JPH0548125A - 太陽電池 - Google Patents
太陽電池Info
- Publication number
- JPH0548125A JPH0548125A JP3206933A JP20693391A JPH0548125A JP H0548125 A JPH0548125 A JP H0548125A JP 3206933 A JP3206933 A JP 3206933A JP 20693391 A JP20693391 A JP 20693391A JP H0548125 A JPH0548125 A JP H0548125A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor layer
- solar cell
- type
- layer
- polycrystalline silicon
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/546—Polycrystalline silicon PV cells
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 活性層の薄膜化（５〜２００μｍ）による効
率向上と、機械的強度の劣化の防止を同時に実現させ
る。 【構成】 太陽電池の活性層であるＰ型の半導体層１の
一主面にＮ型の薄膜半導体層２を積層し、この薄膜半導
体層２上に、一部に開口３ａを有する反射防止膜３を形
成し、更にこの開口３ａ内に、薄膜半導体層２に接続す
る電極４を形成する。そして、半導体層１の他主面にＰ
型の高濃度領域５を介して多結晶シリコン基板６を貼り
合わせ、この多結晶シリコン基板６の端面全面に電極７
を形成して構成する。
率向上と、機械的強度の劣化の防止を同時に実現させ
る。 【構成】 太陽電池の活性層であるＰ型の半導体層１の
一主面にＮ型の薄膜半導体層２を積層し、この薄膜半導
体層２上に、一部に開口３ａを有する反射防止膜３を形
成し、更にこの開口３ａ内に、薄膜半導体層２に接続す
る電極４を形成する。そして、半導体層１の他主面にＰ
型の高濃度領域５を介して多結晶シリコン基板６を貼り
合わせ、この多結晶シリコン基板６の端面全面に電極７
を形成して構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、互いに導電型の異なる
半導体層を積層して構成された太陽電池に関する。
半導体層を積層して構成された太陽電池に関する。
【０００２】
【従来の技術】太陽電池は、光エネルギを電力に変換す
る半導体素子であり、ｐｎ接合型，ｐｉｎ型、ショット
キー型等がある。最近では、単結晶Ｓｉのｐｎ接合型が
最も広く用いられている。
る半導体素子であり、ｐｎ接合型，ｐｉｎ型、ショット
キー型等がある。最近では、単結晶Ｓｉのｐｎ接合型が
最も広く用いられている。
【０００３】図７にｐｎ接合型太陽電池の代表例を示
す。この太陽電池は、Ｐ型の半導体層２１の一主面にＮ
型の薄膜半導体層２２が積層されて構成されている。そ
して、この薄膜半導体層２２上に反射防止膜２３を形成
し、その一部に開口２３ａを設けて、この開口２３ａ内
に電極２４を形成し、半導体層２１の他主面にもその全
面に電極２５を形成するようにしている。
す。この太陽電池は、Ｐ型の半導体層２１の一主面にＮ
型の薄膜半導体層２２が積層されて構成されている。そ
して、この薄膜半導体層２２上に反射防止膜２３を形成
し、その一部に開口２３ａを設けて、この開口２３ａ内
に電極２４を形成し、半導体層２１の他主面にもその全
面に電極２５を形成するようにしている。
【０００４】この太陽電池の電圧−電流特性は、図８に
示すように、暗時は、通常のｐｎ接合の特性と同じであ
るが、光照射時では、励起されたキャリアによる光電流
分だけ平行移動した特性となる。ここで、両電極２４及
び２５間を開放したときの電圧を開放端電圧Ｖｏｃ、短
絡したときの電流を短絡電流Ｉｓｃとしたとき、図にお
いて、斜線で示す領域が、これら開放端電圧Ｖｏｃと短
絡電流Ｉｓｃの積に対して取出し得る最大電力を示す。
