JPH0547609A - 電解コンデンサ用電極箔の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【構成】基体の少なくとも片面に金属薄膜を形成し、次
いで該金属薄膜をエッチングする電解コンデンサ用電極
箔の製造方法。 【効果】より薄い金属薄膜で静電容量の増大が図れ、生
産性の向上や基体の熱ダメ−ジ防止を図ることができ
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、電解コンデンサ用電極
箔の製造方法に関する。更に詳しくは、電解コンデンサ
の小型大容量化に寄与する電極箔の製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】電解コンデンサ用電極としては、一般に
アルミニウム箔にエッチングを施して表面積を拡大した
ものが用いられている。電極の表面積を拡大すること
は、コンデンサの静電容量を増加させるために必須であ
り、小型大容量化への要求から更に電極の表面積を拡大
することが求められている。しかしエッチングによるア
ルミニウム箔の表面積拡大は、アルミニウム箔の強度の
低下などから限界に近付いている。

【０００３】これに対して特開昭５６−２９６６９号公
報では、３０度以上、好ましくは８０〜８５度の入射角
で基体にアルミニウムやタンタルなどの弁金属の蒸気を
入射させて多孔質金属膜を作成し、表面積が拡大した電
解コンデンサ電極箔を得ることが提案されている。また
特開昭５９−１６７００９号公報では、アルミニウム箔
などの基体上にアルミニウム、タンタル、チタン、ニオ
ブ、ジルコニウムなどの弁金属をアルゴンなどの不活性
ガス中で蒸着して多孔質膜を形成し、電極の表面積を拡
大すると共に誘電率を増加させることが提案されてい
る。

【０００４】これらの技術は電解コンデンサの見掛けの
単位面積当たりの静電容量の増加に大きな効果がある。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、これら
の技術には未だ以下のような課題があった。

【０００６】（１）充分な表面積拡大効果を得るために
は該弁金属膜の厚みを１μｍ〜２０μｍと大きくする必
要があり、生産性の点で問題があったほか、アルミニウ
ム以外の弁金属は高融点材料であるため上記のような比
較的厚い膜を形成しようとすると、蒸着時に基体が熱ダ
メ−ジを受けて平坦性が損なわれやすい。

【０００７】（２）弁金属を不活性ガス中で蒸着する方
法では真空槽内の圧力を高くしたほうが同じ膜厚でも大
きな表面積すなわち大きな静電容量が得られるが、一
方、真空槽内の圧力を高くすると膜付着速度が減少して
いく問題がある。特に直進型電子ビ−ムガンを使うよう
な大型生産機においては蒸発源と基体とをあまり近くで
きないので、真空槽内の圧力上昇に伴う膜付着速度の減
少は著しく、大幅な生産性の低下をきたす。

【０００８】（３）不活性ガス中で蒸着し、表面積をあ
る程度以上に拡大した多孔質金属膜は、電解液中で生成
した水和物や酸化物によって微細孔が塞がれて容易に表
面積の減少すなわち静電容量の減少をきたしやすい。

【０００９】本発明は上記のごとき従来技術の諸欠点に
鑑み創案されたもので、その目的とするところは、特性
の安定性に優れ、静電容量の増加に効果が大きくかつ製
造時の熱ダメ−ジの恐れがなく生産性に優れた電解コン
デンサ用電極箔の製造方法を提供することにある。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明の目的は以下の製
造方法により達成される。

【００１１】すなわち、基体の少なくとも片面に金属薄
膜を形成し、該金属薄膜をエッチングすることを特徴と
する電解コンデンサ用電極箔の製造方法である。

【００１２】本発明で使用される基体としては、アルミ
ニウム箔の他、アルミニウム合金箔やアルミニウム以外
の金属箔、プラスチックフィルム、紙なども用いること
ができるが、漏れ電流が小さい点や機械的強度が高い点
から、アルミニウム箔、アルミニウム合金箔またはプラ
スチックフィルムの採用が好ましい。これらの金属箔に
は、表面積を増やす点ではエッチングやサンドブラスト
などにより粗面化処理が施されていることが好ましく、
工程を省略して生産性を上げる点では製造された状態の
平坦なままであることが好ましい。該金属箔の厚さは、
機械的強度と占有体積の関係から５μｍ〜１００μｍの
範囲が好ましい。

