JPH05346664A - 感光性樹脂組成物およびレジスト像の製造法 - Google Patents

感光性樹脂組成物およびレジスト像の製造法

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JPH05346664A
JPH05346664A JP15491192A JP15491192A JPH05346664A JP H05346664 A JPH05346664 A JP H05346664A JP 15491192 A JP15491192 A JP 15491192A JP 15491192 A JP15491192 A JP 15491192A JP H05346664 A JPH05346664 A JP H05346664A
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resin
alkali
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novolac resin
soluble novolac
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JP15491192A
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Koji Kato
幸治 加藤
Kei Kasuya
圭 粕谷
Asao Isobe
麻郎 磯部
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Showa Denko Materials Co Ltd
Original Assignee
Hitachi Chemical Co Ltd
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Publication date
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  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【構成】 アルカリ可溶性ノボラック樹脂およびキノン
ジアジド化合物を含有する感光性樹脂組成物において、
該アルカリ可溶性ノボラック樹脂の低分子量成分が除去
されており、かつ、下記の構造式(I)で表わされるフ
ェノール類環状化合物を含有する感光性樹脂組成物およ
びこの塗膜を露光、現像するレジスト像の製造法。 【化1】 (nは4〜8の整数を表わす) 【効果】 本発明の感光性樹脂組成物は、解像度、感度
および耐熱性に優れ、高集積回路を作製するためのポジ
型レジストに好適である。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は感光性樹脂組成物および
レジスト像の製造法に関し、さらに詳しくは高集積回路
を作製するための高解像度、高感度、高耐熱性のポジ型
レジストとなる感光性樹脂組成物およびこれを用いたレ
ジスト像の製造法に関する。
【0002】
【従来の技術】半導体製造工程において、ポジ型レジス
トは汎用的に用いられる。近年、集積回路の高集積化に
ともない、高解像度、高感度、高耐熱性、高ドライエッ
チング耐性のポジ型レジストが望まれている。従来よ
り、ポジ型レジストの高解像度化のためにポジ型レジス
トに使用するアルカリ可溶性ノボラック樹脂の改良が試
みられている。例えば、アルカリ可溶性ノボラック樹脂
として、米国特許第4,529,682号明細書には、
オルト−クレゾール、メタ−クレゾールおよびパラ−ク
レゾールからなる混合物をホルムアルデヒドと縮合させ
て得たノボラック樹脂が提案されている。特開昭60−
158440号公報には、メタ−クレゾール、パラ−ク
レゾールおよび2,5−キシレノールからなる混合物を
ホルムアルデヒドと縮合させて得たノボラック樹脂が提
案されている。特開昭63−234249号公報にはメ
タ−クレゾール、パラ−クレゾールおよび3,5−キシ
レノールからなる混合物をホルムアルデヒドと縮合させ
て得たノボラック樹脂が提案されている。このように、
アルカリ可溶性ノボラック樹脂の合成原料を限定するこ
とにより高解像度、高感度のポジ型レジストを得ること
ができたが、高耐熱性のものを得ることはできなかっ
た。
【0003】ポジ型レジストの耐熱性向上のためにも、
アルカリ可溶性ノボラック樹脂の改良が試みられてい
