JPH054949A - 光学活性シクロブチルアミン類の製造方法 - Google Patents
光学活性シクロブチルアミン類の製造方法Info
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- JPH054949A JPH054949A JP3260523A JP26052391A JPH054949A JP H054949 A JPH054949 A JP H054949A JP 3260523 A JP3260523 A JP 3260523A JP 26052391 A JP26052391 A JP 26052391A JP H054949 A JPH054949 A JP H054949A
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- optically active
- bis
- hydroxymethyl
- cyclobutylamine
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P20/00—Technologies relating to chemical industry
- Y02P20/50—Improvements relating to the production of bulk chemicals
- Y02P20/55—Design of synthesis routes, e.g. reducing the use of auxiliary or protecting groups
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- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】例えば、抗ウィルス剤の原料として期待される
下記式(I)で示されるシクロブチルアミン類の光学活
性体の取得 【構成】一般式(I) 【化1】 [式中、R1 、R2 はそれぞれ水素原子又は保護基を示
す]で表されるラセミ体のシクロブチルアミン類に光学
活性N−アシルフェニルグリシンを作用させて対応する
2種のジアステレオマ−塩を生成せしめた後、光学分割
し、晶析したジアステレオマ−塩を分解し、光学活性な
対応するシクロブチルアミン類を単離する。
下記式(I)で示されるシクロブチルアミン類の光学活
性体の取得 【構成】一般式(I) 【化1】 [式中、R1 、R2 はそれぞれ水素原子又は保護基を示
す]で表されるラセミ体のシクロブチルアミン類に光学
活性N−アシルフェニルグリシンを作用させて対応する
2種のジアステレオマ−塩を生成せしめた後、光学分割
し、晶析したジアステレオマ−塩を分解し、光学活性な
対応するシクロブチルアミン類を単離する。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、光学活性シクロブチル
アミン類の製造方法に関する。本発明で製造される光学
活性なシクロアミン類は、例えば抗ウィルス剤の原料と
して期待される。
アミン類の製造方法に関する。本発明で製造される光学
活性なシクロアミン類は、例えば抗ウィルス剤の原料と
して期待される。
【0002】
【従来の技術】抗ウィルス剤として期待される9−
[(1R、2R、3S)−2,3−ビス(ヒドロキシメ
チル)−1−シクロブチル]−グアニン等のカルボオキ
セタノシン類はEP−035815−A2 及びEP−0
366059−A2 に開示されている。この化合物の合
成中間体として後記一般式[I]で示される化合物のう
ちR1 、R2 がいずれもシリル型保護基である化合物の
光学活性体も上記EP明細書に開示されている。その光
学活性体の製法は不斉合成法による方法及び一般式
[I]の化合物合成ル−トの初期の段階の原料を光学分
割して得られた光学活性を用いて一般式[I]の化合物
の光学活性体を得る方法の2つである。一方、一般式
[I]で示される化合物のセラミ体は例えば上記EP−
0366059−A2 により知られている。
[(1R、2R、3S)−2,3−ビス(ヒドロキシメ
チル)−1−シクロブチル]−グアニン等のカルボオキ
セタノシン類はEP−035815−A2 及びEP−0
366059−A2 に開示されている。この化合物の合
成中間体として後記一般式[I]で示される化合物のう
ちR1 、R2 がいずれもシリル型保護基である化合物の
光学活性体も上記EP明細書に開示されている。その光
学活性体の製法は不斉合成法による方法及び一般式
