JPH0543238A - 高光線透過性防塵膜、その製造方法および防塵体 - Google Patents
高光線透過性防塵膜、その製造方法および防塵体Info
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- JPH0543238A JPH0543238A JP26795691A JP26795691A JPH0543238A JP H0543238 A JPH0543238 A JP H0543238A JP 26795691 A JP26795691 A JP 26795691A JP 26795691 A JP26795691 A JP 26795691A JP H0543238 A JPH0543238 A JP H0543238A
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- Silicon Compounds (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 柔軟性があって、ｇ線、ｉ線はもちろんのこ
と、エキシマレーザー等の短波長光を長期間照射しても
光分解を起さず、かつ高い光線透過率を有する高光線透
過性防塵膜を得る。またこのような防塵膜を短時間で簡
単に製造する。 【構成】 加水分解可能な有機金属化合物、金属酸化物
の微粒子、金属水酸化物の微粒子、金属塩化物および金
属硝酸塩からなる群から選ばれる少なくとも一種を含有
するゾルを調製し、このゾルから膜状のゲルを形成し、
得られたゲルを１０℃ないし５００℃の温度で乾燥して
高光線透過性防塵膜を製造する。このようにして得られ
た防塵膜に、さらに反射防止膜を形成してもよい。
と、エキシマレーザー等の短波長光を長期間照射しても
光分解を起さず、かつ高い光線透過率を有する高光線透
過性防塵膜を得る。またこのような防塵膜を短時間で簡
単に製造する。 【構成】 加水分解可能な有機金属化合物、金属酸化物
の微粒子、金属水酸化物の微粒子、金属塩化物および金
属硝酸塩からなる群から選ばれる少なくとも一種を含有
するゾルを調製し、このゾルから膜状のゲルを形成し、
得られたゲルを１０℃ないし５００℃の温度で乾燥して
高光線透過性防塵膜を製造する。このようにして得られ
た防塵膜に、さらに反射防止膜を形成してもよい。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＩＣ、ＬＳＩ等の半導
体素子の製造工程におけるフォトリソグラフィ工程で使
用するフォトマスクやレチクル等（以下、単にマスク等
という）に、塵埃等の異物が付着することを防止するた
めに使用する防塵膜、その製造方法および防塵体に関す
る。
体素子の製造工程におけるフォトリソグラフィ工程で使
用するフォトマスクやレチクル等（以下、単にマスク等
という）に、塵埃等の異物が付着することを防止するた
めに使用する防塵膜、その製造方法および防塵体に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】フォトリソグラフィ工程では、ガラス板
表面にクロム等の蒸着膜で回路パターンを形成したマス
ク等を使用し、その回路パターンをレジストを塗布した
シリコンウエハー上に転写する作業が行われている。こ
の工程ではマスク等上の回路パターンに塵埃等の異物が
付着した状態で露光を行うと、ウエハー上にも上記異物
が転写され、不良製品となる。ことに前記露光をステッ
パーで行う場合には、ウエハー上に形成される全てのチ
ップが不良となる可能性が高くなり、マスク等の回路パ
ターンへの異物の付着は大きな問題である。この問題を
解消するため、近年、マスク等のマスク基板の片面また
は両面に透明な光線透過性防塵膜（ペリクル膜）を適当
な間隔を置いて配置する防塵体（ペリクル）が使用され
ている。
表面にクロム等の蒸着膜で回路パターンを形成したマス
ク等を使用し、その回路パターンをレジストを塗布した
シリコンウエハー上に転写する作業が行われている。こ
の工程ではマスク等上の回路パターンに塵埃等の異物が
付着した状態で露光を行うと、ウエハー上にも上記異物
が転写され、不良製品となる。ことに前記露光をステッ
パーで行う場合には、ウエハー上に形成される全てのチ
ップが不良となる可能性が高くなり、マスク等の回路パ
ターンへの異物の付着は大きな問題である。この問題を
解消するため、近年、マスク等のマスク基板の片面また
は両面に透明な光線透過性防塵膜（ペリクル膜）を適当
な間隔を置いて配置する防塵体（ペリクル）が使用され
ている。
【０００３】この防塵体は、一般にアルミニウム製の保
持枠の一側面にニトロセルロース等からなる有機物の透
明な光線透過性防塵膜を張設したもので、他側端面に両
面粘着テープを貼着してマスク等のマスク基板上に取付
けられるようになっている。これによれば、外部からの
異物の侵入を防ぐことができ、また仮に膜上に異物が付
着してもウエハー上には転写されず、半導体素子製造時
の歩留りが向上する。
持枠の一側面にニトロセルロース等からなる有機物の透
明な光線透過性防塵膜を張設したもので、他側端面に両
面粘着テープを貼着してマスク等のマスク基板上に取付
けられるようになっている。これによれば、外部からの
異物の侵入を防ぐことができ、また仮に膜上に異物が付
着してもウエハー上には転写されず、半導体素子製造時
の歩留りが向上する。
【０００４】ところが半導体素子の集積度の向上に伴
い、露光時の光線がｇ線（４３６ｎｍ）からｉ線（３６
５ｎｍ）、さらにエキシマレーザー（２４８ｎｍ）へ
と、短波長へシフトしているため、従来のニトロセルロ
ース等の有機物だけからなる光線透過性防塵膜は分子の
結合状態が弱く、膜内で光分解を起こし、膜自体の不透
明化、膜の機械的強度の劣化が起こり、実用に耐えない
という問題点がある。
い、露光時の光線がｇ線（４３６ｎｍ）からｉ線（３６
５ｎｍ）、さらにエキシマレーザー（２４８ｎｍ）へ
と、短波長へシフトしているため、従来のニトロセルロ
ース等の有機物だけからなる光線透過性防塵膜は分子の
結合状態が弱く、膜内で光分解を起こし、膜自体の不透
明化、膜の機械的強度の劣化が起こり、実用に耐えない
という問題点がある。
【０００５】このような問題点を解決するため、分子の
結合が強く光分解を起しにくい合成石英ガラス、石英ガ
ラス、蛍石等の無機物からなる光線透過性防塵膜も提案
されている（特開昭６２−２８８８４２号、同６３−６
５５３号）。しかし上記無機物から薄膜を製膜する場
合、膜に柔軟性がないため、有機物から薄膜を製膜する
場合に比べて単独膜化が難しいという問題点がある。
結合が強く光分解を起しにくい合成石英ガラス、石英ガ
ラス、蛍石等の無機物からなる光線透過性防塵膜も提案
されている（特開昭６２−２８８８４２号、同６３−６
５５３号）。しかし上記無機物から薄膜を製膜する場
合、膜に柔軟性がないため、有機物から薄膜を製膜する
場合に比べて単独膜化が難しいという問題点がある。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、上記
のような問題点を解決するため、柔軟性があって、ｇ
線、ｉ線はもちろんのこと、エキシマレーザー等の短波
長光を長期間照射しても光分解を起さず、かつ高い光線
透過率を有する高光線透過性防塵膜を提供することであ
る。
のような問題点を解決するため、柔軟性があって、ｇ
線、ｉ線はもちろんのこと、エキシマレーザー等の短波
長光を長期間照射しても光分解を起さず、かつ高い光線
透過率を有する高光線透過性防塵膜を提供することであ
る。
【０００７】また本発明の他の目的は、上記のような優
れた性質を有する高光線透過性防塵膜を短時間で簡単に
製造する方法を提案することである。さらに本発明の別
の目的は、上記のような優れた性質を有する高光線透過
性防塵膜からなる防塵体を提供することである。
れた性質を有する高光線透過性防塵膜を短時間で簡単に
製造する方法を提案することである。さらに本発明の別
の目的は、上記のような優れた性質を有する高光線透過
性防塵膜からなる防塵体を提供することである。
【０００８】
で表わされる化合物である上記（７）または（８）記載
の高光線透過性防塵膜の製造方法。 （１４） 上記（１）ないし（６）のいずれかに記載の
高光線透過性防塵膜と保持枠とからなる防塵体。
の高光線透過性防塵膜の製造方法。 （１４） 上記（１）ないし（６）のいずれかに記載の
高光線透過性防塵膜と保持枠とからなる防塵体。
【０００９】本発明の高光線透過性防塵膜は、金属酸化
物、金属水酸化物、有機基含有金属酸化物および有機基
含有金属水酸化物からなる群から選ばれる少なくとも一
