JPH0536755A - 回路基板装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 回路基板のリード電極領域の電極ピッチが微
小であっても所要の電気的接続を確実に達成することが
でき、また温度変化による熱履歴などの環境の変化に対
しても良好な電気的接続状態が安定に維持され、従って
接続信頼性の高い回路基板装置を提供することにある。 【構成】 本発明の回路基板装置は、回路基板と、この
回路基板のリード電極領域の表面上に一体的に形成され
た異方導電性コネクター層とよりなり、前記異方導電性
コネクター層は、絶縁性の弾性高分子物質中に導電性粒
子が密に充填されてなる複数の導電部が相互に絶縁部に
よって絶縁された状態で配置されてなり、前記導電部
は、前記絶縁部の外表面から突出した状態で、回路基板
のリード電極領域の表面におけるリード電極上に配置さ
れ、前記異方導電性コネクター層の絶縁部は、導電部を
構成する弾性高分子物質と異なる絶縁性の高分子物質よ
りなることを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、回路基板装置に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】一般に、プリント回路基板などの回路基
板においては、図14に示すように、回路基板100 の中央
部に機能素子が高度の集積度で形成された機能素子領域
101 が設けられると共に、周縁部に機能素子領域101 の
ための多数のリード電極102 が配列されたリード電極領
域103 が形成される。そして、現在においては、機能素
子領域101の集積度の増大に伴ってリード電極数が増加
する傾向にある。このような回路基板のリード電極と、
これに接続すべき他の回路端子などとの電気的な接続を
達成するために、従来、各リード電極領域上に異方導電
性シートを介在させることが行われている。この異方導
電性シートは、加圧されたときに厚さ方向にのみ導電性
を示す多数の加圧導電性導電部を有するものであり、種
々の構造のものが例えば特公昭56−48951 号公報、特開
昭51−93393号公報、特開昭53−147772号公報、特開昭5
4−146873号公報などにより、知られている。そして、
以上のような異方導電性シートは、それ自体が単独の製
品として製造され、また単独で取り扱われるものであっ
て、電気的接続作業においては回路基板に対して特定の
位置関係をもって保持固定することが必要である。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、異方導
電性シートを利用して回路基板の電気的接続を達成する
手段においては、回路基板におけるリード電極の配列ピ
ッチ（以下「電極ピッチ」という。) 、すなわち隣接す
るリード電極の中心間距離が小さくなるに従って異方導
電性シートの位置合わせおよび保持固定が困難となる、
という問題点がある。

【０００４】また、一旦は所望の位置合わせおよび保持
固定が実現された場合においても、温度変化による熱履
歴を受けた場合などには、熱膨張および熱収縮による応
力の程度が回路基板を構成する材料と異方導電性シート
を構成する材料との間で異なるため、電気的接続状態が
変化して安定な接続状態が維持されない、という問題点
がある。

【０００５】本発明は、以上のような問題点を解決する
ものであって、その目的は、回路基板のリード電極領域
の電極ピッチが微小であっても所要の電気的接続を確実
に達成することができ、また温度変化による熱履歴など
の環境の変化に対しても良好な電気的接続状態が安定に
維持され、従って接続信頼性の高い回路基板装置を提供
することにある。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明の回路基板装置
は、回路基板と、この回路基板のリード電極領域の表面
上に一体的に形成された異方導電性コネクター層とより
なり、前記異方導電性コネクター層は、絶縁性の弾性高
分子物質中に導電性粒子が密に充填されてなる複数の導
電部が相互に絶縁部によって絶縁された状態で配置され
てなり、前記導電部は、前記絶縁部の外表面から突出し
た状態で、回路基板のリード電極領域の表面におけるリ
ード電極上に配置され、前記異方導電性コネクター層の
絶縁部は、導電部を構成する弾性高分子物質と異なる絶
縁性の高分子物質よりなることを特徴とする。

