JPH0545544A - 光導波路 - Google Patents

光導波路

Info

Publication number
JPH0545544A
JPH0545544A JP20483991A JP20483991A JPH0545544A JP H0545544 A JPH0545544 A JP H0545544A JP 20483991 A JP20483991 A JP 20483991A JP 20483991 A JP20483991 A JP 20483991A JP H0545544 A JPH0545544 A JP H0545544A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
optical waveguide
light
layer
semiconductor laser
face
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP20483991A
Other languages
English (en)
Inventor
Akihiro Yamazaki
哲広 山崎
Hiroshi Inoue
弘 井上
Kensho Oe
健正 大江
Minoru Oyama
実 大山
Toshio Konno
俊男 昆野
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Victor Company of Japan Ltd
Original Assignee
Victor Company of Japan Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Victor Company of Japan Ltd filed Critical Victor Company of Japan Ltd
Priority to JP20483991A priority Critical patent/JPH0545544A/ja
Publication of JPH0545544A publication Critical patent/JPH0545544A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Optical Integrated Circuits (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)
  • Light Guides In General And Applications Therefor (AREA)
  • Optical Couplings Of Light Guides (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 半導体レーザへの戻り光の少ない光導波路を
得る。 【構成】 光導波路におけるクラッド層の光の入射端面
と光導波層の光の入射端面とに入射光に対して、光導波
路への入射光の波長をλとし、また、光導波路までの入
射光の光路の媒質の屈折率をｎとしたときに、光導波路
におけるクラッド層の光の入射端面と光導波層の光の入
射端面との入射光に対する光路差ΔＬを、ΔＬ＝（２ｉ
＋１）λ／４ｎ ｛ただしｉは０，１，２，３…｝ 入
射光の波長の四分の一の奇数倍にする。それにより導波
路におけるクラッド層の光の入射端面からの反射光の位
相と、光導波層の光の入射端面からの反射光の位相とが
互に逆相になるために、前記した光導波路の端面で反射
したレーザ光が半導体レーザ４に戻り光として与えられ
なくなり、戻り光によって半導体レーザ４の発振出力に
変動を生じさせたり、あるいは例えば半導体レーザにモ
ードホップ現象が起こさせたりするなどの半導体レーザ
４の動作を不安定にさせることがない。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は光導波路に関する。
【０００２】
【従来の技術】屈折率の高い透光性物質の薄膜の表裏両
面に屈折率の低い物質の層を設け、前記した屈折率の高
い透光性物質の薄膜内に光を導波させるように構成した
光導波路は、従来から光通信に用いられている光ファイ
バーの他、モノリシック光集積回路，ハイブリッド光集
積回路，準ハイブリッド光集積回路等のような光集積回
路や、その他の光回路における光導波路として広く用い
られている。図６は光導波層の屈折率よりも屈折率の大
きな物質を基板に用いて光導波路が構成される場合にお
ける光導波路の基本的な構成を示している図であり、図
において１は例えばシリコン基板、２は例えば二酸化シ
リコンによるクラッド層（バッファ層）、３は例えばコ
ーニング社の〓７０５９のガラスによる光導波層であ
る。前記した基板１として光導波層の構成物質の屈折率