種を含有する透明なゲルからなるものであり、金属とし
ては、ケイ素、アルミニウム、チタンおよびジルコニウ
ムからなる群から選ばれる少なくとも一種の多価金属が
好適である。これらの中では有機基含有金属酸化物また
は有機基含有金属水酸化物を含有するゲルが好ましい。
物、金属水酸化物、有機基含有金属酸化物および有機基
含有金属水酸化物からなる群から選ばれる少なくとも一
種を含有する透明なゲルからなるものであり、金属とし
ては、ケイ素、アルミニウム、チタンおよびジルコニウ
ムからなる群から選ばれる少なくとも一種の多価金属が
好適である。これらの中では有機基含有金属酸化物また
は有機基含有金属水酸化物を含有するゲルが好ましい。
【００１０】本発明において、ゲルを構成する金属酸化
物とは、分子中にＹ−Ｏ−Ｙ結合〔Ｙは金属〕を有する
化合物である。金属水酸化物とは、分子中にＹ−ＯＨ結
合〔Ｙは金属〕を有する化合物である。また有機基含有
金属酸化物とは、分子中に有機基およびＹ−Ｏ−Ｙ結合
〔Ｙは金属〕を有する化合物である。そして有機基含有
金属水酸化物とは、分子中に有機基およびＹ−ＯＨ結合
〔Ｙは金属〕を有する化合物である。ここで有機基と
は、前記Ｒで表わされる基が主であるが、一部残留する
アルコキシド、カルボキシレート等が含まれる場合があ
る。Ｒとしては、例えばメチル基、エチル基等が例示で
きる。
物とは、分子中にＹ−Ｏ−Ｙ結合〔Ｙは金属〕を有する
化合物である。金属水酸化物とは、分子中にＹ−ＯＨ結
合〔Ｙは金属〕を有する化合物である。また有機基含有
金属酸化物とは、分子中に有機基およびＹ−Ｏ−Ｙ結合
〔Ｙは金属〕を有する化合物である。そして有機基含有
金属水酸化物とは、分子中に有機基およびＹ−ＯＨ結合
〔Ｙは金属〕を有する化合物である。ここで有機基と
は、前記Ｒで表わされる基が主であるが、一部残留する
アルコキシド、カルボキシレート等が含まれる場合があ
る。Ｒとしては、例えばメチル基、エチル基等が例示で
きる。
【００１１】本発明で用いるゲルとしては、ゾルゲル法
により製造されたゲルが好ましく使用できる。これらの
ゲルは溶媒を含んでいてもよい。金属酸化物または金属
水酸化物ゲルの場合は溶媒を含んでいることが特に好ま
しい。
により製造されたゲルが好ましく使用できる。これらの
ゲルは溶媒を含んでいてもよい。金属酸化物または金属
水酸化物ゲルの場合は溶媒を含んでいることが特に好ま
しい。
【００１２】従来ゾルゲル法により防塵体等に使用する
薄膜を形成する場合は、形成されたゲルを高温で加熱し
て無機質化しているが、本発明ではゲルを１０℃ないし
５００℃、特に１０℃ないし５００℃の温度であって、
かつゾルの調製に用いた溶媒の沸点以下の温度で乾燥す
ることにより、有機質および無機質が共存する状態を保
つか、あるいは溶媒を含んだ状態としている。
薄膜を形成する場合は、形成されたゲルを高温で加熱し
て無機質化しているが、本発明ではゲルを１０℃ないし
５００℃、特に１０℃ないし５００℃の温度であって、
かつゾルの調製に用いた溶媒の沸点以下の温度で乾燥す
ることにより、有機質および無機質が共存する状態を保
つか、あるいは溶媒を含んだ状態としている。
【００１３】このような有機質と無機質の共存する状態
を保った膜あるいは溶媒を含む膜は、従来の有機質膜と
無機質膜の中間の性質を有するので、有機質膜のように
光分解により劣化が進行しないため、光線透過率の低下
や機械的強度の低下が起こらず、また無機質膜よりも柔
軟性があるため単独膜化が容易である。
を保った膜あるいは溶媒を含む膜は、従来の有機質膜と
無機質膜の中間の性質を有するので、有機質膜のように
光分解により劣化が進行しないため、光線透過率の低下
や機械的強度の低下が起こらず、また無機質膜よりも柔
軟性があるため単独膜化が容易である。
【００１４】以下、本発明の高光線透過性防塵膜および
この防塵膜を保持枠に張設した防塵体を図面を用いて説
明する。
この防塵膜を保持枠に張設した防塵体を図面を用いて説
明する。
【００１５】図１は本発明の防塵体の一例を示す断面図
である。図において、１は防塵体で、保持枠２の一側面
に高光線透過性防塵膜３が張設され、それとは反対側の
側面は両面粘着テープ４等によりマスク等のマスク基板
５に装着されるようになっている。このような構成の防
塵体１は、半導体素子の製造工程でマスク基板５上に塵
埃等の異物が付着するのを防いでいる。
である。図において、１は防塵体で、保持枠２の一側面
に高光線透過性防塵膜３が張設され、それとは反対側の
側面は両面粘着テープ４等によりマスク等のマスク基板
５に装着されるようになっている。このような構成の防
塵体１は、半導体素子の製造工程でマスク基板５上に塵
埃等の異物が付着するのを防いでいる。
【００１６】図２は高光線透過性防塵膜３の一部の断面
図である。高光線透過性防塵膜３は、図２（ａ）ではゾ
ルゲル法により形成されるゲルからなるゲル膜６の単独
膜からなるが、図２（ｂ）および（ｃ）ではゲル膜６の
上に反射防止膜７が積層されている。反射防止膜７は図
２（ｂ）では単層であるが、図２（ｃ）ではゲル膜６の
上に高屈折率膜７ａ、さらにその上に低屈折率膜７ｂを
積層して複層に積層されている。
図である。高光線透過性防塵膜３は、図２（ａ）ではゾ
ルゲル法により形成されるゲルからなるゲル膜６の単独
膜からなるが、図２（ｂ）および（ｃ）ではゲル膜６の
上に反射防止膜７が積層されている。反射防止膜７は図
２（ｂ）では単層であるが、図２（ｃ）ではゲル膜６の
上に高屈折率膜７ａ、さらにその上に低屈折率膜７ｂを
積層して複層に積層されている。
【００１７】ゲル膜６は、ｇ線、ｉ線はもちろんのこ
と、エキシマレーザー等の短波長光でも、光線透過性が
よく、光線吸収もほとんどないので、長時間の光照射に
対しても光分解を起こさず、従って光線透過率および機
械的強度が低下しない。また柔軟性があり、かつ高い光
線透過率を有する。
と、エキシマレーザー等の短波長光でも、光線透過性が
よく、光線吸収もほとんどないので、長時間の光照射に
対しても光分解を起こさず、従って光線透過率および機
械的強度が低下しない。また柔軟性があり、かつ高い光
線透過率を有する。
【００１８】高光線透過性防塵膜３を構成するゲル膜６
の厚さは、好ましくは０．２ないし１０μｍで、２４０
ないし５００ｎｍの光を平均光線透過率で８５％以上透
過するものである。
の厚さは、好ましくは０．２ないし１０μｍで、２４０
ないし５００ｎｍの光を平均光線透過率で８５％以上透
過するものである。
【００１９】ここで平均光線透過率とは、２４０ないし
５００ｎｍの間で起こる光線透過率の干渉波の山部と谷
部をとり平均した値である。ゲル膜６の膜厚としては、
前記１０μｍよりもさらに薄い方が好ましいが、一般に
０．２μｍ未満の場合には十分な強度が得られないこと
が多い。しかし、強度の点で問題がなければこの数値未
満の膜厚であってもよいことはもちろんである。一方、
膜厚が１０μｍを超えてもよいが、露光時の光収差の増
大等を考慮すると、１０μｍ以下であることが好まし
い。すなわち、膜厚が１０μｍを超える場合、エキシマ
レーザー等の短波長光を用いた露光工程ではこの高光線
透過性膜が原因となる光収差を生じ、露光時において半
導体ウエハー上への微細パターンの再現に支障を来す可
能性があるためである。
５００ｎｍの間で起こる光線透過率の干渉波の山部と谷
部をとり平均した値である。ゲル膜６の膜厚としては、
前記１０μｍよりもさらに薄い方が好ましいが、一般に
０．２μｍ未満の場合には十分な強度が得られないこと
が多い。しかし、強度の点で問題がなければこの数値未
満の膜厚であってもよいことはもちろんである。一方、
膜厚が１０μｍを超えてもよいが、露光時の光収差の増
大等を考慮すると、１０μｍ以下であることが好まし
い。すなわち、膜厚が１０μｍを超える場合、エキシマ
レーザー等の短波長光を用いた露光工程ではこの高光線
透過性膜が原因となる光収差を生じ、露光時において半
導体ウエハー上への微細パターンの再現に支障を来す可
能性があるためである。
【００２０】ゲル膜６の膜厚は、露光に使用する波長に
対して透過率が高くなるように選択する。図２（ａ）の
ように、高光線透過性防塵膜３がゲル膜６の単独膜から
なる場合、ゲル膜６の膜厚をｄ1、使用される波長での
屈折率をｎ1、使用される波長をλとした場合、 ｄ1＝ｍλ／２ｎ1 ・・・・・・〔７〕 （ただし、ｍは１以上の整数）のとき反射が防止され、
透過率が最高になる。例えばｎ1＝１．３の場合は、ｇ
線（４３６ｎｍ）の透過率を高くするには、膜厚ｄ1を
例えば１．００６μｍとし、エキシマレーザー（２４８
ｎｍ）の透過率を高くするには、膜厚ｄ1を例えば０．
９５４μｍにする。
