JPH0534523A - 単結晶光フアイバの製造方法およびその装置 - Google Patents
単結晶光フアイバの製造方法およびその装置Info
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- JPH0534523A JPH0534523A JP3216617A JP21661791A JPH0534523A JP H0534523 A JPH0534523 A JP H0534523A JP 3216617 A JP3216617 A JP 3216617A JP 21661791 A JP21661791 A JP 21661791A JP H0534523 A JPH0534523 A JP H0534523A
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- Japan
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 単結晶光ファイバの成長中の溶融領域の外気
圧をその材料に適合させて、減圧・加圧状態にすること
により、結晶欠陥の少ない単結晶光ファイバを製造する
方法およびその装置を提供することにある。 【構成】 母材12の一端をレーザ光11により加熱溶融さ
せ、この加熱溶融部に種結晶14を接触させ、前記母材12
を加熱溶融部の方向に移動させながら、種結晶14を母材
12の移動方向と同一方向に移動させることにより、単結
晶光ファイバを作製する製造方法において、前記加熱溶
融部15を含む雰囲気を減圧状態または加圧状態とするこ
とにより、単結晶光ファイバを作製する単結晶光ファイ
バの製造方法である。
圧をその材料に適合させて、減圧・加圧状態にすること
により、結晶欠陥の少ない単結晶光ファイバを製造する
方法およびその装置を提供することにある。 【構成】 母材12の一端をレーザ光11により加熱溶融さ
せ、この加熱溶融部に種結晶14を接触させ、前記母材12
を加熱溶融部の方向に移動させながら、種結晶14を母材
12の移動方向と同一方向に移動させることにより、単結
晶光ファイバを作製する製造方法において、前記加熱溶
融部15を含む雰囲気を減圧状態または加圧状態とするこ
とにより、単結晶光ファイバを作製する単結晶光ファイ
バの製造方法である。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は光信号処理や光記憶素子
などへ応用が期待される高品質な単結晶光ファイバの製
造方法およびその装置に関するものである。
などへ応用が期待される高品質な単結晶光ファイバの製
造方法およびその装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図５に従来の単結晶光ファイバの製造方
法の一例を示す。図５において、母材102 の上部は加熱
用レーザ光101 により加熱されて溶融部105 を形成す
る。溶融部105 に種結晶104 を付着させ、種結晶を速度
Ｖ2 で移動させることともに、母材102 を速度Ｖ1 で移
動させると、単結晶光ファイバ103 が形成される。ここ
で、単結晶光ファイバ103 の方位は、種結晶の結晶方位
と一致し、組成は母材の組成とほぼ同様となる。また単
結晶光ファイバの外径は、 Ｄ2=Ｄ1 ×（Ｖ1 ／Ｖ2 ）1/2 (1) と表わされる。ここで、Ｄ1 は母材の外径である。従っ
て、種結晶の移動速度Ｖ2 および母材の移動速度Ｖ1 を
調整することにより、所望の外径の単結晶光ファイバを
作製できる。この方法により、ニオブ酸リチウム、ニオ
ブ酸カリウム、サファイア等の単結晶光ファイバを作製
できる。ここで溶融部105 はこれまで大気中のもとで酸
素ガスを流した雰囲気に置かれていた。
法の一例を示す。図５において、母材102 の上部は加熱
用レーザ光101 により加熱されて溶融部105 を形成す
る。溶融部105 に種結晶104 を付着させ、種結晶を速度
Ｖ2 で移動させることともに、母材102 を速度Ｖ1 で移
動させると、単結晶光ファイバ103 が形成される。ここ
で、単結晶光ファイバ103 の方位は、種結晶の結晶方位
と一致し、組成は母材の組成とほぼ同様となる。また単