【０００７】本発明の回路基板装置は、下記の工程〜
工程により製造することができる。 工程：回路基板のリード電極領域におけるリード電極
以外の表面上に、フォトリソグラフィー法により第１の
レジスト層である絶縁部用材料層を形成し、更に第１の
レジスト層上に、フォトリソグラフィー法により第２の
レジスト層を形成する工程。 工程：回路基板のリード電極領域におけるリード電極
の表面と、第１のレジスト層および第２のレジスト層と
により形成される孔内に、硬化されて絶縁性の弾性高分
子物質となる高分子物質材料中に導電性磁性体粒子を分
散してなる導電部用材料を充填して導電部用材料層を形
成し、当該導電部用材料層に磁場を厚さ方向に作用させ
ることにより導電性磁性体粒子を厚さ方向に配向させ、
この状態で導電部用材料層を硬化処理することにより導
電部を形成する工程。 工程：回路基板のリード電極領域におけるリード電極
以外の表面上に形成された第１のレジスト層および第２
のレジスト層のうち、第２のレジスト層のみを剥離除去
して第１のレジスト層よりなる絶縁部を形成する工程。

【０００８】

【実施例】以下、本発明を具体的に説明する。図１およ
び図２は、本発明の一実施例に係る回路基板装置におけ
るリード電極領域の構成を示す説明用平面図および説明
用断面図であって、10は回路基板、11はリード電極領
域、12は外部端子 (図示せず）に伸びるリード、13はリ
ード電極領域11におけるリード電極層を示し、この例に
おけるリード電極層13は回路基板10の表面から僅かに突
出した状態に形成されている。

【０００９】このような回路基板のリード電極領域11の
表面には、異方導電性コネクター層（以下単に「コネク
ター層」という）20が一体に接着乃至密着した状態で形
成されている。このコネクター層20は、絶縁性の弾性高
分子物質Ｅ中に導電性粒子Ｐが密に充填されてなる多数
の導電部（図１では斜線を付して示す。）21がリード電
極層13上に位置された状態で、かつ、各導電部21が相互
に絶縁部22によって絶縁された状態とされている。各導
電部21においては、導電性粒子Ｐが厚さ方向に配向され
ており、厚さ方向に導電路が形成される。ここで、導電
部は、厚さ方向に加圧されることにより抵抗値が減少し
て導電路が形成される、加圧導電部であってもよい。こ
れに対して、絶縁部22は、加圧されたときにも厚さ方向
に導電路が形成されないものである。

【００１０】この回路基板装置においては、コネクター
層20の外面において、導電部21が絶縁部22の表面から突
出した状態でリード電極層13上に配置されている。

【００１１】このような構成の回路基板装置において
は、これを製造する際、コネクター層を、絶縁層（第１
のレジスト層および第２のレジスト層）の開口部に埋め
込むことにより成型できるため、製造時における、コネ
クター層20の導電部21とリード電極層13との位置ずれ誤
差がきわめて小さくなり、また、リード電極領域11にコ
ネクター層20が一体に形成されており、しかもリード電
極層13上にコネクター層20の導電部21が配置されている
ため、電気的接続作業時にコネクター層20の回路基板へ
の位置合わせおよび保持固定を行うことが全く不要であ
り、従ってリード電極領域の電極ピッチが微小である場
合にも、所要の電気的接続を確実に達成することができ
る。また、コネクター層20は回路基板10と一体であるた
め、温度変化による熱履歴などの環境の変化に対して
も、良好な電気的接続状態が安定に維持され、従って常
に高い接続信頼性を得ることができる。

【００１２】更に、導電部21が絶縁部22の表面から突出
した状態で配置されているので、加圧による圧縮程度が
絶縁部22より導電部21において大きいために十分に抵抗
値の低い導電路が確実に導電部21に形成され、これによ
り、加圧力の変化乃至変動に対して抵抗値の変化を小さ
くすることができ、その結果、コネクター層20に作用さ
れる加圧力が不均一であっても、各導電部21間における
導電性のバラツキの発生を防止することができる。ここ
で、導電部21の突出高さｈは、コネクター層20の全厚ｔ
（ｔ＝ｈ＋ｄ、ｄは絶縁部22の厚さである。）の８％以
上であることが好ましく、またコネクター層20の全厚ｔ
は、リード電極層13の中心間距離として定義される電極
ピッチｐの300％以下、すなわちｔ≦３ｐであることが
好ましい。このような条件が充足されることにより、当
該コネクター層20に作用される加圧力が変化した場合に
も、それによる導電部21の導電性の変化が十分に小さく
抑制されるからである。なお、導電部21の突出部の平面
における全体が導電性を有することは必ずしも必要では
なく、例えば突出部の周縁には、電極ピッチの20％以下
の導電路非形成部分が存在していてもよい。

【００１３】また、隣接する導電部21間の離間距離ｒの
最小値は、当該導電部21の幅Ｒの10％以上であることが
好ましい。このような条件が満足されることにより、加
圧されて突出部が変形したときの横方向の変位が原因と
なって隣接する導電部21同士が電気的に接触するおそれ
を十分に回避することができる。以上の例において、導
電部21の平面形状はリード電極層13と等しい幅の短冊状
であるが、必要な面積を有する円形、その他の形状とす
ることができる。

【００１４】導電部21の導電性粒子Ｐとしては、例えば
ニッケル、鉄、コバルトなどの磁性を示す金属の粒子も
しくはこれらの合金の粒子、またはこれらの粒子に金、
銀、パラジウム、ロジウムなどのメッキを施したもの、
非磁性金属粒子もしくはガラスビーズなどの無機質粒子
またはポリマー粒子にニッケル、コバルトなどの導電性
磁性体のメッキを施したものなどを挙げることができ
る。後述する本発明の回路基板装置を製造する方法にお
いては、ニッケル、鉄、またはこれらの合金などよりな
る導電性磁性体粒子が用いられ、また接触抵抗が小さい
などの電気的特性の点で金メッキされた粒子を好ましく
用いることができる。また、磁気ヒステリシスを示さな
い点から、導電性超常磁性体よりなる粒子も好ましく用
いることができる。導電性粒子の粒径は、導電部21の加
圧変形を容易にし、かつ導電部21において導電性粒子間
に十分な電気的な接触が得られるよう、３〜200 μｍで
あることが好ましく、特に10〜100 μｍであることが好
ましい。導電部における導電性粒子の充填率は、10体積
％以上、特に25体積％以上であることが好ましい。導電
部を加圧導電部とする場合において、導電性粒子の充填
率が高いと、加圧力が小さいときにも確実に所期の電気
的接続を達成することができるからである。

【００１５】導電部21を構成する絶縁性で弾性を有する
高分子物質としては、硬化処理前には液状であって、硬
化処理後には回路基板と密着状態または接着状態を保持
して回路基板と一体の弾性体となる高分子物質用材料が
好ましい。また、導電部を構成する弾性高分子物質は、
繰り返し圧縮に対して優れた耐久性を有するものである
ことが好ましく、さらに絶縁部を構成する高分子物質と
接着性を有するものであることが好ましい。このような
観点から、本発明に好適な高分子物質用材料としては、
例えば付加型シリコーンゴム、ポリブタジエン、ポリイ
ソプレン、アクリロニトリル−ブタジエン共重合体、ウ
レタンゴムなどが挙げられ、これらの中で付加型シリコ
ーンゴムが好ましい。

【００１６】導電部を構成する弾性高分子物質のための
高分子物質用材料には、回路基板に対する接着性乃至密
着性を向上させるために、シランカップリング剤、チタ
ンカップリング剤などの添加剤を添加することができ
る。

【００１７】絶縁部を構成する高分子物質には、導電部
を構成する弾性高分子物質と同様に回路基板に対する接
着性乃至密着性が高いこと、更に、導電部を構成する弾
性高分子物質と接着性を有するものであることが好まし
い。また、絶縁部を構成する絶縁性の高分子物質として
は、紫外線照射等により硬化される感光性の高分子物質
用材料から得られるものが好ましい。このような高分子
物質を用いて絶縁部を形成することにより、コネクター
層それ自体の一体性並びにその回路基板に対する一体性
が確実に高くなる。このような観点から、本発明に好適
な絶縁部用の高分子物質用材料としては、オリゴエステ
ルアクリレート樹脂系の放射線硬化型レジスト、例えば
シリコーン含有オリゴエステルアクリレート、エポキシ
基含有オリゴエステルアクリレートなどを基材とするレ
ジストが挙げられ、エポキシ基含有オリゴエステルアク
リレートを基材とするレジストが好ましい。

【００１８】なお、絶縁部を構成する高分子物質のため
の高分子物質用材料においても、回路基板に対する接着
性乃至密着性を向上させるために、シランカップリング
剤、チタンカップリング剤などの添加剤を添加すること
ができる。

【００１９】このように、優れた繰り返し圧縮性を有す
る弾性高分子物質により導電部が構成され、かつ、前記
弾性高分子物質よりも回路基板に対する接着性乃至密着
性が高い高分子物質により絶縁部が構成されている場合
には、導電部の優れた繰り返し耐久性と、絶縁部の高い
接着性乃至密着性により、装置全体の強度が大きくて、
しかも繰り返し耐久性の優れた回路基板装置を得ること
ができる。

【００２０】なお、本発明の回路基板装置においては、
図８に示すように、コネクター層20の絶縁部22の表面
が、更に、絶縁性の弾性高分子物質よりなる絶縁層23に
よって被覆されているものであってもよく、このような
回路基板装置によれば、コネクター層20の耐久性、特に
繰り返し耐久性が更に高くなる。斯かる絶縁性の弾性高
分子物質としては、導電部21を構成する絶縁性の弾性高
分子物質と同様のものを好ましく挙げることができる。

【００２１】以下、本発明に係る回路基板装置の製造方
法について、図面を用いて説明する。なお、図３〜図７
は、各工程における説明用断面図である。

【００２２】＜工程＞図３に示すように、回路基板10
のリード電極領域におけるリード電極以外の表面14上
に、フォトリソグラフィー法により第１のレジスト層51
を形成し、更に、図４に示すように、第１のレジスト層
51上にフォトリソグラフィー法により第２のレジスト層
52を形成する。ここに、第１のレジスト層51はコネクタ
ー層の絶縁部となるものである。第１のレジスト層51を
構成する高分子物質は、回路基板10に対する接着性乃至
密着性が高いものであって、導電部を構成する弾性高分
子物質と接着性を有するものが好ましい。このような高
分子物質を用いて絶縁部を形成することにより、コネク
ター層それ自体の一体性並びにその回路基板に対する一
体性が確実に高くなる。第２のレジスト層52は、第１の
レジスト層51から容易に剥離できるレジスト材料よりな
ることが好ましく、放射線硬化型オリゴエステルアクリ
レートを挙げることができる。第１のレジスト層51およ
び第２のレジスト層52の硬化処理は、例えば紫外線照射
などにより行うことができる。

【００２３】図３および図４において、13はリード電極
層であり、60は、リード電極層13と、第１のレジスト層
51および第２のレジスト層52の積層体（以下「レジスト
積層体」ともいう）とにより区画形成された孔である。

【００２４】＜工程＞工程終了後、リード電極層13
と、レジスト積層体とにより区画形成された孔60内に導
電部用材料を充填して導電部用材料層を形成させる。こ
こで、充填する導電部用材料は、硬化されて絶縁性の弾
性高分子物質となる高分子物質材料中に導電性磁性体粒
子を分散してなる流動性混合物である。これにより、図
５に示すように、複数の導電部用材料層40が相互にレジ
スト積層体によって仕切られた状態で配置された複合コ
ネクター用材料層42が形成される。

【００２５】次いで、複合コネクター用材料層42におけ
る少なくとも導電部用材料層40を含む部分に厚さ方向に
平行磁場を作用させた状態で硬化処理を施し導電部を形
成する。具体的には、図６に示すように、この複合コネ
クター用材料層42が形成された回路基板10を、各々電磁
石を構成する上型31と下型32とよりなる金型のキャビテ
ィ内に配置する。この金型の上型31には、磁性を有する
平板34および例えばテフロン製の離型シート35が設けら
れている。そして、上型31に設けられた離型シート35の
下面を複合コネクター用材料層42の表面に対接させた状
態で、上型31と下型32の電磁石を動作させ、これにより
回路基板の厚さ方向に平行磁場を作用させる。その結
果、導電部用材料層40における導電性磁性体粒子は厚さ
方向に配向する。この状態で導電部用材料層40を硬化処
理することにより、リード電極層13上に位置する部分に
導電部21が形成される。

【００２６】本発明の回路基板装置の製造方法において
は、導電性磁性体粒子は当初から導電部21となるべき導
電部用材料層40のみに含有されている。従って、作用さ
せるべき平行磁場は、全体に均一な強度のものを用いる
ことができる。複合コネクター用材料層42に作用される
平行磁場の強度は、金型のキャビティの平均で 200〜2
0,000ガウスとなる大きさが好ましい。

【００２７】導電部用材料層40の硬化処理は、使用され
る材料によって適宜選定されるが、通常、熱処理によっ
て行われる。具体的な加熱温度および加熱時間は、導電
部用材料層40の高分子物質用材料の種類などを考慮して
適宜選定される。硬化処理は、平行磁場を作用させたま
ま行うことが好ましいが、平行磁場を除いた後、行って
もよい。

【００２８】＜工程＞磁場処理および硬化処理終了
後、回路基板10のリード電極領域におけるリード電極以
外の表面14上に形成されたレジスト積層体のうち、第２
のレジスト層52のみを剥離除去する。これにより、図７
に示すように、第１のレジスト層を絶縁部22とし、突出
した導電部21を有するコネクター層20が形成される。

【００２９】第２のレジスト層52の剥離方法としては、
導電部21およびレジスト積層体が形成された回路基板10
を、アルカリ液中に静置する方法などを挙げることがで
きる。以上の工程〜工程により、図２に示したよう
な回路基板装置を容易に製造することができる。

【００３０】以上の製造方法によれば、導電性磁性体粒
子の大きな移動を伴わないことから、導電部21における
導電性磁性体粒子の含有割合を大きくすることが容易で
ある。また、スクリーン印刷法やメタルマスクを用いた
印刷法により導電部用材料層を形成する場合のように、
リード電極以外の表面上に導電性磁性体粒子が散らばる
ことはなく、全ての導電性磁性体粒子を導電部21に集合
させることができ、絶縁部22における導電性磁性体粒子
の存在を確実に回避することができる。従って、以上の
方法によって製造された回路基板装置は、導通トラブル
などの問題がなく、信頼性の高い導通性が得られるもの
となる。

【００３１】なお、本発明の回路基板装置の製造方法に
おいては、上記の方法により製造された回路基板装置の
コネクター層の絶縁部22上に、更に、硬化して絶縁性の
弾性高分子物質となる高分子材料を塗布し、硬化処理す
ることにより、図８に示したように、コネクター層20の
絶縁部22の表面が、絶縁性の弾性高分子物質よりなる絶
縁層23によって被覆されている回路基板装置を製造する
こともできる。

【００３２】以下、本発明の実施例を比較例と共に説明
するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものでは
ない。

【００３３】＜実施例１＞各々の幅が0.15mm、電極ピッ
チが0.25mmの銅に金メッキを施してなるリード電極を合
計 240本有する回路基板のリード電極領域に、下記の条
件に従う方法により、外面が全体に平坦なコネクター層
を形成して回路基板装置を製造した。

【００３４】（導電部用材料）室温硬化型シリコーンゴ
ムに平均粒径40μｍのニッケルよりなる導電性磁性体粒
子を40体積％となる割合で混合してなる導電部用材料Ａ

【００３５】（第１のレジスト層の形成）回路基板のリ
ード電極領域に、プリント基板形成用の永久型ドライフ
ィルムレジスト「PHOTEC SR2300G」（エポキシ基含有オ
リゴエステルアクリレート：日立化成工業社製）をラミ
ネートした。ラミネートにはドライフィルムレジストラ
ミネータを用いた。その後、回路基板の永久型ドライフ
ィルムレジストのラミネート面に、ポリエステル製のフ
ィルムマスクを密着させて、リード電極層上の永久型ド
ライフィルムレジスト面のみ遮光される状態で紫外線を
照射した。フィルムマスクを剥がし、１％の炭酸ナトリ
ウム液を現像液とするスプレー現像装置を用いて現像
し、図３に示したように、リード電極領域におけるリー
ド電極以外の表面14上に、永久型ドライフィルムレジス
トよりなる厚さ70μｍの第１のレジスト層51を形成し
た。

【００３６】（第１のレジスト層の硬化処理）紫外線吸
収剤およびラジカル禁止剤よりなる流動性混合物を、第
１のレジスト層のリード電極上の開口部内に充填した。
その後、これに3000ｍＪの紫外線を照射し、さらに 150
℃で15分間放置して第１のレジスト層を硬化させた。

【００３７】（第２のレジスト層の形成）前記第１のレ
ジスト層が形成された回路基板のリード電極領域に、プ
リント基板形成用のドライフィルムレジスト「ORDYL,AF
900,TYPE AF950」（放射線硬化型オリゴエステルアクリ
レート：東京応化工業社製）を２度ラミネートした。ラ
ミネートにはドライフィルムレジストラミネータを用い
た。その後、回路基板のドライフィルムレジストのラミ
ネート面に、ポリエステル製のフィルムマスクを密着さ
せて、リード電極層上のドライフィルムレジスト面のみ
遮光される状態で、紫外線を照射した。フィルムマスク
を剥がし、前記と同様のスプレー現像装置により現像
し、第１のレジスト層上にドライフィルムレジストより
なる厚さ 100μｍの第２のレジスト層を形成した。以上
の工程により、図４に示したように、回路基板10のリー
ド電極領域におけるリード電極以外の表面14上に、第１
のレジスト層51および第２のレジスト層52よりなるレジ
スト積層体（厚さ175 μｍ）が形成された。

【００３８】（導電部の形成）紫外線吸収剤およびラジ
カル禁止剤よりなる流動性混合物を除去した後、当該流
動性混合物が充填されていた孔内に導電部用材料Ａを充
填して、図５に示したように導電部用材料層40を形成し
た。これを図６に示した金型のキャビティ内に配置し、
回路基板の厚さ方向に平行磁場を作用させた状態で、 1
00℃で１時間放置し、更に、平行磁場を除いた後、150
℃で20分間放置して導電部用材料層40を硬化させて導電
部21を形成した。

【００３９】（第２のレジスト層の除去）導電部21およ
びレジスト積層体が形成された回路基板10を、55℃に保
った３％の水酸化ナトリウム水溶液中に静置させること
により、レジスト積層体のうち、第２のレジスト層52の
みを除去して、図７に示したような回路基板装置を得
た。

【００４０】（回路基板装置のコネクター層） 導電部の厚さｔ … 0.175 mm 絶縁部の厚さｄ … 0.075 mm 導電部の突出割合（ｔ−ｄ）／ｔ … 57 ％

【００４１】＜実施例２＞実施例１で製造された回路基
板装置のコネクター層の導電部の表面上に、ポリエチレ
ングリコール水溶液を塗布して、 100℃で30分間熱風乾
燥を行った。その後、コネクター層の表面上に、室温硬
化型シリコーンゴムを、硬化後の厚さが50μｍとなるよ
う塗布し、これを150℃で30分間放置して硬化させた。
次いで、コネクター層の導電部の表面上に塗布されたポ
リエチレングリコールをエタノールを用いて除去するこ
とにより、図８に示したような、絶縁部22の表面が絶縁
層23によって被覆された回路基板装置を製造した。

【００４２】（回路基板装置のコネクター層） 導電部の厚さｔ … 0.175 mm 絶縁部の厚さｄ … 0.125 mm 導電部の突出割合（ｔ−ｄ）／ｔ … 29 ％

【００４３】＜比較例１＞実施例１と同様の回路基板
に、下記のようにしてコネクター層を形成して下記の回
路基板装置を製造した。図９に示すように、回路基板10
のリード電極層13上に、室温硬化型シリコーンゴムに平
均粒径40μｍのニッケルよりなる導電性磁性体粒子を15
体積％となる割合で混合してなる導電部用材料Ｃをスク
リーン印刷法で塗布して導電部用材料層40Ｃを形成し、
その後、図10に示すように、強磁性体部分Ｍと非磁性体
部分Ｎとよりなり、下面が平坦である磁極板33を用い、
その下面を導電部用材料層40Ｃの表面に対接させた状態
で平行磁場を作用させ、そのままの状態で 100℃で30分
間放置して硬化させ、導電部21Ｃを形成した。（なお、
使用した磁極板における強磁性体部分Ｍの幅および隣接
するものとの中心間距離（ピッチ）は、上記回路基板の
リード電極層の幅および電極ピッチと一致したものであ
り、この条件は以下の比較例２においても同様であ
る。）次いで、図11に示すように、導電部用材料Ｃと同
様の室温硬化型シリコーンゴムよりなる絶縁部用材料Ｄ
をリード電極層以外の領域に流し込んで絶縁部用材料層
41Ｄを形成し、これを 150℃で30分間放置して硬化さ
せ、絶縁部22Ｄを形成した。

【００４４】（回路基板装置のコネクター層） 導電部の厚さｔ … 0.18mm 絶縁部の厚さｄ … 0.17 mm 導電部の突出割合（ｔ−ｄ）／ｔ … 6 ％

【００４５】＜比較例２＞実施例１と同様の回路基板
に、下記のようにしてコネクター層を形成して下記の回
路基板装置を製造した。図12に示すように、回路基板10
のリード電極層13上に、室温硬化型シリコーンゴムに平
均粒径40μｍのニッケルよりなる導電性磁性体粒子を40
体積％となる割合で混合してなる導電部用材料Ｅを 100
μｍ厚のステンレス製メタルマスクを用いた印刷法で塗
布して導電部用材料層40Ｅを形成し、その後、導電部用
材料Ｅと同様の室温硬化型シリコーンゴムよりなる絶縁
部用材料Ｆをリード電極層以外の領域に流し込んで絶縁
部用材料層41Ｆを形成し、その後、図13に示すように、
強磁性体部分Ｍと非磁性体部分Ｎとよりなり、下面が平
坦である磁極板33を用い、その下面を、導電部用材料層
40Ｅおよび絶縁部用材料層41Ｆからなる複合コネクター
用材料層の表面から100μｍ離間させた状態で平行磁場
を作用させ、そのままの状態で 100℃で30分間放置して
硬化させ、導電部21Ｅと絶縁部22Ｆとよりなるコネクタ
ー層を形成した。

【００４６】（回路基板装置のコネクター層） 導電部の厚さｔ … 0.18mm 絶縁部の厚さｄ … 0.12 mm 導電部の突出割合（ｔ−ｄ）／ｔ … 33 ％

【００４７】＜試験例＞以上のようにして製造した各回
路基板装置について、そのリード電極の電気的接続にお
ける抵抗値を測定した。また、−20℃で１時間保持した
後80℃で１時間保持する熱サイクルを20回行った後、並
びに同様の熱サイクルを 100回行った後の抵抗値を測定
した。以上の結果を表１に示す。

【００４８】

【表１】

【００４９】以上の結果から明らかなように、本発明に
係る回路基板装置は、回路基板に一体的にコネクター層
が形成されており、当該コネクター層の回路基板に対す
る位置の変位が殆ど生じないため、例えば0.25mm以下の
ような微小な電極ピッチのリード電極に対しても、平均
抵抗値が十分に小さい状態で確実な電気的接続を達成す
ることができると共に、温度変化による熱履歴に対して
も抵抗値の変化が殆どない安定した電気的接続状態が保
持される。

【００５０】

【発明の効果】本発明によれば、異方導電性を有するコ
ネクター層が回路基板のリード電極領域に一体的に形成
されているため、リード電極との電気的接続を達成する
ために位置合わせや保持固定する作業が不要となるのみ
でなく、リード電極領域の電極ピッチが微小であっても
所要の電気的接続を確実に達成することができ、また温
度変化による熱履歴などの環境の変化に対しても良好な
電気的接続状態が安定に維持され、接続信頼性の高い回
路基板装置を提供することができる。

【００５１】また、導電部が絶縁部の表面から突出した
状態で配置されているので、加圧による圧縮程度が絶縁
部より導電部において大きいために十分に抵抗値の低い
導電路が確実に導電部に形成され、これにより、加圧力
の変化乃至変動に対して抵抗値の変化を小さくすること
ができ、その結果、コネクター層に作用される加圧力が
不均一であっても、各導電部間における導電性のバラツ
キの発生を防止することができる。

