JPH05342591A - 光ディスク再生方法及びその装置 - Google Patents
光ディスク再生方法及びその装置Info
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- JPH05342591A JPH05342591A JP4153998A JP15399892A JPH05342591A JP H05342591 A JPH05342591 A JP H05342591A JP 4153998 A JP4153998 A JP 4153998A JP 15399892 A JP15399892 A JP 15399892A JP H05342591 A JPH05342591 A JP H05342591A
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E60/00—Enabling technologies; Technologies with a potential or indirect contribution to GHG emissions mitigation
- Y02E60/10—Energy storage using batteries
Landscapes
- Signal Processing For Digital Recording And Reproducing (AREA)
- Optical Recording Or Reproduction (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 マークエッジ記録方式による記録マークの前
後エッジを独立して再生し、記録時補正では除去できな
いエッジ変動量を再生時に補正するようにしたものにお
いて、ＰＬＬ引込み用のＶＦＯエリアを長くすることな
くＰＬＬの確実かつ高速な引込みを可能とすること。 【構成】 ２つのＰＬＬ１，２を用いた前後エッジ独立
再生方式において、セクタフォーマット中のＩＤ部再生
時に、ＰＬＬ引込みまでは２つのＰＬＬ１，２に対して
各々前エッジ及び後エッジに対応した両信号を入力させ
て位相比較に供することで素早くかつ確実に引込みを行
わせ、ＰＬＬ１，２の引込み後には各々のＰＬＬ１，２
に対して前エッジ、後エッジに対応した信号の一方ずつ
を入力側に戻して、前エッジと後エッジとで独立してＩ
Ｄ部の情報の再生を行い、再生時にエッジ位置変動を補
正し得るようにした。
後エッジを独立して再生し、記録時補正では除去できな
いエッジ変動量を再生時に補正するようにしたものにお
いて、ＰＬＬ引込み用のＶＦＯエリアを長くすることな
くＰＬＬの確実かつ高速な引込みを可能とすること。 【構成】 ２つのＰＬＬ１，２を用いた前後エッジ独立
再生方式において、セクタフォーマット中のＩＤ部再生
時に、ＰＬＬ引込みまでは２つのＰＬＬ１，２に対して
各々前エッジ及び後エッジに対応した両信号を入力させ
て位相比較に供することで素早くかつ確実に引込みを行
わせ、ＰＬＬ１，２の引込み後には各々のＰＬＬ１，２
に対して前エッジ、後エッジに対応した信号の一方ずつ
を入力側に戻して、前エッジと後エッジとで独立してＩ
Ｄ部の情報の再生を行い、再生時にエッジ位置変動を補
正し得るようにした。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、情報がマークエッジ記
録方式により記録された光ディスクに対する光ディスク
再生方法及びその装置に関する。
録方式により記録された光ディスクに対する光ディスク
再生方法及びその装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、光ディスクにおいてデータを書
込む時には、光ディスク上へレーザ光を照射して熱を加
え、媒体に穴をあけたり、ディスク媒体の磁化方向を反
転させたり、或いは、ディスク媒体の結晶状態を変化さ
せることにより、データを記録するようにしている。
込む時には、光ディスク上へレーザ光を照射して熱を加
