JPH04180226A - 半導体製造装置及び半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔目次］ ・産業上の利用分野 ・従来の技術 ・発明が解決しようとする課題 ・課題を解決するための手段 ・作用（第１１図） ・実施例 （１）本発明の半導体製造装置の実施例■第１の実施例
（第１回、第５図、第６図）■第２の実施例（第２図） ■第３の実施例（第３図） ■第４の実施例（第４図） （２）本発明の半導体製造方法の実施例■第５の実施例
（第７図） ■第６の実施例（第８図） ■第７の実施例（第９図） ■第８の実施例（第１０図） ・発明の効果 〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体装置の製造方法に関し、更に詳しく言
えば、低温ＣＶＤ法により形成された絶縁膜の改質方法
を含む半導体装置の製造方法に関する。

〔従来の技術］ 近年、絶縁膜を形成するためのＣＶ　Ｄ　（Ｃｈｅｍｉ
ｃａｌ　Ｖａｐｏｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ　）法には
種々の方式があるが、主としてプラズマＣＶＤ法や熱的
ＣＶＤ法が用いられている。ところで、Ｖ　Ｌ　Ｓ　Ｉ
　（Ｖｅｒｙ　Ｌａｒｇｅ　５ｃａｌｅ　Ｉｎｔｅｇｒ
ａｔｅｄ　Ｃ１ｒｃｕｉｔ　）　、特にＤＲＡＭにおい
ては微細化及び高密度化のため、プラズマＣＶＤ法によ
り形成される絶縁膜はステップカバレージが劣り、また
カーボン（Ｃ）等不純物を形成された絶縁膜中に含むた
め好ましくない。従って、微細化及び高密度化されるＤ
ＲＡＭの作成にはステップカバレージに優れた熱的ＣＶ
Ｄ法、特に熱的に他に影響を及ぼさないように低温で膜
形成の可能な熱的ＣＶＤ法の適用が注目されている。

従来、低温で膜形成の可能な熱的ＣＶＤ法として、 ■反応ガス：モノシラン（ＳｉＨ，）／酸素（Ｏ□）混
合ガス、温度：３５０〜４５０°Ｃ■反応ガス：有機シ
ラン（ＴＥ０１）／オゾン（Ｏ，）混合ガス、温度：３
５０〜４５０°Ｃがある。

また、ステップカバレージに優れ、かつ低温で膜形成の
可能なＣＶＤ法として上記の熱的ＣＶＤ法の他にも紫外
線を照射しながら膜形成を行う光ＣＶＤ法も注目されつ
つある。

〔発明が解決しようとする課題〕

しかし、デバイスのデザインルールが１μｍ以下になっ
てきた場合、眉間絶縁膜などの膜質の善し悪しがデバイ
ス特性に大きな影響を及ぼし、低温ＣＶＤ法により作成
された眉間絶縁膜については新たに次のような問題が生
じてきている。即ち、■形成された絶縁膜の密度が小さ
い。

■形成された絶縁膜中に水分（Ｈ２Ｏ）や５ｉ−ＯＨの
ような結合を含んでいる。

■５ｉ−Ｈ等のような結合を含んでいる場合がある。

ために、 ■絶縁耐圧の低下 ■リーク電流の増大 ■Ａ２膜等のコロ−ジョン 等による信軌性にかかわる問題を引き起こすことがある
。

この問題を解決するためには、 ■できるだけ高温下で膜形成を行う。

■できるだけ低成長速度で膜形成を行う。

■ＴＥＯ３を用いた方法では０３濃度をできるだけ高め
る。

■成膜後、できるかぎり高温で膜をアニールする。

等が行われる必要があるが、それぞれ限界がある。

例えば、下部Ａｌ１膜を被覆する眉間絶縁膜を形成する
場合にはＡｆｆｉ膜とＳｉ基板とのコンタクト特性やヒ
ロックの発生などの観点から温度を４５０°Ｃ以上にす
ることは望ましくない。また、量産性を確保するため成
長速度を余り小さくできない。

更に、光ＣＶＤ法では、膜の形成中にチャンバの紫外線
の照射窓に生成膜が付着してくもりが生じ、紫外線の照
射効果が減じられるため、生成膜の成長レートや膜質が
低下するという問題がある。

また、光ＣＶＤ法は本来の成長レートが小さいので、量
産に向かないという問題もある。

本発明は、かかる従来の問題点に鑑みてなされたもので
、低温で膜形成の可能なＣＶＤ法により形成された絶縁
膜の膜質を改良することができ、かつ量産性を保持する
ことができる半導体装置の製造方法を提供することを目
的とするものである。

（課題を解決するための手段） 上記課題は、第１に、気相成長（ＣＶＤ）法により被形
成体上に絶縁膜を形成した後、前記絶縁膜の表面に紫外
線照射処理を行うことにより該絶縁膜の膜質を改善する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法によって達成さ
れ、 第２に、第１の発明に記載の製造方法を繰り返すことに
より、膜の厚さを増やしていき、膜質の改善された所定
の膜厚の絶縁膜を得ることを特徴とする半導体装置の製
造方法によって達成され、第３に、前記気相成長（ＣＶ
Ｄ）法を次のような３つの条件、 ■反応ガス：モノシラン（ＳｉＨ４）／酸素（Ｏ□）を
含む混合ガス、温度：３５０〜４５０°Ｃ■反応ガス：
有機シラン（シリコンのアルコキシ化合物、シロキサン
、アルキルシラン等を含む）／オゾン（Ｏ３）を含む混
合ガス、温度：３５０〜４５０°Ｃ ■反応ガス：タンタル（Ｔａ）等の有機化合物／オゾン
（Ｏ３）を含む混合ガス、温度：３００〜４５０°Ｃ のうちいずれかの条件により行い、前記絶縁膜としてＳ
ｉＯ□膜、ＰＳＧ膜、ＢＳＧ膜、ＢＰＳＧ膜或いはＴａ
２０５膜のうちいずれかを形成することを特徴とする第
１或いは第２の発明のいずれかに記載の半導体装置の製
造方法によって達成され、第４に、前記気相成長（ＣＶ
Ｄ）法を常圧下。

或いは減圧下で行うことを特徴とする第１．第２或いは
第３の発明のいずれかに記載の半導体装置の製造方法に
よって達成され、 第５に、前記紫外線照射処理をオゾン（Ｏ３）ガス或い
は酸素（Ｏ□）ガス雰囲気中で行うことを特徴とする第
１．第２．第３或いは第４の発明のいずれかに記載の半
導体装置の製造方法によって達成され、 第６に、気相成長により被形成体上に膜を形成する気相
成長室と、前記気相成長室と連接され、前記被形成体上
に気相成長された膜に紫外線照射処理を行う紫外線処理
室とを有することを特徴とする半導体製造装置によって
達成され、第７に、第２の発明に記載の製造方法による
被形成体上への膜の形成が連続して行えるように、前記
気相成長室と前記紫外線処理室とを１組とする処理系が
複数組連接されていることを特徴とする第６の発明に記
載の半導体製造装置によって達成され、 第８に、被形成体を連続的に移動しながら、第２の発明
に記載の製造方法による前記被形−成体上への膜の形成
が行えるように、前記複数組の処理系を通過する被形成
体の連続移動式移動手段を有することを特徴とする第７
の発明に記載の半導体製造装置によって達成される。