結晶光ファイバの外径は、 Ｄ2=Ｄ1 ×（Ｖ1 ／Ｖ2 ）1/2 (1) と表わされる。ここで、Ｄ1 は母材の外径である。従っ
て、種結晶の移動速度Ｖ2 および母材の移動速度Ｖ1 を
調整することにより、所望の外径の単結晶光ファイバを
作製できる。この方法により、ニオブ酸リチウム、ニオ
ブ酸カリウム、サファイア等の単結晶光ファイバを作製
できる。ここで溶融部105 はこれまで大気中のもとで酸
素ガスを流した雰囲気に置かれていた。
【０００３】一般に単結晶光ファイバはその径が細い
（100 μm 以下) ので、結晶品質の良いものが比較的簡
単に得られるとされてきた。しかしながら、その応用が
具体化し、より高品質な素子を実現するためには、単結
晶光ファイバ中の結晶欠陥や歪を大幅に低減する必要が
生じてきた。また、文献 (Hesselink et. al, Opt.Let
t., 13 , 877-879 (1988)) に見られるように、最近フ
ォトリフラクティブ効果を用いたホログラフィメモリに
ファイバ形単結晶を用いようとする研究が活発化してい
る。この応用には結晶欠陥や歪をほとんど無くした太さ
１mm程度の径のファイバ状単結晶が必要である。しかし
ながら、従来の単結晶光ファイバの作製方法において
は、このような太さのものを引き上げた場合、酸素欠陥
が生じ易く、高品質な単結晶光ファイバを引き上げるの
が困難な状況にあった。これは、すなわち画像情報記録
を行う場合の像の劣化を意味し、フォトリフラクティブ
ホログラフィメモリを実現する上で、高品質な単結晶光
ファイバの実現は、不可欠な課題となっている。また、
このような太い径の結晶は、バルク結晶から切り出す方
法も考えられるが、その切断、研磨のコストを考える
と、高品質ファイバ状単結晶の実現がもたらす効果は非
常に大きい状況にある。
（100 μm 以下) ので、結晶品質の良いものが比較的簡
単に得られるとされてきた。しかしながら、その応用が
具体化し、より高品質な素子を実現するためには、単結
晶光ファイバ中の結晶欠陥や歪を大幅に低減する必要が
生じてきた。また、文献 (Hesselink et. al, Opt.Let
t., 13 , 877-879 (1988)) に見られるように、最近フ
ォトリフラクティブ効果を用いたホログラフィメモリに
ファイバ形単結晶を用いようとする研究が活発化してい
る。この応用には結晶欠陥や歪をほとんど無くした太さ
１mm程度の径のファイバ状単結晶が必要である。しかし
ながら、従来の単結晶光ファイバの作製方法において
は、このような太さのものを引き上げた場合、酸素欠陥
が生じ易く、高品質な単結晶光ファイバを引き上げるの
が困難な状況にあった。これは、すなわち画像情報記録
を行う場合の像の劣化を意味し、フォトリフラクティブ
ホログラフィメモリを実現する上で、高品質な単結晶光
ファイバの実現は、不可欠な課題となっている。また、
このような太い径の結晶は、バルク結晶から切り出す方
法も考えられるが、その切断、研磨のコストを考える
と、高品質ファイバ状単結晶の実現がもたらす効果は非
常に大きい状況にある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】以上の点に鑑み、本発
明は単結晶光ファイバの成長中の溶融領域の外気圧をそ
の材料に適合させて、減圧・加圧状態にすることによ
り、結晶欠陥の少ない単結晶光ファイバを製造する方法
およびその装置を提供することにある。
明は単結晶光ファイバの成長中の溶融領域の外気圧をそ
の材料に適合させて、減圧・加圧状態にすることによ
り、結晶欠陥の少ない単結晶光ファイバを製造する方法
およびその装置を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の単結晶光ファイ
バの製造方法は、母材を加熱溶融しながら種結晶を用い
て線引きして単結晶光ファイバを作製するにあたって、
加熱溶融領域を成長結晶の種類により、減圧・加圧状態
に置くことにより、結晶欠陥を低減させる。
バの製造方法は、母材を加熱溶融しながら種結晶を用い
て線引きして単結晶光ファイバを作製するにあたって、
加熱溶融領域を成長結晶の種類により、減圧・加圧状態
に置くことにより、結晶欠陥を低減させる。
【０００６】