[I]の化合物合成ル−トの初期の段階の原料を光学分
割して得られた光学活性を用いて一般式[I]の化合物
の光学活性体を得る方法の2つである。一方、一般式
[I]で示される化合物のセラミ体は例えば上記EP−
0366059−A2 により知られている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかし、一般式[I]
で示される化合物のセラミ体を光学分割してその光学活
性体を得る方法は知られていない。本発明はその光学分
割法の開発を目的とする。
で示される化合物のセラミ体を光学分割してその光学活
性体を得る方法は知られていない。本発明はその光学分
割法の開発を目的とする。
【0004】
【課題を解決するための手段】本発明は一般式[I]
【0005】
【化2】
【0006】[式中、R1 、R2 はそれぞれ水素原子又
は保護基を示す]で表されるセラミ体のシクロブチルア
ミン類に光学活性N−アシルフェニルグリシンを作用さ
せて対応する2種のジアステレオマ−塩を生成せしめた
後、光学分割し、晶析したジアステレオマ−塩を分解
し、光学活性な対応するシクロブチルアミン類を単離す
ることを特徴とする光学活性シクロブチルアミン類の製
造方法に関する。
は保護基を示す]で表されるセラミ体のシクロブチルア
ミン類に光学活性N−アシルフェニルグリシンを作用さ
せて対応する2種のジアステレオマ−塩を生成せしめた
後、光学分割し、晶析したジアステレオマ−塩を分解
し、光学活性な対応するシクロブチルアミン類を単離す
ることを特徴とする光学活性シクロブチルアミン類の製
造方法に関する。
【0007】上記一般式[I]においてR1 、R2 にお
ける保護基としては、特に制限はないが、アルキル型保
護基(例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチ
ル基をなどのC1 〜C5 の低級アルキル、ベンジル基な
どの置換低級アルキル基)アシル型保護基(例えばアセ
チル基などの低級アルキルカルボニル基(アルキル基上
に置換基を有してもよい)、シクロヘキシルカルボニル
基等の環式アルキルカルボニル基、ベンゾイル基などの
アリ−ルカルボニル基(アリ−ル基上に置換基を有して
もよい))、シリル型保護基(例えば、t−ブチルジフ
ェニルシリル基、t−ブチルジメチルシリル基、イソプ
ロピルジメチルシリル基)、およびR1 とR2 が結合し
てアルキリデン、ベンジリデンなどのアルキリデン基、
メチレンオキシメチレンなどのアルキレンオキシアルキ
レン基、メチレンジカルボニル基などのアルキレンジカ
ルボニル基、リン酸残基などがあげられる。N−アシル
フェニルグリシンとしては例えば、N−アセチルフェニ
ルグリシンがあげられる。
ける保護基としては、特に制限はないが、アルキル型保
護基(例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチ
ル基をなどのC1 〜C5 の低級アルキル、ベンジル基な
どの置換低級アルキル基)アシル型保護基(例えばアセ
チル基などの低級アルキルカルボニル基(アルキル基上
に置換基を有してもよい)、シクロヘキシルカルボニル
基等の環式アルキルカルボニル基、ベンゾイル基などの
アリ−ルカルボニル基(アリ−ル基上に置換基を有して
もよい))、シリル型保護基(例えば、t−ブチルジフ
ェニルシリル基、t−ブチルジメチルシリル基、イソプ
ロピルジメチルシリル基)、およびR1 とR2 が結合し
てアルキリデン、ベンジリデンなどのアルキリデン基、
メチレンオキシメチレンなどのアルキレンオキシアルキ
レン基、メチレンジカルボニル基などのアルキレンジカ
ルボニル基、リン酸残基などがあげられる。N−アシル
フェニルグリシンとしては例えば、N−アセチルフェニ
ルグリシンがあげられる。
【0008】本発明方法を実施するには次の様にすれば
良い。例えば、(1R、2R、3S)−2,3−ビス
(ヒドロキシメチル)−1−シクロブチルアミンの製造
方法としては、(1RS、2RS、3SR)−2,3−
ビス(ヒドロキシメチル)−1−シクロブチルアミンに
溶媒中でN−アセチル−L−フェニルグリシンを作用さ
せ生成した2種のジアステレオマ−塩を再結晶により分
離すると、難溶性の(1R、2R、3S)−2,3−ビ
ス(ヒドロキシメチル)−1−シクロブチルアミン・N
−アセチル−L−フェニルグリシン塩が得られる。使用
する再結晶溶媒はメタノ−ル、エタノ−ル、プロパノ−
ル、イソプロピルアルコ−ル等の低級アルコ−ル類、ベ
ンゼン、トルエン等の芳香族炭化水素類、ジクロロメタ
ン、クロロホルム等のハロゲン化炭化水素類、酢酸メチ
