JPH05343519A - 半導体装置の配線方法 - Google Patents
半導体装置の配線方法Info
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- JPH05343519A JPH05343519A JP14599292A JP14599292A JPH05343519A JP H05343519 A JPH05343519 A JP H05343519A JP 14599292 A JP14599292 A JP 14599292A JP 14599292 A JP14599292 A JP 14599292A JP H05343519 A JPH05343519 A JP H05343519A
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- wiring layer
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Abstract
(57)【要約】
【目的】半導体装置の配線方法に関し、少なくとも３つ
の配線層が形成される半導体装置において結線率を向上
できることを目的とする。 【構成】チャネルＡのグリッドG1〜G3は第３層配線層全
面禁止、グリッドG4〜G8は第１層及び第３層配線層とも
に空き、グリッドG9〜G11 は第１層配線層全面禁止であ
る。チャネルＢのグリッドG1〜G7は第１層及び第３層配
線層に平均的に禁止があり、グリッドG8〜G11 は第１層
及び第３層配線層ともに空いている。従って、端子ａ，
ｂを結ぶグローバル経路３６は、チャネルＡの第１層配
線層のグリッドG1〜G8上を通過する幹線34と、チャネル
Ｂの第１層配線層のグリッドG9〜G11 を通過する幹線35
と、グリッドG1上の支線31と、グリッドG8上の支線32
と、グリッドG11 上の支線33とで決定される。
の配線層が形成される半導体装置において結線率を向上
できることを目的とする。 【構成】チャネルＡのグリッドG1〜G3は第３層配線層全
面禁止、グリッドG4〜G8は第１層及び第３層配線層とも
に空き、グリッドG9〜G11 は第１層配線層全面禁止であ
る。チャネルＢのグリッドG1〜G7は第１層及び第３層配
線層に平均的に禁止があり、グリッドG8〜G11 は第１層
及び第３層配線層ともに空いている。従って、端子ａ，
ｂを結ぶグローバル経路３６は、チャネルＡの第１層配
線層のグリッドG1〜G8上を通過する幹線34と、チャネル
Ｂの第１層配線層のグリッドG9〜G11 を通過する幹線35
と、グリッドG1上の支線31と、グリッドG8上の支線32
と、グリッドG11 上の支線33とで決定される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置の配線方法に
係り、詳しくはグローバル配線（全体概略配線）とチャ
ネル配線（詳細配線）とからなる二段階配線方法を用い
る場合のグローバル配線の配線経路の決定方法に関す
る。
係り、詳しくはグローバル配線（全体概略配線）とチャ
ネル配線（詳細配線）とからなる二段階配線方法を用い
る場合のグローバル配線の配線経路の決定方法に関す
る。
【０００２】近年の半導体装置の高集積化、大規模化に
相まって多層配線技術、例えば３層配線以上の配線技術
が提案されてきている。このような多層配線が形成され
る半導体装置に対して従来の２層配線における配線方法
をそのまま使用すると、詳細配線を行うときに物理的に
幹線位置の決定が不可能な状況が生じる。このため、多
層配線に適した配線方法が望まれている。
相まって多層配線技術、例えば３層配線以上の配線技術
が提案されてきている。このような多層配線が形成され
る半導体装置に対して従来の２層配線における配線方法
をそのまま使用すると、詳細配線を行うときに物理的に
幹線位置の決定が不可能な状況が生じる。このため、多
層配線に適した配線方法が望まれている。
【０００３】
【従来の技術】従来、例えば３つの配線層が形成される
半導体装置では、第１層及び第３層配線層にセル列方向
と同一方向に延びる幹線が配線され、第２層配線層にセ
ル列方向と直交する方向に延びる支線が配線される。
半導体装置では、第１層及び第３層配線層にセル列方向
と同一方向に延びる幹線が配線され、第２層配線層にセ
ル列方向と直交する方向に延びる支線が配線される。
【０００４】このような３つの配線層が形成される半導
体装置において、図３に示すようにセル列２１のバウン
ダリ上に設定された端子ａとセル列２２のバウンダリ上
に設定された端子ｂとを結ぶグローバル配線の配線経路
を決定するには、まず、セル列２１，２２等の上方の第