え、媒体に穴をあけたり、ディスク媒体の磁化方向を反
転させたり、或いは、ディスク媒体の結晶状態を変化さ
せることにより、データを記録するようにしている。
【０００３】ここに、光ディスクの記録方法の一つとし
て、記録マークの前エッジと後エッジとに各々符号語ビ
ットを対応させ、記録マークの長さが情報を担うように
した「マークエッジ記録方法」がある。この記録方法は
高密度記録化に適している反面、熱拡散の影響により記
録マークが長く伸びてしまうため、エッジ位置に正確さ
が要求される。
て、記録マークの前エッジと後エッジとに各々符号語ビ
ットを対応させ、記録マークの長さが情報を担うように
した「マークエッジ記録方法」がある。この記録方法は
高密度記録化に適している反面、熱拡散の影響により記
録マークが長く伸びてしまうため、エッジ位置に正確さ
が要求される。
【０００４】この点、記録時には記録パルスの補正を行
って、記録マークの熱の影響による伸び分であるエッジ
移動量を取り除く一方、このような記録時の補正だけで
は除去が困難なディスクの記録特性や装置の記録再生条
件の変化による固定分のエッジ変動量については再生時
に補正するようにすれば、情報の正確な記録再生が可能
となる。
って、記録マークの熱の影響による伸び分であるエッジ
移動量を取り除く一方、このような記録時の補正だけで
は除去が困難なディスクの記録特性や装置の記録再生条
件の変化による固定分のエッジ変動量については再生時
に補正するようにすれば、情報の正確な記録再生が可能
となる。
【０００５】このような観点から、再生時の補正方法と
して、記録マークの前エッジ及び後エッジに対応した信
号を各々独立して検出し、これらの信号を各々別個のＰ
ＬＬ（フェーズ・ロックド・ループ）により同期させ、
各々の同期信号から生成される検出窓により前後エッジ
を各々独立して再生するようにしたもの（以下、前後エ
ッジ独立再生方法）が特開平６１−２１４２７８号公報
に示されている。この再生方法によれば、記録時の補正
だけでは除去できないエッジ変動量を再生時に取り除け
るものとなる。
して、記録マークの前エッジ及び後エッジに対応した信
号を各々独立して検出し、これらの信号を各々別個のＰ
ＬＬ（フェーズ・ロックド・ループ）により同期させ、
各々の同期信号から生成される検出窓により前後エッジ
を各々独立して再生するようにしたもの（以下、前後エ
ッジ独立再生方法）が特開平６１−２１４２７８号公報
に示されている。この再生方法によれば、記録時の補正
だけでは除去できないエッジ変動量を再生時に取り除け
るものとなる。
【０００６】このような前後エッジ独立再生方法につい
て、図４及び図５を参照して、より詳細に説明する。ま
ず、光ピックアップにより検出した信号を２値化回路に
より２値化して再生パルスを得る。この再生パルスの立
上りに対応（即ち、記録マークの前エッジに対応）する
前エッジパルスと、再生パルスの立下りに対応（即ち、
記録マークの後エッジに対応）する後エッジパルスとに
分離する。これらの前、後エッジパルスを各々独立に別
チャネル信号として扱い、各々別個のＰＬＬ１，２によ
り同期させ、この同期信号から弁別器３，４によりデー
タ弁別用の検出窓を生成し、この検出窓内のエッジパル
スの有無を判定する。これらの動作を、前、後エッジパ
ルスについて独立して行った後、合成回路５で合成し、
復調器６により復調するというものである。
て、図４及び図５を参照して、より詳細に説明する。ま
ず、光ピックアップにより検出した信号を２値化回路に
より２値化して再生パルスを得る。この再生パルスの立
上りに対応（即ち、記録マークの前エッジに対応）する
前エッジパルスと、再生パルスの立下りに対応（即ち、
記録マークの後エッジに対応）する後エッジパルスとに
分離する。これらの前、後エッジパルスを各々独立に別
チャネル信号として扱い、各々別個のＰＬＬ１，２によ
り同期させ、この同期信号から弁別器３，４によりデー
タ弁別用の検出窓を生成し、この検出窓内のエッジパル
スの有無を判定する。これらの動作を、前、後エッジパ
