JPH05343336A - 半導体製造装置及び半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体製造装置及び半導体装置の製造方法Info
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- JPH05343336A JPH05343336A JP14967692A JP14967692A JPH05343336A JP H05343336 A JPH05343336 A JP H05343336A JP 14967692 A JP14967692 A JP 14967692A JP 14967692 A JP14967692 A JP 14967692A JP H05343336 A JPH05343336 A JP H05343336A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】本発明は、低温ＣＶＤ法により形成された絶縁
膜の改質方法を含む半導体製造装置に関し、低温で膜形
成の可能なＣＶＤ法により形成された絶縁膜の膜質を改
良することができ、かつ量産性を保持することができる
半導体製造装置を提供することを目的とする。 【構成】気相成長により被形成体１上に膜を形成する気
相成長室２２と、前記気相成長室２２と連接され、前記
被形成体１上に気相成長された膜に紫外線照射処理を行
う紫外線処理室２３と、該紫外線処理室２３にアンモニ
アガスを導入するアンモニア（ＮＨ3 ）ガス導入口３２
とを有することを含み構成する。
膜の改質方法を含む半導体製造装置に関し、低温で膜形
成の可能なＣＶＤ法により形成された絶縁膜の膜質を改
良することができ、かつ量産性を保持することができる
半導体製造装置を提供することを目的とする。 【構成】気相成長により被形成体１上に膜を形成する気
相成長室２２と、前記気相成長室２２と連接され、前記
被形成体１上に気相成長された膜に紫外線照射処理を行
う紫外線処理室２３と、該紫外線処理室２３にアンモニ
アガスを導入するアンモニア（ＮＨ3 ）ガス導入口３２
とを有することを含み構成する。
Description
【０００１】 〔目次〕 ・産業上の利用分野 ・従来の技術 ・発明が解決しようとする課題 ・課題を解決するための手段 ・作用（図１１，図１２） ・実施例 (1) 本発明の半導体製造装置の実施例 第１の実施例（図１，図５，図６） 第２の実施例（図２） 第３の実施例（図３） 第４の実施例（図４） (2) 本発明の半導体製造方法の実施例 第５の実施例（図７） 第６の実施例（図８） 第７の実施例（図９） 第８の実施例（図１０） ・発明の効果
【０００２】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の製造方法
に関し、更に詳しく言えば、低温ＣＶＤ法により形成さ
れた絶縁膜の改質方法を含む半導体装置の製造方法に関
する。
に関し、更に詳しく言えば、低温ＣＶＤ法により形成さ
れた絶縁膜の改質方法を含む半導体装置の製造方法に関
する。
【０００３】
【従来の技術】近年、絶縁膜を形成するためのＣＶＤ
（Chemical Vapor Deposition ）法には種々の方式があ
るが、主としてプラズマＣＶＤ法や熱的ＣＶＤ法が用い
られている。ところで、ＶＬＳＩ（Very Large Scale I
ntegrated Circuit ）、特にＤＲＡＭにおいては微細化
及び高密度化のため、プラズマＣＶＤ法により形成され
る絶縁膜はステップカバレージが劣り、またカーボン
（Ｃ）等不純物を形成された絶縁膜中に含むため好まし
くない。従って、微細化及び高密度化されるＤＲＡＭの
作成にはステップカバレージに優れた熱的ＣＶＤ法、特
に熱的に他に影響を及ぼさないように低温で膜形成の可
能な熱的ＣＶＤ法の適用が注目されている。従来、低温
で膜形成の可能な熱的ＣＶＤ法として、 反応ガス：モノシラン（ＳｉＨ4 ）／酸素（Ｏ2 ）混
合ガス 温度：350 〜450 ℃ 反応ガス：有機シラン（ＴＥＯＳ）／オゾン（Ｏ3 ）
混合ガス 温度：350 〜450 ℃がある。
（Chemical Vapor Deposition ）法には種々の方式があ
るが、主としてプラズマＣＶＤ法や熱的ＣＶＤ法が用い
られている。ところで、ＶＬＳＩ（Very Large Scale I
ntegrated Circuit ）、特にＤＲＡＭにおいては微細化
及び高密度化のため、プラズマＣＶＤ法により形成され
る絶縁膜はステップカバレージが劣り、またカーボン
（Ｃ）等不純物を形成された絶縁膜中に含むため好まし
くない。従って、微細化及び高密度化されるＤＲＡＭの
作成にはステップカバレージに優れた熱的ＣＶＤ法、特
に熱的に他に影響を及ぼさないように低温で膜形成の可
能な熱的ＣＶＤ法の適用が注目されている。従来、低温
で膜形成の可能な熱的ＣＶＤ法として、 反応ガス：モノシラン（ＳｉＨ4 ）／酸素（Ｏ2 ）混
合ガス 温度：350 〜450 ℃ 反応ガス：有機シラン（ＴＥＯＳ）／オゾン（Ｏ3 ）
混合ガス 温度：350 〜450 ℃がある。
【０００４】また、ステップカバレージに優れ、かつ低
温で膜形成の可能なＣＶＤ法として上記の熱的ＣＶＤ法
の他にも紫外線を照射しながら膜形成を行う光ＣＶＤ法
も注目されつつある。
温で膜形成の可能なＣＶＤ法として上記の熱的ＣＶＤ法
の他にも紫外線を照射しながら膜形成を行う光ＣＶＤ法
も注目されつつある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、デバイスのデ
ザインルールが１μｍ以下になってきた場合、層間絶縁
膜などの膜質の善し悪しがデバイス特性に大きな影響を
及ぼし、低温ＣＶＤ法により作成された層間絶縁膜につ
いては新たに次のような問題が生じてきている。即ち、
形成された絶縁膜の密度が小さい、或いは形成され
た絶縁膜中に水分（H2O)やSi-OH のような結合を含んで
いる、或いはSi-H等のような結合を含んでいるため
に、絶縁破壊強度の低下、或いはリーク電流の増
大、或いはＡｌ膜等のコロージョン等による信頼性に
かかわる問題を引き起こすことがある。
ザインルールが１μｍ以下になってきた場合、層間絶縁
膜などの膜質の善し悪しがデバイス特性に大きな影響を
及ぼし、低温ＣＶＤ法により作成された層間絶縁膜につ
いては新たに次のような問題が生じてきている。即ち、
形成された絶縁膜の密度が小さい、或いは形成され
た絶縁膜中に水分（H2O)やSi-OH のような結合を含んで
いる、或いはSi-H等のような結合を含んでいるため
に、絶縁破壊強度の低下、或いはリーク電流の増
大、或いはＡｌ膜等のコロージョン等による信頼性に
かかわる問題を引き起こすことがある。
【０００６】この問題を解決するためには、できるだ
け高温下で膜形成を行うこと、できるだけ低成長速度
で膜形成を行うこと、ＴＥＯＳを用いた方法ではＯ3
濃度をできるだけ高めること、成膜後、できるかぎり
高温で膜をアニールすること等の手段のうち少なくとも
いずれかが行われる必要があるが、それぞれ限界があ
る。例えば、下部Ａｌ膜を被覆する層間絶縁膜を形成す
る場合にはＡｌ膜とSi基板とのコンタクト特性やヒロッ
クの発生などの観点から温度を450 ℃以上にすることは
望ましくない。また、量産性を確保するため成長速度を
余り小さくできない。
け高温下で膜形成を行うこと、できるだけ低成長速度
で膜形成を行うこと、ＴＥＯＳを用いた方法ではＯ3
濃度をできるだけ高めること、成膜後、できるかぎり
高温で膜をアニールすること等の手段のうち少なくとも
いずれかが行われる必要があるが、それぞれ限界があ
る。例えば、下部Ａｌ膜を被覆する層間絶縁膜を形成す
る場合にはＡｌ膜とSi基板とのコンタクト特性やヒロッ
クの発生などの観点から温度を450 ℃以上にすることは
望ましくない。また、量産性を確保するため成長速度を
余り小さくできない。
【０００７】更に、光ＣＶＤ法では、膜の形成中にチャ
ンバの紫外線の照射窓に生成膜が付着してくもりが生
じ、紫外線の照射効果が減じられるため、生成膜の成長
レートや膜質が低下するという問題がある。また、光Ｃ
ＶＤ法は本来の成長レートが小さいので、量産に向かな
いという問題もある。
ンバの紫外線の照射窓に生成膜が付着してくもりが生
じ、紫外線の照射効果が減じられるため、生成膜の成長
レートや膜質が低下するという問題がある。また、光Ｃ
ＶＤ法は本来の成長レートが小さいので、量産に向かな
いという問題もある。
【０００８】本発明は、かかる従来の問題点に鑑みてな
されたもので、低温で膜形成の可能なＣＶＤ法により形
成された絶縁膜の膜質を改良することができ、かつ量産
性を保持することができる半導体装置の製造方法を提供
することを目的とするものである。
されたもので、低温で膜形成の可能なＣＶＤ法により形
成された絶縁膜の膜質を改良することができ、かつ量産
性を保持することができる半導体装置の製造方法を提供
することを目的とするものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記課題は、第１に、気
相成長（ＣＶＤ）により被形成体上に絶縁膜を形成した
後、アンモニア（ＮＨ3 ）ガス雰囲気中で該被形成体を
加熱しながら前記絶縁膜の表面に紫外線照射処理を行う
ことを特徴とする半導体装置の製造方法によって達成さ
れ、第２に、第１の発明に記載の製造方法を繰り返すこ
とにより膜厚を増やしていき、所定の膜厚の絶縁膜を得
ることを特徴とする半導体装置の製造方法によって達成
され、第３に、前記気相成長（ＣＶＤ）を、 反応ガス：モノシラン（ＳｉＨ4 ）／酸素（Ｏ2 ）を含
む混合ガス， 温度：350 〜450 ℃ の条件により行い、前記絶縁膜としてSiO2膜，ＰＳＧ
膜，ＢＳＧ膜，ＢＰＳＧ膜或いはTa2O5 膜のうちいずれ
かを形成することを特徴とする第１又は第２の発明に記
載の半導体装置の製造方法によって達成され、第４に、
前記気相成長（ＣＶＤ）を、 反応ガス：有機シラン（シリコンのアルコキシ化合物，
シロキサン，アルキルシラン等を含む）／オゾン
（Ｏ3 ）を含む混合ガス， 温度：350 〜450 ℃ の条件により行い、前記絶縁膜としてSiO2膜，ＰＳＧ
膜，ＢＳＧ膜，ＢＰＳＧ膜或いはTa2O5 膜のうちいずれ
かを形成することを特徴とする第１又は第２の発明に記
載の半導体装置の製造方法によって達成され、第５に、
前記気相成長（ＣＶＤ）を、 反応ガス：タンタル(Ta)等の有機化合物／オゾン
（Ｏ3 ）を含む混合ガス， 温度：300 〜450 ℃ の条件により行い、前記絶縁膜としてSiO2膜，ＰＳＧ
膜，ＢＳＧ膜，ＢＰＳＧ膜或いはTa2O5 膜のうちいずれ
かを形成することを特徴とする第１又は第２の発明に記
載の半導体装置の製造方法によって達成され、第６に、
前記気相成長（ＣＶＤ）を常圧下で行うことを特徴とす
る第１乃至第５の発明のいずれかに記載の半導体装置の
製造方法によって達成され、第７に、前記気相成長（Ｃ
ＶＤ）を減圧下で行うことを特徴とする第１乃至第５の
発明のいずれかに記載の半導体装置の製造方法によって
達成され、第８に、気相成長により被形成体上に膜を形
成する気相成長室と、前記気相成長室と連接され、前記
被形成体上に気相成長された膜に紫外線照射処理を行う
紫外線処理室と、該紫外線処理室にアンモニアガスを導
入するアンモニアガス導入口とを有することを特徴とす
る半導体製造装置によって達成され、第９に、第２の発
明に記載の製造方法による被形成体上への膜の形成が連
続して行えるように、前記気相成長室と前記紫外線処理
室とを１組とする処理系が複数組連接されていることを
特徴とする第８の発明に記載の半導体製造装置によって
達成され、第１０に、被形成体を連続的に移動しなが
ら、請求項２記載の製造方法による前記被形成体上への
膜の形成が行えるように、前記複数組の処理系を通過す
る被形成体の連続移動式移動手段を有することを特徴と
する第９の発明に記載の半導体製造装置によって達成さ
れる。
相成長（ＣＶＤ）により被形成体上に絶縁膜を形成した
後、アンモニア（ＮＨ3 ）ガス雰囲気中で該被形成体を
加熱しながら前記絶縁膜の表面に紫外線照射処理を行う
ことを特徴とする半導体装置の製造方法によって達成さ
れ、第２に、第１の発明に記載の製造方法を繰り返すこ
とにより膜厚を増やしていき、所定の膜厚の絶縁膜を得
ることを特徴とする半導体装置の製造方法によって達成
され、第３に、前記気相成長（ＣＶＤ）を、 反応ガス：モノシラン（ＳｉＨ4 ）／酸素（Ｏ2 ）を含
