JPH0547819A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
方側から他方側へ、更には前記一方側へと前記ボンディ
ングパッド列を横切って交互に折曲されながら前記ボン
ディングパッド列に沿って配設された電源線(バスバ
ー)2、3と、この電源線の各折曲部の領域まで延設さ
れて前記一方側及び前記他方側に夫々配設さた一方の信
号線5及び他方の信号線4とを有し、前記電源線の前記
折曲部の領域内に存在するボンディングパッドのうち、
一部分が前記一方の信号線又は前記他方の信号線に接続
されていると共に、他の部分が前記電源線に接続されて
いる半導体装置。 【効果】 信号線−バスバー間のショートをなくし、パ
ッケージの薄型化、TAB化を可能とし、かつ効率よく
接続が可能で信号の配列も容易である。
Description
(Lead On Chip)構造のパッケージに関するものであ
る。
ージとして、ICチップ上にリードフレームを乗せるL
OC構造のものが知られている。これを例えば図7〜図
10について説明する。
ミックRAM)を示したが、多数のAlボンディングパ
ッド1がICチップ10の 中央部において一直線状に配
列されている。このパッド列の両側には夫々、バスバー
と称される電源線2、3と多数の信号線(リードフレー
ム)4、5とが配置されている。これらはFe−Ni合
金又はCuからなっている。
される一方、各信号線4、5はアド
ボンディングパッド列の一方(左)側ではボンディング
ワイヤ6、7で、他方(右)側ではボンディングワイヤ
8、9で夫々ワイヤボンディングにより行われるが、図
8に明示するように、信号線4、5と各パッド1とを接
続するワイヤ7、9が夫々バスバー2、3上をまたいで
しまう。
い場合にバスバー2、3に接触し、信号線とバスバーが
ショートする危険性がある。これを防ぐには、ワイヤ
7、9の高さを十分大きくする必要があるが、このよう
にするとパッケージが厚くなり、その薄型化に支障が生
じる。
ディングワイヤを用いないTAB方式で接続する場合、
図9及び図10のように、やはりバスバー2、3をまたい
で各信号線4、5をパッド1上にまで延設しなければな
らない。図9中の×印はボンディング部分を示すが、具
体的には図10のように、パッド1上に設けたバンプ電極
11を介して信号線が圧着される。
信号線がバスバーをまたぐ構造は実現困難である。
たリードフレームは、図11に示すように、ICチップ10
上にボンディングパッドBPを左右に一列ずつ配置し、
各列のパッドの両側に夫々信号線3A1とバスバー3A
2を設けたものである。そして、ボンディングワイヤW
による接続は、各パッド列において、一方側では信号線
と、他方側ではバスバーと行っている。このため、上述
したようにワイヤがバスバー上をまたぐことはなく、信
号線−バスバー間のショートは一応回避できる。
列のパッドに対して信号線3A1は片側のみにしか配設
することができないので、効率が悪く、レイアウト面で
も制約を受ける。しかも、各信号線間はピン数が増加す
るに伴って狭くなり、余裕が少なくなる。
ショートをなくし、パッケージの薄型化、TAB化を可
能とし、かつ効率よく接続が可能で信号線の配列も容易
であるパッケージ構造の半導体装置を提供することにあ
る。
ッドがほぼ一線上に列をなして設けられ、このボンディ
ングパッド列の一方側から他方側へ、更には前記一方側
へと前記ボンディングパッド列を横切って交互に折曲さ
れながら前記ボンディングパッド列に沿って配設された
電源線と、この電源線の各折曲部の領域まで延設されて
前記一方側及び前記他方側に夫々配設された一方の信号
線及び他方の信号線とを有し、前記電源線の前記折曲部
の領域内に存在する複数のボンディングパッドのうち、
一部分が前記一方の信号線又は前記他方の信号線に接続
されていると共に、他の一部分が前記電源線に接続され
ている半導体装置に係るものである。
適用した第1の実施例を示すものである。
造であるが、図1に示すように、多数のAlボンディン
グパッド1が一直線上に一列に配されていると共に、複
数(例えば3つ)のパッドをブロック化し、各ブロック
20間においてバスバー2(VSS用)、3(Vcc用)を一
方側から他方側へ、更には一方側へと横切らせて交互に
折曲させている。そして、これらの折曲部2a、2b及
び3a、3bはコ字状又は逆コ字状をなし、各折曲部の
領域21内には、上記各ブロックのパッド1が存在してい
る。バスバー2、3や信号線4、5はFe−NiやCu
等のリードフレームからなっている。
信号線5と他方の信号線4が夫々延設されていて、パッ
ド1の近傍にボンディング部5aと4aが配設されてい
る。
1つはバスバー2又は3に、他の2つは信号線4又は5
に夫々ワイヤ7、8、6、9でボンディングされてお
り、これらのボンディングはバスバーの片側でのみ行わ
れる。
ヤがバスバー上をまたぐことはなく、信号線−バスバー
間のショートが生じることはない。そして、各ワイヤの
高さは可能な限り低くすることができるから、パッケー
ジを薄型化するのに好都合となる。
を共に配置しているので、所定のパッドを選択して所定
の信号線にパッド列の両側で夫々接続すればよく、1つ
のパッド列を有効に利用できる。しかも、チップ上にお
いてボンディングに必要な面積を減らすことができる。
特に、上記のように、バスバーの折曲領域21内に信号線
4、5を延設しているために、図11で示した如きパター
ンに比べ必要面積(特にチップ左右方向での面積)を大
きく減らせる。
も、各側において各信号線4間、各信号線5間のピッチ
又は間隔が上記折曲領域21の存在によって広くなるか
ら、余裕をもって配置することができることになる。
きるTAB方式に本発明を適用した実施例を示すもので
ある。
(例えばAlパッド1上にTi蒸着、更にAuメッキを
かけたもの)が設けられ、このバンプ電極上に、フィル
ムテープ30に保持されたバスバー2、3の折曲部2a、
3a、信号線のボンディング部4a、5aが夫々圧着さ
れている(32は接着剤である)。これによって、各パッ
ドとバスバー及び信号線との間が接続される。
は、図9及び図10で示したように信号線がバスバー上を
またぐことなしに良好な接続が可能となる。そして、図
1〜図3で述べた例と同様の効果も奏することができ
る。
施例を示すものである。
2、3の折曲形状を変更し、台形状又は逆台形状として
いる。従って、上述した例と同様の効果が得られると共
に、斜めの折曲部2a、3a及び2b、3bの存在によ
