JPH0534374A - 電流センサを使用した電流検出方法 - Google Patents
電流センサを使用した電流検出方法Info
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- JPH0534374A JPH0534374A JP3193796A JP19379691A JPH0534374A JP H0534374 A JPH0534374 A JP H0534374A JP 3193796 A JP3193796 A JP 3193796A JP 19379691 A JP19379691 A JP 19379691A JP H0534374 A JPH0534374 A JP H0534374A
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- Japan
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- current
- magnetoresistive element
- magnetic field
- conductor
- operating voltage
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R15/00—Details of measuring arrangements of the types provided for in groups G01R17/00 - G01R29/00, G01R33/00 - G01R33/26 or G01R35/00
- G01R15/14—Adaptations providing voltage or current isolation, e.g. for high-voltage or high-current networks
- G01R15/20—Adaptations providing voltage or current isolation, e.g. for high-voltage or high-current networks using galvano-magnetic devices, e.g. Hall-effect devices, i.e. measuring a magnetic field via the interaction between a current and a magnetic field, e.g. magneto resistive or Hall effect devices
- G01R15/205—Adaptations providing voltage or current isolation, e.g. for high-voltage or high-current networks using galvano-magnetic devices, e.g. Hall-effect devices, i.e. measuring a magnetic field via the interaction between a current and a magnetic field, e.g. magneto resistive or Hall effect devices using magneto-resistance devices, e.g. field plates
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- Measuring Instrument Details And Bridges, And Automatic Balancing Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 電流センサを使用した電流検出方法に関し、
電流検出精度の改善を目的とする。 【構成】 電流ｉを流すことによって電流磁界を発生さ
せる磁界発生導体３と該電流磁界を検出する磁気抵抗素
子２とを具えた電流センサにおいて、該電流磁界検出の
ため該磁気抵抗素子２に印加する作動電圧ｖが、１５Ｖ
以上となるように構成する。
電流検出精度の改善を目的とする。 【構成】 電流ｉを流すことによって電流磁界を発生さ
せる磁界発生導体３と該電流磁界を検出する磁気抵抗素
子２とを具えた電流センサにおいて、該電流磁界検出の
ため該磁気抵抗素子２に印加する作動電圧ｖが、１５Ｖ
以上となるように構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は電流センサを使用した電
流検出方法、特に、検出電圧を流すことによって電流磁
界を発生させる磁界発生導体と、該電流磁界を検出する
磁気抵抗素子とを具えた電流センサを使用したとき、磁
気抵抗素子に印加する動作電圧に関する。
流検出方法、特に、検出電圧を流すことによって電流磁
界を発生させる磁界発生導体と、該電流磁界を検出する
磁気抵抗素子とを具えた電流センサを使用したとき、磁
気抵抗素子に印加する動作電圧に関する。
【０００２】
【従来の技術】電流センサとして、その小型化および感
度向上等を目的とし、磁界発生導体に電流を流したとき
発生する電流磁界を磁気抵抗素子にて検出し、その検出
磁界の強さから磁界発生導体に流れる電流値を検出す
る、磁気抵抗効果利用型電流センサ（磁気検出装置）が
特開平１−299481号公報，特願平２−309204号に提案さ
れている。
度向上等を目的とし、磁界発生導体に電流を流したとき
発生する電流磁界を磁気抵抗素子にて検出し、その検出
磁界の強さから磁界発生導体に流れる電流値を検出す
る、磁気抵抗効果利用型電流センサ（磁気検出装置）が
特開平１−299481号公報，特願平２−309204号に提案さ
れている。
【０００３】図８(イ),(ロ) に基づき、前記特開平１−29
9481号公報に記載された従来の磁気抵抗効果型電流セン
サを説明する。図８(イ) は電流センサの基本構成図であ
り、電流センサ１は、パーマロイ等の磁性体の磁気抵抗
を利用した磁気抵抗素子２と、電流磁界Ｈを発生させる
導体３とを、磁気シールド容器４に収容する。磁気抵抗
素子２は、磁気抵抗素子２を駆動させると共に磁気抵抗
素子２の検出信号を処理する駆動演算回路５に接続され
る。
9481号公報に記載された従来の磁気抵抗効果型電流セン
サを説明する。図８(イ) は電流センサの基本構成図であ
り、電流センサ１は、パーマロイ等の磁性体の磁気抵抗
を利用した磁気抵抗素子２と、電流磁界Ｈを発生させる
導体３とを、磁気シールド容器４に収容する。磁気抵抗
素子２は、磁気抵抗素子２を駆動させると共に磁気抵抗
素子２の検出信号を処理する駆動演算回路５に接続され
る。
【０００４】図８(ロ) は電流センサ主要部の構成を示す
斜視図であり、電流ｉを流して電流磁界Ｈを発生させる
導体３は、その所定部が磁気抵抗素子２の３方を囲うよ
うに対峙し、磁気抵抗素子２の一側には、磁気抵抗素子
２の初期磁化方向にバイアス磁界Ｈｂを印加する永久磁
石６を配する。かかる磁気抵抗素子２，導体３，永久磁
石６は、外部磁界Ｈexに対し磁気シールド容器４によっ
て保護される。
斜視図であり、電流ｉを流して電流磁界Ｈを発生させる
導体３は、その所定部が磁気抵抗素子２の３方を囲うよ
うに対峙し、磁気抵抗素子２の一側には、磁気抵抗素子
２の初期磁化方向にバイアス磁界Ｈｂを印加する永久磁
石６を配する。かかる磁気抵抗素子２，導体３，永久磁
石６は、外部磁界Ｈexに対し磁気シールド容器４によっ
て保護される。
【０００５】図９に基づき、前記特願平２−309204号に
記載された従来の電流センサの特徴を説明する。同図に
おいて、磁気抵抗素子２に所定部３Ａが対峙する導体３
は、両端の端子部３Ｂで幅が広く形成されている。所定
部３Ａに電流を流して発生する電流磁界の強さは、電流
値および所定部３Ａの断面積に依存する。そのため、同
一磁気抵抗素子２を使用して広い範囲の電流値を検出す
るには、所定部３Ａの幅ｗまたは厚さｔを選択的に設定
する。
記載された従来の電流センサの特徴を説明する。同図に
おいて、磁気抵抗素子２に所定部３Ａが対峙する導体３
は、両端の端子部３Ｂで幅が広く形成されている。所定
部３Ａに電流を流して発生する電流磁界の強さは、電流
値および所定部３Ａの断面積に依存する。そのため、同
一磁気抵抗素子２を使用して広い範囲の電流値を検出す
るには、所定部３Ａの幅ｗまたは厚さｔを選択的に設定
する。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】導体３に電流ｉを流し
たとき発生する電流磁界を磁気抵抗素子２で検出する従
来の磁気センサにおいて、従来、磁気抵抗素子２に印加
する作動電圧は５Ｖ程度であり、磁気抵抗素子２の抵抗
値は１ｋΩ程度である。
たとき発生する電流磁界を磁気抵抗素子２で検出する従
来の磁気センサにおいて、従来、磁気抵抗素子２に印加
する作動電圧は５Ｖ程度であり、磁気抵抗素子２の抵抗
値は１ｋΩ程度である。
【０００７】しかしながら、従来の磁気抵抗素子２を従
来方法（作動電圧）で使用し、特に、導体所定部３Ａの
変化によって広範囲の電流値を検出するため、１枚の銅
板より形成した導体３に高速の被検電流ｉを流したと
き、導体３内に発生する渦電流等により、発生する電流
磁界に乱れを生じ、忠実な電流波形が計測できないとい
う問題点があった。
来方法（作動電圧）で使用し、特に、導体所定部３Ａの
変化によって広範囲の電流値を検出するため、１枚の銅
板より形成した導体３に高速の被検電流ｉを流したと
き、導体３内に発生する渦電流等により、発生する電流
磁界に乱れを生じ、忠実な電流波形が計測できないとい
う問題点があった。
【０００８】
【課題を解決するための手段】図１は本発明の基本構成
を説明するための図である。同図において電流センサ
は、電流磁界を発生させる磁界発生導体３と、導体３よ
り発生する電流磁界を検出する磁気抵抗素子２とを、磁
気シールド容器４に収容した構成であり、本発明方法で
は、導体３に電流ｉを流すことによって発生する電流磁
界を検出するため、磁気抵抗素子２に印加する作動電圧
ｖを１５Ｖ以上とする。
を説明するための図である。同図において電流センサ
は、電流磁界を発生させる磁界発生導体３と、導体３よ
り発生する電流磁界を検出する磁気抵抗素子２とを、磁
気シールド容器４に収容した構成であり、本発明方法で
は、導体３に電流ｉを流すことによって発生する電流磁
界を検出するため、磁気抵抗素子２に印加する作動電圧
ｖを１５Ｖ以上とする。
【０００９】
【作用】上記手段によれば、磁気抵抗素子に印加する作
動電圧を１５Ｖ以上とすることによって、渦電流等によ
り電流磁界に乱れが発生しても、該磁気抵抗素子より検
出した出力波形は増幅器の同相ノイズ除去（ＣＭＲＲ）
効果により安定化し、電流センサによる電流計測精度が
向上する。
動電圧を１５Ｖ以上とすることによって、渦電流等によ
り電流磁界に乱れが発生しても、該磁気抵抗素子より検
出した出力波形は増幅器の同相ノイズ除去（ＣＭＲＲ）
効果により安定化し、電流センサによる電流計測精度が
向上する。
【００１０】
【実施例】図２は作動電圧の影響調査に使用した電流セ
ンサの構成を示す断面図(イ) と電流磁界発生導体の斜視
図(ロ) 、図３は磁気抵抗素子に印加する作動電圧によっ
て異なる出力特性図である。
ンサの構成を示す断面図(イ) と電流磁界発生導体の斜視
図(ロ) 、図３は磁気抵抗素子に印加する作動電圧によっ
て異なる出力特性図である。
【００１１】図２(イ) において、２はバーバーポール形
磁気抵抗素子、３は電流ｉ流すことによって電流磁界を
発生させる導体、４は磁気シールド容器であり、磁気抵
抗素子２，導体３等を収容したシールド容器４内に支持
ボード７が支持されている。１５Ａの作動電圧を印加す
る磁気抵抗素子２の抵抗値は、磁気抵抗素子２の消費電
力を減少せしめるため２ＫΩ以上とする。
磁気抵抗素子、３は電流ｉ流すことによって電流磁界を
発生させる導体、４は磁気シールド容器であり、磁気抵
抗素子２，導体３等を収容したシールド容器４内に支持
ボード７が支持されている。１５Ａの作動電圧を印加す
る磁気抵抗素子２の抵抗値は、磁気抵抗素子２の消費電
力を減少せしめるため２ＫΩ以上とする。
【００１２】磁気抵抗素子２は、絶縁カバー８内に収容
され、支持ボード７を貫通するリード部２Ａを介して支
持ボード７に支持されており、リード部２Ａと外部リー
ド線９とが接続される。磁気抵抗素子２を囲う多数の磁
気遮蔽板１０は、支持ボード７の溝内に挿入され支持ボ
ード７によって支持されており、内部点検等のため取外
し自在である。
され、支持ボード７を貫通するリード部２Ａを介して支
持ボード７に支持されており、リード部２Ａと外部リー
ド線９とが接続される。磁気抵抗素子２を囲う多数の磁
気遮蔽板１０は、支持ボード７の溝内に挿入され支持ボ
ード７によって支持されており、内部点検等のため取外
し自在である。
【００１３】図２(ロ) において、電流磁界発生導体３は
上から見たときコ字形であり、端部３Ｂより小断面の所
定部３Ａが磁気抵抗素子２に対峙する。所定部３Ａの幅
方向の中心線３ａは、図２(イ) に示す如く、磁気抵抗素
子２の中心を通る垂線２ａより一側（図は左側）にずれ
ている。
上から見たときコ字形であり、端部３Ｂより小断面の所
定部３Ａが磁気抵抗素子２に対峙する。所定部３Ａの幅
方向の中心線３ａは、図２(イ) に示す如く、磁気抵抗素
子２の中心を通る垂線２ａより一側（図は左側）にずれ
ている。
【００１４】図３(イ) 〜(ヘ) において、上部の曲線は導
体所定部３Ａに流した電流ｉを直接に電流測定器で測定
した出力特性、下部の曲線は導体所定部３Ａに電流ｉを
流したとき発生した電流磁界を検知した磁気抵抗素子２
の出力特性である。
体所定部３Ａに流した電流ｉを直接に電流測定器で測定
した出力特性、下部の曲線は導体所定部３Ａに電流ｉを
流したとき発生した電流磁界を検知した磁気抵抗素子２
の出力特性である。
【００１５】図３(イ) は導体所定部３Ａに流した電流ｉ
＝１００Ａ，磁気抵抗素子２の作動電圧ｖ＝１５Ｖであ
る。図３(ロ) は導体所定部３Ａに流した電流ｉ＝１００
Ａ，磁気抵抗素子２の作動電圧ｖ＝7.５Ｖである。図３
(ハ) は導体所定部３Ａに流した電流ｉ＝１００Ａ，磁気
抵抗素子２の作動電圧ｖ＝3.７Ｖである。図３(ニ) は導
体所定部３Ａに流した電流ｉ＝２００Ａ，磁気抵抗素子
２の作動電圧ｖ＝１５Ｖである。図３(ホ) は導体所定部
３Ａに流した電流ｉ＝２００Ａ，磁気抵抗素子２の作動
電圧ｖ＝7.５Ｖである。図３(ヘ) は導体所定部３Ａに流
した電流ｉ＝２００Ａ，磁気抵抗素子２の作動電圧ｖ＝
3.７Ｖである。
＝１００Ａ，磁気抵抗素子２の作動電圧ｖ＝１５Ｖであ
る。図３(ロ) は導体所定部３Ａに流した電流ｉ＝１００
Ａ，磁気抵抗素子２の作動電圧ｖ＝7.５Ｖである。図３
(ハ) は導体所定部３Ａに流した電流ｉ＝１００Ａ，磁気
抵抗素子２の作動電圧ｖ＝3.７Ｖである。図３(ニ) は導
体所定部３Ａに流した電流ｉ＝２００Ａ，磁気抵抗素子
２の作動電圧ｖ＝１５Ｖである。図３(ホ) は導体所定部
３Ａに流した電流ｉ＝２００Ａ，磁気抵抗素子２の作動
電圧ｖ＝7.５Ｖである。図３(ヘ) は導体所定部３Ａに流
した電流ｉ＝２００Ａ，磁気抵抗素子２の作動電圧ｖ＝
3.７Ｖである。
【００１６】作動電圧ｖを7.５Ｖまたは3.７Ｖとした図
３(ロ),(ハ),(ホ),(ヘ) において、磁気抵抗素子２の出力特
性は立ち上がり部および立ち下がり部にノイズｎ-1また
はｎ -2が発生するのに対し、作動電圧ｖを１５Ｖとした
図３(イ),(ロ) では、ノイズｎ -1が完全に解消し、ノイズ
ｎ-2が僅かに発生する程度になる。
３(ロ),(ハ),(ホ),(ヘ) において、磁気抵抗素子２の出力特
性は立ち上がり部および立ち下がり部にノイズｎ-1また
はｎ -2が発生するのに対し、作動電圧ｖを１５Ｖとした
図３(イ),(ロ) では、ノイズｎ -1が完全に解消し、ノイズ
ｎ-2が僅かに発生する程度になる。
【００１７】図４は、バーバーポール形磁気抵抗素子２
の構成を示す平面略図である。同図において、四個の各
磁気抵抗素子部分２−１〜２−４は外部端子２１〜２４
を介してホイートストーンブリッジとして接続されてお
り、導体パターンの形成方向を除いて互いに同じ形状を
有する。この形式の磁気抵抗素子２は、特開昭６４−２
２０７６号公報に記載されたものと同様な構成を有して
いる。各磁気抵抗素子部分２−１〜２−４は長い直線状
部２５がつづら状に直列に接続されている。
の構成を示す平面略図である。同図において、四個の各
磁気抵抗素子部分２−１〜２−４は外部端子２１〜２４
を介してホイートストーンブリッジとして接続されてお
り、導体パターンの形成方向を除いて互いに同じ形状を
有する。この形式の磁気抵抗素子２は、特開昭６４−２
２０７６号公報に記載されたものと同様な構成を有して
いる。各磁気抵抗素子部分２−１〜２−４は長い直線状
部２５がつづら状に直列に接続されている。
【００１８】図５はバーバーポール形磁気抵抗素子の一
般的な構造を示すための断面図である。なお、同図では
磁気抵抗素子２の磁性薄膜の初期磁化方向Ｍと同方向Ｍ
0 に、永久磁石２０１のバイアス磁界を与える例につい
て示してある。
般的な構造を示すための断面図である。なお、同図では
磁気抵抗素子２の磁性薄膜の初期磁化方向Ｍと同方向Ｍ
0 に、永久磁石２０１のバイアス磁界を与える例につい
て示してある。
【００１９】同図において、この磁気抵抗素子２は、永
久磁石２０１上にＳｉ基板２０２を設け、該Ｓｉ基板上
に、ＳｉＯ2 膜２０３，パーマロイの磁性薄膜２０４，
密着層２０５，導体層２０６を順次積層すると共に所定
のパターンに形成し、更にその上から保護層２０７によ
って全体が覆われる。
久磁石２０１上にＳｉ基板２０２を設け、該Ｓｉ基板上
に、ＳｉＯ2 膜２０３，パーマロイの磁性薄膜２０４，
密着層２０５，導体層２０６を順次積層すると共に所定
のパターンに形成し、更にその上から保護層２０７によ
って全体が覆われる。
【００２０】磁性薄膜２０４は、図示Ｍ方向に一軸磁気
異方性が与えられ、且つ初期磁化がなされている。永久
磁石として、フェライト磁石，Ｆｅ−Ｃｒ−Ｃｏ磁石，
或いはアルニコ磁石等を用いることができる。
異方性が与えられ、且つ初期磁化がなされている。永久
磁石として、フェライト磁石，Ｆｅ−Ｃｒ−Ｃｏ磁石，
或いはアルニコ磁石等を用いることができる。
【００２１】図６は上記バーバーポール形磁気抵抗素子
の直線状部２５の基本構成を略図的に示す各磁気抵抗素
子部分２−１〜２−４の部分拡大平面図であり、同図
（イ）は四つの内二つの磁気抵抗素子部分２−１及び２
−３の直線状部２５の構成を、同図（ロ）は別の二つの
磁気抵抗素子部分２−２及び２−４の直線状部２５の構
成を、夫々示す。同図において、２６は例えばパーマロ
イ（Ｎｉ−Ｆｅ）から成る磁性薄膜を、２７，２８は例
えば金（Ａｕ）から成る導体パターンを示し、導体パタ
ーンは両端の電極部２７と中央の帯状導体層２８とから
成る。
の直線状部２５の基本構成を略図的に示す各磁気抵抗素
子部分２−１〜２−４の部分拡大平面図であり、同図
（イ）は四つの内二つの磁気抵抗素子部分２−１及び２
−３の直線状部２５の構成を、同図（ロ）は別の二つの
磁気抵抗素子部分２−２及び２−４の直線状部２５の構
成を、夫々示す。同図において、２６は例えばパーマロ
イ（Ｎｉ−Ｆｅ）から成る磁性薄膜を、２７，２８は例
えば金（Ａｕ）から成る導体パターンを示し、導体パタ
ーンは両端の電極部２７と中央の帯状導体層２８とから
成る。
【００２２】磁性薄膜２６は図示Ｍ方向に一軸磁気異方
性を与えられると共に初期磁化されており、各導体パタ
ーン２７，２８は、この磁性膜２６上に薄層として形成
され、左右両端の電極部分２６を結ぶ線に対し４５度で
傾斜して所定間隔で配列された多数の帯状導体層２８と
でバーバーポール様のパターンに形成される。
性を与えられると共に初期磁化されており、各導体パタ
ーン２７，２８は、この磁性膜２６上に薄層として形成
され、左右両端の電極部分２６を結ぶ線に対し４５度で
傾斜して所定間隔で配列された多数の帯状導体層２８と
でバーバーポール様のパターンに形成される。
【００２３】図６（イ），（ロ）にて示したように磁気
抵抗素子部分２−１，２−３と磁気抵抗素子部分２−
２，２−４とは互いに９０度異なる方向に帯状導体層２
８が配されており、いずれの帯状導体層の方向も初期磁
化の方向Ｍ及び電流磁界Ｈの方向と４５度方向又は１３
５度方向である。この構成に従い、各磁性薄膜２６を流
れる電流方向ｍは図示した方向、即ち帯状導体層２８の
長軸と直角方向である。
抵抗素子部分２−１，２−３と磁気抵抗素子部分２−
２，２−４とは互いに９０度異なる方向に帯状導体層２
８が配されており、いずれの帯状導体層の方向も初期磁
化の方向Ｍ及び電流磁界Ｈの方向と４５度方向又は１３
５度方向である。この構成に従い、各磁性薄膜２６を流
れる電流方向ｍは図示した方向、即ち帯状導体層２８の
長軸と直角方向である。
【００２４】図７は各バーバーポール形磁気抵抗素子部
分における抵抗変化を示す作用説明図である。曲線
（ａ），（ｂ）は夫々図６に示した磁気抵抗素子の直線
状部２５の構成説明図の（イ），（ロ）と対応して示し
てある。
分における抵抗変化を示す作用説明図である。曲線
（ａ），（ｂ）は夫々図６に示した磁気抵抗素子の直線
状部２５の構成説明図の（イ），（ロ）と対応して示し
てある。
【００２５】図７に示したように電流磁界Ｈの増加に伴
って、図６（イ）の直線状部２５を有する磁気抵抗素子
部分２−１，２−３は抵抗値が増大し、図６（ロ）の直
線状部２５を有する磁気抵抗素子部分２−２，２−４は
抵抗値が減少する。
って、図６（イ）の直線状部２５を有する磁気抵抗素子
部分２−１，２−３は抵抗値が増大し、図６（ロ）の直
線状部２５を有する磁気抵抗素子部分２−２，２−４は
抵抗値が減少する。
【００２６】更に、外部磁界が反転する場合には抵抗変
化は逆になり、通常の磁気抵抗素子が磁界の正負方向に
対して同じ抵抗変化を起こすのとは異なる。このため、
ホイートストーンブリッジ回路として構成した実施例の
電流センサの場合、検出電流の極性の判別も可能であ
る。
化は逆になり、通常の磁気抵抗素子が磁界の正負方向に
対して同じ抵抗変化を起こすのとは異なる。このため、
ホイートストーンブリッジ回路として構成した実施例の
電流センサの場合、検出電流の極性の判別も可能であ
る。
【００２７】
【発明の効果】以上説明したように、磁気抵抗素子に印
加する作動電圧を１５Ｖ以上とする本発明方法により、
従来観測されたノイズが消滅し、電流センサによる電流
計測精度が向上する。
加する作動電圧を１５Ｖ以上とする本発明方法により、
従来観測されたノイズが消滅し、電流センサによる電流
計測精度が向上する。
【図１】 本発明の基本構成を説明するための図であ
る。
る。
【図２】 作動電圧の影響調査に使用した電流センサの
主要構成図である。
主要構成図である。
【図３】 磁気抵抗素子に印加する作動電圧によって異
なる出力特性図である。
なる出力特性図である。
【図４】 バーバーポール形磁気抵抗素子の構成を示す
平面略図である。
平面略図である。
【図５】 バーバーポール形磁気抵抗素子の構造を示す
断面図である。
断面図である。
【図６】 バーバーポール形磁気抵抗素子の直線状部構
成の説明図である。
成の説明図である。
【図７】 バーバーポール形磁気抵抗素子の作用説明図
である。
である。
【図８】 従来の磁気抵抗型電流センサの説明図であ
る。
る。
【図９】 従来の他の磁気抵抗型電流センサの特徴の説
明図である。
明図である。
２は磁気抵抗素子 ３は電流磁界を発生させる導体 ｉは電流磁界発生導体に流す電流 ｖは磁気抵抗素子に印加する作動電圧
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 【請求項１】 電流（ｉ）を流すことによって電流磁界
を発生させる磁界発生導体（３）と該電流磁界を検出す
る磁気抵抗素子（２）とを具えた電流センサにおいて、 該電流磁界検出のため該磁気抵抗素子（２）に印加する
作動電圧（ｖ）を１５Ｖ以上とすることを特徴とした電
流検出方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3193796A JPH0534374A (ja) | 1991-08-02 | 1991-08-02 | 電流センサを使用した電流検出方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3193796A JPH0534374A (ja) | 1991-08-02 | 1991-08-02 | 電流センサを使用した電流検出方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0534374A true JPH0534374A (ja) | 1993-02-09 |
Family
ID=16313922
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3193796A Withdrawn JPH0534374A (ja) | 1991-08-02 | 1991-08-02 | 電流センサを使用した電流検出方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0534374A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001516459A (ja) * | 1998-01-14 | 2001-09-25 | ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ | 改良された電流感知装置を持つ遮断器 |
| JP2008241678A (ja) * | 2007-03-27 | 2008-10-09 | Koshin Denki Kk | 電流センサおよび電流検出装置 |
| WO2012046547A1 (ja) * | 2010-10-08 | 2012-04-12 | アルプス・グリーンデバイス株式会社 | 電流センサ |
-
1991
- 1991-08-02 JP JP3193796A patent/JPH0534374A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001516459A (ja) * | 1998-01-14 | 2001-09-25 | ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ | 改良された電流感知装置を持つ遮断器 |
| JP2008241678A (ja) * | 2007-03-27 | 2008-10-09 | Koshin Denki Kk | 電流センサおよび電流検出装置 |
| WO2012046547A1 (ja) * | 2010-10-08 | 2012-04-12 | アルプス・グリーンデバイス株式会社 | 電流センサ |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19981112 |