２層配線層の配線禁止状況と、セル列２１とセル列２２
との間のチャネルＡ、セル列２２とセル列２３との間の
チャネルＢ等の上方の第１層及び第３層配線層の配線禁
止状況とを求める。尚、各チャネルＡ，Ｂは第１層配線
層に１０本の配線トラックと、第３層配線層に１０本の
配線トラックとの合計２０本の配線トラックをそれぞれ
備えているものとする。
体装置において、図３に示すようにセル列２１のバウン
ダリ上に設定された端子ａとセル列２２のバウンダリ上
に設定された端子ｂとを結ぶグローバル配線の配線経路
を決定するには、まず、セル列２１，２２等の上方の第
２層配線層の配線禁止状況と、セル列２１とセル列２２
との間のチャネルＡ、セル列２２とセル列２３との間の
チャネルＢ等の上方の第１層及び第３層配線層の配線禁
止状況とを求める。尚、各チャネルＡ，Ｂは第１層配線
層に１０本の配線トラックと、第３層配線層に１０本の
配線トラックとの合計２０本の配線トラックをそれぞれ
備えているものとする。
【０００５】図３において、セル列２１ではグリッドＧ
１０，Ｇ１１が第２層配線層全面禁止であり、セル列２
２ではグリッドＧ１〜Ｇ３，Ｇ９，Ｇ１０が第２層配線
層全面禁止であるものとする。チャネルＡではグリッド
Ｇ１〜Ｇ３が第３層配線層全面禁止であり、グリッドＧ
４〜Ｇ８が第１層及び第３層配線層ともに空いており、
グリッドＧ９〜Ｇ１１が第１層配線層全面禁止であるも
のとする。更に、チャネルＢではグリッドＧ１〜Ｇ７が
第１層及び第３層配線層に平均的に禁止があり、グリッ
ドＧ８〜Ｇ１１は第１層及び第３層配線層ともに空きが
あるものとする。尚、第１層及び第３層配線層に平均的
に禁止があるとは、それぞれ少なくとも１つの配線トラ
ックが未使用の状態をいう。
１０，Ｇ１１が第２層配線層全面禁止であり、セル列２
２ではグリッドＧ１〜Ｇ３，Ｇ９，Ｇ１０が第２層配線
層全面禁止であるものとする。チャネルＡではグリッド
Ｇ１〜Ｇ３が第３層配線層全面禁止であり、グリッドＧ
４〜Ｇ８が第１層及び第３層配線層ともに空いており、
グリッドＧ９〜Ｇ１１が第１層配線層全面禁止であるも
のとする。更に、チャネルＢではグリッドＧ１〜Ｇ７が
第１層及び第３層配線層に平均的に禁止があり、グリッ
ドＧ８〜Ｇ１１は第１層及び第３層配線層ともに空きが
あるものとする。尚、第１層及び第３層配線層に平均的
に禁止があるとは、それぞれ少なくとも１つの配線トラ
ックが未使用の状態をいう。
【０００６】次に、各チャネルＡ，Ｂの各グリッドＧ１
〜Ｇ１１について第１層及び第３層配線層で既に使用さ
れている配線トラックを合計した使用状況（以下、チャ
ネル密度という）を求める。そして、端子ａが存在する
グリッドＧ１から端子ｂが存在するグリッドＧ１１の間
にチャネル密度が２０以上となるグリッドがあるか否か
を判定する。そして、いずれのグリッドＧ１〜Ｇ１１の
チャネル密度も２０未満であると端子ａ，ｂ間を結ぶグ
ローバル配線の幹線が通過できると判定する。又、少な
くとも１つのグリッドＧ１〜Ｇ１１のチャネル密度が２
０以上であると端子ａ，ｂ間を結ぶグローバル配線の幹
線は通過できないと判定する。
〜Ｇ１１について第１層及び第３層配線層で既に使用さ
れている配線トラックを合計した使用状況（以下、チャ
ネル密度という）を求める。そして、端子ａが存在する
グリッドＧ１から端子ｂが存在するグリッドＧ１１の間
にチャネル密度が２０以上となるグリッドがあるか否か
を判定する。そして、いずれのグリッドＧ１〜Ｇ１１の
チャネル密度も２０未満であると端子ａ，ｂ間を結ぶグ
ローバル配線の幹線が通過できると判定する。又、少な
くとも１つのグリッドＧ１〜Ｇ１１のチャネル密度が２
０以上であると端子ａ，ｂ間を結ぶグローバル配線の幹
線は通過できないと判定する。
【０００７】従って、図３において、各チャネルＡ，Ｂ
の各グリッドＧ１〜Ｇ１１についてチャネル密度が以下
の表１に示すように設定されているとすると、端子ａ，
ｂ間の各グリッドＧ１〜Ｇ１１でチャネル密度が２０以
上となるグリッドは存在しない。このため、チャネルＡ
に端子ａ，ｂ間を結ぶグローバル配線の幹線が通過でき
ると判定される。
の各グリッドＧ１〜Ｇ１１についてチャネル密度が以下
の表１に示すように設定されているとすると、端子ａ，
ｂ間の各グリッドＧ１〜Ｇ１１でチャネル密度が２０以
上となるグリッドは存在しない。このため、チャネルＡ
に端子ａ，ｂ間を結ぶグローバル配線の幹線が通過でき
ると判定される。
【０００８】
【表１】
【０００９】このため、図７に示すように、チャネルＡ
において端子ａに接続される第２層配線層のグリッドＧ
１上の支線５１と、端子ｂに接続される第２層配線層の