って、これらの折曲部に対して信号線の斜辺部4b、5
bをレイアウト上からみて接近させても差支えなく、設
計が容易となる。
は本発明の技術的思想に基づいて更に変形が可能であ
る。
するバスバーの折曲形状を三角形、円弧状等に変更でき
ることをはじめ、パッドの配置、個数、その列の状態
(上述の一直線に限らず、多少折れ曲がっていたり、曲
線状であってもよい。)も様々に変更してよい。
メガ、64メガ等)だけでなく、その他の種々のデバイス
にも適用可能である。
配されたボンディングパッドに対して交互に折曲した電
源線と、両側に配された各信号線とが夫々パッドと接続
されているため、ボンディングワイヤが電源線上をまた
ぐことはなく、信号線−電源線間のショートが生じるこ
とはない。そして、各ワイヤの高さは可能な限り低くす
ることができ、パッケージの薄型化に有利である。しか
も、TAB化も可能であり、薄型化にとって一層好都合
である。
線にパッド列の両側で夫々接続すればよく、1つのパッ
ド列を有効に利用できる。しかも、チップ上においてボ
ンディングに必要な面積を減らすことができる。特に、
バスバーの折曲領域内に信号線を延設しているために、
ボンディングにとって必要な面積を大きく減らすことが
できる。また、各信号線間のピッチ又は間隔が上記折曲
領域の存在によって広くなるから、余裕をもって配置す
ることができることになる。
ージの要部平面図である。
TAB方式)のICパッケージの要部平面図である。
Cパッケージの要部平面図である。
部平面図である。
平面図である。
ムの一部分の平面図である。
Claims (1)
- 【請求項1】 多数のボンディングパッドがほぼ一線上
に列をなして設けられ、このボンディングパッド列を横
切って交互に折曲されながら前記ボンディングパッド列
に沿って配設された電源線と、この電源線の各折曲部の
領域まで延設された信号線とを有し、前記電源線の前記
折曲部の領域内に存在する複数のボンディングパッドの
うち、一部分が前記信号線に接続され、他の一部分が前
記電源線に接続されている半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3224964A JP2969301B2 (ja) | 1991-08-09 | 1991-08-09 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3224964A JP2969301B2 (ja) | 1991-08-09 | 1991-08-09 | 半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0547819A true JPH0547819A (ja) | 1993-02-26 |
JP2969301B2 JP2969301B2 (ja) | 1999-11-02 |
Family
ID=16821968
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3224964A Expired - Fee Related JP2969301B2 (ja) | 1991-08-09 | 1991-08-09 | 半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2969301B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0620593A1 (en) * | 1993-04-16 | 1994-10-19 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device with smaller package |
US5592020A (en) * | 1993-04-16 | 1997-01-07 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device with smaller package having leads with alternating offset projections |
US7042069B2 (en) * | 2003-11-28 | 2006-05-09 | Seiko Epson Corporation | Semiconductor device and method of manufacturing same, wiring board, electronic module, and electronic instrument |
-
1991
- 1991-08-09 JP JP3224964A patent/JP2969301B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0620593A1 (en) * | 1993-04-16 | 1994-10-19 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device with smaller package |
US5592020A (en) * | 1993-04-16 | 1997-01-07 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device with smaller package having leads with alternating offset projections |
US5801433A (en) * | 1993-04-16 | 1998-09-01 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device with smaller package |
US7042069B2 (en) * | 2003-11-28 | 2006-05-09 | Seiko Epson Corporation | Semiconductor device and method of manufacturing same, wiring board, electronic module, and electronic instrument |
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---|---|
JP2969301B2 (ja) | 1999-11-02 |
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