en) * 1994-02-17 1995-12-26 Ase Americas, Inc. Solar cell modules and method of making same
US5476553A (en) * 1994-02-18 1995-12-19 Ase Americas, Inc. Solar cell modules and method of making same
US5599046A (en) * 1994-06-22 1997-02-04 Scientific Games Inc. Lottery ticket structure with circuit elements
US5471039A (en) * 1994-06-22 1995-11-28 Panda Eng. Inc. Electronic validation machine for documents
US5475205A (en) * 1994-06-22 1995-12-12 Scientific Games Inc. Document verification system
US5588359A (en) * 1995-06-09 1996-12-31 Micron Display Technology, Inc. Method for forming a screen for screen printing a pattern of small closely spaced features onto a substrate
US5904504A (en) * 1998-02-19 1999-05-18 Fairchild Semiconductor Corp. Die attach method and integrated circuit device
US5988179A (en) 1998-04-08 1999-11-23 Fashion Nails, Inc. Method and machine for creating nail art on person's digit
US5960798A (en) * 1998-02-26 1999-10-05 Fashion Nails, Inc. Method and apparatus for creating art on an object such as a person's fingernail or toenail
US6024099A (en) * 1998-05-13 2000-02-15 Fashion Nails, Inc. Apparatus for creating art on an object such as the nail of a person's digit or a golf ball and method for making same
US6029673A (en) * 1998-02-26 2000-02-29 Fashion Nails, Inc. Method and apparatus for creating art on a person's fingernail or toenail
DE19851703A1 (de) * 1998-10-30 2000-05-04 Inst Halbleiterphysik Gmbh Verfahren zur Herstellung von elektronischen Strukturen
US6129012A (en) * 1999-02-03 2000-10-10 Illinois Tool Works Inc. Ink cups for pad printing machines
US6641860B1 (en) 2000-01-03 2003-11-04 T-Ink, L.L.C. Method of manufacturing printed circuit boards
EP1321446A1 (de) 2001-12-20 2003-06-25 RWE Solar GmbH Verfahren zum Ausbilden einer Schichtstruktur auf einem Substrat
NO20026107L (no) * 2001-12-20 2003-06-23 Rwe Schott Solar Gmbh Fremgangsmåte for dannelse av en sjiktstruktur på et substrat
US6983688B1 (en) * 2003-08-26 2006-01-10 The Gem Group, Inc. Decoration for bags and cases and method for applying the same
US7686563B2 (en) * 2007-08-23 2010-03-30 1708828 Ontario Ltd. O/A Horst Welding Coupling apparatus for releasably coupling hydraulically powered work implements to a work vehicle
US7927976B2 (en) * 2008-07-23 2011-04-19 Semprius, Inc. Reinforced composite stamp for dry transfer printing of semiconductor elements
US8506867B2 (en) * 2008-11-19 2013-08-13 Semprius, Inc. Printing semiconductor elements by shear-assisted elastomeric stamp transfer
WO2010129325A2 (en) 2009-04-28 2010-11-11 7Solar Technologies, Inc. Backskin material for solar energy modules
US7910393B2 (en) * 2009-06-17 2011-03-22 Innovalight, Inc. Methods for forming a dual-doped emitter on a silicon substrate with a sub-critical shear thinning nanoparticle fluid
DE102009026027B4 (de) * 2009-06-24 2013-05-29 Hanwha Q.CELLS GmbH Wafersolarzelle
US8261660B2 (en) * 2009-07-22 2012-09-11 Semprius, Inc. Vacuum coupled tool apparatus for dry transfer printing semiconductor elements
DE102010006329A1 (de) * 2010-01-29 2011-08-04 RENA GmbH, 78148 Verwendung einer Auftragswalze zum strukturierten Auftragen eines Ätz- oder Dotiermediums sowie Auftragswalze
CN101880914B (zh) * 2010-05-25 2012-09-12 中国科学院微电子研究所 利用等离子体浸没离子注入制备黑硅的方法
US20140021400A1 (en) * 2010-12-15 2014-01-23 Sun Chemical Corporation Printable etchant compositions for etching silver nanoware-based transparent, conductive film
KR20120073615A (ko) * 2010-12-27 2012-07-05 삼성전자주식회사 국소 영역 인쇄장치 및 방법
ITUD20110171A1 (it) * 2011-10-24 2013-04-25 Applied Materials Italia Srl Metodo ed impianto di controllo in retroazione ad anello chiuso per la stampa di uno schema multistrato
US10132453B2 (en) 2016-08-23 2018-11-20 Orsam Sylvania Inc. Flexible light engine with bus bars and interconnectors
FR3084663B1 (fr) * 2018-07-31 2020-07-17 Saint-Gobain Glass France Procede et installation de primage de vitrage par tampographie mettant en oeuvre un solvant a base d'eau.