示すように、暗時は、通常のｐｎ接合の特性と同じであ
るが、光照射時では、励起されたキャリアによる光電流
分だけ平行移動した特性となる。ここで、両電極２４及
び２５間を開放したときの電圧を開放端電圧Ｖｏｃ、短
絡したときの電流を短絡電流Ｉｓｃとしたとき、図にお
いて、斜線で示す領域が、これら開放端電圧Ｖｏｃと短
絡電流Ｉｓｃの積に対して取出し得る最大電力を示す。
【０００５】ところで、太陽電池の効率向上は、単位発
電出力当りの面積を少なくすることになるから、架台や
工事費を少なくすることにつながり、それにより、トー
タルコストを少なくすることになり、結果的には、太陽
電池そのもののコストを低減したことと同じになる。
電出力当りの面積を少なくすることになるから、架台や
工事費を少なくすることにつながり、それにより、トー
タルコストを少なくすることになり、結果的には、太陽
電池そのもののコストを低減したことと同じになる。
【０００６】太陽電池の効率を上げるには、上記最大電
力を大きくする。即ち、上記開放端電圧Ｖｏｃと短絡電
流Ｉｓｃの積が大になることが必要である。ここで、ｎ
i を真性キャリア密度、ＮA を基板正孔濃度、Δｐ及び
Δｎを光入射によって生成された正孔及び電子の密度と
すると、開放端電圧Ｖｏｃは、以下の数１で表される。
力を大きくする。即ち、上記開放端電圧Ｖｏｃと短絡電
流Ｉｓｃの積が大になることが必要である。ここで、ｎ
i を真性キャリア密度、ＮA を基板正孔濃度、Δｐ及び
Δｎを光入射によって生成された正孔及び電子の密度と
すると、開放端電圧Ｖｏｃは、以下の数１で表される。
【数１】 （ｋ：ボルツマン定数、ｑ：電荷）
【０００７】この数１からわかるように、開放端電圧Ｖ
ｏｃは、正孔密度Δｐ及び電子密度Δｎが多いほどその
値が大きくなる。これら正孔密度Δｐ及び電子密度Δｎ
は、図９Ａ及びＢに示すように、Ｐ型の半導体層２１、
即ち活性層の厚みｄに関係し、厚みｄが小さいほど大き
くなる。尚、Ｎ型の薄膜半導体層２２の厚みは、一般に
は０．５μｍ以下である。
ｏｃは、正孔密度Δｐ及び電子密度Δｎが多いほどその
値が大きくなる。これら正孔密度Δｐ及び電子密度Δｎ
は、図９Ａ及びＢに示すように、Ｐ型の半導体層２１、
即ち活性層の厚みｄに関係し、厚みｄが小さいほど大き
くなる。尚、Ｎ型の薄膜半導体層２２の厚みは、一般に
は０．５μｍ以下である。
【０００８】しかし、活性層２１の厚みｄが小さくなる
と、反対に短絡電流Ｉｓｃが減少する。従って、開放端
電圧Ｖｏｃと短絡電流Ｉｓｃの積を大きくするには、活
性層１の厚みｄとして、５〜２００μｍが最適である。
この値は、サンシャイン計画における太陽電池の研究開
発目標にもなっている（Ｊ．ＩＥＥ Ｊａｐａｎ，Ｖｏ
ｌ．１１０，Ｎｏ．９，１９９０、７４２頁〜７４３頁
小特集「太陽光発電・太陽熱利用」参照）。
と、反対に短絡電流Ｉｓｃが減少する。従って、開放端
電圧Ｖｏｃと短絡電流Ｉｓｃの積を大きくするには、活
性層１の厚みｄとして、５〜２００μｍが最適である。
この値は、サンシャイン計画における太陽電池の研究開
発目標にもなっている（Ｊ．ＩＥＥ Ｊａｐａｎ，Ｖｏ
ｌ．１１０，Ｎｏ．９，１９９０、７４２頁〜７４３頁
小特集「太陽光発電・太陽熱利用」参照）。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、活性層
１の厚みｄが２００μｍ以下になると、太陽電池自体の
厚みが非常に薄くなり、太陽電池の機械的強度がもたな
いという新たな問題が生じる。太陽電池の機械的強度が
弱くなると、特に、発電設備への設置や電子機器等への
実装時に太陽電池が破壊され易くなるため、その取扱い
に繊細なる注意を払わなければならず、電子機器組立工
数の増大化を招くということが懸念される。
１の厚みｄが２００μｍ以下になると、太陽電池自体の
厚みが非常に薄くなり、太陽電池の機械的強度がもたな
いという新たな問題が生じる。太陽電池の機械的強度が
弱くなると、特に、発電設備への設置や電子機器等への
実装時に太陽電池が破壊され易くなるため、その取扱い
に繊細なる注意を払わなければならず、電子機器組立工
数の増大化を招くということが懸念される。
