JPH0543553U - 絶縁封止電子部品 - Google Patents

絶縁封止電子部品

Info

Publication number
JPH0543553U
JPH0543553U JP101020U JP10102091U JPH0543553U JP H0543553 U JPH0543553 U JP H0543553U JP 101020 U JP101020 U JP 101020U JP 10102091 U JP10102091 U JP 10102091U JP H0543553 U JPH0543553 U JP H0543553U
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
support plate
external lead
lead
external
sealing body
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP101020U
Other languages
English (en)
Other versions
JP2561470Y2 (ja
Inventor
隆昭 横山
正幸 柳沢
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sanken Electric Co Ltd
Original Assignee
Sanken Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sanken Electric Co Ltd filed Critical Sanken Electric Co Ltd
Priority to JP1991101020U priority Critical patent/JP2561470Y2/ja
Publication of JPH0543553U publication Critical patent/JPH0543553U/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2561470Y2 publication Critical patent/JP2561470Y2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/34Strap connectors, e.g. copper straps for grounding power devices; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/36Structure, shape, material or disposition of the strap connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/37Structure, shape, material or disposition of the strap connectors prior to the connecting process of an individual strap connector
    • H01L2224/37001Core members of the connector
    • H01L2224/37099Material
    • H01L2224/371Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/34Strap connectors, e.g. copper straps for grounding power devices; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/39Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process
    • H01L2224/40Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process of an individual strap connector
    • H01L2224/401Disposition
    • H01L2224/40151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/40221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/40245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181Encapsulation

Landscapes

  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 ダイオードの樹脂封止体の変形を防止する。 【構成】 ダイオードチップ3を金属支持板1上に固着
する。ダイオードチップ3の上面に接続部材5を介して
外部リード7を接続する。支持板1に外部リード7と同
一方向に延びる樹脂変形防止用突出部20を設ける。ダ
イオードチップ3、接続部材5、外部リード7の一部、
突出部20を被覆するように支持板1の上面側に樹脂封
止体8を設ける。