む混合ガス， 温度：350 〜450 ℃ の条件により行い、前記絶縁膜としてSiO2膜，ＰＳＧ
膜，ＢＳＧ膜，ＢＰＳＧ膜或いはTa2O5 膜のうちいずれ
かを形成することを特徴とする第１又は第２の発明に記
載の半導体装置の製造方法によって達成され、第４に、
前記気相成長（ＣＶＤ）を、 反応ガス：有機シラン（シリコンのアルコキシ化合物，
シロキサン，アルキルシラン等を含む）／オゾン
（Ｏ3 ）を含む混合ガス， 温度：350 〜450 ℃ の条件により行い、前記絶縁膜としてSiO2膜，ＰＳＧ
膜，ＢＳＧ膜，ＢＰＳＧ膜或いはTa2O5 膜のうちいずれ
かを形成することを特徴とする第１又は第２の発明に記
載の半導体装置の製造方法によって達成され、第５に、
前記気相成長（ＣＶＤ）を、 反応ガス：タンタル(Ta)等の有機化合物／オゾン
（Ｏ3 ）を含む混合ガス， 温度：300 〜450 ℃ の条件により行い、前記絶縁膜としてSiO2膜，ＰＳＧ
膜，ＢＳＧ膜，ＢＰＳＧ膜或いはTa2O5 膜のうちいずれ
かを形成することを特徴とする第１又は第２の発明に記
載の半導体装置の製造方法によって達成され、第６に、
前記気相成長（ＣＶＤ）を常圧下で行うことを特徴とす
る第１乃至第５の発明のいずれかに記載の半導体装置の
製造方法によって達成され、第７に、前記気相成長（Ｃ
ＶＤ）を減圧下で行うことを特徴とする第１乃至第５の
発明のいずれかに記載の半導体装置の製造方法によって
達成され、第８に、気相成長により被形成体上に膜を形
成する気相成長室と、前記気相成長室と連接され、前記
被形成体上に気相成長された膜に紫外線照射処理を行う
紫外線処理室と、該紫外線処理室にアンモニアガスを導
入するアンモニアガス導入口とを有することを特徴とす
る半導体製造装置によって達成され、第９に、第２の発
明に記載の製造方法による被形成体上への膜の形成が連
続して行えるように、前記気相成長室と前記紫外線処理
室とを１組とする処理系が複数組連接されていることを
特徴とする第８の発明に記載の半導体製造装置によって
達成され、第１０に、被形成体を連続的に移動しなが
ら、請求項２記載の製造方法による前記被形成体上への
膜の形成が行えるように、前記複数組の処理系を通過す
る被形成体の連続移動式移動手段を有することを特徴と
する第９の発明に記載の半導体製造装置によって達成さ
れる。
【００１０】
【作用】本発明の作用について本願発明者の行った実験
結果により説明する。図１１，図１２（ａ），（ｂ）は
本願発明者の行った実験結果である。
結果により説明する。図１１，図１２（ａ），（ｂ）は
本願発明者の行った実験結果である。
【００１１】この実験に用いた試料は、次のようにして
作成された。即ち、 反応ガス：有機シラン（ＴＥＯＳ）／オゾン（Ｏ3 ）
混合ガス（Ｏ3 濃度：１％ ｉｎ Ｏ2) ， ウエハ温度：400 ℃， 形成速度：800 〜1000Å／分 のような条件で、膜厚2000ÅのＣＶＤSiO2膜を、Si基板
（ウエハ）上の、熱酸化により形成されたSiO2膜の上に
形成する。
作成された。即ち、 反応ガス：有機シラン（ＴＥＯＳ）／オゾン（Ｏ3 ）
混合ガス（Ｏ3 濃度：１％ ｉｎ Ｏ2) ， ウエハ温度：400 ℃， 形成速度：800 〜1000Å／分 のような条件で、膜厚2000ÅのＣＶＤSiO2膜を、Si基板
（ウエハ）上の、熱酸化により形成されたSiO2膜の上に
形成する。
【００１２】次いで、このウエハをヒータで加熱し、ウ
エハ温度を約400 ℃に保持した後、アンモニア（Ｎ
Ｈ3 ）ガスをアンモニアガス導入口１３からチャンバ１
２内に導入するとともに、水銀ランプを点灯し、所定の
時間保持する。
エハ温度を約400 ℃に保持した後、アンモニア（Ｎ
Ｈ3 ）ガスをアンモニアガス導入口１３からチャンバ１
２内に導入するとともに、水銀ランプを点灯し、所定の
時間保持する。
【００１３】次に、このようにして処理されたＣＶＤSi
O2膜について、電気化学的方法による膜中の含有水分
量の調査と、赤外吸収スペクトルによる膜の組成の調
査とを行った。
O2膜について、電気化学的方法による膜中の含有水分
量の調査と、赤外吸収スペクトルによる膜の組成の調
査とを行った。
【００１４】上記の２種類の調査結果について、それぞ
れ図１１及び図１２（ａ），（ｂ）に示す。図１１は電
気化学的方法によるＣＶＤSiO2膜中の含有水分量の調査
結果で、紫外線照射時間に対するＣＶＤSiO2膜中の含有
水分量（ｗｔ％）の変化について示す。なお、比較のた
め、紫外線照射しないＣＶＤSiO2膜についても同様な調
査を行った。また、図１２（ａ），（ｂ）は赤外吸収ス
ペクトルによるＣＶＤSiO2膜の組成の調査結果で、ウエ
ハ温度400 ℃一定の条件で照射時間をパラメータとして
紫外線照射した試料についてのH2O の存在の調査結果を
示すものである。なお、比較のため、上記と同じように
して形成されたＣＶＤSiO2膜についてアンモニアガスの
代わりに、他のガス雰囲気中、例えば酸素ガス又は窒素
ガス雰囲気中で紫外線照射を行った場合についても同様
に調査を行った（図１２（ｂ））。
れ図１１及び図１２（ａ），（ｂ）に示す。図１１は電
気化学的方法によるＣＶＤSiO2膜中の含有水分量の調査
結果で、紫外線照射時間に対するＣＶＤSiO2膜中の含有
水分量（ｗｔ％）の変化について示す。なお、比較のた
め、紫外線照射しないＣＶＤSiO2膜についても同様な調
査を行った。また、図１２（ａ），（ｂ）は赤外吸収ス
ペクトルによるＣＶＤSiO2膜の組成の調査結果で、ウエ
ハ温度400 ℃一定の条件で照射時間をパラメータとして
紫外線照射した試料についてのH2O の存在の調査結果を
示すものである。なお、比較のため、上記と同じように
して形成されたＣＶＤSiO2膜についてアンモニアガスの
代わりに、他のガス雰囲気中、例えば酸素ガス又は窒素
ガス雰囲気中で紫外線照射を行った場合についても同様
に調査を行った（図１２（ｂ））。
【００１５】調査結果によれば、図１１に示すように、
紫外線照射しないＣＶＤSiO2膜の場合と比較して、紫外
線照射を行ったＣＶＤSiO2膜中の含有水分量は半分程度
に減少している。
紫外線照射しないＣＶＤSiO2膜の場合と比較して、紫外
線照射を行ったＣＶＤSiO2膜中の含有水分量は半分程度
に減少している。
【００１６】また、赤外吸収スペクトルによる膜の組成
の調査結果によれば、アンモニアガス雰囲気中で紫外線
照射されたＣＶＤSiO2膜では、図１２（ａ）に示すよう
に、水分（H2O)を示すピーク（膨らみ）の大きさが数分
の短時間の処理で、急激に小さくなり、消失することが
判明した。これに対して、酸素ガス又は窒素ガス雰囲気
中で紫外線処理を行ったＣＶＤSiO2膜では、図１２
（ｂ）に示すように、処理時間につれて前記のピーク
（膨らみ）の大きさが小さくなってくるが、数十分以上
の比較的長時間の処理でないと前記のピーク（膨らみ）
が完全に消失しなかった。
の調査結果によれば、アンモニアガス雰囲気中で紫外線
照射されたＣＶＤSiO2膜では、図１２（ａ）に示すよう
に、水分（H2O)を示すピーク（膨らみ）の大きさが数分
の短時間の処理で、急激に小さくなり、消失することが
判明した。これに対して、酸素ガス又は窒素ガス雰囲気
中で紫外線処理を行ったＣＶＤSiO2膜では、図１２
（ｂ）に示すように、処理時間につれて前記のピーク
（膨らみ）の大きさが小さくなってくるが、数十分以上
の比較的長時間の処理でないと前記のピーク（膨らみ）
が完全に消失しなかった。
【００１７】以上の２種類の異なる調査結果は、アンモ
ニアガス雰囲気中での紫外線照射により、短時間でH2O
が消失し、ＣＶＤSiO2膜の緻密性を向上させることがで
きることを示している。なお、膜形成後にはSi-OH ，Si
-H等のような結合も存在しているが、アンモニアガス雰
囲気中での紫外線照射によりこのような結合も消失して
いると考えられ、ＣＶＤSiO2膜の緻密性の向上に寄与し
ていると考えられる。。
ニアガス雰囲気中での紫外線照射により、短時間でH2O
が消失し、ＣＶＤSiO2膜の緻密性を向上させることがで
きることを示している。なお、膜形成後にはSi-OH ，Si
-H等のような結合も存在しているが、アンモニアガス雰
囲気中での紫外線照射によりこのような結合も消失して
いると考えられ、ＣＶＤSiO2膜の緻密性の向上に寄与し
ていると考えられる。。
【００１８】これは、紫外線の持つエネルギーにより、
或いは紫外線照射と加熱温度との相互作用によりＣＶＤ
SiO2膜表面及び膜内部のH2O がＣＶＤSiO2膜の外に排出
されるためと考えられる。また、紫外線照射の際の雰囲
気ガスとしてアンモニアガスを用いた場合には、紫外線
照射により活性化されたアンモニアガスの作用により、
ＣＶＤSiO2膜の緻密化が一層増したためと考えられる。
或いは紫外線照射と加熱温度との相互作用によりＣＶＤ
SiO2膜表面及び膜内部のH2O がＣＶＤSiO2膜の外に排出
されるためと考えられる。また、紫外線照射の際の雰囲
気ガスとしてアンモニアガスを用いた場合には、紫外線
照射により活性化されたアンモニアガスの作用により、
ＣＶＤSiO2膜の緻密化が一層増したためと考えられる。
【００１９】以上のように、本発明の製造方法に適用す
るアンモニアガス雰囲気中での紫外線処理により、H2O
を消失させてＣＶＤSiO2膜の緻密性を向上させるととも
に、低温で形成されたＣＶＤSiO2膜の膜質の改良を図る
ことができる。これは、有機シランとしてシリコンのア
ルコキシ化合物、シロキサン、アルキルシラン等を含む
ものを用いて形成したＣＶＤSiO2膜やSiH4-O2 ガスを用
いて形成したＣＶＤSiO2膜や、あるいはTa等の有機化合
物／O3の混合ガスを用いて形成したTa2O5 膜についても
適用できる。
るアンモニアガス雰囲気中での紫外線処理により、H2O
を消失させてＣＶＤSiO2膜の緻密性を向上させるととも
に、低温で形成されたＣＶＤSiO2膜の膜質の改良を図る
ことができる。これは、有機シランとしてシリコンのア
ルコキシ化合物、シロキサン、アルキルシラン等を含む
ものを用いて形成したＣＶＤSiO2膜やSiH4-O2 ガスを用
いて形成したＣＶＤSiO2膜や、あるいはTa等の有機化合
物／O3の混合ガスを用いて形成したTa2O5 膜についても
適用できる。
【００２０】また、ＣＶＤSiO2膜の形成を単独に行える
ので、光ＣＶＤ法と異なり量産性を保持することができ
る。更に、実験では、比較的薄い膜厚約2000ÅのＣＶＤ
SiO2膜を用いているが、更に厚い膜厚のＣＶＤSiO2膜を
用いてもよいし、膜の気相成長／紫外線照射という作業
を繰り返すことにより、一層膜質の改良された厚い膜厚
のＣＶＤSiO2膜等を形成することができる。
ので、光ＣＶＤ法と異なり量産性を保持することができ
る。更に、実験では、比較的薄い膜厚約2000ÅのＣＶＤ
SiO2膜を用いているが、更に厚い膜厚のＣＶＤSiO2膜を
用いてもよいし、膜の気相成長／紫外線照射という作業
を繰り返すことにより、一層膜質の改良された厚い膜厚
のＣＶＤSiO2膜等を形成することができる。
【００２１】更に、上記の製造方法に適用される半導体
製造装置として、気相成長室と、アンモニアガス導入口
を有する紫外線処理室とが連接された本発明の半導体製
造装置を用いることにより、膜質の改良された膜の形成
のための一連の処理を連続して行うことができ、自動化
も可能となる。
製造装置として、気相成長室と、アンモニアガス導入口
を有する紫外線処理室とが連接された本発明の半導体製
造装置を用いることにより、膜質の改良された膜の形成
のための一連の処理を連続して行うことができ、自動化
も可能となる。
【００２２】また、気相成長室と上記の紫外線処理室と
を一組とする処理系が複数組接続されることにより一連
の処理を連続、かつ反復して行うことができる。これに
より、一層膜質の改良された厚い膜厚のＣＶＤSiO2膜等
を形成することができる。
を一組とする処理系が複数組接続されることにより一連
の処理を連続、かつ反復して行うことができる。これに
より、一層膜質の改良された厚い膜厚のＣＶＤSiO2膜等
を形成することができる。
【００２３】更に、連続移動式移動手段、例えばベルト
コンベアにより被形成体を移動させながら被形成体に膜
の形成を行うことにより、量産性も向上する。
コンベアにより被形成体を移動させながら被形成体に膜
の形成を行うことにより、量産性も向上する。
【００２４】
【実施例】以下、図面を参照しながら本発明の実施例に
