JPH0546062U - 受・発光素子 - Google Patents

受・発光素子

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Publication number
JPH0546062U
JPH0546062U JP10274791U JP10274791U JPH0546062U JP H0546062 U JPH0546062 U JP H0546062U JP 10274791 U JP10274791 U JP 10274791U JP 10274791 U JP10274791 U JP 10274791U JP H0546062 U JPH0546062 U JP H0546062U
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
stem
light
emitting element
semiconductor chip
heat sink
Prior art date
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Pending
Application number
JP10274791U
Other languages
English (en)
Inventor
靖彦 斎藤
米秋 新井
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
THE FURUKAW ELECTRIC CO., LTD.
Original Assignee
THE FURUKAW ELECTRIC CO., LTD.
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Filing date
Publication date
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Publication of JPH0546062U publication Critical patent/JPH0546062U/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched

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  • Semiconductor Lasers (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 受・発光素子を光レセプタクルに組み込んで
使用する際に、受・発光素子と光レセプタクルとを簡単
な構成で絶縁状態に保つことができる構造の受・発光素
子を提供することにある。 【構成】 ステム2と、ステム2上に設けられたヒート
シンク3と、ヒートシンク3上に設けられた半導体チッ
プ4と、半導体チップ4を密閉するキャップ5と、半導
体チップ4、又は、ヒートシンク3と電気的に導通し、
且つステム2に固定された駆動用リード6とから成る受
・発光素子において、ステム2が絶縁体で形成されてい
ることを特徴とする。