る。例えば、特開昭64−14229号公報および特開
平2−60915号公報には、ノボラック樹脂の低分子
量部分を除去して耐熱性を向上させることが提案されて
いる。しかし、ノボラック樹脂の低分子量部分を除去す
ることにより解像度、感度の低下が起こり、特性にバラ
ンスのとれたポジ型レジストを得ることはできなかっ
た。特開平2−275955号公報には、低下した解像
度、感動を補うため特定のポリフェノール類を添加する
ことが提案されているが、解像度、感度、耐熱性のバラ
ンスをとることは困難であった。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、前記の従来
技術の欠点を除去して、高解像度、高感度および高耐熱
性のポジ型レジストとなる感光性樹脂組成物およびこれ
を用いたレジスト像の製造法を提供するものである。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、前記の目
的を達成するために鋭意検討した結果、以下の手段によ
り高解像度、高感度および高耐熱性ポジ型レジストとな
る感光性樹脂組成物を得るに至った。すなわち、本発明
は、アルカリ可溶性ノボラック樹脂およびキノンジアジ
ド化合物を含有する感光性樹脂組成物において、該アル
カリ可溶性ノボラック樹脂のポリスチレン換算分子量
2,000以下の低分子量成分が0〜10重量%であ
り、かつ、下記構造式(I)で表わされるフェノール類
環状化合物を含有してなる感光性樹脂組成物およびこれ
を用いたレジスト像の製造法に関する。
【化2】 (nは、4〜8の整数を表わす)
【0006】本発明においては、上記のフェノール類環
状化合物を含有することで、アルカリ可溶性ノボラック
樹脂の低分子量成分の除去により生じた解像度の低下を
補い耐熱性を維持することができる。構造式(I)で表
わされるフェノール類環状化合物は、カリックスアレン
(グッチェ(Gutsche)、トピックス・イン・カ
レント・ケミストリー(Topics in Curr
ent Chemistry)123、1(198
4))と呼ばれている化合物で、アルカリ可溶性ノボラ
ック樹脂およびフェノール類環状化合物に対して好まし
くは3〜30重量%より好ましくは10〜20重量%含
有される。この化合物の含有量の少ない場合は、解像度
の向上の効果が少なく、反対にこの含有量の多い場合は
レジスト溶液に対する溶解性に劣る傾向がある。
【0007】構造式(I)で表わされるフェノール類環
状化合物は、既に公知の化合物で、フェノール性水酸基
を有するフェノール類とアルデヒド類とを金属アルカリ
触媒下で、重縮合させることにより得られる環状化合物
を濃硝酸でニトロ化することにより得られる。フェノー
ル性水酸基を有するフェノール類としては、パラ位に置
換基のついているフェノール類であり、パラ−クレゾー
ル、パラ−ターシャリーブチルフェノール等が挙げられ
る。アルデヒド類としては、ホルムアルデヒド、パラホ
ルムアルデヒド等が挙げられる。金属アルカリ触媒は、
環のサイズを決めるいわゆるテンプレート効果があり、
水酸化カリウム、水酸化ナトリウム、水酸化リチウム等
が挙げられる。このようなフェノール類、アルデヒド類
および金属アルカリ触媒を、キシレン、ジフェニルエー
テル、エチレングリコール等の150〜250℃の沸点
を有する溶剤中で、3〜20時間還流させ、縮合水を除
きながら重縮合反応させる。反応生成物は、クロロホル
ム、アセトン、ヘキサン等の溶剤により洗浄することに
より、精製できる。こうして得られたフェノール類環状
化合物を、大過剰の濃硝酸と濃硫酸中で、十分に混合す
ることによりフェノール性水酸基に対してパラ位にニト
ロ基を導入した上記の構造式(I)で表わされるフェノ
ール類環状化合物が得られる。このニトロ化反応は、−
10〜5℃で、1〜10時間行われる。反応生成物は、
水洗することにより精製できる。
【0008】本発明に用いられるアルカリ可溶性ノボラ
ック樹脂は、アルカリ水溶液に可溶であるノボラック樹
脂であれば特に制限されないが、フェノール性水酸基を
1個以上有するフェノール類をアルデヒド類を用いて重
縮合させたノボラック樹脂が好適である。フェノール類
としては、例えば、フェノール、オルト−クレゾール、
メタ−クレゾール、パラ−クレゾール、2,3−キシレ
ノール、2,4−キシレノール、2,5−キシレノー
ル、3,4−キシノレール、3,5−キシノレール、