ついて説明する。 (1) 本発明の半導体製造装置の実施例 第１の実施例 図１（ａ），（ｂ）は本発明の半導体装置の製造方法に
適用できる第１の実施例の半導体製造装置について説明
する概略構成図で、同図（ａ）は、半導体製造装置の上
面図、同図（ｂ）は断面図である。なお、各室の間の仕
切り壁や各室の間の開閉を行うためのバルブは省略して
ある。
ついて説明する。 (1) 本発明の半導体製造装置の実施例 第１の実施例 図１（ａ），（ｂ）は本発明の半導体装置の製造方法に
適用できる第１の実施例の半導体製造装置について説明
する概略構成図で、同図（ａ）は、半導体製造装置の上
面図、同図（ｂ）は断面図である。なお、各室の間の仕
切り壁や各室の間の開閉を行うためのバルブは省略して
ある。
【００２５】同図（ａ），（ｂ）において、ロード／ア
ンロード室２１とＣＶＤ反応室（気相成長室）２２とＵ
Ｖ処理室（紫外線処理室）２３とがこのような並びで連
接され、かつロード／アンロード室２１へのウエハ１又
は９の移動はロボット２４などにより行われ、気相成長
と紫外線照射処理という一連の処理が連続的に行えるよ
うになっている。図中符号２４はロード／アンロード室
２１へのウエハ搬送用ロボットで、室２１内でウエハ保
持具２５にウエハ１又は９を受け渡せるように搬送用ロ
ボット２４或いはウエハ保持具２５が上下するようにな
っている。この場合、ウエハ１又は９は膜の形成面が下
に向くように真空チャック或いは静電チャック等により
ウエハ保持具２５に保持される。なお、ウエハ保持具２
５は一体的に形成された加熱・保温用ヒータを有する。
ンロード室２１とＣＶＤ反応室（気相成長室）２２とＵ
Ｖ処理室（紫外線処理室）２３とがこのような並びで連
接され、かつロード／アンロード室２１へのウエハ１又
は９の移動はロボット２４などにより行われ、気相成長
と紫外線照射処理という一連の処理が連続的に行えるよ
うになっている。図中符号２４はロード／アンロード室
２１へのウエハ搬送用ロボットで、室２１内でウエハ保
持具２５にウエハ１又は９を受け渡せるように搬送用ロ
ボット２４或いはウエハ保持具２５が上下するようにな
っている。この場合、ウエハ１又は９は膜の形成面が下
に向くように真空チャック或いは静電チャック等により
ウエハ保持具２５に保持される。なお、ウエハ保持具２
５は一体的に形成された加熱・保温用ヒータを有する。
【００２６】また、２６はＣＶＤ反応室２２内に設けら
れたウエハ１又は９の膜形成面に向かって反応ガスを上
向きに噴出するガスシャワーで、ガスシャワー２６の反
応ガス導入口２７には、反応ガスの配管が接続されてお
り、必要な混合ガスが図５又は図６の反応ガス供給装置
により供給される。そして、反応ガス導入口２７に導入
された反応ガスはガスシャワー２６に導かれた後、噴出
し、ウエハ１又は９の膜形成面で反応した後のガスはガ
スシャワー２６周辺を囲むように設けられたガス収集具
２８のガス排出口２９により室２２外へ排出できるよう
になっている。
れたウエハ１又は９の膜形成面に向かって反応ガスを上
向きに噴出するガスシャワーで、ガスシャワー２６の反
応ガス導入口２７には、反応ガスの配管が接続されてお
り、必要な混合ガスが図５又は図６の反応ガス供給装置
により供給される。そして、反応ガス導入口２７に導入
された反応ガスはガスシャワー２６に導かれた後、噴出
し、ウエハ１又は９の膜形成面で反応した後のガスはガ
スシャワー２６周辺を囲むように設けられたガス収集具
２８のガス排出口２９により室２２外へ排出できるよう
になっている。
【００２７】更に、３０はＵＶ処理室２３に設けられた
紫外線を発射する水銀ランプで、ウエハ１又は９の膜形
成面に向かって上向きに紫外線を照射するようになって
いる。また、水銀ランプ保持具３１のアンモニアガス導
入口３２より膜質の改良に寄与するアンモニアガスを導
入することができるようになっている。なお、導入され
たアンモニアガスを室外に排出する不図示のガス排出口
が設けられている。
紫外線を発射する水銀ランプで、ウエハ１又は９の膜形
成面に向かって上向きに紫外線を照射するようになって
いる。また、水銀ランプ保持具３１のアンモニアガス導
入口３２より膜質の改良に寄与するアンモニアガスを導
入することができるようになっている。なお、導入され
たアンモニアガスを室外に排出する不図示のガス排出口
が設けられている。
【００２８】以上のように、本発明の第１の実施例の半
導体製造装置によれば、ＣＶＤ反応室２２とアンモニア
ガス導入口３２を有するＵＶ処理室２３とが連接されて
いるので、膜質の良い膜の形成のための一連の処理を連
続して行うことができ、自動化も可能となる。
導体製造装置によれば、ＣＶＤ反応室２２とアンモニア
ガス導入口３２を有するＵＶ処理室２３とが連接されて
いるので、膜質の良い膜の形成のための一連の処理を連
続して行うことができ、自動化も可能となる。
【００２９】また、各室２１，２２，２３の間に開閉手
段を設けてＣＶＤ反応室２２を独立に圧力調整すること
により、常圧下又は減圧下のいずれかでＣＶＤ膜の形成
を行うことができる。
段を設けてＣＶＤ反応室２２を独立に圧力調整すること
により、常圧下又は減圧下のいずれかでＣＶＤ膜の形成
を行うことができる。
【００３０】更に、ＣＶＤ反応室２２とＵＶ処理室２３
との間を複数回往復することにより往復回数に対応する
膜厚の膜の形成が可能となる。次に、ガスシャワー２６
に反応ガスを供給する反応ガスの供給装置について図５
及び図６を参照しながら説明する。 （イ）有機シラン（ＴＥＯＳ）／オゾン（Ｏ3 ）を含む
混合ガスの供給装置 図５は、有機シラン（ＴＥＯＳ）／オゾン（Ｏ3 ）を含
む混合ガスを供給する装置の構成図である。
との間を複数回往復することにより往復回数に対応する
膜厚の膜の形成が可能となる。次に、ガスシャワー２６
に反応ガスを供給する反応ガスの供給装置について図５
及び図６を参照しながら説明する。 （イ）有機シラン（ＴＥＯＳ）／オゾン（Ｏ3 ）を含む
混合ガスの供給装置 図５は、有機シラン（ＴＥＯＳ）／オゾン（Ｏ3 ）を含
む混合ガスを供給する装置の構成図である。
【００３１】図５において、34ａは、例えば図１（ｂ）
のガスシャワー２６の反応ガス導入口２７と接続され、
反応ガスをガスシャワー２６に送るガス配管で、オゾン
ガスやＴＥＯＳ溶液を含む窒素ガスその他を流すガス配
管34ｂ，34ｃ，34ｅ，34ｇが接続されている。34ｂは酸
素ガス、又はオゾン発生装置により形成されたオゾンガ
スを流すガス配管、34ｃはＴＥＯＳ溶液を含む窒素ガス
を流すガス配管、34ｅはＴＭＰＯ又はＴＭＯＰ（Trimet
ylphosphate :PO(OCH3)3，以下、ＴＭＰＯと称す。）溶
液を含む窒素ガスを流すガス配管、34ｇはＴＥＢ（Trie
tylborate)溶液を含む窒素ガスを流すガス配管で、それ
ぞれのガス配管34ｂ，34ｃ，34ｅ，34ｇに、通流／停止
を調整するバルブ35ａ〜35ｃ，35ｅ，35ｇが設けられて
いる。また、34ｄ，34ｆ及び34ｈはそれぞれ窒素ガスを
ＴＥＯＳ溶液，ＴＭＰＯ溶液及びＴＥＢ溶液に送るガス
配管で、それぞれのガス配管34ｄ，34ｆ，34ｈに、通流
／停止を調整するバルブ35ｄ，35ｆ，35ｈが設けられて
いる。
のガスシャワー２６の反応ガス導入口２７と接続され、
反応ガスをガスシャワー２６に送るガス配管で、オゾン
ガスやＴＥＯＳ溶液を含む窒素ガスその他を流すガス配
管34ｂ，34ｃ，34ｅ，34ｇが接続されている。34ｂは酸
素ガス、又はオゾン発生装置により形成されたオゾンガ
スを流すガス配管、34ｃはＴＥＯＳ溶液を含む窒素ガス
を流すガス配管、34ｅはＴＭＰＯ又はＴＭＯＰ（Trimet
ylphosphate :PO(OCH3)3，以下、ＴＭＰＯと称す。）溶
液を含む窒素ガスを流すガス配管、34ｇはＴＥＢ（Trie
tylborate)溶液を含む窒素ガスを流すガス配管で、それ
ぞれのガス配管34ｂ，34ｃ，34ｅ，34ｇに、通流／停止
を調整するバルブ35ａ〜35ｃ，35ｅ，35ｇが設けられて
いる。また、34ｄ，34ｆ及び34ｈはそれぞれ窒素ガスを
ＴＥＯＳ溶液，ＴＭＰＯ溶液及びＴＥＢ溶液に送るガス
配管で、それぞれのガス配管34ｄ，34ｆ，34ｈに、通流
／停止を調整するバルブ35ｄ，35ｆ，35ｈが設けられて
いる。
【００３２】更に、３８はガス配管34ｂと接続されてい
るオゾン発生装置、37ａ〜37ｃはそれぞれＴＥＯＳ溶
液，ＴＭＰＯ溶液及びＴＥＢ溶液を加熱・保温するヒー
タ、36ａ〜36ｄは酸素（Ｏ2 ）ガスやキャリアガスとし
ての窒素（Ｎ2 ）ガスの流量を調整するマスフローコン
トローラである。
るオゾン発生装置、37ａ〜37ｃはそれぞれＴＥＯＳ溶
液，ＴＭＰＯ溶液及びＴＥＢ溶液を加熱・保温するヒー
タ、36ａ〜36ｄは酸素（Ｏ2 ）ガスやキャリアガスとし
ての窒素（Ｎ2 ）ガスの流量を調整するマスフローコン
トローラである。
【００３３】以上のように、このような反応ガス供給装
置をガスシャワーに接続することにより、SiO2膜，ＰＳ
Ｇ膜，ＢＳＧ膜又はＢＰＳＧ膜などの形成が可能であ
る。なお、有機シランとしてＴＥＯＳを用いているが
（シリコンのアルコキシ化合物，シロキサン，アルキル
シラン）等を含むものでもよい。 （ロ）タンタル(Ta)等の有機化合物／オゾン(O3)を含む
混合ガスの供給装置 図６は、タンタル(Ta)等の有機化合物／オゾン（Ｏ3 ）
を含む混合ガスを供給する装置の構成図である。
置をガスシャワーに接続することにより、SiO2膜，ＰＳ
Ｇ膜，ＢＳＧ膜又はＢＰＳＧ膜などの形成が可能であ
る。なお、有機シランとしてＴＥＯＳを用いているが
（シリコンのアルコキシ化合物，シロキサン，アルキル
シラン）等を含むものでもよい。 （ロ）タンタル(Ta)等の有機化合物／オゾン(O3)を含む
混合ガスの供給装置 図６は、タンタル(Ta)等の有機化合物／オゾン（Ｏ3 ）
を含む混合ガスを供給する装置の構成図である。
【００３４】同図において、39ａは、例えば図１（ｂ）
のガスシャワー２６の反応ガス導入口２７と接続され、
反応ガスをガスシャワー２６に送るガス配管で、39ｂは
キャリアガスとしての窒素ガスをガス配管39ａに導くた
めのガス配管、39ｃは酸素ガスをオゾン発生器４３に送
り、オゾン発生器４３から出てくるオゾン（Ｏ3 ）をガ
ス配管39ａに導くガス配管、39ｅは窒素ガスをペンタエ
トキシタンタル又はタンタルペンタエトキサイド（Ta(O
C2H5)5）溶液に送るガス配管、39ｄはTa(OC2H5)5ガスを
含む窒素ガスをガス配管39ａに導くガス配管、39ｇは窒
素ガスを有機シラン（ＴＥＯＳ）溶液に送るガス配管、
39ｆはＴＥＯＳ溶液を含む窒素ガスを流すガス配管39ａ
に導くガス配管である。
のガスシャワー２６の反応ガス導入口２７と接続され、
反応ガスをガスシャワー２６に送るガス配管で、39ｂは
キャリアガスとしての窒素ガスをガス配管39ａに導くた
めのガス配管、39ｃは酸素ガスをオゾン発生器４３に送
り、オゾン発生器４３から出てくるオゾン（Ｏ3 ）をガ
ス配管39ａに導くガス配管、39ｅは窒素ガスをペンタエ
トキシタンタル又はタンタルペンタエトキサイド（Ta(O
C2H5)5）溶液に送るガス配管、39ｄはTa(OC2H5)5ガスを
含む窒素ガスをガス配管39ａに導くガス配管、39ｇは窒
素ガスを有機シラン（ＴＥＯＳ）溶液に送るガス配管、
39ｆはＴＥＯＳ溶液を含む窒素ガスを流すガス配管39ａ
に導くガス配管である。
【００３５】更に、40ａはガス配管39ｂに設けられたガ
スの通流／停止を調整するバルブ、40ｂ，40ｃはオゾン
発生器４３の前後に設けられた通流／停止を調整するバ
ルブ、40ｄ〜40ｇはそれぞれガス配管39ｄ〜39ｇに設け
られたバルブ、41ａ〜41ｄはそれぞれガス配管39ｂ，39
ｃ，39ｅ，39ｇ中を流れる窒素ガスや酸素ガスの流量を
調整するマスフローコントローラである。
スの通流／停止を調整するバルブ、40ｂ，40ｃはオゾン
発生器４３の前後に設けられた通流／停止を調整するバ
ルブ、40ｄ〜40ｇはそれぞれガス配管39ｄ〜39ｇに設け
られたバルブ、41ａ〜41ｄはそれぞれガス配管39ｂ，39
ｃ，39ｅ，39ｇ中を流れる窒素ガスや酸素ガスの流量を
調整するマスフローコントローラである。
【００３６】また、42ａ，42ｂはそれぞれTa(OC2H5)5溶
液，ＴＥＯＳ溶液を一定の温度に加熱するサーモスタッ
ト付のヒータである。以上のように、このような反応ガ
ス供給装置をガスシャワーに接続することにより、Ta2O