対して透過率が高くなるように選択する。図２（ａ）の
ように、高光線透過性防塵膜３がゲル膜６の単独膜から
なる場合、ゲル膜６の膜厚をｄ1、使用される波長での
屈折率をｎ1、使用される波長をλとした場合、 ｄ1＝ｍλ／２ｎ1 ・・・・・・〔７〕 （ただし、ｍは１以上の整数）のとき反射が防止され、
透過率が最高になる。例えばｎ1＝１．３の場合は、ｇ
線（４３６ｎｍ）の透過率を高くするには、膜厚ｄ1を
例えば１．００６μｍとし、エキシマレーザー（２４８
ｎｍ）の透過率を高くするには、膜厚ｄ1を例えば０．
９５４μｍにする。
【００２１】目的とする厚さのゲル膜６が得られなかっ
たために透過率が低下するのを防いだり、あるいは波長
の変化に対する透過率の変動を防止するためには、図２
（ｂ）、（ｃ）のように、ゲル膜６の上に反射防止膜７
を積層形成する。これによりゲル膜６の厚さおよび波長
の変動は透過率に影響しにくくなり、膜厚のバラツキは
許容されるので好ましい。
たために透過率が低下するのを防いだり、あるいは波長
の変化に対する透過率の変動を防止するためには、図２
（ｂ）、（ｃ）のように、ゲル膜６の上に反射防止膜７
を積層形成する。これによりゲル膜６の厚さおよび波長
の変動は透過率に影響しにくくなり、膜厚のバラツキは
許容されるので好ましい。
【００２２】図２（ｂ）のような反射防止膜７が単層の
場合、ゲル膜６の使用される波長での屈折率をｎ1、反
射防止膜７の使用される波長での屈折率をｎ2、反射防
止膜７の厚さをｄ2とした場合、
場合、ゲル膜６の使用される波長での屈折率をｎ1、反
射防止膜７の使用される波長での屈折率をｎ2、反射防
止膜７の厚さをｄ2とした場合、
【数１】 の式〔８〕および
〔９〕の両式を満たす屈折率と膜厚を
選択すると反射が防止され、透過率が最高になる。ま
た、反射防止膜７はゲル膜６の片面にだけ積層すること
もできる。この場合、片面の膜厚をｄ2とする。
選択すると反射が防止され、透過率が最高になる。ま
た、反射防止膜７はゲル膜６の片面にだけ積層すること
もできる。この場合、片面の膜厚をｄ2とする。
【００２３】ゲル膜６の屈折率ｎ1は通常１．３〜１．
６程度である。したがって、前記式〔８〕を満たす屈折
率ｎ2を有する物質、すなわちｎ2が１．１４〜１．２６
程度の屈折率を有する物質を積層すればよいことにな
る。
６程度である。したがって、前記式〔８〕を満たす屈折
率ｎ2を有する物質、すなわちｎ2が１．１４〜１．２６
程度の屈折率を有する物質を積層すればよいことにな
る。
【００２４】図２（ｃ）のような反射防止膜７が高屈折
率膜７ａおよび低屈折率膜７ｂからなっている場合、ゲ
ル膜６の使用される波長での屈折率をｎ1、高屈折率膜
７ａの使用される波長での屈折率をｎ2、その膜厚を
ｄ2、低屈折率膜７ｂの使用される波長での屈折率を
ｎ3、その膜厚をｄ3とした場合、
率膜７ａおよび低屈折率膜７ｂからなっている場合、ゲ
ル膜６の使用される波長での屈折率をｎ1、高屈折率膜
７ａの使用される波長での屈折率をｎ2、その膜厚を
ｄ2、低屈折率膜７ｂの使用される波長での屈折率を
ｎ3、その膜厚をｄ3とした場合、
【数２】 の式〔１０〕、〔１１〕および〔１２〕の３つの式を満
たす屈折率と膜厚を選択すると反射が完全に防止され、
透過率は高くなる。また、高屈折率膜７ａおよび低屈折
率膜７ｂはゲル膜６の片面にだけ積層することもでき
る。この場合、片面の膜厚をｄ2、ｄ3とする。
たす屈折率と膜厚を選択すると反射が完全に防止され、
透過率は高くなる。また、高屈折率膜７ａおよび低屈折
率膜７ｂはゲル膜６の片面にだけ積層することもでき
る。この場合、片面の膜厚をｄ2、ｄ3とする。
【００２５】ゲル膜６は次のようなゾルゲル法により製
造することができる。すなわち、適当な溶媒に出発原料
を溶解または分散してゾルを調製し、このゾルからゲル
薄膜を形成し、これを前記温度で乾燥して有機質と無機
質の共存するゲル膜６または溶媒を含むゲル膜６を得
る。出発原料としては、前記一般式〔１〕ないし〔６〕
で表わされる加水分解可能な有機金属化合物およびこの
化合物のオリゴマーやポリマー、金属酸化物の微粒子、
金属水酸化物の微粒子、金属塩化物および金属硝酸塩等
をあげることができる。これらの中では前記一般式
〔１〕で表わされる加水分解可能な有機金属化合物およ
びこの化合物のオリゴマーやポリマーが好ましい。これ
らの化合物を形成する金属、すなわち前記一般式〔１〕
ないし〔６〕のＹとしてはケイ素、アルミニウム、チタ
ンおよびジルコニウム等をあげることができる。これら
の中ではケイ素が好ましい。
造することができる。すなわち、適当な溶媒に出発原料
を溶解または分散してゾルを調製し、このゾルからゲル
薄膜を形成し、これを前記温度で乾燥して有機質と無機
質の共存するゲル膜６または溶媒を含むゲル膜６を得
る。出発原料としては、前記一般式〔１〕ないし〔６〕
で表わされる加水分解可能な有機金属化合物およびこの
化合物のオリゴマーやポリマー、金属酸化物の微粒子、
金属水酸化物の微粒子、金属塩化物および金属硝酸塩等
をあげることができる。これらの中では前記一般式
〔１〕で表わされる加水分解可能な有機金属化合物およ
びこの化合物のオリゴマーやポリマーが好ましい。これ
らの化合物を形成する金属、すなわち前記一般式〔１〕
ないし〔６〕のＹとしてはケイ素、アルミニウム、チタ
ンおよびジルコニウム等をあげることができる。これら
の中ではケイ素が好ましい。
【００２６】前記一般式〔１〕のＡとしては、メトキシ
基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基およびエト
キシエトキシ基等の炭素数４以下のアルコキシ基；酢酸
オキシ基、オクチル酸オキシ基等の炭素数３ないし１７
のアシルオキシ基などをあげることができる。
基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基およびエト
キシエトキシ基等の炭素数４以下のアルコキシ基；酢酸
オキシ基、オクチル酸オキシ基等の炭素数３ないし１７
のアシルオキシ基などをあげることができる。
【００２７】前記一般式〔１〕のＲは金属原子Ｙに直接
結合しており、加水分解されることなく、ゲル膜中に残
留する有機基である。このような有機基の具体的なもの
としては、例えばメチル基、エチル基、プロピル基およ
びブチル基等の炭素数１ないし１８のアルキル基；ビニ
ル基、アリル（ａｌｌｙｌ）基等の炭素数２ないし６の
アルケニル基；シクロヘキシル基等の炭素数６ないし１
０のシクロアルキル基；フェニル基、トリル基、エチル
フェニル基、ナフチル基等の炭素数６ないし１０のアリ
ール（ａｒｙｌ）基；これらの炭化水素基にフッ素原
子、塩素原子等のハロゲン原子、パーフルオロアルキル
基、アルコキシ基、パーフルオロアルコキシ基等が置換
した置換基を有する炭化水素基などをあげることができ
る。
結合しており、加水分解されることなく、ゲル膜中に残
留する有機基である。このような有機基の具体的なもの
としては、例えばメチル基、エチル基、プロピル基およ
びブチル基等の炭素数１ないし１８のアルキル基；ビニ
ル基、アリル（ａｌｌｙｌ）基等の炭素数２ないし６の
アルケニル基；シクロヘキシル基等の炭素数６ないし１
０のシクロアルキル基；フェニル基、トリル基、エチル
フェニル基、ナフチル基等の炭素数６ないし１０のアリ
ール（ａｒｙｌ）基；これらの炭化水素基にフッ素原
子、塩素原子等のハロゲン原子、パーフルオロアルキル
基、アルコキシ基、パーフルオロアルコキシ基等が置換
した置換基を有する炭化水素基などをあげることができ
る。
【００２８】前記一般式〔１〕で表わされる加水分解可
能な有機金属化合物のうち、ｎが０の具体的なものとし
ては、例えばテトラメトキシシラン（Ｓｉ｛ＯＣ
Ｈ3｝4）、テトラエトキシシラン（Ｓｉ｛ＯＣ
2Ｈ5｝4）、アルミニウムイソプロポキシド（Ａｌ｛Ｏ
ＣＨ［ＣＨ3］2｝3）、チタンイソプロポキシド（Ｔｉ
｛ＯＣＨ［ＣＨ3］2｝4）、ジルコニウムプロポキシド
（Ｚｒ｛ＯＣ3Ｈ7｝4）等のアルコキシド；オクチル酸
ケイ素（Ｓｉ｛Ｃ7Ｈ15ＣＯＯ｝4）、オクチル酸アルミ
ニウム（Ａｌ｛Ｃ7Ｈ15ＣＯＯ｝3）等の有機酸金属塩な
どをあげることができるが、これらの例に限定されな
い。
能な有機金属化合物のうち、ｎが０の具体的なものとし
ては、例えばテトラメトキシシラン（Ｓｉ｛ＯＣ
Ｈ3｝4）、テトラエトキシシラン（Ｓｉ｛ＯＣ
2Ｈ5｝4）、アルミニウムイソプロポキシド（Ａｌ｛Ｏ
ＣＨ［ＣＨ3］2｝3）、チタンイソプロポキシド（Ｔｉ
｛ＯＣＨ［ＣＨ3］2｝4）、ジルコニウムプロポキシド
（Ｚｒ｛ＯＣ3Ｈ7｝4）等のアルコキシド；オクチル酸
ケイ素（Ｓｉ｛Ｃ7Ｈ15ＣＯＯ｝4）、オクチル酸アルミ
ニウム（Ａｌ｛Ｃ7Ｈ15ＣＯＯ｝3）等の有機酸金属塩な
どをあげることができるが、これらの例に限定されな
い。
【００２９】前記一般式〔１〕で表わされる加水分解可
能な有機金属化合物のうち、ｎが１以上の具体的なもの
としては、例えばモノメチルトリエトキシシラン（ＣＨ
3Ｓｉ｛ＯＣ2Ｈ5｝3）、ジメチルジエトキシシラン
（｛ＣＨ3｝2Ｓｉ｛ＯＣ2Ｈ5｝2）、モノエチルトリエ
トキシシラン（Ｃ2Ｈ5Ｓｉ｛ＯＣ2Ｈ5｝3）、モノプロ
ピルトリエトキシシラン（Ｃ3Ｈ7Ｓｉ｛ＯＣ
2Ｈ5｝3）、ジフェニルジエトキシシラン（｛Ｃ6Ｈ5｝2
Ｓｉ｛ＯＣ2Ｈ5｝2）およびビニルトリエトキシシラン
（ＣＨ 2＝ＣＨＳｉ｛ＯＣ2Ｈ5｝3）等をあげることがで
きる。
能な有機金属化合物のうち、ｎが１以上の具体的なもの
としては、例えばモノメチルトリエトキシシラン（ＣＨ
3Ｓｉ｛ＯＣ2Ｈ5｝3）、ジメチルジエトキシシラン
（｛ＣＨ3｝2Ｓｉ｛ＯＣ2Ｈ5｝2）、モノエチルトリエ
トキシシラン（Ｃ2Ｈ5Ｓｉ｛ＯＣ2Ｈ5｝3）、モノプロ
ピルトリエトキシシラン（Ｃ3Ｈ7Ｓｉ｛ＯＣ
2Ｈ5｝3）、ジフェニルジエトキシシラン（｛Ｃ6Ｈ5｝2
Ｓｉ｛ＯＣ2Ｈ5｝2）およびビニルトリエトキシシラン
（ＣＨ 2＝ＣＨＳｉ｛ＯＣ2Ｈ5｝3）等をあげることがで
きる。
【００３０】前記一般式〔１〕で表わされる加水分解可
能な有機金属化合物としては、加水分解しない有機基Ｒ
を有しているものが好ましく、このような化合物を単独
でまたは他の化合物と組合せて用いると、ゲル膜中に加
水分解しない有機基Ｒが残留するため、柔軟性および強
靱性に優れたゲル膜が得られるので好ましい。例えば、
出発原料としてジメチルジエトキシシランとテトラエト
キシシランを組合せて使用した場合は、シロキサン基、
シラノール基およびオルガノシリル基（≡Ｓｉ−Ｃ
Ｈ3）等を有するゲル膜が得られる。
能な有機金属化合物としては、加水分解しない有機基Ｒ
を有しているものが好ましく、このような化合物を単独
でまたは他の化合物と組合せて用いると、ゲル膜中に加
水分解しない有機基Ｒが残留するため、柔軟性および強
靱性に優れたゲル膜が得られるので好ましい。例えば、
出発原料としてジメチルジエトキシシランとテトラエト
キシシランを組合せて使用した場合は、シロキサン基、
シラノール基およびオルガノシリル基（≡Ｓｉ−Ｃ
Ｈ3）等を有するゲル膜が得られる。
【００３１】前記一般式〔２〕または〔３〕で表わされ
る金属酸化物または金属水酸化物の微粒子（コロイド粒
子）としては、加水分解法による有機金属化合物の加水
分解、縮合により製造されるもの、有機金属化合物また
は金属塩化物等の火炎加水分解により製造されるものな
どを使用することができる。
る金属酸化物または金属水酸化物の微粒子（コロイド粒
子）としては、加水分解法による有機金属化合物の加水
分解、縮合により製造されるもの、有機金属化合物また
は金属塩化物等の火炎加水分解により製造されるものな
どを使用することができる。
【００３２】前記一般式〔２〕で表わされる金属酸化物
の微粒子の具体的なものとしては、例えば四塩化ケイ素
（ＳｉＣｌ4）の蒸気を酸水素炎中で分解して得られる
二酸化ケイ素（ＳｉＯ2）等をあげることができる。
の微粒子の具体的なものとしては、例えば四塩化ケイ素
（ＳｉＣｌ4）の蒸気を酸水素炎中で分解して得られる
二酸化ケイ素（ＳｉＯ2）等をあげることができる。
【００３３】前記一般式〔３〕で表わされる金属水酸化
物の微粒子の具体的なものとしては、例えばアルミニウ
ムイソプロポキシドを水溶液中で加水分解して得られる
水酸化アルミニウム〔Ａｌ（ＯＨ）3〕等をあげること
ができる。
物の微粒子の具体的なものとしては、例えばアルミニウ
ムイソプロポキシドを水溶液中で加水分解して得られる
水酸化アルミニウム〔Ａｌ（ＯＨ）3〕等をあげること
ができる。
【００３４】上記金属酸化物の微粒子または金属水酸化
物の微粒子の粒径は、０．２μｍ以下が好ましく、０．
０５μｍ以下が特に好ましい。
物の微粒子の粒径は、０．２μｍ以下が好ましく、０．
０５μｍ以下が特に好ましい。
【００３５】前記一般式〔４〕で表わされる金属塩化物
の具体的なものとしては、例えば塩化アルミニウム（Ａ
ｌＣｌ3）等をあげることができる。
の具体的なものとしては、例えば塩化アルミニウム（Ａ
ｌＣｌ3）等をあげることができる。
【００３６】前記一般式〔５〕または〔６〕で表わされ
る金属硝酸塩の具体的なものとしては、例えば硝酸アル
ミニウム９水和物（Ａｌ（ＮＯ3）3・９Ｈ2Ｏ）、硝酸
ジルコニル２水和物（ＺｒＯ（ＮＯ3）2・２Ｈ2Ｏ）等
をあげることができる。
る金属硝酸塩の具体的なものとしては、例えば硝酸アル
ミニウム９水和物（Ａｌ（ＮＯ3）3・９Ｈ2Ｏ）、硝酸
ジルコニル２水和物（ＺｒＯ（ＮＯ3）2・２Ｈ2Ｏ）等
をあげることができる。
【００３７】これらの出発原料は１種単独で使用するこ
ともできるし、２種以上を混合して使用することもでき
る。
ともできるし、２種以上を混合して使用することもでき
る。
【００３８】ゾルの調製に使用する溶媒としては、通常
のゾルゲル法で使用する溶媒を使用することができる
が、水の沸点以上の沸点を有する溶媒を使用するのが特
に好ましい。溶媒は１種単独で使用することもできる
し、２種以上を混合して使用することもできる。２種以
上を混合して使用する場合はその中の少なくとも１つが
水の沸点以上の沸点を有する溶媒を併用するのが特に好
ましい。
のゾルゲル法で使用する溶媒を使用することができる
が、水の沸点以上の沸点を有する溶媒を使用するのが特
に好ましい。溶媒は１種単独で使用することもできる
し、２種以上を混合して使用することもできる。２種以
上を混合して使用する場合はその中の少なくとも１つが
水の沸点以上の沸点を有する溶媒を併用するのが特に好
ましい。
【００３９】溶媒の具体的なものとしては、例えばｔｅ
ｒｔ−ブタノール、イソプロパノール、エタノール、メ
タノール等のアルコール類；ホルムアミド、ジメチルホ
ルムアミド等のアミド類；ベンゼン、トルエン、キシレ
ン等の芳香族炭化水素類；ペンタン、ヘキサン、ヘプタ
ン、オクタン等の脂肪族炭化水素類；エチレングリコー
ル、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール等
のグリコール類；ジエタノールアミン、トリエタノール
アミン等のアミン類；エチレングリコールモノメチルエ
ーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル等のエ
チレングリコールモノエーテル類；アセトン、メチルエ
チルケトン等のケトン類；アセチルアセトン、ベンゾイ
ルアセトン等のβ−ジケトン類などをあげることができ
る。
ｒｔ−ブタノール、イソプロパノール、エタノール、メ
タノール等のアルコール類；ホルムアミド、ジメチルホ
ルムアミド等のアミド類；ベンゼン、トルエン、キシレ
ン等の芳香族炭化水素類；ペンタン、ヘキサン、ヘプタ
ン、オクタン等の脂肪族炭化水素類；エチレングリコー
ル、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール等
のグリコール類；ジエタノールアミン、トリエタノール
アミン等のアミン類；エチレングリコールモノメチルエ
ーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル等のエ
チレングリコールモノエーテル類；アセトン、メチルエ
チルケトン等のケトン類；アセチルアセトン、ベンゾイ
ルアセトン等のβ−ジケトン類などをあげることができ
る。
【００４０】溶媒の使用量は特に限定されないが、通常
ゲル膜６を構成する金属１モルに対して０．１〜２０モ
ルの範囲で使用するのが好ましい。
ゲル膜６を構成する金属１モルに対して０．１〜２０モ
ルの範囲で使用するのが好ましい。
【００４１】ゾルの調製には水、触媒、解膠剤等を添加
することができる。また周期律表の１Ａ族、２Ａ族、３
Ａ族、４Ａ族、２Ｂ族、３Ｂ族、４Ｂ族、５Ｂ族、６Ｂ
族の元素の酸化物、フッ素化物、塩化物、窒素化物等を
添加することができる。
することができる。また周期律表の１Ａ族、２Ａ族、３
Ａ族、４Ａ族、２Ｂ族、３Ｂ族、４Ｂ族、５Ｂ族、６Ｂ
族の元素の酸化物、フッ素化物、塩化物、窒素化物等を
添加することができる。
【００４２】ゾルを調製する際に水を添加する場合は、
ゲル膜６を構成する金属１モルに対して０．１〜２０モ
ルの範囲で添加するのが好ましい。
ゲル膜６を構成する金属１モルに対して０．１〜２０モ
ルの範囲で添加するのが好ましい。
【００４３】前記触媒としては、例えば塩酸、硝酸、酢
酸、四塩化ケイ素、フッ化水素酸、四塩化チタン、水酸
化ナトリウム、アンモニア水等をあげることができる。
触媒の添加量はゲル膜６を構成する金属１モルに対して
１×１０-5〜１モルの範囲が好ましい。
酸、四塩化ケイ素、フッ化水素酸、四塩化チタン、水酸
化ナトリウム、アンモニア水等をあげることができる。
触媒の添加量はゲル膜６を構成する金属１モルに対して
１×１０-5〜１モルの範囲が好ましい。
【００４４】前記解膠剤としては、例えば塩酸、硝酸、
酢酸、フッ化水素酸、アンモニア水、ポリビニルアルコ
ール等をあげることができる。解膠剤の添加量は調製す
るゾルの２０重量％以下が好ましい。
酢酸、フッ化水素酸、アンモニア水、ポリビニルアルコ
ール等をあげることができる。解膠剤の添加量は調製す
るゾルの２０重量％以下が好ましい。
【００４５】ゾルを調製するには、出発原料を溶媒に加
えた後、通常常温ないし溶媒の還流温度で撹拌する方
法、または出発原料を溶媒に加えて通常常温ないし溶媒
の還流温度で撹拌しながら、さらに溶媒を添加する方法
等により行うことができる。
えた後、通常常温ないし溶媒の還流温度で撹拌する方
法、または出発原料を溶媒に加えて通常常温ないし溶媒
の還流温度で撹拌しながら、さらに溶媒を添加する方法
等により行うことができる。
【００４６】水、触媒、解膠剤、その他の添加剤を添加
する場合、その添加方法は特に限定されないが、あらか
じめ溶媒に添加して充分に混合しておくのが好ましい。
する場合、その添加方法は特に限定されないが、あらか
じめ溶媒に添加して充分に混合しておくのが好ましい。
【００４７】次に、上記のようにして調製したゾルを薄
膜に成形し、成形した薄膜を、例えば常温で放置して溶
媒を蒸発させる方法等によりゲル化してゲル薄膜を形成
する。ゲル薄膜の形成に供するゾルは製膜操作が行い易
い程度にエバポレーター等で粘度の調節を行っておくの
が好ましい。
膜に成形し、成形した薄膜を、例えば常温で放置して溶
媒を蒸発させる方法等によりゲル化してゲル薄膜を形成
する。ゲル薄膜の形成に供するゾルは製膜操作が行い易
い程度にエバポレーター等で粘度の調節を行っておくの
が好ましい。
【００４８】ゾルを薄膜に成形するには、例えばガラ
ス等の清浄で平滑な基板上にゾルを供給し、前記基板を
回転させ、回転製膜法により製膜する方法、ゾル中に
ガラス等の清浄で平滑な面を有する基板を浸漬した後、
この基板を引上げて薄膜を形成する浸漬法により製膜す
る方法等により製造することができる。
ス等の清浄で平滑な基板上にゾルを供給し、前記基板を
回転させ、回転製膜法により製膜する方法、ゾル中に
ガラス等の清浄で平滑な面を有する基板を浸漬した後、
この基板を引上げて薄膜を形成する浸漬法により製膜す
る方法等により製造することができる。
【００４９】上記方法で用いる基板としては、例えばシ
リコンウエハ、サファイヤウエハ等の無機単結晶基板；
アルミニウム、ニッケル等の金属基板；酸化アルミニウ
ム、酸化マグネシウム、石英ガラス、ソーダライムガラ
ス等のセラミックス基板；ポリプロピレン、ポリスチレ
ン、ポリカーボネート、アクリル樹脂等の有機質基板；
これら無機単結晶基板、金属基板、セラミックス基板、
有機質基板上にＣＶＤ法、スピンコーティング法等によ
り金属薄膜、セラミックス薄膜、有機質薄膜を形成した
基板；金属等の枠上に張設されたアルミフォイル等の金
属膜、ニトロセルロース膜等の有機質膜などをあげるこ
とができる。
リコンウエハ、サファイヤウエハ等の無機単結晶基板；
アルミニウム、ニッケル等の金属基板；酸化アルミニウ
ム、酸化マグネシウム、石英ガラス、ソーダライムガラ
ス等のセラミックス基板；ポリプロピレン、ポリスチレ
ン、ポリカーボネート、アクリル樹脂等の有機質基板；
これら無機単結晶基板、金属基板、セラミックス基板、
有機質基板上にＣＶＤ法、スピンコーティング法等によ
り金属薄膜、セラミックス薄膜、有機質薄膜を形成した
基板；金属等の枠上に張設されたアルミフォイル等の金
属膜、ニトロセルロース膜等の有機質膜などをあげるこ
とができる。
【００５０】上記のような方法で得たゲル薄膜を基板か
ら引離すことにより単独膜が得られる。ゲル薄膜を基板
から引離す方法としては、例えば水中または有機溶媒中
への浸漬、物理的剥離、エッチング液等による基板のエ
ッチング、溶剤等による基板の溶解、熱処理による基板
の分解等があげられる。なお水中または有機溶媒中へ浸
漬して単独膜を得る場合、超音波洗浄器等により振動を
与えたり、水または有機溶媒の温度を常温ないし約５０
℃程度にすることにより、剥離はいっそう容易になる。
ら引離すことにより単独膜が得られる。ゲル薄膜を基板
から引離す方法としては、例えば水中または有機溶媒中
への浸漬、物理的剥離、エッチング液等による基板のエ
ッチング、溶剤等による基板の溶解、熱処理による基板
の分解等があげられる。なお水中または有機溶媒中へ浸
漬して単独膜を得る場合、超音波洗浄器等により振動を
与えたり、水または有機溶媒の温度を常温ないし約５０
℃程度にすることにより、剥離はいっそう容易になる。
【００５１】さらにゾルを薄膜に成形する別の方法とし
て、ゾルを、このゾルより比重および表面張力が大きい
液体の液面上に展開して薄膜を得る方法があげられる。
このような液体としては、例えばアセチレンテトラブロ
マイド（ＣＨＢｒ2ＣＨＢｒ2）等をあげることができ
る。このようにして得られた薄膜は液面上からすくいあ
げて単独膜とする。
て、ゾルを、このゾルより比重および表面張力が大きい
液体の液面上に展開して薄膜を得る方法があげられる。
このような液体としては、例えばアセチレンテトラブロ
マイド（ＣＨＢｒ2ＣＨＢｒ2）等をあげることができ
る。このようにして得られた薄膜は液面上からすくいあ
げて単独膜とする。
【００５２】こうして得られる、基板上に形成したゲル
薄膜または単独膜を通常１０℃ないし５００℃の温度、
好ましくは１０℃ないし５００℃の温度であって、かつ
ゾルの調製に用いた溶媒の沸点以下の温度、特に好まし
くは常温（２５℃）ないし２５０℃以下の温度であっ
て、かつゾルの調製に用いた溶媒の沸点以下の温度で乾
燥することにより高光線透過性防塵膜が得られる。原料
として有機金属化合物を用い、このような温度で乾燥し
た場合、ゾル調製時に生成した有機質は完全に無機質化
することはない。本発明においては、溶媒および／また
はゾル調製時に生成した有機質等は完全にはゲルから除
去されず、ゲル中に残留する。
薄膜または単独膜を通常１０℃ないし５００℃の温度、
好ましくは１０℃ないし５００℃の温度であって、かつ
ゾルの調製に用いた溶媒の沸点以下の温度、特に好まし
くは常温（２５℃）ないし２５０℃以下の温度であっ
て、かつゾルの調製に用いた溶媒の沸点以下の温度で乾
燥することにより高光線透過性防塵膜が得られる。原料
として有機金属化合物を用い、このような温度で乾燥し
た場合、ゾル調製時に生成した有機質は完全に無機質化
することはない。本発明においては、溶媒および／また
はゾル調製時に生成した有機質等は完全にはゲルから除
去されず、ゲル中に残留する。
【００５３】乾燥は、例えば恒温器、熱風、赤外線照射
等の手段により行うことができる。
等の手段により行うことができる。
【００５４】こうして得られるゲル膜６には必要により
反射防止膜７を積層し、金属、セラミックスまたはプラ
スチック製等の保持枠２に張設して防塵体１が完成す
る。
反射防止膜７を積層し、金属、セラミックスまたはプラ
スチック製等の保持枠２に張設して防塵体１が完成す
る。
【００５５】反射防止膜７としては、例えばフッ素含有
ポリマー、好ましくは非晶質フッ素含有ポリマー、特に
好ましくはパーフルオロ非晶質樹脂等をあげることがで
きる。パーフルオロ非晶質樹脂としては、例えば特開平
１−１３１２１４号、特開平１−１３１２１５号、ＥＰ
３０３２９８Ａ２、ＥＰ３０３２９２Ａ２に開示されて
いるような、下記繰返し単位〔１３〕ないし〔１７〕で
表わされる繰返し単位からなる群から選ばれる１種また
は２種以上の繰返し単位を有する重合体または共重合体
などがあげられる。
ポリマー、好ましくは非晶質フッ素含有ポリマー、特に
好ましくはパーフルオロ非晶質樹脂等をあげることがで
きる。パーフルオロ非晶質樹脂としては、例えば特開平
１−１３１２１４号、特開平１−１３１２１５号、ＥＰ
３０３２９８Ａ２、ＥＰ３０３２９２Ａ２に開示されて
いるような、下記繰返し単位〔１３〕ないし〔１７〕で
表わされる繰返し単位からなる群から選ばれる１種また
は２種以上の繰返し単位を有する重合体または共重合体
などがあげられる。
【００５６】
【化１】
【００５７】またパーフルオロ非晶質樹脂としては、前
記繰返し単位〔１３〕ないし〔１７〕で表わされる繰返
し単位の他に、下記繰返し単位〔１８〕で表わされる繰
返し単位が共重合しているものも好ましく使用できる
（例えば特公昭６３−１８９６４号に開示されている共
重合体）。 −(ＣＦ2−ＣＦＡ)− …〔１８〕 （式中、Ａはフッ素原子、−ＯＣＦ2ＣＦ2ＣＦ3または
−ＯＣＦ2ＣＦ（ＣＦ3）ＯＣＦ2ＣＦ2ＳＯ2Ｆを示
す。）
記繰返し単位〔１３〕ないし〔１７〕で表わされる繰返
し単位の他に、下記繰返し単位〔１８〕で表わされる繰
返し単位が共重合しているものも好ましく使用できる
（例えば特公昭６３−１８９６４号に開示されている共
重合体）。 −(ＣＦ2−ＣＦＡ)− …〔１８〕 （式中、Ａはフッ素原子、−ＯＣＦ2ＣＦ2ＣＦ3または
−ＯＣＦ2ＣＦ（ＣＦ3）ＯＣＦ2ＣＦ2ＳＯ2Ｆを示
す。）
【００５８】パーフルオロ非晶質樹脂の具体的なものと
しては、例えばパーフルオロ２，２−ジメチル−１，３
−ジオキソールとテトラフルオロエチレンとの共重合
体、前記繰返し単位〔１３〕からなる重合体、繰返し単
位〔１４〕からなる重合体、繰返し単位〔１５〕からな
る重合体、繰返し単位〔１６〕からなる重合体、繰返し
単位〔１７〕からなる重合体、繰返し単位〔１３〕と
〔１４〕とからなる共重合体、繰返し単位〔１３〕と
〔１５〕とからなる共重合体、繰返し単位〔１３〕と
〔１６〕とからなる重合体、繰返し単位〔１３〕と〔１
４〕と〔１６〕とからなる重合体、繰返し単位〔１３〕
と〔１８〕（ここでＡはフッ素原子）とからなる共重合
体、繰返し単位〔１４〕と〔１５〕とからなる共重合
体、繰返し単位〔１４〕と〔１６〕とからなる共重合
体、繰返し単位〔１４〕と〔１８〕（ここでＡはフッ素
原子）とからなる共重合体、繰返し単位〔１４〕と〔１
６〕と〔１８〕（ここでＡはフッ素原子）とからなる共
重合体、繰返し単位〔１４〕と〔１６〕と〔１８〕〔こ
こでＡは−ＯＣＦ2ＣＦ（ＣＦ3）ＯＣＦ2ＣＦ2ＳＯ
2Ｆ〕とからなる共重合体、繰返し単位〔１３〕と〔１
８〕（ここでＡは−ＯＣＦ2ＣＦ2ＣＦ 3）とからなる共
重合体、およびこれらの重合体または共重合体に、製造
原料となるＣＦ2＝ＣＦＯ（ＣＦ2）nＣＦ＝ＣＦ2（ここ
でｎは１または２を示す）等から誘導された誘導体が共
重合したもの等が例示できる。
しては、例えばパーフルオロ２，２−ジメチル−１，３
−ジオキソールとテトラフルオロエチレンとの共重合
体、前記繰返し単位〔１３〕からなる重合体、繰返し単
位〔１４〕からなる重合体、繰返し単位〔１５〕からな
る重合体、繰返し単位〔１６〕からなる重合体、繰返し
単位〔１７〕からなる重合体、繰返し単位〔１３〕と
〔１４〕とからなる共重合体、繰返し単位〔１３〕と
〔１５〕とからなる共重合体、繰返し単位〔１３〕と
〔１６〕とからなる重合体、繰返し単位〔１３〕と〔１
４〕と〔１６〕とからなる重合体、繰返し単位〔１３〕
と〔１８〕（ここでＡはフッ素原子）とからなる共重合
体、繰返し単位〔１４〕と〔１５〕とからなる共重合
体、繰返し単位〔１４〕と〔１６〕とからなる共重合
体、繰返し単位〔１４〕と〔１８〕（ここでＡはフッ素
原子）とからなる共重合体、繰返し単位〔１４〕と〔１
６〕と〔１８〕（ここでＡはフッ素原子）とからなる共
重合体、繰返し単位〔１４〕と〔１６〕と〔１８〕〔こ
こでＡは−ＯＣＦ2ＣＦ（ＣＦ3）ＯＣＦ2ＣＦ2ＳＯ
2Ｆ〕とからなる共重合体、繰返し単位〔１３〕と〔１
８〕（ここでＡは−ＯＣＦ2ＣＦ2ＣＦ 3）とからなる共
重合体、およびこれらの重合体または共重合体に、製造
原料となるＣＦ2＝ＣＦＯ（ＣＦ2）nＣＦ＝ＣＦ2（ここ
でｎは１または２を示す）等から誘導された誘導体が共
重合したもの等が例示できる。
【００５９】パーフルオロ非晶質樹脂としては、繰返し
単位〔１３〕ないし〔１８〕の他に、反射防止膜の目的
を損なわない範囲で、他の共重合可能なモノマーが共重
合したものを使用することもできる。
単位〔１３〕ないし〔１８〕の他に、反射防止膜の目的
を損なわない範囲で、他の共重合可能なモノマーが共重
合したものを使用することもできる。
【００６０】このようなパーフルオロ非晶質樹脂は、例
えばＣＦ2＝ＣＦＯ（ＣＦ2）nＣＦ＝ＣＦ2（ここでｎは
１または２を示す）、パーフルオロ２，２−ジメチル−
１，３−ジオキソール、ＣＦ2＝ＣＦＡ（ここでＡは前
記〔１８〕と同じものを示す）等をラジカル重合させる
ことにより製造することができる。
えばＣＦ2＝ＣＦＯ（ＣＦ2）nＣＦ＝ＣＦ2（ここでｎは
１または２を示す）、パーフルオロ２，２−ジメチル−
１，３−ジオキソール、ＣＦ2＝ＣＦＡ（ここでＡは前
記〔１８〕と同じものを示す）等をラジカル重合させる
ことにより製造することができる。
【００６１】またパーフルオロ非晶質樹脂としては、サ
イトップ〔ＣＹＴＯＰ、旭硝子（株）製、商標〕、テフ
ロンＡＦ１６００（ＴＥＦＬＯＮ ＡＦ１６００、デュ
ポン社製、商標）、テフロンＡＦ２４００（ＴＥＦＬＯ
Ｎ ＡＦ２４００、デュポン社製、商標）等の市販品も
使用できる。
イトップ〔ＣＹＴＯＰ、旭硝子（株）製、商標〕、テフ
ロンＡＦ１６００（ＴＥＦＬＯＮ ＡＦ１６００、デュ
ポン社製、商標）、テフロンＡＦ２４００（ＴＥＦＬＯ
Ｎ ＡＦ２４００、デュポン社製、商標）等の市販品も
使用できる。
【００６２】反射防止膜７としてフッ素含有ポリマー、
特に非晶質フッ素含有ポリマーからのものをゲル膜６の
上に積層することにより、防塵膜の光線透過率が一層向
上するので好ましい。
特に非晶質フッ素含有ポリマーからのものをゲル膜６の
上に積層することにより、防塵膜の光線透過率が一層向
上するので好ましい。
【００６３】反射防止膜７の膜厚は、前記式〔８〕およ
び
び
〔９〕、または式〔１０〕、〔１１〕および〔１２〕
を満たすように積層する。具体的には、反射防止膜７の
膜厚は０．０１ないし５μｍ、特に０．０２ないし２μ
ｍが好ましい。
を満たすように積層する。具体的には、反射防止膜７の
膜厚は０．０１ないし５μｍ、特に０．０２ないし２μ
ｍが好ましい。
【００６４】
【作用】高光線透過性防塵膜３を保持枠２に張設した防
塵体１は両面粘着テープ４等によりマスク等のマスク基
板５に取付けられ、露光時の塵埃等の異物の付着を防止
する。露光に際しては、ゲル膜６は短波長光により分解
しないため、安定して露光を行うことができ、光線透過
率も高く、露光効率が高くなる。
塵体１は両面粘着テープ４等によりマスク等のマスク基
板５に取付けられ、露光時の塵埃等の異物の付着を防止
する。露光に際しては、ゲル膜６は短波長光により分解
しないため、安定して露光を行うことができ、光線透過
率も高く、露光効率が高くなる。
【００６５】
【発明の効果】本発明によれば、防塵膜の形成素材とし
て金属酸化物、金属水酸化物、有機基含有金属酸化物お
よび有機基含有金属水酸化物からなる群から選ばれる少
なくとも一種を含有する透明なゲルを用いるようにした
ので、柔軟性があって、ｇ線、ｉ線はもちろんのこと、
エキシマレーザーのような短波長光を長期間照射しても
光分解を起こさず、かつ高い光線透過率を有する高光線
透過性防塵膜が得られる。そしてこのような防塵膜に反
射防止膜、特にフッ素含有ポリマーからなる反射防止膜
を積層することにより、さらに高い光線透過率を有する
高光線透過性防塵膜が得られる。
て金属酸化物、金属水酸化物、有機基含有金属酸化物お
よび有機基含有金属水酸化物からなる群から選ばれる少
なくとも一種を含有する透明なゲルを用いるようにした
ので、柔軟性があって、ｇ線、ｉ線はもちろんのこと、
エキシマレーザーのような短波長光を長期間照射しても
光分解を起こさず、かつ高い光線透過率を有する高光線
透過性防塵膜が得られる。そしてこのような防塵膜に反
射防止膜、特にフッ素含有ポリマーからなる反射防止膜
を積層することにより、さらに高い光線透過率を有する
高光線透過性防塵膜が得られる。
【００６６】また本発明によれば、上記のような高光線
透過性防塵膜を短時間で簡単に製造することができる。
さらに本発明によれば、上記のような優れた性質を有す
る高光線透過性防塵膜からなる防塵体が得られる。
透過性防塵膜を短時間で簡単に製造することができる。
さらに本発明によれば、上記のような優れた性質を有す
る高光線透過性防塵膜からなる防塵体が得られる。
【００６７】
【実施例】次に本発明の実施例について説明する。 実施例１ テトラエトキシシラン（Ｓｉ｛ＯＣ2Ｈ5｝4）１．０モ
ル、水１．０モル、イソプロパノール４．７モルおよび
硝酸０．０５モルを室温で２時間混合した後、約１００
時間かけて室温で溶媒の一部を蒸発させ、ゾルの粘度が
５ｃＰになるまで濃縮した。この濃縮したゾルにＮ，Ｎ
−ジメチルホルムアミド（以下、ＤＭＦと略す）０．２