2,3,5−トリメチルフェノール等のフェノール性水
酸基を1個有するフェノール類、レゾルシノール、カテ
コール等のフェノール性水酸基を2個有するフェノール
類、フロログルシン、ピロガロール、ヒドロキシヒドロ
キノン等のフェノール性水酸基を3個有するフェノール
類等が挙げられる。これらのフェノール類は、それぞれ
一種単独でまたは二種以上を組み合わせて用いることが
できる。アルデヒド類としては、例えば、ホルムアルデ
ヒド、パラホルムアルデヒド、アセトアルデヒド、プロ
ピルアルデヒド、ベンズアルデヒド、フェニルアセトア
ルデヒド、フェニルプロピルアルデヒド、ヒドロキシベ
ンズアルデヒド、クロロベンズアルデヒド、ニトロベン
ズアルデヒド、メチルベンズアルデヒド、エチルベンズ
アルデヒド、ブチルベンズアルデヒド等を挙げることが
できる。アルデヒド類の使用量は、フェノール類1モル
に対して0.5〜1.5モルの範囲が好ましい。重縮合
のための触媒としては、高分子量化させることのできる
酸触媒が好ましい。その酸触媒としては、塩酸、硝酸、
硫酸などの無機酸、蟻酸、蓚酸、酢酸などの有機酸を挙
げることができる。酸触媒の使用量は、フェノール類1
モルに対して、1×10-5〜1×10-1モルの範囲が好
ましい。重縮合の反応温度は、反応原料の反応性に応じ
て適宜調製することができるが、通常、70〜130℃
である。重縮合の方法としては、フェノール類、アルデ
ヒド類および酸触媒を一括して仕込む方法、酸触媒の存
在下にフェノール類およびアルデヒド類を反応の進行と
共に加えていく方法等を挙げることができる。重縮合終
了後は、反応系内に存在する未反応原料、縮合水、酸触
媒等を除去するために、一般的に減圧下例えば20〜5
0mmHgで、反応系内の温度を150〜200℃に上
昇させて、これらを除去し樹脂を回収する。
【0009】本発明では、このようにして得られてアル
カリ可溶性ノボラック樹脂の低分子量成分を削減あるい
は除去して用いる。低分子量成分の削減あるいは除去の
方法としては、溶解分別法が一般的である。すなわち、
アルカリ可溶性ノボラック樹脂を良溶媒に溶解させワニ
スとし、このワニスを貧溶媒に添加していき、低分子量
成分の多い希薄相と高分子量成分の多い濃厚相に分ける
か、あるいは、高分子量成分の多い沈殿相を作ることに
より、低分子量成分の削減あるいは除去を行う。また、
特開昭64−14229号公報に示されるように、アル
カリ可溶性ノボラック樹脂を粉砕し芳香族溶媒中に分散
させることにより抽出させ低分子量成分の削減あるいは
除去を行っても良い、このような方法により、アルカリ
可溶性ノボラック樹脂中のポリスチレン換算分子量2,
000以下の低分子量成分を0〜10重量%の範囲とす
ることができる。また、本発明では、特開平2−222
409号公報に示されるように、樹脂を合成する際に樹
脂に対して良溶媒と貧溶媒を混合させて通常の重縮合合
成反応を行って、低分子量成分の含有量の少ないノボラ
ック樹脂を得る方法を用いてもよい。このような方法に
よっても、ポリスチレン換算重量分子量2,000以下
の低分子量成分が0〜10重量%の範囲のアルカリ可溶
性ノボラック樹脂を得ることができる。
【0010】本発明の組成物に用いらるキノンジアジド
化合物としては、例えばパラ−クレゾール、レゾルシノ
ール、ピロガロール等のポリ(ヒドロキシベンゼン)の
1,2−ベンゾキノンジアジド−4−スルホン酸エステ
ル、1,2−ナフトキノンジアジド−4−スルホン酸エ
ステルおよび1,2−ナフトキノンジアジド−5−スル
ホン酸エステル;2,4−ジヒドロキシフェニル−n−
ヘキシルケトン、2,3,4−トリヒドロキシフェニル
−n−ヘキシルケトン、2,3,4−トリヒドロキシベ
ンゾフェノン、2,4,6−トリヒドロキシベンゾフェ
ノン、2,2′,4,4′−テトラヒドロキシベンゾフ
ェノン、2,3,4,4′−テトラヒドロキシベンゾフ
ェノン、2,3,4,4′−テトラヒドロキシ−3′−
メトキシベンゾフェノン、2,2′3,4−テトラヒド
ロキシ−4′−メチルベンゾフェノン、2,3,4,
2′,4′−ペンタヒドロキシベンゾフェノン、2,
3,4,2′,5′−ペンタヒドロキシベンゾフェノ
ン、2,3,4,2′,6′−ペンタヒドロキシベンゾ
フェノン、2,3,4,3′,4′−ペンタヒドロキシ
ベンゾフェノン、2,3,4,3′,5′−ペンタヒド
ロキシベンゾフェノン、2,4,6,2′,4′−ペン
タヒドロキシベンゾフェノン、2,4,6,2′,5′
