JPH0547507A - チタン酸バリウム系半導体磁器の焼成方法 - Google Patents
チタン酸バリウム系半導体磁器の焼成方法Info
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- JPH0547507A JPH0547507A JP3202809A JP20280991A JPH0547507A JP H0547507 A JPH0547507 A JP H0547507A JP 3202809 A JP3202809 A JP 3202809A JP 20280991 A JP20280991 A JP 20280991A JP H0547507 A JPH0547507 A JP H0547507A
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- Japan
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- temperature
- barium titanate
- semiconductor porcelain
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- based semiconductor
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 チタン酸バリウム系半導体磁器の有するＦ耐
圧特性、すなわち、突入電流に対する熱破壊特性の大幅
な向上を確実に図ることができる焼成方法を提供する。 【構成】 本発明にかかるチタン酸バリウム系半導体磁
器の焼成方法は、本焼成温度ｔ1まで昇温して保持され
た後のチタン酸バリウム系半導体磁器を仮焼成温度より
も低い所定温度ｔ2まで降温させた後、再び仮焼成温度
よりも高い所定温度ｔ3まで昇温して保持することを特
徴としている。
圧特性、すなわち、突入電流に対する熱破壊特性の大幅
な向上を確実に図ることができる焼成方法を提供する。 【構成】 本発明にかかるチタン酸バリウム系半導体磁
器の焼成方法は、本焼成温度ｔ1まで昇温して保持され
た後のチタン酸バリウム系半導体磁器を仮焼成温度より
も低い所定温度ｔ2まで降温させた後、再び仮焼成温度
よりも高い所定温度ｔ3まで昇温して保持することを特
徴としている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はチタン酸バリウム系半導
体磁器の焼成方法にかかり、詳しくは、その焼成条件に
関する。
体磁器の焼成方法にかかり、詳しくは、その焼成条件に
関する。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】従来、
チタン酸バリウム系半導体磁器においては比抵抗を制御
することによって耐電圧特性（静耐圧特性）や抵抗温度
特性（抵抗値）、突入電流に対する熱破壊特性（Ｆ耐圧
特性）などの改善を図ることが行われており、その比抵
抗を制御するためには焼成条件を変更することが一般的
に行われている。すなわち、チタン酸バリウム系半導体
磁器を焼成する際には、図３で示すような昇降温パター
ン、例えば、１３００〜１４００℃程度を本焼成温度ｔ
1 とする昇降温パターンに従う焼成方法を採用するのが
普通であるから、本焼成温度ｔ1 に至るまでの昇温速
度及び本焼成温度ｔ1 からの降温速度を変える、本焼
成温度ｔ1 そのものを変える、本焼成温度ｔ1 におけ
る保持時間Ｔ1の設定を変えるなどの手立てによって焼
成条件を変更することが行われる。
チタン酸バリウム系半導体磁器においては比抵抗を制御
することによって耐電圧特性（静耐圧特性）や抵抗温度
特性（抵抗値）、突入電流に対する熱破壊特性（Ｆ耐圧
特性）などの改善を図ることが行われており、その比抵
抗を制御するためには焼成条件を変更することが一般的
に行われている。すなわち、チタン酸バリウム系半導体
磁器を焼成する際には、図３で示すような昇降温パター
ン、例えば、１３００〜１４００℃程度を本焼成温度ｔ