グリッドＧ１１上の支線５２と、両支線５１，５２の端
点間を結ぶ幹線５３とからなるグローバル経路５４が決
定される。
において端子ａに接続される第２層配線層のグリッドＧ
１上の支線５１と、端子ｂに接続される第２層配線層の
グリッドＧ１１上の支線５２と、両支線５１，５２の端
点間を結ぶ幹線５３とからなるグローバル経路５４が決
定される。
【００１０】従って、図７に示すグローバル配線５４を
通過させた後のチャネル密度は、以下の表２に示すよう
にチャネルＡの各グリッドＧ１〜Ｇ１１のチャネル密度
にそれぞれ「１」を加算した値となる。この後、決定さ
れたグローバル経路５４を基に公知のチャネルラウター
法により幹線の位置を求め、幹線及び支線をレイアウト
する。
通過させた後のチャネル密度は、以下の表２に示すよう
にチャネルＡの各グリッドＧ１〜Ｇ１１のチャネル密度
にそれぞれ「１」を加算した値となる。この後、決定さ
れたグローバル経路５４を基に公知のチャネルラウター
法により幹線の位置を求め、幹線及び支線をレイアウト
する。
【００１１】
【表２】
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図７に
示すグローバル経路５４に対してチャネルラウター法を
用いて詳細配線を行い、チャネルＡに幹線位置を決定し
ようとしても、チャネルＡではグリッドＧ１〜Ｇ３が第
３層配線層全面禁止であり、グリッドＧ９〜Ｇ１１が第
１層配線層全面禁止である。従って、幹線５３は第１層
配線層においても第３層配線層においても禁止と重なっ
て物理的に幹線位置の決定が不可能となる状況が発生
し、幹線５３を１本で配線することはできず、未結線と
なってしまうという問題がある。
示すグローバル経路５４に対してチャネルラウター法を
用いて詳細配線を行い、チャネルＡに幹線位置を決定し
ようとしても、チャネルＡではグリッドＧ１〜Ｇ３が第
３層配線層全面禁止であり、グリッドＧ９〜Ｇ１１が第
１層配線層全面禁止である。従って、幹線５３は第１層
配線層においても第３層配線層においても禁止と重なっ
て物理的に幹線位置の決定が不可能となる状況が発生
し、幹線５３を１本で配線することはできず、未結線と
なってしまうという問題がある。
【００１３】本発明は上記問題点を解決するためになさ
れたものであって、少なくとも３つの配線層が形成され
る半導体装置において、グローバル配線時に幹線を通過
させる配線層を設定し各配線層毎に幹線を通過させたと
きの配線密度を見積もることにより、別のチャネルに回
り込んで複数のチャネルを通過するようなグローバル経
路に決定したり、グローバル配線時にそのチャネルにお
いて幹線を第１層配線層と第３層配線層とに分割したり
することができ、結線率を向上できることを目的とす
る。
れたものであって、少なくとも３つの配線層が形成され
る半導体装置において、グローバル配線時に幹線を通過
させる配線層を設定し各配線層毎に幹線を通過させたと
きの配線密度を見積もることにより、別のチャネルに回
り込んで複数のチャネルを通過するようなグローバル経
路に決定したり、グローバル配線時にそのチャネルにお
いて幹線を第１層配線層と第３層配線層とに分割したり
することができ、結線率を向上できることを目的とす
る。
【００１４】
【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するため、セル列間に配置されたチャネルと、セル列方
向と同一方向に延びる幹線が配線される第１層配線層
と、第１層配線層の上層の配線層であってセル列方向と
直交する方向に延びる支線が配線される第２層配線層
と、第２層配線層の上層の配線層であってセル列方向と
同一方向に延びる幹線が配線される第３層配線層との少
なくとも３つの配線層が形成される半導体装置におい
て、セル列間に設定された端子対を結ぶ配線の配線経路
を決定するに際し、その配線の幹線を各セル列間におけ
る１つ又は複数のチャネルを通過させるようにした仮経
路候補をそれぞれ求める。各仮経路候補についてその幹
線を対応するチャネルの第１層配線層又は第３層配線層
を通すと仮定したとき、その第１層配線層又は第３層配
線層の配線密度をそれぞれ求める。
するため、セル列間に配置されたチャネルと、セル列方
向と同一方向に延びる幹線が配線される第１層配線層
と、第１層配線層の上層の配線層であってセル列方向と
直交する方向に延びる支線が配線される第２層配線層
と、第２層配線層の上層の配線層であってセル列方向と
同一方向に延びる幹線が配線される第３層配線層との少
なくとも３つの配線層が形成される半導体装置におい
て、セル列間に設定された端子対を結ぶ配線の配線経路
を決定するに際し、その配線の幹線を各セル列間におけ