−ペンタヒドロキシベンゾフェノン、2,4,6,
2′,6′−ペンタヒドロキシベンゾフェノン、2,
4,6,3′,4′−ペンタヒドロキシベンゾフェノ
ン、2,4,6,3′,5′−ペンタヒドロキシベンゾ
フェノン、2,3,4,5,2′−ペンタヒドロキシベ
ンゾフェノン、2,3,4,5,3′−ペンタヒドロキ
シベンゾフェノン、2,3,4,5,4′−ペンタヒド
ロキシベンゾフェノン、2,3,4,2′,3′,4′
−ヘキサヒドロキシベンゾフェノン、2,3,4,
3′,4′,5′−ヘキサヒドロキシベンゾフェノン、
2,3,4,2′,3′,6′−ヘキサヒドロキシベン
ゾフェノン、2,4,6,3′,4′,5′−ヘキサヒ
ドロキシベンゾフェノン、2,4,6,2′,4′,
6′−ヘキサヒドロキシベンゾフェノン、2,3,4,
5,2′,4′−ヘキサヒドロキシベンゾフェノン、
2,3,4,5,2′,5′−ヘキサヒドロキシベンゾ
フェノン、2,3,4,5,2′,6′−ヘキサヒドロ
キシベンゾフェノン、2,3,4,5,3′,4′−ヘ
キサヒドロキシベンゾフェノン、2,3,4,5,
3′,5′−ヘキサヒドロキシベンゾフェノン、2,
3,4,5,2′,3′,4′−ヘプタヒドロキシベン
ゾフェノン、2,3,4,5,3′,4′,5′−ヘプ
タヒドロキシベンゾフェノン、2,3,4,5,2′,
4′,6′−ヘプタヒドロキシベンゾフェノン、2,
3,4,2′,4′−ペンタヒドロキシ−5−エチルベ
ンゾフェノン、2,3,4,2′,4′−ペンタヒドロ
キシ−5−n−プロピルベンゾフェノン、2,3,4,
2′,4′−ペンタヒドロキシ−5−n−ブチルベンゾ
フェノン、2,3,4,2′,5′−ペンタヒドロキシ
−5−メチルベンゾフェノン、2,3,4,2′,6′
−ペンタヒドロキシ−5−メチルベンゾフェノン、2,
3,4,2′,5′−ペンタヒドロキシ−5−n−プロ
ピルベンゾフェノン、2,3,4,2′,6′−ペンタ
ヒドロキシ−5−n−プロピルベンゾフェノン、2,
3,4,3′,4′−ペンタヒドロキシ−5−n−プロ
ピルベンゾフェノン、2,3,4,3′,5′−ペンタ
ヒドロキシ−5−n−プロピルベンゾフェノン、2,
3,4,3′,4′−ペンタヒドロキシ−5−メチルベ
ンゾフェノン、2,3,4,3′,5′−ペンタヒドロ
キシ−5−メチルベンゾフェノン、2,3,4,2′,
3′,4′−ヘキサヒドロキシ−5−メチルベンゾフェ
ノン、2,3,4,3′,4′,5′−ヘキサヒドロキ
シ−5−メチルベンゾフェノン、2,3,4,2′,
4′,6′−ヘキサヒドロキシ−5−メチルベンゾフェ
ノン、2,3,4,2′,3′,4′−ヘキサヒドロキ
シ−5−n−プロピルベンゾフェノン、2,3,4,
3′,4′,5′−ヘキサヒドロキシ−5−n−プロピ
ルベンゾフェノン、2,3,4,2′,4′,6′−ヘ
キサヒドロキシ−5−n−プロピルベンゾフェノン、
2,3,2′,3′,4′−ペンタヒドロキシ−4−メ
トキシベンゾフェノン、2,3,2′,3′,4′−ペ
ンタヒドロキシ−4−エトキシベンゾフェノン、2,
3,2′,3′,4′−ペンタヒドロキシ−4−n−プ
ロポキシベンゾフェノン、2,3,2′,3′,4′−
ペンタヒドロキシ−4−n−ブトキシベンゾフェノン、
2,3,3′,4′,5′−ペンタヒドロキシ−4−メ
トキシベンゾフェノン、2,3,3′,4′,5′−ペ
ンタヒドロキシ−4−n−プロポキシベンゾフェノン、
2,3,2′,4′,6′−ペンタヒドロキシ−4−n
−プロポキシベンゾフェノン、2,3,2′,4′,
6′−ペンタヒドロキシ−4−メトキシベンゾフェノ
ン、2,3,4,2′,4′−ペンタヒドロキシ−5−
クロロベンゾフェノン、2,3,4,2′,6′−ペン
タヒドロキシ−5−クロロベンゾフェノン、2,3,
4,2′,4′−ペンタヒドロキシ−5−ブロモベンゾ
フェノン、2,3,4,2′,6′−ペンタヒドロキシ
−5−ブロモベンゾフェノン、2,3,4,3′,
4′,5′−ヘキサヒドロキシ−5−クロロベンゾフェ
ノン、2,3,4,3′,4′,5′−ヘキサヒドロキ
シ−5−ブロモベンゾフェノン、2,3,4,2′,
4′−ペンタヒドロキシ−5−シアノベンゾフェノン、
2,3,4,2′,4′−ペンタヒドロキシ−5−ニト
ロベンゾフェノン、2,3,4,3′,4′,5′−ヘ
キサヒドロキシ−5−シアノベンゾフェノン、2,3,
4,3′,4′,5′−ヘキサヒドロキシ−5−ニトロ
ベンゾフェノン、2,4,3′,4′,5′−ペンタヒ
ドロキシ−5−アセチルベンゾフェノン、2,4,