5 膜やSiO2膜／Ta2O5 膜／SiO2膜の三重層絶縁膜等を形
成することができる。 第２の実施例 図２は、本発明の第２の実施例の半導体製造装置につい
て説明する構成図で、図１の構成と異なるところは、気
相成長室とアンモニアガス導入口を有する紫外線処理室
とを一組とする処理系（22ａ，23ａ），（22ｂ，23ｂ)
が複数組連接されることにより一連の処理を連続、かつ
反復して行うことができるようになっている。
液，ＴＥＯＳ溶液を一定の温度に加熱するサーモスタッ
ト付のヒータである。以上のように、このような反応ガ
ス供給装置をガスシャワーに接続することにより、Ta2O
5 膜やSiO2膜／Ta2O5 膜／SiO2膜の三重層絶縁膜等を形
成することができる。 第２の実施例 図２は、本発明の第２の実施例の半導体製造装置につい
て説明する構成図で、図１の構成と異なるところは、気
相成長室とアンモニアガス導入口を有する紫外線処理室
とを一組とする処理系（22ａ，23ａ），（22ｂ，23ｂ)
が複数組連接されることにより一連の処理を連続、かつ
反復して行うことができるようになっている。
【００３７】図２において、２１はＣＶＤ反応室（気相
成長室）22ａと連接されたロード／アンロード室で、必
要に応じてＣＶＤ反応室22ａと連接されたロード／アン
ロード室２１との間に開閉手段が設けられる。また、
（22ａ, 23ａ）及び（22ｂ，23ｂ）はＣＶＤ反応室とア
ンモニアガス導入口を有するＵＶ処理室（紫外線処理
室）とを一組とする処理系で、複数組の処理系（22ａ，
23ａ），（22ｂ，23ｂ）が連接されることにより一連の
処理を連続、かつ反復して行うことができるようになっ
ている。なお、ＣＶＤ反応室22ａ，22ｂとＵＶ処理室23
ａ，23ｂとの間にも必要に応じて開閉手段が設けられ
る。
成長室）22ａと連接されたロード／アンロード室で、必
要に応じてＣＶＤ反応室22ａと連接されたロード／アン
ロード室２１との間に開閉手段が設けられる。また、
（22ａ, 23ａ）及び（22ｂ，23ｂ）はＣＶＤ反応室とア
ンモニアガス導入口を有するＵＶ処理室（紫外線処理
室）とを一組とする処理系で、複数組の処理系（22ａ，
23ａ），（22ｂ，23ｂ）が連接されることにより一連の
処理を連続、かつ反復して行うことができるようになっ
ている。なお、ＣＶＤ反応室22ａ，22ｂとＵＶ処理室23
ａ，23ｂとの間にも必要に応じて開閉手段が設けられ
る。
【００３８】更に、各ＣＶＤ反応室22ａ，22ｂには図１
で説明したようなガスシャワーが設けられており、図５
又は図６に示す反応ガス供給装置から反応ガスが供給さ
れるようになっている。また、各ＵＶ処理室23ａ，23ｂ
には図１で説明したような水銀ランプとアンモニアガス
導入口が設けられている。
で説明したようなガスシャワーが設けられており、図５
又は図６に示す反応ガス供給装置から反応ガスが供給さ
れるようになっている。また、各ＵＶ処理室23ａ，23ｂ
には図１で説明したような水銀ランプとアンモニアガス
導入口が設けられている。
【００３９】以上のように、本発明の第２の実施例の半
導体製造装置によれば、ＣＶＤ反応室とアンモニアガス
導入口を有するＵＶ処理室とを一組とする処理系（22
ａ，23ａ），（22ｂ，23ｂ）が複数組接続されているの
で、一連の処理を連続、かつ反復して行うことができ
る。これにより、一層膜質の改良された厚い膜厚のＣＶ
ＤSiO2膜等を形成することができる。
導体製造装置によれば、ＣＶＤ反応室とアンモニアガス
導入口を有するＵＶ処理室とを一組とする処理系（22
ａ，23ａ），（22ｂ，23ｂ）が複数組接続されているの
で、一連の処理を連続、かつ反復して行うことができ
る。これにより、一層膜質の改良された厚い膜厚のＣＶ
ＤSiO2膜等を形成することができる。
【００４０】また、第１の実施例と同じように、各室２
１，22ａ，23ａ，22ｂ，23ｂの間に開閉手段を設けて各
室22ａ，22ｂを独立に圧力調整することにより、常圧下
又は減圧下のいずれかでＣＶＤ膜の形成を行うことがで
きる。 第３の実施例 図３は、本発明の第３の実施例の半導体製造装置につい
て説明する構成図で、図５の構成と異なるところは、Ｃ
ＶＤ反応ゾーン（ＣＶＤ反応室に相当する）とアンモニ
アガス導入口を有するＵＶ処理ゾーン（ＵＶ処理室に相
当する）とを一組とする処理系が複数組接続され、かつ
ベルトコンベア（連続移動式移動手段）３３によりウエ
ハを移動させながら、一連の処理を連続、かつ反復して
行うことができるようになっている。
１，22ａ，23ａ，22ｂ，23ｂの間に開閉手段を設けて各
室22ａ，22ｂを独立に圧力調整することにより、常圧下
又は減圧下のいずれかでＣＶＤ膜の形成を行うことがで
きる。 第３の実施例 図３は、本発明の第３の実施例の半導体製造装置につい
て説明する構成図で、図５の構成と異なるところは、Ｃ
ＶＤ反応ゾーン（ＣＶＤ反応室に相当する）とアンモニ
アガス導入口を有するＵＶ処理ゾーン（ＵＶ処理室に相
当する）とを一組とする処理系が複数組接続され、かつ
ベルトコンベア（連続移動式移動手段）３３によりウエ
ハを移動させながら、一連の処理を連続、かつ反復して
行うことができるようになっている。
【００４１】図３において、（44ａ，45ａ），（44ｂ，
45ｂ),（44ｃ，45ｃ）はＣＶＤ反応ゾーンとＵＶ処理ゾ
ーンとを一組とする処理系で、このような並びで一列に
並べられている。そして、各処理系（44ａ, 45ａ），
（44ｂ，45ｂ），（44ｃ，45ｃ）を通過させて適当なス
ピードでウエハ１又は９の載置されたベルトコンベア３
３を移動させることにより、気相成長と紫外線照射処理
という一連の処理を連続、かつ反復して行うことができ
るようになっている。なお、各ゾーンに導入された反応
ガス等が他のゾーンに侵入しないように各ゾーンには不
図示の反応ガス等の排出口が設けられている。
45ｂ),（44ｃ，45ｃ）はＣＶＤ反応ゾーンとＵＶ処理ゾ
ーンとを一組とする処理系で、このような並びで一列に
並べられている。そして、各処理系（44ａ, 45ａ），
（44ｂ，45ｂ），（44ｃ，45ｃ）を通過させて適当なス
ピードでウエハ１又は９の載置されたベルトコンベア３
３を移動させることにより、気相成長と紫外線照射処理
という一連の処理を連続、かつ反復して行うことができ
るようになっている。なお、各ゾーンに導入された反応
ガス等が他のゾーンに侵入しないように各ゾーンには不
図示の反応ガス等の排出口が設けられている。
【００４２】また、26ａ〜26ｃはそれぞれＣＶＤ反応ゾ
ーン44ａ，44ｂ，44ｃに設けられたガスシャワーで、そ
れぞれのガスシャワー26ａ〜26ｃの反応ガス導入口27ａ
〜27ｃには図５又は図６の反応ガス供給装置により反応
ガスが供給され、更に、ウエハ１又は９に噴出される。
これにより、ウエハ１又は９上に絶縁膜等が形成され
る。また、30ａ〜30ｃはＵＶ処理ゾーン45ａ，45ｂ，45
ｃに設けられた水銀ランプで、ウエハ１又は９上に形成
された絶縁膜等が紫外線照射処理される。このとき、水
銀ランプ保持具31ａ〜31ｃのアンモニアガス導入口32ａ
〜32ｃからアンモニアガスを導入してウエハ１又は９上
に噴射することができるようになっている。
ーン44ａ，44ｂ，44ｃに設けられたガスシャワーで、そ
れぞれのガスシャワー26ａ〜26ｃの反応ガス導入口27ａ
〜27ｃには図５又は図６の反応ガス供給装置により反応
ガスが供給され、更に、ウエハ１又は９に噴出される。
これにより、ウエハ１又は９上に絶縁膜等が形成され
る。また、30ａ〜30ｃはＵＶ処理ゾーン45ａ，45ｂ，45
ｃに設けられた水銀ランプで、ウエハ１又は９上に形成
された絶縁膜等が紫外線照射処理される。このとき、水
銀ランプ保持具31ａ〜31ｃのアンモニアガス導入口32ａ
〜32ｃからアンモニアガスを導入してウエハ１又は９上
に噴射することができるようになっている。
【００４３】以上のように、本発明の第３の実施例の半
導体製造装置によれば、連続移動式移動手段、例えばベ
ルトコンベア３３を有しているので、ウエハ１又は９を
移動させながらウエハ１又は９上に膜質の優れた絶縁膜
等の形成を行うことができる。これにより、量産性も向
上する。 第４の実施例 更に、図４に示すように、常圧ＣＶＤ装置のチャンバ４
６内に水銀ランプ５１を設けてもよい。なお、図中符号
４７は膜形成用の反応ガスとアンモニアガスとをチャン
バ４６内に導入する反応ガス導入口、４８は反応済のガ
スを排出するガス排出口、４９はヒータと一体形成され
たウエハ載置台、５０は反応ガス等をウエハ１又は９上
に噴出するガスシャワー、５２は水銀ランプ５１を反応
ガス等から隔離するための石英ウインドである。
導体製造装置によれば、連続移動式移動手段、例えばベ
ルトコンベア３３を有しているので、ウエハ１又は９を
移動させながらウエハ１又は９上に膜質の優れた絶縁膜
等の形成を行うことができる。これにより、量産性も向
上する。 第４の実施例 更に、図４に示すように、常圧ＣＶＤ装置のチャンバ４
６内に水銀ランプ５１を設けてもよい。なお、図中符号
４７は膜形成用の反応ガスとアンモニアガスとをチャン
バ４６内に導入する反応ガス導入口、４８は反応済のガ
スを排出するガス排出口、４９はヒータと一体形成され
たウエハ載置台、５０は反応ガス等をウエハ１又は９上
に噴出するガスシャワー、５２は水銀ランプ５１を反応
ガス等から隔離するための石英ウインドである。
【００４４】このような本発明の第４の実施例の膜形成
装置によれば、膜形成後、反応ガスをアンモニアガスに
切り換えてチャンバ４６に導入し、アンモニアガス雰囲
気中で紫外線照射することにより簡易に膜質の改良され
たＣＶＤ絶縁膜等を形成することができる。 (2) 本発明の半導体装置の製造方法の実施例 次に、上記の半導体製造装置を用いて本発明の実施例の
半導体装置の製造方法について説明する。 第５の実施例 図７（ａ）〜（ｄ）は、本発明の第５の実施例の層間絶
縁膜の形成方法について説明する断面図である。以下、
図５に示す反応ガス供給装置がＣＶＤ反応室のガスシャ
ワーに接続された図１（ａ），（ｂ）の第１の実施例の
半導体製造装置を用いた場合について説明する。
装置によれば、膜形成後、反応ガスをアンモニアガスに
切り換えてチャンバ４６に導入し、アンモニアガス雰囲
気中で紫外線照射することにより簡易に膜質の改良され
たＣＶＤ絶縁膜等を形成することができる。 (2) 本発明の半導体装置の製造方法の実施例 次に、上記の半導体製造装置を用いて本発明の実施例の
半導体装置の製造方法について説明する。 第５の実施例 図７（ａ）〜（ｄ）は、本発明の第５の実施例の層間絶
縁膜の形成方法について説明する断面図である。以下、
図５に示す反応ガス供給装置がＣＶＤ反応室のガスシャ
ワーに接続された図１（ａ），（ｂ）の第１の実施例の
半導体製造装置を用いた場合について説明する。
【００４５】まず、図７（ａ）に示すように、Si基板
（ウエハ）１上に熱酸化によりSiO2膜２を形成した後、
SiO2膜２上にＡｌ配線３ａ〜３ｃを形成する。以上が被
形成体を構成する。
（ウエハ）１上に熱酸化によりSiO2膜２を形成した後、
SiO2膜２上にＡｌ配線３ａ〜３ｃを形成する。以上が被
形成体を構成する。
【００４６】次いで、図１（ａ）のロード／アンロード
室２１に図１（ｂ）のロボット２４によりウエハ１を搬
入し、ウエハ保持具２５の下部まで移動した後、ロボッ
ト２４を上方に移動させて静電チャックによりウエハ１
の膜形成面が下向きになるようにウエハ保持具２５にウ
エハ１を保持する。
室２１に図１（ｂ）のロボット２４によりウエハ１を搬
入し、ウエハ保持具２５の下部まで移動した後、ロボッ
ト２４を上方に移動させて静電チャックによりウエハ１
の膜形成面が下向きになるようにウエハ保持具２５にウ
エハ１を保持する。
【００４７】次に、ウエハ保持具２５をＣＶＤ反応室２
２に移動させる。次いで、ウエハ１をウエハ保持具２５
と一体となっているヒータにより加熱し、温度約400 ℃
に保持するとともに、第５図の反応ガス供給装置のバル
ブ35ａ，35ｂを開放して酸素ガスをオゾン発生器３８に
通流させ、マスフローコントローラ36ａを調整しなが
ら、酸素ガス中のオゾンガス濃度が約１％になるように
してガス配管34ａに導く。また、このとき同時にバルブ
35ｃ，35ｄを開放し、マスフローコントローラ36ｂを調
整しながら、ＴＥＯＳ溶液を含む所定の流量の窒素ガス
をガス配管34ａに導く。その結果、ガス配管34ａに導か
