JPH0547819A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

Info

Publication number
JPH0547819A
JPH0547819A JP3224964A JP22496491A JPH0547819A JP H0547819 A JPH0547819 A JP H0547819A JP 3224964 A JP3224964 A JP 3224964A JP 22496491 A JP22496491 A JP 22496491A JP H0547819 A JPH0547819 A JP H0547819A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
line
pads
bonding
bent
power supply
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP3224964A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2969301B2 (ja
Inventor
Takayuki Maeda
孝幸 前田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Texas Instruments Japan Ltd
Original Assignee
Texas Instruments Japan Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Texas Instruments Japan Ltd filed Critical Texas Instruments Japan Ltd
Priority to JP3224964A priority Critical patent/JP2969301B2/ja
Publication of JPH0547819A publication Critical patent/JPH0547819A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2969301B2 publication Critical patent/JP2969301B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/49Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554External layer
    • H01L2224/0555Shape
    • H01L2224/05552Shape in top view
    • H01L2224/05554Shape in top view being square
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491Disposition
    • H01L2224/4912Layout
    • H01L2224/49175Parallel arrangements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01006Carbon [C]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01013Aluminum [Al]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01023Vanadium [V]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01028Nickel [Ni]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01029Copper [Cu]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01033Arsenic [As]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01074Tungsten [W]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01078Platinum [Pt]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01079Gold [Au]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01082Lead [Pb]