【００１０】本発明は、このような課題に鑑み成された
もので、その目的とするところは、活性層の薄膜化（５
〜２００μｍ）による効率向上と、機械的強度の劣化の
防止を同時に実現させることができる太陽電池を提供す
ることにある。
もので、その目的とするところは、活性層の薄膜化（５
〜２００μｍ）による効率向上と、機械的強度の劣化の
防止を同時に実現させることができる太陽電池を提供す
ることにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明は、第１導電型の
半導体層１の一主面に第２導電型の薄膜半導体層２が積
層されて成る太陽電池において、第１導電型の半導体層
１の他主面に基板６を貼り合わせて構成する。この基板
６としては、例えば多結晶シリコン等の半導体基板を用
いることができる。
半導体層１の一主面に第２導電型の薄膜半導体層２が積
層されて成る太陽電池において、第１導電型の半導体層
１の他主面に基板６を貼り合わせて構成する。この基板
６としては、例えば多結晶シリコン等の半導体基板を用
いることができる。
【００１２】
【作用】上述の本発明の構成によれば、太陽電池の活性
層である第１導電型の半導体層１の他主面に基板６を貼
り合わせるようにしたので、半導体層１を薄膜化しても
太陽電池自体の機械的強度を充分に持たせることができ
る。このことから、半導体層１の厚みｄを、太陽電池の
効率向上の上で最適な値、即ち５〜２００μｍに薄膜化
しても、その機械的強度を充分に確保することができ
る。
層である第１導電型の半導体層１の他主面に基板６を貼
り合わせるようにしたので、半導体層１を薄膜化しても
太陽電池自体の機械的強度を充分に持たせることができ
る。このことから、半導体層１の厚みｄを、太陽電池の
効率向上の上で最適な値、即ち５〜２００μｍに薄膜化
しても、その機械的強度を充分に確保することができ
る。
【００１３】
【実施例】以下、図１〜図６を参照しながら本発明の実
施例を説明する。図１は、本実施例に係るｐｎ接合型の
太陽電池を示す構成図である。
施例を説明する。図１は、本実施例に係るｐｎ接合型の
太陽電池を示す構成図である。
【００１４】この太陽電池は、図示するように、太陽電
池の活性層となるＰ型の半導体層１の一主面に厚み０．
５μｍ以下のＮ型の薄膜半導体層２が積層され、この薄
膜半導体層２上に、一部に開口３ａが設けられた反射防
止膜３が形成され、更に反射防止膜３の開口３ａ内に薄
膜半導体層２に接続する電極４が形成されて構成されて
いる。
池の活性層となるＰ型の半導体層１の一主面に厚み０．
５μｍ以下のＮ型の薄膜半導体層２が積層され、この薄
膜半導体層２上に、一部に開口３ａが設けられた反射防
止膜３が形成され、更に反射防止膜３の開口３ａ内に薄
膜半導体層２に接続する電極４が形成されて構成されて
いる。
【００１５】しかして、本例においては、半導体層１の
他主面にＰ型の高濃度領域５を介して機械的強度を持た
せるための基板、例えば多結晶シリコン基板６が貼り合
わされ、更にこの多結晶シリコン基板６の端面に電極７
が形成されて構成されている。
他主面にＰ型の高濃度領域５を介して機械的強度を持た
せるための基板、例えば多結晶シリコン基板６が貼り合
わされ、更にこの多結晶シリコン基板６の端面に電極７
が形成されて構成されている。
【００１６】次に、上記本例に係る太陽電池の形成方法
を図２〜図６に基いて説明する。尚、図１と対応するも
のについては同符号を記す。
を図２〜図６に基いて説明する。尚、図１と対応するも
のについては同符号を記す。
【００１７】まず、図２Ａに示すように、Ｐ型の半導体
ウェーハ１を用意し、このウェーハ１の他主面にＰ型の
不純物、例えばボロン（Ｂ）をイオン注入又は固相拡散
により導入してＰ型の高濃度領域５を形成する。
ウェーハ１を用意し、このウェーハ１の他主面にＰ型の
不純物、例えばボロン（Ｂ）をイオン注入又は固相拡散
により導入してＰ型の高濃度領域５を形成する。
【００１８】次に、図２Ｂに示すように、ウェーハ１の
他主面（高濃度領域５側の端面）にシリコン単結晶基板
あるいはコストの安い多結晶シリコン基板６を貼り合わ
せる。図示の例では、多結晶シリコン基板６を貼り合わ