る１つ又は複数のチャネルを通過させるようにした仮経
路候補をそれぞれ求める。各仮経路候補についてその幹
線を対応するチャネルの第１層配線層又は第３層配線層
を通すと仮定したとき、その第１層配線層又は第３層配
線層の配線密度をそれぞれ求める。
【００１５】次に、各仮経路候補のその幹線について求
められた少なくとも１つの配線層の配線密度に基づいて
その幹線を同一配線層に設定できるときにはその設定で
きる配線層のうち最小の配線密度を持つ配線層をその幹
線の通過層として各経路候補を設定する。又、各仮経路
候補のその幹線について求められたいずれの配線層の配
線密度によってもその幹線を同一配線層に設定できない
ときにはその幹線を当該チャネルにおいて第１層配線層
及び第３層配線層間で分割してその二層間での配線密度
が最小となる配線層の組合せをその幹線の通過層として
各経路候補を設定する。
められた少なくとも１つの配線層の配線密度に基づいて
その幹線を同一配線層に設定できるときにはその設定で
きる配線層のうち最小の配線密度を持つ配線層をその幹
線の通過層として各経路候補を設定する。又、各仮経路
候補のその幹線について求められたいずれの配線層の配
線密度によってもその幹線を同一配線層に設定できない
ときにはその幹線を当該チャネルにおいて第１層配線層
及び第３層配線層間で分割してその二層間での配線密度
が最小となる配線層の組合せをその幹線の通過層として
各経路候補を設定する。
【００１６】そして、求められた各経路候補についてそ
の経路全体の配線長を要素とする配線コストをそれぞれ
求める。この後、求められた各経路候補のうち最小の配
線コストを持つ経路候補を配線の配線経路として決定す
る。
の経路全体の配線長を要素とする配線コストをそれぞれ
求める。この後、求められた各経路候補のうち最小の配
線コストを持つ経路候補を配線の配線経路として決定す
る。
【００１７】
【作用】従って、本発明によれば、同一結線関係におい
て、配線の配線経路が別のチャネルに回り込んで複数の
チャネルを通過するように決定されたり、グローバル配
線時にそのチャネルにおいて幹線が第１層配線層及び第
３層配線層に分割されたりする。このため、詳細配線を
行う時に物理的に幹線位置の決定が不可能となる状況が
回避され、未結線の発生が防止される。
て、配線の配線経路が別のチャネルに回り込んで複数の
チャネルを通過するように決定されたり、グローバル配
線時にそのチャネルにおいて幹線が第１層配線層及び第
３層配線層に分割されたりする。このため、詳細配線を
行う時に物理的に幹線位置の決定が不可能となる状況が
回避され、未結線の発生が防止される。
【００１８】
【実施例】以下、本発明を具体化した一実施例の配線方
法を図面に従って説明する。図１，図２は本実施例のグ
ローバル経路決定処理を示している。まず、ステップ１
でセル列のバウンダリ上に設定された端子対を結ぶグロ
ーバル配線の仮経路候補を１つ検索する。この仮経路候
補はそのグローバル配線の幹線を各セル列間における１
つ又は複数のチャネルを通過させられるものであればよ
い。尚、複数のチャネルを通過させられるとはグローバ
ル経路が迂回することを意味している。
法を図面に従って説明する。図１，図２は本実施例のグ
ローバル経路決定処理を示している。まず、ステップ１
でセル列のバウンダリ上に設定された端子対を結ぶグロ
ーバル配線の仮経路候補を１つ検索する。この仮経路候
補はそのグローバル配線の幹線を各セル列間における１
つ又は複数のチャネルを通過させられるものであればよ
い。尚、複数のチャネルを通過させられるとはグローバ
ル経路が迂回することを意味している。
【００１９】次のステップ２で仮経路候補が見つかった
か否かを判定し、仮経路候補が見つかったときにはステ
ップ３に進む。ステップ３では仮経路候補の幹線になる
部分について対応するチャネルの第１層配線層又は第３
層配線層を通すと仮定したとき、その幹線を含む第１層
配線層又は第３層配線層の配線密度をその幹線のコスト
としてそれぞれ算出する。
か否かを判定し、仮経路候補が見つかったときにはステ
ップ３に進む。ステップ３では仮経路候補の幹線になる
部分について対応するチャネルの第１層配線層又は第３
層配線層を通すと仮定したとき、その幹線を含む第１層
配線層又は第３層配線層の配線密度をその幹線のコスト
としてそれぞれ算出する。
【００２０】次のステップ４では、各チャネルにおける
第１層及び第３層配線層の配線禁止状況に基づいてその
幹線の配線層別の各コストが単一配線層で設定できるか
否か、即ち、幹線が単一配線層を通過できるか否かを判
定する。ステップ４でその幹線の各コストのうち、少な