〔作用］ 本発明の作用について本願発明者の行った実験結果によ
り説明する。

この実験に用いた試料は、次のようにして作成された。

即ち、 ■反応ガス：有機シラン（ＴＥ０１）／オゾン（Ｏ３）
混合ガス（Ｏ３濃度：Ｉ％　１ｎｏ２）■ウェハ温度：
４００°Ｃ ■形成速度：　１０００人／分 のような条件で、膜厚２０００人のＣＶ　Ｄ　５ｉＯｚ
膜を、Ｓｉ基板（ウユハ）上の、熱酸化により形成され
た５ｉＯＪの上に形成する。次いで、このウェハをヒー
タで加熱し、ウェハ温度を約４００″Ｃに保持した後、
酸素ガス／窒素ガスの混合ガス又はオゾンガスをガス導
入口１３からチャンバ１２内に導入するとともに、水銀
ランプを点灯し、所定の時間保持する。

次に、このようにして処理されたＣ　Ｖ　Ｄ　Ｓ　ｒ　
Ｏｚ膜について、 ■ＨＦ水を容液を用いたエツチングレートにょる膜の緻
密性の調査 ■赤外吸収スペクトルによる膜の組成の調査を行った。

なお、比較のため、紫外線照射しないＣＶ　Ｄ　５ｒＯ
ｚ膜についても同様な調査を行った。

調査結果によれば、紫外線照射しないＣＶ　ＤＳｉＯ□
膜の場合と比較して、ＣＶＤ５ｉＯｚ膜のエツチングレ
ートが小さくなり、熱酸化膜のエツチングレートに近づ
く。

また、赤外吸収スペクトルによる膜の組成の調査結果に
よれば、紫外線照射されたＣ　Ｖ　ＤＳｉＯ□膜ではＬ
Ｏや５ｌ−ＯＨ、５ｉ−Ｈのような結合を示すピークが
消失することが判明した。

以上の２種の異なる調査結果は、紫外線の照射により、
ＨｚＯや５ｉ−ＯＲのような結合が消失し、ＣＶＤ５ｉ
Ｏ□膜がよりｍ密になってきていることを示している。

これは、第１１図（ａ）に示すように、紫外線の持つエ
ネルギーにより、或いは紫外線照射と加熱温度との相互
作用によりＣＶＤ５ｉＯ□膜表面及び膜内部のＨ，Ｏや
５ｉ−ＯＨ、５ｉ−Ｈ等の不純物がＣＶＤ５ｉＯ□膜の
外に排出されるためと考えられる。また、紫外線照射の
際の雰囲気ガスとしてオゾンや酸素ガスを用いることに
より、第１１図（ｂ）に示すように、オゾン或いは紫外
線照射による活性化酸素の作用によりＳｉのダングリン
グボンドが酸素原子で埋められ、ＣＶＤ５ｉＯｚ膜の緻
密化が一層増したためと考えられる。

以上のように、本発明の製造方法に適用する紫外線処理
により、ＣＶ　ＤＳｉＯ□膜の緻密性を増し、更に水分
（ｔｒｉｏ）や５ｉ−ＯＨ、５ｉ−Ｈ等のような結合を
消失させて低温で形成されたＣ　Ｖ　ＤＳｉ（ｈ膜の膜
質の改良を図ることができる。これは、有機シランとし
てシリコンのアルコキシ化合物、シロキサン、アルキル
シラン等を含むものを用いて形成したＣＶＤ５ｉＯ□膜
や５ｉＨ４−０□ガスを用いて形成したＣ■ＤＳｉＯ□
膜や、あるいはＴａ等の有機化合物１０Ｘの混合ガスを
用いて形成したＴａｚ０５膜についても適用できる。

また、ＣＶＤ５ｉＯ□膜の形成を単独に行えるので、光
ＣＶＤ法と異なり量産性を保持することができ更に、実
験では、比較的薄い膜厚約２０００人のＣＶ　ＤＳｉＯ
２膜を用いているが、更に厚い膜厚のＣ■ＤＳｉＯ□膜
を用いてもよいし、膜の気相成長／紫外線照射という作
業を繰り返すことにより、−層膜質の改良された厚い膜
厚のＣＶＤ５ｉＯ□膜等を形成することができる。

更に、上記の製造方法に適用される半導体製造装置とし
て、気相成長室と紫外線処理室とが連接された本発明の
半導体製造装置を用いることにより、膜質の改良された
膜の形成のための一連の処理を連続して行うことができ
、自動化も可能となる。

また、気相成長室と紫外線処理室とを一組とする処理系
が複数組接続されることにより一連の処理を連続、かつ
反復して行うことができる。これにより、−層膜質の改
良された厚い膜厚のＣＶＤ５ｉＯ□膜等を形成すること
ができる。

更に、連続移動式移動手段、例えばベルトコンベアによ
り被形成体を移動させながら被形成体に膜の形成を行う
ことにより、量産性も向上する。

〔実施例］ 以下、図面を参照しながら本発明の実施例について説明
する。

（１）本発明の半導体製造装置の実施例■第１の実施例 第１図（ａ）、　　（ｂ）は本発明の半導体装置の製造
方法に適用できる第１の実施例の半導体製造装置につい
て説明する概略構成図で、同図（ａ）は、半導体製造装
置の上面図、同図（ｂ）は断面図である。なお、各室の
間の仕切り壁や各室の間の開閉を行うためのバルブは省
略しである。

同図（ａ）、（ｂ）において、ロード／アンロード室２
１とＣＶＤ反応室（気相成長室）２２とＵＶ処理室（紫
外線処理室）２３とがこのような並びで連接され、かつ
ロード／アンロード室２１へのウェハｌ又は９の移動は
ロボット２４などにより行われ、気相成長と紫外線照射
処理という一連の処理が連続的に行えるようになってい
る。図中符号２４はロード／アンロード室２１へのウェ
ハ搬送用ロボットで、室２１内でウェハ保持具２５にウ
ェハ１又は９を受は渡せるように搬送用ロボット２４或
いはウェハ保持具２５が上下するようになっている。こ
の場合、ウェハｌ又は９は膜の形成面が下に向くように
真空チャック或いは静電チャンク等によりウェハ保持具
２５に保持される。なお、ウェハ保持具２５は一体的に
形成された加熱・保温用ヒータを有する。

また、２６はＣＶＤ反応室２２内に設けられたウェハ１
又は９の膜形成面に向かって反応ガスを上向きに噴出す
るガスシャワーで、ガスシャワー２６の反応ガス導入口
２７には、反応ガスの配管が接続されており、必要な混
合ガスが第５図又は第６図の反応ガス供給装置により供
給される。そして、反応ガス導入口２７に導入された反
応ガスはガスシャワー２６に導かれた後、噴出し、ウェ
ハ１又は９の膜形成面で反応した後のガスはガスシャワ
ー２６周辺を囲むように設けられたガス収集具２８のガ
ス排出口２９により室２２外へ排出できるようになって
いる。