せた例を示す。その後、貼り合わされた多結晶シリコン
基板６内に不純物を導入して多結晶シリコン基板６自体
を低抵抗化する。導入する不純物としては、Ｐ型の不純
物、例えばボロン（Ｂ）を濃度にして１×１０18ｃｍ-3
ほど導入する。
他主面（高濃度領域５側の端面）にシリコン単結晶基板
あるいはコストの安い多結晶シリコン基板６を貼り合わ
せる。図示の例では、多結晶シリコン基板６を貼り合わ
せた例を示す。その後、貼り合わされた多結晶シリコン
基板６内に不純物を導入して多結晶シリコン基板６自体
を低抵抗化する。導入する不純物としては、Ｐ型の不純
物、例えばボロン（Ｂ）を濃度にして１×１０18ｃｍ-3
ほど導入する。
【００１９】この多結晶シリコン基板６の貼り合わせ方
法としては、例えば、図４Ａ及びＢに示すように、ウェ
ーハ１と多結晶シリコン基板６に力を加えて、貼り合わ
せ面が夫々凸面１ａ及び６ａになるように、かつ互いの
凸面１ａ及び６ａが直交又は略直交して対向するように
Ｕ字形状に湾曲させる。この湾曲は、例えば湾曲した曲
面にバキュームで吸着するなどして材質に影響を与えな
い程度の可能な範囲の変形を生じさせて行えばよい。
法としては、例えば、図４Ａ及びＢに示すように、ウェ
ーハ１と多結晶シリコン基板６に力を加えて、貼り合わ
せ面が夫々凸面１ａ及び６ａになるように、かつ互いの
凸面１ａ及び６ａが直交又は略直交して対向するように
Ｕ字形状に湾曲させる。この湾曲は、例えば湾曲した曲
面にバキュームで吸着するなどして材質に影響を与えな
い程度の可能な範囲の変形を生じさせて行えばよい。
【００２０】そして、Ｕ字形状に湾曲させたウェーハ１
及び多結晶シリコン基板６の各凸面１ａ及び６ａを、互
いに直交又は直交させた状態で、中心Ａ付近で初期接触
させる。このとき、ウェーハ１及び多結晶シリコン基板
６は、中心Ａ又は中心Ａ付近で点状に接触する。
及び多結晶シリコン基板６の各凸面１ａ及び６ａを、互
いに直交又は直交させた状態で、中心Ａ付近で初期接触
させる。このとき、ウェーハ１及び多結晶シリコン基板
６は、中心Ａ又は中心Ａ付近で点状に接触する。
【００２１】続いて、図５に示すように、互いの湾曲状
態を解放し、ウェーハ１及び多結晶シリコン基板６を平
面状態に戻して重ね合わせた後、例えば１０００〜１１
００℃程度で２時間ほど加熱処理を施して、ウェーハ１
と多結晶シリコン基板６とを貼り合わせる。
態を解放し、ウェーハ１及び多結晶シリコン基板６を平
面状態に戻して重ね合わせた後、例えば１０００〜１１
００℃程度で２時間ほど加熱処理を施して、ウェーハ１
と多結晶シリコン基板６とを貼り合わせる。
【００２２】この貼り合わせ方法の場合、貼り合わせ界
面ａに未接着箇所（ボイド）が生じることなく、ウェー
ハ１と多結晶シリコン基板６とを強固に貼り合わせるこ
とができ、その貼り合わせ界面ａにバルクなみの接着強
度を持たせることが可能となる。従って、貼り合わせ界
面ａは、Ｐ型の高濃度領域５と多結晶シリコン基板６と
のオーミックコンタクトを構成する。そして、この多結
晶シリコン基板６を貼り合わせることにより、後にウェ
ーハ１が薄膜化されたとしてもその機械的強度を充分に
確保することができる。
面ａに未接着箇所（ボイド）が生じることなく、ウェー
ハ１と多結晶シリコン基板６とを強固に貼り合わせるこ
とができ、その貼り合わせ界面ａにバルクなみの接着強
度を持たせることが可能となる。従って、貼り合わせ界
面ａは、Ｐ型の高濃度領域５と多結晶シリコン基板６と
のオーミックコンタクトを構成する。そして、この多結
晶シリコン基板６を貼り合わせることにより、後にウェ
ーハ１が薄膜化されたとしてもその機械的強度を充分に
確保することができる。
【００２３】次に、図３Ａに示すように、ウェーハ１
を、ある厚みまで機械的に研削した後、エッチング作用
を主体にしたポリッシングにて研磨処理して、ウェーハ
１のＰ型の高濃度領域５を除いた分の厚みｄを５〜２０
０μｍにする。この厚みｄとしては、５０μｍが効率向
上の上で最適である。ここで、上記ウェーハ１は、厚み
が５〜２００μｍの薄膜となるため、以後はＰ型の半導
体層１と記す。