よりも屈折率よりも小さな物質が使用された場合には、
基板１自体がクラッド層として使用できるので前記した
クラッド層２は不用である。
【０００３】光導波路における光導波層３に光を入射さ
せる手段としては従来から色々の手段が提案されている
が、光導波層３に対する光の入射手段の内で最も単純な
光の入射手段は、基板１として用いられているシリコン
基板１を劈開し、それと同時に光導波層３の端面を形成
させ、前記した光導波層３の端面に半導体レーザから放
射されたレーザ光を直接に注入する端面結合法によるも
のであり、図７は半導体レーザ４から放射されたレーザ
光５を端面結合法を適用して光導波路に入射させる場合
の説明図であって、図７の半導体レーザ４の活性層４ａ
から出射したレーザ光５は光導波路における光導波層３
の端面から光導波層３内に注入されて光導波層３内を図
中の太矢印５のように進行する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】周知のように光は媒質
の屈折率が変化している部分で反射するが、半導体レー
ザ４から放射して屈折率がｎ3(＝１）の空気中を進行し
ているレーザ光が、屈折率ｎ1（＝１.５４）のガラスの
光導波層３と屈折率ｎ2(＝１.４８）のクラッド層２と
からなる光導波路に垂直に入射した場合には、約４％の
レーザ光がガラスの光導波路の端面で反射することにな
る。前記のように光導波路の端面で反射したレーザ光が
が半導体レーザ４に戻り光として与えられた場合には、
例えば半導体レーザ４の発振出力に変動を生じさせた
り、あるいは例えば半導体レーザにモードホップ現象が
起こさせたりするなど、半導体レーザ４の動作を不安定
にさせることが問題になる。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明はクラッド層と光
導波層とからなる光導波路において、クラッド層の光の
入射端面と光導波層の光の入射端面とに入射光に対して
所定の光路差を設けてなる光導波路を提供する。
【０００６】
【作用】光導波路への入射光の波長をλとし、また、光
導波路までの入射光の光路の媒質の屈折率をｎとしたと
きに、光導波路におけるクラッド層の光の入射端面と光
導波層の光の入射端面との入射光に対する光路差ΔＬ
が、 ΔＬ＝（２ｉ＋１）λ／４ｎ ｛ただしｉは０，１，
２，３…｝ 入射光の波長の四分の一の奇数倍であるために、前記し
た光導波路におけるクラッド層の光の入射端面からの反
射光の位相と、光導波層の光の入射端面からの反射光の
位相とが互に逆相になるために、前記した光導波路の端
面で反射したレーザ光が半導体レーザ４に戻り光として
与えられることがなくなり、戻り光によって半導体レー
ザ４の発振出力に変動を生じさせたり、あるいは例えば
半導体レーザにモードホップ現象が起こさせたりするな
ど、半導体レーザ４の動作を不安定にさせることがな
い。
【０００７】
【実施例】以下、添付図面を参照しながら本発明の光導
波路の具体的な内容を詳細に説明する。図１は本発明の
光導波路の一実施例の概略構成を示す側面図、図２は本
発明の光導波路の他の実施例の概略構成を示す側面図、
図３及び図４は光導波路の光の入射端面からの反射光の
強度分布を示す図、図５は本発明の光導波路の製作過程
を説明するための側面図である。本発明の光導波路を示
す図１において、１は基板(例えば、単結晶シリコン基
板）、２は例えば二酸化シリコンによるクラッド層（バ
ッファ層）、３は例えばコーニング社の〓７０５９のガ
ラスによる光導波層である。そして、本発明の光導波路
では単結晶シリコン基板１上に二酸化シリコンのクラッ
ド層２とガラスの光導波層３とを積層して構成させた光
導波路におけるクラッド層２の光の入射端面２ａと光導
波層３の光の入射端面３ａとの間に、入射光に対して所
定の光路差ΔＬを設けている。前記した光導波路におけ
るクラッド層２の光の入射端面２ａと光導波層３の光の
入射端面３ａとの間に設けられている前記した所定の光
路差ΔＬは、光導波路への入射光の波長をλとし、ま
た、光導波路までの入射光の光路の媒質の屈折率をｎと
したときに、 ΔＬ＝（２ｉ＋１）λ／４ｎ ｛ただしｉは０，１，
２，３…｝によって示されるものである。
【０００８】すなわち、光導波路におけるクラッド層２
の光の入射端面２ａと光導波層３の光の入射端面３ａと
の間に、入射光の波長の四分の一の奇数倍の距離と対応
しているΔＬの光路差が設けられることにより、クラッ
ド層２の光の入射端面２ａからの反射光の位相と、光導
波層３の光の入射端面３ａからの反射光の位相とが互に
逆相になるために互に打消し合うために、前記したクラ
ッド層２と光導波層３との積層構造からなる光導波路の
端面で反射して半導体レーザ４の方に向う戻り光は極め
て少なくなり、したがって戻り光によって半導体レーザ
４の発振出力に変動を生じさせたり、あるいは例えば半