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)
  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【構成】 一線上に配されたボンディングパッド列の一
方側から他方側へ、更には前記一方側へと前記ボンディ
ングパッド列を横切って交互に折曲されながら前記ボン
ディングパッド列に沿って配設された電源線(バスバ
ー)2、3と、この電源線の各折曲部の領域まで延設さ
れて前記一方側及び前記他方側に夫々配設さた一方の信
号線5及び他方の信号線4とを有し、前記電源線の前記
折曲部の領域内に存在するボンディングパッドのうち、
一部分が前記一方の信号線又は前記他方の信号線に接続
されていると共に、他の部分が前記電源線に接続されて
いる半導体装置。 【効果】 信号線−バスバー間のショートをなくし、パ
ッケージの薄型化、TAB化を可能とし、かつ効率よく
接続が可能で信号の配列も容易である。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置、特にLOC
(Lead On Chip)構造のパッケージに関するものであ
る。
【0002】
【従来技術】従来、ICチップを封止するためのパッケ
ージとして、ICチップ上にリードフレームを乗せるL
OC構造のものが知られている。これを例えば図7〜図
10について説明する。
【0003】図7には、LOC構造のDRAM(ダイナ
ミックRAM)を示したが、多数のAlボンディングパ
ッド1がICチップ10の 中央部において一直線状に配
列されている。このパッド列の両側には夫々、バスバー
と称される電源線2、3と多数の信号線(リードフレー
ム)4、5とが配置されている。これらはFe−Ni合
金又はCuからなっている。
【0004】バスバー2、3は電源VSS又はVCCに接続
される一方、各信号線4、5はアド
【0005】ところが、各パッド1と各線との接続は、
ボンディングパッド列の一方(左)側ではボンディング
ワイヤ6、7で、他方(右)側ではボンディングワイヤ
8、9で夫々ワイヤボンディングにより行われるが、図
8に明示するように、信号線4、5と各パッド1とを接
続するワイヤ7、9が夫々バスバー2、3上をまたいで
しまう。
【0006】このため、ワイヤ7、9が十分な高さでな
い場合にバスバー2、3に接触し、信号線とバスバーが
ショートする危険性がある。これを防ぐには、ワイヤ
7、9の高さを十分大きくする必要があるが、このよう
にするとパッケージが厚くなり、その薄型化に支障が生
じる。
【0007】また、パッケージの薄型化のために、ボン
ディングワイヤを用いないTAB方式で接続する場合、
図9及び図10のように、やはりバスバー2、3をまたい
で各信号線4、5をパッド1上にまで延設しなければな
らない。図9中の×印はボンディング部分を示すが、具
体的には図10のように、パッド1上に設けたバンプ電極
11を介して信号線が圧着される。
【0008】従って、TAB方式の場合、上記のように
信号線がバスバーをまたぐ構造は実現困難である。
【0009】他方、特開平2−246125号公報に開示され
たリードフレームは、図11に示すように、ICチップ10
上にボンディングパッドBPを左右に一列ずつ配置し、
各列のパッドの両側に夫々信号線3A1とバスバー3A
2を設けたものである。そして、ボンディングワイヤW
による接続は、各パッド列において、一方側では信号線
と、他方側ではバスバーと行っている。このため、上述
したようにワイヤがバスバー上をまたぐことはなく、信
号線−バスバー間のショートは一応回避できる。
【0010】しかしながら、図11のパッケージでは、一
列のパッドに対して信号線3A1は片側のみにしか配設
することができないので、効率が悪く、レイアウト面で
も制約を受ける。しかも、各信号線間はピン数が増加す
るに伴って狭くなり、余裕が少なくなる。
【0011】
【発明の目的】本発明の目的は、信号線−バスバー間の
ショートをなくし、パッケージの薄型化、TAB化を可
能とし、かつ効率よく接続が可能で信号線の配列も容易
であるパッケージ構造の半導体装置を提供することにあ
る。
【0012】
【発明の構成】即ち、本発明は、多数のボンディングパ
ッドがほぼ一線上に列をなして設けられ、このボンディ
ングパッド列の一方側から他方側へ、更には前記一方側
へと前記ボンディングパッド列を横切って交互に折曲さ
れながら前記ボンディングパッド列に沿って配設された
電源線と、この電源線の各折曲部の領域まで延設されて
前記一方側及び前記他方側に夫々配設された一方の信号
線及び他方の信号線とを有し、前記電源線の前記折曲部
の領域内に存在する複数のボンディングパッドのうち、
一部分が前記一方の信号線又は前記他方の信号線に接続
されていると共に、他の一部分が前記電源線に接続され
ている半導体装置に係るものである。
【0013】
【実施例】以下、本発明の実施例を説明する。
【0014】図1〜図3は、本発明を例えばDRAMに
適用した第1の実施例を示すものである。
【0015】本実施例のパッケージは既述したLOC構
造であるが、図1に示すように、多数のAlボンディン
グパッド1が一直線上に一列に配されていると共に、複
数(例えば3つ)のパッドをブロック化し、各ブロック
20間においてバスバー2(VSS用)、3(Vcc用)を一
方側から他方側へ、更には一方側へと横切らせて交互に
折曲させている。そして、これらの折曲部2a、2b及
び3a、3bはコ字状又は逆コ字状をなし、各折曲部の