モルを加えて室温（２５℃）で２時間混合した。
ル、水１．０モル、イソプロパノール４．７モルおよび
硝酸０．０５モルを室温で２時間混合した後、約１００
時間かけて室温で溶媒の一部を蒸発させ、ゾルの粘度が
５ｃＰになるまで濃縮した。この濃縮したゾルにＮ，Ｎ
−ジメチルホルムアミド（以下、ＤＭＦと略す）０．２
モルを加えて室温（２５℃）で２時間混合した。
【００６８】ポリスチロール製の基板に上記濃縮ゾルを
１０００ｒｐｍ、６０ｓｅｃの条件で回転製膜法（スピ
ンコート法）により製膜し、基板上にゲル薄膜を形成し
た後、ＤＭＦの沸点温度（１５３℃）以下である１００
℃に保持したオーブン中に３０分間入れることにより乾
燥した。このようにして得られた薄膜を基板から剥離し
て単独膜とした。このゲル薄膜のゲルはＳｉ−Ｏ−Ｓｉ
結合、Ｓｉ−ＯＨ結合を有していた。またこのゲル薄膜
は２．３μｍの膜厚があり、２４８ｎｍにおける光線透
過率は８０％であった。
１０００ｒｐｍ、６０ｓｅｃの条件で回転製膜法（スピ
ンコート法）により製膜し、基板上にゲル薄膜を形成し
た後、ＤＭＦの沸点温度（１５３℃）以下である１００
℃に保持したオーブン中に３０分間入れることにより乾
燥した。このようにして得られた薄膜を基板から剥離し
て単独膜とした。このゲル薄膜のゲルはＳｉ−Ｏ−Ｓｉ
結合、Ｓｉ−ＯＨ結合を有していた。またこのゲル薄膜
は２．３μｍの膜厚があり、２４８ｎｍにおける光線透
過率は８０％であった。
【００６９】実施例２ テトラエトキシシラン（Ｓｉ｛ＯＣ2Ｈ5｝4）１．０モ
ル、水１．０モル、イソプロパノール４．７モルおよび
硝酸０．０５モルを室温で２時間混合した後、約１００
時間かけて室温で溶媒の一部を蒸発させ、ゾルの粘度が
５ｃＰになるまで濃縮した。
ル、水１．０モル、イソプロパノール４．７モルおよび
硝酸０．０５モルを室温で２時間混合した後、約１００
時間かけて室温で溶媒の一部を蒸発させ、ゾルの粘度が
５ｃＰになるまで濃縮した。
【００７０】この濃縮したゾルをポリスチレン製の基板
に１０００ｒｐｍ、６０ｓｅｃの条件で回転製膜法によ
り製膜し、基板上にゲル薄膜を形成した後、１００℃に
保持したオーブン中に３０分間入れて乾燥した。このよ
うにして得られた薄膜を基板から剥離して単独膜とし
た。このゲル薄膜のゲルはＳｉ−Ｏ−Ｓｉ結合、Ｓｉ−
ＯＨ結合を有していた。またこのゲル薄膜は２．１μｍ
の膜厚があり、５００ｎｍから２００ｎｍの光線透過率
を測定したところ、図３に示すように広範な波長の光に
対して高い光線透過率を示した。
に１０００ｒｐｍ、６０ｓｅｃの条件で回転製膜法によ
り製膜し、基板上にゲル薄膜を形成した後、１００℃に
保持したオーブン中に３０分間入れて乾燥した。このよ
うにして得られた薄膜を基板から剥離して単独膜とし
た。このゲル薄膜のゲルはＳｉ−Ｏ−Ｓｉ結合、Ｓｉ−
ＯＨ結合を有していた。またこのゲル薄膜は２．１μｍ
の膜厚があり、５００ｎｍから２００ｎｍの光線透過率
を測定したところ、図３に示すように広範な波長の光に
対して高い光線透過率を示した。
【００７１】実施例３ ジメチルジエトキシシラン〔（ＣＨ3）2Ｓｉ（ＯＣ
2Ｈ5）2〕０．５モル、テトラエトキシシラン〔Ｓｉ
（ＯＣ2Ｈ5）4〕０．５モル、水２．７５モル、イソプ
ロパノール０．７モルおよび塩酸０．００７モルを室温
（２５℃）で２時間混合した後、室温下で５日間静置し
てゾルを調製した。
2Ｈ5）2〕０．５モル、テトラエトキシシラン〔Ｓｉ
（ＯＣ2Ｈ5）4〕０．５モル、水２．７５モル、イソプ
ロパノール０．７モルおよび塩酸０．００７モルを室温
（２５℃）で２時間混合した後、室温下で５日間静置し
てゾルを調製した。
【００７２】このゾルをガラス上に１μｍのニトロセル
ロース薄膜を形成した基板上に５００ｒｐｍ、６０ｓｅ
ｃの条件で回転製膜法により製膜し、基板上にゲル薄膜
を形成した後、基板ごと１００℃に保持したオーブン中
に３０分間入れて乾燥した。ガラス上からニトロセルロ
ース膜とゲル薄膜を一緒に剥離した後、ゲル薄膜からニ
トロセルロース薄膜を剥離して、ゲル薄膜を単独膜とし
た。
ロース薄膜を形成した基板上に５００ｒｐｍ、６０ｓｅ
ｃの条件で回転製膜法により製膜し、基板上にゲル薄膜
を形成した後、基板ごと１００℃に保持したオーブン中
に３０分間入れて乾燥した。ガラス上からニトロセルロ
ース膜とゲル薄膜を一緒に剥離した後、ゲル薄膜からニ
トロセルロース薄膜を剥離して、ゲル薄膜を単独膜とし
た。
【００７３】このようにして、中心に直径６０ｍｍの空
間を有する円盤状の枠に皺なく張付けた、膜厚３．２３
μｍ、直径８０ｍｍの面積を持つゲル薄膜を単独膜とし
て得ることができた。得られたゲル薄膜は柔軟性があ
り、取扱が容易であった。またこのゲル薄膜の５００ｎ
ｍから２００ｎｍの光線透過率を測定したところ、図４
に示すように広範な波長の光に対して高い光線透過率を
示した。
間を有する円盤状の枠に皺なく張付けた、膜厚３．２３
μｍ、直径８０ｍｍの面積を持つゲル薄膜を単独膜とし
て得ることができた。得られたゲル薄膜は柔軟性があ
り、取扱が容易であった。またこのゲル薄膜の５００ｎ
ｍから２００ｎｍの光線透過率を測定したところ、図４
に示すように広範な波長の光に対して高い光線透過率を
示した。
【００７４】また上記ゲル薄膜の赤外線透過スペクトル
を測定した結果を図５に示す。図５から、ゲル薄膜のゲ
ルは主としてＳｉ−Ｏ−Ｓｉ、Ｓｉ−ＣＨ3、Ｓｉ−Ｏ
Ｈ結合から構成されていることがわかる。ゲル薄膜が柔
軟性があって取扱が容易であり、比較的大きな面積の単
独膜として得られる理由は明らかではないが、メチル基
が分解する温度以下で乾燥することにより、シリコンと
酸素の３次元的なＳｉ−Ｏ結合およびシリコンとメチル
基のＳｉ−ＣＨ3結合を有するためであると推定され
る。
を測定した結果を図５に示す。図５から、ゲル薄膜のゲ
ルは主としてＳｉ−Ｏ−Ｓｉ、Ｓｉ−ＣＨ3、Ｓｉ−Ｏ
Ｈ結合から構成されていることがわかる。ゲル薄膜が柔
軟性があって取扱が容易であり、比較的大きな面積の単
独膜として得られる理由は明らかではないが、メチル基
が分解する温度以下で乾燥することにより、シリコンと
酸素の３次元的なＳｉ−Ｏ結合およびシリコンとメチル
基のＳｉ−ＣＨ3結合を有するためであると推定され
る。
【００７５】実施例４ 実施例３のゾルを用いて、実施例３と同様にして膜厚
３．１８６μｍのゲル薄膜の単独膜を得た。このゲル薄
膜の波長３５０〜４５０ｎｍにおける平均光線透過率は
９３．６％であった。
３．１８６μｍのゲル薄膜の単独膜を得た。このゲル薄
膜の波長３５０〜４５０ｎｍにおける平均光線透過率は
９３．６％であった。
【００７６】光線の反射防止のために、反射防止膜とし
て、旭硝子（株）製サイトップ（ＣＹＴＯＰ、商標、パ
ーフルオロ非晶質樹脂）を用いてスピンコート法で非晶
質フッ素樹脂薄膜を、上記ゲル薄膜の両面にそれぞれ
０．０７３μｍの膜厚で形成した。この反射防止膜を有
するゲル薄膜の波長３５０〜４５０ｎｍにおける平均光
線透過率は９５．５％であり、反射防止膜を有しないも
のに比べて上昇した。
て、旭硝子（株）製サイトップ（ＣＹＴＯＰ、商標、パ
ーフルオロ非晶質樹脂）を用いてスピンコート法で非晶
質フッ素樹脂薄膜を、上記ゲル薄膜の両面にそれぞれ
０．０７３μｍの膜厚で形成した。この反射防止膜を有
するゲル薄膜の波長３５０〜４５０ｎｍにおける平均光
線透過率は９５．５％であり、反射防止膜を有しないも
のに比べて上昇した。
【００７７】比較例１ テトラエトキシシラン、水、イソプロパノールおよび塩
酸から調製したゾルを種々の材質の基板にスピンコート
法により３０ｍｍ角以上の大きさに製膜した後、８００
℃で熱処理して無機ＳｉＯ2薄膜とした。しかし基板か
ら剥離することが困難で、クラックが生じ、さらに薄膜
に反りが生じ、３０ｍｍ角以上の大きさを有する膜厚１
〜１０μｍの平滑な単独膜を製造することはできなかっ
た。
酸から調製したゾルを種々の材質の基板にスピンコート
法により３０ｍｍ角以上の大きさに製膜した後、８００
℃で熱処理して無機ＳｉＯ2薄膜とした。しかし基板か
ら剥離することが困難で、クラックが生じ、さらに薄膜
に反りが生じ、３０ｍｍ角以上の大きさを有する膜厚１
〜１０μｍの平滑な単独膜を製造することはできなかっ
た。
【図１】本発明の防塵体の一例を示す断面図。
【図２】（ａ）〜（ｃ）はいずれも本発明の高光線透過
性防塵膜の一部の断面図。
性防塵膜の一部の断面図。
【図３】実施例２の結果を示すグラフ。
【図４】実施例３の結果を示すグラフ。
【図５】実施例３の結果を示すグラフ。