【００１３】プラスチックフィルムの材質としてはポリ
エチレンテレフタレ−ト、ポリカ−ボネ−トなどのポリ
エステル類、ポリプロピレンなどのポリオレフィン類、
ポリフェニレンスルフィドなどのポリアリレンスルフィ
ド類、ポリアミド類、芳香族ポリアミド類、ポリエ−テ
ルケトン類およびポリイミド類などが挙げられるが、電
気的特性や価格の点でポリエチレンテレフタレ−トまた
はポリプロピレンが好ましい。機械的安定性や強度の点
で、これらのプラスチックは二軸延伸されてフィルム化
されていることが好ましい。該プラスチックフィルムの
厚さは、機械的強度と占有体積の関係から１μｍ〜５０
μｍの範囲が好ましい。

【００１４】本発明の金属薄膜が、プラスチックフィル
ムなどの非導電性基体の片面にだけ形成される場合は、
これらの膜が形成される方とは反対の面が金属化されて
いる必要がある。プラスチックフィルムの金属化は蒸着
やスパッタによる金属膜の形成でなされる。この金属膜
は導電性が高いほど誘電損失が小さくなり好ましいの
で、アルミニウム膜または亜鉛膜であることが好まし
い。また該金属膜の厚さは、厚いほど導電性が良好にな
り一方薄いほどセルフヒ−リングしやすいので、０．０
３μｍ〜０．１５μｍの範囲が好ましい。非導電性基体
は金属化に先立ち、易接着化処理などの前処理が行われ
ても良い。チタン、ジルコニウム、タンタル、ニオブ、
ハフニウムなどは導電性が高くないので、これらの金属
または合金膜が非導電性基体上に形成される場合は、そ
れに先立って非導電性基体が金属化されていることが誘
電損失を小さくできる点で好ましい。

【００１５】本発明で言う金属薄膜はアルミニウム、チ
タン、ジルコニウム、タンタル、ニオブおよびハフニウ
ムのいわゆる弁金属の群から選ばれた少なくとも１種の
金属またはこれらの合金からなることが好ましいが、コ
バルト、クロム、ニクロム、銀、銅、鉄、亜鉛などの金
属やこれらの合金も採用可能である。チタンは、静電容
量の増加に効果が大きく好ましい。該金属または合金薄
膜の純度は漏れ電流を小さくするために９９．８％以
上、さらに好ましくは９９．９％以上であることが望ま
しい。

【００１６】この金属薄膜には特性を損なわない範囲
で、酸素、窒素などが含まれていても良い。

【００１７】金属薄膜は、カラム構造の集合体からなる
ことがエッチングによる静電容量の増大効果が大きい点
で好ましい。以下カラム構造について図１を用いて説明
する。図１はカラム構造の集合体を模式的に示したもの
であり、薄膜の厚さ方向に伸びた柱状の粒子（カラム）
の集合体である。図１においてはａは基体、ｂは金属薄
膜を構成するカラムの一つである。該カラムは、基体側
より金属薄膜表面側で細い場合、金属薄膜表面側より基
体側で細い場合、金属薄膜の厚さ方向にほぼ均一な太さ
の場合などがあるが、エッチングによる静電容量増大効
果が大きい点で、該カラムは基体側より金属薄膜表面側
で細いこと、もしくは金属薄膜の厚さ方向にほぼ均一な
太さであることが好ましい。またカラムは湾曲していた
り、基体表面に対して傾いていても良い。なお上述の図
１に示した例では各カラムがそれぞれ分離された構造を
持つ場合であるが、もちろんこれらの構造のものに限定
されない。例えば、各カラムの集合体が部分的に分離さ
れておらず、例えば基体側においてある厚さの範囲で一
体構造をとっていても良い。金属薄膜がカラム構造の集
合体からなっていることは、金属薄膜を超薄切片に切出
し、透過型電子顕微鏡にて観察することで確認すること
ができる。