Description

【考案の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】
本考案は、光通信、又は、情報通信等に使用される受・発光素子の改良に関す るものである。
【0002】
【従来技術】
光通信に使用されている半導体レーザダイオード(LD)や、発光ダイオード (LED)等の発光素子、又は、受光ダイオード(PD)等の受光素子の構造は 、従来から種々提案されているが、その中でも図4に示す構造のものが一般的で ある。 図4は半導体レーザダイオードを例にしている。この半導体レーザダイオード 14は、コバール(登録商標)、又は、銅に金メッキが施された金属より成るス テム15と、ステム15上に金属製のヒートシンク16を介して設けられた半導 体チップ17と、半導体チップ17を密閉(保護)する金属製のキャップ18と 、半導体チップ17、又はヒートシンク16と電気的に導通し、且つステム15 に溶接等で固定された駆動用リード19(本例では3本示している。)とから構 成されている。
【0003】 例えば、円板状に形成された金属製のステム15上には、アルミ等の放熱性の よい金属で形成され、且つステム15にボンディングにより固定されたヒートシ ンク16が設けられており、ヒートシンク16上には半導体チップ17がボンデ ィングにより固定されている。半導体チップ17は、コバール(登録商標)、又 は銅に金メッキが施された金属より成るキャップ18をステム15の周縁部に溶 接、又は接着により固定することで密閉(保護)されており、さらに、半導体チ ップ17は、ステム15に固定された駆動用リード19の1本と電気的に導通す るように設けられている。また、これとは別の駆動用リード19は、ヒートシン ク16と電気的に導通するように設けられており、半導体レーザダイオード14 を駆動させる際には、これらの駆動用リード19に外部から電圧を印加して半導 体チップ17に電流を流し、また、この時のヒートシンク16は半導体チップ1 7の陽極(アノード電極)として働く。
【0004】 上記構成の半導体レーザダイオード14を光通信に使用する場合には、半導体 レーザダイオード14を金属製の光レセプタクルに組み込んで、光ファイバーと 精度良く光結合させる必要がある。 その組み込み方法の一例としては図5に示すように、半導体レーザダイオード 14のステム15の周縁部20をステンレス等の金属から成る光レセプタクル2 1に接着材、又は、半田材を用いて固定したり、あるいは図6に示すように、金 属製の連結部材24をステム15と光レセプタクル21との間に介在させ、ステ ム15と連結部材24との接合部25と、光レセプタクル21と連結部材24と の接合部25´とをそれぞれYAGレーザ等で溶接してステム15と光レセプタ クル21とを固定している。尚、図5,6に示す光レセプタクル21は、光ファ イバーを保持するフェルール22と、半導体チップ17からの発振光を集光させ るレンズ23とで構成されている。 図5に示す半導体レーザダイオード14と光レセプタクル21との半田材によ る固定の場合には、ステム15が金属で形成されているので、半導体レーザダイ オード14と光レセプタクル21とは電気的に導通し、また、接着材による固定 の場合にも、接着材の状態によっては半導体レーザダイオード14と光レセプタ クル21とが電気的に導通する。
【0005】 尚、本例では発光素子として半導体レーザダイオード14を例にして説明した が、この他の発光素子、又は受光素子の場合にも、半導体チップ17の構成、又 は機能等(発光素子の場合には、半導体チップ17が光を発振し、受光素子の場 合には受光する。)を除いては、本例の半導体レーザダイオード14の構成が適 用されている。
【0006】
【考案が解決しようとする課題】
しかしながら従来の受・発光素子においては以下に示すような問題点があった 。 即ち、駆動用リード19と電気的に導通しているヒートシンク16は、ステム 15とボンディングにより固定されているので、必然的にステム15と駆動用リ ード19とは電気的に導通状態になっている。従って、本構成の半導体レーザダ イオード14を光レセプタクル21に組み込んで駆動用リード19に電圧を印加 して電流を流すと、ステム15を介して光レセプタクル21にも電流が流れてし まい、その結果、光レセプタクル21内でショートを起こす問題が生じた。 また、ステム15とヒートシンク16とを接着材で固定する場合にも、接着材 の状態によってはステム15とヒートシンク16とを完全に絶縁状態に保つこと ができず、同様の問題が生じた。 更に、図6に示すように連結部材24を介して溶接する場合にも、ステム15 と光レセプタクル21とが連結部材24を介して電気的に導通してまう。
【0007】 本出願人は上記問題点を解決するために、図6において連結部材24を酸化ア ルミ、又はガラス等の絶縁体で形成し、ステム15と光レセプタクル21との接 合部25,25´をそれぞれ接着材で固定することも試みたが、部品数が多くな ると共に構成が複雑になり、結果としてコスト高になってしまうという問題が生 じた。
【0008】
【考案の目的】
本考案は前記問題点に鑑みなされたものでその目的とするところは、受・発光 素子を光レセプタクルに組み込んで使用する際に、受・発光素子と光レセプタク ルとを簡単な構成で絶縁状態に保つことのできる構造の受・発光素子を提供する ことにある。
【0009】
【課題を解決するための手段】
前記目的を達成するための本考案の構成は、ステムと、該ステム上に設けられ たヒートシンクと、該ヒートシンク上に設けられた半導体チップと、該半導体チ ップを密閉するキャップと、前記半導体チップ、又は前記ヒートシンクと電気的 に導通し、且つ前記ステムに固定された駆動用リードとから成る受・発光素子に おいて、前記ステムが絶縁体で形成されていることを特徴とする。
【0010】
【実施例】
本考案の実施例を図を参照して詳細に説明する。
【0011】 図1は本考案の一実施例で、発光素子として半導体レーザダイオード(LD) を例にしている。 本図の半導体レーザダイオード1は、例えば酸化アルミ(Al2 3 )等のセ ラミックス、又はガラス等の絶縁体で形成されたステム2と、ステム2上にヒー トシンク3を介して設けられた半導体チップ4と、半導体チップ4を密閉するキ ャップ5と、ヒートシンク3、又は半導体チップ4と電気的に導通し、且つステ ム2に固定された駆動用リード6(本例では3本示されている。)とから構成さ れている。
