JPH05342614A - 光ディスク装置の光学式ピックアップ - Google Patents
光ディスク装置の光学式ピックアップInfo
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- JPH05342614A JPH05342614A JP4151643A JP15164392A JPH05342614A JP H05342614 A JPH05342614 A JP H05342614A JP 4151643 A JP4151643 A JP 4151643A JP 15164392 A JP15164392 A JP 15164392A JP H05342614 A JPH05342614 A JP H05342614A
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 ＦＧのためのはんだパターン部の周辺に絶縁
性の材料による導電性接着剤防止部品を設け、はんだパ
ターン部に設けてある穴にねじを挿入し、ケースに設け
てある雌ねじ部にねじを螺合させて締付けた後、ねじと
はんだパターン部にまたがって導電性接着剤を塗布す
る。 【効果】 ＦＧの取られかたの不安定によるノイズの発
生の防止でき、従って再生系の検出能力を低下を防止し
て情報の正確な再生を行うことができる。
性の材料による導電性接着剤防止部品を設け、はんだパ
ターン部に設けてある穴にねじを挿入し、ケースに設け
てある雌ねじ部にねじを螺合させて締付けた後、ねじと
はんだパターン部にまたがって導電性接着剤を塗布す
る。 【効果】 ＦＧの取られかたの不安定によるノイズの発
生の防止でき、従って再生系の検出能力を低下を防止し
て情報の正確な再生を行うことができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、円板状の記録媒体に対
して光学的に情報の記録および再生および消去または記
録および再生または再生のみを行う光ディスク装置の光
学式ピックアップに関する。
して光学的に情報の記録および再生および消去または記
録および再生または再生のみを行う光ディスク装置の光
学式ピックアップに関する。
【０００２】
【従来の技術】図３は従来の光ディスク装置の光学式ピ
ックアップの一例を示す図で、（ａ）は正面図、（ｂ）
は平面図、図４は図３の例において、ＰＫＧ基板を取外
した状態を示す平面図、図５は図３の例の光学系を示す
側面図、図６は図５の光学系の正面図、図７は図３の例
のＣ−Ｃ断面図で、（ａ）は全体を示す図、（ｂ）はＱ
部の拡大図、図８は図３の例においてＦＧが確実にとら
れているときの情報の再生信号の波形を示す波形図で、
（ａ）は情報の記録時の波形図、（ｂ）は情報の消去時
の波形図、図９は図３の例においてＦＧが不安定な場合
のノイズを示す波形図で、（ａ）は情報の記録時に発生
するノイズの波形図、（ｂ）は情報の消去時に発生する
ノイズの波形図である。
ックアップの一例を示す図で、（ａ）は正面図、（ｂ）
は平面図、図４は図３の例において、ＰＫＧ基板を取外
した状態を示す平面図、図５は図３の例の光学系を示す
側面図、図６は図５の光学系の正面図、図７は図３の例
のＣ−Ｃ断面図で、（ａ）は全体を示す図、（ｂ）はＱ
部の拡大図、図８は図３の例においてＦＧが確実にとら
れているときの情報の再生信号の波形を示す波形図で、
（ａ）は情報の記録時の波形図、（ｂ）は情報の消去時
の波形図、図９は図３の例においてＦＧが不安定な場合
のノイズを示す波形図で、（ａ）は情報の記録時に発生
するノイズの波形図、（ｂ）は情報の消去時に発生する
ノイズの波形図である。
【０００３】円板状の記録媒体に対して光学的に情報の
記録および再生および消去または記録および再生または
再生のみを行う光ディスク装置の従来の光学式ピックア
ップは、図５および図６に示すような光学系を備え、図
３および図４および図７に示す構成を有している。
記録および再生および消去または記録および再生または
再生のみを行う光ディスク装置の従来の光学式ピックア
ップは、図５および図６に示すような光学系を備え、図
３および図４および図７に示す構成を有している。
【０００４】光学系は、図５および図６に示すように、
半導体レーザ１０から発射されたレーザ光の光束が、コ
リメートレンズ２６によって平行光とされた後、偏光ビ
ームスプリッタ３１に入射する。偏光ビームスプリッタ
３１は、例えば、入射した光束のＰ偏向成分の６０％を
透過させ、Ｓ偏向成分の１００％を反射させる偏向特性
を有しており、かつ、半導体レーザ１０から発射された
レーザ光の光束が、Ｐ偏向に相当する光束として入射す
るように配置されているため、偏光ビームスプリッタ３
１に入射した光束は、その接合面においてその６０％が
透過し、残りの４０％は反射する。
半導体レーザ１０から発射されたレーザ光の光束が、コ
リメートレンズ２６によって平行光とされた後、偏光ビ
ームスプリッタ３１に入射する。偏光ビームスプリッタ
３１は、例えば、入射した光束のＰ偏向成分の６０％を
透過させ、Ｓ偏向成分の１００％を反射させる偏向特性
を有しており、かつ、半導体レーザ１０から発射された
レーザ光の光束が、Ｐ偏向に相当する光束として入射す
るように配置されているため、偏光ビームスプリッタ３
１に入射した光束は、その接合面においてその６０％が
透過し、残りの４０％は反射する。
【０００５】偏光ビームスプリッタ３１を透過した光束
は、その前方に配設されている直角プリズム１９によっ
て反射され、対物レンズ駆動装置１６（図３参照）に保
持されている対物レンズ１５に入射し、フォーカシング
制御およびトラッキング制御をなされて円板状の記録媒
体である光ディスク２７に集光される。
は、その前方に配設されている直角プリズム１９によっ
て反射され、対物レンズ駆動装置１６（図３参照）に保
持されている対物レンズ１５に入射し、フォーカシング
制御およびトラッキング制御をなされて円板状の記録媒
体である光ディスク２７に集光される。
【０００６】この後、光ディスク２７によって反射され
たレーザ光の光束は、再び対物レンズ１５を透過して直
角プリズム１９によって反射され、再び偏光ビームスプ
リッタ３１に入射し、そのＰ偏向成分の６０％はそのま
ま偏光ビームスプリッタ３１を透過し、残りの４０％
は、接合面において反射されて第二の偏光ビームスプリ
ッタ２９に入射する。
たレーザ光の光束は、再び対物レンズ１５を透過して直
角プリズム１９によって反射され、再び偏光ビームスプ
リッタ３１に入射し、そのＰ偏向成分の６０％はそのま
ま偏光ビームスプリッタ３１を透過し、残りの４０％
は、接合面において反射されて第二の偏光ビームスプリ
ッタ２９に入射する。
【０００７】第二の偏光ビームスプリッタ２９は、例え
ば、入射した光束のＰ偏向成分の３０％を透過させ、Ｓ
偏向成分の１００％を反射させる偏向特性を有している
ため、偏光ビームスプリッタ２９に入射したＰ偏向成分
の７０％は、その接合面において反射されて先端に平凸
レンズ１７を結合したウォラストンプリズム１８に入射
する。
ば、入射した光束のＰ偏向成分の３０％を透過させ、Ｓ
偏向成分の１００％を反射させる偏向特性を有している
ため、偏光ビームスプリッタ２９に入射したＰ偏向成分
の７０％は、その接合面において反射されて先端に平凸
レンズ１７を結合したウォラストンプリズム１８に入射
する。
【０００８】ウォラストンプリズム１８に入射したレー
ザ光の光束は、そこで２本の光束に分割されて２分割さ
れている受光素子９に入射する。受光素子９は、２分割
した部分のそれぞれの出力の差から情報の再生を行う。
ザ光の光束は、そこで２本の光束に分割されて２分割さ
れている受光素子９に入射する。受光素子９は、２分割
した部分のそれぞれの出力の差から情報の再生を行う。
【０００９】偏光ビームスプリッタ２９を透過した残り
の３０％のＰ偏向成分は、偏光ビームスプリッタ２９の
前面に結合されている１／４波長板２８を透過して円偏
光となり、凹面鏡２０に入射してそこで反射される。凹
面鏡２０で反射されたレーザ光の光束は、集光されなが
ら再び１／４波長板２８を透過して偏光ビームスプリッ
タ２９に入射するが、このとき、偏光ビームスプリッタ
３１を出たレーザ光の光束に対する偏向角が９０度のＳ
偏向成分となって入射するため、その光束の１００％が
反射されてビームスプリッタ３５に入射する。
の３０％のＰ偏向成分は、偏光ビームスプリッタ２９の
前面に結合されている１／４波長板２８を透過して円偏
光となり、凹面鏡２０に入射してそこで反射される。凹
面鏡２０で反射されたレーザ光の光束は、集光されなが
ら再び１／４波長板２８を透過して偏光ビームスプリッ
タ２９に入射するが、このとき、偏光ビームスプリッタ
３１を出たレーザ光の光束に対する偏向角が９０度のＳ
偏向成分となって入射するため、その光束の１００％が
反射されてビームスプリッタ３５に入射する。
【００１０】ビームスプリッタ３５は、入射した光束の
５０％を透過し、５０％を反射する特性を有しているた
め、反射された５０％の光束は、２分割されている受光
素子１３に入射する。受光素子１３は、２分割した部分
のそれぞれの出力の差からプッシュプル法によってトラ
ックエラーの検出を行う。一方、ビームスプリッタ３５
を透過した残りの５０％の光束は、ビームスプリッタ３
５の前方に配設されているナイフエッジ２５によって更
にその半分を遮光され、残余の光束は２分割されている
受光素子１１に入射する。受光素子１１は、ナイフエッ
ジ２５と協動してナイフエッジ法によってフォーカスエ
ラーの検出を行う。
５０％を透過し、５０％を反射する特性を有しているた
め、反射された５０％の光束は、２分割されている受光
素子１３に入射する。受光素子１３は、２分割した部分
のそれぞれの出力の差からプッシュプル法によってトラ
ックエラーの検出を行う。一方、ビームスプリッタ３５
を透過した残りの５０％の光束は、ビームスプリッタ３
５の前方に配設されているナイフエッジ２５によって更
にその半分を遮光され、残余の光束は２分割されている
受光素子１１に入射する。受光素子１１は、ナイフエッ
ジ２５と協動してナイフエッジ法によってフォーカスエ
ラーの検出を行う。
【００１１】上述の光学系は、図４に示すように、ケー
ス１２のなかに収容されている。ケース１２には、四隅
の部分に雌ねじ部３０が設けてあり、図３に示すよう
に、この雌ねじ部３０を利用してパッケージ基板（ＰＫ
Ｇ基板）２１をねじ２３によって固定している。ＰＫＧ
基板２１上には、半導体レーザ１０の動作を制御するた
めのハイブリット集積回路（ＨＩＣ）７が搭載されてお
り、ＰＫＧ基板２１上に設けられているはんだパターン
部６にはんだ付けされている。また、ＨＩＣ７のフレー
ムグランド（ＦＧ）をケース１２に落すため、このＦＧ
に対応する４箇所のはんだパターン部２２がＰＫＧ基板
２１の四隅に設けられており、そのはんだパターン部２
２には、ねじ２３を通すための穴が設けてある。従っ
て、図３に示すように、ＰＫＧ基板２１をケース１２に
ねじ２３によってねじ止めすることにより、ねじ２３と
はんだパターン部２２とが導通して同電位となり、更に
ねじ２３とケース１２とが同電位となることにより、Ｈ
ＩＣ７のＦＧがケース１２に落されている。更に、ねじ
２３のゆるみを防止するため、エポキシ系材料のねじロ
ック２４を、締付け後のねじ２３に塗布している。
ス１２のなかに収容されている。ケース１２には、四隅
の部分に雌ねじ部３０が設けてあり、図３に示すよう
に、この雌ねじ部３０を利用してパッケージ基板（ＰＫ
Ｇ基板）２１をねじ２３によって固定している。ＰＫＧ
基板２１上には、半導体レーザ１０の動作を制御するた
めのハイブリット集積回路（ＨＩＣ）７が搭載されてお
り、ＰＫＧ基板２１上に設けられているはんだパターン
部６にはんだ付けされている。また、ＨＩＣ７のフレー
ムグランド（ＦＧ）をケース１２に落すため、このＦＧ
に対応する４箇所のはんだパターン部２２がＰＫＧ基板
２１の四隅に設けられており、そのはんだパターン部２
２には、ねじ２３を通すための穴が設けてある。従っ
て、図３に示すように、ＰＫＧ基板２１をケース１２に
ねじ２３によってねじ止めすることにより、ねじ２３と
はんだパターン部２２とが導通して同電位となり、更に
ねじ２３とケース１２とが同電位となることにより、Ｈ
ＩＣ７のＦＧがケース１２に落されている。更に、ねじ
２３のゆるみを防止するため、エポキシ系材料のねじロ
ック２４を、締付け後のねじ２３に塗布している。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】上述したような光ディ
スク装置の従来の光学式ピックアップは、次のような問
題点を有している。
スク装置の従来の光学式ピックアップは、次のような問
題点を有している。
【００１３】すなわち、図７に示すように、ＰＫＧ基板
２１のＦＧは、ねじ２３の頭部がはんだパターン部２２
と面接触することによってねじ２３とはんだパターン部
２２とが同電位となり、ねじ２３のねじ部がケース１２
の雌ねじ部３０と螺合することによってねじ２３とケー
ス１２とが同電位となり、これらの結果としてＰＫＧ基
板２１のＦＧがケース１２に落されている。
２１のＦＧは、ねじ２３の頭部がはんだパターン部２２
と面接触することによってねじ２３とはんだパターン部
２２とが同電位となり、ねじ２３のねじ部がケース１２
の雌ねじ部３０と螺合することによってねじ２３とケー
ス１２とが同電位となり、これらの結果としてＰＫＧ基
板２１のＦＧがケース１２に落されている。
【００１４】しかしながら、ケース１２は、防錆対策の
ためにアロジン処理を行っているため、処理されたケー
ス１２の表面は絶縁物となっている。このため、ねじ２
３を雌ねじ部３０に螺合するとき、そのねじ部によって
雌ねじ部３０のアロジン処理を削り落しながら進行する
ことによってねじ２３のねじ部とケース１２の雌ねじ部
３０との導通が成立し、また、ねじ２３の頭部がパター
ン部２２と接触したとき、ねじ２３の頭部の下面がはん
だパターン部２２の表面のアロジン処理を削り落して直
接に接触したときねじ２３とはんだパターン部２２との
導通が成立する。従って、ねじ２３の締付け強さによっ
てＦＧの取られ方が不安定になる。また、ねじ２３のゆ
るみを防止するため、エポキシ系材料のねじロック２４
をねじ２３に塗布しているが、このねじロック２４がね
じ２３の頭部とはんだパターン部２２との間に侵入して
ＦＧを更に不安定にすることがある。
ためにアロジン処理を行っているため、処理されたケー
ス１２の表面は絶縁物となっている。このため、ねじ２
３を雌ねじ部３０に螺合するとき、そのねじ部によって
雌ねじ部３０のアロジン処理を削り落しながら進行する
ことによってねじ２３のねじ部とケース１２の雌ねじ部
３０との導通が成立し、また、ねじ２３の頭部がパター
ン部２２と接触したとき、ねじ２３の頭部の下面がはん
だパターン部２２の表面のアロジン処理を削り落して直
接に接触したときねじ２３とはんだパターン部２２との
導通が成立する。従って、ねじ２３の締付け強さによっ
てＦＧの取られ方が不安定になる。また、ねじ２３のゆ
るみを防止するため、エポキシ系材料のねじロック２４
をねじ２３に塗布しているが、このねじロック２４がね
じ２３の頭部とはんだパターン部２２との間に侵入して
ＦＧを更に不安定にすることがある。
【００１５】このようなＦＧの不安定な状態において、
温度環境が変化すると、樹脂製のＰＫＧ基板２１が膨張
・収縮を行うため、ＦＧは益々不安定になる。
温度環境が変化すると、樹脂製のＰＫＧ基板２１が膨張
・収縮を行うため、ＦＧは益々不安定になる。
【００１６】ＦＧが確実にとられているときは、情報の
再生信号の波形は、情報の記録時の波形は図８（ａ）に
示すように、または、情報の消去時の波形は図８（ｂ）
に示すように、プリフォーマット部３２と記録信号３３
とのみ、またはプリフォーマット部３２のみの波形とな
るが、ＦＧが不安定な場合は、情報の再生信号の波形
は、情報の記録時の波形は図９（ａ）に示すように、ま
たは、情報の消去時の波形は図９（ｂ）に示すように、
プリフォーマット部３２と記録信号３３の波形、または
プリフォーマット部３２の波形の他に、ノイズ３６が発
生する。このノイズ３６は、再生系の検出能力を低下さ
せ、情報の正確の再生を妨害する。
再生信号の波形は、情報の記録時の波形は図８（ａ）に
示すように、または、情報の消去時の波形は図８（ｂ）
に示すように、プリフォーマット部３２と記録信号３３
とのみ、またはプリフォーマット部３２のみの波形とな
るが、ＦＧが不安定な場合は、情報の再生信号の波形
は、情報の記録時の波形は図９（ａ）に示すように、ま
たは、情報の消去時の波形は図９（ｂ）に示すように、
プリフォーマット部３２と記録信号３３の波形、または
プリフォーマット部３２の波形の他に、ノイズ３６が発
生する。このノイズ３６は、再生系の検出能力を低下さ
せ、情報の正確の再生を妨害する。
【００１７】
【課題を解決するための手段】本発明の光ディスク装置
の光学式ピックアップは、内部に光学系を収容し複数の
雌ねじ部を有するケースと、光源である半導体レーザの
動作と光ディスク装置の記録系および再生系の動作との
制御を行うハイブリッドＩＣを搭載し前記雌ねじ部に対
応する位置に貫通穴を有し前記貫通穴の周囲にはんだパ
ターン部を設けたＰＫＧ基板と、前記ＰＫＧ基板の前記
貫通穴を貫通して前記ケースの前記雌ねじ部と螺合する
ねじとを備える光ディスク装置の光学式ピックアップに
おいて、前記ねじを前記貫通穴を貫通させて前記雌ねじ
部に締付けた後、前記ねじと前記はんだパターン部とに
またがって導電性接着剤を塗布することを含むものであ
り、更に、はんだパターン部の周囲に絶縁性の材料で形
成した導電性接着剤防止部品を設けたものである。
の光学式ピックアップは、内部に光学系を収容し複数の
雌ねじ部を有するケースと、光源である半導体レーザの
動作と光ディスク装置の記録系および再生系の動作との
制御を行うハイブリッドＩＣを搭載し前記雌ねじ部に対
応する位置に貫通穴を有し前記貫通穴の周囲にはんだパ
ターン部を設けたＰＫＧ基板と、前記ＰＫＧ基板の前記
貫通穴を貫通して前記ケースの前記雌ねじ部と螺合する
ねじとを備える光ディスク装置の光学式ピックアップに
おいて、前記ねじを前記貫通穴を貫通させて前記雌ねじ
部に締付けた後、前記ねじと前記はんだパターン部とに
またがって導電性接着剤を塗布することを含むものであ
り、更に、はんだパターン部の周囲に絶縁性の材料で形
成した導電性接着剤防止部品を設けたものである。
【００１８】
【実施例】次に、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。
て説明する。
【００１９】図１は本発明の第一の実施例を示す図で、
（ａ）は平面図、（ｂ）はＰ部の拡大平面図、（ｃ）は
Ｐ部の拡大側面図である。
（ａ）は平面図、（ｂ）はＰ部の拡大平面図、（ｃ）は
Ｐ部の拡大側面図である。
【００２０】図１において、ＰＫＧ基板１は、ハイブリ
ット集積回路（ＨＩＣ）７を搭載してはんだ付けするた
めのはんだパターン部６が設けられており、更に、ＨＩ
Ｃ７のフレームグランド（ＦＧ）をケース１２に落すた
めに、このＦＧに対応する４箇所のはんだパターン部２
がＰＫＧ基板１の四隅に設けられている。パターン部２
の周辺部には、フィルム積層部４が設けられている。
ット集積回路（ＨＩＣ）７を搭載してはんだ付けするた
めのはんだパターン部６が設けられており、更に、ＨＩ
Ｃ７のフレームグランド（ＦＧ）をケース１２に落すた
めに、このＦＧに対応する４箇所のはんだパターン部２
がＰＫＧ基板１の四隅に設けられている。パターン部２
の周辺部には、フィルム積層部４が設けられている。
【００２１】このように構成したＰＫＧ基板１をケース
１２に取付けるときは、従来例と同様に、はんだパター
ン部２に設けてある穴にねじ３を挿入し、ケース１２に
設けてある雌ねじ部３０にねじ３を螺合させて締付ける
（図７参照）。このとき、ねじ３の頭部がはんだパター
ン部２と面接触することによってねじ３とはんだパター
ン部２とが同電位となり、ねじ３のねじ部がケース１２
の雌ねじ部３０と螺合することによってねじ３とケース
１２とが同電位となり、これらの結果としてＰＫＧ基板
１のＦＧがケース１２に落される。
１２に取付けるときは、従来例と同様に、はんだパター
ン部２に設けてある穴にねじ３を挿入し、ケース１２に
設けてある雌ねじ部３０にねじ３を螺合させて締付ける
（図７参照）。このとき、ねじ３の頭部がはんだパター
ン部２と面接触することによってねじ３とはんだパター
ン部２とが同電位となり、ねじ３のねじ部がケース１２
の雌ねじ部３０と螺合することによってねじ３とケース
１２とが同電位となり、これらの結果としてＰＫＧ基板
１のＦＧがケース１２に落される。
【００２２】更に、ねじ３のゆるみを防止するため、導
電性接着剤５を、締付け後のねじ３とはんだパターン部
２とにまたがって塗布する。導電性接着剤５は、ねじ３
の頭部とパターン部２との間に侵入した場合も、その特
性からＦＧの安定性を損うことはない。
電性接着剤５を、締付け後のねじ３とはんだパターン部
２とにまたがって塗布する。導電性接着剤５は、ねじ３
の頭部とパターン部２との間に侵入した場合も、その特
性からＦＧの安定性を損うことはない。
【００２３】ＰＫＧ基板１には、チップコンデンサ８の
ようなチップ部品が搭載される場合が少なくない。図１
（ｂ）に示すように、はんだパターン部２の近傍に搭載
されている場合は、チップコンデンサ８に導電性接着剤
５が付着してチップコンデンサ８がショートしないよう
にしなければならない。これを回避するため、はんだパ
ターン部２の周辺にフィルム積層部４を設けている。フ
ィルム積層部４は、ＦＰＣのカバーフィルムを積層した
ものであり、図１（ｃ）に示すように、チップコンデン
サ８の方に導電性接着剤５が流れないようにその厚さを
設定してある。これによって上述のチップコンデンサ８
のショートが防止される。
ようなチップ部品が搭載される場合が少なくない。図１
（ｂ）に示すように、はんだパターン部２の近傍に搭載
されている場合は、チップコンデンサ８に導電性接着剤
５が付着してチップコンデンサ８がショートしないよう
にしなければならない。これを回避するため、はんだパ
ターン部２の周辺にフィルム積層部４を設けている。フ
ィルム積層部４は、ＦＰＣのカバーフィルムを積層した
ものであり、図１（ｃ）に示すように、チップコンデン
サ８の方に導電性接着剤５が流れないようにその厚さを
設定してある。これによって上述のチップコンデンサ８
のショートが防止される。
【００２４】図２は本発明の第二の実施例の要部を示す
平面図である。
平面図である。
【００２５】本実施例は、図１の実施例のフィルム積層
部４の代りに、絶縁性の樹脂製板材３４を設けたもので
あり、その他の部分の構成は図１の実施例と同じであ
る。従って、本実施例の作用および効果も図１の実施例
と同じである。
部４の代りに、絶縁性の樹脂製板材３４を設けたもので
あり、その他の部分の構成は図１の実施例と同じであ
る。従って、本実施例の作用および効果も図１の実施例
と同じである。
【００２６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の光ディス
ク装置の光学式ピックアップは、ＦＧのためのはんだパ
ターン部の周辺に絶縁性の材料による導電性接着剤防止
部品を設け、はんだパターン部に設けてある穴にねじを
挿入し、ケースに設けてある雌ねじ部にねじを螺合させ
て締付けた後、ねじとはんだパターン部とにまたがって
導電性接着剤を塗布することにより、ＦＧの取られかた
の不安定によるノイズの発生の防止できるという効果が
あり、従って再生系の検出能力を低下を防止して情報の
正確な再生を行うことができるという効果がある。
ク装置の光学式ピックアップは、ＦＧのためのはんだパ
ターン部の周辺に絶縁性の材料による導電性接着剤防止
部品を設け、はんだパターン部に設けてある穴にねじを
挿入し、ケースに設けてある雌ねじ部にねじを螺合させ
て締付けた後、ねじとはんだパターン部とにまたがって
導電性接着剤を塗布することにより、ＦＧの取られかた
の不安定によるノイズの発生の防止できるという効果が
あり、従って再生系の検出能力を低下を防止して情報の
正確な再生を行うことができるという効果がある。
【図１】本発明の第一の実施例を示す図で、（ａ）は平
面図、（ｂ）はＰ部の拡大平面図、（ｃ）はＰ部の拡大
側面図である。
面図、（ｂ）はＰ部の拡大平面図、（ｃ）はＰ部の拡大
側面図である。
【図２】本発明の第二の実施例の要部を示す平面図であ
る。
る。
【図３】従来の光ディスク装置の光学式ピックアップの
一例を示す図で、（ａ）は正面図、（ｂ）は平面図であ
る。
一例を示す図で、（ａ）は正面図、（ｂ）は平面図であ
る。
【図４】図３の例において、ＰＫＧ基板を取外した状態
を示す平面図である。
を示す平面図である。
【図５】図３の例の光学系を示す側面図である。
【図６】図５の光学系の正面図である。
【図７】図３の例のＣ−Ｃ断面図で、（ａ）は全体を示
す図、（ｂ）はＱ部の拡大図である。
す図、（ｂ）はＱ部の拡大図である。
【図８】図３の例においてＦＧが確実にとられていると
きの情報の再生信号の波形を示す波形図で、（ａ）は情
報の記録時の波形図、（ｂ）は情報の消去時の波形図で
ある。
きの情報の再生信号の波形を示す波形図で、（ａ）は情
報の記録時の波形図、（ｂ）は情報の消去時の波形図で
ある。
【図９】図３の例においてＦＧが不安定な場合のノイズ
を示す波形図で、（ａ）は情報の記録時に発生するノイ
ズの波形図、（ｂ）は情報の消去時に発生するノイズの
波形図である。
を示す波形図で、（ａ）は情報の記録時に発生するノイ
ズの波形図、（ｂ）は情報の消去時に発生するノイズの
波形図である。
１・２１ ＰＫＧ基板 ２・６・２２ はんだパターン部 ３・２３ ねじ ４ フィルム積層部 ５ 導電性接着剤 ７ ハイブリット集積回路（ＨＩＣ） ８ チップコンデンサ ９・１１・１３ 受光素子 １０ 半導体レーザ １２ ケース １５ 対物レンズ １６ 対物レンズ駆動装置 １７ 平凸レンズ １８ ウォラストンプリズム １９ 直角プリズム ２０ 凹面鏡 ２４ ねじロック ２５ ナイフエッジ ２６ コリメートレンズ ２７ 光ディスク ２８ １／４波長板 ２９・３１ 偏光ビームスプリッタ ３０ 雌ねじ部 ３２ プリフォーマット部 ３３ 記録信号 ３４ 樹脂製板材 ３５ ビームスプリッタ ３６ ノイズ
Claims (2)
- 【請求項１】 内部に光学系を収容し複数の雌ねじ部を
有するケースと、光源である半導体レーザの動作と光デ
ィスク装置の記録系および再生系の動作との制御を行う
ハイブリッドＩＣを搭載し前記雌ねじ部に対応する位置
に貫通穴を有し前記貫通穴の周囲にはんだパターン部を
設けたＰＫＧ基板と、前記ＰＫＧ基板の前記貫通穴を貫
通して前記ケースの前記雌ねじ部と螺合するねじとを備
える光ディスク装置の光学式ピックアップにおいて、前
記ねじを前記貫通穴を貫通させて前記雌ねじ部に締付け
た後、前記ねじと前記はんだパターン部とにまたがって
導電性接着剤を塗布することを含むことを特徴とする光
ディスク装置の光学式ピックアップ。 - 【請求項２】 はんだパターン部の周囲に絶縁性の材料
で形成した導電性接着剤防止部品を設けたことを特徴と
する請求項１記載の光ディスク装置の光学式ピックアッ
プ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4151643A JPH05342614A (ja) | 1992-06-11 | 1992-06-11 | 光ディスク装置の光学式ピックアップ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4151643A JPH05342614A (ja) | 1992-06-11 | 1992-06-11 | 光ディスク装置の光学式ピックアップ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05342614A true JPH05342614A (ja) | 1993-12-24 |
Family
ID=15523047
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4151643A Withdrawn JPH05342614A (ja) | 1992-06-11 | 1992-06-11 | 光ディスク装置の光学式ピックアップ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05342614A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013502002A (ja) * | 2009-08-10 | 2013-01-17 | アップル インコーポレイテッド | 電子装置の改竄を検出するメカニズム |
-
1992
- 1992-06-11 JP JP4151643A patent/JPH05342614A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013502002A (ja) * | 2009-08-10 | 2013-01-17 | アップル インコーポレイテッド | 電子装置の改竄を検出するメカニズム |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990831 |