Description

【考案の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】
本考案は金属製支持板を一方の電極とし、支持板上の半導体チップに接続され た外部リードを他方の電極とするダイオード等の絶縁封止電子部品に関する。
【0002】
【従来の技術】
図1に示すように、金属製支持板1の上に半田2によってダイオードチップ3 の下面電極を固着し、この上面電極に半田4で板状接続部材5を固着し、この接 続部材5に半田6で板状外部リード7を接続し、ダイオードチップ3を保護樹脂 8aで覆い、支持板1の上面側のダイオードチップ3と接続部材5と外部リード 7の一部とを覆うように絶縁樹脂封止体8を設けたダイオードがある。このダイ オードは支持板1の下面が露出しているので、これを例えばアノード電極として 半田9で放熱フィン10に固着して使用する。
【0003】 ところで、このダイオードを製作する時には、図2に示すようなリードフレー ム11を使用する。このリードフレーム11は複数の支持板1と、複数の外部リ ード7と、連結部12、13、14とから成る。完成した図1のダイオードにお いて支持板1から直接に外部リードが導出されないので、外部リード7と同一方 向に延びる細条連結部14によって支持板1を中央の連結部13に結合する。こ の細条連結部14は組立後に図2の破線Lで示す位置で切断する。外部リード7 に対して直角な方向に延びる連結部12、13も切断する。支持板1を連結する ための細条連結部14の切断は、図3に示すように、ダイオードの支持板1側を 載置台16に載せ、刃17を矢印に示すように上から下に移動することによって 行う。載置台16と刃17とによるハサミの作用効果を得るためには、細条連結 部14の下面側に載置台16を接触させることが必要であり、細条連結部14の 少なくとも切断部近傍の下面は樹脂封止体8で被覆しない。
【0004】
【考案が解決しようとする課題】 図1に示すようにダイオードを放熱フィン10に固着した後に、外部リード7 の接続時等において図1で矢印の方向の外力が外部リード7に与えられると、樹 脂封止体8を支持板1の上面から剥離させる方向の引張の力が樹脂封止体8に作 用し、樹脂封止体8の僅かな変形又は剥離が生じる。この時、接続部材5の右端 が支点となるように樹脂封止体8が変形し、ダイオードチップ3が接続部材5で 押圧されるので、この押圧力が大きい場合にはダイオードチップ3の割れが生じ ることがある。比較的剛性の大きい板状金属片からなる接続部材5の代りに可撓 性を有するリード線を使用する場合には、ダイオードチップ3の割れの問題が生 じないが、リード線の切断又は樹脂封止体8の僅かな剥離が生じるおそれがある 。
【0005】 そこで本考案の目的は外部リードに大きな外力が加わっても絶縁封止体の変形 が生じにくい構造の絶縁封止電子部品を提供することにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するための本考案は、導電性の支持板と、前記支持板の一方の 主面に下面電極が固着された電子素子と、前記電子素子の上面電極に接続部材を 介して電気的に接続された外部リードと、少なくとも前記支持板の他方の主面と 前記外部リードの外部接続部は被覆せず、少なくとも前記電子素子と前記接続部 材と前記外部リードの一部は被覆している絶縁封止体とを備えた絶縁封止電子部 品において、平面的に見て前記外部リードに対して平行に延びる突出部が前記支 持板の前記外部リード側の端面に設けられており、且つ前記突出部が前記絶縁封 止体によって完全に被覆されていることを特徴とする絶縁封止電子部品に係わる ものである。
【0007】
【作用】
本考案に従う突出部は外部リードに対して平行に延び且つ支持板の外部リード 側の端から突出し且つ絶縁封止体で被覆されている。従って、絶縁封止体の外部 リード側の端部分の変形防止機能を有する。
【0008】
【実施例】
次に、図4〜図7を参照して本考案の実施例に係わる樹脂封止型ダイオード及 びその製造方法を説明する。但し、図4〜図7において図1〜図3と実質的に同 一部分には同一の符号を付してその説明を省略する。 この実施例のダイオードは従来例と同様に図4に示すリードフレーム11aを 使用して製造する。図4のリードフレーム11aは図2に示すリードフレーム1 1と同様に厚手の支持板1と、板状外部リード7と、板状連結部12、13、1 4を有する他に支持板1の外部リード7側の端面から突出している突出部20を 有する。この突出部20は外部リード7と同一方向に延びており且つ外部リード 7と細条連結部14との間に配置されている。また、この突出部20は図7に示 すように支持板1から上方に少し立上った後に外部リード方向に延びている。突 出部20、外部リード7及び連結リードとも呼ぶことができる細条連結部14及 び接続部材5は支持板1よりも肉薄に形成されているが、樹脂封止体8とほぼ同 等又はこれ以上の剛性を有する。
【0009】 支持板1には保護樹脂8aの流れ止め用溝21及び外部から電子素子としての ダイオードチップ3までの沿面距離増大及び樹脂封止体8の剥離防止機能を有す る溝22が形成されている。
【0010】 図4のリードフレームに対するダイオードチップ3の半田2による固着、ダイ オードチップ3の上面電極と外部リード7とに対する半田4、6による接続部材 5の固着、保護樹脂8aの形成、樹脂封止体8の形成、及び連結部12、13、 14の切断は図1及び図2に示すものと同様に行う。但し、完成したダイオード を示す図5〜図7から明らかなように、樹脂封止体8は金属製の支持板1に設け られた突出部20を完全に囲むようにトランスファモールド法で形成する。
【0011】 図7から明らかなように、支持板1に一体の突出部20が樹脂封止体8に埋設 され、且つ図5に示すように平面的に見て外部リード7に平行に延び且つ支持板 1の外部リード7が配置されている側の端面から突出し且つ外部リード7の両側 に配置されているので、樹脂封止体8の支持板1からはみ出している左側部分( 外部リード側部分)が突出部20によって機械的に補強されている。この結果、 支持板1を図1と同様に放熱フィンに固着した後に図6の矢印18に示す方向の 力を外部リード7に与えても、樹脂封止体8の変形が殆んど発生しない。このた め接続部分5がダイオードチップ3を破壊に至らしめるように押圧することもな い。 なお、図5に示すように細条連結部14の切断後の残在部14aが樹脂封止体 8から僅かに突出しているが、本考案に従う突出部20よりも更に外側に配置さ れているので、外部リード7との間の沿面距離が十分に大きくなっている。また 、図6に示すように外部リード7は上方に屈曲されている。この結果、支持板1 の取付面即ち放熱フィンから外部リード7の外部接続部までの距離が大きくなる 。
【0012】
【変形例】
本考案は上述の実施例に限定されるものでなく、例えば次の変形が可能なもの である。 (1) 細条連結部14の残在部14aの下面の一部を樹脂封止体8で被覆す ることができる。また、残在部14aの上面の一部又は全部を樹脂封止体8で被 覆することができる。 (2) 接続部材5を金属片とせずにリード線とすることができる。この場合 には突出部20の働きによる樹脂封止体8の変形防止により、リード線に無理な 力が加わらなくなり、この切断が防止される。 (3) ダイオード以外のトランジスタ、サイリスタ等の電子部品にも本考案 を適用することができる。
【0013】
【考案の効果】
上述から明らかなように本考案によれば、突出部によって樹脂封止体の変形を 防止し、電子部品の破壊又は特性劣化を防ぐことができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】従来のダイオードを放熱フィンに固着した状態
を示す断面図である。
【図2】従来のリードフレームを示す平面図である。
【図3】リードフレームの支持板連結部を切断する状態
を示す側面図である。
【図4】本考案の実施例に従うリードフレームを示す平
面図である。
【図5】実施例に従うダイオードの平面図である。
【図6】図5のA−A線断面図である。
【図7】図5のB−B線断面図である。
【符号の説明】
1 支持板 3 ダイオードチップ 5 接続部材 7 外部リード 8 樹脂封止体 20 突出部