【００１８】基体の熱ダメ−ジを抑制するためと低コス
ト化を図るために、金属薄膜の膜厚は薄い方が良く、一
方、静電容量を増大させるためには膜厚が厚い方が良い
ので、０．００５μｍ〜０．５μｍの範囲から選ばれる
ことが好ましく、０．０２μｍ〜０．４μｍの範囲から
選ばれることが更に好ましい。０．０３μｍ〜０．２μ
ｍの範囲から選ばれることが最も好ましい。

【００１９】金属薄膜は、真空蒸着、スパッタ、ＣＶＤ
などのいわゆる真空薄膜析出技術により形成される。高
速に薄膜形成ができる点で、真空蒸着法の採用が好まし
い。真空蒸着においては、金属薄膜の静電容量を大きく
するために金属蒸気が基体へ入射する領域に不活性ガス
を差し向けることが好ましい。該不活性ガスとしては、
アルゴン、ネオン、クリプトン、ヘリウムなどの希ガス
のほか、窒素や水素も採用することができる。また不活
性ガスに少量の酸素を添加することは、薄膜の微細構造
を細かくして、静電容量を増加させる効果があるので好
ましい。

【００２０】静電容量を大きくするために、真空蒸着に
おいて金属蒸気は特定の初期入射角と最終入射角をもっ
て基体に入射させることが好ましい。次に図２を用いて
蒸気の基体への入射角について説明する。

【００２１】蒸発源の中心５とマスク３の基体走行方向
下流端１０を結ぶ直線１１がドラム（基体）に入射する
点１２でドラム面に法線１３を立てる。法線１３と直線
１１がなす角βが初期入射角である。マスク３、ドラム
１および蒸発源２の位置関係によって、初期入射角はド
ラム面に立てた法線に対して基体走行方向の上流側であ
る場合と下流側である場合がある。入射角の正負につい
ては、該法線１３と該直線１１がなす角が、基体走行方
向上流側にくる場合を負値とし、下流側にくる場合を正
値とする。蒸発源の中心５とマスク４の基体走行方向上
流端６を結ぶ直線７がドラムに入射する点８でドラム面
に法線９を立てる。法線８と直線７がなす角αが最終入
射角である。マスク４、ドラム１および蒸発源２の位置
関係によって、最終入射角も負値である場合と正値であ
る場合とがある。

【００２２】本発明の電解コンデンサ用電極箔の静電容
量を大きくするためおよび生産性を上げるために、該初
期入射角と該最終入射角は特定の範囲の組み合わせであ
ることが望ましい。初期入射角が−３０度〜３０度であ
りかつ最終入射角が−９０度〜−４５度の組み合わせは
基板側より金属薄膜表面側で細いカラム構造を作るため
に効果があり、初期入射角が４５度〜９０度でありかつ
最終入射角が−９０度〜−４５度の組み合わせは金属薄
膜の厚さ方向にほぼ均一な太さのカラム構造を作るため
に効果がある。

【００２３】蒸気の基体への入射領域は、差し向けられ
る不活性ガスを有効に滞留させるために、マスク３の基
体走行方向下流端６とマスク４の基体走行方向上流端１
０の間の開口部を除いて略密閉構造であることが好まし
い。すなわち蒸気の基体への入射領域は、マスク３およ
び４で下方が遮断され、ドラム１で上方が遮断され、更
に図２には示されていないマスクとドラムの間を塞ぐ隔
壁で側面が遮断されていることが好ましい。該不活性ガ
スは該略密閉構造部分へノズルで蒸気の基体への入射領
域に向けて供給される。

【００２４】不活性ガスは、金属蒸気の基体への初期入
射角と最終入射角の組み合わせに対応して、特定の方向
から供給することが、静電容量を大きくすること、誘電
損失を小さくすること、静電容量の経時変化を小さくす
ることなどの点で好ましい。初期入射角が−３０度〜３
０度でありかつ最終入射角が−９０度〜−４５度の組み
合わせのとき、金属蒸気の基体への入射領域へ基体走行
方向上流側および／または下流側から不活性ガスを差し
向けることが好ましい。初期入射角が４５度〜９０度で
ありかつ最終入射角が−９０度〜−４５度の組み合わせ
のとき、金属蒸気の基体への入射領域へ基体走行方向上
流側から不活性ガスを差し向けることが好ましい。