ルスについて独立して行った後、合成回路５で合成し、
復調器６により復調するというものである。
【０００７】この再生方法によれば、図５に示すよう
に、記録マーク長が変化しても、前、後各々のエッジパ
ルスの間隔はほぼ一定に保たれるので、ディスクの記録
特性や装置の記録再生条件の変化によるエッジの変動を
再生時に補正できるものとなる。
に、記録マーク長が変化しても、前、後各々のエッジパ
ルスの間隔はほぼ一定に保たれるので、ディスクの記録
特性や装置の記録再生条件の変化によるエッジの変動を
再生時に補正できるものとなる。
【０００８】なお、通常、光ディスクのセクタフォーマ
ットには、ＶＦＯというＰＬＬ引込み用の連続データパ
ターンが設けられており、このＶＦＯパターンに基づき
ＰＬＬをロックさせてデータ再生用の同期信号を生成す
ることになる。
ットには、ＶＦＯというＰＬＬ引込み用の連続データパ
ターンが設けられており、このＶＦＯパターンに基づき
ＰＬＬをロックさせてデータ再生用の同期信号を生成す
ることになる。
【０００９】ちなみに、この種のディスクではセクタフ
ォーマットが規定されており、そのフォーマット構造と
しては種々のものが提案されているが、基本的には、ア
ドレス部、フラグ部、データ部及びバッファ部により構
成されている。現ＩＳＯ（国際標準化機構）の規格によ
れば、９０mm光磁気ディスクについては図６に示すよう
にセクタフォーマットが規格化され、１３０mm光磁気デ
ィスクについては図７（１０２４ユーザ・バイト用）又
は図８（５１２ユーザ・バイト用）に示すようにセクタ
フォーマットが規格化されている。これらは例えばプッ
シュプル法によりトラッキングエラー信号を検出する連
続サーボトラッキング方式（コンポジット・コンティニ
アス・トラッキング方式）のセクタフォーマットに相当
する。図中、主なエリアについて説明すると、ＳＭ（セ
クタマーク）はセクタの先頭を検出するためのエリアを
示し、ＶＦＯ１〜ＶＦＯ３はディスク回転に変動があっ
ても確実にデータを再生し得るようにするための連続的
な繰返しデータパターンで、このパターンにＰＬＬをロ
ックさせてデータを読出すためのクロックを生成するの
に用いられる。ＡＭ（アドレスマーク）はアドレスコー
ドデータの読出開始位置（同期位置）を示すためのもの
で、特殊コードパターンが挿入されている。ＳＹＮＣな
いしはｓｙｎｃはデータ部の同期信号用である。ＩＤは
アドレスを示し、ＣＲＣはＩＤ部誤り検出用コード用で
ある。ＯＤＦ（Ｏffset ＤetectionＦlag ＝鏡面部）は
プッシュプル法を用いるトラッキングエラー検出におけ
るオフセット検出用マーク領域であり、グルーブもプリ
フォーマットデータもない鏡面で構成されている。Ｇap
（ギャップ）は所定バイトの間データのない領域を示
し、Ｆ1ag は書込みの行われたことを表すフラグ領域を
示す。ＡＬＰＣ（ＡutoＬaser Ｐower Ｃontrol）はレ
ーザ光源のパワーレベルを制御するためのテスト部用の
ブランク領域を示す。
ォーマットが規定されており、そのフォーマット構造と
しては種々のものが提案されているが、基本的には、ア
ドレス部、フラグ部、データ部及びバッファ部により構
成されている。現ＩＳＯ（国際標準化機構）の規格によ
れば、９０mm光磁気ディスクについては図６に示すよう
にセクタフォーマットが規格化され、１３０mm光磁気デ
ィスクについては図７（１０２４ユーザ・バイト用）又
は図８（５１２ユーザ・バイト用）に示すようにセクタ
フォーマットが規格化されている。これらは例えばプッ
シュプル法によりトラッキングエラー信号を検出する連
続サーボトラッキング方式（コンポジット・コンティニ
アス・トラッキング方式）のセクタフォーマットに相当
する。図中、主なエリアについて説明すると、ＳＭ（セ
クタマーク）はセクタの先頭を検出するためのエリアを
示し、ＶＦＯ１〜ＶＦＯ３はディスク回転に変動があっ
ても確実にデータを再生し得るようにするための連続的
な繰返しデータパターンで、このパターンにＰＬＬをロ
ックさせてデータを読出すためのクロックを生成するの
