JPH05343564A - 高周波用電子部品の信号線路 - Google Patents

高周波用電子部品の信号線路

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JPH05343564A
JPH05343564A JP4171963A JP17196392A JPH05343564A JP H05343564 A JPH05343564 A JP H05343564A JP 4171963 A JP4171963 A JP 4171963A JP 17196392 A JP17196392 A JP 17196392A JP H05343564 A JPH05343564 A JP H05343564A
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JP
Japan
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ground plane
signal line
dielectric layer
mesh
sub
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JP4171963A
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English (en)
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Takaharu Miyamoto
隆春 宮本
Fumio Miyagawa
文雄 宮川
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Shinko Electric Industries Co Ltd
Original Assignee
Shinko Electric Industries Co Ltd
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Publication date
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    • H01L23/552—Protection against radiation, e.g. light or electromagnetic waves
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
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    • H—ELECTRICITY
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    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 メッシュグランドプレーンと誘電体層を介し
て対向する信号線路の特性インピーダンスを信号線路の
全長に亙って高低差なく一定値に的確にマッチングさせ
ることができると共に、メッシュグランドプレーンの網
線部分に生ずる電荷集中や信号線路に生ずる表皮効果を
排除できる高周波用信号線路を得る。 【構成】 信号線路２０と誘電体層１０を介して対向す
るメッシュグランドプレーン３０を備えた誘電体層１０
表面にサブ誘電体層１２を介してグランドプレーン４０
を備えて、メッシュグランドプレーン３０の網目にあた
る空隙部分をグランドプレーン４０で補完する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、高周波用電子部品の誘
電体層表面に備えた高周波用電子部品の信号線路（以
下、高周波用信号線路という）に関する。
【０００２】
【従来の技術】上記高周波用信号線路として、ポリイミ
ド樹脂等からなる誘電体層の一方の表面に信号線路を備