3′,4′,5′−ペンタヒドロキシ−5−ベンゾイル
ベンゾフェノン、2,3,4,3′,4′,5′−ヘキ
サヒドロキシ−5−アセチルベンゾフェノン、2,3,
4,3′,4′,5′−ヘキサヒドロキシ−5−ベンゾ
イルベンゾフェノン、2,3,4,3′,4′,5′−
ヘキサヒドロキシ−5−ベンジルベンゾフェノン等の
(ポリ)ヒドロキシフェニルアルキルケトンまたは(ポ
リ)ヒドロキシフェニルアリ−ルケトンの1,2−ベン
ゾキノンジアジド−4−スルホン酸エステル、1,2−
ナフトキノンジアジド−4−スルホン酸エステルおよび
1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸エステ
ル;ビス(パラ−ヒドロキシフェニル)メタン、ビス
(2,4−ジヒドロキシフェニル)メタン、ビス(2,
3,4−トリヒドロキシフェニル)メタン、2,2−ビ
ス(パラ−ヒドロキシフェニル)プロパン、2,2−ビ
ス(2,4−ジヒドロキシフェニル)プロパン、2,2
−ビス(2,3,4−トリヒドロキシフェニル)プロパ
ン等のビス{(ポリ)ヒドロキシフェニル}アルカンの
1,2−ベンゾキノンジアジド−4−スルホン酸エステ
ル、1,2−ナフトキノンジアジド−4−スルホン酸エ
ステルおよび1,2−ナフトキノンジアジド−5−スル
ホン酸エステル;3,5−ジヒドロキシ安息香酸ラウリ
ル、2,3,4−トリヒドロキシ安息香酸フェニル、
3,4,5−トリヒドロキシ安息香酸プロピル、3,
4,5−トリヒドロキシ安息香酸フェニル等の(ポリ)
ヒドロキシ安息香酸アルキルエステルまたは(ポリ)ヒ
ドロキシ安息香酸アリールエステルの1,2−ベンゾキ
ノンジアジド−4−スルホン酸エステル、1,2−ナフ
トキノンジアジド−4−スルホン酸エステルおよび1,
2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸エステル;
ビス(2,5−ジヒドロキシベンゾイル)メタン、ビス
(2,3,4−トリヒドロキシベンゾイル)メタン、ビ
ス(2,4,6−トリヒドロキシベンゾイル)メタン、
パラ−ビス(2,5−ジヒドロキシベンゾイル)ベンゼ
ン、パラ−ビス(2,3,4−トリヒドロキシベンゾイ
ル)ベンゼン、パラ−ビス(2,4,6−トリヒドロキ
シベンゾイル)ベンゼン等のビス{(ポリ)ヒドロキシ
ベンゾイル}アルカンまたはビス{(ポリ)ヒドロキシ
ベンゾイル}ベンゼンの1,2−ベンゾキノンジアジド
−4−スルホン酸エステル、1,2−ナフトキノンジア
ジド−4−スルホン酸エステルおよび1,2−ナフトキ
ノンジアジド−5−スルホン酸エステル;エチレングリ
コール−ジ(3,5−ジヒドロキシベンゾエート)、ポ
リエチレングリコール−ジ(3,4,5−トリヒドロキ
シベンゾエート)等のポリエチレングリコール−ジ
{(ポリ)ヒドロキシベンゾエート}の1,2−ベンゾ
キノンジアジド−4−スルホン酸エステル、1,2−ナ
フトキノンジアジド−4−スルホン酸エステルおよび
1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸エステ
ルが挙げられる。本発明におけるキノンジアジド化合物
の配合量は、樹脂100重量部に対して、5〜50重量
部が好ましい。
【0011】また、本発明の感光性樹脂組成物には、塗
布性、例えばストリエーション(膜厚のむら)を防いだ
り現像性を良くするための界面活性剤を配合することが
できる。さらに、本発明の感光性樹脂組成物には、露光
時のハレーションの影響を少なくするための染料や顔料
を配合することができる。その他、必要に応じて、保存
安定剤、溶解抑止剤等も配合することができる。
【0012】本発明の感光性樹脂組成物を溶液状にし、
これによって半導体製造用基板上に塗膜を作製し、露
光、現像することにより、レジスト像が製造される。露
光、現像の条件は制限されない。
【0013】この際に用いられる溶剤としては、例えば
エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリ
コールモノエチルエーテル、ジエチルグリコールジメチ
ルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、
ジエチレングリコールジプロピルエーテル、ジエチレン
グリコールジブチルエーテル等のグリコールエーテル
類、メチルセロソルブアセテートエチルセロソルブアセ
テート等のセロソルブアセテート類、2−ヒドロキシプ