1 とする昇降温パターンに従う焼成方法を採用するのが
普通であるから、本焼成温度ｔ1 に至るまでの昇温速
度及び本焼成温度ｔ1 からの降温速度を変える、本焼
成温度ｔ1 そのものを変える、本焼成温度ｔ1 におけ
る保持時間Ｔ1の設定を変えるなどの手立てによって焼
成条件を変更することが行われる。
【０００３】しかしながら、これらの手立てに基づく焼
成条件の変更によってチタン酸バリウム系半導体磁器の
比抵抗を制御した場合には、異常粒成長などのようなセ
ラミックにとって好ましくない挙動が現れてしまうこと
がある。そして、このような挙動が現れると、半導体磁
器が悪影響を受けてしまうことになる結果、かえって静
耐圧特性や抵抗値、Ｆ耐圧特性が低下するという不都合
が生じることになっていた。
成条件の変更によってチタン酸バリウム系半導体磁器の
比抵抗を制御した場合には、異常粒成長などのようなセ
ラミックにとって好ましくない挙動が現れてしまうこと
がある。そして、このような挙動が現れると、半導体磁
器が悪影響を受けてしまうことになる結果、かえって静
耐圧特性や抵抗値、Ｆ耐圧特性が低下するという不都合
が生じることになっていた。
【０００４】そこで、このような不都合を解消しうるチ
タン酸バリウム系半導体磁器の第２の焼成方法として、
図４で示すような昇降温パターンに従って焼成する方法
が提案されている。すなわち、この焼成方法において
は、まず、チタン酸バリウム系半導体磁器を所定の昇温
速度ｖ1に従って本焼成温度ｔ1まで昇温した後、これを
所定の本焼成保持時間Ｔ1だけ保持することによって焼
成する。つぎに、この半導体磁器を８００℃以上として
設定された所定温度ｔ3まで所定の降温速度ｖ2に従って
降温させた後、この所定温度ｔ3下で所定時間Ｔ3だけ保
持し、さらに、所定の降温速度ｖ4に従って室温まで降
温させるものである。しかしながら、この焼成方法を採
用して得られたチタン酸バリウム系半導体磁器に対する
判断では、その静耐圧特性や抵抗値の向上は見られるも
のの、Ｆ耐圧特性の向上がさほど見られないとの評価を
下さざるを得ない実情となっていた。
タン酸バリウム系半導体磁器の第２の焼成方法として、
図４で示すような昇降温パターンに従って焼成する方法
が提案されている。すなわち、この焼成方法において
は、まず、チタン酸バリウム系半導体磁器を所定の昇温
速度ｖ1に従って本焼成温度ｔ1まで昇温した後、これを
所定の本焼成保持時間Ｔ1だけ保持することによって焼
成する。つぎに、この半導体磁器を８００℃以上として
設定された所定温度ｔ3まで所定の降温速度ｖ2に従って
降温させた後、この所定温度ｔ3下で所定時間Ｔ3だけ保
持し、さらに、所定の降温速度ｖ4に従って室温まで降
温させるものである。しかしながら、この焼成方法を採
用して得られたチタン酸バリウム系半導体磁器に対する
判断では、その静耐圧特性や抵抗値の向上は見られるも
のの、Ｆ耐圧特性の向上がさほど見られないとの評価を
下さざるを得ない実情となっていた。
【０００５】本発明は、このような不都合に鑑みて創案
されたものであって、静耐圧特性や抵抗値のみならず、
Ｆ耐圧特性の向上をも確実に図ることができるチタン酸
バリウム系半導体磁器の焼成方法を提供することを目的
としている。
されたものであって、静耐圧特性や抵抗値のみならず、
Ｆ耐圧特性の向上をも確実に図ることができるチタン酸
バリウム系半導体磁器の焼成方法を提供することを目的
としている。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明にかかるチタン酸
バリウム系半導体磁器の焼成方法は、このような目的を
達成するために、本焼成温度まで昇温して保持された後
のチタン酸バリウム系半導体磁器を仮焼成温度よりも低
い所定温度まで降温させた後、再び仮焼成温度よりも高
い所定温度まで昇温して保持することを特徴とするもの
である。
バリウム系半導体磁器の焼成方法は、このような目的を
達成するために、本焼成温度まで昇温して保持された後
のチタン酸バリウム系半導体磁器を仮焼成温度よりも低
い所定温度まで降温させた後、再び仮焼成温度よりも高
い所定温度まで昇温して保持することを特徴とするもの
である。
【０００７】
【実施例】以下、本発明にかかるチタン酸バリウム系半
導体磁器の焼成方法を図面に基づいて説明する。
導体磁器の焼成方法を図面に基づいて説明する。
【０００８】図１は本実施例方法におけるチタン酸バリ
ウム系半導体磁器の昇降温パターンを示す説明図であ
り、所要の組成比で配合された種々の原料からなる半導
体磁器の焼成条件を示している。すなわち、本実施例方
法によってチタン酸バリウム系半導体磁器の焼成を行う
際には、まず、この半導体磁器を予め設定された所定の
昇温速度ｖ1に従って所要の本焼成温度ｔ1 まで昇温さ
せたうえ、所定の本焼成保持時間Ｔ1 だけ保持すること
によって焼成する。つぎに、この焼成が終了した半導体
磁器の降温過程において、まず、チタン酸バリウム系半
導体磁器をその仮焼成温度（１１３０〜１１５０℃程
度）よりも低い所定温度ｔ2まで所定の降温速度ｖ2に従
って降温させた後、再び仮焼成温度よりも高い所定温度
ｔ3まで所定の昇温速度ｖ3に従って昇温させる。そし
て、この所定温度ｔ3下で所定時間Ｔ3だけ保持した後、
所定の降温速度ｖ4に従って室温まで降温させる。
ウム系半導体磁器の昇降温パターンを示す説明図であ
り、所要の組成比で配合された種々の原料からなる半導
体磁器の焼成条件を示している。すなわち、本実施例方
法によってチタン酸バリウム系半導体磁器の焼成を行う
際には、まず、この半導体磁器を予め設定された所定の
昇温速度ｖ1に従って所要の本焼成温度ｔ1 まで昇温さ
せたうえ、所定の本焼成保持時間Ｔ1 だけ保持すること
によって焼成する。つぎに、この焼成が終了した半導体
磁器の降温過程において、まず、チタン酸バリウム系半
導体磁器をその仮焼成温度（１１３０〜１１５０℃程
度）よりも低い所定温度ｔ2まで所定の降温速度ｖ2に従
って降温させた後、再び仮焼成温度よりも高い所定温度
ｔ3まで所定の昇温速度ｖ3に従って昇温させる。そし
て、この所定温度ｔ3下で所定時間Ｔ3だけ保持した後、
所定の降温速度ｖ4に従って室温まで降温させる。
【０００９】本実施例方法では、このように、本焼成温
度ｔ1まで昇温して保持された後のチタン酸バリウム系
半導体磁器を仮焼成温度よりも低い所定温度ｔ2まで降
温させた後、再び仮焼成温度よりも高い所定温度ｔ3ま
で昇温して保持することによって比抵抗の制御が行われ
る。
度ｔ1まで昇温して保持された後のチタン酸バリウム系
半導体磁器を仮焼成温度よりも低い所定温度ｔ2まで降
温させた後、再び仮焼成温度よりも高い所定温度ｔ3ま
で昇温して保持することによって比抵抗の制御が行われ
る。
【００１０】つぎに、本発明の発明者らが本実施例方法
に基づいて行った実験及び実験結果について説明する。
に基づいて行った実験及び実験結果について説明する。
【００１１】まず、チタン酸バリウム系半導体磁器の出
発原料であるＢａＣＯ3 ，ＴｉＯ2，ＳｒＣＯ3 と、半
導体化剤であるＹ2 Ｏ3 と、添加物であるＭｎＣＯ3 ，
ＳｉＯ2 とを用意した後、これらを（Ｂａ0・72Ｓｒ0・23
Ｙ0・05）Ｔｉ3の配合添加量比となるように配合する。
なお、このとき、ＭｎＣＯ3 はＭｎ換算で０．１ｍｏｌ
％、ＳｉＯ2 は１．０ｍｏｌ％となるようにしている。
そして、この配合材料を混合・粉砕して仮焼成し、バイ
ンダとしてのＰＶＡを加えた後、さらに、混合・粉砕し
て造粒したうえで成形することにより、直径が２１ｍｍ
で厚みが６ｍｍの円板状となった多数個の試料１〜２０
を得た。
発原料であるＢａＣＯ3 ，ＴｉＯ2，ＳｒＣＯ3 と、半
導体化剤であるＹ2 Ｏ3 と、添加物であるＭｎＣＯ3 ，
ＳｉＯ2 とを用意した後、これらを（Ｂａ0・72Ｓｒ0・23
Ｙ0・05）Ｔｉ3の配合添加量比となるように配合する。
なお、このとき、ＭｎＣＯ3 はＭｎ換算で０．１ｍｏｌ
％、ＳｉＯ2 は１．０ｍｏｌ％となるようにしている。
そして、この配合材料を混合・粉砕して仮焼成し、バイ
ンダとしてのＰＶＡを加えた後、さらに、混合・粉砕し
て造粒したうえで成形することにより、直径が２１ｍｍ
で厚みが６ｍｍの円板状となった多数個の試料１〜２０