くとも１つのコストを単一配線層で設定できると判定す
ると、ステップ５に進む。
第１層及び第３層配線層の配線禁止状況に基づいてその
幹線の配線層別の各コストが単一配線層で設定できるか
否か、即ち、幹線が単一配線層を通過できるか否かを判
定する。ステップ４でその幹線の各コストのうち、少な
くとも１つのコストを単一配線層で設定できると判定す
ると、ステップ５に進む。
【００２１】ステップ５では前記ステップ４においてそ
の幹線を設定できると判定された配線層のうち、最小コ
ストを持つ配線層をその幹線の通過層及びコストとして
経路候補を設定し、ステップ８に進む。
の幹線を設定できると判定された配線層のうち、最小コ
ストを持つ配線層をその幹線の通過層及びコストとして
経路候補を設定し、ステップ８に進む。
【００２２】又、前記ステップ４でその幹線の各コスト
のうち、いずれのコストも単一配線層に設定できないと
判定すると、ステップ６に進む。ステップ６ではその幹
線を当該チャネルにおける第１層及び第３層配線層の配
線禁止状況に基づいて第１層配線層及び第３層配線層間
で分割できるか否かを判定し、分割できないと判定する
と前記ステップ１に戻る。ステップ６でその幹線を当該
チャネルにおいて第１層配線層及び第３層配線層間で分
割できると判定すると、ステップ７に進む。
のうち、いずれのコストも単一配線層に設定できないと
判定すると、ステップ６に進む。ステップ６ではその幹
線を当該チャネルにおける第１層及び第３層配線層の配
線禁止状況に基づいて第１層配線層及び第３層配線層間
で分割できるか否かを判定し、分割できないと判定する
と前記ステップ１に戻る。ステップ６でその幹線を当該
チャネルにおいて第１層配線層及び第３層配線層間で分
割できると判定すると、ステップ７に進む。
【００２３】ステップ７では当該チャネルにおいてチャ
ネルラウターに対する制約点以外の場所に幹線分割点を
設定する。そして、多層（第１層配線層から第３層配線
層、又は第３層配線層から第１層配線層）による幹線の
各コストを求め、最小コストを持つ配線層の組合せをそ
の幹線の通過層及びコストとして経路候補を設定する。
ネルラウターに対する制約点以外の場所に幹線分割点を
設定する。そして、多層（第１層配線層から第３層配線
層、又は第３層配線層から第１層配線層）による幹線の
各コストを求め、最小コストを持つ配線層の組合せをそ
の幹線の通過層及びコストとして経路候補を設定する。
【００２４】ステップ８では前記ステップ５又はステッ
プ７にて設定した経路候補について、その経路全体の配
線コストを配線長、回り込み回数等を要素として算出
し、ステップ９に進む。
プ７にて設定した経路候補について、その経路全体の配
線コストを配線長、回り込み回数等を要素として算出
し、ステップ９に進む。
【００２５】ステップ９では前記ステップ８で算出した
今回の経路候補の配線コストが以前に見つけた経路候補
の配線コストより小さいか否かを判定する。ステップ９
で今回の候補の配線コストが以前に見つけた候補の配線
コストより小さいと判定すると、次のステップ１０にて
今回の候補を最良の候補として記憶する。又、ステップ
９で今回の候補の配線コストが以前に見つけた候補の配
線コスト以上であると判定すると、前記ステップ１に戻
ってステップ１以降の処理を繰り返し実行する。
今回の経路候補の配線コストが以前に見つけた経路候補
の配線コストより小さいか否かを判定する。ステップ９
で今回の候補の配線コストが以前に見つけた候補の配線
コストより小さいと判定すると、次のステップ１０にて
今回の候補を最良の候補として記憶する。又、ステップ
９で今回の候補の配線コストが以前に見つけた候補の配
線コスト以上であると判定すると、前記ステップ１に戻
ってステップ１以降の処理を繰り返し実行する。
【００２６】そして、前記ステップ２でグローバル配線
の別の仮経路候補が見つからなかったと判定すると、ス
テップ１１に進んで最良の候補が記憶されているか否か
を判定する。このステップ１１で最良の候補が記憶され
ていると判定するとステップ１２に進む。そして、ステ
ップ１２で最良の候補として記憶されている候補をグロ
ーバル経路として決定し、幹線の通過層の配線密度を更
新して処理を終了する。
の別の仮経路候補が見つからなかったと判定すると、ス
テップ１１に進んで最良の候補が記憶されているか否か
を判定する。このステップ１１で最良の候補が記憶され
ていると判定するとステップ１２に進む。そして、ステ
ップ１２で最良の候補として記憶されている候補をグロ
ーバル経路として決定し、幹線の通過層の配線密度を更
新して処理を終了する。
【００２７】又、前記ステップ１１で最良の候補が記憶
されていないと判定すると、ステップ１３でこの結線関
係を実現するグローバル経路はなしとして処理を終了す
る。従って、今、図３に示すように、セル列２２のバウ
ンダリ上の端子ａとセル列２１上のバウンダリ上の端子
ｂとの間に結線関係がある場合、表３に示すように各チ
ャネルＡ，Ｂの各グリッドＧ１〜Ｇ１１について第１層
及び第３層配線層の配線密度を別々に設定する。尚、各
チャネルＡ，Ｂは第１層配線層に１０本の配線トラック
と、第３層配線層に１０本の配線トラックとの合計２０
本の配線トラックをそれぞれ備えているものとする。こ
のとき、各配線層とも配線密度が「１０」以上になると
幹線は通過できないものとする。
されていないと判定すると、ステップ１３でこの結線関
係を実現するグローバル経路はなしとして処理を終了す
る。従って、今、図３に示すように、セル列２２のバウ
ンダリ上の端子ａとセル列２１上のバウンダリ上の端子
ｂとの間に結線関係がある場合、表３に示すように各チ
ャネルＡ，Ｂの各グリッドＧ１〜Ｇ１１について第１層
及び第３層配線層の配線密度を別々に設定する。尚、各
チャネルＡ，Ｂは第１層配線層に１０本の配線トラック
と、第３層配線層に１０本の配線トラックとの合計２０
本の配線トラックをそれぞれ備えているものとする。こ
のとき、各配線層とも配線密度が「１０」以上になると
幹線は通過できないものとする。
【００２８】
【表３】
【００２９】従って、図３のチャネルＡにおいて端子ａ
からの幹線を第１層配線層に通す場合には、グリッドＧ
９，Ｇ１０，Ｇ１１で配線密度が「１０」になっている
ため、端子ｂに到達することはできない。又、端子ｂか
らの幹線を第３層配線層に通す場合には、グリッドＧ
１，Ｇ２，Ｇ３で配線密度が「１０」になっているた
め、端子ａには到達できない。
からの幹線を第１層配線層に通す場合には、グリッドＧ
９，Ｇ１０，Ｇ１１で配線密度が「１０」になっている
ため、端子ｂに到達することはできない。又、端子ｂか
らの幹線を第３層配線層に通す場合には、グリッドＧ
１，Ｇ２，Ｇ３で配線密度が「１０」になっているた
め、端子ａには到達できない。
【００３０】このため、図４に示すように、グリッドＧ
１〜Ｇ８は配線密度のより小さいチャネルＡの第１層配
線層を通過する幹線３４と、グリッドＧ９〜Ｇ１１はチ
ャネルＡの第１層配線層では禁止となるため、チャネル
Ｂの第１層配線層を通過する幹線３５と、チャネルＡに
おいて端子ａに接続される第２層配線層のグリッドＧ１
上の支線３１と、チャネルＡ，セル列２２及びチャネル
ＢのグリッドＧ８上の支線３２と、端子ｂに接続される
チャネルＡ，セル列２２及びチャネルＢの第２層配線層
のグリッドＧ１１上の支線３３とからなる迂回したグロ
ーバル経路３６が決定される。
１〜Ｇ８は配線密度のより小さいチャネルＡの第１層配
線層を通過する幹線３４と、グリッドＧ９〜Ｇ１１はチ
ャネルＡの第１層配線層では禁止となるため、チャネル
Ｂの第１層配線層を通過する幹線３５と、チャネルＡに
おいて端子ａに接続される第２層配線層のグリッドＧ１
上の支線３１と、チャネルＡ，セル列２２及びチャネル
ＢのグリッドＧ８上の支線３２と、端子ｂに接続される
チャネルＡ，セル列２２及びチャネルＢの第２層配線層
のグリッドＧ１１上の支線３３とからなる迂回したグロ
ーバル経路３６が決定される。
【００３１】従って、図４に示すグローバル経路３６を
通過させた後の配線密度は、以下の表４に示すようにチ
ャネルＡの第１層配線層の各グリッドＧ１〜Ｇ８、及び
チャネルＢの第１層配線層の各グリッドＧ８〜Ｇ１１の
配線密度にそれぞれ「１」を加算した値となる。この
後、決定されたグローバル経路３６を基に公知のチャネ
ルラウター法により幹線の位置を求め、幹線及び支線を
レイアウトする。
通過させた後の配線密度は、以下の表４に示すようにチ
ャネルＡの第１層配線層の各グリッドＧ１〜Ｇ８、及び
チャネルＢの第１層配線層の各グリッドＧ８〜Ｇ１１の
配線密度にそれぞれ「１」を加算した値となる。この
後、決定されたグローバル経路３６を基に公知のチャネ
ルラウター法により幹線の位置を求め、幹線及び支線を
レイアウトする。
【００３２】
【表４】
【００３３】又、仮経路候補として図７に示すように幹
線５３をチャネルＡを通過させるものが検索された場合
には、幹線５３は図５に示すように２つの幹線３９，４
０に分割される。そして、幹線３９，４０がオーバーラ
ップしているグリッドＧ４〜Ｇ８までの間において、チ
ャネルラウターに対する制約点以外の場所、例えば、グ
リッドＧ６上に幹線分割点が設定される。その結果、図
６に示すように、チャネルＡにおいて、第１層配線層の
グリッドＧ１〜Ｇ６上を通過する幹線３９ａと、第３層
配線層のグリッドＧ６〜Ｇ１１上を通過する幹線４０ａ