ロピオン酸メチル、2−ヒドロキシジプロピオン酸エチ
ル等のモノヒドロキシカルボン酸エステル類、メチルエ
チルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類、トルエ
ン、キシレン等の芳香族炭化水素類を用いることができ
る。
【0014】本発明の組成物の現像液としては、例えば
水酸化ナトリウム等の無機アルカリ類、エチルアミン等
の第1級アミン類、ジエチルアミン等の第2級アミン
類、トリエチルアミン等の第3級アミン類、ジメチルエ
タノールアミン等のアルコールアミン類、テトラメチル
アンモニウムヒドロキシド、コリンなどの第4級アンモ
ニウム塩またはピペリジンなどの環状アミン類を溶解さ
せたアルカリ性水溶液が使用される。
【0015】実施例 以下、実施例により本発明を説明する。実施例中、樹脂
の特性として、重量平均分子量(Mw)、ポリスチレン
換算重量分子量2,000以下の低分子量成分の重量比
率およびアルカリ現像液に対する溶解時間を挙げた。そ
の特性の評価は、下記の方法により行った。Mwと低分
子量成分の重量比率;日立化成工業(株)製GPC低分
子カラム、ゲルパック(R420+R430+R44
0)を用いて、流量1.73ml/min、溶出溶媒テ
トラヒドロフラン、カラム温度室温の分析条件で単分散
ポリスチレンを標準として、(株)日立製作所製液体ク
ロマトグラム635A型HLCで測定した。HLCにお
いて樹脂全体とポリスチレン換算分子量2,000以下
の部分との面積比を切抜き重量法で算出して求めた。ア
ルカリ現像液に対する溶解時間;エチルセロソルブアセ
テートに溶解させた樹脂をシリコンウエハーに回転塗布
機で塗布し(塗布膜厚を1μmとする)、これを25℃
の現像液(テトラメチルアンモニウムヒドロキシド2.
38重量%水溶液)に入れ、塗膜の無くなる時間を測定
した。レジスト特性の評価は、下記の方法により行っ
た。 感度;(株)日立製作所製LD−5010i縮小投影露
光機で、露光時間を変化させて露光を行い、次いでテト
ラメチルアンモニウムヒドロシキド2.38重量%水溶
液を用いて25℃で60秒間現像し水でリンスし乾燥し
てウエハー上にレジストパターンを形成させ、0.7μ
mのライン・アンド・スペースを1対1の幅で形成する
露光量(以下、「最適露光量」とする)を求めた。 解像度;最適露光量において解像できる最小のレジスト
パターンの寸法を求めた。 耐熱性;クリーンオーブン中にレジストパターンを形成
したウエハーを入れて、パターンが変形し始める温度を
測定した。
【0016】合成例1 撹はん機、冷却管及び温度計を装着したセパラブルフラスコに、 メタ−クレゾール 328.1g パラ−クレゾール 400.9g 37重量%ホルマリン 372.2g 蓚酸 2.2g を仕込みセパラブルフラスコを油浴に浸し、内温を97
℃に保ち撹はんしながら3時間重縮合を行った。その
後、内温を180℃まで上げ、同時に反応容器内の圧力
を10〜20mmHgまで減圧し、未反応のフェノール
類、ホルムアルデヒド、水および蓚酸を除去した。次い
で、溶融した樹脂を金属バットにあけ樹脂を回収した
(以下、この樹脂を「樹脂1」とする)。樹脂1のMw
を測定したところ、11,000であり、分子量(ポリ
スチレン換算重量分子量、以下同じ)2,000以下の
低分子量成分の重量比率は35重量%であった。また、
アルカリ現像液に対する溶解時間は、65秒/μmであ
った。550gの樹脂1をエチルセロソルブアセテート
1,100gに溶解させ樹脂ワニスとし、これに、トル
エン1,000g、ヘキサン1,000gを30分間、
混合撹はんした後、放置し、下層部分に高分子量成分の
多い濃厚相を得ることができた。この濃厚相を分取し、
減圧下乾燥させることにより、低分子量成分の削減され
たアルカリ可溶性ノボラック樹脂が得られた(以下、こ
の樹脂を「樹脂2」とする。)樹脂2のMwを測定した
ところ、13,000であり、分子量2,000以下の
低分子量成分の重量比率は3重量%であった。また、ア
ルカリ現像液に対する溶解時間は、1,000秒/μm
以上であった。
【0017】合成例2 合成例1と同様なセパラブルフラスコに、 メタ−クレゾール 324.5g パラ−クレゾール 249.6g 3,5−キシレノール 116.5g 37重量%ホルマリン 353.6g 蓚酸 2.2g を仕込み、合成例1と同様の合成条件で樹脂を得た(以
下、この樹脂を「樹脂3」とする)。樹脂3のMwを測