更に、３０はＵＶ処理室２３に設けられた紫外線を発射
する水銀ランプで、ウェハ１又は９の膜形成面に向かっ
て上向きに紫外線を照射するようになっている。また、
水銀ランプ保持具３１のガス導入口３２より膜質の改良
に寄与する酸素ガスやオゾンガス等を導入することがで
きるようになっティる。なお、導入されたオゾンガスや
酸素ガス等を室外に排出する不図示のガス排出口が設け
られている。

以上のように、本発明の第１の実施例の半導体製造装置
によれば、気相成長室と紫外線処理室とが連接されてい
るので、膜質の良い膜の形成のための一連の処理を連続
して行うことができ、自動化も可能となる。

また、各室２１．２２．２３の間に開閉手段を設けてＣ
ＶＤ反応室２２を独立に圧力調整することにより、常圧
下又は減圧下のいずれがでＣＶＤ膜の形成を行うことが
できる。

更に、ＣＶＤ反応室２２とＵＶ処理室２３との間を複数
回往復することにより往復回数に対応する膜厚の膜の形
成が可能となる。

次に、ガスシャワー２６に反応ガスを供給する反応ガス
の供給装置について第５図及び第６図を参照しながら説
明する。

（イ）有機シラン（ＴＥ０１）／オゾン（Ｏ，）を含む
混合ガスの供給装置 第５図は、有機シラン（ＴＥ０１）／オゾン（Ｏ３）を
含む混合ガスを供給する装置の構成図である。

同図において、３４ａは、例えば第１図（ｂ）のガスシ
ャワー２６の反応ガス導入口２７と接続され、反応ガス
をガスシャワー２６に送るガス配管で、オゾンガスやＴ
ＥＯＳ溶液を含む窒素ガスその他を流すガス配管３４ｂ
、３４ｃ、３４ｅ、３４ｇが接続されている。３４ｂは
酸素ガス、又はオゾン発生装置により形成されたオゾン
ガスを流すガス配管、３４ｃはＴＥＯ５溶液を含む窒素
ガスを流すガス配管、３４ｅはＴＭＰ○（Ｔｒｉ−ｍｅ
ｔｙｌ　ｐｈｏｓｐｈａｔ）溶液を含む窒素ガスを流す
ガス配管、３４ｇはＴＥＢ（Ｔｒｉ−ｅｔｙｌ　ｂｏｒ
ａｔｅ　）溶液を含む窒素ガスを流すガス配管で、それ
ぞれのガス配管３４ｂ、　３４ｃ、　３４ｅ、３４ｇに
、通流／停止を調整するバルブ３５ａ〜３５ｃ、３５ｅ
、３５ｇが設けられている。また、３４ｄ。

３４ｆ及び３４ｈはそれぞれ窒素ガスをＴＥＯ３溶液。

ＴＭＰＯ溶液及びＴＥＢ溶液に送るガス配管で、それぞ
れのガス配管３４ｄ、３４ｆ、３４ｈに、通流／停止を
調整するバルブ３５ｄ　、　’３５　ｆ　、　３５ｈが
設けられている。

更に、３日はガス配管３４ｂと接続されているオゾン発
生装置、３７ａ〜３７ｃはそれぞれＴＥＯ５溶液、ＴＭ
ＰＯ溶液及びＴＥＢ溶液を加熱・保温するヒータ、３６
ａ〜３６ｄは酸素（Ｏ□）ガスやキャリアガスとしての
窒素（Ｎ２）ガスの流量を調整するマスフローコントロ
ーラである。

以上のように、このような反応ガス供給装置をガスシャ
ワーに接続することにより、５ｉｚｚｌｅ、　　ＰＳＧ
ＩＩ！、Ｂ５Ｃｌ！！又はＢＰＳＧ＠などの形成が可能
である。

なお、有機シランとしてＴＥ０１を用いているが（シリ
コンのアルコキシ化合物、シロキサン。

アルキルシラン）等を含むものでもよい。

（ロ）タンタル（Ｔａ）等の有機化合物／オゾン（Ｏ３
）を含む混合ガスの供給装置 第５図は、タンタル（Ｔａ）等の有機化合物／オゾン（
Ｏｌ）を含む混合ガスを供給する装置の構成図である。

同図において、３９ａは、例えば第１図（ｂ）のガスシ
ャワー２６の反応ガス導入口２７と接続され、反応ガス
をガスシャワー２６に送るガス配管で、３９ｂはキャリ
アガスとしての窒素ガスをガス配管３９ａに導くための
ガス配管、３９ｃは酸素ガスをオゾン発生器４３に送り
、オゾン発生器４３から出てくるオゾン（Ｏ，）をガス
配管３９ａに導くガス配管、３９ｅは窒素ガスをペンタ
エトキシタンタル又はタンクルペンタエトキサイド（Ｔ
ａ（ＯＣ２Ｈｓ）　ｓ　）溶液に送るガス配管、３９ｄ
はＴａ（ＯＣｚＨｓ）　ｓガスを含む窒素ガスをガス配
管３９ａに導くガス配管、３９ｇは窒素ガスを有機シラ
ン（ＴＥ○Ｓ）溶液に送るガス配管、３９ｆはＴＥＯ３
熔液を含む窒素ガスを流すガス配管３９ａに導くガス配
管である。

更に、４０ａはガス配管３９ｂに設けられたガスの通流
／停止を調整するバルブ、４０ｂ、４０ｃはオゾン発生
器４３の前後に設けられた通流／停止を調整するバルブ
、４０ｄ〜４（１ｇはそれぞれガス配管３９ｄ〜３９ｇ
に設けられたバルブ、４１ａ〜４１ｄはそれぞれガス配
管３９ｂ、３９ｃ、３９ｅ、３９ｇ中を流れる窒素ガス
や酸素ガスの流量を調整するマスフローコントローラで
ある。

また、４２ａ、４２ｂはそれぞれＴａ（ＯＣｚＨｓ）ｓ
溶液。

ＴＥＯ５ｉ液を一定の温度に加熱するサーモスタット付
のヒータである。

以上のように、このような反応ガス供給装置をガスシャ
ワーに接続することにより、Ｔａｘｅｓ　Ｍや５１０２
Ｍ／ＴａｔＯｓ　ＩＩ／５ｉＯＪ！の三重層絶縁膜等を
形成することができる。

■第２の実施例 第２図は、本発明の第２の実施例の半導体製造装置につ
いて説明する構成図で、第１図の構成と異なるところは
、気相成長室と紫外線処理室とを一組とする処理系（２
２ａ、２３ａ）、　　（２２ｂ、２３ｂ）が複数組連接
されることにより一連の処理を連続、かつ反復して行う
ことができるようになっている。