１ 防塵体 ２ 保持枠 ３ 高光線透過性防塵膜 ５ マスク基板 ６ ゲル膜 ７ 反射防止膜 ７ａ 高屈折率膜 ７ｂ 低屈折率膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/027 // Ｂ３２Ｂ 15/08 Ｄ 7148−4Ｆ
Claims (14)
- 【請求項１】 金属酸化物、金属水酸化物、有機基含有
金属酸化物および有機基含有金属水酸化物からなる群か
ら選ばれる少なくとも一種を含有する透明なゲルからな
ることを特徴とする高光線透過性防塵膜。 - 【請求項２】 透明なゲルがゾルゲル法により形成され
たものである請求項１記載の高光線透過性防塵膜。 - 【請求項３】 金属がケイ素、アルミニウム、チタンお
よびジルコニウムからなる群から選ばれる少なくとも一
種の多価金属である請求項１または２記載の高光線透過
性防塵膜。 - 【請求項４】 ゲルが溶媒を含有するものである請求項
１ないし３のいずれかに記載の高光線透過性防塵膜。 - 【請求項５】 反射防止層を積層した請求項１ないし４
のいずれかに記載の高光線透過性防塵膜。 - 【請求項６】 反射防止層がフッ素含有ポリマーである
請求項５記載の高光線透過性防塵膜。 - 【請求項７】 加水分解可能な有機金属化合物、金属酸
化物の微粒子、金属水酸化物の微粒子、金属塩化物およ
び金属硝酸塩からなる群から選ばれる少なくとも一種を
含有するゾルを調製し、このゾルから膜状のゲルを形成
し、得られたゲルを１０℃ないし５００℃の温度で乾燥
することを特徴とする高光線透過性防塵膜の製造方法。 - 【請求項８】 ゲルを１０℃ないし５００℃の温度であ
って、かつゾルの調製に用いた溶媒の沸点以下の温度で
乾燥する請求項７記載の高光線透過性防塵膜の製造方
法。 - 【請求項９】 加水分解可能な有機金属化合物が、 Ｒn−Ｙ−Ａm-n ・・・・・・〔１〕 〔ただし、Ｙはケイ素、アルミニウム、チタンおよびジ
ルコニウムからなる群から選ばれる少なくとも一種の多
価金属原子、Ａは加水分解可能な一価の基、Ｒは一価の
炭化水素基または置換基を有する炭化水素基、ｍは多価
金属原子Ｙの価数、ｎは０≦ｎ≦ｍ−１を満たす整数を
示す。〕で表わされる化合物、または前記一般式〔１〕
で表わされる化合物の縮合物からなるオリゴマーもしく
はポリマーである請求項７または８記載の高光線透過性
防塵膜の製造方法。 - 【請求項１０】 金属酸化物の微粒子が、 Ｙ（Ｏ）k ・・・・・・〔２〕 〔ただし、Ｙはケイ素、アルミニウム、チタンおよびジ
ルコニウムからなる群から選ばれる少なくとも一種の多
価金属原子、ｋはｍ／２（ここでｍは多価金属原子Ｙの
価数を示す。）を示す。〕で表わされるものである請求
項７または８記載の高光線透過性防塵膜の製造方法。 - 【請求項１１】 金属水酸化物の微粒子が、 Ｙ−（ＯＨ）m ・・・・・・〔３〕 〔ただし、Ｙはケイ素、アルミニウム、チタンおよびジ
ルコニウムからなる群から選ばれる少なくとも一種の多
価金属原子、ｍは多価金属原子Ｙの価数を示す。〕で表
わされるものである請求項７または８記載の高光線透過
性防塵膜の製造方法。 - 【請求項１２】 金属塩化物が、 Ｙ−（Ｃｌ）m ・・・・・・〔４〕 〔ただし、Ｙはケイ素、アルミニウム、チタンおよびジ
ルコニウムからなる群から選ばれる少なくとも一種の多
価金属原子、ｍは多価金属原子Ｙの価数を示す。〕で表
わされる化合物である請求項７または８記載の高光線透
過性防塵膜の製造方法。 - 【請求項１３】 金属硝酸塩が、 Ｙ−（ＮＯ3）m ・・・・・・〔５〕 または ＹＯ（ＮＯ3）m-2 ・・・・・・〔６〕 〔ただし、Ｙはケイ素、アルミニウム、チタンおよびジ
ルコニウムからなる群から選ばれる少なくとも一種の多
価金属原子、ｍは多価金属原子Ｙの価数を示す。〕で表
わされる化合物である請求項７または８記載の高光線透
過性防塵膜の製造方法。 - 【請求項１４】 請求項１ないし６のいずれかに記載の
高光線透過性防塵膜と保持枠とからなる防塵体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26795691A JPH0543238A (ja) | 1990-10-16 | 1991-10-16 | 高光線透過性防塵膜、その製造方法および防塵体 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27711390 | 1990-10-16 | ||
| JP2-277113 | 1990-10-16 | ||
| JP26795691A JPH0543238A (ja) | 1990-10-16 | 1991-10-16 | 高光線透過性防塵膜、その製造方法および防塵体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0543238A true JPH0543238A (ja) | 1993-02-23 |
Family
ID=26548105
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26795691A Pending JPH0543238A (ja) | 1990-10-16 | 1991-10-16 | 高光線透過性防塵膜、その製造方法および防塵体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0543238A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004537070A (ja) * | 2001-07-26 | 2004-12-09 | マイクロ リソグラフィー， インコーポレイテッド | 写真製版用のフッ化重合体被覆したフォトマスク |
| JP2007226244A (ja) * | 2006-02-22 | 2007-09-06 | Air Products & Chemicals Inc | リソグラフィプロセス用のトップコート及びその製造方法 |
| JP2008191656A (ja) * | 2007-01-31 | 2008-08-21 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | ペリクル、方法（ｎａが１より大きい液浸リソグラフィ・システム用に最適化されたペリクル被膜） |
| JP2008247619A (ja) * | 2007-03-29 | 2008-10-16 | Fujifilm Corp | 金属酸化物微粒子水分散物及びその製造方法 |
| JP2011076042A (ja) * | 2009-10-02 | 2011-04-14 | Shin-Etsu Chemical Co Ltd | ペリクル |
| JP2018049043A (ja) * | 2016-09-20 | 2018-03-29 | 日本軽金属株式会社 | ペリクル用支持枠及びペリクル並びにその製造方法 |
-
1991
- 1991-10-16 JP JP26795691A patent/JPH0543238A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004537070A (ja) * | 2001-07-26 | 2004-12-09 | マイクロ リソグラフィー， インコーポレイテッド | 写真製版用のフッ化重合体被覆したフォトマスク |
| JP2007226244A (ja) * | 2006-02-22 | 2007-09-06 | Air Products & Chemicals Inc | リソグラフィプロセス用のトップコート及びその製造方法 |
| JP2008191656A (ja) * | 2007-01-31 | 2008-08-21 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | ペリクル、方法（ｎａが１より大きい液浸リソグラフィ・システム用に最適化されたペリクル被膜） |
| JP2008247619A (ja) * | 2007-03-29 | 2008-10-16 | Fujifilm Corp | 金属酸化物微粒子水分散物及びその製造方法 |
| JP2011076042A (ja) * | 2009-10-02 | 2011-04-14 | Shin-Etsu Chemical Co Ltd | ペリクル |
| JP2018049043A (ja) * | 2016-09-20 | 2018-03-29 | 日本軽金属株式会社 | ペリクル用支持枠及びペリクル並びにその製造方法 |
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