【００２５】このノズルは、噴出するガスにある程度の
方向性を持たせて、蒸気の基体への入射領域に差し向け
るために、ノズル長さがノズル径の３倍以上であること
が好ましい。また該ノズルはドラム幅方向に複数個設け
られることが形成される薄膜の幅方向の均一性を向上さ
せるために好ましい。

【００２６】本発明のエッチングとしては、静電容量の
増大効果が大きい点で、化学的もしくは電気化学的な反
応による湿式エッチングの採用が好ましい。

【００２７】チタン薄膜の化学エッチング用エッチャン
トとしては、例えば塩酸、燐酸、硝酸、硫酸、蟻酸もし
くはシユウ酸、あるいはこれらの酸を２種類以上含む混
酸を挙げることができる。その他の混酸としては、硝酸
−弗酸水溶液、弗酸−過酸化水素水、弗酸−硝酸鉄−シ
ュウ酸水溶液、硝酸−弗酸グリセリン溶液、硝酸−弗酸
−乳酸溶液などを挙げることができる。

【００２８】チタン薄膜の電気化学エッチング用エッチ
ャントとしては、塩酸あるいは塩酸に燐酸、硝酸、硫
酸、シュウ酸の少なくとも１種類以上を添加した水溶液
または塩化物水溶液などを用いることができる。また過
塩素酸−氷酢酸水溶液、過塩素酸−ブチルグリコ−ス−
メチルアルコ−ル溶液、エチレングリコ−ル−過塩素酸
−メチルアルコ−ル溶液なども採用することができる。
装置が簡便でかつ危険性が少ない点で、塩酸、塩酸を含
む水溶液または塩化物水溶液もしくは塩酸に有機溶媒を
添加した溶液をエッチャントとして使用することが好ま
しい。

【００２９】電気化学エッチングには、直流電流による
方法と交流電流による方法があるが、本発明ではどちら
の方法でも良い。直流電流を用いる場合、電流密度とし
ては５０ｍＡ／ｃｍ² 〜１０００ｍＡ／ｃｍ² の範囲
が、エッチング時間としては５秒〜２０分の範囲が、エ
ッチャント温度は４０℃〜９０℃の範囲が好ましい。電
流波形としては、一定電流のほかに矩形パルス、三角パ
ルスなど任意の脈流派を採用することもできる。これら
の各条件はエッチング倍率、基体のエッチング回避など
を考慮して適宜選択される。交流電流を用いる場合、電
流密度としては５０ｍＡ／ｃｍ² 〜１０００ｍＡ／ｃｍ
² の範囲が、エッチング時間としては５秒〜２０分の範
囲が、エッチャント温度は１５℃〜６０℃の範囲が、周
波数としては１０Ｈｚ〜８０Ｈｚの範囲が好ましい。電
流波形としては、正弦波、矩形波、三角波など任意の交
流波形を採用することができる。これらの条件はエッチ
ング倍率、基体のエッチング回避などを考慮して適宜選
択される。

【００３０】２種類以上のエッチング方法、例えば化学
エッチングと電気化学エッチングや異なる条件の化学エ
ッチングなどを組合せることもできる。

【００３１】アルミ電解コンデンサでは塩素原子の混入
はコンデンサの寿命を著しく低下させる。金属薄膜に塩
素原子が付着して電解コンデンサ内に侵入することを避
けるためには、燐酸、硝酸もしくはシュウ酸をエッチャ
ントとして使用することが好ましい。エッチャントの酸
の濃度は、過溶解に至らないことや基体がエッチングさ
れないことを考慮して適宜選択されるが、酸の濃度は高
いほうがエッチングレートが大きく生産性が優れる他、
エッチャントの粘度が高くアルミ電解コンデンサの高温
雰囲気下動作における静電容量の低下の抑制効果が大き
い。一方、濃度の低いほうがエッチング速度のコントロ
ールが容易である。さらに水に代えてエチレングリコ−
ルやγ−ブチロラクトンなどの比較的粘度の高い溶媒を
使用したり、上記のエッチング液にエチレングリコ−ル
やγ−ブチロラクトンなどの比較的粘度の高い溶媒を添
加することは、アルミ電解コンデンサの高温雰囲気下動
作における静電容量の低下を抑制できる点で好ましい。
電解コンデンサの電解液中に塩酸以外のエッチャントの
酸のナトリウム塩などを含んでいても良い。

【００３２】本発明のエッチングは、金属薄膜のみに対
して行われ、スリットなどによって露出した切断面など
不可避の部分を除いて該金属薄膜の基体や下地層はエッ
チングされないことが重要である。基体や下地層がエッ
チングされると該金属薄膜の接着不良や脱離が発生する
他、かえって静電容量が低下する。

【００３３】本発明の電解コンデンサ用電極箔の製造方
法の一例を以下に示すがこれに限定されるものではな
い。図３は、長尺基体走行系を備えた真空蒸着装置の概
略図である。真空槽１４内に巻出し軸１５、円筒状の冷
却ドラム１６、巻取り軸１７から成る長尺基体走行系が
設置されている。該基体走行系に所定厚みのアルミニウ
ム箔基体１８を設置する。真空槽１４は、巻出し軸、巻
取り軸が収められた上槽１９と蒸発源２１が収められた
下槽２０とに隔壁２２、２３およびマスク２４、２５で
分離されており、排気口２６および２７よりそれぞれ真
空排気される。基体走行方向上流側のマスク２４および
基体走行方向下流側のマスク２５は蒸発源からの蒸気の
基体への初期入射角および最終入射角が所定の角度にな
るよう設置される。下槽内を５×１０^-5Ｔｏｒｒ以下に
排気し、バルブ２８を開きノズル２９を通して隔壁２
２、２３、マスク２４、２５および冷却ドラム１６に囲
まれた蒸気入射領域へ基体走行方向下流側からアルゴン
ガスを差し向け、下槽内圧力を１×１０^-4〜１×１０^-2
Ｔｏｒｒの範囲の所定の圧力に調整する。蒸発源は電子
ビ−ム加熱器で、チタンのインゴット３０が充填されて
いる。

【００３４】基体を走行させつつ、チタンのインゴット
を溶融蒸発させて、基体上に所定の付着速度で所定の厚
さのチタン薄膜を付着させる。同様にして基体のもう一
方の面にもチタン薄膜を付着させる。

【００３５】図４は長尺基体走行系を備えたエッチング
および洗浄装置の１例を示す概略図である。チタン薄膜
が被着された長尺のアルミニウム基体３３を巻出軸３４
から巻取軸３５にわたる長尺基体走行系に装着する。ア
ルミニウム箔基体は所定濃度のエッチャントが充填され
たエッチング槽３６、純水が充填された洗浄槽３７、所
定濃度の脱塩素処理液が充填された洗浄槽３８、純水が
充填された洗浄槽３９、乾燥室４０をこの順番に通過
し、エッチング、洗浄、乾燥が施される。各槽には、図
示していないが処理を均一化するための攪拌装置のほ
か、液温を一定に保つための装置、液の浄化再生装置な
どが配設されるが、勿論これに限定されない。各槽での
処理時間は、基体の走行速度の調整およびロ−ルパス選
択により所定の値に制御される。かくして電解コンデン
サ用電極箔を得る。

【００３６】脱塩素処理液としては、硝酸や燐酸などが
用いられる。エッチャントが塩素を含まない場合は、脱
塩素処理が不要となるので槽３８および３９の工程は省
略することができる。また界面活性剤や有機溶媒による
洗浄槽を追加することができる。

【００３７】金属の蒸発源としては誘導加熱器、抵抗加
熱器、レ−ザ−加熱器なども採用できるが、高速に高融
点金属を蒸発させるために電子ビ−ム加熱器を採用する
ことが好ましい。これらの蒸発源と基体の間に高周波電
力を放射するなどしてイオンプレ−ティングを行うこと
は適宜許される。またこれらの蒸発源はドラムの真下に
ある必要はなく、材料使用効率などの点から好適な位置
を適宜選んで良い。

【００３８】金属薄膜の形成に先立って、基体と金属薄
膜との接着力を向上させたり、基体のエッチャントへの
耐久性を高めるために、熱処理などの前処理を行うこと
は適宜許される。

【００３９】本発明の作用の詳細は明らかでないが次の
ように推測される。金属薄膜は、一般的に多結晶質であ
ったり、カラム構造などの微細構造を持ったりして、微
視的には不均質である。粒界やカラム構造の間隙はエッ
チングされやすいので、選択的なエッチングによって電
解コンデンサに好適な構造で金属薄膜の表面積が増大す
るものと考えられる。

【００４０】［特性の測定方法、評価方法］ （１）静電容量の測定方法 基体の両面に金属薄膜が形成された試料を切り出し、２
０ｍｍ×２０ｍｍの開口部を持つホルダ−２枚で試料を
挟み込み固定する。該ホルダ−に固定された２枚の試料
を用意し、１０重量％ホウ酸アンモニウム水溶液の電解
液中で平行になるよう固定する。２枚の試料を電極とし
て、ＬＣＲメ−タ−（安藤電気（株）製ＡＧ−４３１
１）にて１００Ｈｚのときの静電容量を測定した。測定
された値の２分の１を単位面積当たりの静電容量とし
た。

【００４１】（２）金属薄膜断面の観察 試料を超薄切片に切出し、透過型電子顕微鏡（日本電子
（株）製ＪＥＭ−１２００ＥＸ）にて金属薄膜の断面を
４０万倍にて観察した。

【００４２】

【実施例】以下実施例により本発明を具体的に説明する
が、本発明はこれらに限定されるものではない。

【００４３】実施例１ 図３の長尺基体走行系を備えた真空蒸着装置に厚さ２２
μｍの長尺のアルミニウム箔基体を装着した。マスク２
４および２５を調節して、初期入射角が５０度、最終入
射角が−５０度になるようにした。電子ビ−ム加熱器２
１にチタンのインゴット３０を充填した後、真空槽１４
内を排気口２６および２７より真空排気して隔壁２２、
２３、マスク２４、２５および冷却ドラム１６でしきら
れた下槽２０内圧力を５×１０^-5Ｔｏｒｒ以下にした。
次にバルブ３１およびノズル３２を通して蒸気の基体へ
の入射領域に向けて窒素ガスを０．２リットル／分供給
し、下槽内圧力を３×１０^-4Ｔｏｒｒに調整した。基体
を走行させながらチタンのインゴットを溶融蒸発させて
アルミニウム箔上に２．５μｍ／分の蒸着速度で厚さ
０．０５μｍのチタン薄膜を形成した。チタン薄膜を形
成する際、冷却ドラム１６は−２０℃に冷却した。同様
にして該アルミニウム箔基体の他の一方の面にもチタン
薄膜を形成した。得られたチタン薄膜の断面を観察した
ところ、チタン薄膜はカラム構造の集合体であった。

【００４４】チタン薄膜を形成したアルミニウム箔基体
を図４の長尺基体走行系を備えたエッチングおよび洗浄
装置に装着した。エッチング槽３６には、６規定の塩酸
を充填した。洗浄槽３８には２規定の硝酸を充填した。
槽３６〜３９の温度を４０℃に保持した。ロ−ルパスお
よび走行速度を調節してエッチング処理時間を１０秒間
とし、洗浄槽３８における脱塩素処理時間を２０秒とし
た。

【００４５】得られた電解コンデンサ用電極箔には、熱
による変形はほとんどなく平坦性は良好であった。静電
容量は７００μＦ／ｃｍ² とエッチングを行わなかった
比較例１に比べて大幅に増大した。

【００４６】実施例２ 実施例１と同様にしてアルミニウム箔基体上にチタン薄
膜を形成した。エッチング槽３６に２規定の塩酸を充填
したことおよびエッチング処理時間を３０秒としたこと
以外は、実施例１と同様にして、電解コンデンサ用電極
箔を作製した。得られた電解コンデンサ用電極箔には、
熱による変形はほとんどなく平坦性は良好であった。静
電容量は５００μＦ／ｃｍ² とエッチングを行わなかっ
た比較例１に比べて増大した。