を、ある厚みまで機械的に研削した後、エッチング作用
を主体にしたポリッシングにて研磨処理して、ウェーハ
１のＰ型の高濃度領域５を除いた分の厚みｄを５〜２０
０μｍにする。この厚みｄとしては、５０μｍが効率向
上の上で最適である。ここで、上記ウェーハ１は、厚み
が５〜２００μｍの薄膜となるため、以後はＰ型の半導
体層１と記す。
【００２４】そして、図３Ｂに示すように、Ｐ型の半導
体層１の一主面に厚みが０．５μｍ以下のＮ型の薄膜半
導体層２を積層した後、この薄膜半導体層２上に反射防
止膜３を形成する。その後、反射防止膜３の一部に薄膜
半導体層２まで達する開口３ａを形成した後、この開口
３ａ内に金属層からなる電極４を形成する。
体層１の一主面に厚みが０．５μｍ以下のＮ型の薄膜半
導体層２を積層した後、この薄膜半導体層２上に反射防
止膜３を形成する。その後、反射防止膜３の一部に薄膜
半導体層２まで達する開口３ａを形成した後、この開口
３ａ内に金属層からなる電極４を形成する。
【００２５】また更に、多結晶シリコン基板６の端面全
面に金属層からなる電極７を形成して本例に係る太陽電
池を得る。この例では、Ｎ型の薄膜半導体層２をＰ型の
半導体層１上に積層するようにしたが、その他、図６に
示すように、Ｐ型の半導体層１にＮ型の不純物、例えば
リン（Ｐ）や砒素（Ａｓ）をイオン注入あるいは固相拡
散にてＮ型の不純物拡散領域２として形成するようにし
てもよい。この場合、導入する不純物の濃度は、１×１
０19ｃｍ-3程度が好ましい。
面に金属層からなる電極７を形成して本例に係る太陽電
池を得る。この例では、Ｎ型の薄膜半導体層２をＰ型の
半導体層１上に積層するようにしたが、その他、図６に
示すように、Ｐ型の半導体層１にＮ型の不純物、例えば
リン（Ｐ）や砒素（Ａｓ）をイオン注入あるいは固相拡
散にてＮ型の不純物拡散領域２として形成するようにし
てもよい。この場合、導入する不純物の濃度は、１×１
０19ｃｍ-3程度が好ましい。
【００２６】次に、本例に係る太陽電池の特性例を示
す。通常の太陽電池は、Ｐ型の半導体層（活性層）１の
厚みｄが５００μｍ程度となっているが、本例では、そ
の厚みｄを５０μｍ程度に薄膜化したため、光入射によ
って生成される正孔及び電子の各密度Δｐ及びΔｎは、
通常の場合の約１０倍程度増加する。
す。通常の太陽電池は、Ｐ型の半導体層（活性層）１の
厚みｄが５００μｍ程度となっているが、本例では、そ
の厚みｄを５０μｍ程度に薄膜化したため、光入射によ
って生成される正孔及び電子の各密度Δｐ及びΔｎは、
通常の場合の約１０倍程度増加する。
【００２７】その結果、開放端電圧Ｖｏｃは、基板正孔
濃度ＮA が低濃度でＮA ≪Δｎ，Δｐのとき０．１２
Ｖ、基板正孔濃度ＮA が高濃度でＮA ≫Δｎ，Δｐのと
き０．０６Ｖほど増加した。従って、通常の太陽電池
（開放端電圧≒０．７Ｖ）に対して開放端電圧Ｖｏｃが
上記のように増加し、約１０％程度効率が向上した。
濃度ＮA が低濃度でＮA ≪Δｎ，Δｐのとき０．１２
Ｖ、基板正孔濃度ＮA が高濃度でＮA ≫Δｎ，Δｐのと
き０．０６Ｖほど増加した。従って、通常の太陽電池
（開放端電圧≒０．７Ｖ）に対して開放端電圧Ｖｏｃが
上記のように増加し、約１０％程度効率が向上した。
【００２８】上述のように、本例によれば、太陽電池の
活性層であるＰ型の半導体層１の他主面に多結晶シリコ
ン基板基板６を貼り合わせるようにしたので、半導体層
１を薄膜化しても太陽電池自体の機械的強度を充分に持
たせることができる。このことから、半導体層１の厚み
ｄを、太陽電池の効率向上の上で最適な値、即ち５〜２
００μｍ（本例では約５０μｍ）に薄膜化しても、その
機械的強度を充分に確保することができる。
活性層であるＰ型の半導体層１の他主面に多結晶シリコ
ン基板基板６を貼り合わせるようにしたので、半導体層
１を薄膜化しても太陽電池自体の機械的強度を充分に持
たせることができる。このことから、半導体層１の厚み
ｄを、太陽電池の効率向上の上で最適な値、即ち５〜２
００μｍ（本例では約５０μｍ）に薄膜化しても、その
機械的強度を充分に確保することができる。
【００２９】上記実施例では、Ｐ型の半導体層１に多結
晶シリコン基板６を貼り合わせるようにしたが、その
他、金属板を貼り合わせるようにしてもよい。この場
合、図２Ｂ及び図５で示す貼り合わせ時における熱処理
並びに図６で示すＮ型不純物のイオン注入後あるいは固
相拡散時における熱処理（活性化処理）において、その
温度が高く、かつ処理時間が長いと、金属板からの金属
不純物がＰ型の半導体層１に拡散し、結果的に半導体層
１中に光入射によって生成されるキャリアのライフタイ
ムを減少させ、短絡電流Ｉｓｃを低下させるという問題
が生じる。
晶シリコン基板６を貼り合わせるようにしたが、その
他、金属板を貼り合わせるようにしてもよい。この場
合、図２Ｂ及び図５で示す貼り合わせ時における熱処理
並びに図６で示すＮ型不純物のイオン注入後あるいは固
相拡散時における熱処理（活性化処理）において、その
温度が高く、かつ処理時間が長いと、金属板からの金属
不純物がＰ型の半導体層１に拡散し、結果的に半導体層
１中に光入射によって生成されるキャリアのライフタイ
ムを減少させ、短絡電流Ｉｓｃを低下させるという問題
が生じる。
【００３０】従って、Ｐ型の半導体層１に金属板を貼り
合わせる場合は、図２Ｂ及び図５で示す貼り合わせ時に
おける熱処理並びに図６で示すＮ型不純物のイオン注入
後あるいは固相拡散時における熱処理において、ランプ
アニール等の短時間アニールを採用して、金属板からの
金属不純物が半導体層１中に拡散させない程度の短時間
で熱処理することが望ましい。
合わせる場合は、図２Ｂ及び図５で示す貼り合わせ時に
おける熱処理並びに図６で示すＮ型不純物のイオン注入
後あるいは固相拡散時における熱処理において、ランプ
アニール等の短時間アニールを採用して、金属板からの
金属不純物が半導体層１中に拡散させない程度の短時間
で熱処理することが望ましい。
【００３１】
【発明の効果】本発明に係る太陽電池によれば、活性層
の薄膜化（５〜２００μｍ）による効率向上と、機械的
強度の劣化の防止を同時に実現させることができる。
の薄膜化（５〜２００μｍ）による効率向上と、機械的
強度の劣化の防止を同時に実現させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本実施例に係る太陽電池を示す構成図。
【図２】本実施例に係る太陽電池の形成方法を示す工程
図（その１）。
図（その１）。
【図３】本実施例に係る太陽電池の形成方法を示す工程
図（その２）。
図（その２）。
【図４】Ａは、本実施例の貼り合わせ方法の一例を示す
正面図。Ｂは、その側面図。
正面図。Ｂは、その側面図。
【図５】貼り合わせた状態を示す側面図。
【図６】Ｎ型の薄膜半導体層の他の形成方法を示す工程
経過図。
経過図。
【図７】従来例に係る太陽電池を示す構成図。
【図８】太陽電池の電圧−電流特性を示す特性図。
【図９】光入射によって生成された正孔及び電子の各密
度の活性層の厚み依存性を示す特性図。
度の活性層の厚み依存性を示す特性図。
１ Ｐ型の半導体層（活性層） ２ Ｎ型の薄膜半導体層 ３ 反射防止膜 ４，７ 電極 ５ Ｐ型の高濃度領域 ６ 多結晶シリコン基板
Claims (3)
- 【請求項１】 第１導電型の半導体層の一主面に第２導
電型の薄膜半導体層が積層されて成る太陽電池におい
て、 上記第１導電型の半導体層の他主面に基板が貼り合わさ
れていることを特徴とする太陽電池。 - 【請求項２】 上記基板が半導体基板であることを特徴
とする請求項１記載の太陽電池。 - 【請求項３】 上記第１導電型の半導体層の厚みが５〜
２００μｍであることを特徴とする請求項１又は２記載
の太陽電池。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3206933A JPH0548125A (ja) | 1991-08-19 | 1991-08-19 | 太陽電池 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3206933A JPH0548125A (ja) | 1991-08-19 | 1991-08-19 | 太陽電池 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0548125A true JPH0548125A (ja) | 1993-02-26 |