ル、酢酸エチル等の酢酸エステル類、エチルエ−テル、
ジオキサン、テトラヒドロフラン等のエ−テル類、アセ
トン、2−ブタノン等のケトン類、アセトニトリル、及
び水等があげられる。実用的には、C1 〜C4 の低級ア
ルコ−ル類が好ましい。
良い。例えば、(1R、2R、3S)−2,3−ビス
(ヒドロキシメチル)−1−シクロブチルアミンの製造
方法としては、(1RS、2RS、3SR)−2,3−
ビス(ヒドロキシメチル)−1−シクロブチルアミンに
溶媒中でN−アセチル−L−フェニルグリシンを作用さ
せ生成した2種のジアステレオマ−塩を再結晶により分
離すると、難溶性の(1R、2R、3S)−2,3−ビ
ス(ヒドロキシメチル)−1−シクロブチルアミン・N
−アセチル−L−フェニルグリシン塩が得られる。使用
する再結晶溶媒はメタノ−ル、エタノ−ル、プロパノ−
ル、イソプロピルアルコ−ル等の低級アルコ−ル類、ベ
ンゼン、トルエン等の芳香族炭化水素類、ジクロロメタ
ン、クロロホルム等のハロゲン化炭化水素類、酢酸メチ
ル、酢酸エチル等の酢酸エステル類、エチルエ−テル、
ジオキサン、テトラヒドロフラン等のエ−テル類、アセ
トン、2−ブタノン等のケトン類、アセトニトリル、及
び水等があげられる。実用的には、C1 〜C4 の低級ア
ルコ−ル類が好ましい。
【0009】一般式[I]の化合物に光学活性N−アセ
チルフェニルグリシンを作用させるには、前者に対して
後者を0.1 〜10倍モル、好ましくは0.5 〜2倍モル使
用し両者を−20℃〜溶媒の沸点付近まで好ましくは、
−20℃〜30℃でジアステレオマ−塩として10〜7
0w/v %、好ましくは、20〜50w/v %となるように
溶解する。再結晶は溶媒の濃度、溶解度の低い溶媒の添
加、温度を下げることなどの通常の方法により行なえば
よい。溶解度の低い溶媒としては、イソプロピルアルコ
−ル、ベンゼン、トルエン、エチルエ−テルなどがあげ
られる。
チルフェニルグリシンを作用させるには、前者に対して
後者を0.1 〜10倍モル、好ましくは0.5 〜2倍モル使
用し両者を−20℃〜溶媒の沸点付近まで好ましくは、
−20℃〜30℃でジアステレオマ−塩として10〜7
0w/v %、好ましくは、20〜50w/v %となるように
溶解する。再結晶は溶媒の濃度、溶解度の低い溶媒の添
加、温度を下げることなどの通常の方法により行なえば
よい。溶解度の低い溶媒としては、イソプロピルアルコ
−ル、ベンゼン、トルエン、エチルエ−テルなどがあげ
られる。
【0010】次に、単離された、(1R、2R、3S)
−2,3−ビス(ヒドロキシメチル)−1−シクロブチ
ルアミン・N−アセチル−L−フェニルグリシン塩に炭
酸水素ナトリウム、炭酸ナトリウム、水酸化ナトリウム
等のアルカリ性水溶液を加え、t−ブタノ−ル、sec −
ブタノ−ル等の有機溶媒で抽出するか又はイオン交換樹
脂を用いて目的とする遊離塩基の(1R、2R、3S)
−2,3−ビス(ヒドロキシメチル)−1−シクロブチ
ルアミンとN−アセチル−L−フェニルグリシンに分離
することにより製造される。一方、(1S、2S、3
R)−2,3−ビス(ヒドロキシメチル)−1−シクロ
ブチルアミンはN−アセチル−D−フェニルグリシンを
用いることにより同様に製造される。又、(1R、2
R、3S)−2,3−ビス(シクロヘキシルカルボニル
オキシメチル)−1−シクロブチルアミンはN−アセチ
ル−D−フェニルグリシンを用いて、(1R、2R、3
S)−2,3−ビス(ヒドロキシメチル)−1−シクロ
ブチルアミンと同様に製造される。
−2,3−ビス(ヒドロキシメチル)−1−シクロブチ
ルアミン・N−アセチル−L−フェニルグリシン塩に炭
酸水素ナトリウム、炭酸ナトリウム、水酸化ナトリウム
等のアルカリ性水溶液を加え、t−ブタノ−ル、sec −
ブタノ−ル等の有機溶媒で抽出するか又はイオン交換樹
脂を用いて目的とする遊離塩基の(1R、2R、3S)
−2,3−ビス(ヒドロキシメチル)−1−シクロブチ
ルアミンとN−アセチル−L−フェニルグリシンに分離
することにより製造される。一方、(1S、2S、3
R)−2,3−ビス(ヒドロキシメチル)−1−シクロ
ブチルアミンはN−アセチル−D−フェニルグリシンを
用いることにより同様に製造される。又、(1R、2
R、3S)−2,3−ビス(シクロヘキシルカルボニル
オキシメチル)−1−シクロブチルアミンはN−アセチ
ル−D−フェニルグリシンを用いて、(1R、2R、3
S)−2,3−ビス(ヒドロキシメチル)−1−シクロ
ブチルアミンと同様に製造される。
【0011】以下に例を挙げて更に具体的に説明する。 実施例1 (1R、2R、3S)−2,3−ビス(ヒドロキシメチ