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 【請求項1】 導電性の支持板と、 前記支持板の一方の主面に下面電極が固着された電子素
    子と、 前記電子素子の上面電極に接続部材を介して電気的に接
    続された外部リードと、少なくとも前記支持板の他方の
    主面と前記外部リードの外部接続部は被覆せず、少なく
    とも前記電子素子と前記接続部材と前記外部リードの一
    部は被覆している絶縁封止体とを備えた絶縁封止電子部
    品において、 平面的に見て前記外部リードに対して平行に延びる突出
    部が前記支持板の前記外部リード側の端面に設けられて
    おり、且つ前記突出部が前記絶縁封止体によって完全に
    被覆されていることを特徴とする絶縁封止電子部品。
JP1991101020U 1991-11-12 1991-11-12 絶縁封止電子部品 Expired - Fee Related JP2561470Y2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1991101020U JP2561470Y2 (ja) 1991-11-12 1991-11-12 絶縁封止電子部品

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1991101020U JP2561470Y2 (ja) 1991-11-12 1991-11-12 絶縁封止電子部品

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH0543553U true JPH0543553U (ja) 1993-06-11
JP2561470Y2 JP2561470Y2 (ja) 1998-01-28

Family

ID=14289524

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP1991101020U Expired - Fee Related JP2561470Y2 (ja) 1991-11-12 1991-11-12 絶縁封止電子部品

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2561470Y2 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012182253A (ja) * 2011-02-28 2012-09-20 Sanken Electric Co Ltd 半導体装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012182253A (ja) * 2011-02-28 2012-09-20 Sanken Electric Co Ltd 半導体装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP2561470Y2 (ja) 1998-01-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7642640B2 (en) Semiconductor device and manufacturing process thereof
JP3740117B2 (ja) 電力用半導体装置
US8183094B2 (en) Method of manufacturing a semiconductor device having a semiconductor chip and resin sealing portion
US5635427A (en) Method for assembling a pressure contact semiconductor device in a flat package
US20080054438A1 (en) Semiconductor package structure having multiple heat dissipation paths and method of manufacture
EP0746023A2 (en) Multichip press-contact type semiconductor device
GB2318683A (en) Surface mount semiconductor package
US7375424B2 (en) Wirebonded device packages for semiconductor devices having elongated electrodes
JP2001156219A (ja) 半導体装置
JP6705394B2 (ja) 半導体モジュールおよびインバータ装置
US11244889B2 (en) Semiconductor device
WO2020241346A1 (ja) 半導体装置
EP0418891B1 (en) Moulded plastic power semiconductor device
JP2000323593A (ja) 半導体装置
US7651339B2 (en) Electrical terminal
JP3601529B2 (ja) 半導体装置
JP2015122453A (ja) パワーモジュール
JP2013214596A (ja) 半導体デバイス
JP2561470Y2 (ja) 絶縁封止電子部品
JPH0322925Y2 (ja)
JP2000299419A (ja) 半導体装置
JPH06302734A (ja) 電力用半導体モジュール
US20240007014A1 (en) Power conversion device
JP2002076259A (ja) パワーモジュール
JPH0617249U (ja) 半導体装置

Legal Events

Date Code Title Description
R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees