JPH0547654A - 半導体基板の表面処理方法、半導体装置の製造方法及びそれを行う表面処理装置 - Google Patents
半導体基板の表面処理方法、半導体装置の製造方法及びそれを行う表面処理装置Info
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 140
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 128
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 title claims abstract description 91
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 78
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 12
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 78
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims abstract description 78
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims abstract description 78
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 61
- 238000011282 treatment Methods 0.000 claims abstract description 52
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims abstract description 50
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 claims abstract description 44
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 27
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 27
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 claims description 26
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 25
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 25
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 claims description 8
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 claims description 4
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 claims description 3
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 3
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims 1
- 239000003495 polar organic solvent Substances 0.000 claims 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 abstract description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 3
- 238000005406 washing Methods 0.000 abstract description 3
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 abstract description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 86
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 32
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 13
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 13
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 9
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 7
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 7
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 7
- HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 2-Aminoethan-1-ol Chemical compound NCCO HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 5
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 5
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 4
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 4
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 4
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 4
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 3
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 3
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N Copper oxide Chemical compound [Cu]=O QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N Hydrazine Chemical compound NN OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical compound C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 2
- JRBRVDCKNXZZGH-UHFFFAOYSA-N alumane;copper Chemical compound [AlH3].[Cu] JRBRVDCKNXZZGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- -1 cyclic amine Chemical class 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000012476 oxidizable substance Substances 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 2
- 230000007723 transport mechanism Effects 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- VXEGSRKPIUDPQT-UHFFFAOYSA-N 4-[4-(4-methoxyphenyl)piperazin-1-yl]aniline Chemical compound C1=CC(OC)=CC=C1N1CCN(C=2C=CC(N)=CC=2)CC1 VXEGSRKPIUDPQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-M Bisulfite Chemical compound OS([O-])=O LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005751 Copper oxide Substances 0.000 description 1
- JPVYNHNXODAKFH-UHFFFAOYSA-N Cu2+ Chemical compound [Cu+2] JPVYNHNXODAKFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000570 Cupronickel Inorganic materials 0.000 description 1
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 150000004996 alkyl benzenes Chemical class 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 150000001735 carboxylic acids Chemical class 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 230000009918 complex formation Effects 0.000 description 1
- 229910001431 copper ion Inorganic materials 0.000 description 1
- YOCUPQPZWBBYIX-UHFFFAOYSA-N copper nickel Chemical compound [Ni].[Cu] YOCUPQPZWBBYIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000431 copper oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000004880 explosion Methods 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 1
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 150000002989 phenols Chemical class 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N pyridine Natural products COC1=CC=CN=C1 UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 1
- 238000010992 reflux Methods 0.000 description 1
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 1
- 238000007788 roughening Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000005049 silicon tetrachloride Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Weting (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】銅、銅合金膜を有する半導体基板を、これらの
膜の劣化を伴わないで処理する半導体基板の表面処理方
法、その方法を用いる半導体装置の製造方法及びこれら
の方法を行うのに適した表面処理装置を提供すること。 【構成】銅、銅合金が表面に露出している半導体基板を
プロトン供与性有機溶媒もしくはプロトン受容性有機溶
媒を含有する処理液と室温よりも高い温度で接触させる
際に、雰囲気又は処理液中の酸化性物質や水分等を１０
００ｐｐｍ以下にして処理する。表面処理装置は、表面
処理漕３１と洗浄漕３２の間を上記雰囲気に保たれた予
備室３０とする。
膜の劣化を伴わないで処理する半導体基板の表面処理方
法、その方法を用いる半導体装置の製造方法及びこれら
の方法を行うのに適した表面処理装置を提供すること。 【構成】銅、銅合金が表面に露出している半導体基板を
プロトン供与性有機溶媒もしくはプロトン受容性有機溶
媒を含有する処理液と室温よりも高い温度で接触させる
際に、雰囲気又は処理液中の酸化性物質や水分等を１０
００ｐｐｍ以下にして処理する。表面処理装置は、表面
処理漕３１と洗浄漕３２の間を上記雰囲気に保たれた予
備室３０とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、銅又は銅合金薄膜を有
する半導体基板の表面処理方法、半導体装置の製造方法
及びそれを行う表面処理装置に関する。
する半導体基板の表面処理方法、半導体装置の製造方法
及びそれを行う表面処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体基板上のホトレジストを除去する
手段として、酸素プラズマやオゾンを利用するドライ処
理、硫酸と過酸化水素の混合液等で酸分解する方法や界
面活性剤を含む剥離液に浸漬して剥離する方法等のウェ
ット処理が行われている。ドライ処理には蒸気圧の低い
酸化物や酸素と反応しにくい物質が残渣となって残ると
いう問題がある。そこで実際にはドライ処理した後にウ
ェット処理も行うことが多い。一方、ウェット処理の中
でも酸で分解する方法は下地材料の耐酸性が乏しい場合
は使えないという制約がある。このため、アルミニウム
配線形成以後の製造工程では、界面活性剤を含む剥離液
に浸漬する方法が一般に採用されている。
手段として、酸素プラズマやオゾンを利用するドライ処
理、硫酸と過酸化水素の混合液等で酸分解する方法や界
面活性剤を含む剥離液に浸漬して剥離する方法等のウェ
ット処理が行われている。ドライ処理には蒸気圧の低い
酸化物や酸素と反応しにくい物質が残渣となって残ると
いう問題がある。そこで実際にはドライ処理した後にウ
ェット処理も行うことが多い。一方、ウェット処理の中
でも酸で分解する方法は下地材料の耐酸性が乏しい場合
は使えないという制約がある。このため、アルミニウム
配線形成以後の製造工程では、界面活性剤を含む剥離液
に浸漬する方法が一般に採用されている。
【０００３】従来のレジスト剥離液は、アルキルベンゼ
ンスルホン酸等のプロトン供与性の有機溶媒又は有機ア
ミン等のプロトン受容性の有機溶媒を主成分として含有
している。これら剥離液は、レジストや側壁付着物の溶
解除去力を高めるため１００℃前後に加熱して用いられ
る。なお、これらに関連する技術は、例えば、特開昭６
１−２１５２、特開昭６２−３５３５７に記載されてい
る。
ンスルホン酸等のプロトン供与性の有機溶媒又は有機ア
ミン等のプロトン受容性の有機溶媒を主成分として含有
している。これら剥離液は、レジストや側壁付着物の溶
解除去力を高めるため１００℃前後に加熱して用いられ
る。なお、これらに関連する技術は、例えば、特開昭６
１−２１５２、特開昭６２−３５３５７に記載されてい
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記従来技術は、半導
体装置の配線層としてアルミニウム合金膜が用いられて
いる場合に適応できる。しかし、半導体装置の高速化や
微細化に応える配線材料として、低抵抗で耐マイグレー
ション性の優れた銅又は銅−ニッケル、銅−アルミニウ
ム等の銅合金が有望と考えられ、研究開発が進められて
いる。なお、銅膜、銅合金膜の他、これらの膜に窒化チ
タンやクロム等の導電膜を重ねた積層膜も同様である。
以下、主として銅膜について説明する。
体装置の配線層としてアルミニウム合金膜が用いられて
いる場合に適応できる。しかし、半導体装置の高速化や
微細化に応える配線材料として、低抵抗で耐マイグレー
ション性の優れた銅又は銅−ニッケル、銅−アルミニウ
ム等の銅合金が有望と考えられ、研究開発が進められて
いる。なお、銅膜、銅合金膜の他、これらの膜に窒化チ
タンやクロム等の導電膜を重ねた積層膜も同様である。
以下、主として銅膜について説明する。
【０００５】アルミニウム配線で用いられてきたレジス
ト剥離方法を銅配線にそのまま適用すると種々の問題が
発生する。（１）銅膜加工工程で用いたホトレジストを
除去する際や、（２）銅膜を被覆する絶縁膜に接続孔を
開口する工程で使われたホトレジストを除去する際に、
銅膜が剥離液に接触する。銅は、室温では市販の剥離液
に殆ど溶解しないが、ホトレジストの剥離特性を上げる
ために剥離液を加熱すると、銅が溶解するという問題が
生じる。
ト剥離方法を銅配線にそのまま適用すると種々の問題が
発生する。（１）銅膜加工工程で用いたホトレジストを
除去する際や、（２）銅膜を被覆する絶縁膜に接続孔を
開口する工程で使われたホトレジストを除去する際に、
銅膜が剥離液に接触する。銅は、室温では市販の剥離液
に殆ど溶解しないが、ホトレジストの剥離特性を上げる
ために剥離液を加熱すると、銅が溶解するという問題が
生じる。
【０００６】図１に半導体装置の配線部分の断面模式図
を示してこれを説明する。図１（ａ）に示すように、半
導体基板１０上に設けられた銅膜１１は、その上のホト
レジスト１２を剥離液で除去する際に溶解し、その形状
が変化してしまう（図１（ｂ））。また、図１（ｃ）に
示すように、銅膜１１上に絶縁膜として二酸化シリコン
膜１３設け、ホトレジスト１２をマスクとして接続孔を
設けたとき、剥離に際し銅膜１１にアンダーカットが入
る（図１（ｄ））。いずれも抵抗増加や断線等の不良が
発生する。
を示してこれを説明する。図１（ａ）に示すように、半
導体基板１０上に設けられた銅膜１１は、その上のホト
レジスト１２を剥離液で除去する際に溶解し、その形状
が変化してしまう（図１（ｂ））。また、図１（ｃ）に
示すように、銅膜１１上に絶縁膜として二酸化シリコン
膜１３設け、ホトレジスト１２をマスクとして接続孔を
設けたとき、剥離に際し銅膜１１にアンダーカットが入
る（図１（ｄ））。いずれも抵抗増加や断線等の不良が
発生する。
【０００７】一方、ホトレジストと銅膜の間に選択エッ
チング可能な保護膜を形成しておけば、銅膜を露出させ
ることなしにホトレジストを除去することもできる。し
かし、これらの方法には工程数が増加するという問題
や、保護膜を除かない場合の配線層の高アスペクト化の
問題等がある。さらに、図１（ｅ）に示すように、銅膜
１１の上下に窒化チタン膜１４を設けた積層膜を用いて
も、接続孔が下層の配線層に対して完全に重なっていな
いと配線側面で銅膜１１が露出し、剥離液によって銅膜
１１にアンダーカットが入る（図１（ｆ））。
チング可能な保護膜を形成しておけば、銅膜を露出させ
ることなしにホトレジストを除去することもできる。し
かし、これらの方法には工程数が増加するという問題
や、保護膜を除かない場合の配線層の高アスペクト化の
問題等がある。さらに、図１（ｅ）に示すように、銅膜
１１の上下に窒化チタン膜１４を設けた積層膜を用いて
も、接続孔が下層の配線層に対して完全に重なっていな
いと配線側面で銅膜１１が露出し、剥離液によって銅膜
１１にアンダーカットが入る（図１（ｆ））。
【０００８】本発明の第１の目的は、銅又は銅合金薄膜
を有する半導体基板を、薄膜の溶解又は変質を殆ど起こ
すことなく処理できる半導体基板の表面処理方法を提供
することにある。本発明の第２の目的は、銅又は銅合金
薄膜を有する半導体基板を用いて半導体装置を製造する
際に、薄膜の溶解又は変質を殆ど起こすことなく製造で
きる半導体装置の製造方法を提供することにある。本発
明の第３の目的は、これらの処理や製造を行うに適した
表面処理装置を提供することにある。
を有する半導体基板を、薄膜の溶解又は変質を殆ど起こ
すことなく処理できる半導体基板の表面処理方法を提供
することにある。本発明の第２の目的は、銅又は銅合金
薄膜を有する半導体基板を用いて半導体装置を製造する
際に、薄膜の溶解又は変質を殆ど起こすことなく製造で
きる半導体装置の製造方法を提供することにある。本発
明の第３の目的は、これらの処理や製造を行うに適した
表面処理装置を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記第１の目的は、
（１）銅又は銅合金の膜が設けられた半導体基板をプロ
トン供与性の有機溶媒又はプロトン受容性の有機溶媒を
含有する処理液に室温よりも高い温度で接触させ、該接
触後の半導体基板を、酸化性物質及び水分が１０００ｐ
ｐｍ以下の雰囲気に、所望の時間保つことを特徴とする
半導体基板の表面処理方法、（２）銅又は銅合金の膜が
設けられた半導体基板をプロトン供与性の有機溶媒又は
プロトン受容性の有機溶媒を含有する処理液に室温より
も高い温度で接触させ、該接触後の半導体基板を、酸化
性物質及び水分が１０００ｐｐｍ以下の雰囲気に保ち、
該半導体基板を洗浄液に接触させることを特徴とする半
導体基板の表面処理方法、（３）銅又は銅合金の膜が設
けられた半導体基板の少なくとも該膜上にレジスト膜を
設ける工程、該レジスト膜をプラズマ処理する工程、該
半導体基板をプロトン供与性の有機溶媒又はプロトン受
容性の有機溶媒を含有する処理液に室温よりも高い温度
で接触させる工程及び該接触後の半導体基板を、酸化性
物質及び水分が１０００ｐｐｍ以下の雰囲気に、所望の
時間保つ工程を有することを特徴とする半導体基板の表
面処理方法、（４）銅又は銅合金の膜が設けられた半導
体基板の少なくとも該膜上にレジスト膜を設ける工程、
該レジスト膜をプラズマ処理する工程、該半導体基板を
プロトン供与性の有機溶媒又はプロトン受容性の有機溶
媒を含有する処理液に室温よりも高い温度で接触させる
工程、該接触後の半導体基板を、酸化性物質及び水分が
１０００ｐｐｍ以下の雰囲気に保つ工程及び該半導体基
板を洗浄液に接触させる工程を含むことを特徴とする半
導体基板の表面処理方法、（５）上記１から４のいずれ
か一に記載の半導体基板の表面処理方法において、上記
雰囲気は、さらに３％以下の還元性ガスを含む雰囲気で
あることを特徴とする半導体基板の表面処理方法、
（６）上記１から５のいずれか一に記載の半導体基板の
表面処理方法において、上記処理液は、酸化性物質及び
水分が１０００ｐｐｍ以下の処理液であることを特徴と
する半導体基板の表面処理方法、（７）上記１から５の
いずれか一に記載の半導体基板の表面処理方法におい
て、上記処理液は、さらに還元剤を含むことを特徴とす
る半導体基板の表面処理方法、（８）上記１から７のい
ずれか一に記載の半導体基板の表面処理方法において、
上記雰囲気は、不活性ガス又は二酸化炭素ガス雰囲気で
あることを特徴とする半導体基板の表面処理方法、
（９）銅又は銅合金の膜が設けられた半導体基板をプロ
トン供与性の有機溶媒又はプロトン受容性の有機溶媒を
含有する処理液に室温よりも高い温度で接触させる半導
体基板の表面処理方法において、該処理液は、酸化性物
質及び水分が１０００ｐｐｍ以下であることを特徴とす
る半導体基板の表面処理方法、（１０）上記９記載の半
導体基板の表面処理方法において、上記半導体基板は、
上記処理液に接触させた後、さらに所望の時間、酸化性
物質及び水分が１０００ｐｐｍ以下の雰囲気に保つこと
を特徴とする半導体基板の表面処理方法、（１１）上記
９記載の半導体基板の表面処理方法において、上記半導
体基板は、上記処理液に接触させた後、さらに酸化性物
質及び水分が１０００ｐｐｍ以下の雰囲気に保ち、つい
で洗浄液に接触させることを特徴とする半導体基板の表
面処理方法、（１２）上記９から１１のいずれか一に記
載の半導体基板の表面処理方法において、上記処理液は
さらに還元剤を含むことを特徴とする半導体基板の表面
処理方法、（１３）上記９から１１のいずれか一に記載
の半導体基板の表面処理方法において、上記雰囲気は、
さらに３％以下の還元性ガスを含む雰囲気であることを
特徴とする半導体基板の表面処理方法、（１４）銅又は
銅合金の膜が設けられた半導体基板の少なくとも該膜上
にレジスト膜を設ける第１の工程、該レジスト膜をプラ
ズマ処理する第２の工程及び該半導体基板をプロトン供
与性の有機溶媒又はプロトン受容性の有機溶媒を含有す
る処理液に室温よりも高い温度で接触させる第３の工程
を有する半導体基板の表面処理方法において、該処理液
は、酸化性物質及び水分が１０００ｐｐｍ以下であるこ
とを特徴とする半導体基板の表面処理方法、（１５）上
記１４記載の半導体基板の表面処理方法において、上記
第３の工程の後に上記半導体基板を所望に時間、酸化性
物質及び水分が１０００ｐｐｍ以下の雰囲気に保つ第４
の工程を有することを特徴とする半導体基板の表面処理
方法、（１６）上記１４記載の半導体基板の表面処理方
法において、上記第３の工程の後に上記半導体基板を酸
化性物質及び水分が１０００ｐｐｍ以下の雰囲気に保つ
第４の工程及び洗浄液に接触させる第５の工程を有する
ことを特徴とする半導体基板の表面処理方法、（１７）
上記１４から１６のいずれか一に記載の半導体基板の表
面処理方法において、上記処理液はさらに還元剤を含む
ことを特徴とする半導体基板の表面処理方法、（１８）
上記１４から１６のいずれか一に記載の半導体基板の表
面処理方法において、上記雰囲気は、さらに３％以下の
還元性ガスを含む雰囲気であることを特徴とする半導体
基板の表面処理方法によって達成される。
（１）銅又は銅合金の膜が設けられた半導体基板をプロ
トン供与性の有機溶媒又はプロトン受容性の有機溶媒を
含有する処理液に室温よりも高い温度で接触させ、該接
触後の半導体基板を、酸化性物質及び水分が１０００ｐ
ｐｍ以下の雰囲気に、所望の時間保つことを特徴とする
半導体基板の表面処理方法、（２）銅又は銅合金の膜が
設けられた半導体基板をプロトン供与性の有機溶媒又は
プロトン受容性の有機溶媒を含有する処理液に室温より
も高い温度で接触させ、該接触後の半導体基板を、酸化
性物質及び水分が１０００ｐｐｍ以下の雰囲気に保ち、
該半導体基板を洗浄液に接触させることを特徴とする半
導体基板の表面処理方法、（３）銅又は銅合金の膜が設
けられた半導体基板の少なくとも該膜上にレジスト膜を
設ける工程、該レジスト膜をプラズマ処理する工程、該
半導体基板をプロトン供与性の有機溶媒又はプロトン受
容性の有機溶媒を含有する処理液に室温よりも高い温度
で接触させる工程及び該接触後の半導体基板を、酸化性
物質及び水分が１０００ｐｐｍ以下の雰囲気に、所望の
時間保つ工程を有することを特徴とする半導体基板の表
面処理方法、（４）銅又は銅合金の膜が設けられた半導
体基板の少なくとも該膜上にレジスト膜を設ける工程、
該レジスト膜をプラズマ処理する工程、該半導体基板を
プロトン供与性の有機溶媒又はプロトン受容性の有機溶
媒を含有する処理液に室温よりも高い温度で接触させる
工程、該接触後の半導体基板を、酸化性物質及び水分が
１０００ｐｐｍ以下の雰囲気に保つ工程及び該半導体基
板を洗浄液に接触させる工程を含むことを特徴とする半
導体基板の表面処理方法、（５）上記１から４のいずれ
か一に記載の半導体基板の表面処理方法において、上記
雰囲気は、さらに３％以下の還元性ガスを含む雰囲気で
あることを特徴とする半導体基板の表面処理方法、
（６）上記１から５のいずれか一に記載の半導体基板の
表面処理方法において、上記処理液は、酸化性物質及び
水分が１０００ｐｐｍ以下の処理液であることを特徴と
する半導体基板の表面処理方法、（７）上記１から５の
いずれか一に記載の半導体基板の表面処理方法におい
て、上記処理液は、さらに還元剤を含むことを特徴とす
る半導体基板の表面処理方法、（８）上記１から７のい
ずれか一に記載の半導体基板の表面処理方法において、
上記雰囲気は、不活性ガス又は二酸化炭素ガス雰囲気で
あることを特徴とする半導体基板の表面処理方法、
（９）銅又は銅合金の膜が設けられた半導体基板をプロ
トン供与性の有機溶媒又はプロトン受容性の有機溶媒を
含有する処理液に室温よりも高い温度で接触させる半導
体基板の表面処理方法において、該処理液は、酸化性物
質及び水分が１０００ｐｐｍ以下であることを特徴とす
る半導体基板の表面処理方法、（１０）上記９記載の半
導体基板の表面処理方法において、上記半導体基板は、
上記処理液に接触させた後、さらに所望の時間、酸化性
物質及び水分が１０００ｐｐｍ以下の雰囲気に保つこと
を特徴とする半導体基板の表面処理方法、（１１）上記
９記載の半導体基板の表面処理方法において、上記半導
体基板は、上記処理液に接触させた後、さらに酸化性物
質及び水分が１０００ｐｐｍ以下の雰囲気に保ち、つい
で洗浄液に接触させることを特徴とする半導体基板の表
面処理方法、（１２）上記９から１１のいずれか一に記
載の半導体基板の表面処理方法において、上記処理液は
さらに還元剤を含むことを特徴とする半導体基板の表面
処理方法、（１３）上記９から１１のいずれか一に記載
の半導体基板の表面処理方法において、上記雰囲気は、
さらに３％以下の還元性ガスを含む雰囲気であることを
特徴とする半導体基板の表面処理方法、（１４）銅又は
銅合金の膜が設けられた半導体基板の少なくとも該膜上
にレジスト膜を設ける第１の工程、該レジスト膜をプラ
ズマ処理する第２の工程及び該半導体基板をプロトン供
与性の有機溶媒又はプロトン受容性の有機溶媒を含有す
る処理液に室温よりも高い温度で接触させる第３の工程
を有する半導体基板の表面処理方法において、該処理液
は、酸化性物質及び水分が１０００ｐｐｍ以下であるこ
とを特徴とする半導体基板の表面処理方法、（１５）上
記１４記載の半導体基板の表面処理方法において、上記
第３の工程の後に上記半導体基板を所望に時間、酸化性
物質及び水分が１０００ｐｐｍ以下の雰囲気に保つ第４
の工程を有することを特徴とする半導体基板の表面処理
方法、（１６）上記１４記載の半導体基板の表面処理方
法において、上記第３の工程の後に上記半導体基板を酸
化性物質及び水分が１０００ｐｐｍ以下の雰囲気に保つ
第４の工程及び洗浄液に接触させる第５の工程を有する
ことを特徴とする半導体基板の表面処理方法、（１７）
上記１４から１６のいずれか一に記載の半導体基板の表
面処理方法において、上記処理液はさらに還元剤を含む
ことを特徴とする半導体基板の表面処理方法、（１８）
上記１４から１６のいずれか一に記載の半導体基板の表
面処理方法において、上記雰囲気は、さらに３％以下の
還元性ガスを含む雰囲気であることを特徴とする半導体
基板の表面処理方法によって達成される。
【００１０】上記第２の目的は、（１９）半導体基板
に、半導体素子の少なくとも一部を形成する工程及び上
記１から１８のいずれか一に記載の半導体基板の表面処
理方法を行う工程を少なくとも有することを特徴とする
半導体装置の製造方法によって達成される。
に、半導体素子の少なくとも一部を形成する工程及び上
記１から１８のいずれか一に記載の半導体基板の表面処
理方法を行う工程を少なくとも有することを特徴とする
半導体装置の製造方法によって達成される。
【００１１】上記第３の目的は、（２０）銅又は銅合金
の膜が設けられた半導体基板が浸漬されるために、プロ
トン供与性の有機溶媒又はプロトン受容性の有機溶媒を
含有する処理液を保持する表面処理漕及び該表面処理漕
から取り出された半導体基板を所望の時間保持するた
め、酸化性物質及び水分が１０００ｐｐｍ以下の雰囲気
に保たれた予備室を有することを特徴とする表面処理装
置、（２１）銅又は銅合金の膜が設けられた半導体基板
が浸漬されるために、プロトン供与性の有機溶媒又はプ
ロトン受容性の有機溶媒を含有する処理液を保持する表
面処理漕及び該表面処理漕から取り出された半導体基板
が洗浄されるための少なくとも１個の洗浄漕を有し、該
表面処理漕と該洗浄漕との間の半導体基板の移動経路が
酸化性物質及び水分が１０００ｐｐｍ以下の雰囲気に保
つための予備室により構成されたことを特徴とする表面
処理装置、（２２）銅又は銅合金の膜が設けられた半導
体基板が保持されるための真空容器、所望の温度に加熱
されたプロトン供与性の有機溶媒又はプロトン受容性の
有機溶媒を含有する処理液を導入するための導入口、洗
浄液を導入するための導入口、これらの液を排出するた
めの排出口及び酸化性物質及び水分が１０００ｐｐｍ以
下のガスを導入するための導入口を有することを特徴と
する表面処理装置によって達成される。
の膜が設けられた半導体基板が浸漬されるために、プロ
トン供与性の有機溶媒又はプロトン受容性の有機溶媒を
含有する処理液を保持する表面処理漕及び該表面処理漕
から取り出された半導体基板を所望の時間保持するた
め、酸化性物質及び水分が１０００ｐｐｍ以下の雰囲気
に保たれた予備室を有することを特徴とする表面処理装
置、（２１）銅又は銅合金の膜が設けられた半導体基板
が浸漬されるために、プロトン供与性の有機溶媒又はプ
ロトン受容性の有機溶媒を含有する処理液を保持する表
面処理漕及び該表面処理漕から取り出された半導体基板
が洗浄されるための少なくとも１個の洗浄漕を有し、該
表面処理漕と該洗浄漕との間の半導体基板の移動経路が
酸化性物質及び水分が１０００ｐｐｍ以下の雰囲気に保
つための予備室により構成されたことを特徴とする表面
処理装置、（２２）銅又は銅合金の膜が設けられた半導
体基板が保持されるための真空容器、所望の温度に加熱
されたプロトン供与性の有機溶媒又はプロトン受容性の
有機溶媒を含有する処理液を導入するための導入口、洗
浄液を導入するための導入口、これらの液を排出するた
めの排出口及び酸化性物質及び水分が１０００ｐｐｍ以
下のガスを導入するための導入口を有することを特徴と
する表面処理装置によって達成される。
【００１２】
【作用】銅は、酸化性雰囲気でプロトン供与性の有機溶
媒もしくはプロトン受容性の有機溶媒に接触すると溶解
する。その理由については、次のように考えることがで
きる。室温付近では、プロトン供与性の有機溶媒もしく
はプロトン受容性の有機溶媒と非極性有機溶媒の混合溶
液に金属銅は殆ど溶解しない。しかしながら、酸化銅は
室温でも上記混合溶液に迅速に溶解する。加熱すると銅
が溶解する理由は、まず金属銅が溶液中に溶けている微
量の酸素や水分によって酸化され、次に酸化銅がプロト
ン供与性の有機溶媒もしくはプロトン受容性の有機溶媒
と錯体等を形成して溶解するからであると考えられる。
銅イオンの電子軌道は歪んだ八面体構造をとっているこ
とから一般に錯体形成速度が他の金属よりも極めて速い
ことがヤーン−テラー効果として知られている。従っ
て、銅の酸化を防ぐことにより銅の溶解を防ぐことがで
きる。
媒もしくはプロトン受容性の有機溶媒に接触すると溶解
する。その理由については、次のように考えることがで
きる。室温付近では、プロトン供与性の有機溶媒もしく
はプロトン受容性の有機溶媒と非極性有機溶媒の混合溶
液に金属銅は殆ど溶解しない。しかしながら、酸化銅は
室温でも上記混合溶液に迅速に溶解する。加熱すると銅
が溶解する理由は、まず金属銅が溶液中に溶けている微
量の酸素や水分によって酸化され、次に酸化銅がプロト
ン供与性の有機溶媒もしくはプロトン受容性の有機溶媒
と錯体等を形成して溶解するからであると考えられる。
銅イオンの電子軌道は歪んだ八面体構造をとっているこ
とから一般に錯体形成速度が他の金属よりも極めて速い
ことがヤーン−テラー効果として知られている。従っ
て、銅の酸化を防ぐことにより銅の溶解を防ぐことがで
きる。
【００１３】
実施例１ プロトン供与性の有機溶媒としてアルキルベンゼンスル
ホン酸を含有する剥離液（東京応化工業（株）商品名：
剥離液５０２Ａ）に対する銅薄膜の耐薬品性を調べた。
試料として熱酸化したシリコン基板上に蒸着した厚さ５
００ｎｍの銅薄膜を用いた。
ホン酸を含有する剥離液（東京応化工業（株）商品名：
剥離液５０２Ａ）に対する銅薄膜の耐薬品性を調べた。
試料として熱酸化したシリコン基板上に蒸着した厚さ５
００ｎｍの銅薄膜を用いた。
【００１４】本実施例で用いた装置を図２に示す。装置
はスライド式多孔板２１で上段の予備室３０と下段の表
面処理漕３１とに仕切られている。予備室３０には扉２
２が設けられ、キャリアケース２０を出し入れする時以
外は閉じられ、外気と遮断することができる。キャリア
ケース２０は搬送機構２３により移動する。表面処理漕
３１内の液温はヒーター２８で温度制御できる。予備室
３０に設けられたガス導入口２４から供給された窒素ガ
スは、スライド式多孔板２１を通って表面処理漕３１に
入り、ガス排出口２７から排出される。ガス導入口２４
から供給されるガスは、アルゴン等の不活性ガスや二酸
化炭素ガスを用いてよい。
はスライド式多孔板２１で上段の予備室３０と下段の表
面処理漕３１とに仕切られている。予備室３０には扉２
２が設けられ、キャリアケース２０を出し入れする時以
外は閉じられ、外気と遮断することができる。キャリア
ケース２０は搬送機構２３により移動する。表面処理漕
３１内の液温はヒーター２８で温度制御できる。予備室
３０に設けられたガス導入口２４から供給された窒素ガ
スは、スライド式多孔板２１を通って表面処理漕３１に
入り、ガス排出口２７から排出される。ガス導入口２４
から供給されるガスは、アルゴン等の不活性ガスや二酸
化炭素ガスを用いてよい。
【００１５】銅薄膜の溶解は電子顕微鏡による表面観察
と銅薄膜のシート抵抗の変化で評価した。図３に剥離液
５０２Ａに浸漬した時間に対する銅薄膜のシート抵抗の
変化を示す。室温では、扉２２とスライド式多孔板２１
を開けて表面処理漕３１を大気開放した場合でも銅薄膜
のシート抵抗は変化しなかった。ところが、剥離液が１
００℃に加温されている場合は銅が溶解し、シート抵抗
の増加や薄膜表面の荒れが見られた。一方、装置内部を
窒素ガスで１時間パージした場合は、１時間浸漬しても
シート抵抗や銅薄膜表面の凹凸に殆ど変化が見られなか
った。なお、この時の装置内部の実際の酸素濃度は８０
０ｐｐｍであった。また装置内部の水分は５００ｐｐｍ
以下、剥離液５０２Ａ中の水分も５００ｐｐｍ以下であ
った。また、試料として１００ｎｍの窒化チタン膜上に
形成した厚さ５００ｎｍの銅膜についても同様の結果を
得た。
と銅薄膜のシート抵抗の変化で評価した。図３に剥離液
５０２Ａに浸漬した時間に対する銅薄膜のシート抵抗の
変化を示す。室温では、扉２２とスライド式多孔板２１
を開けて表面処理漕３１を大気開放した場合でも銅薄膜
のシート抵抗は変化しなかった。ところが、剥離液が１
００℃に加温されている場合は銅が溶解し、シート抵抗
の増加や薄膜表面の荒れが見られた。一方、装置内部を
窒素ガスで１時間パージした場合は、１時間浸漬しても
シート抵抗や銅薄膜表面の凹凸に殆ど変化が見られなか
った。なお、この時の装置内部の実際の酸素濃度は８０
０ｐｐｍであった。また装置内部の水分は５００ｐｐｍ
以下、剥離液５０２Ａ中の水分も５００ｐｐｍ以下であ
った。また、試料として１００ｎｍの窒化チタン膜上に
形成した厚さ５００ｎｍの銅膜についても同様の結果を
得た。
【００１６】実施例２ プロトン受容性の有機溶媒としてモノエタノールアミン
を含有する剥離液（東京応化工業（株）商品名：剥離液
１０６）について、実施例１と同じ試験を行った。結果
を図４に示す。実施例１と同様に装置内部を窒素ガスで
パージした場合は銅膜の溶解は起こらなかった。この時
の装置内部の実際の酸素濃度は８００ｐｐｍであった。
ところが、０．５％の酸素を含む窒素でパージすると銅
膜が少し曇った。また、半導体基板１０を剥離液から取
り出した後、窒素ガスでパージされた予備室３０で基板
温度が５０℃以下に下がるまで待たないと銅膜に曇りが
生じる。剥離液１０６に対しては酸化性雰囲気での銅の
溶解速度が非常に速いことが分かった。以上の結果から
酸素濃度は１０００ｐｐｍ以下にすることが望ましいと
考えられる。なお、剥離液１０６による表面処理につい
ては、基板温度が室温まで下がっていれば、基板に付着
している剥離液をアルコール類で洗浄してから水洗する
ことなく、基板を直ちに水洗しても腐食は起こらないこ
とが分かった。
を含有する剥離液（東京応化工業（株）商品名：剥離液
１０６）について、実施例１と同じ試験を行った。結果
を図４に示す。実施例１と同様に装置内部を窒素ガスで
パージした場合は銅膜の溶解は起こらなかった。この時
の装置内部の実際の酸素濃度は８００ｐｐｍであった。
ところが、０．５％の酸素を含む窒素でパージすると銅
膜が少し曇った。また、半導体基板１０を剥離液から取
り出した後、窒素ガスでパージされた予備室３０で基板
温度が５０℃以下に下がるまで待たないと銅膜に曇りが
生じる。剥離液１０６に対しては酸化性雰囲気での銅の