同図において、２１は気相成長室２２ａと連接されたロ
ード／アンロード室で、必要に応じて気相成長室２２ａ
と連接されたロード／アンロード室２１との間に開閉手
段が設けられる。また、（２２ａ。

２３ａ）及び（２２ｂ、２３ｂ）は気相成長室とＵＶ処
理室（紫外線処理室）とを−組とする処理系で、複数組
の処理系（２２ａ、２３ａ）、（２２ｂ、２３ｂ）が連
接されることにより一連の処理を連続、かつ反復して行
うことができるようになっている。なお、気相成長室２
２ａ、２２ｂとＵＶ処理室２３ａ、２３ｂとの間にも必
要に応じて開閉手段が設けられる。

更に、各ＣＶＤ反応室２２ａ、２２ｂには第１図で説明
したようなガスシャワーが設けられており、第５図又は
第６図に示す反応ガス供給装置から反応ガスが供給され
るようになっている。また、各ＵＶ処理室２３ａ’、２
３ｂには第１図で説明したような水銀ランプが設けられ
ている。

以上のように、本発明の第２の実施例の半導体製造装置
によれば、気相成長室と紫外線処理室とを一組とする処
理系（２２ａ、２３ａ）、　　（２２ｂ、２３ｂ）が複
数組接続されているので、一連の処理を連続、かつ反復
して行うことができる。これにより、−層膜質の改良さ
れた厚い膜厚のＣＶＤ５ｉＯ□膜等を形成することがで
きる。

また、第１の実施例と同しように、各室２１゜２２ａ、
２３ａ、２２ｂ、２３ｂの間に開閉手段を設けて各室２
２ａ、２２ｂを独立に圧力調整することにより、常圧下
又は減圧下のいずれかでＣＶＤ膜の形成を行うことがで
きる。

■第３の実施例 第３図は、本発明の第３の実施例の半導体製造装置につ
いて説明する構成回で、第５図の構成と異なるところは
、ＣＶＤ反応ゾーン（ＣＶＤ反応室に相当する）とＵＶ
処理ゾーン（ＵＶ処理室に相当する）とを−組とする処
理系が複数組接続され、かつベルトコンベア（連続移動
式移動手段）３３によりウェハを移動させながら、一連
の処理を連続、かつ反復して行うことができるようにな
っている。

同図において、（４４ａ、　４５ａ）　、　　（４４ｂ
、　４５ｂ）。

（４４ｃ、４５ｃ）はＣＶＤ反応ゾーンとＵＶ処理ゾー
ンとを一組とする処理系で、このような並びで−列に並
べられている。そして、各処理系（４４ａ。

４５ａ）、（４４ｂ、４５ｂ）、（４４ｃ、４５ｃ）を
通過させて適当なスピードでウェハ１又は９の載置され
たベルトコンベア３３を移動させることにより、気相成
長と紫外線照射処理という一連の処理を連続、かつ反復
して行うことができるようになっている。なお、各ゾー
ンに導入された反応ガス等が他のゾーンに侵入しないよ
うに各ゾーンには不図示の反応ガス等の排出口が設けら
れている。

また、２６ａ〜２６ｃはそれぞれＣＶＤ反応ゾーン４４
ａ、４４ｂ、４４ｃに設けられたガスシャワーで、それ
ぞれのガスシャワー２６ａ〜２６ｃの反応ガス導入口２
７ａ〜２７ｃには第５図又は第６図の反応ガス供給装置
により反応ガスが供給され、更に、ウェハ１又は９に噴
出される。これにより、ウェハ１又は９上に絶縁膜等が
形成される。また、３０ａ〜３０ｃはＵＶ処理ゾーン４
５ａ、４５ｂ、４５ｃに設けられた水銀ランプで、ウェ
ハ１又は９上に形成された絶縁膜等が紫外線照射処理さ
れる。このとき、水銀ランプ保持具３１ａ〜３１ｃのガ
ス導入口３２ａ〜３２ｃからオゾンガス等を導入してウ
ェハｌ又は９上に噴射することができるようになってい
る。

以上のように、本発明の第３の実施例の半導体製造装置
によれば、連続移動式移動手段、例えばヘルドコンベア
３３を有しているので、ウェハ１又は９を移動させなが
らウェハ１又は９上にＩ！質の優れた絶縁膜等の形成を
行うことができる。これにより、量産性も向上する。

■第４の実施例 更に、第４図に示すように、常圧ＣＶＤ装置のチャンバ
４６内に水銀ランプ５１を設けてもよい。

なお、図中符号４７は反応ガス導入口、４８は反応済の
ガスを排出するガス排出口、４９はヒータと一体形成さ
れたウェハ載置台、５０は反応ガスをウェハｌ又は９上
に噴出するガスシャワー、５２は水銀ランプ５１を反応
ガスから隔離するための石英ウィンドである。

このような本発明の第４の実施例によっても簡易に膜質
の改良されたＣＶＤ絶縁膜等を形成することができる。

（２）本発明の半導体装置の製造方法の実施例衣に、上
記の半導体製造装置を用いて本発明の実施例の半導体装
置の製造方法について説明する。

■第５の実施例 第７図（ａ）〜（ｄ）は、本発明の第５の実施例の層間
絶縁膜の形成方法について説明する断面図である。以下
、第５図に示す反応ガス供給装置がＣＶＤ反応室のガス
シャワーに接続された第１図（ａ）、　　（ｂ）の第１
の実施例の半導体製造装置を用いた場合について説明す
る。

まず、第７図（ａ）に示すように、Ｓｔ基板（ウェハ）
１上に熱酸化によりｓｉｏＺＭ！２を形成した後、５ｉ
ｏ１１１２上にＡｌ配線３ａ〜３Ｃを形成する０以上が
被形成体を構成する。

次いで、第１図（ａ）のロード／アンロード室２１に第
１図（ｂ）のロボット２４によりウェハ１を搬入し、ウ
ェハ保持具２５の下部まで移動した後、ロボット２４を
上方に移動させて静電チャックによりウェハの膜形成面
が下向きになるようにウェハ保持具２５にウェハｌを保
持する。

次に、ウェハ保持具２５をＣＶＤ反応室２２に移動させ
る。

次いで、ウェハ１をウェハ保持具２５と一体となってい
るヒータにより加熱し、温度約４００°Ｃに保持すると
ともに、第５図の反応ガス供給装置のバルブ３５ａ、３
５ｂを開放して酸素ガスをオゾン発生器３８に通流させ
、マスフローコントローラ３６ａを調整しながら、酸素
ガス中のオゾンガス濃度が約１％になるようにしてガス
配管３４ａに導く。