導体レーザにモードホップ現象が起こさせたりするな
ど、半導体レーザ４の動作を不安定にさせることがなく
なる。
【０００９】図２は光の入射側の端面１ａがクラッド層
２が付着されている面に対して鋭角をなすような傾斜面
となされているシリコン基板１上に、厚さが２ミクロン
の二酸化シリコンによるクラッド層２と、コーニング社
の〓７０５９のガラスを用いた厚さが２ミクロンの光導
波路層３とを順次に積層し、また光導波路におけるクラ
ッド層２の光の入射端面２ａと光導波層３の光の入射端
面３ａとの間に、波長が７８０ｎｍの入射光の波長の四
分の一の距離と対応しているΔＬの光路差を設けて構成
した光導波路と、前記した光導波路におけるクラッド層
２の光の入射端面２ａから距離Ｌ＝２０ミクロンの位置
に、半導体レーザの出射側劈開端面が位置している状態
に設置された半導体レーザ４とを示している図である。
図４は図２中に示されている半導体レーザ４から放射さ
れたレーザ光が、光導波路の端面で反射して半導体レー
ザ４における出射側劈開端面付近に戻って来た光の強度
分布を示しており、図４中に示されている方向Ｘは、図
２中の０から＋Ｘの方向及び０から−Ｘの方向とに対応
している。この図４をみると本発明の光導波路では半導
体レーザ４におけるレーザ光の出射点付近には戻り光を
生じさせないことが判かる。
【００１０】図３は図６に示されている従来の光導波路
のように、クラッド層２の光の入射端面と光導波層３の
光の入射端面との間の光路差ΔＬ＝０となるようにし
て、シリコン基板１上に、厚さが２ミクロンの二酸化シ
リコンによるクラッド層２と、コーニング社の〓７０５
９のガラスを用いた厚さが２ミクロンの光導波路層３と
を順次に積層して構成した光導波路について、前記した
光導波路におけるクラッド層２の光の入射端面、及び光
導波層３の光の入射端面から距離Ｌ＝２０ミクロンの位
置に、半導体レーザの出射側劈開端面が位置している状
態に設置された半導体レーザ４からレーザ光を放射した
場合に、半導体レーザ４から放射されたレーザ光が、光
導波路の端面で反射して半導体レーザ４における出射側
劈開端面付近に戻って来た光の強度分布を示した図であ
り、この図３中に示されている方向Ｘは、図４中に示さ
れている方向Ｘと同じである。この図３をみると従来の
光導波路では半導体レーザ４におけるレーザ光の出射点
付近には強い戻り光が生じていることが判かる。
【００１１】図１に例示されている本発明の光導波路は
基板１における光の入射端側の面がクラッド層２の端面
と同一面となされており、また、図２に例示されている
本発明の光導波路では基板１における光の入射端側の面
がクラッド層２が付着されている面に対して鋭角をなす
ような傾斜面となされているが、前記した図２に示され
ている光導波路のように、基板１における光の入射端側
の面１ａがクラッド層２が付着されている面に対して鋭
角をなすような傾斜面となされている方が、半導体レー
ザへの戻り光を少なくすることができるので好ましい実
施の態様といえる。図５は図２に示されているような構
成態様の光導波路（ただし図５に示されている製作法に
おいては光導波層３を選択エッチングによってエッチン
グするために図２に示されている光導波路における光導
波層３上にもクラッド層６が設けられている）を製作す
る場合の工程を説明するのに使用される図であり、図５
の（ａ）は例えば厚さが３００ミクロン〜５００ミクロ
ンのシリコンウエハ上に周知の薄膜成膜技術によって、
厚さが数ミクロンの二酸化シリコン膜をクラッド層２と
してシリコン基板１上に成膜させた後に、前記のクラッ
ド層２上に厚さが１ミクロン程度のガラス(コーニング
ガラス７０５９)膜を光導波層３として成膜させ、次
に、前記した光導波層３上に例えば数百ミクロンの厚さ
の二酸化シリコンのクラッド層６を成膜させて作った本
発明の光導波路の素材である。図５の（ｂ）は前記のよ
うにクラッド層２と光導波層３とクラッド層６とが積層
された状態の光導波路の素材に、図５の（ａ）中に矢印
７で示されているような力を加えることにより劈開する
ことにより、基板１における光の入射端側の面１ａがク
ラッド層２が付着されている面に対して鋭角をなすよう
な傾斜面が構成されているとともに、前記したシリコン
基板１が劈開面によって劈開される際に、前記したシリ
コン基板１上に積層構成されているクラッド層２及び導
波層３ならびにクラッド層６も前記したシリコン基板１
における面１ａの部分において奇麗な表面状態で切断さ
れている状態の光導波路の中間成品を示す。
【００１２】前記した図５の（ｂ）に示されている光導
波路の素材は、次いで光導波層３を構成しているガラス
に対するエッチングレートが大きく、クラッド層２，６
を構成している二酸化シリコンに対するエッチングレー
トが小さなエッチング液を用いて選択エッチングを行な
って、図５の（ｃ）に示されているようにガラスによる
光導波層３の端面３ａと、二酸化シリコンによって形成
されているクラッド層２の端面２ａとの間に所定の距離
ΔＬが形成されるようにする。前記した所定の距離ΔＬ
は、既述のように光導波路への入射光の波長をλとし、
また、光導波路までの入射光の光路の媒質の屈折率をｎ
としたときに、 ΔＬ＝（２ｉ＋１）λ／４ｎ ｛ただしｉは０，１，
２，３…｝によって示されるものである。前記した選択
エッチングに使用できるエッチング液としては、例えば
カテコール３グラム、エチレンジアミン１７ミリリット
ル、水８ミリリットルよりなる溶液を用いることができ
る。前記した所定の距離ΔＬはエッチング時間を制御す
ることにより容易に得られる。
【００１３】本発明の光導波路における半導体レーザへ
の戻り光の低減効果は、実験の結果によるとクラッド層
２の膜厚と、光導波層３の膜厚との比に関連しており、
前記したクラッド層２の膜厚と、光導波層３の膜厚とが
略々等しい場合に半導体レーザへの戻り光が最も少なく
なることが判かった。
【００１４】
【発明の効果】以上、詳細に説明したところから明らか
なように本発明の光導波路は、光導波路への入射光の波
長をλとし、また、光導波路までの入射光の光路の媒質
の屈折率をｎとしたときに、光導波路におけるクラッド
層の光の入射端面と光導波層の光の入射端面との入射光
に対する光路差ΔＬが、 ΔＬ＝（２ｉ＋１）λ／４ｎ ｛ただしｉは０，１，
２，３…｝ 入射光の波長の四分の一の奇数倍であるために、前記し
た光導波路におけるクラッド層の光の入射端面からの反
射光の位相と、光導波層の光の入射端面からの反射光の
位相とが互に逆相になるために、前記した光導波路の端
面で反射したレーザ光が半導体レーザ４に戻り光として
与えられることがなくなり、戻り光によって半導体レー
ザ４の発振出力に変動を生じさせたり、あるいは例えば
半導体レーザにモードホップ現象が起こさせたりするな
どの半導体レーザ４の動作を不安定にさせることがない
のであり、本発明によれば既述した従来の問題点は良好
に解決できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の光導波路の一実施例の概略構成を示す
側面図である。
【図２】本発明の光導波路の他の実施例の概略構成を示
す側面図である。
【図３】光導波路の光の入射端面からの反射光の強度分
布を示す図である。
【図４】光導波路の光の入射端面からの反射光の強度分
布を示す図である。
【図５】本発明の光導波路の製作過程を説明するための
側面図である。
【図６】光導波層の屈折率よりも屈折率の大きな物質を
基板に用いて光導波路が構成される場合における光導波
路の基本的な構成を例示した側面図である。
【図７】半導体レーザから放射されたレーザ光を端面結
合法を適用して光導波路に入射させる場合の説明図であ
る。
【符号の説明】
１…基板、２，６…クラッド層（クラッド層）、３…光
導波層、１ａ，３ａ…端面、４…半導体レーザ、５…レ
ーザ光、
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成３年８月２３日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００２】
【従来の技術】屈折率の高い透光性物質の薄膜の表裏両
面に屈折率の低い物質の層を設け、前記した屈折率の高
い透光性物質の薄膜内に光を導波させるように構成した
光導波路は、従来から光通信に用いられている光フアイ
バーの他、モノリシック光集積回路，ハイブリッド光集
積回路，準ハイブリッド光集積回路等のような光集積回
路や、その他の光回路における光導波路として広く用い
られている。図６は光導波層の屈折率よりも屈折率の大
きな物質を基板に用いて光導波路が構成される場合にお
ける光導波路の基本的な構成を示している図であり、図
において１は例えばシリコン基板、２は例えば二酸化シ
リコンによるクラッド層（バッフア層）、３は例えばコ
ーニング社の＃７０５９のガラスによる光導波層であ
る。前記した基板１として光導波層の構成物質の屈折率
よりも屈折率よりも小さな物質が使用された場合には、
基板１自体がクラッド層として使用できるので前記した
クラッド層２は不用である。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００８】
【実施例】以下、添付図面を参照しながら本発明の光導
波路の具体的な内容を詳細に説明する。図１は本発明の
光導波路の一実施例の概略構成を示す側面図、図２は本
発明の光導波路の他の実施例の概略構成を示す側面図、
図３及び図４は光導波路の光の入射端面からの反射光の
強度分布を示す図、図５は本発明の光導波路の製作過程
を説明するための側面図である。本発明の光導波路を示
す図１において、１は基板（例えば、単結晶シリコン基
板）、２は例えば二酸化シリコンによるクラッド層（バ