【００４７】実施例３ 実施例１と同様にしてアルミニウム箔基体上にチタン薄
膜を形成した。エッチング槽３６に重量濃度で４４％の
燐酸を充填したこと、エッチング処理時間を２０秒とし
たことおよび処理層３８、３９を省略したこと以外は、
実施例１と同様にして、電解コンデンサ用電極箔を作製
した。

【００４８】得られた電解コンデンサ用電極箔には、熱
による変形はほとんどなく平坦性は良好であった。静電
容量は５７０μＦ／ｃｍ² とエッチングを行わなかった
比較例１に比べて増大した。またエッチング処理後の電
解コンデンサ用電極箔の断面を観察したところ、チタン
薄膜は平均径が０．０１５μｍのカラム構造の集合体で
あった。

【００４９】実施例４ 実施例１と同様にしてアルミニウム箔基体上にチタン薄
膜を形成した。チタン薄膜を形成したアルミニウム箔基
体をシート状試料に切り出した。該試料を４０℃、１規
定の塩酸中に浸漬し、電流密度２００ｍＡ／ｃｍ² の一
定の直流電流で５秒間電気化学エッチングを施した。次
いで、該試料に水洗、脱塩素処理、水洗、および乾燥を
この順序で施した。該脱塩素処理は、４０℃、重量濃度
で８％の燐酸中に１０秒間浸漬することで行なった。

【００５０】得られた電解コンデンサ用電極箔には、熱
による変形はほとんどなく平坦性は良好であった。静電
容量は８２０μＦ／ｃｍ² とエッチングを行わなかった
比較例１に比べて増大した。エッチング処理後の電解コ
ンデンサ用電極箔の断面を観察したところ、チタン薄膜
は平均径が０．０１５μｍのカラム構造の集合体であっ
た。

【００５１】比較例１ 実施例１と同様にしてアルミニウム箔基体上にチタン薄
膜を形成したが、エッチングは行わなかった。

【００５２】得られた電解コンデンサ用電極箔には、熱
による変形はほとんどなく平坦性は良好であったが、静
電容量は実施例のものに比べて小さく２００μＦ／ｃｍ
² であった。

【００５３】

【発明の効果】本発明は、基体の少なくとも片面に金属
薄膜を形成し、該金属薄膜をエッチングして電解コンデ
ンサ用電極箔とする製造方法であるので、より薄い金属
薄膜で静電容量の増大が図れ、生産性の向上や基体の熱
ダメ−ジ防止に著しい効果があった。また本発明の製造
方法で作った電極箔を陰極として使用した電解コンデン
サは、高温雰囲気下使用での静電容量の低下が小さくな
る効果があった。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の製造方法において基体上に形成される
金属薄膜の一例を示す概略断面図である。

【図２】本発明の製造方法において基体上に金属薄膜を
形成する際の金属蒸気の入射角を説明する概略断面図で
ある。

【図３】本発明の電解コンデンサ用電極箔を製造するた
めの真空蒸着装置の一例を示す概略断面図である。

【図４】本発明の電解コンデンサ用電極箔の製造に使用
されるエッチングおよび洗浄装置の一例を示す概略説明
図である。

【符号の説明】

ａ：基体 ｂ：金属薄膜を構成するカラムの一つ α：最終入射角 β：初期入射角 ２：蒸発源 ３および４：金属蒸気を遮蔽するためのマスク １８：基体 ２１：蒸発源 ２８および３１：ガス供給用バルブ ２９および３２：ノズル ３６：エッチング槽 ３７および３９：洗浄槽 ３８：脱塩素処理用洗浄槽

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】基体の少なくとも片面に金属薄膜を形成
   し、該金属薄膜をエッチングすることを特徴とする電解
   コンデンサ用電極箔の製造方法。
2. 【請求項２】該金属薄膜がカラム構造の集合体からなる
   を特徴とする請求項１記載の電解コンデンサ用電極箔の
   製造方法。