えると共に、同じ誘電体層の他方の表面に網目状をした
メッシュグランドプレーンを備えて、そのメッシュグラ
ンドプレーンで上記信号線路の特性インピーダンスをほ
ぼ５０Ω等にマッチングさせた高周波用信号線路が知ら
れている。
【０００３】ここで、誘電体層の他方の表面にグランド
プレーンでなく網目状をしたメッシュグランドプレーン
を備えている理由は、ポリイミド樹脂等からなる誘電体
層は、その厚さを通常２０〜５０μｍと薄くしか形成で
きず、誘電体層の他方の表面にグランドプレーンを備え
た場合には、そのグランド効果が大きくなり過ぎて、信
号線路の特性インピーダンスが５０Ω等より大幅に低く
なってしまうからである。即ち、誘電体層の他方の表面
にグランドプレーンに代えてグランド効果を弱めた網目
状をしたメッシュグランドプレーンを備えて、そのメッ
シュグランドプレーンで信号線路の特性インピーダンス
を５０Ω等まで高める必要があるからである。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ように、誘電体層の他方の表面にメッシュグランドプレ
ーンを備えた場合には、メッシュグランドプレーンの網
目にあたる空隙部分に誘電体層を介して対向する信号線
路部分のグランド効果が、その他のメッシュグランドプ
レーンの網線に誘電体層を介して対向する信号線路部分
に比べて、弱くて、その空隙部分に誘電体層を介して対
向する信号線路部分の特性インピーダンスが、その他の
信号線路部分の特性インピーダンスに比べて、高くなっ
てしまった。言い換えれば、網目状をしたメッシュグラ
ンドプレーンでは、信号線路の特性インピーダンスを信
号線路の全長に亙って一定値の５０Ω等に的確にマッチ
ングさせることができずに、信号線路各所でその特性イ
ンピーダンスが高くなったり低くなったりしてしまっ
た。
【０００５】また、信号線路に１０ＧＨｚ以上等の超高
周波信号を伝えた場合には、信号線路に誘電体層を介し
て対向するメッシュグランドプレーンの網線部分に電荷
集中が起きたり、信号線路に表皮効果が生じたりして、
メッシュグランドプレーンのグランド効果が低下し、信
号線路の特性インピーダンスが狂ってしまった。そし
て、その信号線路を超高周波信号を伝送損失少なく効率
良く伝えることができなかった。
【０００６】本発明は、このような課題に鑑みてなされ
たもので、メッシュグランドプレーンに誘電体層を介し
て対向する信号線路の特性インピーダンスを信号線路の
全長に亙って一定値の５０Ω等に的確にマッチングさせ
ることができると共に、メッシュグランドプレーンの網
線部分に生ずる電荷集中や信号線路に生ずる表皮効果を
排除して、信号線路を超高周波信号等の高周波信号を伝
送損失少なく効率良く伝えることのできる、高周波用電
子部品の信号線路（以下、高周波用信号線路という）を
提供することを目的としている。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の高周波用信号線路は、誘電体層の一方の表
面に信号線路を備えると共に、前記誘電体層の他方の表
面に網目状のメッシュグランドプレーンを備えて、その
メッシュグランドプレーンで前記信号線路の特性インピ
ーダンスをほぼ一定値にマッチングさせた高周波用電子
部品の信号線路において、前記メッシュグランドプレー
ンを備えた誘電体層表面にサブ誘電体層を介して前記メ
ッシュグランドプレーン補完用のグランドプレーンを備
えたことを特徴としている。
【０００８】本発明の高周波用信号線路においては、メ
ッシュグランドプレーンとグランドプレーンとの複数箇
所を、サブ誘電体層に上下に貫通して備えた複数の導体
ヴィアを介してそれぞれ接続することを好適としてい
る。
【０００９】また、メッシュグランドプレーンの網線に
対向するグランドプレーン部分に、前記網線より細幅の
穴を開口することを好適としている。
【００１０】
【作用】上記構成の高周波用信号線路においては、メッ