ッフア層）、３は例えばコーニング社の＃７０５９のガ
ラスによる光導波層である。そして、本発明の光導波路
では単結晶シリコン基板１上に二酸化シリコンのクラッ
ド層２とガラスの光導波層３とを積層して構成させた光
導波路におけるクラッド層２の光の入射端面２ａと光導
波層３の光の入射端面３ａとの間に、入射光に対して所
定の光路差ΔＬを設けている。前記した光導波路におけ
るクラッド層２の光の入射端面２ａと光導波層３の光の
入射端面３ａとの間に設けられている前記した所定の光
路差ΔＬは、光導波路への入射光の波長をλとし、ま
た、光導波路までの入射光の光路の媒質の屈折率をｎと
したときに、 ΔＬ＝（２ｉ＋１）λ／４ｎ ｛ただしｉは０，１，
２，３…｝によつて示されるものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１０】図２は光の入射側の端面１ａがクラッド層
２が付着されている面に対して鋭角をなすような傾斜面
となされているシリコン基板１上に、厚さが２ミクロン
の二醍化シリコンによるクラッド層２と、コーニング社
の＃７０５９のガラスを用いた厚さが２ミクロンの光導
波路層３とを順次に積層し、また光導波路におけるクラ
ッド層２の光の入射端面２ａと光導波層３の光の入射端
面３ａとの間に、波長が７８０ｎｍの入射光の波長の四
分の一の距離と対応しているΔＬの光路差を設けて構成
した光導波路と、前記した光導波賂におけるクラッド層
２の光の入射端面２ａから距離Ｌ＝２０ミクロンの位置
に、半導体レーザの出射側劈開端面が位置している状態
に設置された半導体レーザ４とを示している図である。
図４は図２中に示されている半導体レーザ４から放射さ
れたレーザ光が、光導波路の端面で反射して半導体レー
ザ４における出射側劈開端面付近に戻つて来た光の強度
分布を示しており、図４中に示されている方向Ｘは、図
２中の０から＋Ｘの方向及び０から−Ｘの方向とに対応
している。この図４をみると本発明の光導波路では半導
体レーザ４におけるレーザ光の出射点付近には戻り光を
生じさせないことが判かる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１１】図３は図６に示されている従来の光導波路
のように、クラッド層２の光の入射端面と光導波層３の
光の入射端面との間の光路差ΔＬ＝０となるようにし
て、シリコン基板１上に、厚さが２ミクロンの二酸化シ
リコンによるクラッド層２と、コーニング社の＃７０５
９のガラスを用いた厚さが２ミクロンの光導波路層３と
を順次に積層して構成した光導波路について、前記した
光導波路におけるクラッド層２の光の入射端面、及び光
導波層３の光の入射端面から距離Ｌ＝２０ミクロンの位
置に、半導体レーザの出射側劈開端面が位置している状
態に設置された半導体レーザ４からレーザ光を放射した
場合に、半導体レーザ４から放射されたレーザ光が、光
導波路の端面で反射して半導体レーザ４における出射側
劈開端面付近に戻つて来た光の強度分布を示した図であ
り、この図３中に示されている方向Ｘは、図４中に示さ
れている方向Ｘと同じである。この図３をみると従来の
光導波路では半導体レーザ４におけるレーザ光の出射点
付近には強い戻り光が生じていることが判かる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１２】図１に例示されている本発明の光導波路は
基板１における光の入射端側の面がクラッド層２の端面
と同一面となされており、また、図２に例示されている
本発明の光導波路では基板１における光の入射端側の面
がクラッド層２が付着されている面に対して鋭角をなす
ような傾斜面となされているが、前記した図２に示され
ている光導波路のように、基板１における光の入射端側
の面１ａがクラッド層２が付着されている面に対して鋭
角をなすような傾斜面となされている方が、半導体レー
ザへの戻り光を少なくすることができるので好ましい実
施の態様といえる。図５は図２に示されているような構
成態様の光導波路（ただし図５に示されている製作法に
おいては光導波層３を選択エッチングによつてエッチン
グするために図２に示されている光導波路における光導
波層３上にもクラッド層６が設けられている）を製作す
る場合の工程を説明するのに使用される図であり、図５
の（ａ）は例えば厚さが３００ミクロン〜５００ミクロ
ンのシリコンウエハ上に周知の薄膜成膜技術によつて、
厚さが数ミクロンの二酸化シリコン膜をクラッド層２と
してシリコン基板１上に成膜させた後に、前記のクラッ
ド層２上に厚さが１ミクロン程度のガラス（コーニング
ガラス＃７０５９）膜を光導波層３として成膜させ、次
に、前記した光導波層３上に例えば数百ミクロンの厚さ
の二酸化シリコンのクラッド層６を成膜させて作つた本
発明の光導波路の素材である。図５の（ｂ）は前記のよ
うにクラッド層２と光導波層３とクラッド層６とが積層