【００５２】更に、異方導電性コネクター層の絶縁部
は、導電部を構成する弾性高分子物質よりも回路基板に
対する接着性が高い絶縁性の高分子物質よりなり、導電
部と絶縁部とは、導電部を構成する弾性高分子物質と絶
縁部を構成する高分子物質との化学結合により、密着状
態で異方導電性コネクター層を形成しているので、コネ
クター層それ自体の一体性並びにその回路基板に対する
一体性が確実に高くなる。

【００５３】そして、導電部を構成する弾性高分子物質
が、優れた繰り返し圧縮性を有するシリコーンゴムであ
り、絶縁部を構成する高分子物質が、回路基板やシリコ
ーンゴムに対して優れた接着性、密着性を有するオリゴ
エステルアクリレート樹脂である場合には、装置全体と
しての強度が大きくて、しかも繰り返し耐久性の優れた
回路基板装置となる。

【００５４】本発明の回路基板装置は、上記の工程〜
工程により製造することができ、この製造方法によれ
ば、導電性磁性体粒子の大きな移動を伴わないことか
ら、導電部における導電性磁性体粒子の含有割合を大き
くすることが容易である。

【００５５】また、スクリーン印刷法やメタルマスクを
用いた印刷法により導電部用材料層を形成する方法のよ
うに、リード電極以外の表面上に導電性磁性体粒子が散
らばることはなく、全ての導電性磁性体粒子を導電部に
集合させることができ、絶縁部における導電性磁性体粒
子の存在を確実に回避することができる。

【００５６】そして、第２のレジスト層のみを剥離除去
することにより、導電部が絶縁部の表面から突出した状
態で配置されている異方導電性コネクター層を確実に形
成することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例に係る回路基板装置における
説明用平面図である。

【図２】本発明の一実施例に係る回路基板装置における
説明用断面図である。

【図３】本発明の回路基板装置の製造方法における一工
程を示す説明用断面図である。

【図４】本発明の回路基板装置の製造方法における一工
程を示す説明用断面図である。

【図５】本発明の回路基板装置の製造方法における一工
程を示す説明用断面図である。

【図６】本発明の回路基板装置の製造方法における一工
程を示す説明用断面図である。

【図７】本発明の回路基板装置の製造方法における一工
程を示す説明用断面図である。

【図８】本発明の他の実施例に係る回路基板装置の説明
用断面図である。

【図９】比較例の方法における一工程を示す説明用断面
図である。

【図１０】比較例の方法における一工程を示す説明用断
面図である。

【図１１】比較例の方法における一工程を示す説明用断
面図である。

【図１２】比較例の方法における一工程を示す説明用断
面図である。

【図１３】比較例の方法における一工程を示す説明用断
面図である。

【図１４】回路基板の説明用平面図である。

【符号の説明】

10 回路基板 11 リード電極領域 12 リード 13 リード電極層 20 異方導電性コネクター層 Ｅ 弾性高分子物質 Ｐ 導電性粒子 21 導電部 22 絶縁部 31 上型 32 下型 33 磁極板 34 磁性を有する平板 35 離型シート Ｍ 強磁性体部分 Ｎ 非磁性体部分 40 導電部用材料層 41 絶縁部用材料層 42 複合コネクター用材料層 100 回路基板 101 機能素子領域 102 リード電極 103 リード電極領
域

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 【請求項１】 回路基板と、この回路基板のリード電極
   領域の表面上に一体的に形成された異方導電性コネクタ
   ー層とよりなり、 前記異方導電性コネクター層は、絶縁性の弾性高分子物
   質中に導電性粒子が密に充填されてなる複数の導電部が
   相互に絶縁部によって絶縁された状態で配置されてな
   り、前記導電部は、前記絶縁部の外表面から突出した状
   態で、回路基板のリード電極領域の表面におけるリード
   電極上に配置され、 前記異方導電性コネクター層の絶縁部は、導電部を構成
   する弾性高分子物質と異なる絶縁性の高分子物質よりな
   ることを特徴とする回路基板装置。