溶解速度が非常に速いことが分かった。以上の結果から
酸素濃度は１０００ｐｐｍ以下にすることが望ましいと
考えられる。なお、剥離液１０６による表面処理につい
ては、基板温度が室温まで下がっていれば、基板に付着
している剥離液をアルコール類で洗浄してから水洗する
ことなく、基板を直ちに水洗しても腐食は起こらないこ
とが分かった。
【００１７】実施例３ 図５に表面処理装置の他の例の構造図を示す。本表面処
理装置は、レジスト剥離液を満たした表面処理漕３１と
イソプロピルアルコールを満たした第一洗浄漕３２と純
水を満たした第二洗浄漕３３からなり、その上部に基板
を搬送するための予備室３０がある。予備室３０の上部
に設けられたガス導入口２４から入った窒素ガスは、下
降流となって表面処理漕３１の方へ流れ、案内板２５で
折り返して上昇流となりガス排出口２７より排気され
る。ガス排出口２７には還流器２６を設けて蒸発した剥
離液の回収を行った。スライド式多孔板２１はガスの整
流作用の役割を果たす。表面処理漕３１で処理された半
導体基板は、実施例１と同様に窒素ガスパージされた予
備室３０内を搬送機構２３を用いて第一洗浄漕３２へ送
られ、洗浄後、第二洗浄漕３３へと送られ洗浄される。
理装置は、レジスト剥離液を満たした表面処理漕３１と
イソプロピルアルコールを満たした第一洗浄漕３２と純
水を満たした第二洗浄漕３３からなり、その上部に基板
を搬送するための予備室３０がある。予備室３０の上部
に設けられたガス導入口２４から入った窒素ガスは、下
降流となって表面処理漕３１の方へ流れ、案内板２５で
折り返して上昇流となりガス排出口２７より排気され
る。ガス排出口２７には還流器２６を設けて蒸発した剥
離液の回収を行った。スライド式多孔板２１はガスの整
流作用の役割を果たす。表面処理漕３１で処理された半
導体基板は、実施例１と同様に窒素ガスパージされた予
備室３０内を搬送機構２３を用いて第一洗浄漕３２へ送
られ、洗浄後、第二洗浄漕３３へと送られ洗浄される。
【００１８】本装置を用いて銅の高温ドライエッチング
後のレジスト剥離を行った。レジスト剥離液として１０
０℃に加熱した東京応化工業（株）製の剥離液１０６を
用いた。剥離液１０６は塩基性であり、塩素系のガスで
エッチングした後の銅膜の防食作用も備えている。上記
装置により処理した場合、銅膜の溶解は起こらなかっ
た。
後のレジスト剥離を行った。レジスト剥離液として１０
０℃に加熱した東京応化工業（株）製の剥離液１０６を
用いた。剥離液１０６は塩基性であり、塩素系のガスで
エッチングした後の銅膜の防食作用も備えている。上記
装置により処理した場合、銅膜の溶解は起こらなかっ
た。
【００１９】また、剥離液としてピリジン等の環式アミ
ンを用いたときも同様の効果が認められた。さらにこれ
らの剥離液に還元剤としてヒドラジンを混合しておくと
銅膜の表面荒れ防止効果が高まった。還元剤の量は、１
％から１０％（重量）の範囲で添加することが好まし
い。なお、窒素ガスとして水素ガス１％（容量）を含む
窒素ガスを用いたとき、剥離液として０．５％の水分を
含むものを用いても銅膜の溶解は起こらなかった。銅膜
の表面が僅か酸化されても、水素ガスによって還元され
たものと推定される。水素ガスの量は０．１％以上で効
果が認められ、また、爆発防止のため３％以下で用いら
れる。
ンを用いたときも同様の効果が認められた。さらにこれ
らの剥離液に還元剤としてヒドラジンを混合しておくと
銅膜の表面荒れ防止効果が高まった。還元剤の量は、１
％から１０％（重量）の範囲で添加することが好まし
い。なお、窒素ガスとして水素ガス１％（容量）を含む
窒素ガスを用いたとき、剥離液として０．５％の水分を
含むものを用いても銅膜の溶解は起こらなかった。銅膜
の表面が僅か酸化されても、水素ガスによって還元され
たものと推定される。水素ガスの量は０．１％以上で効
果が認められ、また、爆発防止のため３％以下で用いら
れる。
【００２０】実施例４ 図６に表面処理装置の他の例の構造図を示す。本表面処
理装置では銅配線を被覆する絶縁膜に直径０．５μｍの
接続孔を開口した後の接続孔内の洗浄に用いた。表面処
理漕３１は気密容器になっている。まず、ガス排気口２
７を通して表面処理漕３１内を真空排気した。次に処理
液導入口３４から液温１５０℃のモノエタノールアミン
を導入した。モノエタノールアミンの一部が蒸発して基
板１０表面の接続孔内に入るため、この方法は単に溶液
に浸漬するよりも微細孔洗浄性に優れている。半導体基
板１０が完全に浸るまでモノエタノールアミンを流し込
んだ後３分間保持した。次にガス導入口２４から窒素ガ
スを送りながら、処理液排出口３５からモノエタノール
アミンを排出した。次に洗浄液シャワー３６からイソプ
ロピルアルコールを入れ、モノエタノールアミンを洗い
流すとともに半導体基板１０を室温まで冷した。最後に
冷えた半導体基板１０を表面処理漕３１から取り出し
た。
理装置では銅配線を被覆する絶縁膜に直径０．５μｍの
接続孔を開口した後の接続孔内の洗浄に用いた。表面処
理漕３１は気密容器になっている。まず、ガス排気口２
７を通して表面処理漕３１内を真空排気した。次に処理
液導入口３４から液温１５０℃のモノエタノールアミン
を導入した。モノエタノールアミンの一部が蒸発して基
板１０表面の接続孔内に入るため、この方法は単に溶液
に浸漬するよりも微細孔洗浄性に優れている。半導体基
板１０が完全に浸るまでモノエタノールアミンを流し込
んだ後３分間保持した。次にガス導入口２４から窒素ガ
スを送りながら、処理液排出口３５からモノエタノール
アミンを排出した。次に洗浄液シャワー３６からイソプ
ロピルアルコールを入れ、モノエタノールアミンを洗い
流すとともに半導体基板１０を室温まで冷した。最後に
冷えた半導体基板１０を表面処理漕３１から取り出し
た。
【００２１】実施例５ 本発明による半導体装置の製造方法の例を示す。図７は
本実施例で製造した半導体装置の断面図である。半導体
基板１０上にゲート４１、拡散層４２、フィールド酸化
膜４３からなる絶縁ゲート型電界効果トランジスタを形
成し、二酸化シリコンからなる第１の絶縁膜４４で被覆
した。第１の絶縁膜４４に接続孔を開口し、選択性化学
気相成長法でタングステン電極４５を形成した。その上
に配線層となる厚さ５０ｎｍの窒化チタン膜１４ａと厚
さ５００ｎｍの銅膜１１と厚さ５０ｎｍの窒化チタン膜
１４ｂを重ねた積層膜をスパッタリング法で形成した。
次に銅膜１１を３００℃の高温ドライエッチング法で加
工するための耐熱性加工マスクとして厚さ３００ｎｍの
窒化シリコン膜４６を窒化チタン膜１４ｂの上に形成し
た。次にホトレジスト１２をマスクとして、フレオンを
反応ガスとするドライエッチングにより窒化シリコン膜
４６及び窒化チタン膜１４ｂを加工した。このドライエ
ッチングにより銅膜１１の表面が露出した（図７ａ）。
本実施例で製造した半導体装置の断面図である。半導体
基板１０上にゲート４１、拡散層４２、フィールド酸化
膜４３からなる絶縁ゲート型電界効果トランジスタを形
成し、二酸化シリコンからなる第１の絶縁膜４４で被覆
した。第１の絶縁膜４４に接続孔を開口し、選択性化学
気相成長法でタングステン電極４５を形成した。その上
に配線層となる厚さ５０ｎｍの窒化チタン膜１４ａと厚
さ５００ｎｍの銅膜１１と厚さ５０ｎｍの窒化チタン膜
１４ｂを重ねた積層膜をスパッタリング法で形成した。
次に銅膜１１を３００℃の高温ドライエッチング法で加
工するための耐熱性加工マスクとして厚さ３００ｎｍの
窒化シリコン膜４６を窒化チタン膜１４ｂの上に形成し
た。次にホトレジスト１２をマスクとして、フレオンを
反応ガスとするドライエッチングにより窒化シリコン膜
４６及び窒化チタン膜１４ｂを加工した。このドライエ
ッチングにより銅膜１１の表面が露出した（図７ａ）。
【００２２】次に図５に示した処理装置を用い、実施例
３と同様にしてホトレジスト１２を除去した。パターニ
ングされた銅膜１１の側面は劣化されなかった。次に窒
化シリコン膜４６をマスクにして、基板温度３００℃で
四塩化ケイ素（５０％）と窒素（５０％）の混合ガスを
反応ガスとするドライエッチングにより銅膜１１と窒化
チタン膜１４ａを加工した。次にマイクロ波プラズマ化
学気相成長法により厚さ５００ｎｍの二酸化シリコンか
らなる第２の絶縁膜４７を形成した。ホトレジスト１２
のパターンを形成し、これをマスクとして第２の絶縁膜
４７、窒化シリコン膜４６及び窒化チタン膜１４ｂを貫
通する接続孔を設けた（図７ｂ）。次に上記処理装置を
用い、同様の方法でホトレジスト１２を除去した。以下
通常の方法で配線等を形成して半導体装置を形成した。
この半導体装置の銅膜に欠陥は生じていなかった。
３と同様にしてホトレジスト１２を除去した。パターニ
ングされた銅膜１１の側面は劣化されなかった。次に窒
化シリコン膜４６をマスクにして、基板温度３００℃で
四塩化ケイ素（５０％）と窒素（５０％）の混合ガスを
反応ガスとするドライエッチングにより銅膜１１と窒化
チタン膜１４ａを加工した。次にマイクロ波プラズマ化
学気相成長法により厚さ５００ｎｍの二酸化シリコンか
らなる第２の絶縁膜４７を形成した。ホトレジスト１２
のパターンを形成し、これをマスクとして第２の絶縁膜
４７、窒化シリコン膜４６及び窒化チタン膜１４ｂを貫
通する接続孔を設けた（図７ｂ）。次に上記処理装置を
用い、同様の方法でホトレジスト１２を除去した。以下
通常の方法で配線等を形成して半導体装置を形成した。
この半導体装置の銅膜に欠陥は生じていなかった。
【００２３】以上の実施例では主に東京応化工業（株）
製品の剥離液について述べたが、シプレイ社のＪ−１０
０、１４０、１１１２Ａ（商品名）等の剥離液について
も上記実施例と同様に処理して同様な効果が認められ
た。また、アルキルベンゼンスルホン酸類、フェノール
類、カルボン酸類等のプロトン供与性の溶媒を含有する
処理液、もしくはアミン類等のプロトン受容性の溶媒を
ふくむ処理液も同様に酸化性雰囲気から隔離して処理
し、同様の効果が認められた。また、上記各実施例に用
いた銅膜に代えて、銅−アルミニウム合金膜を用いたと
きも同様の効果が認められた。
製品の剥離液について述べたが、シプレイ社のＪ−１０
０、１４０、１１１２Ａ（商品名）等の剥離液について
も上記実施例と同様に処理して同様な効果が認められ
た。また、アルキルベンゼンスルホン酸類、フェノール
類、カルボン酸類等のプロトン供与性の溶媒を含有する
処理液、もしくはアミン類等のプロトン受容性の溶媒を
ふくむ処理液も同様に酸化性雰囲気から隔離して処理
し、同様の効果が認められた。また、上記各実施例に用
いた銅膜に代えて、銅−アルミニウム合金膜を用いたと
きも同様の効果が認められた。
【００２４】
【発明の効果】銅又は銅合金膜上のレジストを除去する
場合に、半導体基板をプロトン供与性の有機溶媒又はプ
ロトン受容性の有機溶媒を含有する処理液に室温よりも
高い温度で接触させ、接触後、酸化性物質及び水分が１
０００ｐｐｍ以下の雰囲気に、所望の時間保つか若しく
は酸化性物質及び水分が１０００ｐｐｍ以下の処理液に
室温よりも高い温度で接触させるか又は両者の条件を満
たすことにより、銅又は銅合金膜の劣化を防ぐことでき
た。
場合に、半導体基板をプロトン供与性の有機溶媒又はプ
ロトン受容性の有機溶媒を含有する処理液に室温よりも
高い温度で接触させ、接触後、酸化性物質及び水分が１
０００ｐｐｍ以下の雰囲気に、所望の時間保つか若しく
は酸化性物質及び水分が１０００ｐｐｍ以下の処理液に
室温よりも高い温度で接触させるか又は両者の条件を満
たすことにより、銅又は銅合金膜の劣化を防ぐことでき
た。
【図１】従来の方法の問題を説明するための半導体装置
の配線部分の断面模式図である。
の配線部分の断面模式図である。
【図２】本発明の一実施例の表面処理装置の構造図であ
る。
る。
【図３】剥離液５０２Ａ浸漬後の銅膜のシート抵抗変化
を示す図である。
を示す図である。
【図４】剥離液１０６浸漬後の銅膜のシート抵抗変化を
示す図である。
示す図である。
【図５】本発明の他の実施例の表面処理装置の構造図で
ある。
ある。
【図６】本発明のさらに他の実施例の表面処理装置の構
造図である。
造図である。
【図７】本発明による半導体装置の製造方法を説明する
ための半導体装置の断面図である。
ための半導体装置の断面図である。
１０ 半導体基板 １１ 銅膜 １２ ホトレジスト １３ 二酸化シリコン膜 １４、１４ａ、１４ｂ 窒化チタン膜 ２０ キャリアケース ２１ スライド式多孔板 ２２ 扉 ２３ 搬送機構 ２４ ガス導入口 ２５ 案内板 ２６ 還流器 ２７ ガス排出口 ２８ ヒーター ３０ 予備室 ３１ 表面処理漕 ３２ 第一洗浄漕 ３３ 第二洗浄漕 ３４ 処理液導入口 ３５ 処理液排出口 ３６ 洗浄液シャワー ４１ ゲート ４２ 拡散層 ４３ フィールド酸化膜 ４４ 第１の絶縁膜 ４５ タングステン電極 ４６ 窒化シリコン膜 ４７ 第２の絶縁膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/304 Ｍ 8831−4Ｍ 21/306 Ｓ 7342−4Ｍ 21/308 Ｇ 7342−4Ｍ
Claims (22)
- 【請求項１】銅又は銅合金の膜が設けられた半導体基板
をプロトン供与性の有機溶媒又はプロトン受容性の有機
溶媒を含有する処理液に室温よりも高い温度で接触さ
せ、該接触後の半導体基板を、酸化性物質及び水分が１
０００ｐｐｍ以下の雰囲気に、所望の時間保つことを特
徴とする半導体基板の表面処理方法。 - 【請求項２】銅又は銅合金の膜が設けられた半導体基板
をプロトン供与性の有機溶媒又はプロトン受容性の有機
溶媒を含有する処理液に室温よりも高い温度で接触さ
せ、該接触後の半導体基板を、酸化性物質及び水分が１
０００ｐｐｍ以下の雰囲気に保ち、該半導体基板を洗浄
液に接触させることを特徴とする半導体基板の表面処理
方法。 - 【請求項３】銅又は銅合金の膜が設けられた半導体基板
の少なくとも該膜上にレジスト膜を設ける工程、該レジ
スト膜をプラズマ処理する工程、該半導体基板をプロト
ン供与性の有機溶媒又はプロトン受容性の有機溶媒を含
有する処理液に室温よりも高い温度で接触させる工程及
び該接触後の半導体基板を、酸化性物質及び水分が１０
００ｐｐｍ以下の雰囲気に、所望の時間保つ工程を有す
ることを特徴とする半導体基板の表面処理方法。 - 【請求項４】銅又は銅合金の膜が設けられた半導体基板
の少なくとも該膜上にレジスト膜を設ける工程、該レジ
スト膜をプラズマ処理する工程、該半導体基板をプロト
ン供与性の有機溶媒又はプロトン受容性の有機溶媒を含
有する処理液に室温よりも高い温度で接触させる工程、
該接触後の半導体基板を、酸化性物質及び水分が１００
０ｐｐｍ以下の雰囲気に保つ工程及び該半導体基板を洗
浄液に接触させる工程を含むことを特徴とする半導体基
板の表面処理方法。 - 【請求項５】請求項１から４のいずれか一に記載の半導
体基板の表面処理方法において、上記雰囲気は、さらに
３％以下の還元性ガスを含む雰囲気であることを特徴と
する半導体基板の表面処理方法。 - 【請求項６】請求項１から５のいずれか一に記載の半導
体基板の表面処理方法において、上記処理液は、酸化性
物質及び水分が１０００ｐｐｍ以下の処理液であること
を特徴とする半導体基板の表面処理方法。 - 【請求項７】請求項１から５のいずれか一に記載の半導
体基板の表面処理方法において、上記処理液は、さらに
還元剤を含むことを特徴とする半導体基板の表面処理方
法。 - 【請求項８】請求項１から７のいずれか一に記載の半導
体基板の表面処理方法において、上記雰囲気は、不活性
ガス又は二酸化炭素ガス雰囲気であることを特徴とする
半導体基板の表面処理方法。 - 【請求項９】銅又は銅合金の膜が設けられた半導体基板
をプロトン供与性の有機溶媒又はプロトン受容性の有機
溶媒を含有する処理液に室温よりも高い温度で接触させ
る半導体基板の表面処理方法において、該処理液は、酸
化性物質及び水分が１０００ｐｐｍ以下であることを特
徴とする半導体基板の表面処理方法。 - 【請求項１０】請求項９記載の半導体基板の表面処理方
法において、上記半導体基板は、上記処理液に接触させ
た後、さらに所望の時間、酸化性物質及び水分が１００
０ｐｐｍ以下の雰囲気に保つことを特徴とする半導体基
板の表面処理方法。 - 【請求項１１】請求項９記載の半導体基板の表面処理方
法において、上記半導体基板は、上記処理液に接触させ
た後、さらに酸化性物質及び水分が１０００ｐｐｍ以下
の雰囲気に保ち、ついで洗浄液に接触させることを特徴