【0012】 例えば、円板状に形成されたステム2上には、例えばアルミ等の放熱性に優れ た金属より成るヒートシンク3が、例えば低融点ハンダガラスにより固定され、 ヒートシンク3上には、ボンディング等により半導体チップ4が固定されている 。半導体チップ4は、ステム2に固定された駆動用リード6の1本とボンディン グワイヤ4´を介して電気的に導通するように設けられ、これとは別の駆動用リ ード6はヒートシンク3と電気的に導通しており、それぞれの駆動用リード6に 電圧を印加することによって半導体レーザダイオード1を駆動させる。さらに半 導体チップ4は、例えばコバール(登録商標)、又は銅に金メッキが施こされた 金属より成り、且つ中空体のキャップ5をステム2に接着材で固定することで密 閉(保護)されている。また、キャップ5の半導体チップ4と対向する箇所には 半導体チップ4からの発振光を透過させる透明体の窓部7が設けられており、発 振光はこの窓部7を通して外部に放出される。
【0013】 次に、半導体レーザダイオード1を光通信等に使用する際の使用方法を説明す る。 半導体レーザダイオード1を光通信等に使用する場合には、光ファイバー等と 精度良く光結合させる必要があり、そのためには図2に示すような光レセプタク ル8が用いられる。この光レセプタクル8はステンレス等の金属から形成されて おり、図示しない光ファイバーを保持するフェルール9と、半導体レーザダイオ ード1からの発振光を集光させるレンズ10と、半導体レーザダイオード1を組 み込む収納部11とで構成されている。
【0014】 半導体レーザダイオード1は収納部11内に組み込まれた後に固定されるが、 具体的には絶縁体で形成されたステム2の周縁部12を接着材で光レセプタクル 8に固定することによりなされる。尚、この時、キャップ5と光レセプタクル8 とは接触しないように固定される。 また、半導体レーザダイオード1と光レセプタクル8とを溶接により固定する 場合には、図3に示すようにステム2の周縁部12に、例えばコバール(登録商 標)等の金属13を設け、この金属13と光レセプタクル8とを、例えばYAG レーザ等を用いて溶接固定すればよい。尚、この時のステム2と金属13とは接 着材により固定される。
【0015】 本実施例のように、ステム2を絶縁体で形成しているので、ステム2を光レセ プタクル8に接着材で固定しても両者を絶縁状態に保つことができ、駆動用リー ド6に電圧を印加して電流を流してもステム2に電圧が加わって電流が流れるこ ともなくなり、光レセプタクル8内でショートを起こさなくなる。
【0016】 尚、本実施例では発光素子として半導体レーザダイオード1を例に説明したが 、この他の発光素子、又は受光素子においても、半導体チップ4の構成、および 機能等(発光素子の場合には、半導体チップ4が光を発振し、受光素子の場合に は受光する。)を除いては本実施例の半導体レーザダイオード1の構成が適用で き、本実施例と同様の効果を期待することができる。
【0017】
【考案の効果】
本考案の受・発光素子によれば、ステムを絶縁体で形成しているので、受・発 光素子を光レセプタクルに組み込んだ際に、駆動用リードに電圧を印加して電流 を流しても、ステムに電圧が加わって電流が流れることもなくなり、受・発光素 子と光レセプタクルとを電気的に絶縁状態に保つことができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本考案の一実施例を示す断面図である。
【図2】本考案の受・発光素子の使用状態を示す断面図
である。
【図3】本考案の別の実施例を示す斜視図である。
【図4】従来の受・発光素子を示す断面図である。
【図5】従来の受・発光素子の一使用状態を示す断面図
である。
【図6】従来の受・発光素子の他の使用状態を示す断面
図である。
【符号の説明】
1 半導体レーザダイオード 2 ステム 3 ヒートシンク 4 半導体チップ 4´ ボンディングワイヤ 5 キャップ 6 駆動用リード 7 窓部 8 光レセプタクル 9 フェルール 10 レンズ 11 収納部

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 【請求項1】 ステムと、該ステム上に設けられたヒー
    トシンクと、該ヒートシンク上に設けられた半導体チッ
    プと、該半導体チップを密閉するキャップと、前記半導
    体チップ、又は前記ヒートシンクと電気的に導通し、且
    つ前記ステムに固定された駆動用リードとから成る受・
    発光素子において、前記ステムが絶縁体で形成されてい
    ることを特徴とする受・発光素子。
JP10274791U 1991-11-18 1991-11-18 受・発光素子 Pending JPH0546062U (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP10274791U JPH0546062U (ja) 1991-11-18 1991-11-18 受・発光素子

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP10274791U JPH0546062U (ja) 1991-11-18 1991-11-18 受・発光素子

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH0546062U true JPH0546062U (ja) 1993-06-18

Family

ID=14335821

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JP10274791U Pending JPH0546062U (ja) 1991-11-18 1991-11-18 受・発光素子

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JP (1) JPH0546062U (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2006065007A1 (en) * 2004-12-16 2006-06-22 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Leadframe having a heat sink supporting ring, fabricating method of a light emitting diodepackage using the same and light emitting diodepackage fabbricated by the method

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