シュグランドプレーンを備えた誘電体層表面にサブ誘電
体層を介してグランドプレーンを備えている。即ち、信
号線路下方又はその上方に誘電体層を介してメッシュグ
ランドプレーンを備えると共に、そのメッシュグランド
プレーン下方又はその上方にサブ誘電体層を介してグラ
ンドプレーンを備えている。言い換えれば、信号線路下
方又はその上方にメッシュグランドプレーンとグランド
プレーンとを誘電体層とサブ誘電体層とを介してそれぞ
れ順次備えている。
【００１１】そのため、メッシュグランドプレーンの網
目にあたる空隙部分をグランドプレーンで補完して、そ
の空隙部分と誘電体層を介して対向する信号線路部分の
特性インピーダンスを、グランドプレーンで一定値に的
確にマッチングさせることができる。そして、メッシュ
グランドプレーンとグランドプレーンとで信号線路の特
性インピーダンスを、信号線路の全長に亙って高低差な
く一定値に的確にマッチングさせることができる。
【００１２】それと共に、メッシュグランドプレーンの
網目にあたる空隙部分をグランドプレーンで補完して、
信号線路に１０ＧＨｚ以上等の超高周波信号を伝えた際
に、信号線路と誘電体層を介して対向するメッシュグラ
ンドプレーンの網線部分に電荷集中が起きたり、信号線
路に表皮効果が生じたりして、メッシュグランドプレー
ンのグランド効果が低下するのを防ぐことができる。
【００１３】また、グランドプレーンを誘電体層及びサ
ブ誘電体層を介して信号線路から遠く離隔させて備えて
いるので、信号線路と誘電体層を介して備えたメッシュ
グランドプレーンの信号線路に対するグランド効果を、
上記グランドプレーンで高め過ぎるのを防止できる。
【００１４】また、メッシュグランドプレーンとグラン
ドプレーンとの複数箇所を、サブ誘電体層に上下に貫通
して備えた複数の導体ヴィアを介してそれぞれ接続した
高周波用信号線路にあっては、導体抵抗値の高い細帯状
の網線からなるメッシュグランドプレーンの複数箇所を
上記複数の導体ヴィアを介して導体抵抗値の低い広いグ
ランドプレーンにそれぞれ接続して、メッシュグランド
プレーンの網線各所のグランドプレーンに対する電位差
を小さく抑えることができる。そして、メッシュグラン
ドプレーンをグランドプレーンと共に接地して、それら
のメッシュグランドプレーンとグランドプレーンとで、
信号線路の特性インピーダンスを一定値に的確にマッチ
ングさせることができる。
【００１５】また、メッシュグランドプレーンの網線に
対向するグランドプレーン部分にメッシュグランドプレ
ーンの網線より細幅の穴を開口した高周波用信号線路に
あっては、スピンコート等により備えたサブ誘電体層形
成用の薄膜をキュアした際に、その薄膜表面に備えたグ
ランドプレーンにエッチング処理により開口した穴を通
して、薄膜から発せられる気泡をグランドプレーン外方
に放散させて、薄膜から発せられる気泡でグランドプレ
ーンの一部が盛り上がる等するのを防止できる。それと
共に、グランドプレーンを備えたサブ誘電体層表面にポ
リイミド樹脂等の薄膜をスピンコート等して誘電体層を
備えた際に、誘電体層の一部をグランドプレーンの穴に
食い込ませて、誘電体層をグランドプレーンを介してサ
ブ誘電体層表面に強固に接合できる。さらに、メッシュ
グランドプレーンと網線より細幅の穴を開口したグラン
ドプレーンとを上下方向から透視した際に、それらのプ
レーンに空隙があかないようにして、メッシュグランド
プレーンとグランドプレーンとで信号線路の特性インピ
ーダンスを信号線路の全長に亙って高低差なく一定値に
正確にマッチングさせることができる。
【００１６】
【実施例】次に、本発明の実施例を図面に従い説明す
る。図１ないし図３は本発明の高周波用信号線路の好適
な実施例を示し、図１はその一部正面断面図、図２又は
図３はその形成方法を示す分解斜視図である。以下に、
この高周波用信号線路を説明する。
【００１７】図において、１０は、ポリイミド樹脂等か
らなる厚さ２０〜５０μｍの薄い誘電体層である。
【００１８】誘電体層１０の一方の表面である誘電体層
１０上面には、Ａｕ、Ｃｕ、Ｃｒ等からなる信号線路２
０を備えている。
【００１９】誘電体層１０の他方の表面である誘電体層
１０下面には、Ａｕ、Ｃｕ、Ｃｒ等からなる網目状をし
た厚さ約１０μｍのメッシュグランドプレーン３０を広
く備えている。メッシュグランドプレーン３０は、その
網目の開口率を約４０％としている。
【００２０】そして、メッシュグランドプレーン３０で
誘電体層１０上面の信号線路２０をマイクロストリップ
線路構造化して、その信号線路２０の特性インピーダン
スを一定値のほぼ５０Ω等にマッチングさせている。
【００２１】以上の構成は、従来の高周波用信号線路と
同様であるが、図の高周波用信号線路では、それに加え
て、メッシュグランドプレーン３０を備えた誘電体層１
０下面に、サブ誘電体層１２を介してメッシュグランド
プレーン３０補完用のＡｕ、Ｃｕ、Ｃｒ等からなるグラ
ンドプレーン４０を広く層状に備えている。サブ誘電体
層１２は、厚さ２０〜５０μｍの薄いポリイミド樹脂等
で形成している。
【００２２】これらの誘電体層１０、サブ誘電体層１
２、信号線路２０、メッシュグランドプレーン３０、グ
ランドプレーン４０は、例えば次のようにしてそれぞれ
形成している。
【００２３】図２に示したように、平滑に形成したＡｌ
2 Ｏ3 等からなるセラミック基板５０表面に、スパッタ
リング等によりＡｕ、Ｃｕ、Ｃｒ等の導体薄膜層からな
るグランドプレーン４０を備えている。次に、そのグラ
ンドプレーン４０表面にポリイミド樹脂等の薄膜をスピ
ンコートすると共に、そのスピンコートした薄膜表面に
スパッタリング等によりＡｕ、Ｃｕ、Ｃｒ等の導体薄膜
層を備えている。次に、その薄膜表面に備えた導体薄膜
層をエッチング処理して、薄膜表面にＡｕ、Ｃｕ、Ｃｒ
等からなるメッシュグランドプレーン３０を備えている
と共に、薄膜をキュアして、グランドプレーン４０上面
にポリイミド樹脂等からなるサブ誘電体層１２を備えて
いる。次に、そのメッシュグランドプレーン３０を備え
たサブ誘電体層１２表面にポリイミド樹脂等の薄膜をス
ピンコートすると共に、その薄膜表面にスパッタリング
等によりＡｕ、Ｃｕ、Ｃｒ等の導体薄膜層を備えてい
る。次に、その薄膜表面に備えた導体薄膜層をエッチン
グ処理して、薄膜表面にＡｕ、Ｃｕ、Ｃｒ等からなる細
帯状の信号線路２０を備えていると共に、薄膜をキュア
して、メッシュグランドプレーン３０を備えたサブ誘電
体層１２表面にポリイミド樹脂等からなる誘電体層１０
を備えている。
【００２４】又は、図３に示したように、ポリイミド樹
脂等の薄膜をキュアして形成した誘電体層１０上面とサ
ブ誘電体層１２上面とにスパッタリング等によりＡｕ、
Ｃｕ、Ｃｒ等の導体薄膜層をそれぞれ備えて、それらの
導体薄膜層をエッチング処理し、それらの誘電体層１０
上面とサブ誘電体層１２上面とに信号線路２０とメッシ
ュグランドプレーン３０とをそれぞれ備えている。次
に、それらのメッシュグランドプレーン３０を備えたサ
ブ誘電体層１２と信号線路２０を備えた誘電体層１０と
を、セラミック基板５０表面に備えたＡｕ、Ｃｕ、Ｃｒ
等の導体薄膜層からなるグランドプレーン４０に順次積
層して、それらの間を絶縁性接着剤を用いてそれぞれ接
合している。
【００２５】又は、図２と図３に示した形成方法を組み
合わせて形成している。即ち、ポリイミド樹脂等の薄膜
をグランドプレーン４０上面にスピンコートした後、そ
の薄膜をキュアして、グランドプレーン４０上面にサブ
誘電体層１２を備えている。それと共に、ポリイミド樹
脂等の薄膜をキュアして形成した誘電体層１０下面にＡ
ｕ、Ｃｕ、Ｃｒ等の導体薄膜層を備えて、その導体薄膜
層をエッチング処理し、下面にメッシュグランドプレー
ン３０を備えた誘電体層１０を設けている。次に、その
誘電体層１０を、サブ誘電体層１２上面に絶縁性接着剤
を用いて接合している。その後、誘電体層１０上面にＡ
ｕ、Ｃｕ、Ｃｒ等の導体薄膜層をスパッタリングにより
備えて、その導体薄膜層をエッチング処理し、誘電体層
１０上面に信号線路２０を備える等している。
【００２６】そして、図１に示したような、誘電体層１
０上面に信号線路２０を備えると共に、誘電体層１０下
面にメッシュグランドプレーン３０を備え、さらに、そ
のメッシュグランドプレーン３０を備えた誘電体層１０
下面に、サブ誘電体層１２を介してグランドプレーン４
０を備えてなる、高周波用信号線路を形成している。
【００２７】メッシュグランドプレーン３０とグランド
プレーン４０とは、その複数箇所を、サブ誘電体層１２
に上下に貫通して備えたホールに導体を充填してなる複
数の導体ヴィア６０、又はサブ誘電体層１２に上下に貫
通して備えたホール内周面に導体層を備えてなる複数の
導体ヴィア（図示せず）を介してそれぞれ接続してい
る。そして、導体抵抗値の高い細帯状の網線からなるメ
ッシュグランドプレーン３０の複数箇所を導体抵抗値の
低い広いグランドプレーン４０にそれぞれ接続して、メ
ッシュグランドプレーン３０の網線各所のグランドプレ
ーン４０に対する電位差を小さく抑えられるようにして
いる。そして、メッシュグランドプレーン３０をグラン
ドプレーン４０と共に接地して、メッシュグランドプレ
ーン３０とグランドプレーン４０とで信号線路２０の特
性インピーダンスを一定値の５０Ω等に的確にマッチン
グさせることができるようにしている。
【００２８】ホールに導体を充填してなる導体ヴィア６
０は、例えば特願平１―２１９２５８号明細書及びその
添付図面に記載された方法を用いて、サブ誘電体層１２
をエッチング処理して、サブ誘電体層１２に上下に貫通
するホールを設けた後、そのホールにＣｒ等のめっき層
からなる導体を充填して形成している。
【００２９】ホール内周面に導体層を備えてなる導体ヴ
ィアは、例えばポリイミド樹脂等の薄膜をキュアして形
成したサブ誘電体層１２をエッチング処理して、サブ誘
電体層１２に上下に貫通するホールを設けた後、そのホ
ール内周面にＣｒ等の導体めっきを施して形成してい
る。
【００３０】図１ないし図３に示した高周波用信号線路
は、以上のように構成していて、この高周波用信号線路
では、メッシュグランドプレーン３０の網目にあたる空
隙部分をグランドプレーン４０で補完して、信号線路２
０の特性インピーダンスを信号線路２０の全長に亙って
高低差なく一定値の５０Ω等に的確にマッチングさせる
ことができる。それと共に、グランドプレーン４０でメ
ッシュグランドプレーン３０の網線部分に生ずる電荷集
中や信号線路２０に生ずる表皮効果を排除して、信号線
路２０を１０ＧＨｚ以上等の超高周波信号を伝送損失少
なく伝えることができる。
【００３１】図４は本発明の高周波用信号線路の他の好
適な実施例を示し、詳しくはその一部正面断面図を示し
ている。以下に、この高周波用信号線路を説明する。
【００３２】図の高周波用信号線路では、信号線路２０
を備えた誘電体層１０上面に誘電体層１４を備えて、そ
の誘電体層１４上面にメッシュグランドプレーン３２を
備えている。そして、信号線路２０下方とその上方と
に、誘電体層１０、１４を介してメッシュグランドプレ
ーン３０、３２をそれぞれ備えて、それらのメッシュグ
ランドプレーン３０、３２で信号線路２０をストリップ
線路構造化している。そして、信号線路２０の特性イン
ピーダンスを一定値のほぼ５０Ω等にマッチングさせて
いる。
【００３３】また、信号線路２０上方とその下方とに備
えたメッシュグランドプレーン３２、３０の網線が上方
から見て互いに重なり合う箇所間に位置する誘電体層１
４、１０部分に、それらの誘電体層１４、１０を上下に
連続して貫通する前述と同様なホールに導体を充填して
なる導体ヴィア６２又はホール内周面に導体層を備えて
なる導体ヴィア（図示せず）を、信号線路２０を避け
て、信号線路２０両脇にそれぞれ複数並べて備えてい
る。そして、それらの複数の導体ヴィア６２等で信号線
路２０上方とその下方とに備えたメッシュグランドプレ
ーン３２、３０の複数箇所を電位差小さくそれぞれ接続
している。それと共に、信号線路２０両脇を上記複数の
導体ヴィア６２等でそれぞれ囲むと共に、信号線路２０
下方とその上方とをメッシュグランドプレーン３０、３
２でそれぞれ囲むようにして、信号線路２０を擬似同軸
線路構造化している。そして、信号線路２０の特性イン
ピーダンスを一定値のほぼ５０Ω等に的確にマッチング
させている。
【００３４】その他は、前述図１ないし図３に示した高
周波用信号線路と同様に構成していて、その作用も、前
述図１ないし図３に示した高周波用信号線路と同様であ
り、その同一部材には同一符号を付し、その説明を省略
する。
【００３５】図５は本発明の高周波用信号線路のもう一
つの好適な実施例を示し、詳しくはその一部正面断面図
を示している。以下に、この高周波用信号線路を説明す
る。
【００３６】図の高周波用信号線路では、上述図４に示
した高周波用信号線路のメッシュグランドプレーン３２
を備えた誘電体層１４上面にサブ誘電体層１６を備え
て、そのサブ誘電体層１６上面にメッシュグランドプレ
ーン３２補完用のグランドプレーン４２を備えている。
そして、信号線路２０の特性インピーダンスを、信号線
路２０下方とその上方とにそれぞれ備えたメッシュグラ
ンドプレーン３０、３２とグランドプレーン４０、４２
とで高低差なく一定値の５０Ω等に的確にマッチングさ
せている。
【００３７】メッシュグランドプレーン３２とグランド
プレーン４２との複数箇所は、サブ誘電体層１６に上下
に貫通して備えた前述と同様なホールに導体を充填して
なる複数の導体ヴィア６４又はホール内周面に導体層を
備えてなる複数の導体ヴィア（図示せず）を介してそれ
ぞれ接続している。そして、メッシュグランドプレーン
３２をグランドプレーン４２と共に電位差小さく接地で
きるようにしている。
【００３８】その他は、前述図４に示した高周波用信号
線路と同様に構成していて、その作用も、前述図４に示
した高周波用信号線路と同様であり、その同一部材には
同一符号を付し、その説明を省略する。
【００３９】これらの図４又は図５に示した高周波用信
号線路の誘電体層１０、１４、サブ誘電体層１２、１
６、信号線路２０、メッシュグランドプレーン３０、３
２、グランドプレーン４０、４２、導体ヴィア６２、６
４等の形成方法は、前述図２又は図３に示した高周波用
信号線路の形成方法又はそれらを組み合わせた形成方
法、前述導体ヴィア６０等の形成方法と同様であり、そ
の説明を省略する。
【００４０】なお、図５に示した高周波用信号線路を形
成する際には、サブ誘電体層１６形成用のポリイミド樹
脂等の薄膜上面にグランドプレーン４２をスパッタリン
グ等により備えた後、薄膜をキュアしてサブ誘電体層１
６を形成すると、薄膜をキュアした際に薄膜から発せら
れる気泡でグランドプレーン４２の一部が盛り上がる等
するので、ポリイミド樹脂等の薄膜をキュアして形成し
たサブ誘電体層１６上面にグランドプレーン４２をスパ
ッタリング等により備えて、そのサブ誘電体層１６をメ
ッシュグランドプレーン３２を備えた誘電体層１４上面
に絶縁性接着剤を用いて接合すると良い。
【００４１】図６と図７は本発明の高周波用信号線路の
さらにもう一つの好適な実施例を示し、図６はその一部
正面断面図、図７はその形成方法を示す分解斜視図であ
る。以下に、この高周波用信号線路を説明する。
【００４２】図の高周波用信号線路では、メッシュグラ
ンドプレーン３２の網線にサブ誘電体層１６を介して対
向する複数のグランドプレーン４２部分に、メッシュグ
ランドプレーン３２の網線より細幅の穴４４を散点状に
複数備えている。
【００４３】それと共に、グランドプレーン４２を備え
たサブ誘電体層１６上面に誘電体層１８を備えて、その
誘電体層１８でグランドプレーン４２上面を覆って保護
している。
【００４４】この高周波用信号線路を形成する際には、
図７に示したように、メッシュグランドプレーン３２を
備えた誘電体層１４上面にサブ誘電体層１６形成用のポ
リイミド樹脂等の薄膜をスピンコートすると共に、その
薄膜上面にグランドプレーン４２をスパッタリング等に
より備えている。次に、グランドプレーン４２をエッチ
ング処理して、グランドプレーン４２に複数の穴４４を
散点状に開口すると共に、薄膜をキュアして、サブ誘電
体層１６を形成している。そして、薄膜をキュアしてサ
ブ誘電体層１６を形成した際に、その薄膜から発せられ
る気泡をグランドプレーンの複数の穴４４を通してグラ
ンドプレーン４２外方に放散させて、薄膜から発せられ
る気泡でグランドプレーン４２の一部が盛り上がる等す
るのを防いでいる。
【００４５】それと共に、図６に示したように、グラン
ドプレーン４２を備えたサブ誘電体層１６上面にポリイ
ミド樹脂等の薄膜をスピンコート等して誘電体層１８を
備えた際に、グランドプレーン４２の複数の穴４４に誘
電体層１８の一部を食い込ませて、誘電体層１８をグラ
ンドプレーン４２を介してサブ誘電体層１６上面に該上
面から容易に剥離しないように強固に接合している。
【００４６】この高周波用信号線路では、図６に示した
ように、メッシュグランドプレーン３２と複数の穴４４
を開口したグランドプレーン４２とを上下方向から透視
した際に、それらのプレーン３２、４２に空隙があかな
いようにして、メッシュグランドプレーン３２とグラン
ドプレーン４２とで信号線路２０の特性インピーダンス
を信号線路２０の全長に亙って高低差なく一定値の５０
Ω等に正確にマッチングさせている。
【００４７】その他は、前述図５に示した高周波用信号
線路と同様に構成していて、その作用も、前述図５に示
した高周波用信号線路と同様であり、その同一部材には
同一符号を付し、その説明を省略する。
【００４８】なお、前述図５に示した高周波用信号線路
においても、上述図６と図７に示した高周波用信号線路
と同様にして、そのメッシュグランドプレーン３２の網
線に対向するグランドプレーン４２部分に、メッシュグ
ランドプレーン３２の網線より細幅の穴（図示せず）を
開口して、ポリイミド樹脂等の薄膜をキュアしてサブ誘
電体層１６を形成した際に、薄膜から発せられる気泡を
グランドプレーン４２の上記穴を通してグランドプレー
ン４２外方に放散させても良い。
【００４９】また、図１、図４、図５又は図６に示した
高周波用信号線路において、メッシュグランドプレーン
３０、３２とグランドプレーン４０、４２とは、それら
のプレーン３０、３２、４０、４２端部間をワイヤ等で
接続したり、それぞれ別個に基板のグランド線路に接続
したりして、それらのプレーン３０、３２、４０、４２
を共に接地できるようにしても良い。
【００５０】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の高周波用
信号線路によれば、メッシュグランドプレーンの網目に
あたる空隙部分をグランドプレーンで補完して、メッシ
ュグランドプレーンの空隙部分と誘電体層を介して対向
する信号線路部分の特性インピーダンスを、一定値に的
確にマッチングさせることができる。そして、メッシュ
グランドプレーンとグランドプレーンとで、信号線路の
特性インピーダンスを信号線路の全長に亙って高低差な
く一定値に的確にマッチングさせることができる。
【００５１】それと共に、メッシュグランドプレーンの
網目にあたる空隙部分をグランドプレーンで補完して、
信号線路に１０ＧＨｚ以上等の超高周波信号を伝えた際
に、信号線路と誘電体層を介して対向するメッシュグラ
ンドプレーンの網線部分に電荷集中が起きたり、信号線
路に表皮効果が生じたりして、メッシュグランドプレー
ンのグランド効果が低下するのを防ぐことができる。
【００５２】そのため、本発明の高周波用信号線路によ
れば、誘電体層表面に備えた信号線路を、通常の高周波
信号は勿論、１０ＧＨｚ以上等の超高周波信号をも伝送
損失少なく効率良く伝えることが可能となる。
【００５３】また、メッシュグランドプレーンとグラン
ドプレーンとの複数箇所を、サブ誘電体層に上下に貫通
して備えた複数の導体ヴィアを介してそれぞれ接続した
本発明の高周波用信号線路にあっては、メッシュグラン
ドプレーンの複数箇所を上記複数の導体ヴィアを介して
それぞれ接続して、導体抵抗値の高い細帯状の網線から
なるメッシュグランドプレーンを導体抵抗値の低い広い
グランドプレーンと共に電位差小さく接地することがで
きる。そして、それらの接地したメッシュグランドプレ
ーンとグランドプレーンとで、信号線路の特性インピー
ダンスを一定値に的確にマッチングさせて、信号線路を
伝わる高周波信号の伝送損失を少なく抑えることができ
る。
【００５４】また、メッシュグランドプレーンの網線に
対向するグランドプレーン部分にメッシュグランドプレ
ーンの網線より細幅の穴を開口した本発明の高周波用信
号線路にあっては、スピンコート等により備えたサブ誘
電体層形成用の薄膜をキュアした際に、薄膜表面に備え
たグランドプレーンにエッチング処理により開口した穴
を通して、薄膜から発せられる気泡をグランドプレーン
外方に放散させて、薄膜から発せられる気泡でグランド
プレーンの一部が盛り上がる等するのを防止できる。そ
れと共に、グランドプレーンを備えたサブ誘電体層表面
にポリイミド樹脂等の薄膜をスピンコート等により備え
て誘電体層を形成した際に、誘電体層の一部をグランド
プレーンの穴に食い込ませて、誘電体層をグランドプレ
ーンを介してサブ誘電体層表面に強固に接合できる。さ
らに、メッシュグランドプレーンと網線より細幅の穴を
開口したグランドプレーンとを上下方向から透視した際
に、それらのプレーンに空隙があかないようにして、メ
ッシュグランドプレーンとグランドプレーンとで信号線
路の特性インピーダンスを信号線路の全長に亙って高低
差なく一定値に正確にマッチングさせることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の高周波用信号線路の一部正面断面図で
ある。
【図２】本発明の高周波用信号線路の形成方法を示す分
解斜視図である。
【図３】本発明の高周波用信号線路の形成方法を示す分
解斜視図である。
【図４】本発明の高周波用信号線路の一部正面断面図で
ある。
【図５】本発明の高周波用信号線路の一部正面断面図で
ある。
【図６】本発明の高周波用信号線路の一部正面断面図で
ある。
【図７】本発明の高周波用信号線路の形成方法を示す分
解斜視図である。
【符号の説明】
１０、１４、１８ 誘電体層 １２、１６ サブ誘電体層 ２０ 信号線路 ３０、３２ メッシュグランドプレーン ４０、４２ グランドプレーン ４４ 穴 ５０ セラミック基板 ６０、６２、６４ 導体ヴィア

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 誘電体層の一方の表面に信号線路を備え
    ると共に、前記誘電体層の他方の表面に網目状のメッシ
    ュグランドプレーンを備えて、そのメッシュグランドプ
    レーンで前記信号線路の特性インピーダンスをほぼ一定
    値にマッチングさせた高周波用電子部品の信号線路にお
    いて、前記メッシュグランドプレーンを備えた誘電体層
    表面にサブ誘電体層を介して前記メッシュグランドプレ
    ーン補完用のグランドプレーンを備えたことを特徴とす
    る高周波用電子部品の信号線路。
  2. 【請求項２】 メッシュグランドプレーンとグランドプ
    レーンとの複数箇所を、サブ誘電体層に上下に貫通して
    備えた複数の導体ヴィアを介してそれぞれ接続した請求
    項１記載の高周波用電子部品の信号線路。
  3. 【請求項３】 メッシュグランドプレーンの網線に対向
    するグランドプレーン部分に、前記網線より細幅の穴を
    開口した請求項１又は２記載の高周波用電子部品の信号
    線路。
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