また、このとき同時にバルブ３５ｃ、３５ｄを開放し、
マスフローコントローラ３６ｂを調整しながら、ＴＥＯ
３溶液を含む所定の流量の窒素ガスをガス配管３４ａに
導く。その結果、ガス配管３４ａに導かれたＴ　Ｅ　Ｏ
Ｓ１０．の混合ガスは第１図（ｂ）のガスシャワー２６
の反応ガス導入口２７を通過してウェハ１上に噴出され
る。この状態を所定時間保持し、ウェハ１上のＡｌ配線
３ａ〜３Ｃを被覆して膜厚約５ｏｏｏ人のＣＶ　ＤＳｉ
Ｏｚ膜４を形成する（第７図（ｂ））。このとき、ＣＶ
　ＤＳｉＯｚ膜４が低温で形成されているため、ＣＶ　
Ｄ　５ｉＯｚ膜４表面及び内部には通常Ｈ２０や５ｉ−
ＯＨ、５ｉ−Ｈ等の不純物等を含んでいる。

次に、反応ガスの供給を停止した後、第１図（ｂ）のウ
ェハ保持具２５を第１図（ａ）のＵＶ処理室２３に移動
させる。次いで、水銀ランプ３０を点灯するとともに、
水銀ランプ保持具３１のガス導入口３２からオゾンガス
を導入してウェハ１表面をオゾンガスで置換する。そし
て、この状態を所定時間保持する。

このとき、第１１図（ａ）に示すように、紫外線の持つ
エネルギーにより、或いは紫外線照射と加熱との相互作
用によりＣＶ　ＤＳｉＯｚ＃　４表面及び膜４内部の８
１０や５ｉ−ＯＲ、５ｉ−Ｈ等の不純物がＣＶＤ５ｉＯ
□膜４の外に排出され、また、紫外線照射の際、ウェハ
表面をオゾンガスや酸素ガスで置換しているので、第１
１図（ｂ）に示すように、オゾン或いは紫外線照射によ
る活性化酸素の作用によりＳＩのダングリングボンドが
酸素原子で埋められ、ＣＶ　ＤＳｉＯｚ膜が一層緻密化
する。

このようにして、低温で形成されたＣ　Ｖ　ＤＳｉ０２
１１４の改質が完了する（第６図（ｃ）、（ｄ））。

その後、水銀ランプ３０を消灯するとともに、ウェハ保
持具２５を移動させ、ＣＶＤ反応室２２を通過させてロ
ード／アンロード室２１に送る。

更に、ウェハ１の搬入の際とは逆の操作によりウェハ１
をロボット２４に受渡し、ロボット２４によりウェハｌ
を装置内から取出す。

以上のように、本発明の第５の実施例の眉間絶縁膜の形
成方法によれば、低温でＣＶ　ＤＳｉＯ□膜４の形成を
行っているので、Ａｆｆｉ配線のヒロ、り等の発生を防
止することができる。また、紫外線照射処理を行ってい
るので、低温形成であるために形成時には多くの水分や
５ｉ−ＯＲ、５ｉ−Ｈのような結合を含んでいるＣＶＤ
５ｉＯ□＃４からこれらの水分や５ｉ−ＯＨ、５ｉ−Ｈ
のような結合が除去され、緻密な膜を形成することがで
きる。これにより、外部からの水分の浸入を防止するこ
ともでき、ＣＶＤ５ｉＯ□膜４は水分等を含まない良質
な膜になる。

従って、ＣＶＤ５ｉＯ□膜４自体の絶縁耐圧の低下。

後にＣＶ　Ｄ　５ｉ（ｈ膜種上に形成される上部のＡｌ
配線と下部のＡｌ配線との間のリーク電流の増大。

Ａ２配線のコロ−ジョン等による信輔性の低下を防止す
ることができる。

また、ＣＶＤ５ｉＯ□膜４の形成を単独に行えるので、
光ＣＶＤ法と異なり量産体を確保することができる。

なお、第４の実施例では、ＣＶ　ＤＳｉＯｚ膜４を形成
しているが、ＴＭＰＯ溶液やＴＥＰ溶液を反応ガスに混
合することにより、ＰＳＧ＃、ＢＳＧ膜或いはＢＰＳＧ
膜等を低温で形成することができ、これらの膜に対して
も本発明を適用することができる。

また、有機７ランとしてＴＥ０１を用いているが、（シ
リコンのアルコキシ化合物、シロキサン。

アルキルシラン）等を含むものを用いても本発明を適用
することができる。

■第６の実施例 第８図（ａ）〜（ｄ）は、本発明の第６の実施例の眉間
絶縁膜の形成方法を説明する断面図である。以下、第５
図に示す反応ガス供給装置がｃ■Ｄ反応室のガスシャワ
ーに接続された第２図の第２の実施例の半導体製造装置
を用いた場合について説明する。

第５の実施例と異なるところは、−度に所定の膜厚８０
００人を形成するのではなくて、２０００人毎に本発明
の製造方法を適用して最終的に所定の膜厚８０００人を
形成するようにしたものである。

まず、第８図（ａ）に示すように、Ｓｉ基板（ウェハ）
１上に熱酸化によりＳｉＯ□［２を形成した後、Ａ２配
’ＪｉＡ３ａ〜３ｃを形成する。以上が被形成体を構成
する。

次いで、第２図の半導体製造装置のロード／アンロード
室２１にウェハを第１図（ｂ）に示すようなロボット２
４により導入する。次いで、ウェハ保持具２５にウェハ
１を保持して移動させ、−組の処理系のＣＶＤ反応室２
２ａに搬入した後、ＴＥＯ３１０，の混合ガスにより、
第５の実施例と同様にして膜厚約２０００人の第１のＣ
Ｖ　Ｄ　１ｌｊｓｉｏ□膜５をＡ２配線３ａ〜３ｃを被
覆して形成する。続いて、ウェハ保持具２５を移動させ
てＵＶ処理室２３ａにウェハを搬入し、紫外線照射処理
を行う。

このとき、形成された第１のＣＶＤ膜ＳｉＪ膜５は膜厚
が充分に薄いので、紫外線照射処理により全膜厚にわた
り膜質が改良される（第８図（ａ））。

次に、ウェハ保持具２５を移動させてウェハ１を他の一
組の処理系のＣＶＤ反応室２２ｂに搬入した後、ＴＥＯ
３１０３の混合ガスにより、第５の実施例と同様にして
膜厚約２０００人の第２のＣＶＤ膜ＳｉＯ□膜６を第１
のＣＶＤ膜ＳｉＯ□膜５上に形成する。続いて、ウェハ
保持具２５を移動させてＵＶ処理室２３ｂにウェハを搬
入し、紫外線照射処理を行う。このとき、第２のＣＶ　
Ｄ　１ｉｓｉ（ｈ膜６も膜厚が充分に薄いので、第１の
ＣＶＤ膜ＳｉＯ□膜５と同様に全膜厚にわたり膜質が改
良される（第８図（ｂ））。

次いで、ウェハ保持Ｍ２５を移動させてウェハ１を第８
図（ａ）の膜形成を行った一組の処理系（２２ｂ、２３
ｂ）により、第５の実施例と同様にして紫外線の照射さ
れた膜厚約２０００人の第３のＣＶＤＭｓｉｏｚ膜７を
第２のＣＶＤ膜ＳｉＯ□膜６上に形成する（第８図（Ｃ
））。続いて、ウェハ保持具２５を移動させて他の一組
の処理系（２２ｂ、２３ｂ）により上記と同様にして紫
外線処理された膜厚約２０００人の第４　（７）　ＣＶ
　ＤＳｉ（ｈ膜８を形成する（第８図（ｄ）　）、　：
（７１Ｂ＝キ、第３　）ＣＶ　Ｄ　ｌｌ！５ｉＯＪ！　
７及び第４のＣＶ、Ｄ膜ＳｉＯ□ｌｌＩ！８もそれぞれ
膜厚が充分に薄いので、それぞれ全膜厚にわたり膜質が
改良される。

以上のように、第６の実施例によれば、充分に薄い膜厚
２０００人毎に本発明の製造方法を適用して最終的に所
定の膜厚８０００人を形成しているので、第４の実施例
に比較して、全体としてのＣＶ　ＤＳｉＯ２Ｓｉ−８の
膜質を一層改良することができる。

なお、第６の実施例では、第２図の半導体製造装置を用
いて行っているが、第１図（ａ）、（ｂ）の半導体装置
を用いても４層のＣＶＤ５ｉＯ□膜を形成することがで
きる。この場合には、ウェハはＣＶＤ処理室２２とＵＶ
処理室２３との間を４回往復することになる。更に、第
３図の半導体製造装置を用いて一層量産性を向上するこ
とができる。

■第７の実施例 第９図（ａ）〜（ｄ）は、本発明の第７の実施例のＴａ
ｚＯｓ膜からなるキャパシタ絶縁膜の形成方法を説明す
る断面図である。以下、第６図に示す反応ガス供給装置
がＣＶＤ反応室のガスシャワーに接続された第１図（ａ
）、　　（ｂ）の第１の実施例の半導体製造装置を用い
た場合について説明する。

第９図（ａ）は、キャパシタ絶縁膜の形成前のＤＲＡＭ
の断面図で、図中符号９はＳｉ基板、１０ａ。

１０ｂはＳｉ基板９上に形成されたゲート絶縁膜、１１
ａ、ｌｌｂはゲート絶縁膜１０ａ、１０ｂ上に形成され
たゲート電極（ワード線）　、１２ａ／１２ｂ、１２ｂ
／１２ｃはゲート電極１１ａ、ｌｌｂの両側に設けられ
たＳ　／　Ｄ　ｔ＋ｉ域で、１２ｂは共通になっている
。また、１３ａ、１３ｂは、ゲート電極１１ａ、ｌｌｂ
を被覆する絶縁膜、１４はビット線、１５はビット線１
４を被覆する１ｍ膜、１５ａ、１６ｂはポリシリコン膜
からなるストレージノードである。以上が被形成体を構
成する。

このような被形成体を、第１図（ａ）の半導体製造装置
のロード／アンロード室２１に第１図（ｂ）に示すよう
なロボット２４により導入する。

次いで、ウェハ保持具２５にウェハ９を保持して移動さ
せ、−組の処理系のＣＶＤ反応室２２ａに搬入した後、
ウェハ保持具２５に内蔵されたヒータにより、ウェハ９
を温度約約３５０°Ｃに加熱する。

次に、第６図の反応ガス供給装置のバルブ４０ｂ。

４０ｃを開けて酸素ガスをオゾン発生器４３を通過させ
て酸素ガスをオゾンガスに変換し、ガス配管３９ａに送
り込むとともに、バルブ４０ｅ、４０ｄとを開けて窒素
ガスを温度約６５°Ｃに加熱されたＴａ（ＯＣ２Ｈ５）
５熔液中でバブリングし、Ｔａ　（ＱＣ２）ｌ　ｓ）　
ｓを含む窒素ガスをガス配管３９ａ−ガスシャワー２６
を通過させてウェハ９上に導くと、混合ガスはＳｉＯ□
膜１６の表面で互いに反応し、約１２００人／ｍｉｎの
成長レートで無定形のＴａｘｅｓ膜１７が形成され始め
る。そして、この状態を数十秒保持すると、膜厚約６０
０人の無定形のＴａ２０５膜（キャパシタ絶縁膜）１７
がストレージノード１６ａ、１６ｂ及びＳｉＯ２膜１５
上に形成される（同図（ｂ））。

次いで、バルブ４０ｂ〜４０ｅを閉めて反応ガスの供給
を停止した後、第１図（ｂ）のウェハ保持具２５を第１
図（ａ）のＵＶ処理室２３に移動さ廿る。次いで、ウェ
ハ９の温度を約４００°Ｃに上げるとともに水銀ランプ
３０を点灯する。更に、水銀ランプ保持具３１のガス導
入口３２からオゾンガスを導入してウェハ１表面をオゾ
ンガスで置換し、この状態を所定時間保持する。

このとき、紫外線の持つエネルギーにより、或いは紫外
線照射と加熱との相互作用によりＴａｚ０５膜１７表面
及び膜１７内部の８２０や５ｉ−ＯＨ、５ｔ−Ｈ等の不
純物がＴａｚＯｓ膜１７の膜質７出される。また、紫外
線照射の際、ウェハ９表面をオゾンガスや酸素ガスで置
換しているので、オゾン或いは紫外線照射による活性化
酸素の作用により表面のＴａのダングリングボンドが酸
素原子で埋められ、ＴａｚＯ１膜１７が膜層７密化する
。

このようにして、低温で形成されたＴａｚＯｓ膜１７の
膜質７完了する（第９図（Ｃ））。

次に、水銀ランプ３０を消灯するとともに、ウェハ保持
具２５を移動させ、ＣＶＤ反応室２２を通過させてロー
ド／アンロード室２１に送る。更に、ウェハ９の搬入の
際とは逆の操作によりウェハ９をロボット２４に受渡し
、ロボット２４によりウェハ９を装置内から取出す。

その後、通常の工程を経てＴａｚＯｓ膜１７上膜下７上
リコン膜からなるセルプレート１８とカバー絶縁膜１９
とを順次形成すると、ＤＲＡＭが完成する（第９図（ｄ
））。

以上のように、本発明の第７の実施例の眉間絶縁膜の形
成方法によれば、低温でＴａｚ０５膜１７の形成を行っ
ているので、周囲の絶縁膜に与えるＴａ２Ｏ、膜１７の
応力を低減することができる。また、紫外線照射処理を
行っているので、低温形成であるために形成時には多く
の水分や５ｉ−０）１　、５ｉ−）１のような結合を含
んでいる丁ａ２０．膜１７からこれらの水分や５ｉ−０
）１　、５ｉ−Ｈのような結合が除去され、緻密な膜を
形成することができる。