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58502078A (ja) * 1981-12-10 1983-12-01 ベルギ−国 半導体装置の製造方法およびそうして得られる半導体装置

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2959502A (en) * 1959-09-01 1960-11-08 Wolfgang W Gaertner Fabrication of semiconductor devices
GB1196201A (en) * 1967-09-19 1970-06-24 Tokyo Shibaura Electric Co A method of Printing Electrical Circuits onto Substrates
DE2534845A1 (de) * 1975-08-05 1977-02-10 Schering Ag Druckverfahren und dafuer geeignete schmelzdruckfarben
US4019436A (en) * 1976-06-16 1977-04-26 Martin Handweiler Technique for producing a pre-distorted design format for use in transfer printing
FR2412164A1 (fr) * 1977-12-13 1979-07-13 Radiotechnique Compelec Procede de creation, par serigraphie, d'un contact a la surface d'un dispositif semi-conducteur et dispositif obtenu par ce procede
US4235644A (en) * 1979-08-31 1980-11-25 E. I. Du Pont De Nemours And Company Thick film silver metallizations for silicon solar cells
GB2078762B (en) * 1980-06-23 1984-06-27 Ici Ltd Printing compositions and process
DE3328869A1 (de) * 1983-08-10 1985-02-28 Nukem Gmbh, 6450 Hanau Photovoltaische zelle und verfahren zum herstellen dieser
JPS6249676A (ja) * 1985-08-29 1987-03-04 Sharp Corp 太陽電池
US4865999A (en) * 1987-07-08 1989-09-12 Glasstech Solar, Inc. Solar cell fabrication method

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58502078A (ja) * 1981-12-10 1983-12-01 ベルギ−国 半導体装置の製造方法およびそうして得られる半導体装置

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004358931A (ja) * 2003-06-09 2004-12-24 Kanji Maruyama パッドによるuv印刷システム
JP2005184025A (ja) * 2005-02-03 2005-07-07 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置の製造方法
JP2014095937A (ja) * 2012-11-07 2014-05-22 Toyoda Gosei Co Ltd タッチパネル装置の製造方法
WO2014080894A1 (ja) * 2012-11-21 2014-05-30 長州産業株式会社 光発電装置
JP2014103301A (ja) * 2012-11-21 2014-06-05 Choshu Industry Co Ltd 光発電装置

Also Published As

Publication number Publication date
DE69129185T2 (de) 1998-10-22
JP2831130B2 (ja) 1998-12-02
EP0495035A4 (en) 1993-10-20
EP0495035B1 (en) 1998-04-01
EP0495035A1 (en) 1992-07-22
AU643550B2 (en) 1993-11-18
AU8228691A (en) 1992-03-02
AU5050193A (en) 1994-01-13
DE69129185D1 (de) 1998-05-07
CA2065871A1 (en) 1992-02-02
WO1992002952A1 (en) 1992-02-20
US5151386A (en) 1992-09-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH05502759A (ja) 蒸着接点を太陽電池に付与する方法
KR101028479B1 (ko) 회로기판용 부재, 회로기판의 제조방법 및 회로기판의제조장치
US3950200A (en) Method of fabricating thermal printing head
CN100579333C (zh) 电路基板用部件、电路基板的制造方法及电路基板的制造装置
US5312643A (en) Method of producing a transparent conductive film provided with supplementary metal lines
JPS608426Y2 (ja) 半導体ウエハ−の保持基板
KR101063041B1 (ko) 미세회로 필름기판 및 제조방법
US10675888B1 (en) Method for manufacturing thermal print head
CN116033670A (zh) 一种新的电路板阻焊绝缘层制作工艺
TWI716300B (zh) 熱印頭之製造方法
EP4211725B1 (en) Method of deposition on a substrate used for the manufacture of a solar cell, screen for screen printing on a substrate, processing line for processing a substrate
JP2634724B2 (ja) 厚膜形成方法
JP2606416B2 (ja) 絶縁基板表面への抵抗体層形成方法および金属有機物抵抗体フィルム
JPH0697711B2 (ja) セラミツク回路基板の製造方法
JP2658953B2 (ja) レジストベーキング装置
JP2003258409A (ja) 被パターン形成物およびそのパターン形成方法
KR20230170173A (ko) 이형특성이 향상된 전사필름의 제조 방법, 상기 방법에 따라 제조된 전사필름, 및 상기 전사필름을 이용한 소자의 전사 방법
JP2731059B2 (ja) 発熱体形成基板上のグレーズ層の形成法およびサーマルヘッド基板
CN114822248A (zh) 一种显示面板的制作方法及显示面板
JPH09193435A (ja) 平面型グレーズ基板の製造方法
JP2001063115A (ja) サーマルヘッドの製造方法
JPH09142970A (ja) ガラス被覆層の形成方法
JPH02130155A (ja) サーマルヘッド用グレーズドセラミック基板の製法
JPS6227555B2 (ja)
JPS6360541A (ja) 転写バンプ用基板

Legal Events

Date Code Title Description
R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

S533 Written request for registration of change of name

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080925

Year of fee payment: 10

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090925

Year of fee payment: 11

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090925

Year of fee payment: 11

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100925

Year of fee payment: 12

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100925

Year of fee payment: 12

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110925

Year of fee payment: 13

EXPY Cancellation because of completion of term
FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110925

Year of fee payment: 13