ル)−1−シクロブチルアミン・N−アセチル−L−フ
ェニルグリシン塩の製造方法 (1RS、2RS、3SR)−2,3−ビス(ヒドロキ
シメチル)−1−シクロブチルアミン913mgをメタノ
−ル 30mlに溶解しN−アセチル−L−フェニルグリ
シン1340mgを加えて造塩させる。次に減圧下濃縮
し、残渣にイソプロピルアルコ−ル15mlを加えて分別
再結晶することにより、(1R、2R、3S)−2,3
−ビス(ヒドロキシメチル)−1−シクロブチルアミン
・N−アセチル−L−フェニルグリシン塩403.8mg を得
る。 [α]D20+99.7°(C=1.03、メタノ−ル)
ル)−1−シクロブチルアミン・N−アセチル−L−フ
ェニルグリシン塩の製造方法 (1RS、2RS、3SR)−2,3−ビス(ヒドロキ
シメチル)−1−シクロブチルアミン913mgをメタノ
−ル 30mlに溶解しN−アセチル−L−フェニルグリ
シン1340mgを加えて造塩させる。次に減圧下濃縮
し、残渣にイソプロピルアルコ−ル15mlを加えて分別
再結晶することにより、(1R、2R、3S)−2,3
−ビス(ヒドロキシメチル)−1−シクロブチルアミン
・N−アセチル−L−フェニルグリシン塩403.8mg を得
る。 [α]D20+99.7°(C=1.03、メタノ−ル)
【0012】上記実施例1において、光学分割剤として
N−アセチル−D−フェニルグリシンを使って、一般式
[I]におけるR1 、R2 がシクロヘキシルカルボニル
基である化合物を光学分割すると(再結晶溶媒:アセト
ン)次の化合物が得られる。(1R、2R、3S)−
2,3−ビス(シクロヘキシルカルボニルオキシメチ
ル)−1−シクロブチルアミン・N−アセチル−D−フ
ェニルグリシン塩 [α] D20−71.14 °(C=1.005 、メタノ−ル)
N−アセチル−D−フェニルグリシンを使って、一般式
[I]におけるR1 、R2 がシクロヘキシルカルボニル
基である化合物を光学分割すると(再結晶溶媒:アセト
ン)次の化合物が得られる。(1R、2R、3S)−
2,3−ビス(シクロヘキシルカルボニルオキシメチ
ル)−1−シクロブチルアミン・N−アセチル−D−フ
ェニルグリシン塩 [α] D20−71.14 °(C=1.005 、メタノ−ル)
【0013】実施例2 (1R、2R、3S)−2,3−ビス(ヒドロキシメチ
ル)−1−シクロブチルアミンの製造方法 実施例1.で得られた(1R、2R、3S)−2,3−
ビス(ヒドロキシメチル)−1−シクロブチルアミン・
N−アセチル−L−フェニルグリシン塩309.5mgをイオ
ン交換樹脂50ml(室町化学工業株式会社製Dowexl-XI :
強塩基性樹脂)で処理することにより(1R、2R、3
S)−2,3−ビス(ヒドロキシメチル)−1−シクロ
ブチルアミン121.9mgを得る。 [α]D20+21.76 ° (C=1.06、メタノ−ル) 1 H-NMR(200 MHzFT 、DMSO-d6 )δ: 1.72 (1H, aparent q, J=9Hz) 1.86〜2.32(3H,m) 3.34 (1H, aparent q, J=8Hz) 、 3.42 (2H, d. J=5.5Hz) 3.51 (2H, brs) 4.70 (2H, brs) 7.55 (2H, brs)
ル)−1−シクロブチルアミンの製造方法 実施例1.で得られた(1R、2R、3S)−2,3−
ビス(ヒドロキシメチル)−1−シクロブチルアミン・
N−アセチル−L−フェニルグリシン塩309.5mgをイオ
ン交換樹脂50ml(室町化学工業株式会社製Dowexl-XI :
強塩基性樹脂)で処理することにより(1R、2R、3
S)−2,3−ビス(ヒドロキシメチル)−1−シクロ
ブチルアミン121.9mgを得る。 [α]D20+21.76 ° (C=1.06、メタノ−ル) 1 H-NMR(200 MHzFT 、DMSO-d6 )δ: 1.72 (1H, aparent q, J=9Hz) 1.86〜2.32(3H,m) 3.34 (1H, aparent q, J=8Hz) 、 3.42 (2H, d. J=5.5Hz) 3.51 (2H, brs) 4.70 (2H, brs) 7.55 (2H, brs)
【0014】同様にして、次の化合物が得られる。 (1R、2R、3S)−2,3−ビス(シクロヘキシル
カルボニルオキシメチル)−1−シクロブチルアミン:
[α]D20−74.85 °(C=1.002、メタノ−ル) 1 H-NMR(200 MHz FT、CDCI3)δ: 1.2 〜 2.0 (24H, m) 2.31 (2H, m) 3.08 (1H, dd, J=7.6, 8.8) 4.04 (2H, dd, J=2.1, 5.3) 4.11 (2H, dd, J=2.0, 5.1)