Family
ID=16531450
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3206933A Pending JPH0548125A (ja) | 1991-08-19 | 1991-08-19 | 太陽電池 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0548125A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100913114B1 (ko) * | 2007-07-23 | 2009-08-19 | 엘지전자 주식회사 | 고온 특성이 개선된 벌크형 실리콘 태양 전지 및 그 제조방법 |
-
1991
- 1991-08-19 JP JP3206933A patent/JPH0548125A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100913114B1 (ko) * | 2007-07-23 | 2009-08-19 | 엘지전자 주식회사 | 고온 특성이 개선된 벌크형 실리콘 태양 전지 및 그 제조방법 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3448743B2 (ja) | 前部搭載バイパス・ダイオードを有する太陽電池 | |
| US8242354B2 (en) | Backside contact solar cell with formed polysilicon doped regions | |
| KR101466530B1 (ko) | 도핑된 반도체 이종접합 접촉부를 갖는 태양 전지 | |
| US7297927B2 (en) | Fabrication of low leakage-current backside illuminated photodiodes | |
| US4828628A (en) | Solar cell | |
| US5223044A (en) | Solar cell having a by-pass diode | |
| EP0175567B1 (en) | Semiconductor solar cells | |
| JP5225275B2 (ja) | 太陽電池セル | |
| JP2003017723A (ja) | 半導体薄膜の製造方法及び太陽電池の製造方法 | |
| EP4293729A1 (en) | Method for preparing solar cell and solar cell, photovoltaic module | |
| JP2020129666A (ja) | 太陽電池内の相対的ドーパント濃度レベル | |
| JPH08330611A (ja) | シリコン太陽電池セルとその製造方法 | |
| Duran et al. | Bifacial solar cells with boron back surface field | |
| JP3206350B2 (ja) | 太陽電池 | |
| JPH0548125A (ja) | 太陽電池 | |
| JP3448098B2 (ja) | 結晶シリコン太陽電池 | |
| JP3206339B2 (ja) | 太陽電池 | |
| JPS6321880A (ja) | 光起電力装置 | |
| JPH1041531A (ja) | 太陽電池及びその製造方法 | |
| JP2997363B2 (ja) | 太陽電池素子 | |
| CN220543926U (zh) | 太阳能电池和光伏组件 | |
| JP4185246B2 (ja) | 積層型太陽電池及びその製造方法 | |
| JP2931451B2 (ja) | 太陽電池素子 | |
| JP3623642B2 (ja) | 光電変換装置の製造方法 | |
| JPH0230190B2 (ja) |