に用いられる。ＡＭ（アドレスマーク）はアドレスコー
ドデータの読出開始位置（同期位置）を示すためのもの
で、特殊コードパターンが挿入されている。ＳＹＮＣな
いしはｓｙｎｃはデータ部の同期信号用である。ＩＤは
アドレスを示し、ＣＲＣはＩＤ部誤り検出用コード用で
ある。ＯＤＦ（Ｏffset ＤetectionＦlag ＝鏡面部）は
プッシュプル法を用いるトラッキングエラー検出におけ
るオフセット検出用マーク領域であり、グルーブもプリ
フォーマットデータもない鏡面で構成されている。Ｇap
（ギャップ）は所定バイトの間データのない領域を示
し、Ｆ1ag は書込みの行われたことを表すフラグ領域を
示す。ＡＬＰＣ（ＡutoＬaser Ｐower Ｃontrol）はレ
ーザ光源のパワーレベルを制御するためのテスト部用の
ブランク領域を示す。
【００１０】よって、ＶＦＯ１，ＶＦＯ２によりＩＤ部
のアドレスデータを読取るためのＰＬＬ引込みを行い、
ＶＦＯ３によりデータ部再生のためのＰＬＬ引込みを行
うことになる。
のアドレスデータを読取るためのＰＬＬ引込みを行い、
ＶＦＯ３によりデータ部再生のためのＰＬＬ引込みを行
うことになる。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】ところが、このような
従来の前後エッジ独立再生用に２つのＰＬＬ１，２を用
いる方法の場合、各々のＰＬＬ１，２の位相比較が片方
のエッジパルスでしかできないため、１つのＰＬＬでデ
ータ再生を行う場合に比して、位相比較回数が半減して
しまう。よって、この方法において２つのＰＬＬ１，２
を確実にロックさせるためには、１つのＰＬＬのみでデ
ータ再生を行う場合に比してＶＦＯエリアを長くする
（バイト数を増やす）必要がある。具体的には、光ディ
スクのセクタフォーマット内のＶＦＯエリアの長さを通
常の２倍以上にする必要があり、高密度記録化のために
はビットデンシティをより小さくしなければならないも
のとなってしまう。
従来の前後エッジ独立再生用に２つのＰＬＬ１，２を用
いる方法の場合、各々のＰＬＬ１，２の位相比較が片方
のエッジパルスでしかできないため、１つのＰＬＬでデ
ータ再生を行う場合に比して、位相比較回数が半減して
しまう。よって、この方法において２つのＰＬＬ１，２
を確実にロックさせるためには、１つのＰＬＬのみでデ
ータ再生を行う場合に比してＶＦＯエリアを長くする
（バイト数を増やす）必要がある。具体的には、光ディ
スクのセクタフォーマット内のＶＦＯエリアの長さを通
常の２倍以上にする必要があり、高密度記録化のために
はビットデンシティをより小さくしなければならないも
のとなってしまう。
【００１２】ちなみに、ＶＦＯはビット同期信号とも呼
ばれ、前述したようにシリアルデータのビットクロック
の周期と位相を検出する役割を持っており、フレーム同
期信号、データ信号に先立って設けられる重要な信号で
あるが、ユーザにとっては必要な情報ではないので、こ
のＶＦＯエリアは可能な限り少なくしたほうが好ましい
が、従来方式によると、これに反するものとなる。
ばれ、前述したようにシリアルデータのビットクロック
の周期と位相を検出する役割を持っており、フレーム同
期信号、データ信号に先立って設けられる重要な信号で
あるが、ユーザにとっては必要な情報ではないので、こ
のＶＦＯエリアは可能な限り少なくしたほうが好ましい
が、従来方式によると、これに反するものとなる。
【００１３】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明で
は、マークエッジ記録方式により光ディスク上に記録さ
れた記録マークの前エッジ及び後エッジに対応した信号
を各々独立して検出し、これらの信号から各々別個の２
つのＰＬＬによって同期信号を独立して生成し、各々の
同期信号に基づき前記光ディスクに記録された情報の再
生を行うようにした光ディスク再生方法において、前記
光ディスクにプリフォーマットされたセクタフォーマッ
ト中のＩＤ部再生時に、ＰＬＬが引込むまでは２つの前
記ＰＬＬに対して各々前エッジ及び後エッジに対応した
両信号を入力させ、これらのＰＬＬの引込み後には各々
のＰＬＬに対して前エッジ、後エッジに対応した信号の
一方ずつを入力側に戻して、前エッジと後エッジとで独
立してＩＤ部の情報の再生を行うようにした。
は、マークエッジ記録方式により光ディスク上に記録さ
れた記録マークの前エッジ及び後エッジに対応した信号
を各々独立して検出し、これらの信号から各々別個の２
つのＰＬＬによって同期信号を独立して生成し、各々の
同期信号に基づき前記光ディスクに記録された情報の再
生を行うようにした光ディスク再生方法において、前記
光ディスクにプリフォーマットされたセクタフォーマッ
ト中のＩＤ部再生時に、ＰＬＬが引込むまでは２つの前
記ＰＬＬに対して各々前エッジ及び後エッジに対応した
両信号を入力させ、これらのＰＬＬの引込み後には各々
のＰＬＬに対して前エッジ、後エッジに対応した信号の
一方ずつを入力側に戻して、前エッジと後エッジとで独
立してＩＤ部の情報の再生を行うようにした。
【００１４】請求項２記載の発明では、請求項１記載の
発明におけるＩＤ部の再生時だけでなく、これに加え
て、データ部再生時にも、ＰＬＬが引込むまでは２つの
前記ＰＬＬに対して各々前エッジ及び後エッジに対応し
た両信号を入力させ、これらのＰＬＬの引込み後には各
々のＰＬＬに対して前エッジ、後エッジに対応した信号
の一方ずつを入力側に戻して、前エッジと後エッジとで
独立してＩＤ部及びデータ部の情報の再生を行うように
した。
発明におけるＩＤ部の再生時だけでなく、これに加え
て、データ部再生時にも、ＰＬＬが引込むまでは２つの
前記ＰＬＬに対して各々前エッジ及び後エッジに対応し
た両信号を入力させ、これらのＰＬＬの引込み後には各
々のＰＬＬに対して前エッジ、後エッジに対応した信号
の一方ずつを入力側に戻して、前エッジと後エッジとで
独立してＩＤ部及びデータ部の情報の再生を行うように
した。
【００１５】一方、請求項３記載の発明では、ＩＤ部の
再生時とデータ部の再生時とで区別し、ＩＤ部再生時に
は２つの前記ＰＬＬ中の一方のＰＬＬのみを用いて、前
エッジ及び後エッジに対応した両信号を入力させてＩＤ
部の情報の再生を行う一方、データ部再生時には各々の
ＰＬＬに対して前エッジ、後エッジに対応した信号の一
方ずつを入力側に戻して、前エッジと後エッジとで独立
してデータ部の情報の再生を行うようにした。
再生時とデータ部の再生時とで区別し、ＩＤ部再生時に
は２つの前記ＰＬＬ中の一方のＰＬＬのみを用いて、前
エッジ及び後エッジに対応した両信号を入力させてＩＤ
部の情報の再生を行う一方、データ部再生時には各々の
ＰＬＬに対して前エッジ、後エッジに対応した信号の一
方ずつを入力側に戻して、前エッジと後エッジとで独立
してデータ部の情報の再生を行うようにした。
【００１６】請求項４記載の発明でも同様に、ＩＤ部の
再生時とデータ部の再生時とで区別するものとし、ＩＤ
部再生時には２つの前記ＰＬＬ中の一方のＰＬＬのみを
用いて、前エッジ及び後エッジに対応した両信号を入力
させてＩＤ部の情報の再生を行う一方、データ部再生時
にはＰＬＬが引込むまでは２つの前記ＰＬＬに対して各
々前エッジ及び後エッジに対応した両信号を入力させ、
これらのＰＬＬの引込み後には各々のＰＬＬに対して前
エッジ、後エッジに対応した信号の一方ずつを入力側に
戻して、前エッジと後エッジとで独立してデータ部の情
報の再生を行うようにした。
再生時とデータ部の再生時とで区別するものとし、ＩＤ
部再生時には２つの前記ＰＬＬ中の一方のＰＬＬのみを
用いて、前エッジ及び後エッジに対応した両信号を入力
させてＩＤ部の情報の再生を行う一方、データ部再生時
にはＰＬＬが引込むまでは２つの前記ＰＬＬに対して各
々前エッジ及び後エッジに対応した両信号を入力させ、
これらのＰＬＬの引込み後には各々のＰＬＬに対して前
エッジ、後エッジに対応した信号の一方ずつを入力側に
戻して、前エッジと後エッジとで独立してデータ部の情
報の再生を行うようにした。
【００１７】請求項５記載の発明では、請求項１又は２