【作用】減圧状態と加熱状態の二つの場合に分けて、別
々に説明する。減圧状態 例えば、Ｃa Ｆ2 などのフッ化物や、Ｓi 、Ｇeなどの
半導体の単結晶光ファイバを作製する場合、大気中の酸
素による酸化の問題や不純物混入による欠陥の発生など
を加熱溶融部を、真空中に置くことにより、除去するこ
とができる。加圧状態 例えば、ＬｉＮｂＯ3 やＳｒＢａＮｂ2 Ｏ6 などの酸化
物の単結晶光ファイバを作製する場合、溶融領域で酸素
が蒸発することにより、酸素欠陥が生じ易い。溶融部を
酸素分圧の高い加圧状態とすることにより、酸素欠陥を
除去することができる。いずれの場合も実際の装置は、
母材を溶融させるためのレーザとその集光光学系を備
え、金属製のチャンバーと、そのチャンバー内外に、母
材および成長結晶を出し入れする機構（大気とチャンバ
ー内をシールする機構）を有する。
々に説明する。減圧状態 例えば、Ｃa Ｆ2 などのフッ化物や、Ｓi 、Ｇeなどの
半導体の単結晶光ファイバを作製する場合、大気中の酸
素による酸化の問題や不純物混入による欠陥の発生など
を加熱溶融部を、真空中に置くことにより、除去するこ
とができる。加圧状態 例えば、ＬｉＮｂＯ3 やＳｒＢａＮｂ2 Ｏ6 などの酸化
物の単結晶光ファイバを作製する場合、溶融領域で酸素
が蒸発することにより、酸素欠陥が生じ易い。溶融部を
酸素分圧の高い加圧状態とすることにより、酸素欠陥を
除去することができる。いずれの場合も実際の装置は、
母材を溶融させるためのレーザとその集光光学系を備
え、金属製のチャンバーと、そのチャンバー内外に、母
材および成長結晶を出し入れする機構（大気とチャンバ
ー内をシールする機構）を有する。
【０００７】
【実施例】以下、図面を参照して本発明の実施例を詳細
に説明する。実施例１ 本発明による単結晶光ファイバの製造方法の一実施例を
図１に模式的に示す。
に説明する。実施例１ 本発明による単結晶光ファイバの製造方法の一実施例を
図１に模式的に示す。
【０００８】図１において、結晶母材12の上部を加熱用
レーザ光11により加熱、溶融する。この溶融部15を種結
晶14に付着させ、種結晶14を速度Ｖ2 で移動させ、母材
12を速度Ｖ1 で移動させて線引きすることにより、単結
晶光ファイバ13が作製される。また、単結晶光ファイバ
13の外径Ｄ2 は前述した式(1)で定まる。ここで、単結
晶光ファイバ13の結晶方位は、種結晶14の結晶方位と同
一である。
レーザ光11により加熱、溶融する。この溶融部15を種結
晶14に付着させ、種結晶14を速度Ｖ2 で移動させ、母材
12を速度Ｖ1 で移動させて線引きすることにより、単結
晶光ファイバ13が作製される。また、単結晶光ファイバ
13の外径Ｄ2 は前述した式(1)で定まる。ここで、単結
晶光ファイバ13の結晶方位は、種結晶14の結晶方位と同
一である。
【０００９】溶融部15は金属製のチャンバー22内に置か
れており、母材結晶の支持棒16と種結晶の支持棒17は気
密性の良いシール (例えば０リング）18, 19を介してチ
ャンバー内に出し入れできる構造となっている。またチ
ャンバーは排気口21から真空ポンプにより、排気できる
構成となっている。またガス導入口20はチャンバー内の
雰囲気を、例えば酸素、アルゴン雰囲気に置換するため
に設けたものである。チャンバー内圧力を高めるとき
は、排気口21を閉じ、ガス導入口20から所望のガスを封
入することにより、所望のガス圧にすることができる。
以下、具体的に述べる。
れており、母材結晶の支持棒16と種結晶の支持棒17は気
密性の良いシール (例えば０リング）18, 19を介してチ
ャンバー内に出し入れできる構造となっている。またチ
ャンバーは排気口21から真空ポンプにより、排気できる
構成となっている。またガス導入口20はチャンバー内の
雰囲気を、例えば酸素、アルゴン雰囲気に置換するため
に設けたものである。チャンバー内圧力を高めるとき
は、排気口21を閉じ、ガス導入口20から所望のガスを封
入することにより、所望のガス圧にすることができる。
以下、具体的に述べる。
【００１０】母材として、Ｃｅ 0.05 ％ドープＳＢＮ
（Ｓｒ60Ｂａ40Ｎｂ2 ０6 ）結晶 (１mmφ) を用い、種
結晶として、同結晶のａ軸方位を用いて、引き上げ速度
１mm／min とした場合における、成長したＳＢＮ単結晶
光ファイバの透過損失特性を図２に示す。(a) は従来の
雰囲気制御を特にしない場合（大気中で酸素を流すだ
け）のものであり、(b) は本発明における雰囲気制御を
施した状態で成長させたものである。実験は、チャンバ
ーを一度104Torr まで排気した後、酸素ガスを導入し、
２Kg／cm2 にまで加圧した状態で行った。Ｃｅによる吸
収により、この単結晶光ファイバは本来比較的大きな損
失を示すが、この吸収損失のほかに、結晶中の欠陥や歪
による散乱損失が従来多く存在した。( (a) : 6 dB／mm
)。しかしながら本発明により作製した単結晶光ファイ
バは、外気の酸素分圧が高いので、従来発生し易かった
酸素欠陥が除去され、理想的な吸収損失のみの損失 (図
中点線で示す) に近い特性(1.2dB／mm) が得られること
がわかる。図３ (a),(b)には、それぞれ従来の製造方法
で作製した単結晶光ファイバと、本発明の製造方法で作
製した ＣｅドープＳＢＮ単結晶光ファイバを用いたフ
ォトリフラクティブ効果によるホログラフィの記録・再
生の結果を示す。本発明による図３(b) の単結晶光ファ
イバを用いた場合、良好な画像が再生されていることが
わかる。
（Ｓｒ60Ｂａ40Ｎｂ2 ０6 ）結晶 (１mmφ) を用い、種
結晶として、同結晶のａ軸方位を用いて、引き上げ速度
１mm／min とした場合における、成長したＳＢＮ単結晶
光ファイバの透過損失特性を図２に示す。(a) は従来の
雰囲気制御を特にしない場合（大気中で酸素を流すだ
け）のものであり、(b) は本発明における雰囲気制御を
施した状態で成長させたものである。実験は、チャンバ
ーを一度104Torr まで排気した後、酸素ガスを導入し、
２Kg／cm2 にまで加圧した状態で行った。Ｃｅによる吸
収により、この単結晶光ファイバは本来比較的大きな損
失を示すが、この吸収損失のほかに、結晶中の欠陥や歪
による散乱損失が従来多く存在した。( (a) : 6 dB／mm
)。しかしながら本発明により作製した単結晶光ファイ
バは、外気の酸素分圧が高いので、従来発生し易かった
酸素欠陥が除去され、理想的な吸収損失のみの損失 (図
中点線で示す) に近い特性(1.2dB／mm) が得られること
がわかる。図３ (a),(b)には、それぞれ従来の製造方法
で作製した単結晶光ファイバと、本発明の製造方法で作
製した ＣｅドープＳＢＮ単結晶光ファイバを用いたフ
ォトリフラクティブ効果によるホログラフィの記録・再
生の結果を示す。本発明による図３(b) の単結晶光ファ
イバを用いた場合、良好な画像が再生されていることが
わかる。
【００１１】実施例２
母材としてＣａＦ2 ( 1mm φ) の焼結体ロッドを用い、
同結晶の種結晶を用いて単結晶光ファイバを作製した。
ＣａＦ2 は酸化物ではないので、チャンバーを一度真空
に排気した後、不活性ガスのＡr を導入し10 Torr に調
整した。図４に赤外光 (1.5 μm ) の透過損失特性を示
す図であって、Ａは従来の大気中にＡrガスを流しただ
けの状態で成長させたもの、Ｂは本発明によるものであ
る。本発明によれば、大気中の不純物などが結晶に混入
することがないので、散乱損失が少なくなっていること
がわかる (0.1 dB／mm) 。従って、本発明によるＣａＦ
2 単結晶光ファイバは、赤外光のガイドとして有効であ
ることがわかる。実施例３ さらに、太さ150 μm のニオブ酸リチウム結晶を母材と
して、種結晶を３mm／min の速度で引き上げることによ
り、外形50μm の単結晶光ファイバ形成した。溶融部の
雰囲気は、一度排気した後、酸素ガスを導入し、２kg／
cm2 に保った。ニオブ酸リチウムは第二高調波発生（Ｓ
ＨＧ）による波長変換素子として応用が注目されてい
る。波長 1.06 μm のＮｄドープＹＡＧレーザを入力光
とした場合の波長変換効率は、規格化ＳＨＧ効率とし
て、10％／Ｗ／cm2が得られる、従来のものに比べて10
倍以上の高効率化が図れた。これは、酸素ガス分圧を高
めたことによる酸素欠陥抑制の効果である。
同結晶の種結晶を用いて単結晶光ファイバを作製した。
ＣａＦ2 は酸化物ではないので、チャンバーを一度真空
に排気した後、不活性ガスのＡr を導入し10 Torr に調
整した。図４に赤外光 (1.5 μm ) の透過損失特性を示
す図であって、Ａは従来の大気中にＡrガスを流しただ
けの状態で成長させたもの、Ｂは本発明によるものであ
る。本発明によれば、大気中の不純物などが結晶に混入
することがないので、散乱損失が少なくなっていること
がわかる (0.1 dB／mm) 。従って、本発明によるＣａＦ
2 単結晶光ファイバは、赤外光のガイドとして有効であ
ることがわかる。実施例３ さらに、太さ150 μm のニオブ酸リチウム結晶を母材と
して、種結晶を３mm／min の速度で引き上げることによ
り、外形50μm の単結晶光ファイバ形成した。溶融部の
雰囲気は、一度排気した後、酸素ガスを導入し、２kg／
cm2 に保った。ニオブ酸リチウムは第二高調波発生（Ｓ
ＨＧ）による波長変換素子として応用が注目されてい
る。波長 1.06 μm のＮｄドープＹＡＧレーザを入力光
とした場合の波長変換効率は、規格化ＳＨＧ効率とし
て、10％／Ｗ／cm2が得られる、従来のものに比べて10
倍以上の高効率化が図れた。これは、酸素ガス分圧を高
めたことによる酸素欠陥抑制の効果である。
【００１２】
【発明の効果】レーザ光により母材の一部を溶融して種
結晶を用いて、結晶成長させる方法は、比較的小さな結
晶を高度で安価に作製するのに大きな利点を有するが、
特に本発明で示した雰囲気制御機構を設けることによ
り、従来生じていた不純物混入や酸素欠陥の問題を除去
することができるので、従来にない高品質な単結晶光フ
ァイバを成長させることが可能である。
結晶を用いて、結晶成長させる方法は、比較的小さな結
晶を高度で安価に作製するのに大きな利点を有するが、
特に本発明で示した雰囲気制御機構を設けることによ
り、従来生じていた不純物混入や酸素欠陥の問題を除去
することができるので、従来にない高品質な単結晶光フ
ァイバを成長させることが可能である。
【００１３】また、本発明による単結晶光ファイバの作
製法は実施例に示した材料系のみに限らず、例えばニオ
ブ酸カリウム、ＹＡＧ、Ａｌ2 Ｏ3 などの酸化物光学結
晶やＮｂ系Ｃｕ系の酸化物超伝導結晶材料の単結晶光フ
ェイバの高品質化にも効果があることは容易に想像でき
る。またＧａＰ、Ｇｅ、Ｓｉなどの半導体材料の単結晶
光ファイバ化に関しても、不純物の混入の無い高品質な
単結晶光フェイバが得られる効果があることは自明であ
る。
製法は実施例に示した材料系のみに限らず、例えばニオ
ブ酸カリウム、ＹＡＧ、Ａｌ2 Ｏ3 などの酸化物光学結
晶やＮｂ系Ｃｕ系の酸化物超伝導結晶材料の単結晶光フ
ェイバの高品質化にも効果があることは容易に想像でき
る。またＧａＰ、Ｇｅ、Ｓｉなどの半導体材料の単結晶
光ファイバ化に関しても、不純物の混入の無い高品質な
単結晶光フェイバが得られる効果があることは自明であ
る。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による単結晶光ファイバの製造方法の一
実施例を示す模式図である。
実施例を示す模式図である。
【図２】本発明の実施例で作製したＣｅ添加Ｓｒ60Ｂａ
40Ｎｂ2 Ｏ6 単結晶光ファイバにおける損失特性を示す
図である。
40Ｎｂ2 Ｏ6 単結晶光ファイバにおける損失特性を示す
図である。
【図３】(a) は、従来の製造方法で作製した単結晶光フ
ァイバに示すホログラムを記録・再生した場合の再生像
を示す図である。 (b) は、本発明の製造方法で作製したＣｅ添加Ｓｒ60Ｂ
ａ40Ｎｂ2 Ｏ6 単結晶光ファイバにホログラムを記録・
再生した場合の再生像を示す図である。
ァイバに示すホログラムを記録・再生した場合の再生像
を示す図である。 (b) は、本発明の製造方法で作製したＣｅ添加Ｓｒ60Ｂ
ａ40Ｎｂ2 Ｏ6 単結晶光ファイバにホログラムを記録・
再生した場合の再生像を示す図である。
【図４】本発明の実施例で作製したＣａＦ2 単結晶光フ
ァイバにおける損失特性を示す図である。
ァイバにおける損失特性を示す図である。
【図５】従来の単結晶光ファイバの製造方法の一例を示
す模式図である。
す模式図である。
11, 101 加熱用レーザ光
12, 102 母材
13, 103 単結晶光ファイバ
14, 104 種結晶
15, 105 溶融部
16 母材支持棒
17 種結晶支持棒
18, 19 シール機構
20 ガス導入口
21 排気口
22 チャンバー
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 畠山 巌
東京都千代田区内幸町１丁目１番６号 日
本電信電話株式会社内
Claims (3)
- 【請求項１】 母材の一端をレーザ光により加熱溶融さ
せ、この加熱溶融部に種結晶を接触させ、前記母材を加
熱溶融部の方向に移動させながら、種結晶を母材の移動
方向と同一方向に移動させることにより、単結晶光ファ
イバを作製する製造方法において、前記加熱溶融部を含
む雰囲気を減圧状態とすることにより、単結晶光ファイ
バを作製することを特徴とする単結晶光ファイバの製造
方法。 - 【請求項２】 母材の一端をレーザ光により加熱溶融さ
せ、この加熱溶融部に種結晶を接触させ、前記母材を加
熱溶融部の方向に移動させながら、種結晶を母材の移動
方向と同一方向に移動させることにより、単結晶光ファ
イバを作製する製造方法において、前記加熱溶融部を含
む雰囲気を加圧状態とすることにより、単結晶光ファイ
バを作製することを特徴とする単結晶光ファイバの製造
方法。 - 【請求項３】 ＣＯ2 レーザ光と、このレーザ光を集光
する光学系と、この光学系の焦点位置に母材先端を移動
するために母材を支持する母材支持棒を移動させる試料
移動機構と、レーザ光により溶融した母材先端に種結晶
を接触させるとともに引き上げるための種結晶を支持す
る種結晶支持棒を母材移動方向と同一方向に移動させる
試料移動機構とを有し、前記母材の溶融部を囲む雰囲気
を加圧状態から減圧状態まで制御するチャンバーと、こ
のチャンバーに付属した少なくとも一つのガス導入口と
排気口を備え、前記チャンバー内外に母材および種結晶
の支持棒を内部圧力に変化させないで出し入れさせるこ
とが可能なシール機構を有することを特徴とする単結晶
光ファイバの製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3216617A JPH0534523A (ja) | 1991-08-02 | 1991-08-02 | 単結晶光フアイバの製造方法およびその装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3216617A JPH0534523A (ja) | 1991-08-02 | 1991-08-02 | 単結晶光フアイバの製造方法およびその装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0534523A true JPH0534523A (ja) | 1993-02-12 |
Family
ID=16691241
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3216617A Pending JPH0534523A (ja) | 1991-08-02 | 1991-08-02 | 単結晶光フアイバの製造方法およびその装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0534523A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107429420A (zh) * | 2015-03-25 | 2017-12-01 | 夏士达水晶公司 | 用于使用激光加热基座生长来生产薄晶光纤的设备及方法 |
| JP2020169113A (ja) * | 2019-04-05 | 2020-10-15 | 古河電気工業株式会社 | 光ファイバの製造方法および装置 |
-
1991
- 1991-08-02 JP JP3216617A patent/JPH0534523A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| CN107429420A (zh) * | 2015-03-25 | 2017-12-01 | 夏士达水晶公司 | 用于使用激光加热基座生长来生产薄晶光纤的设备及方法 |
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