領域21内には、上記各ブロックのパッド1が存在してい
る。バスバー2、3や信号線4、5はFe−NiやCu
等のリードフレームからなっている。
【0016】また、上記折曲部の領域21内には、一方の
信号線5と他方の信号線4が夫々延設されていて、パッ
ド1の近傍にボンディング部5aと4aが配設されてい
る。
【0017】そして、各ブロックでのパッド1のうち、
1つはバスバー2又は3に、他の2つは信号線4又は5
に夫々ワイヤ7、8、6、9でボンディングされてお
り、これらのボンディングはバスバーの片側でのみ行わ
れる。
【0018】従って、既述したようにボンディングワイ
ヤがバスバー上をまたぐことはなく、信号線−バスバー
間のショートが生じることはない。そして、各ワイヤの
高さは可能な限り低くすることができるから、パッケー
ジを薄型化するのに好都合となる。
【0019】また、パッド1の列の両側に信号線4と5
を共に配置しているので、所定のパッドを選択して所定
の信号線にパッド列の両側で夫々接続すればよく、1つ
のパッド列を有効に利用できる。しかも、チップ上にお
いてボンディングに必要な面積を減らすことができる。
特に、上記のように、バスバーの折曲領域21内に信号線
4、5を延設しているために、図11で示した如きパター
ンに比べ必要面積(特にチップ左右方向での面積)を大
きく減らせる。
【0020】そして、チップの図面上下方向において
も、各側において各信号線4間、各信号線5間のピッチ
又は間隔が上記折曲領域21の存在によって広くなるか
ら、余裕をもって配置することができることになる。
【0021】図4〜図5は、パッケージを一層薄型化で
きるTAB方式に本発明を適用した実施例を示すもので
ある。
【0022】即ち、各パッド1上には夫々バンプ電極31
(例えばAlパッド1上にTi蒸着、更にAuメッキを
かけたもの)が設けられ、このバンプ電極上に、フィル
ムテープ30に保持されたバスバー2、3の折曲部2a、
3a、信号線のボンディング部4a、5aが夫々圧着さ
れている(32は接着剤である)。これによって、各パッ
ドとバスバー及び信号線との間が接続される。
【0023】従って、このTAB方式の接続において
は、図9及び図10で示したように信号線がバスバー上を
またぐことなしに良好な接続が可能となる。そして、図
1〜図3で述べた例と同様の効果も奏することができ
る。
【0024】図6は、図1〜図3の例を変形した他の実
施例を示すものである。
【0025】この例の場合、図1に比べて、バスバー
2、3の折曲形状を変更し、台形状又は逆台形状として
いる。従って、上述した例と同様の効果が得られると共
に、斜めの折曲部2a、3a及び2b、3bの存在によ
って、これらの折曲部に対して信号線の斜辺部4b、5
bをレイアウト上からみて接近させても差支えなく、設
計が容易となる。
【0026】以上、本発明を例示したが、上述の実施例
は本発明の技術的思想に基づいて更に変形が可能であ
る。
【0027】例えば、上述のボンディングパッド列に対
するバスバーの折曲形状を三角形、円弧状等に変更でき
ることをはじめ、パッドの配置、個数、その列の状態
(上述の一直線に限らず、多少折れ曲がっていたり、曲
線状であってもよい。)も様々に変更してよい。
【0028】なお、本発明のパッケージはDRAM(16
メガ、64メガ等)だけでなく、その他の種々のデバイス
にも適用可能である。
【0029】
【発明の作用効果】本発明は上述したように、一線上に
配されたボンディングパッドに対して交互に折曲した電
源線と、両側に配された各信号線とが夫々パッドと接続
されているため、ボンディングワイヤが電源線上をまた
ぐことはなく、信号線−電源線間のショートが生じるこ
とはない。そして、各ワイヤの高さは可能な限り低くす
ることができ、パッケージの薄型化に有利である。しか
も、TAB化も可能であり、薄型化にとって一層好都合
である。
【0030】また、所定のパッドを選択して所定の信号
線にパッド列の両側で夫々接続すればよく、1つのパッ
ド列を有効に利用できる。しかも、チップ上においてボ
ンディングに必要な面積を減らすことができる。特に、
バスバーの折曲領域内に信号線を延設しているために、
ボンディングにとって必要な面積を大きく減らすことが
できる。また、各信号線間のピッチ又は間隔が上記折曲
領域の存在によって広くなるから、余裕をもって配置す
ることができることになる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施例によるLOC構造のICパッケ
ージの要部平面図である。
【図2】図1のII−II線断面図である。
【図3】図1のIII −III 線断面図である。
【図4】本発明の他の実施例によるLOC構造(但し、
TAB方式)のICパッケージの要部平面図である。
【図5】図4のV−V線断面図である。
【図6】本発明の更に他の実施例によるLOC構造のI
Cパッケージの要部平面図である。
【図7】従来例によるLOC構造のICパッケージの要
部平面図である。
【図8】図7のVIII−VIII線断面図である。
【図9】上記従来例をTAB方式に応用したときの要部
平面図である。
【図10】図9の一部分の拡大図である。
【図11】他の従来例によるLOC構造用のリードフレー
ムの一部分の平面図である。
【符号の説明】 1 ボンディングパッド 2 電源線(VSS用) 3 電源線(Vcc用) 2a、2b、3a、3b 折曲部 4、5 信号線 4a、5a ボンディング部 4b、5b 折曲部 6、7、8、9 ボンディングワイヤ 10 ICチップ 20 ブロック 21 折曲領域 31 バンプ電極