を得た。
【００１２】さらに、このようにして得られた試料１〜
２０のそれぞれを表１で示すような種々の異なる焼成条
件に従って焼成した後、焼成された試料１〜２０それぞ
れの主表面にＩｎ−Ｇａ合金からなる電極を形成したう
えで諸特性を測定したところ、表２で示すような実験結
果が得られた。なお、これらの表における試料１〜１０
は第２の従来例方法によって焼成されたものを、また、
試料１１〜２０は本実施例方法によって焼成されたもの
を示している。ところで、試料１〜２０それぞれにおけ
る焼成条件のうち、昇温速度ｖ1は５℃／ｍｉｎ、本焼
成保持時間Ｔ1は１．５ｈｒ、所定時間Ｔ3は１ｈｒとし
て共通に設定されている。
２０のそれぞれを表１で示すような種々の異なる焼成条
件に従って焼成した後、焼成された試料１〜２０それぞ
れの主表面にＩｎ−Ｇａ合金からなる電極を形成したう
えで諸特性を測定したところ、表２で示すような実験結
果が得られた。なお、これらの表における試料１〜１０
は第２の従来例方法によって焼成されたものを、また、
試料１１〜２０は本実施例方法によって焼成されたもの
を示している。ところで、試料１〜２０それぞれにおけ
る焼成条件のうち、昇温速度ｖ1は５℃／ｍｉｎ、本焼
成保持時間Ｔ1は１．５ｈｒ、所定時間Ｔ3は１ｈｒとし
て共通に設定されている。
【００１３】
【表１】
【００１４】
【表２】
【００１５】すなわち、この表２で示す実験結果におい
ては、第２の従来例方法によって焼成された試料１〜１
０の有するＦ耐圧特性が２８０〜３５５Ｖであるのに比
べ、本実施例方法によって焼成された試料１１〜２０の
有するＦ耐圧特性が４５０〜５００Ｖとなっているので
あるから、試料１１〜２０の有するＦ耐圧特性が大きく
向上していることは明らかである。なお、この表２にお
いては、試料１〜１０及び試料１１〜２０それぞれの有
する抵抗値がほぼ一致することから、第２の従来例方法
によって焼成された試料１〜１０と同様、本実施例方法
による試料１１〜２０の有する抵抗値が第１の従来例方
法による場合よりも向上していることが分かる。そし
て、本実施例方法によって焼成されたチタン酸バリウム
系半導体磁器におけるＦ耐圧特性が向上するのは、焼成
体に対するＸ線回折の結果から、本実施例方法による試
料におけるＢａ2ＴｉＳｉ2Ｏ8 ／ ＢａＴｉＯ3 比の方
が従来例方法による試料よりも低下していることに起因
するものと考えられる。
ては、第２の従来例方法によって焼成された試料１〜１
０の有するＦ耐圧特性が２８０〜３５５Ｖであるのに比
べ、本実施例方法によって焼成された試料１１〜２０の
有するＦ耐圧特性が４５０〜５００Ｖとなっているので
あるから、試料１１〜２０の有するＦ耐圧特性が大きく
向上していることは明らかである。なお、この表２にお
いては、試料１〜１０及び試料１１〜２０それぞれの有
する抵抗値がほぼ一致することから、第２の従来例方法
によって焼成された試料１〜１０と同様、本実施例方法
による試料１１〜２０の有する抵抗値が第１の従来例方
法による場合よりも向上していることが分かる。そし
て、本実施例方法によって焼成されたチタン酸バリウム
系半導体磁器におけるＦ耐圧特性が向上するのは、焼成
体に対するＸ線回折の結果から、本実施例方法による試
料におけるＢａ2ＴｉＳｉ2Ｏ8 ／ ＢａＴｉＯ3 比の方
が従来例方法による試料よりも低下していることに起因
するものと考えられる。
【００１６】ところで、以上の説明においては、図１で
示したように、本焼成温度ｔ1まで昇温して保持された
後のチタン酸バリウム系半導体磁器を仮焼成温度（１１
３０〜１１５０℃程度）よりも低い所定温度ｔ2まで降
温させた後、すぐさま仮焼成温度よりも高い所定温度ｔ
3まで昇温して保持するとしているが、これに限定され
るものではない。すなわち、図２で示すように、仮焼成
温度よりも低い所定温度ｔ2まで降温させられた半導体
磁器を、この所定温度ｔ2下でそのまま所定時間Ｔ2だけ
保持するようにしても同様の結果が得られる。
示したように、本焼成温度ｔ1まで昇温して保持された
後のチタン酸バリウム系半導体磁器を仮焼成温度（１１
３０〜１１５０℃程度）よりも低い所定温度ｔ2まで降
温させた後、すぐさま仮焼成温度よりも高い所定温度ｔ
3まで昇温して保持するとしているが、これに限定され
るものではない。すなわち、図２で示すように、仮焼成
温度よりも低い所定温度ｔ2まで降温させられた半導体
磁器を、この所定温度ｔ2下でそのまま所定時間Ｔ2だけ
保持するようにしても同様の結果が得られる。
【００１７】
【発明の効果】以上説明したように、本発明にかかるチ
タン酸バリウム系半導体磁器の焼成方法によれば、本焼
成温度まで昇温された後の半導体磁器を仮焼成温度より
も低い所定温度まで降温させた後、再び仮焼成温度より
も高い所定温度まで昇温することによって半導体磁器の
比抵抗を制御しているので、このチタン酸バリウム系半
導体磁器の有する静耐圧特性や抵抗値とともに、Ｆ耐圧
特性の大幅な向上を確実に図ることができるという効果
が得られる。
タン酸バリウム系半導体磁器の焼成方法によれば、本焼
成温度まで昇温された後の半導体磁器を仮焼成温度より
も低い所定温度まで降温させた後、再び仮焼成温度より
も高い所定温度まで昇温することによって半導体磁器の
比抵抗を制御しているので、このチタン酸バリウム系半
導体磁器の有する静耐圧特性や抵抗値とともに、Ｆ耐圧
特性の大幅な向上を確実に図ることができるという効果
が得られる。
【図１】本実施例方法におけるチタン酸バリウム系半導
体磁器の昇降温パターンを示す説明図である。
体磁器の昇降温パターンを示す説明図である。
【図２】昇降温パターンの変形例を示す説明図である。
【図３】第１の従来例方法におけるチタン酸バリウム系
半導体磁器の昇降温パターンを示す説明図である。
半導体磁器の昇降温パターンを示す説明図である。
【図４】第２の従来例方法における昇降温パターンを示
す説明図である。
す説明図である。
ｔ1 本焼成温度 ｔ2 仮焼成温度よりも低い所定温度 ｔ3 仮焼成温度よりも高い所定温度
Claims (1)
- 【請求項１】 本焼成温度（ｔ1）まで昇温して保持さ
れた後のチタン酸バリウム系半導体磁器を仮焼成温度よ
りも低い所定温度（ｔ2）まで降温させた後、再び仮焼
成温度よりも高い所定温度（ｔ3）まで昇温して保持す
ることを特徴とするチタン酸バリウム系半導体磁器の焼
成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3202809A JP2949532B2 (ja) | 1991-08-13 | 1991-08-13 | チタン酸バリウム系半導体磁器の焼成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3202809A JP2949532B2 (ja) | 1991-08-13 | 1991-08-13 | チタン酸バリウム系半導体磁器の焼成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0547507A true JPH0547507A (ja) | 1993-02-26 |
| JP2949532B2 JP2949532B2 (ja) | 1999-09-13 |
Family
ID=16463564
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3202809A Expired - Lifetime JP2949532B2 (ja) | 1991-08-13 | 1991-08-13 | チタン酸バリウム系半導体磁器の焼成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2949532B2 (ja) |
-
1991
- 1991-08-13 JP JP3202809A patent/JP2949532B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2949532B2 (ja) | 1999-09-13 |
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