従って、Ｔａｘｅｓ膜１７自体の絶縁耐圧の低下及びリ
ーク電流の増大等の信顛性の低下を防止することができ
る。

なお、第７の実施例では、Ｔａ２０５膜１７の形成を常
圧下で行っているが、減圧下でも可能である。

■第８の実施例 第１０図は、本発明の第８の実施例の下部ＣＶＤＳｉＯ
２膜７Ｔａ２０ｓＨ／上部ＣＶ　ＤＳｉＯ，膜の三重層
絶縁膜からなるキャパシタ絶縁膜の形成方法を説明する
断面図である。以下、第２図及び第６図に示す第２の実
施例の半導体製造装置を用いた場合について説明する。

まず、第９図（ａ）で説明したキャパシタ絶縁膜の形成
前のウェハ９を第２図の半導体製造装置のロード／アン
ロード室２１に第１図（ｂ）に示すようなロボット２４
により導入する。次いで、ウェハ保持具２５にウェハ１
を保持して移動させ、−組の処理系のＣＶＤ反応室２２
ａに搬入した後、ウェハ保持具２６の内部に設けられた
ヒータにより、ウェハ９を温度約４００°Ｃに加熱する
。

次に、バルブ４０ｇを開けて窒素ガスをヒータ４２ｂに
より温度６５°Ｃに加熱された有機シラン（ＴＥ０１）
溶液内に送り、バブリングする。そして、反応ガスとし
ての有機シラン（ＴＥ０１）を含む窒素ガスをガス配管
３９ａに送るとともに、オゾン発生器４３により形成さ
れた０３ガスをガス配管３９ａに送って混合し、この混
合ガスをガス配管３９ａ−ＣＶＤ反応室２２ａのガスソ
ヤヮ−３を通過させてウェハ９上に噴出させる。これに
より、良く知られたＴＥ０１−０３反応がウェハ９上で
起こり、ウェハ９上に下部ＣＶ　ＤＳｉＯ□膜２０ａ膜
形０ａれる（第２図）。

次に、第６図のバルブ４０ｆ、４０ｇを閉めるとともに
、ウェハ９をＵＶ処理室２３ａに送る。次いで、オゾン
ガスを導入してウェハ９表面をオゾンガスで置換し、ウ
ェハ温度を４００°Ｃに保持したまま所定時間紫外線照
射を行う。

次に、オゾンガスの供給を停止した後、ウェハ９をＣＶ
Ｄ処理室２２ｂに送る。続いて、ウェハ９の温度を下げ
、約３５０°Ｃになるように加熱するとともにバルブ４
０ｄ、４０ｅを開け、第７の実施例と同様にしてＴａ　
（ＯＣ２Ｈｓ）　ｓを含む窒素ガスと０．ガスとを混合
し、この混合ガスをガス配管３９ａ−ガスシャワー２６
を通過させてウェハ９上に導くと、混合ガスはＳｉＯ□
膜２０ａの表面で互いに反応し、約１２００人／　ｍ　
ｉ　ｎの成長レートで無定形のＴａｚ０５膜２０ｂ膜形
０ｂれ始める。そして、この状態を数十秒保持すると、
膜厚約６００人の無定形のＴａｚＯｓ　［２０ｂが下部
ＣＶ　ＤＳｉＯ□膜２０ａ上２０ａ上れる（第２図）。

次いで、バルブ４０ｄ、４０ｅを閉めるとともに、ウェ
ハ９をＵＶ処理室２３ｂに送る。次いで、オゾンガスを
導入してウェハ９表面をオゾンガスで置換し、ウェハ温
度を４００°Ｃに保持したまま所定時間紫外線照射を行
う。

次に、オゾンガスの供給を停止した後、ウェハ９を再び
ＣＶＤ処理室２２ａに送る。次いで、バルブ４０ｆ、４
０ｇを開けてウェハ９を温度約４００″Ｃに加熱する。

続いて、有機シラン１０．混合ガスをガス配管３９　ａ
　−カスシャワー２６を通過させてウェハ９上に導き、
Ｔａｚ０５膜２０ｂ上２０ｂ上起こさせてＴａ２０５膜
２０ｂ上に上部ＣＶ　Ｄ　５ｉｎ２膜２０ｃを形成する
と、下部ＣＶ　Ｄ　５ｉＯｚ膜２０ａ／Ｔａｚ０５膜２
０ｂ／上部ＣＶ　ＤＳｉＯｚｌｌ！２０　ｃからなる三
重層絶縁膜（キャパシタ絶縁膜）２０が作成される（第
２図）。

以上のように、第８の実施例の製造方法によれば、下部
ＣＶ　Ｄ　５ｉＯｚ膜２０ａ／Ｔａ２０５膜２０ｂ／上
部ＣＶ　ＤＳｉＯ□膜２０ｃ膜上０ｃれ低温で形成され
ているにもかかわらず、全て紫外線照射を行っているの
で、−層膜質の良い三重層絶縁膜２０を作成することが
できる。また、−層膜質の良い三重層絶縁＃２０を反応
ガスの切替えにより容易に作成することができる。

なお、第８の実施例では、下部ＣＶＤ５ｉＯ□膜２０ａ
／Ｔａ２０５膜２０ｂ／上部ＣＶ　Ｄ　５ｉｏｚｌｌ！
２０　ｃの形成を常圧下で行っているが、減圧下でも可
能である。

また、三重層絶縁１１Ｘ２０を形成しているが、５ｉ０
２膜とＴａ２０５膜とからなる二重層絶縁膜その他多層
絶縁膜の形成が可能である。

更に、第２図の半導体製造装置を用いているが、第１図
（ａ）、（ｂ）や第３図の半導体製造装置を用いても作
成することができる。

〔発明の効果］ 以上のように、本発明の半導体装置の製造方法によれば
、有機７ランー０３ガスを用いて形成されたＣ　Ｖ　Ｄ
ＳｉＯ，膜、　５ｉＨ４−０□ガスを用いて形成された
ＣＶＤ５ｉＯ□膜、或いはＴａ等の有機化合物−０３混
合ガスを用いて形成されたＴａｚＯｓ膜に紫外線を照射
することにより、Ｈ２Ｏや５ｉ−ＯＨ、５ｉ−Ｈ等のよ
うな結合を消失させ、ＣＶ　Ｄ　５ｉＯｚ膜等をより緻
密になるように改質することができる。

また、雰囲気ガスとしてオゾンや酸素ガスを用いること
により、オゾン或いは紫外線照射による活性化酸素の作
用によりＳｉのダングリングボンドを酸素原子で埋め、
ＣＶ　Ｄ　Ｓ’ｉ　０２膜の繊密化を図ることができる
。

更に、気相成長／紫外線照射という作業を反復して行う
ことにより、−層膜質の改良された厚い膜厚のＣＶＤ５
ｉＯ□膜等を形成することができる。

また、本発明の半導体製造装置のように、気相成長室と
紫外線処理室とを接続することにより、膜質の良い膜の
形成のための一連の処理を連続して行うことができ、自
動化も可能となる。