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 多数のボンディングパッドがほぼ一線上
    に列をなして設けられ、このボンディングパッド列を横
    切って交互に折曲されながら前記ボンディングパッド列
    に沿って配設された電源線と、この電源線の各折曲部の
    領域まで延設された信号線とを有し、前記電源線の前記
    折曲部の領域内に存在する複数のボンディングパッドの
    うち、一部分が前記信号線に接続され、他の一部分が前
    記電源線に接続されている半導体装置。
JP3224964A 1991-08-09 1991-08-09 半導体装置 Expired - Fee Related JP2969301B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP3224964A JP2969301B2 (ja) 1991-08-09 1991-08-09 半導体装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP3224964A JP2969301B2 (ja) 1991-08-09 1991-08-09 半導体装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH0547819A true JPH0547819A (ja) 1993-02-26
JP2969301B2 JP2969301B2 (ja) 1999-11-02

Family

ID=16821968

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP3224964A Expired - Fee Related JP2969301B2 (ja) 1991-08-09 1991-08-09 半導体装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2969301B2 (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0620593A1 (en) * 1993-04-16 1994-10-19 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor device with smaller package
US5592020A (en) * 1993-04-16 1997-01-07 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor device with smaller package having leads with alternating offset projections
US7042069B2 (en) * 2003-11-28 2006-05-09 Seiko Epson Corporation Semiconductor device and method of manufacturing same, wiring board, electronic module, and electronic instrument

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0620593A1 (en) * 1993-04-16 1994-10-19 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor device with smaller package
US5592020A (en) * 1993-04-16 1997-01-07 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor device with smaller package having leads with alternating offset projections
US5801433A (en) * 1993-04-16 1998-09-01 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor device with smaller package
US7042069B2 (en) * 2003-11-28 2006-05-09 Seiko Epson Corporation Semiconductor device and method of manufacturing same, wiring board, electronic module, and electronic instrument

Also Published As

Publication number Publication date
JP2969301B2 (ja) 1999-11-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8704342B2 (en) Resin sealing type semiconductor device and method of manufacturing the same, and lead frame
US6541846B2 (en) Dual LOC semiconductor assembly employing floating lead finger structure
JPH10233509A (ja) 半導体パワー・デバイス
US5751057A (en) Lead on chip lead frame design without jumpover wiring
US5804871A (en) Lead on chip semiconductor device having bus bars and crossing leads
JPH1012658A (ja) 入出力端子を多数有する半導体集積回路素子
JP2969301B2 (ja) 半導体装置
US11211310B1 (en) Package structures
JPH061801B2 (ja) リ−ドフレ−ム
JPS6010651A (ja) 半導体装置
JP2601228B2 (ja) 樹脂封止型回路装置の製造方法
US7800205B2 (en) Quad flat pack (QFP) package and flexible power distribution method therefor
JPH0529528A (ja) 半導体集積回路装置およびそれに用いるリードフレーム
JP3470690B2 (ja) リードフレーム、半導体装置製造用成形金型、半導体装置及び半導体装置の製造方法
JP2971594B2 (ja) 半導体集積回路装置
JPS60134429A (ja) 半導体装置
JP2970755B2 (ja) 半導体装置
JP2869596B2 (ja) 樹脂封止型半導体装置
JPH05226568A (ja) 半導体装置
JPH04114438A (ja) 半導体集積回路装置
JPH06275771A (ja) 半導体装置およびその半導体装置に組み込まれる半導体チップ
JPH1012804A (ja) 半導体装置
JP4222920B2 (ja) 半導体装置
JPH0834282B2 (ja) 半導体装置用リードフレーム
JP2936900B2 (ja) 半導体装置

Legal Events

Date Code Title Description
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 19990727

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20070827

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080827

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090827

Year of fee payment: 10

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees