JPH0547886B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は磁気ヘツドの消磁装置に係り、消磁す
べき磁気ヘツドの保磁力の大きさに対応するため
に、消磁ヘツドに発生させる交番漸減磁界の初期
値の大きさを変更できるようにしたものである。

テープレコーダ等の録音再生用磁気ヘツドの帯
磁を消去するための消磁装置は、一般に消磁ヘツ
ドと該消磁ヘツドの駆動用回路にて構成されてお
り、消磁ヘツドを消磁ヘツドに近接させて交番漸
減磁界を発生させることにより、磁気ヘツドの帯
磁を消去するようになつている。ところで近年、
磁気テープの高保磁力化が進み、メタルテープが
次第に普及してきたが、この種メタルテープは従
来の磁性粉テープに比してその表面硬度が高く、
しかも録音バイアス信号も高くしなければならな
いため、従来から多用されてきたパーマロイから
成る磁気ヘツドはその摺接摩擦により摩耗しやす
く、このためメタルテープ用の磁気ヘツドとして
センダストなどの硬度の大きい素材から成る高バ
イアスヘツドが次第に使用されるようになつてき
た。かかる高バイアスヘツドは高い透磁率を有
し、保磁力が大きい特長があるが、それだけコア
は帯磁しやすく、このためパーマロイから成る磁
気ヘツドよりもテープにノイズが録音されたり信
号が確実に再生されない欠点があり、したがつて
より確実に消磁作業を実行する必要がある。しか
しながら交番漸減磁界により高バイアスヘツドの
消磁を行う場合は、高バイアスヘツドの飽和磁束
密度はパーマロイから成る磁気ヘツドのそれより
も大きいから、交番漸減磁界の初期値をそれだけ
大きくしてやる必要があるが、高バイアスヘツド
の帯磁を完全に消去できるように交番漸減磁界の
初期値を大きくすると、パーマロイ等の比較的保
磁力の小さい素材から成る磁気ヘツドの消磁を行
う場合には交番漸減磁界は過剰となり、そのうえ
電源電池を無駄に消耗することとなる。殊にこの
種消磁装置として広く普及しているカセツト式消
磁装置の場合、電源電池の容量は比較的小さいた
め、不要に大きな放電流を流すとその消耗が激し
くなり、頻繁に電池の交換を行わねばならなくな
る。

そこで本考案は上記の点を勘案してなされたも
のであつて、電源電池１、該電源電池１に接続さ
れた直流昇圧回路３、該昇圧回路３の出力を制御
するスイツチング回路５を介して前記直流昇圧回
路３により充電されるコンデンサＣ４、および該
コンデンサＣ４に接続され、これを駆動電源とし
て発振する発振回路７、該発振回路７の出力によ
り交番磁界を発生する消磁ヘツド８とから成り、
前記コンデンサＣ４の充電端子電圧が複数値のい
ずれかの所定電圧に達したことを検出する検出部
６を設け、該検出部６の出力で前記スイツチング
回路５を駆動し、上記発振回路７の発振開始初期
時の前記コンデンサＣ４の端子電圧を変更自在と
して消磁ヘツドに発生する交番漸減磁界の初期値
を変更できるようにしたものであり、かくするこ
とによりセンダスト等の高保磁性の素材から成る
高バイアスヘツドの消磁を行うときは例えば発振
回路に電力を供給するコンデンサの端子電圧を高
くし、大きな放電流を流して消磁ヘツドに大きな
初期値の交番漸減磁界を発生させ、またパーマロ
イ等の比較的保磁力の小さい素材から成る磁気ヘ
ツドの消磁を行うときは、例えば上記コンデンサ
の端子電圧に低くして小さな放電流を流し、消磁
ヘツドに比較的小さな初期値の交番漸減磁界を発
生させるようにし、以て磁気ヘツドの材質に応じ
て確実に消磁作業を行うことができ、また電源電
池の無駄な消耗を防止するようしたものである。

以下、図面に沿つて本考案の実施例の説明を行
う。

第１図はカセツトケースに内蔵される消磁装置
の電気回路図であつて、１は電源電池、２はスイ
ツチ回路、３は直流昇圧回路としてのDC−DCコ
ンバータ回路であり、スイツチ回路２はコンバー
タ回路３側の可変接点２ａ、上記電源電池１の負
極側の固定接点２ｂおよび後述するコンデンサＣ
３側の固定接点２ｃから成つており、カセツトケ
ースをテープレコーダにセツトすると可変接点２
ａは接点２ｂ側へ投入され、テープレコーダから
取りはずすと接点２ｃ側へ投入される。コンバー
タ回路３は抵抗体Ｒ１、コイルＬ１，Ｌ２、コン
デンサＣ１，Ｃ２、ダイオードＤ１、トランジス
タＱ１，Ｑ２等から成り、上記電源電池１の端子
電圧を昇圧するものである。

コンバータ回路３の出力段には抵抗体Ｒ２、コ
ンデンサＣ３が接続され、抵抗体Ｒ２、コンデン
サＣ３には駆動表示回路４が接続されている。駆
動表示回路４は、発光素子としての発光ダイオー
ドＤ２、トランジスタＱ３、抵抗体Ｒ３，Ｒ４等
から成り、発光ダイオードＤ２は上記コンデンサ
Ｃ３と並列に、また各抵抗体Ｒ３，Ｒ４は上記ト
ランジスタＱ１にベース側に接続されている。コ
ンデンサＣ３の抵抗体Ｒ２側は、上記スイツチ回
路２の固定接点２ｃに接続されるとともに、ダイ
オードＤ３を介して後述するトランジスタＱ５の
ベース側に接続されている。

５は表示回路４に接続されたスイツチング回路
であつて、トランジスタＱ４，Ｑ５、抵抗体Ｒ
５，Ｒ６，Ｒ７，Ｒ８とから成つており、トラン
ジスタＱ４のベース側はは抵抗体Ｒ６，Ｒ７を介
して上記トランジスタＱ３のベース側に接続さ
れ、抵抗体Ｒ６，Ｒ７はトランジスタＱ５のコレ
クタ側に接続されている。またトランジスタＱ５
のベース側は、抵抗体Ｒ８を介して上記トランジ
スタＱ３のコレクタ側に接続されるとともに、上
述したようにダイオードＤ３を介して上記コンデ
ンサＣ３に接続されている。

またスイツチング回路５の出力には、大容量の
コンデンサＣ４が接続されて充電されており、該
コンデンサＣ４の両端には、このコンデンサＣ４
の充電端子電圧が複数値のいずれかの所定電圧に
達したことを検出する検出部６が接続されてい
る。

この検出部６は正負ラインの間に接続された三
個のツエナーダイオードZD１，ZD２，ZD３と、
各ツエナーダイオードZD１〜ZD３に接続された
固定接点ａ，ｂ，ｃおよび負ライン側に接続され
て各接点ａ，ｂ，ｃに選択的に接続される可変接
点ｄから成るスイツチ装置SWから成つている。
各ツエナーダイオードZD１〜ZD３の降伏電圧の
大きさはそれぞれ異なり、ツエナーダイオード
ZD１、ツエナーダイオードZD２、ツエナーダイ
オードZD３の順となつている。この可変接点ｄ
の他端には検出用抵抗Ｒ１０が接続され、上記各
ツエナーダイオードZD１，ZD２，ZD３による
降伏時電流による降下電圧つまり所定端子電圧到
達時点を検出し、ダイオードＤ４を介してスイツ
チング回路５のベース側に接続されている。した
がつてコンデンサＣ４は上記スイツチ装置SWの
可変接点ｄを各固定接点ａ，ｂ，ｃの何れかに選
択的に接続することにより、その端子電圧を変更
することができる。すなわち上記各ツエナーダイ
オードZD１〜ZD３やスイツチ装置SWや検出用
抵抗Ｒ１０から成る検出部６は、コンデンサＣ４
の端子電圧変更部ともなるものであり、消磁すべ
き磁気ヘツドの保磁力の大きさに応じてコンデン
サＣ４の端子電圧を変更することにより、後述す
る消磁ヘツド８に発生する交番漸減磁界の初期値
の大きさを変更できようになつている。

７はコンデンサＣ４の放電流により駆動される
発振回路であつて、コンデンサＣ５，Ｃ６、抵抗
体Ｒ９，Ｒ１０、トランジスタＱ６，Ｑ７等から
成り、発振回路７には消磁コイルＬ３，Ｌ４、コ
ンデンサＣ７から成る消磁ヘツド８が接続されて
いる。またトランジスタＱ６，Ｑ７の各エミツタ
側は、上記トランジスタＱ５のコレクタ側に接続
されている。

本装置は上記のような構成より成り、次に動作
の説明を行う。

高バイアスヘツドの消磁を行うときは、可変接
点ｄを最大の降伏電圧を有するツエナーダイオー
ドZD１側の接点ａ側に投入し、カセツトケース
をテープレコーダにセツトする。するとテープレ
コーダ側のヘツドにより押圧されて消磁ヘツド８
が後退し、これと連動してスイツチ回路２の可変
接点２ａは接点２ｂ側に投入され、電源電池１の
端子電圧、例えば1.5Vは、コンバータ回路３に
より例えば約16V程度まで昇圧され、トランジス
タＱ４は導通してコンデンサＣ４はその端子電圧
がツエナーダイオードZD１の降伏電圧に等しく
なるまで充電されるが、このとき抵抗Ｒ１０に発
生する出力はダイオードＤ４を介してトランジス
タＱ５のベース側に供給され、トランジスタＱ５
は導通して発振回路７は駆動をはじめ、またトラ
ンジスタＱ３を導通して発光ダイオードＤ２は立
ち上りよく点灯し、駆動中を表示する。なおトラ
ンジスタＱ５のベース側には抵抗体Ｒ２を介して
充電されるコンデンサＣ３の電位がダイオードＤ
３を通して供給され、タイマー回路を構成してい
る。一方、トランジスタＱ３の導通によつてトラ
ンジスタＱ４はカツトオフとなつてコンデンサＣ
４への充電を停止し、これと同時にコンデンサＣ
４は蓄積電荷の放電を始め、その放電流により発
振回路７は駆動して消磁ヘツド８には放電時定数
にもとづいた漸減する交番磁界を生じ、テープレ
コーダの録音再生用高バイアスヘツドの消磁が行
われる。ここで可変接点ｄは最大の降伏電圧を有
するツエナーダイオードZD１側の接点ａに接続
されているので、コンデンサＣ４の端子電圧は高
く、したがつて消磁ヘツド８に生じる交番漸減磁
界の初期値は大きく、高保磁性の高バイアスヘツ
ドの帯磁を完全に消去する。またトランジスタＱ
３が導通すると、トランジスタＱ１にベース電流
が流れてトランジスタＱ１は導通し、トランジス
タＱ２のベース電流をバイパスし、カツトオフと
なつてコンバータ回路３は駆動を停止し、電源電
池１および昇圧回路３からは発光ダイオードＤ２
を十分駆動するだけの給電は行われなくなるが、
以後発光ダイオードＤ２はコンデンサＣ３の放電
流により十分駆動されて点灯しつづける。