更に、気相成長室と紫外線処理室とを一組とする処理系
が複数組接続されることにより一連の処理を連続、かつ
反復して行うことができる。

また、連続移動式移動装置、例えばヘルドコンベアによ
り被形成体を移動させながら被形成体に膜の形成を行う
ことにより、量産性も向上する。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の第１の実施例の半導体製造装置につ
いて説明する概略構成口、 第２図は、本発明の第２の実施例の半導体製造装置につ
いて説明する概略構成図、 第３図は、本発明の第３の実施例の半導体製造装置につ
いて説明する概略構成口、 第４図は、本発明の第４の実施例の半導体製造装置につ
いて説明する概略構成図、 第５図は、本発明の実施例の半導体製造装置に用いられ
る反応ガス供給装置について説明する概略構成図、 第６図は、本発明の実施例の半導体製造装置に用いられ
る他の反応ガス供給装置について説明する概略構成図、 第７図は、本発明の第５の実施例の製造方法について説
明する断面図、 第８図は、本発明の第６の実施例の製造方法について説
明する断面図、 第９図は、本発明の第７の実施例の製造方法をＤＲＡＭ
のキャパシタ絶縁膜の作成に適用した例について説明す
る断面図、 第１０図は、本発明の第８の実施例の製造方法をＤＲＡ
Ｍのキャパシタ絶縁膜の作成に適用した例について説明
する断面図、 第１１図は、本発明の紫外線照射処理の作用について説
明する断面図である。 〔符号の説明〕 １．９・・・Ｓｉ基板（ウェハ） ２・・・Ｓｉ　ｏ　ｚ　’ＭＡ　− ３ａ〜３ｃ・・・Ａｌ配線、 ４．４　ａ−ＣＶＤＳｉＯｚ膜、 ５・・・第１　（７）　ＣＶ　ＤＳｉＯｚ膜、６・・・
第２　ノＣＶ　Ｄ　５ｉＯｚ膜、７・・・第３のＣＶ　
ＤＳｉＯ，膜、 ８・・・第４のＣＶ　ＤＳｉＯ□膜、 １０ａ、１０ｂ・・・ゲート絶縁膜、 １１ａ、１ｌｂ−・・ゲート電極、 １２　ａ　＝１２　ｃ−−・Ｓ　／　Ｄ領域層、１３ａ
、１３ｂ、１５−・絶縁膜、 １４・・・ビット線、 １６ａ、１６ｂ・・・ストレージノード（ポリシリコン
膜）、１７・・・Ｔａ２０５膜（キャパシタ絶縁膜）、
１８・・・セルプレート（ポリンリコンｌｌり、１９・
・・カバー絶縁膜、 ２０・・・三重層絶縁膜（キャパシタ絶縁膜）、２０ａ
−・・下部ＣＶ　Ｄ　５ｉ（ｈ膜、２０　ｂ　−Ｔａ２
０５膜、 ２０　ｃ　−・・上部ＣＶ　Ｄ　５ｉＯｚ膜、２１・・
・ロード／アンロード室、 ２２．２２ａ、２２ｂ−ＣＶＤ反応室（気相成長室）、
２３　、２３ａ　、　２３ｂ　・・・ＩＪ　Ｖ処理室（
紫外線処理室）、２４・・・ロボット、 ２５・・・ウェハ保持具、 ２６．２６ａ〜２６ｃ、５０・・・ガスシャワー、２７
．２７ａ〜２７ｃ、４７・・・反応ガス導入口、２８・
・・ガス収集具、 ２９．４８・・・ガス排出口、 ３０．３０ａ〜３０ｃ、５１・・・水銀ランプ、３１．
３１ａ〜３１ｃ・・・水銀ランプ保持具、３２．３２ａ
〜３２ｃ・・・ガス導入口、３３・・・ヘルドコンヘア
、 ３４・・・ＵＶランプ、 ４４ａ　〜４４ｃ・ＣＶＤ反応ゾーン、４５　ａ　〜４
５　ｃ　・Ｕ　Ｖ処理ゾーン、４６・・・チャンバ、 ４９・・・ウェハ載置台、 ５２・・・石英ウィンド。 代理人弁理士　　岡　本　啓　三 本発明の第２の実施例の半導体製造装置；二ついて説明
する慨略構成図第２図 本発明の第４の実施例の半導体製造装置について説明す
る構成図第４図 反応ガス供給装置について説明する概略構成図第５図 反応ガス供給装置：Ｃついて説明する概略構成図第６図 １１ｉ１１１１！Ｉｆ〜紫外緯

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 （１）気相成長（ＣＶＤ）により被形成体上に絶縁膜を
   形成した後、加熱しながら前記絶縁膜の表面に紫外線照
   射処理を行うことにより、該絶縁膜の膜質を改善するこ
   とを特徴とする半導体装置の製造方法。 （２）請求項１記載の製造方法を繰り返すことにより膜
   の厚さを増やしていき、膜質の改善された所定の膜厚の
   絶縁膜を得ることを特徴とする半導体装置の製造方法。 （３）前記気相成長（ＣＶＤ）を次のような３つの条件
   、 （１）反応ガス：モノシラン（ＳｉＨ＿４）／酸素（Ｏ
   ＿２）を含む混合ガス、温度：３５０〜４５０℃（２）
   反応ガス：有機シラン（シリコンのアルコキシ化合物、
   シロキサン、アルキルシラン等を含む）／オゾン（Ｏ＿
   ３）を含む混合ガス、温度：３５０〜４５０℃ （３）反応ガス：タンタル（Ｔａ）等の有機化合物／オ
   ゾン（Ｏ＿３）を含む混合ガス、温度：３００〜４５０
   ℃ のうちいずれかの条件により行い、前記絶縁膜としてＳ
   ｉＯ＿２膜、ＰＳＧ膜、ＢＳＧ膜、ＢＰＳＧ膜或いはＴ
   ａ＿２Ｏ＿５膜のうちいずれかを形成することを特徴と
   する請求項１或いは請求項２のいずれかに記載の半導体
   装置の製造方法。 （４）前記気相成長（ＣＶＤ）を常圧下、或いは減圧下
   で行うことを特徴とする請求項１、請求項２或いは請求
   項３のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。 （５）前記紫外線照射処理をオゾン（Ｏ＿３）ガス或い
   は酸素（Ｏ＿２）ガス雰囲気中で行うことを特徴とする
   請求項１、請求項２、請求項３或いは請求項４のいずれ
   かに記載の半導体装置の製造方法。 （６）気相成長により被形成体上に膜を形成する気相成
   長室と、 前記気相成長室と連接され、前記被形成体上に気相成長
   された膜に紫外線照射処理を行う紫外線処理室とを有す
   ることを特徴とする半導体製造装置。 （７）請求項２記載の製造方法による被形成体上への膜
   の形成が連続して行えるように、前記気相成長室と前記
   紫外線処理室とを１組とする処理系が複数組連接されて
   いることを特徴とする請求項６記載の半導体製造装置。 （８）被形成体を連続的に移動しながら、請求項２記載
   の製造方法による前記被形成体上への膜の形成が行える
   ように、前記複数組の処理系を通過する被形成体の連続
   移動式移動手段を有することを特徴とする請求項７記載
   の半導体製造装置。