された状態の光導波路の素材に、図５の（ａ）中に矢印
７で示されているような力を加えることにより劈開する
ことにより、基板１における光の入射端側の面１ａがク
ラッド層２が付着されている面に対して鋭角をなすよう
な傾斜面が構成されているとともに、前記したシリコン
基板１が劈開面によつて劈開される際に、前記したシリ
コン基板１上に積層構成されているクラッド層２及び導
波層３ならびにクラッド層６も前記したシリコン基板１
における面１ａの部分において奇麗な表面状態で切断さ
れている状態の光導波路の中間成品を示す。 ─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成４年９月２９日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】周知のように光は媒質
の屈折率が変化している部分で反射するが、半導体レー
ザ４から放射して屈折率がｎ３（＝１）の空気中を進行
しているレーザ光が、屈折率ｎ１（＝１．５４）のガラ
スの光導波層３と屈折率ｎ２（＝１．４８）のクラッド
層２とからなる光導波路に垂直に入射した場合には、約
４％のレーザ光がガラスの光導波路の端面で反射するこ
とになる。前記のように光導波路の端面で反射したレー
ザ光が、半導体レーザ４に戻り光として与えられた場合
には、例えば半導体レーザ４の発振出力に変動を生じさ
せたり、あるいは例えば半導体レーザにモードホップ現
象が起こさせたりするなど、半導体レーザ４の動作を不
安定にさせることが問題になる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１２
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１２】図１に例示されている本発明の光導波路は
基板１における光の入射端側の面がクラッド層２の端面
と同一面となされており、また、図２に例示されている
本発明の光導波路では基板１における光の入射端側の面
がクラッド層２が付着されている面に対して鋭角をなす
ような傾斜面となされているが、前記した図２に示され
ている光導波路のように、基板１における光の入射端側
の面１ａがクラッド層２が付着されている面に対して鋭
角をなすような傾斜面となされている方が、半導体レー
ザへの戻り光を少なくすることができるので好ましい実
施の態様といえる。図５は図２に示されているような構
成態様の光導波路（ただし図５に示されている製作法に
おいては光導波層３を選択エッチングによつてエッチン
グするために図２に示されている光導波路における光導
波層３上にもクラッド層６が設けられている）を製作す
る場合の工程を説明するのに使用される図であり、図５
の（ａ）は例えば厚さが３００ミクロン〜５００ミクロ
ンのシリコンウエハ上に周知の薄膜成膜技術によって、
厚さが数ミクロンの二酸化シリコン膜をクラッド層２と
してシリコン基板１上に成膜させた後に、前記のクラッ
ド層２上に厚さが１ミクロン程度のガラス（コーニング
ガラス７０５９）膜を光導波層３として成膜させ、次
に、前記した光導波層３上に例えば数ミクロンの厚さの
二酸化シリコンのクラッド層６を成膜させて作った本発
明の光導波路の素材である。図５の（ｂ）は前記のよう
にクラッド層２と光導波層３とクラッド層６とが積層さ
れた状態の光導波路の素材に、図５の（ａ）中に矢印７
で示されているような力を加えることにより劈開するこ
とにより、基板１における光の入射端側の面１ａがクラ
ッド層２が付着されている面に対して鋭角をなすような
傾斜面が構成されているとともに、前記したシリコン基
板１が劈開面によって劈開される際に、前記したシリコ
ン基板１上に積層構成されているクラッド層２及び導波
層３ならびにクラッド層６も前記したシリコン基板１に
おける面１ａの部分において奇麗な表面状態で切断され
ている状態の光導波路の中間成品を示す。
フロントページの続き (72)発明者 大江 健正 神奈川県横浜市神奈川区守屋町３丁目12番 地日本ビクター株式会社内 (72)発明者 大山 実 神奈川県横浜市神奈川区守屋町３丁目12番 地日本ビクター株式会社内 (72)発明者 昆野 俊男 神奈川県横浜市神奈川区守屋町３丁目12番 地日本ビクター株式会社内

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 クラッド層と光導波層とからなる光導波
    路において、クラッド層の光の入射端面と光導波層の光
    の入射端面とに入射光に対して所定の光路差を設けてな
    る光導波路。
  2. 【請求項２】 光導波路への入射光の波長をλとし、ま
    た、光導波路までの入射光の光路の媒質の屈折率をｎと
    したときに、光導波路におけるクラッド層の光の入射端
    面と光導波層の光の入射端面との入射光に対する光路差