記載の発明による再生方法を実施する再生装置として、
マークエッジ記録方式により光ディスク上に記録された
記録マークの前エッジ及び後エッジに対応した信号を各
々独立して検出し、これらの信号から各々別個に設けた
２つのＰＬＬによって同期信号を独立して生成し、各々
の同期信号に基づき前記光ディスクに記録された情報の
再生を行うようにした光ディスク再生装置において、前
記前エッジ及び後エッジに対応した両信号と前エッジの
みに対応した信号との何れか一方を選択して一方のＰＬ
Ｌに入力させる前エッジ用選択手段と、前記前エッジ及
び後エッジに対応した両信号と後エッジのみに対応した
信号との何れか一方を選択して他方のＰＬＬに入力させ
る後エッジ用選択手段とを設けたものとした。
記載の発明による再生方法を実施する再生装置として、
マークエッジ記録方式により光ディスク上に記録された
記録マークの前エッジ及び後エッジに対応した信号を各
々独立して検出し、これらの信号から各々別個に設けた
２つのＰＬＬによって同期信号を独立して生成し、各々
の同期信号に基づき前記光ディスクに記録された情報の
再生を行うようにした光ディスク再生装置において、前
記前エッジ及び後エッジに対応した両信号と前エッジの
みに対応した信号との何れか一方を選択して一方のＰＬ
Ｌに入力させる前エッジ用選択手段と、前記前エッジ及
び後エッジに対応した両信号と後エッジのみに対応した
信号との何れか一方を選択して他方のＰＬＬに入力させ
る後エッジ用選択手段とを設けたものとした。
【００１８】この際、請求項６記載の発明では、前エッ
ジ用選択手段及び後エッジ用選択手段のセレクト信号
を、ＰＬＬより出力されてＰＬＬ引込み完了を示すステ
ート信号とした。
ジ用選択手段及び後エッジ用選択手段のセレクト信号
を、ＰＬＬより出力されてＰＬＬ引込み完了を示すステ
ート信号とした。
【００１９】また、請求項７記載の発明では、請求項３
又は４記載の発明による再生方法を実施する再生装置と
して、マークエッジ記録方式により光ディスク上に記録
された記録マークの前エッジ及び後エッジに対応した信
号を各々独立して検出し、これらの信号から各々別個に
設けた２つのＰＬＬによって同期信号を独立して生成
し、各々の同期信号に基づき前記光ディスクに記録され
た情報の再生を行うようにした光ディスク再生装置にお
いて、前記前エッジ及び後エッジに対応した両信号と前
エッジ又は後エッジのみに対応した信号との何れか一方
を選択して一方のＰＬＬに入力させる前又は後エッジ用
選択手段と、前記一方のＰＬＬのみを用いて前エッジ及
び後エッジを再生したデータと２つのＰＬＬを用いて前
エッジと後エッジとで独立して再生したデータを合成し
たデータとの何れか一方を選択して出力する出力選択手
段とを設けたものとした。
又は４記載の発明による再生方法を実施する再生装置と
して、マークエッジ記録方式により光ディスク上に記録
された記録マークの前エッジ及び後エッジに対応した信
号を各々独立して検出し、これらの信号から各々別個に
設けた２つのＰＬＬによって同期信号を独立して生成
し、各々の同期信号に基づき前記光ディスクに記録され
た情報の再生を行うようにした光ディスク再生装置にお
いて、前記前エッジ及び後エッジに対応した両信号と前
エッジ又は後エッジのみに対応した信号との何れか一方
を選択して一方のＰＬＬに入力させる前又は後エッジ用
選択手段と、前記一方のＰＬＬのみを用いて前エッジ及
び後エッジを再生したデータと２つのＰＬＬを用いて前
エッジと後エッジとで独立して再生したデータを合成し
たデータとの何れか一方を選択して出力する出力選択手
段とを設けたものとした。
【００２０】一方、請求項８記載の発明では、マークエ
ッジ記録方式により光ディスク上に記録された記録マー
クの前エッジ及び後エッジに対応した信号を検出し、こ
れらの信号から１つ又は２つのＰＬＬによって同期信号
を生成し、この同期信号に基づき前記光ディスクに記録
された情報の再生を行うようにした光ディスク再生方法
において、ＰＬＬ引込み用のＶＦＯパターンの記録マー
クをそのエッジ間隔が再生光ビームの半値ビーム径の
０．５〜１．５倍であってクロック周期の２倍となるよ
うに記録しておき、前記記録マークの再生信号における
エッジの中間点に対応した検出信号を単独で用い、又
は、この検出信号と前エッジ及び後エッジに対応した両
信号とを併用して、１つ又は２つのＰＬＬの引込みを行
い、その引込み後に前エッジ及び後エッジに対応した両
信号によりこれらのＰＬＬの引込み状態を維持しながら
前エッジ、後エッジに対応した信号を用いて情報の再生
を行うようにした。
ッジ記録方式により光ディスク上に記録された記録マー
クの前エッジ及び後エッジに対応した信号を検出し、こ
れらの信号から１つ又は２つのＰＬＬによって同期信号
を生成し、この同期信号に基づき前記光ディスクに記録
された情報の再生を行うようにした光ディスク再生方法
において、ＰＬＬ引込み用のＶＦＯパターンの記録マー
クをそのエッジ間隔が再生光ビームの半値ビーム径の
０．５〜１．５倍であってクロック周期の２倍となるよ
うに記録しておき、前記記録マークの再生信号における
エッジの中間点に対応した検出信号を単独で用い、又
は、この検出信号と前エッジ及び後エッジに対応した両
信号とを併用して、１つ又は２つのＰＬＬの引込みを行
い、その引込み後に前エッジ及び後エッジに対応した両
信号によりこれらのＰＬＬの引込み状態を維持しながら
前エッジ、後エッジに対応した信号を用いて情報の再生
を行うようにした。
【００２１】請求項９記載の発明では、マークエッジ記
録方式により光ディスク上に記録された記録マークの前
エッジ及び後エッジに対応した信号を検出し、これらの
信号から２つのＰＬＬによって同期信号を生成し、この
同期信号に基づき前記光ディスクに記録された情報の再
生を行うようにした光ディスク再生方法において、ＰＬ
Ｌ引込み用のＶＦＯパターンの記録マークをそのエッジ
間隔が再生光ビームの半値ビーム径の０．５〜１．５倍
であってクロック周期の２倍となるように記録してお
き、前記記録マークの再生信号におけるエッジの中間点
に対応した検出信号を用いて２つのＰＬＬの引込みを同
時に行い、その引込み後に前エッジ及び後エッジに対応
した信号を分離して各々のＰＬＬの引込み状態を維持し
ながら前エッジ、後エッジに各々対応した信号を再生し
た後、元の一連のビット列を再合成して情報の再生を行
うようにした。
録方式により光ディスク上に記録された記録マークの前
エッジ及び後エッジに対応した信号を検出し、これらの
信号から２つのＰＬＬによって同期信号を生成し、この
同期信号に基づき前記光ディスクに記録された情報の再
生を行うようにした光ディスク再生方法において、ＰＬ
Ｌ引込み用のＶＦＯパターンの記録マークをそのエッジ
間隔が再生光ビームの半値ビーム径の０．５〜１．５倍
であってクロック周期の２倍となるように記録してお
き、前記記録マークの再生信号におけるエッジの中間点
に対応した検出信号を用いて２つのＰＬＬの引込みを同
時に行い、その引込み後に前エッジ及び後エッジに対応
した信号を分離して各々のＰＬＬの引込み状態を維持し
ながら前エッジ、後エッジに各々対応した信号を再生し
た後、元の一連のビット列を再合成して情報の再生を行
うようにした。
【００２２】さらに、請求項１０記載の発明では、マー
クエッジ記録方式により光ディスク上に記録された記録
マークの前エッジ及び後エッジに対応した信号を各々独
立して検出し、これらの信号から各々別個の２つのＰＬ
Ｌによって同期信号を独立して生成し、各々の同期信号
に基づき前記光ディスクに記録された情報の再生を行う
ようにした光ディスク再生方法において、フルＲＯＭ又
はパーシャルＲＯＭのＲＯＭ部再生時に、２つの前記Ｐ
ＬＬ中の一方のＰＬＬのみを用いて、前エッジ及び後エ
ッジに対応した両信号を入力させてＲＯＭ部の情報の再
生を行うようにした。
クエッジ記録方式により光ディスク上に記録された記録
マークの前エッジ及び後エッジに対応した信号を各々独
立して検出し、これらの信号から各々別個の２つのＰＬ
Ｌによって同期信号を独立して生成し、各々の同期信号