れたＴＥＯＳ／Ｏ3 の混合ガスは図１（ｂ）のガスシャ
ワー２６の反応ガス導入口２７を通過してウエハ１上に
噴出される。この状態を所定時間保持し、ウエハ１上の
Ａｌ配線３ａ〜３ｃを被覆して膜厚約8000ÅのＣＶＤSi
O2膜４を形成する（図７（ｂ））。このとき、ＣＶＤSi
O2膜４が低温で形成されているため、ＣＶＤSiO2膜４表
面及び内部には通常H2O やSi-OH ，Si-H等の不純物等を
含んでいる。
２に移動させる。次いで、ウエハ１をウエハ保持具２５
と一体となっているヒータにより加熱し、温度約400 ℃
に保持するとともに、第５図の反応ガス供給装置のバル
ブ35ａ，35ｂを開放して酸素ガスをオゾン発生器３８に
通流させ、マスフローコントローラ36ａを調整しなが
ら、酸素ガス中のオゾンガス濃度が約１％になるように
してガス配管34ａに導く。また、このとき同時にバルブ
35ｃ，35ｄを開放し、マスフローコントローラ36ｂを調
整しながら、ＴＥＯＳ溶液を含む所定の流量の窒素ガス
をガス配管34ａに導く。その結果、ガス配管34ａに導か
れたＴＥＯＳ／Ｏ3 の混合ガスは図１（ｂ）のガスシャ
ワー２６の反応ガス導入口２７を通過してウエハ１上に
噴出される。この状態を所定時間保持し、ウエハ１上の
Ａｌ配線３ａ〜３ｃを被覆して膜厚約8000ÅのＣＶＤSi
O2膜４を形成する（図７（ｂ））。このとき、ＣＶＤSi
O2膜４が低温で形成されているため、ＣＶＤSiO2膜４表
面及び内部には通常H2O やSi-OH ，Si-H等の不純物等を
含んでいる。
【００４８】次に、反応ガスの供給を停止した後、図１
（ｂ）のウエハ保持具２５を図１（ａ）のＵＶ処理室２
３に移動させる。次いで、水銀ランプ３０を点灯すると
ともに、水銀ランプ保持具３１のアンモニアガス導入口
３２からアンモニアガスを導入してウエハ１表面をアン
モニアガスで置換する。そして、この状態を所定時間保
持する。
（ｂ）のウエハ保持具２５を図１（ａ）のＵＶ処理室２
３に移動させる。次いで、水銀ランプ３０を点灯すると
ともに、水銀ランプ保持具３１のアンモニアガス導入口
３２からアンモニアガスを導入してウエハ１表面をアン
モニアガスで置換する。そして、この状態を所定時間保
持する。
【００４９】このとき、紫外線の持つエネルギーによ
り、或いは紫外線照射と加熱との相互作用によりＣＶＤ
SiO2膜４表面及び膜４内部のH2O やSi-OH ，Si-H等の不
純物がＣＶＤSiO2膜４の外に排出され、また、紫外線照
射の際、ウエハ表面をアンモニアガスで置換しているの
で、紫外線照射により活性化されたアンモニアガスの作
用によりＣＶＤSiO2膜が一層緻密化する。
り、或いは紫外線照射と加熱との相互作用によりＣＶＤ
SiO2膜４表面及び膜４内部のH2O やSi-OH ，Si-H等の不
純物がＣＶＤSiO2膜４の外に排出され、また、紫外線照
射の際、ウエハ表面をアンモニアガスで置換しているの
で、紫外線照射により活性化されたアンモニアガスの作
用によりＣＶＤSiO2膜が一層緻密化する。
【００５０】このようにして、低温で形成されたＣＶＤ
SiO2膜４の改質が完了する（図６（ｃ），（ｄ））。そ
の後、水銀ランプ３０を消灯するとともに、ウエハ保持
具２５を移動させ、ＣＶＤ反応室２２を通過させてロー
ド／アンロード室２１に送る。更に、ウエハ１の搬入の
際とは逆の操作によりウエハ１をロボット２４に受渡
し、ロボット２４によりウエハ１を装置内から取出す。
SiO2膜４の改質が完了する（図６（ｃ），（ｄ））。そ
の後、水銀ランプ３０を消灯するとともに、ウエハ保持
具２５を移動させ、ＣＶＤ反応室２２を通過させてロー
ド／アンロード室２１に送る。更に、ウエハ１の搬入の
際とは逆の操作によりウエハ１をロボット２４に受渡
し、ロボット２４によりウエハ１を装置内から取出す。
【００５１】以上のように、本発明の第５の実施例の層
間絶縁膜の形成方法によれば、低温でＣＶＤSiO2膜４の
形成を行っているので、Ａｌ配線のヒロック等の発生を
防止することができる。また、アンモニアガス雰囲気中
で紫外線照射処理を行っているので、低温形成であるた
めに形成時には多くのH2O やSi-OH ，Si-Hのような結合
を含んでいるＣＶＤSiO2膜４からこれらのH2O やSi-OH
，Si-Hのような結合が除去され、緻密な膜を形成する
ことができる。これにより、外部からのH2O の浸入を防
止することもでき、ＣＶＤSiO2膜４はH2O 等を含まない
良質な膜になる。
間絶縁膜の形成方法によれば、低温でＣＶＤSiO2膜４の
形成を行っているので、Ａｌ配線のヒロック等の発生を
防止することができる。また、アンモニアガス雰囲気中
で紫外線照射処理を行っているので、低温形成であるた
めに形成時には多くのH2O やSi-OH ，Si-Hのような結合
を含んでいるＣＶＤSiO2膜４からこれらのH2O やSi-OH
，Si-Hのような結合が除去され、緻密な膜を形成する
ことができる。これにより、外部からのH2O の浸入を防
止することもでき、ＣＶＤSiO2膜４はH2O 等を含まない
良質な膜になる。
【００５２】従って、ＣＶＤSiO2膜４自体の絶縁破壊強
度の低下, 後にＣＶＤSiO2膜４上に形成される上部のＡ
ｌ配線と下部のＡｌ配線との間のリーク電流の増大，Ａ
ｌ配線のコロージョン等による信頼性の低下を防止する
ことができる。
度の低下, 後にＣＶＤSiO2膜４上に形成される上部のＡ
ｌ配線と下部のＡｌ配線との間のリーク電流の増大，Ａ
ｌ配線のコロージョン等による信頼性の低下を防止する
ことができる。
【００５３】また、ＣＶＤSiO2膜４の形成を単独に行え
るので、光ＣＶＤ法と異なり量産生を確保することがで
きる。なお、第４の実施例では、ＣＶＤSiO2膜４を形成
しているが、ＴＭＰＯ溶液やＴＥＰ溶液を反応ガスに混
合することにより、ＰＳＧ膜，ＢＳＧ膜或いはＢＰＳＧ
膜等を低温で形成することができ、これらの膜に対して
も本発明を適用することができる。
るので、光ＣＶＤ法と異なり量産生を確保することがで
きる。なお、第４の実施例では、ＣＶＤSiO2膜４を形成
しているが、ＴＭＰＯ溶液やＴＥＰ溶液を反応ガスに混
合することにより、ＰＳＧ膜，ＢＳＧ膜或いはＢＰＳＧ
膜等を低温で形成することができ、これらの膜に対して
も本発明を適用することができる。
【００５４】また、有機シランとしてＴＥＯＳを用いて
いるが、（シリコンのアルコキシ化合物，シロキサン，
アルキルシラン）等を含むものを用いても本発明を適用
することができる。 第６の実施例 図８（ａ）〜（ｄ）は、本発明の第６の実施例の層間絶
縁膜の形成方法を説明する断面図である。以下、図５に
示す反応ガス供給装置がＣＶＤ反応室のガスシャワーに
接続された図２の第２の実施例の半導体製造装置を用い
た場合について説明する。
いるが、（シリコンのアルコキシ化合物，シロキサン，
アルキルシラン）等を含むものを用いても本発明を適用
することができる。 第６の実施例 図８（ａ）〜（ｄ）は、本発明の第６の実施例の層間絶
縁膜の形成方法を説明する断面図である。以下、図５に
示す反応ガス供給装置がＣＶＤ反応室のガスシャワーに
接続された図２の第２の実施例の半導体製造装置を用い
た場合について説明する。
【００５５】第５の実施例と異なるところは、一度に所
定の膜厚8000Åを形成するのではなくて、2000Å毎に本
発明の製造方法を適用して最終的に所定の膜厚8000Åを
形成するようにしたものである。
定の膜厚8000Åを形成するのではなくて、2000Å毎に本
発明の製造方法を適用して最終的に所定の膜厚8000Åを
形成するようにしたものである。
【００５６】まず、図８（ａ）に示すように、Si基板
（ウエハ）１上に熱酸化によりSiO2膜２を形成した後、
Ａｌ配線３ａ〜３ｃを形成する。以上が被形成体を構成
する。次いで、図２の半導体製造装置のロード／アンロ
ード室２１にウエハを図１（ｂ）に示すようなロボット
２４により導入する。次いで、ウエハ保持具２５にウエ
ハ１を保持して移動させ、一組の処理系のＣＶＤ反応室
22ａに搬入した後、ＴＥＯＳ／Ｏ3 の混合ガスにより、
第５の実施例と同様にして膜厚約2000Åの第１のＣＶＤ
膜SiO2膜５をＡｌ配線３ａ〜３ｃを被覆して形成する。
（ウエハ）１上に熱酸化によりSiO2膜２を形成した後、
Ａｌ配線３ａ〜３ｃを形成する。以上が被形成体を構成
する。次いで、図２の半導体製造装置のロード／アンロ
ード室２１にウエハを図１（ｂ）に示すようなロボット
２４により導入する。次いで、ウエハ保持具２５にウエ
ハ１を保持して移動させ、一組の処理系のＣＶＤ反応室
22ａに搬入した後、ＴＥＯＳ／Ｏ3 の混合ガスにより、
第５の実施例と同様にして膜厚約2000Åの第１のＣＶＤ
膜SiO2膜５をＡｌ配線３ａ〜３ｃを被覆して形成する。
【００５７】続いて、ウエハ保持具２５を移動させてＵ
Ｖ処理室23ａにウエハを搬入し、アンモニアガスを導入
して、アンモニアガス雰囲気中で紫外線照射処理を行
う。このとき、形成された第１のＣＶＤ膜SiO2膜５は膜
厚が充分に薄いので、アンモニアガス雰囲気中での紫外
線照射処理により全膜厚にわたり膜質が改良される（図
８（ａ））。
Ｖ処理室23ａにウエハを搬入し、アンモニアガスを導入
して、アンモニアガス雰囲気中で紫外線照射処理を行
う。このとき、形成された第１のＣＶＤ膜SiO2膜５は膜
厚が充分に薄いので、アンモニアガス雰囲気中での紫外
線照射処理により全膜厚にわたり膜質が改良される（図
８（ａ））。
【００５８】次に、ウエハ保持具２５を移動させてウエ
ハ１を他の一組の処理系のＣＶＤ反応室22ｂに搬入した
後、ＴＥＯＳ／Ｏ3 の混合ガスにより、第５の実施例と
同様にして膜厚約2000Åの第２のＣＶＤ膜SiO2膜６を第
１のＣＶＤ膜SiO2膜５上に形成する。続いて、ウエハ保
持具２５を移動させてＵＶ処理室23ｂにウエハを搬入
し、アンモニアガスを導入して、アンモニアガス雰囲気
中で紫外線照射処理を行う。このとき、第２のＣＶＤ膜
SiO2膜６も膜厚が充分に薄いので、第１のＣＶＤ膜SiO2
膜５と同様に全膜厚にわたり膜質が改良される（図８
（ｂ））。
ハ１を他の一組の処理系のＣＶＤ反応室22ｂに搬入した
後、ＴＥＯＳ／Ｏ3 の混合ガスにより、第５の実施例と
同様にして膜厚約2000Åの第２のＣＶＤ膜SiO2膜６を第
１のＣＶＤ膜SiO2膜５上に形成する。続いて、ウエハ保
持具２５を移動させてＵＶ処理室23ｂにウエハを搬入
し、アンモニアガスを導入して、アンモニアガス雰囲気
中で紫外線照射処理を行う。このとき、第２のＣＶＤ膜
SiO2膜６も膜厚が充分に薄いので、第１のＣＶＤ膜SiO2
膜５と同様に全膜厚にわたり膜質が改良される（図８
（ｂ））。
【００５９】次いで、ウエハ保持具２５を移動させてウ
エハ１を図８（ａ）の膜形成を行った一組の処理系（22
ｂ，23ｂ）により、第５の実施例と同様にして紫外線の
照射された膜厚約2000Åの第３のＣＶＤ膜SiO2膜７を第
２のＣＶＤ膜SiO2膜６上に形成する（図８（ｃ））。続
いて、ウエハ保持具２５を移動させて他の一組の処理系
（22ｂ，23ｂ）により上記と同様にしてアンモニアガス
雰囲気中で紫外線処理された膜厚約2000Åの第４のＣＶ
ＤSiO2膜８を形成する（図８（ｄ））。このとき、第３
のＣＶＤ膜SiO2膜７及び第４のＣＶＤ膜SiO2膜８もそれ
ぞれ膜厚が充分に薄いので、それぞれ全膜厚にわたり膜
質が改良される。
エハ１を図８（ａ）の膜形成を行った一組の処理系（22
ｂ，23ｂ）により、第５の実施例と同様にして紫外線の
照射された膜厚約2000Åの第３のＣＶＤ膜SiO2膜７を第
２のＣＶＤ膜SiO2膜６上に形成する（図８（ｃ））。続
いて、ウエハ保持具２５を移動させて他の一組の処理系
（22ｂ，23ｂ）により上記と同様にしてアンモニアガス
雰囲気中で紫外線処理された膜厚約2000Åの第４のＣＶ
ＤSiO2膜８を形成する（図８（ｄ））。このとき、第３
のＣＶＤ膜SiO2膜７及び第４のＣＶＤ膜SiO2膜８もそれ
ぞれ膜厚が充分に薄いので、それぞれ全膜厚にわたり膜
質が改良される。
【００６０】以上のように、第６の実施例によれば、充
分に薄い膜厚2000Å毎に本発明の製造方法を適用して最
終的に所定の膜厚8000Åを形成しているので、第４の実
施例に比較して、全体としてのＣＶＤSiO2膜５〜８の膜
質を一層改良することができる。
分に薄い膜厚2000Å毎に本発明の製造方法を適用して最
終的に所定の膜厚8000Åを形成しているので、第４の実
施例に比較して、全体としてのＣＶＤSiO2膜５〜８の膜
質を一層改良することができる。