    ΔＬを、 ΔＬ＝（２ｉ＋１）λ／４ｎ ｛ただしｉは０，１，
    ２，３…｝とした請求項１の光導波路。
JP20483991A 1991-07-19 1991-07-19 光導波路 Pending JPH0545544A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP20483991A JPH0545544A (ja) 1991-07-19 1991-07-19 光導波路

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP20483991A JPH0545544A (ja) 1991-07-19 1991-07-19 光導波路

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH0545544A true JPH0545544A (ja) 1993-02-23

Family

ID=16497247

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP20483991A Pending JPH0545544A (ja) 1991-07-19 1991-07-19 光導波路

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0545544A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6817646B2 (en) 2002-08-26 2004-11-16 Honda Giken Kogyo Kabushiki Kaisha Vehicle seat
JP2012084714A (ja) * 2010-10-13 2012-04-26 Opnext Japan Inc 受光モジュール

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6817646B2 (en) 2002-08-26 2004-11-16 Honda Giken Kogyo Kabushiki Kaisha Vehicle seat
JP2012084714A (ja) * 2010-10-13 2012-04-26 Opnext Japan Inc 受光モジュール

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6853479B1 (en) Apparatus and method for coupling light between an optical resonator and a semiconductor chip with a minimum number of components and alignment steps
JP3070016B2 (ja) 光導波路デバイス
JPH08211342A (ja) 半導体光機能素子
US5901258A (en) Waveguide-type optical isolator and method for making the same
US20020039469A1 (en) Spot size converter and method of manufacturing the same
JP2891856B2 (ja) 光路変換回路
JP2001004877A (ja) 光導波路、光モジュールおよび光システム
JPH0545544A (ja) 光導波路
JP2006350255A (ja) マルチモード光ファイバおよび光モジュール
JPH0254981A (ja) 面発光レーザ及びレーザアレイ
JPH05150127A (ja) 光導波路
JPH07211992A (ja) 半導体レーザ及び変調器
JPH05297244A (ja) 光導波路
WO2006103850A1 (ja) 導波路素子及びレーザ発生器
JPH06118211A (ja) 集積光学ミラーおよびその製造方法
EP0585102A1 (en) An optical device having two optical waveguides connected and a method of producing the same
JP4086260B2 (ja) 発光素子モジュール
JP2783817B2 (ja) 光導波路装置の製造方法
JP2002014247A (ja) 分布反射光導波路及びこれを含む光素子
JPH0711607B2 (ja) 光曲げ導波路
JPS607790A (ja) 半導体レ−ザ装置
JP2001004815A (ja) ビームスプリッタ
JPH0876070A (ja) 半導体光変調器
JPH0933339A (ja) 光監視方法および装置
JPH0458204A (ja) 光導波路の形成方法