とする半導体基板の表面処理方法。 - 【請求項１２】請求項９から１１のいずれか一に記載の
半導体基板の表面処理方法において、上記処理液はさら
に還元剤を含むことを特徴とする半導体基板の表面処理
方法。 - 【請求項１３】請求項９から１１のいずれか一に記載の
半導体基板の表面処理方法において、上記雰囲気は、さ
らに３％以下の還元性ガスを含む雰囲気であることを特
徴とする半導体基板の表面処理方法。 - 【請求項１４】銅又は銅合金の膜が設けられた半導体基
板の少なくとも該膜上にレジスト膜を設ける第１の工
程、該レジスト膜をプラズマ処理する第２の工程及び該
半導体基板をプロトン供与性の有機溶媒又はプロトン受
容性の有機溶媒を含有する処理液に室温よりも高い温度
で接触させる第３の工程を有する半導体基板の表面処理
方法において、該処理液は、酸化性物質及び水分が１０
００ｐｐｍ以下であることを特徴とする半導体基板の表
面処理方法。 - 【請求項１５】請求項１４記載の半導体基板の表面処理
方法において、上記第３の工程の後に上記半導体基板を
所望に時間、酸化性物質及び水分が１０００ｐｐｍ以下
の雰囲気に保つ第４の工程を有することを特徴とする半
導体基板の表面処理方法。 - 【請求項１６】請求項１４記載の半導体基板の表面処理
方法において、上記第３の工程の後に上記半導体基板を
酸化性物質及び水分が１０００ｐｐｍ以下の雰囲気に保
つ第４の工程及び洗浄液に接触させる第５の工程を有す
ることを特徴とする半導体基板の表面処理方法。 - 【請求項１７】請求項１４から１６のいずれか一に記載
の半導体基板の表面処理方法において、上記処理液はさ
らに還元剤を含むことを特徴とする半導体基板の表面処
理方法。 - 【請求項１８】請求項１４から１６のいずれか一に記載
の半導体基板の表面処理方法において、上記雰囲気は、
さらに３％以下の還元性ガスを含む雰囲気であることを
特徴とする半導体基板の表面処理方法。 - 【請求項１９】半導体基板に、半導体素子の少なくとも
一部を形成する工程及び請求項１から１８のいずれか一
に記載の半導体基板の表面処理方法を行う工程を少なく
とも有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項２０】銅又は銅合金の膜が設けられた半導体基
板が浸漬されるために、プロトン供与性の有機溶媒又は
プロトン受容性の有機溶媒を含有する処理液を保持する
表面処理漕及び該表面処理漕から取り出された半導体基
板を所望の時間保持するため、酸化性物質及び水分が１
０００ｐｐｍ以下の雰囲気に保たれた予備室を有するこ
とを特徴とする表面処理装置。 - 【請求項２１】銅又は銅合金の膜が設けられた半導体基
板が浸漬されるために、プロトン供与性の有機溶媒又は
プロトン受容性の有機溶媒を含有する処理液を保持する
表面処理漕及び該表面処理漕から取り出された半導体基
板が洗浄されるための少なくとも１個の洗浄漕を有し、
該表面処理漕と該洗浄漕との間の半導体基板の移動経路
が酸化性物質及び水分が１０００ｐｐｍ以下の雰囲気に
保つための予備室により構成されたことを特徴とする表
面処理装置。 - 【請求項２２】銅又は銅合金の膜が設けられた半導体基
板が保持されるための真空容器、所望の温度に加熱され
たプロトン供与性の有機溶媒又はプロトン受容性の有機
溶媒を含有する処理液を導入するための導入口、洗浄液
を導入するための導入口、これらの液を排出するための
排出口及び酸化性物質及び水分が１０００ｐｐｍ以下の
ガスを導入するための導入口を有することを特徴とする
表面処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20046791A JPH0547654A (ja) | 1991-08-09 | 1991-08-09 | 半導体基板の表面処理方法、半導体装置の製造方法及びそれを行う表面処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20046791A JPH0547654A (ja) | 1991-08-09 | 1991-08-09 | 半導体基板の表面処理方法、半導体装置の製造方法及びそれを行う表面処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0547654A true JPH0547654A (ja) | 1993-02-26 |
Family
ID=16424805
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20046791A Pending JPH0547654A (ja) | 1991-08-09 | 1991-08-09 | 半導体基板の表面処理方法、半導体装置の製造方法及びそれを行う表面処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0547654A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6465352B1 (en) | 1999-06-11 | 2002-10-15 | Nec Corporation | Method for removing dry-etching residue in a semiconductor device fabricating process |
| WO2003038529A1 (fr) * | 2001-11-02 | 2003-05-08 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Procede de liberation de resist |
| US6883352B2 (en) | 2001-08-24 | 2005-04-26 | Shima Seiki Manufacturing Limited | Loop presser, flatbed knitting machine having loop presser, and fabric knitting method using loop presser |
| JP2010135482A (ja) * | 2008-12-03 | 2010-06-17 | Mitsubishi Electric Corp | 回路基板の製造方法および回路基板 |
-
1991
- 1991-08-09 JP JP20046791A patent/JPH0547654A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6465352B1 (en) | 1999-06-11 | 2002-10-15 | Nec Corporation | Method for removing dry-etching residue in a semiconductor device fabricating process |
| US6883352B2 (en) | 2001-08-24 | 2005-04-26 | Shima Seiki Manufacturing Limited | Loop presser, flatbed knitting machine having loop presser, and fabric knitting method using loop presser |
| WO2003038529A1 (fr) * | 2001-11-02 | 2003-05-08 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Procede de liberation de resist |
| CN100338530C (zh) * | 2001-11-02 | 2007-09-19 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 剥离抗蚀剂的方法 |
| JP2010135482A (ja) * | 2008-12-03 | 2010-06-17 | Mitsubishi Electric Corp | 回路基板の製造方法および回路基板 |
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