カルボニルオキシメチル)−1−シクロブチルアミン:
[α]D20−74.85 °(C=1.002、メタノ−ル) 1 H-NMR(200 MHz FT、CDCI3)δ: 1.2 〜 2.0 (24H, m) 2.31 (2H, m) 3.08 (1H, dd, J=7.6, 8.8) 4.04 (2H, dd, J=2.1, 5.3) 4.11 (2H, dd, J=2.0, 5.1)
【0015】
【効果】本発明により光学活性(1R,2R,3S)−
2,3−ビス(ヒドロキシメチル)−1−シクロブチル
アミン類が得られる。この化合物より、各種の光学活性
炭素環オキセタノシン誘導体を得ることができる。例え
ば、9−[(1R,2R,3S)−2,3−ビス(ヒド
ロキシメチル)−1−シクロブチル]−グアニンの合成
経路の1例を示すと次の通りである。
2,3−ビス(ヒドロキシメチル)−1−シクロブチル
アミン類が得られる。この化合物より、各種の光学活性
炭素環オキセタノシン誘導体を得ることができる。例え
ば、9−[(1R,2R,3S)−2,3−ビス(ヒド
ロキシメチル)−1−シクロブチル]−グアニンの合成
経路の1例を示すと次の通りである。
【0016】
【化3】
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 【請求項1】 一般式[I] 【化1】 [式中、R1 、R2 はそれぞれ水素原子又は保護基を示
す]で表されるセラミ体のシクロブチルアミン類に光学
活性N−アシルフェニルグリシンを作用させて対応する
2種のジアステレオマ−塩を生成せしめた後、光学分割
し、晶析したジアステレオマ−塩を分解し、光学活性な
対応するシクロブチルアミン類を単離することを特徴と
する光学活性シクロブチルアミン類の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3260523A JP2891572B2 (ja) | 1990-09-20 | 1991-09-12 | 光学活性シクロブチルアミン類の製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP24874590 | 1990-09-20 | ||
JP2-248745 | 1990-09-20 | ||
JP3260523A JP2891572B2 (ja) | 1990-09-20 | 1991-09-12 | 光学活性シクロブチルアミン類の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH054949A true JPH054949A (ja) | 1993-01-14 |
JP2891572B2 JP2891572B2 (ja) | 1999-05-17 |
Family
ID=26538926
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3260523A Expired - Lifetime JP2891572B2 (ja) | 1990-09-20 | 1991-09-12 | 光学活性シクロブチルアミン類の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2891572B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011514341A (ja) * | 2008-02-27 | 2011-05-06 | クラリアント・スペシャルティ・ファイン・ケミカルズ(フランス) | 光学活性なα−アミノアセタール類の製造方法 |
-
1991
- 1991-09-12 JP JP3260523A patent/JP2891572B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011514341A (ja) * | 2008-02-27 | 2011-05-06 | クラリアント・スペシャルティ・ファイン・ケミカルズ(フランス) | 光学活性なα−アミノアセタール類の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2891572B2 (ja) | 1999-05-17 |
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