【００６１】なお、第６の実施例では、図２の半導体製
造装置を用いて行っているが、図１（ａ），（ｂ）の半
導体装置を用いても４層のＣＶＤSiO2膜を形成すること
ができる。この場合には、ウエハはＣＶＤ処理室２２と
ＵＶ処理室２３との間を４回往復することになる。更
に、図３の半導体製造装置を用いて一層量産性を向上す
ることができる。 第７の実施例 図９（ａ）〜（ｄ）は、本発明の第７の実施例のTa2O5
膜からなるキャパシタ絶縁膜の形成方法を説明する断面
図である。以下、図６に示す反応ガス供給装置がＣＶＤ
反応室のガスシャワーに接続された図１（ａ），（ｂ）
の第１の実施例の半導体製造装置を用いた場合について
説明する。
造装置を用いて行っているが、図１（ａ），（ｂ）の半
導体装置を用いても４層のＣＶＤSiO2膜を形成すること
ができる。この場合には、ウエハはＣＶＤ処理室２２と
ＵＶ処理室２３との間を４回往復することになる。更
に、図３の半導体製造装置を用いて一層量産性を向上す
ることができる。 第７の実施例 図９（ａ）〜（ｄ）は、本発明の第７の実施例のTa2O5
膜からなるキャパシタ絶縁膜の形成方法を説明する断面
図である。以下、図６に示す反応ガス供給装置がＣＶＤ
反応室のガスシャワーに接続された図１（ａ），（ｂ）
の第１の実施例の半導体製造装置を用いた場合について
説明する。
【００６２】図９（ａ）は、キャパシタ絶縁膜の形成前
のＤＲＡＭの断面図で、図中符号９はSi基板、10ａ，10
ｂはSi基板９上に形成されたゲート絶縁膜、11ａ，11ｂ
はゲート絶縁膜10ａ，10ｂ上に形成されたゲート電極
（ワード線）、12ａ／12ｂ，12ｂ／12ｃはゲート電極11
ａ，11ｂの両側に設けられたＳ／Ｄ領域で、12ｂは共通
になっている。また、13ａ，13ｂは、ゲート電極11ａ，
11ｂを被覆する絶縁膜、１４はビット線、１５はビット
線１４を被覆する絶縁膜、16ａ，16ｂはポリシリコン膜
からなるストレージノードである。以上が被形成体を構
成する。
のＤＲＡＭの断面図で、図中符号９はSi基板、10ａ，10
ｂはSi基板９上に形成されたゲート絶縁膜、11ａ，11ｂ
はゲート絶縁膜10ａ，10ｂ上に形成されたゲート電極
（ワード線）、12ａ／12ｂ，12ｂ／12ｃはゲート電極11
ａ，11ｂの両側に設けられたＳ／Ｄ領域で、12ｂは共通
になっている。また、13ａ，13ｂは、ゲート電極11ａ，
11ｂを被覆する絶縁膜、１４はビット線、１５はビット
線１４を被覆する絶縁膜、16ａ，16ｂはポリシリコン膜
からなるストレージノードである。以上が被形成体を構
成する。
【００６３】このような被形成体を、図１（ａ）の半導
体製造装置のロード／アンロード室２１に図１（ｂ）に
示すようなロボット２４により導入する。次いで、ウエ
ハ保持具２５にウエハ９を保持して移動させ、一組の処
理系のＣＶＤ反応室22ａに搬入した後、ウエハ保持具２
５に内蔵されたヒータにより、ウエハ９を温度約約350
℃に加熱する。
体製造装置のロード／アンロード室２１に図１（ｂ）に
示すようなロボット２４により導入する。次いで、ウエ
ハ保持具２５にウエハ９を保持して移動させ、一組の処
理系のＣＶＤ反応室22ａに搬入した後、ウエハ保持具２
５に内蔵されたヒータにより、ウエハ９を温度約約350
℃に加熱する。
【００６４】次に、第６図の反応ガス供給装置のバルブ
40ｂ，40ｃを開けて酸素ガスをオゾン発生器４３を通過
させて酸素ガスをオゾンガスに変換し、ガス配管39ａに
送り込むとともに、バルブ40ｅ，40ｄとを開けて窒素ガ
スを温度約６５℃に加熱されたTa(OC2H5)5溶液中でバブ
リングし、Ta(OC2H5)5を含む窒素ガスをガス配管39ａ−
ガスシャワー２６を通過させてウエハ９上に導くと、混
合ガスはSiO2膜１６の表面で互いに反応し、約1200Å／
min の成長レートで無定形のTa2O5 膜１７が形成され始
める。そして、この状態を数十秒保持すると、膜厚約60
0 Åの無定形のTa2O5 膜（キャパシタ絶縁膜）１７がス
トレージノード16ａ，16ｂ及びSiO2膜１５上に形成され
る（図９（ｂ））。
40ｂ，40ｃを開けて酸素ガスをオゾン発生器４３を通過
させて酸素ガスをオゾンガスに変換し、ガス配管39ａに
送り込むとともに、バルブ40ｅ，40ｄとを開けて窒素ガ
スを温度約６５℃に加熱されたTa(OC2H5)5溶液中でバブ
リングし、Ta(OC2H5)5を含む窒素ガスをガス配管39ａ−
ガスシャワー２６を通過させてウエハ９上に導くと、混
合ガスはSiO2膜１６の表面で互いに反応し、約1200Å／
min の成長レートで無定形のTa2O5 膜１７が形成され始
める。そして、この状態を数十秒保持すると、膜厚約60
0 Åの無定形のTa2O5 膜（キャパシタ絶縁膜）１７がス
トレージノード16ａ，16ｂ及びSiO2膜１５上に形成され
る（図９（ｂ））。
【００６５】次いで、バルブ40ｂ〜40ｅを閉めて反応ガ
スの供給を停止した後、図１（ｂ）のウエハ保持具２５
を図１（ａ）のＵＶ処理室２３に移動させる。次いで、
ウエハ９の温度を約400 ℃に上げるとともに水銀ランプ
３０を点灯する。更に、水銀ランプ保持具３１のアンモ
ニアガス導入口３２からアンモニアガスを導入してウエ
ハ１表面をアンモニアガスで置換し、この状態を所定時
間保持する。
スの供給を停止した後、図１（ｂ）のウエハ保持具２５
を図１（ａ）のＵＶ処理室２３に移動させる。次いで、
ウエハ９の温度を約400 ℃に上げるとともに水銀ランプ
３０を点灯する。更に、水銀ランプ保持具３１のアンモ
ニアガス導入口３２からアンモニアガスを導入してウエ
ハ１表面をアンモニアガスで置換し、この状態を所定時
間保持する。
【００６６】このとき、紫外線の持つエネルギーによ
り、或いは紫外線照射と加熱との相互作用によりTa2O5
膜１７表面及び膜１７内部のH2O やSi-OH ，Si-H等の不
純物がTa2O5 膜１７の外に排出される。また、紫外線照
射の際、ウエハ９表面をアンモニアガスで置換している
ので、紫外線照射による活性化されたアンモニアガスの
作用によりTa2 O5膜１７が一層緻密化する。このように
して、低温で形成されたTa2O5 膜１７の改質が完了する
（図９（ｃ））。
り、或いは紫外線照射と加熱との相互作用によりTa2O5
膜１７表面及び膜１７内部のH2O やSi-OH ，Si-H等の不
純物がTa2O5 膜１７の外に排出される。また、紫外線照
射の際、ウエハ９表面をアンモニアガスで置換している
ので、紫外線照射による活性化されたアンモニアガスの
作用によりTa2 O5膜１７が一層緻密化する。このように
して、低温で形成されたTa2O5 膜１７の改質が完了する
（図９（ｃ））。
【００６７】次に、水銀ランプ３０を消灯するととも
に、ウエハ保持具２５を移動させ、ＣＶＤ反応室２２を
通過させてロード／アンロード室２１に送る。更に、ウ
エハ９の搬入の際とは逆の操作によりウエハ９をロボッ
ト２４に受渡し、ロボット２４によりウエハ９を装置内
から取出す。
に、ウエハ保持具２５を移動させ、ＣＶＤ反応室２２を
通過させてロード／アンロード室２１に送る。更に、ウ
エハ９の搬入の際とは逆の操作によりウエハ９をロボッ
ト２４に受渡し、ロボット２４によりウエハ９を装置内
から取出す。
【００６８】その後、通常の工程を経てTa2O5 膜１７上
にポリシリコン膜からなるセルプレート１８とカバー絶
縁膜１９とを順次形成すると、ＤＲＡＭが完成する（図
９（ｄ））。
にポリシリコン膜からなるセルプレート１８とカバー絶
縁膜１９とを順次形成すると、ＤＲＡＭが完成する（図
９（ｄ））。
【００６９】以上のように、本発明の第７の実施例の層
間絶縁膜の形成方法によれば、低温でTa2O5 膜１７の形
成を行っているので、周囲の絶縁膜に与えるTa2 O5膜１
７の応力を低減することができる。また、アンモニアガ
ス雰囲気中で紫外線照射処理を行っているので、低温形
成であるために形成時には多くの水分やSi-OH ，Si-Hの
ような結合を含んでいるTa2O5 膜１７からこれらの水分
やSi-OH ，Si-Hのような結合が除去され、緻密な膜を形
成することができる。
間絶縁膜の形成方法によれば、低温でTa2O5 膜１７の形
成を行っているので、周囲の絶縁膜に与えるTa2 O5膜１
７の応力を低減することができる。また、アンモニアガ
ス雰囲気中で紫外線照射処理を行っているので、低温形
成であるために形成時には多くの水分やSi-OH ，Si-Hの
ような結合を含んでいるTa2O5 膜１７からこれらの水分
やSi-OH ，Si-Hのような結合が除去され、緻密な膜を形
成することができる。
【００７０】従って、Ta2O5 膜１７自体の絶縁耐圧の低
下及びリーク電流の増大等の信頼性の低下を防止するこ
とができる。なお、第７の実施例では、Ta2O5 膜１７の
形成を常圧下で行っているが、減圧下でも可能である。 第８の実施例 図１０は、本発明の第８の実施例の下部ＣＶＤSiO2膜／
Ta2O5 膜／上部ＣＶＤSiO2膜の三重層絶縁膜からなるキ
ャパシタ絶縁膜の形成方法を説明する断面図である。以
下、図２及び図６に示す第２の実施例の半導体製造装置
を用いた場合について説明する。
下及びリーク電流の増大等の信頼性の低下を防止するこ
とができる。なお、第７の実施例では、Ta2O5 膜１７の
形成を常圧下で行っているが、減圧下でも可能である。 第８の実施例 図１０は、本発明の第８の実施例の下部ＣＶＤSiO2膜／
Ta2O5 膜／上部ＣＶＤSiO2膜の三重層絶縁膜からなるキ
ャパシタ絶縁膜の形成方法を説明する断面図である。以
下、図２及び図６に示す第２の実施例の半導体製造装置
を用いた場合について説明する。
【００７１】まず、図９（ａ）で説明したキャパシタ絶
縁膜の形成前のウエハ９を図２の半導体製造装置のロー
ド／アンロード室２１に図１（ｂ）に示すようなロボッ
ト２４により導入する。次いで、ウエハ保持具２５にウ
エハ１を保持して移動させ、一組の処理系のＣＶＤ反応
室22ａに搬入した後、ウエハ保持具２６の内部に設けら
れたヒータにより、ウエハ９を温度約400 ℃に加熱す
る。
縁膜の形成前のウエハ９を図２の半導体製造装置のロー
ド／アンロード室２１に図１（ｂ）に示すようなロボッ
ト２４により導入する。次いで、ウエハ保持具２５にウ
エハ１を保持して移動させ、一組の処理系のＣＶＤ反応
室22ａに搬入した後、ウエハ保持具２６の内部に設けら
れたヒータにより、ウエハ９を温度約400 ℃に加熱す
る。
【００７２】次に、バルブ40ｇを開けて窒素ガスをヒー
タ42ｂにより温度６５℃に加熱された有機シラン（ＴＥ
ＯＳ）溶液内に送り、バブリングする。そして、反応ガ
スとしての有機シラン（ＴＥＯＳ）を含む窒素ガスをガ
ス配管39ａに送るとともに、オゾン発生器４３により形
成されたＯ3 ガスをガス配管39ａに送って混合し、この
混合ガスをガス配管39ａ−ＣＶＤ反応室22ａのガスシャ
ワー３を通過させてウエハ９上に噴出させる。これによ
り、良く知られたＴＥＯＳ−Ｏ3 反応がウエハ９上で起
こり、ウエハ９上に下部ＣＶＤSiO2膜20ａが形成される
（図２）。
タ42ｂにより温度６５℃に加熱された有機シラン（ＴＥ
ＯＳ）溶液内に送り、バブリングする。そして、反応ガ
スとしての有機シラン（ＴＥＯＳ）を含む窒素ガスをガ
ス配管39ａに送るとともに、オゾン発生器４３により形
成されたＯ3 ガスをガス配管39ａに送って混合し、この
混合ガスをガス配管39ａ−ＣＶＤ反応室22ａのガスシャ
ワー３を通過させてウエハ９上に噴出させる。これによ
り、良く知られたＴＥＯＳ−Ｏ3 反応がウエハ９上で起
こり、ウエハ９上に下部ＣＶＤSiO2膜20ａが形成される
（図２）。
【００７３】次に、図６のバルブ40ｆ，40ｇを閉めると
ともに、ウエハ９をＵＶ処理室23ａに送る。次いで、ア
ンモニアガスを導入してウエハ９表面をアンモニアガス
で置換し、ウエハ温度を400 ℃に保持したまま所定時間
紫外線照射を行う。
ともに、ウエハ９をＵＶ処理室23ａに送る。次いで、ア
ンモニアガスを導入してウエハ９表面をアンモニアガス
で置換し、ウエハ温度を400 ℃に保持したまま所定時間
紫外線照射を行う。
【００７４】次に、アンモニアガスの供給を停止した
後、ウエハ９をＣＶＤ処理室22ｂに送る。続いて、ウエ
ハ９の温度を下げ、約350 ℃になるように加熱するとと
もにバルブ40ｄ，40ｅを開け、第７の実施例と同様にし
てTa(OC2H5)5を含む窒素ガスとＯ3 ガスとを混合し、こ
の混合ガスをガス配管39ａ−ガスシャワー２６を通過さ
せてウエハ９上に導くと、混合ガスはSiO2膜20ａの表面
で互いに反応し、約1200Å／min の成長レートで無定形
のTa2O5 膜20ｂが形成され始める。そして、この状態を
数十秒保持すると、膜厚約600 Åの無定形のTa2O5 膜20
ｂが下部ＣＶＤSiO2膜20ａ上に形成される（図２）。
後、ウエハ９をＣＶＤ処理室22ｂに送る。続いて、ウエ
ハ９の温度を下げ、約350 ℃になるように加熱するとと
もにバルブ40ｄ，40ｅを開け、第７の実施例と同様にし
てTa(OC2H5)5を含む窒素ガスとＯ3 ガスとを混合し、こ
の混合ガスをガス配管39ａ−ガスシャワー２６を通過さ
せてウエハ９上に導くと、混合ガスはSiO2膜20ａの表面
で互いに反応し、約1200Å／min の成長レートで無定形
のTa2O5 膜20ｂが形成され始める。そして、この状態を
数十秒保持すると、膜厚約600 Åの無定形のTa2O5 膜20
ｂが下部ＣＶＤSiO2膜20ａ上に形成される（図２）。
【００７５】次いで、バルブ40ｄ，40ｅを閉めるととも
に、ウエハ９をＵＶ処理室23ｂに送る。次いで、アンモ
ニアガスを導入してウエハ９表面をアンモニアガスで置
換し、ウエハ温度を400 ℃に保持したまま所定時間紫外
線照射を行う。
に、ウエハ９をＵＶ処理室23ｂに送る。次いで、アンモ
ニアガスを導入してウエハ９表面をアンモニアガスで置
換し、ウエハ温度を400 ℃に保持したまま所定時間紫外
線照射を行う。
【００７６】次に、アンモニアガスの供給を停止した
後、ウエハ９を再びＣＶＤ処理室22ａに送る。次いで、
バルブ40ｆ，40ｇを開けてウエハ９を温度約400 ℃に加
熱する。続いて、有機シラン／Ｏ3 混合ガスをガス配管
39ａ−ガスシャワー２６を通過させてウエハ９上に導
き、Ta2O5 膜20ｂ上で反応を起こさせてTa2O5 膜20ｂ上
に上部ＣＶＤSiO2膜20ｃを形成すると、下部ＣＶＤSiO2
膜20ａ／Ta2O5 膜20ｂ／上部ＣＶＤSiO2膜20ｃからなる
三重層絶縁膜（キャパシタ絶縁膜）２０が作成される
（図２) 。
後、ウエハ９を再びＣＶＤ処理室22ａに送る。次いで、
バルブ40ｆ，40ｇを開けてウエハ９を温度約400 ℃に加
熱する。続いて、有機シラン／Ｏ3 混合ガスをガス配管
39ａ−ガスシャワー２６を通過させてウエハ９上に導
き、Ta2O5 膜20ｂ上で反応を起こさせてTa2O5 膜20ｂ上
に上部ＣＶＤSiO2膜20ｃを形成すると、下部ＣＶＤSiO2
膜20ａ／Ta2O5 膜20ｂ／上部ＣＶＤSiO2膜20ｃからなる
三重層絶縁膜（キャパシタ絶縁膜）２０が作成される
（図２) 。
【００７７】以上のように、第８の実施例の製造方法に
よれば、下部ＣＶＤSiO2膜20ａ／Ta 2O5 膜20ｂ／上部Ｃ
ＶＤSiO2膜20ｃはそれぞれ低温で形成されているにもか
かわらず、全てアンモニアガス雰囲気中で紫外線照射を
行っているので、一層膜質の良い三重層絶縁膜２０を作
成することができる。また、一層膜質の良い三重層絶縁
膜２０を反応ガスの切替えにより容易に作成することが
できる。
よれば、下部ＣＶＤSiO2膜20ａ／Ta 2O5 膜20ｂ／上部Ｃ
ＶＤSiO2膜20ｃはそれぞれ低温で形成されているにもか
かわらず、全てアンモニアガス雰囲気中で紫外線照射を
行っているので、一層膜質の良い三重層絶縁膜２０を作
成することができる。また、一層膜質の良い三重層絶縁
膜２０を反応ガスの切替えにより容易に作成することが
できる。
【００７８】なお、第８の実施例では、下部ＣＶＤSiO2
膜20ａ／Ta2O5 膜20ｂ／上部ＣＶＤSiO2膜20ｃの形成を
常圧下で行っているが、減圧下でも可能である。また、
三重層絶縁膜２０を形成しているが、SiO2膜とTa2O5 膜
とからなる二重層絶縁膜その他多層絶縁膜の形成が可能
である。
膜20ａ／Ta2O5 膜20ｂ／上部ＣＶＤSiO2膜20ｃの形成を
常圧下で行っているが、減圧下でも可能である。また、
三重層絶縁膜２０を形成しているが、SiO2膜とTa2O5 膜
とからなる二重層絶縁膜その他多層絶縁膜の形成が可能
である。
【００７９】更に、図２の半導体製造装置を用いている
が、図１（ａ），（ｂ）や図３の半導体製造装置を用い
ても作成することができる。
が、図１（ａ），（ｂ）や図３の半導体製造装置を用い
ても作成することができる。
【００８０】
【発明の効果】以上のように、本発明の半導体装置の製
造方法によれば、有機シラン−Ｏ3 ガスを用いて形成さ
れたＣＶＤSiO2膜，SiH4-O2 ガスを用いて形成されたＣ
ＶＤSiO2膜，或いはTa等の有機化合物-O3 混合ガスを用
いて形成されたTa2O5 膜に紫外線を照射することによ
り、H2O やSi-OH ，Si-H等のような結合を消失させ、Ｃ
ＶＤSiO2膜等をより緻密になるように改質することがで
きる。
造方法によれば、有機シラン−Ｏ3 ガスを用いて形成さ
れたＣＶＤSiO2膜，SiH4-O2 ガスを用いて形成されたＣ
ＶＤSiO2膜，或いはTa等の有機化合物-O3 混合ガスを用
いて形成されたTa2O5 膜に紫外線を照射することによ
り、H2O やSi-OH ，Si-H等のような結合を消失させ、Ｃ
ＶＤSiO2膜等をより緻密になるように改質することがで
きる。
【００８１】また、雰囲気ガスとしてアンモニアガスを
用いることにより、紫外線照射による活性化されたアン
モニアガスの作用によりＣＶＤSiO2膜の緻密化を図るこ
とができる。
用いることにより、紫外線照射による活性化されたアン
モニアガスの作用によりＣＶＤSiO2膜の緻密化を図るこ
とができる。
【００８２】更に、気相成長／紫外線照射という作業を
反復して行うことにより、一層膜質の改良された厚い膜
厚のＣＶＤSiO2膜等を形成することができる。また、本
発明の半導体製造装置のように、気相成長室とアンモニ
アガス導入口を有する紫外線処理室とを接続することに
より、膜質の良い膜の形成のための一連の処理を連続し
て行うことができ、自動化も可能となる。
反復して行うことにより、一層膜質の改良された厚い膜
厚のＣＶＤSiO2膜等を形成することができる。また、本
発明の半導体製造装置のように、気相成長室とアンモニ
アガス導入口を有する紫外線処理室とを接続することに
より、膜質の良い膜の形成のための一連の処理を連続し
て行うことができ、自動化も可能となる。
【００８３】更に、気相成長室とアンモニアガス導入口
を有する紫外線処理室とを一組とする処理系が複数組接
続されることにより一連の処理を連続、かつ反復して行
うことができる。
を有する紫外線処理室とを一組とする処理系が複数組接
続されることにより一連の処理を連続、かつ反復して行
うことができる。
【００８４】また、連続移動式移動装置、例えばベルト
コンベアにより被形成体を移動させながら被形成体に膜
の形成を行うことにより、量産性も向上する。
コンベアにより被形成体を移動させながら被形成体に膜
の形成を行うことにより、量産性も向上する。
【図１】本発明の第１の実施例の半導体製造装置につい
て説明する概略構成図である。
て説明する概略構成図である。
【図２】本発明の第２の実施例の半導体製造装置につい
て説明する概略構成図である。
て説明する概略構成図である。
【図３】本発明の第３の実施例の半導体製造装置につい
て説明する概略構成図である。
て説明する概略構成図である。
【図４】本発明の第４の実施例の半導体製造装置につい
て説明する概略構成図である。
て説明する概略構成図である。
【図５】本発明の実施例の半導体製造装置に用いられる
反応ガス供給装置について説明する概略構成図である。
反応ガス供給装置について説明する概略構成図である。
【図６】本発明の実施例の半導体製造装置に用いられる
他の反応ガス供給装置について説明する概略構成図であ
る。
他の反応ガス供給装置について説明する概略構成図であ
る。
【図７】本発明の第５の実施例の製造方法について説明
する断面図である。
する断面図である。
【図８】本発明の第６の実施例の製造方法について説明
する断面図である。
する断面図である。
【図９】本発明の第７の実施例の製造方法をＤＲＡＭの
キャパシタ絶縁膜の作成に適用した例について説明する
断面図である。
キャパシタ絶縁膜の作成に適用した例について説明する
断面図である。
【図１０】本発明の第８の実施例の製造方法をＤＲＡＭ
のキャパシタ絶縁膜の作成に適用した例について説明す
る断面図である。
のキャパシタ絶縁膜の作成に適用した例について説明す
る断面図である。
【図１１】本発明の製造方法により形成されたＣＶＤSi
O2膜の含有水分量の調査結果についての比較説明図であ
る。
O2膜の含有水分量の調査結果についての比較説明図であ
る。
【図１２】本発明の製造方法により形成されたＣＶＤSi
O2膜の赤外線吸収スペクトルの調査結果についての比較
説明図である。
O2膜の赤外線吸収スペクトルの調査結果についての比較
説明図である。
１，９ Si基板（ウエハ） ２ SiO2膜、 ３ａ〜３ｃ Ａｌ配線、 ４，４ａ ＣＶＤSiO2膜、 ５ 第１のＣＶＤSiO2膜、 ６ 第２のＣＶＤSiO2膜、 ７ 第３のＣＶＤSiO2膜、 ８ 第４のＣＶＤSiO2膜、 10ａ，10ｂ ゲート絶縁膜、 11ａ，11ｂ ゲート電極、 12ａ〜12ｃ Ｓ／Ｄ領域層、 13ａ，13ｂ，１５ 絶縁膜、 １４ ビット線、 16ａ，16ｂ ストレージノード（ポリシリコン膜）、 １７ Ta2O5 膜（キャパシタ絶縁膜）、 １８ セルプレート（ポリシリコン膜）、 １９ カバー絶縁膜、 ２０ 三重層絶縁膜（キャパシタ絶縁膜）、 20ａ 下部ＣＶＤSiO2膜、 20ｂ Ta2O5 膜、 20ｃ 上部ＣＶＤSiO2膜、 ２１ ロード／アンロード室、 ２２，22ａ，22ｂ ＣＶＤ反応室（気相成長室）、 ２３，23ａ，23ｂ ＵＶ処理室（紫外線処理室）、 ２４ ロボット、 ２５ ウエハ保持具、 ２６，26ａ〜26ｃ，５０ ガスシャワー、 ２７，27ａ〜27ｃ，４７ 反応ガス導入口、 ２８ ガス収集具、 ２９，４８ ガス排出口、 ３０，30ａ〜30ｃ，５１ 水銀ランプ、 ３１，31ａ〜31ｃ 水銀ランプ保持具、 ３２，32ａ〜32ｃ アンモニアガス導入口、 ３３ ベルトコンベア、 ３４ ＵＶランプ、 44ａ〜44ｃ ＣＶＤ反応ゾーン、 45ａ〜45ｃ ＵＶ処理ゾーン、 ４６ チャンバ、 ４９ ウエハ載置台、 ５２ 石英ウインド。
フロントページの続き (72)発明者 徳増 徳 東京都港区港南２ー13ー29 株式会社半導 体プロセス研究所内 (72)発明者 西本 裕子 東京都港区港南２ー13ー29 株式会社半導 体プロセス研究所内
Claims (10)
- 【請求項１】 気相成長（ＣＶＤ）により被形成体上に
絶縁膜を形成した後、アンモニア（ＮＨ3 ）ガス雰囲気
中で該被形成体を加熱しながら前記絶縁膜の表面に紫外
線照射処理を行うことを特徴とする半導体装置の製造方
法。 - 【請求項２】 請求項１記載の製造方法を繰り返すこと
により膜厚を増やしていき、所定の膜厚の絶縁膜を得る
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項３】 前記気相成長（ＣＶＤ）を、 反応ガス：モノシラン（ＳｉＨ4 ）／酸素（Ｏ2 ）を含
む混合ガス， 温度：350 〜450 ℃ の条件により行い、前記絶縁膜としてSiO2膜，ＰＳＧ
膜，ＢＳＧ膜，ＢＰＳＧ膜或いはTa2O5 膜のうちいずれ
かを形成することを特徴とする請求項１或いは請求項２
のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項４】 前記気相成長（ＣＶＤ）を、 反応ガス：有機シラン（シリコンのアルコキシ化合物，
シロキサン，アルキルシラン等を含む）／オゾン
（Ｏ3 ）を含む混合ガス， 温度：350 〜450 ℃ の条件により行い、前記絶縁膜としてSiO2膜，ＰＳＧ
膜，ＢＳＧ膜，ＢＰＳＧ膜或いはTa2O5 膜のうちいずれ
かを形成することを特徴とする請求項１或いは請求項２
のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項５】 前記気相成長（ＣＶＤ）を、 反応ガス：タンタル(Ta)等の有機化合物／オゾン
（Ｏ3 ）を含む混合ガス， 温度：300 〜450 ℃ の条件により行い、前記絶縁膜としてSiO2膜，ＰＳＧ
膜，ＢＳＧ膜，ＢＰＳＧ膜或いはTa2O5 膜のうちいずれ
かを形成することを特徴とする請求項１或いは請求項２
のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項６】 前記気相成長（ＣＶＤ）を常圧下で行う
ことを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれかに記
載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項７】 前記気相成長（ＣＶＤ）を減圧下で行う
ことを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれかに記
載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項８】 気相成長により被形成体上に膜を形成す
る気相成長室と、前記気相成長室と連接され、前記被形
成体上に気相成長された膜に紫外線照射処理を行う紫外
線処理室と、該紫外線処理室にアンモニアガスを導入す
るアンモニアガス導入口とを有することを特徴とする半
導体製造装置。 - 【請求項９】 請求項２記載の製造方法による被形成体
上への膜の形成が連続して行えるように、前記気相成長
室と前記紫外線処理室とを１組とする処理系が複数組連
接されていることを特徴とする請求項８記載の半導体製
造装置。 - 【請求項１０】 被形成体を連続的に移動しながら、請
求項２記載の製造方法による前記被形成体上への膜の形
成が行えるように、前記複数組の処理系を通過する被形
成体の連続移動式移動手段を有することを特徴とする請
求項９記載の半導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4149676A JP2538740B2 (ja) | 1992-06-09 | 1992-06-09 | 半導体製造装置及び半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4149676A JP2538740B2 (ja) | 1992-06-09 | 1992-06-09 | 半導体製造装置及び半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05343336A true JPH05343336A (ja) | 1993-12-24 |
| JP2538740B2 JP2538740B2 (ja) | 1996-10-02 |
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ID=15480398
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4149676A Expired - Fee Related JP2538740B2 (ja) | 1992-06-09 | 1992-06-09 | 半導体製造装置及び半導体装置の製造方法 |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2538740B2 (ja) |
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07288252A (ja) * | 1994-04-18 | 1995-10-31 | Hitachi Electron Eng Co Ltd | Ｃｖｄ装置 |
| JPH07335565A (ja) * | 1994-06-13 | 1995-12-22 | Sony Corp | 高誘電体薄膜の形成方法 |
| JPH0831815A (ja) * | 1994-07-15 | 1996-02-02 | Canon Sales Co Inc | 成膜方法及び成膜装置 |
| JPH0855848A (ja) * | 1994-08-11 | 1996-02-27 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 酸化珪素膜の加熱処理方法 |
| JPH0869972A (ja) * | 1994-08-30 | 1996-03-12 | Sony Corp | 誘電体薄膜の成膜方法 |
| JPH08125197A (ja) * | 1994-08-31 | 1996-05-17 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置の作製方法および半導体装置の作製装置 |
| JPH09111457A (ja) * | 1995-10-16 | 1997-04-28 | Nissan Motor Co Ltd | 光励起ｃｖｄ装置および光励起ｃｖｄ方法 |
| JPH11102902A (ja) * | 1997-09-26 | 1999-04-13 | Canon Sales Co Inc | 半導体デバイス用の薄膜形成装置及び薄膜形成方法 |
| JPH11335850A (ja) * | 1998-05-27 | 1999-12-07 | Nec Corp | 金属窒化膜形成方法 |
| JP2000208500A (ja) * | 1999-01-11 | 2000-07-28 | Nec Corp | コ―ルドウォ―ル型枚葉式ランプ加熱炉 |
| JP2001257207A (ja) * | 2000-01-31 | 2001-09-21 | Motorola Inc | 紫外線硬化工程と低誘電率膜を形成するツール |
| JP2005039074A (ja) * | 2003-07-15 | 2005-02-10 | Sekisui Chem Co Ltd | 常圧プラズマｃｖｄ装置及び常圧プラズマｃｖｄ法 |
| JP2006041307A (ja) * | 2004-07-29 | 2006-02-09 | Fuji Electric Holdings Co Ltd | 絶縁ゲート型電界効果トランジスタの製造方法 |
| JP2011109086A (ja) * | 2009-11-12 | 2011-06-02 | Novellus Systems Inc | 膜の少なくとも一部を酸化シリコンに変換し、および／または、蒸気内紫外線硬化を利用して膜の品質を改善し、および、アンモニア内紫外線硬化を利用して膜を高密度化するシステムおよび方法 |
| US10886132B2 (en) | 2016-07-06 | 2021-01-05 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Manufacturing method of high-dielectric-constant gate insulating film of semiconductor device |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63266835A (ja) * | 1987-04-24 | 1988-11-02 | Hitachi Electronics Eng Co Ltd | 気相反応装置 |
-
1992
- 1992-06-09 JP JP4149676A patent/JP2538740B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63266835A (ja) * | 1987-04-24 | 1988-11-02 | Hitachi Electronics Eng Co Ltd | 気相反応装置 |
Cited By (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07288252A (ja) * | 1994-04-18 | 1995-10-31 | Hitachi Electron Eng Co Ltd | Ｃｖｄ装置 |
| JPH07335565A (ja) * | 1994-06-13 | 1995-12-22 | Sony Corp | 高誘電体薄膜の形成方法 |
| JPH0831815A (ja) * | 1994-07-15 | 1996-02-02 | Canon Sales Co Inc | 成膜方法及び成膜装置 |
| JPH0855848A (ja) * | 1994-08-11 | 1996-02-27 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 酸化珪素膜の加熱処理方法 |
| JPH0869972A (ja) * | 1994-08-30 | 1996-03-12 | Sony Corp | 誘電体薄膜の成膜方法 |
| JPH08125197A (ja) * | 1994-08-31 | 1996-05-17 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置の作製方法および半導体装置の作製装置 |
| JPH09111457A (ja) * | 1995-10-16 | 1997-04-28 | Nissan Motor Co Ltd | 光励起ｃｖｄ装置および光励起ｃｖｄ方法 |
| JPH11102902A (ja) * | 1997-09-26 | 1999-04-13 | Canon Sales Co Inc | 半導体デバイス用の薄膜形成装置及び薄膜形成方法 |
| JPH11335850A (ja) * | 1998-05-27 | 1999-12-07 | Nec Corp | 金属窒化膜形成方法 |
| US6335277B2 (en) | 1998-05-27 | 2002-01-01 | Nec Corporation | Method for forming metal nitride film |
| JP2000208500A (ja) * | 1999-01-11 | 2000-07-28 | Nec Corp | コ―ルドウォ―ル型枚葉式ランプ加熱炉 |
| JP2001257207A (ja) * | 2000-01-31 | 2001-09-21 | Motorola Inc | 紫外線硬化工程と低誘電率膜を形成するツール |
| JP2005039074A (ja) * | 2003-07-15 | 2005-02-10 | Sekisui Chem Co Ltd | 常圧プラズマｃｖｄ装置及び常圧プラズマｃｖｄ法 |
| JP2006041307A (ja) * | 2004-07-29 | 2006-02-09 | Fuji Electric Holdings Co Ltd | 絶縁ゲート型電界効果トランジスタの製造方法 |
| JP2011109086A (ja) * | 2009-11-12 | 2011-06-02 | Novellus Systems Inc | 膜の少なくとも一部を酸化シリコンに変換し、および／または、蒸気内紫外線硬化を利用して膜の品質を改善し、および、アンモニア内紫外線硬化を利用して膜を高密度化するシステムおよび方法 |
| US9147589B2 (en) | 2009-11-12 | 2015-09-29 | Novellus Systems, Inc. | Systems and methods for at least partially converting films to silicon oxide and/or improving film quality using ultraviolet curing in steam and densification of films using UV curing in ammonia |
| US10886132B2 (en) | 2016-07-06 | 2021-01-05 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Manufacturing method of high-dielectric-constant gate insulating film of semiconductor device |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2538740B2 (ja) | 1996-10-02 |
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|---|---|---|---|
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