定したところ、5,500であり、分子量2,000以
下の低分子量成分の重量比率は32重量%であった。ま
たアルカリ現像液に対する溶解時間は、35秒/μmで
あった。樹脂3を合成例1と同様の溶解分別法により処
理し、低分子量成分の削減されたアルカリ可溶性ノボラ
ック樹脂が得られた(以下、この樹脂を「樹脂4」とす
る)。樹脂4のMwを測定したところ、6,800であ
り、分子量2,000以下の低分子量成分の重量比率は
4重量%であった。また、アルカリ現像液に対する溶解
時間は、1,000秒/μm以上であった。
【0018】合成例3 合成例1と同様なセパラブルフラスコに メタ−クレゾール 162.0g パラ−クレゾール 324.0g 2,5−キシレノール 183.0g 37重量%ホルマリン 384.3g 蓚酸 2.2g を仕込み、合成例1と同様の合成条件で樹脂を得た(以
下、この樹脂を「樹脂5」とする)。樹脂5のMwを測
定したところ、4,200であり、分子量2,000以
下の低分子量成分の重量比率は28重量%であった。ま
た、アルカリ現像液に対する溶解時間は、42秒/μm
であった。樹脂5を合成例1と同様の溶解分別法により
処理し、低分子量成分の削減されたアルカリ可溶性ノボ
ラック樹脂が得られた(以下、この樹脂を「樹脂6」と
する)。樹脂6のMwを測定したところ、5,500で
あり、分子量2,000以下の低分子量成分の重量比率
は3重量%であった。また、アルカリ現像液に対する溶
解時間は、1,000秒/μm以上であった。
【0019】合成例4 合成例1と同様なセパラブルフラスコに パラ−ターシャリーブチルフェノール 100.0g 37重量%ホルマリン 67.3g 水 200.0g 水酸化ナトリウム 1.2g を仕込み、セパラブルフラスコを油浴に浸し、還流温度
で撹はんしながら2時間重縮合を行った。その後、反応
系内から水を除き、ジフェニルエーテル800mlを投
入し、250℃で縮合水を除きながら2時間撹はんを行
った。次に、冷却後、反応系内にメタノール500ml
を入れ、沈殿物をろ別しメタノールで洗浄精製し、フェ
ノール類環状化合物(上記の構造式(I)において、ニ
トロ基の位置にターシャリーブチル基、n=4)を得た
(以下、このフェノール類環状化合物を「環状化合物
a」とする)。 撹はん子を入れ、温度計を装着した200mlのビーカに 濃硝酸 75.0g 濃塩酸 36.0g を仕込み、氷浴で内温を5℃以下とする。これに、環状
化合物a6.0gを撹はんしながら20分間かけて添加
する。添加後、内温を5℃以下に保ちながら、20分間
撹はんする。その後、氷水70gをビーカに入れ、反応
生成物をろ別する。反応生成物を水で2〜3回洗浄し、
真空乾燥器で8時間乾燥させニトロ化した環状化合物
(上記の構造式(I)において、n=4)を4.0g得
た(以下、このフェノール類環状化合物を「環状化合物
b」とする)。
【0020】合成例5 合成例1と同様なセパラブルフラスコに パラ−ターシャリーブチルフェノール 120.2g 37重量%ホルマリン 48.0g 水 3.0g 水酸化ナトリウム 3.0g キシレン 400.0g を仕込み、セパラブルフラスコを油浴に浸し、反応系内
から水を除きながら、還流温度で撹はんしながら14時
間重縮合を行った。反応生成物を冷却後、酢酸で中和
し、固形物をろ別した。ろ別した固形物をアセトン、温
水で洗浄精製し、フェノール類環状化合物(上記の構造
式(I)において、ニトロ基の位置がターシャリーブチ
ル基、n=8)を得た(以下、このフェノール類環状化
合物を「環状化合物c」とする)。 撹はん子を入れ、温度計を装着した200mlビーカに 濃硝酸 75.0g 濃塩酸 36.0g を仕込み、氷浴で内温を5℃以下とする。これに、環状
化合物c6.0gを撹はんしながら20分間かけて添加
する。添加後、内温を5℃以下に保ちながら、20分間
撹はんする。その後、氷水70gをビーカに入れ、反応
生成物をろ別する。反応生成物を水で2〜3回洗浄し、
真空乾燥器で8時間乾燥させニトロ化した環状化合物
(上記の構造式(I)において、n=8)を4.2g得
た(以下、このフェノール類環状化合物を「環状化合物
d」とする)。
【0021】実施例1 樹脂2を17g、環状化合物bを3g、2,4,7−ト
リヒドロキシ2,4,4−トリメチルフラバン1.0モ
ルと1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホニルク
ロリド2.3モルとの縮合物(以下、「1,2−ナフト
キノンジアジドI」とする)4gをエチルセロソルブア
セテート80gに溶解させた後、孔径0.2μmのメン
ブランフィルタでろ過し、ポジ型レジストを調製した。
得られた溶液をシリコンウエハ上に、(株)大日本スク
リーン製D−SPINを用いて塗布し、90℃で90秒
間プリベークし、膜厚1.22μmのレジスト膜を形成
し、レジスト特性の試験を行った。結果を表1に示す。
【0022】実施例2 実施例1において、樹脂2の代わりに樹脂4を用いて、
樹脂4を16g、環状化合物bを4g用いて、実施例1
を同様にしてポジ型レジストを調製し、レジスト特性の
試験を行った。結果を表1に示す。
【0023】実施例3 実施例1において、樹脂2の代わりに樹脂6を用いて、
樹脂6を15g、環状化合物bを5g用いて、実施例1
と同様にしてポジ型レジストを調製し、レジスト特性の
試験を行った。結果を表1に示す。
【0024】実施例4 樹脂4を17g、環状化合物bを3g、ジ(4−ヒドロ
キシフェニル)[4−(1−(4−ヒドロキシフェニ
ル)−1−メチルエチル)フェニル]エタン1.0モル
と1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホニルクロ
リド3.0モルとの縮合物(以下、「1,2−キノンジ
アジドII」とする)4gをエチルセロソルブアセテー
ト80gに溶解させた後、実施例1と同様にしてポジ型
レジストを調製し、レジスト特性の試験を行った。結果
を表1に示す。
【0025】実施例5 実施例1において、環状化合物bの代わりに環状化合物
dを用いた以外は、実施例1と同様にしてポジ型レジス
トを調製し、レジスト特性の試験を行った。結果を表1
に示す。
【0026】比較例1 樹脂3を20g、1,2−キノンジアジドIを4g、エ
チルセロソルブアセテート80gに溶解させた後、実施
例1と同様にしてポジ型レジストを調製し、レジスト特
性の試験を行った。結果を表1に示す。
【0027】比較例2 樹脂5を20g、1,2−キノンジアジドIを4g、エ
チルセロソルブアセテート80gに溶解させた後、実施
例1と同様にしてポジ型レジストを調製し、レジスト特
性の試験を行った。結果を表1に示す。
【0028】比較例3 樹脂5を17g、環状化合物bを3g、1,2−キノン
ジアジドIを4g、エチルセロソルブアセテート80g
に溶解させた後、実施例1と同様にしてポジ型レジスト
を調製し、レジスト特性の試験を行った。結果を表1に
示す。
【0029】
【表1】
【0030】
【発明の効果】本発明の感光性樹脂組成物は、感度、解
像度、耐熱性に優れ、集積回路を作製するためのポジ型
レジストに好適であり、これによって好ましい特性のレ
ジスト像を得ることができる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H01L 21/027

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 アルカリ可溶性ノボラック樹脂およびキ
    ノンジアジド化合物を含有する感光性樹脂組成物におい
    て、該アルカリ可溶性ノボラック樹脂のポリスチレン換
    算分子量2,000以下の低分子量成分が0〜10重量
    %であり、かつ、下記構造式(I)で表わされるフェノ
    ール類環状化合物を含有してなる感光性樹脂組成物。 【化1】 (nは、4〜8の整数を表わす)
  2. 【請求項2】 請求項1記載の感光性樹脂組成物の塗膜
    を露光、現像するレジスト像の製造法。
JP15491192A 1992-06-15 1992-06-15 感光性樹脂組成物およびレジスト像の製造法 Pending JPH05346664A (ja)

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2016158881A1 (ja) * 2015-03-30 2016-10-06 三菱瓦斯化学株式会社 感放射線性組成物及びレジストパターン形成方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2016158881A1 (ja) * 2015-03-30 2016-10-06 三菱瓦斯化学株式会社 感放射線性組成物及びレジストパターン形成方法
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