コンデンサＣ４の放電が完了して消磁動作が終
了したならば、カセツトケースをテープレコーダ
から取りはずす。すると可変接点２ａは接点２ｃ
側へ切り換わり、コンデンサＣ２，Ｃ３はただち
に放電を終了し、発光ダイオードＤ２は消灯して
すべての駆動は停止する。

次に例えばパーマロイなどの比較的保磁力の小
さい磁気ヘツドの消磁を行うときは、可変接点ｄ
を固定接点ｂもしくは固定接点ｃ側に投入する。
するとコンデンサＣ４の端子電圧は上記の場合よ
りも小さくなり、消磁ヘツド８に発生する交番漸
減磁界の初期値よりも小さくなる。すなわち比較
的保磁力の小さい磁気ヘツドの消磁を行う場合
に、高バイアスヘツドの消磁を行う場合と同様に
コンデンサＣ４の端子電圧を高くすると、交番漸
減磁界の初期値は過大となつて電力を無駄に消費
し、電源電池１の消耗が早くなる。したがつて比
較的保磁力の小さい磁気ヘツドの消磁を行うとき
は、上記のようにコンデンサＣ４の端子電圧を小
さくして消磁ヘツド８に必要最小限の交番漸減磁
界を発生させるようにすることにより、電源電池
１の無駄な消耗を防止することができる。

本発明は上記実施例以外にも種々の設計変更が
可能であつて、例えば上記実施例は三個の固定接
点ａ，ｂ，ｃを設けてコンデンサＣ４の端子電圧
を三段階に変更できるようにしているが、コンデ
ンサＣ４の端子電圧は何段階に変更するようにし
てもよい。

以上説明したように本発明に係る磁気ヘツドの
消磁装置は、電源電池１、該電源電池１に接続さ
れた直流昇圧回路３、該昇圧回路３の出力を制御
するスイツチング回路５を介して前記直流昇圧回
路３により充電されるコンデンサC₄、および該
コンデンサC₄に接続され、これを駆動電源とし
て発振する発振回路７、該発振回路７の出力によ
り交番磁界を発生する消磁ヘツド８とから成り、
前記コンデンサC₄の充電端子電圧が複数値のい
ずれかの所定電圧に達したことを検出する検出部
６を設け、該検出部６の出力で前記スイツチング
回路５を駆動し、上記発振回路７の発振開始初期
時の前記コンデンサC₄の端子電圧を変更自在と
しているので、消磁すべき磁気ヘツドの保磁力の
大きさに応じて消磁ヘツド８に発生する交番漸減
磁界の初期値の大きさを変更できるから、磁気ヘ
ツドの帯磁を確実に消去しうるとともに必要最小
限の交番漸減磁界を発生させて電源電池１の無駄
な消耗を防止することができる。

【図面の簡単な説明】

図は本発明の実施例の電気回路図である。 １…電源電池、３…直流昇圧回路、５…スイツ
チング回路、６…検出部、７…発振回路、８…消
磁ヘツド、Ｃ４…コンデンサ。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １ 電源電池１、該電源電池１に接続された直流
   昇圧回路３、該昇圧回路３の出力を制御するスイ
   ツチング回路５を介して前記直流昇圧回路３によ
   り充電されるコンデンサＣ４、および該コンデン
   サＣ４に接続され、これを駆動電源として発振す
   る発振回路７、該発振回路７の出力により交番磁
   界を発生する消磁ヘツド８とから成り、前記コン
   デンサＣ４の充電端子電圧が複数値のいずれかの
   所定電圧に達したことを検出する検出部６を設
   け、該検出部６の出力で前記スイツチング回路５
   を駆動し、上記発振回路７の発振開始初期時の前
   記コンデンサＣ４の端子電圧を変更自在としたこ
   とを特徴とする磁気ヘツドの消磁装置。