と、端子ａに接続される第２層配線層のグリッドＧ１上
の支線３７と、端子ｂに接続される第２層配線層のグリ
ッドＧ１１上の支線３８、両幹線３９ａ，４０ａの端点
間を結ぶグリッドＧ６上の支線４１とからなるグローバ
ル経路４２が決定される。
線５３をチャネルＡを通過させるものが検索された場合
には、幹線５３は図５に示すように２つの幹線３９，４
０に分割される。そして、幹線３９，４０がオーバーラ
ップしているグリッドＧ４〜Ｇ８までの間において、チ
ャネルラウターに対する制約点以外の場所、例えば、グ
リッドＧ６上に幹線分割点が設定される。その結果、図
６に示すように、チャネルＡにおいて、第１層配線層の
グリッドＧ１〜Ｇ６上を通過する幹線３９ａと、第３層
配線層のグリッドＧ６〜Ｇ１１上を通過する幹線４０ａ
と、端子ａに接続される第２層配線層のグリッドＧ１上
の支線３７と、端子ｂに接続される第２層配線層のグリ
ッドＧ１１上の支線３８、両幹線３９ａ，４０ａの端点
間を結ぶグリッドＧ６上の支線４１とからなるグローバ
ル経路４２が決定される。
【００３４】従って、図６に示すグローバル経路４２を
通過させた後の配線密度は、以下の表５に示すようにチ
ャネルＡの第１層配線層の各グリッドＧ１〜Ｇ６、及び
第３層配線層の各グリッドＧ６〜Ｇ１１の配線密度にそ
れぞれ「１」を加算した値となる。この後、決定された
グローバル経路４２を基に公知のチャネルラウター法に
より幹線の位置を求め、幹線及び支線をレイアウトす
る。
通過させた後の配線密度は、以下の表５に示すようにチ
ャネルＡの第１層配線層の各グリッドＧ１〜Ｇ６、及び
第３層配線層の各グリッドＧ６〜Ｇ１１の配線密度にそ
れぞれ「１」を加算した値となる。この後、決定された
グローバル経路４２を基に公知のチャネルラウター法に
より幹線の位置を求め、幹線及び支線をレイアウトす
る。
【００３５】
【表５】
【００３６】このように、本実施例では、３つの配線層
が形成される半導体装置において、グローバル配線時に
幹線を通過させる配線層を設定し各配線層毎に幹線を通
過させる仮定したときの配線密度を見積もることによ
り、別のチャネルに回り込んで複数のチャネルを通過す
るようなグローバル経路に決定したり、グローバル配線
時にそのチャネルにおいて幹線を第１層配線層と第３層
配線層とに分割したりすることができる。このため、詳
細配線時において物理的に幹線位置の決定が不可能とな
る状況を回避することができ、結線率を向上することが
できる。よって、詳細配線後の修正作業を軽減すること
ができ、この結果、ＬＳＩの開発期間を短縮化すること
ができる。
が形成される半導体装置において、グローバル配線時に
幹線を通過させる配線層を設定し各配線層毎に幹線を通
過させる仮定したときの配線密度を見積もることによ
り、別のチャネルに回り込んで複数のチャネルを通過す
るようなグローバル経路に決定したり、グローバル配線
時にそのチャネルにおいて幹線を第１層配線層と第３層
配線層とに分割したりすることができる。このため、詳
細配線時において物理的に幹線位置の決定が不可能とな
る状況を回避することができ、結線率を向上することが
できる。よって、詳細配線後の修正作業を軽減すること
ができ、この結果、ＬＳＩの開発期間を短縮化すること
ができる。
【００３７】尚、本実施例では３つの配線層が形成され
る半導体装置の配線方法に具体化したが、４以上の配線
層が形成される半導体装置の配線に具体化してもよい。
る半導体装置の配線方法に具体化したが、４以上の配線
層が形成される半導体装置の配線に具体化してもよい。
【００３８】
【発明の効果】以上詳述したように、本発明によれば、
ゲートアレイ、スタンダードセル等の少なくとも３つの
配線層が形成される半導体装置において、グローバル配
線時に幹線を通過させる配線層を設定し各配線層毎に幹
線を通過させたときの配線密度を見積もることにより、
別のチャネルに回り込んで複数のチャネルを通過するよ
うなグローバル経路に決定したり、グローバル配線時に
そのチャネルにおいて幹線を第１層配線層と第３層配線
層とに分割したりすることができ、結線率を向上できる
優れた効果がある。
ゲートアレイ、スタンダードセル等の少なくとも３つの
配線層が形成される半導体装置において、グローバル配
線時に幹線を通過させる配線層を設定し各配線層毎に幹
線を通過させたときの配線密度を見積もることにより、
別のチャネルに回り込んで複数のチャネルを通過するよ
うなグローバル経路に決定したり、グローバル配線時に
そのチャネルにおいて幹線を第１層配線層と第３層配線
層とに分割したりすることができ、結線率を向上できる
優れた効果がある。
【図１】一実施例のグローバル経路決定処理を示すフロ
ーチャートである。
ーチャートである。
【図２】一実施例のグローバル経路決定処理を示すフロ
ーチャートである。
ーチャートである。
【図３】グローバル経路決定前のチャネルの使用状態を
示す図である。
示す図である。
【図４】グローバル配線の一例を示す図である。
【図５】グローバル配線の幹線の分割処理を示す図であ
る。
る。
【図６】幹線を分割したグローバル配線の一例を示す図
である。
である。
【図７】従来方法により決定されたグローバル配線を示
す図である。
す図である。
２１，２２，２３ セル列 ３１，３２，３３，３７，３８，４１ 支線 ３４，３５，３９ａ，４０ａ 幹線 ３６，４２ グローバル経路 Ａ，Ｂ チャネル ａ，ｂ 端子 Ｇ１〜Ｇ１１ グリッド
Claims (1)
- 【請求項１】 セル列間に配置されたチャネルと、セル
列方向と同一方向に延びる幹線が配線される第１層配線
層と、第１層配線層の上層の配線層であってセル列方向
と直交する方向に延びる支線が配線される第２層配線層
と、第２層配線層の上層の配線層であってセル列方向と
同一方向に延びる幹線が配線される第３層配線層との少
なくとも３つの配線層が形成される半導体装置におい
て、セル列間に設定された端子対を結ぶ配線の配線経路
を決定するに際し、 その配線の幹線を各セル列間における１つ又は複数のチ
ャネルを通過させるようにした仮経路候補をそれぞれ求
め、各仮経路候補についてその幹線を対応するチャネル
の第１層配線層又は第３層配線層を通すと仮定したと
き、その第１層配線層又は第３層配線層の配線密度をそ
れぞれ求め、 各仮経路候補のその幹線について求められた少なくとも
１つの配線層の配線密度に基づいてその幹線を同一配線
層に設定できるときにはその設定できる配線層のうち最
小の配線密度を持つ配線層をその幹線の通過層として各
経路候補を設定し、又、各仮経路候補のその幹線につい
て求められたいずれの配線層の配線密度によってもその
幹線を同一配線層に設定できないときにはその幹線を当
該チャネルにおいて第１層配線層及び第３層配線層間で
分割してその二層間での配線密度が最小となる配線層の
組合せをその幹線の通過層として各経路候補を設定し、 求められた各経路候補についてその経路全体の配線長を
要素とする配線コストをそれぞれ求め、各経路候補のう
ち最小の配線コストを持つ経路候補を配線の配線経路と
して決定するようにしたことを特徴とする半導体装置の
配線方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14599292A JPH05343519A (ja) | 1992-06-05 | 1992-06-05 | 半導体装置の配線方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14599292A JPH05343519A (ja) | 1992-06-05 | 1992-06-05 | 半導体装置の配線方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05343519A true JPH05343519A (ja) | 1993-12-24 |
Family
ID=15397671
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14599292A Withdrawn JPH05343519A (ja) | 1992-06-05 | 1992-06-05 | 半導体装置の配線方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05343519A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100896801B1 (ko) * | 2007-05-23 | 2009-05-11 | 성균관대학교산학협력단 | 반도체 배선 경로 설정 방법 및 이를 실행하기 위한프로그램을 기록한 기록 매체 |
-
1992
- 1992-06-05 JP JP14599292A patent/JPH05343519A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100896801B1 (ko) * | 2007-05-23 | 2009-05-11 | 성균관대학교산학협력단 | 반도체 배선 경로 설정 방법 및 이를 실행하기 위한프로그램을 기록한 기록 매체 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990831 |