に基づき前記光ディスクに記録された情報の再生を行う
ようにした光ディスク再生方法において、フルＲＯＭ又
はパーシャルＲＯＭのＲＯＭ部再生時に、２つの前記Ｐ
ＬＬ中の一方のＰＬＬのみを用いて、前エッジ及び後エ
ッジに対応した両信号を入力させてＲＯＭ部の情報の再
生を行うようにした。
【００２３】
【作用】請求項１記載の発明においては、ＩＤ部を再生
する際、ＰＬＬが引込む前は２つのＰＬＬに各々前エッ
ジ及び後エッジに対応した両信号を入力させるので、
前、後エッジパルスの両方で位相比較が可能となり、確
実かつ素早くＰＬＬの引込みが行われる。よって、ＩＤ
部におけるＰＬＬ引込み用のＶＦＯエリアを長くする必
要はない。ＰＬＬが引込んだ後は、各々のＰＬＬで前エ
ッジ、後エッジに対応した各々の信号を独立して再生す
ることにより、前後エッジ独立再生方式によるエッジ変
動を補正した再生が行われる。
する際、ＰＬＬが引込む前は２つのＰＬＬに各々前エッ
ジ及び後エッジに対応した両信号を入力させるので、
前、後エッジパルスの両方で位相比較が可能となり、確
実かつ素早くＰＬＬの引込みが行われる。よって、ＩＤ
部におけるＰＬＬ引込み用のＶＦＯエリアを長くする必
要はない。ＰＬＬが引込んだ後は、各々のＰＬＬで前エ
ッジ、後エッジに対応した各々の信号を独立して再生す
ることにより、前後エッジ独立再生方式によるエッジ変
動を補正した再生が行われる。
【００２４】請求項２記載の発明においては、請求項１
記載の発明によるＩＤ部再生に加え、データ部再生につ
いても同様に、ＰＬＬが引込むまでは２つのＰＬＬに各
々前エッジ及び後エッジに対応した両信号を入力させる
ので、確実かつ素早くＰＬＬの引込みが行われる。よっ
て、データ部におけるＰＬＬ引込み用のＶＦＯエリアを
長くする必要はない。ＰＬＬが引込んだ後は、各々のＰ
ＬＬで前エッジ、後エッジに対応した各々の信号を独立
して再生することにより、前後エッジ独立再生方式によ
るエッジ変動を補正した再生が行われる。
記載の発明によるＩＤ部再生に加え、データ部再生につ
いても同様に、ＰＬＬが引込むまでは２つのＰＬＬに各
々前エッジ及び後エッジに対応した両信号を入力させる
ので、確実かつ素早くＰＬＬの引込みが行われる。よっ
て、データ部におけるＰＬＬ引込み用のＶＦＯエリアを
長くする必要はない。ＰＬＬが引込んだ後は、各々のＰ
ＬＬで前エッジ、後エッジに対応した各々の信号を独立
して再生することにより、前後エッジ独立再生方式によ
るエッジ変動を補正した再生が行われる。
【００２５】請求項３記載の発明においては、ＩＤ部を
再生する際には、一方のＰＬＬのみを用い、これに前エ
ッジ及び後エッジに対応した両信号を入力させて行う
が、ＩＤ部は光ディスク製造時に予めプリフォーマット
されているので、エッジ変動が殆どないため、前、後エ
ッジを独立して再生しなくても、支障なく再生できる。
一方、エッジ変動を生じ得るデータ部を再生する際に
は、２つのＰＬＬに各々前エッジ、後エッジに対応した
信号の一方ずつを入力させて独立再生することにより、
前後エッジ独立再生方式によるエッジ変動を補正した再
生が行われる。
再生する際には、一方のＰＬＬのみを用い、これに前エ
ッジ及び後エッジに対応した両信号を入力させて行う
が、ＩＤ部は光ディスク製造時に予めプリフォーマット
されているので、エッジ変動が殆どないため、前、後エ
ッジを独立して再生しなくても、支障なく再生できる。
一方、エッジ変動を生じ得るデータ部を再生する際に
は、２つのＰＬＬに各々前エッジ、後エッジに対応した
信号の一方ずつを入力させて独立再生することにより、
前後エッジ独立再生方式によるエッジ変動を補正した再
生が行われる。
【００２６】請求項４記載の発明においては、ＩＤ部を
再生する際には、請求項３記載の発明の場合と同様に、
一方のＰＬＬのみを用い、これに前エッジ及び後エッジ
に対応した両信号を入力させて行うが、ＩＤ部は光ディ
スク製造時に予めプリフォーマットされているので、エ
ッジ変動が殆どないため、前、後エッジを独立して再生
しなくても、支障なく再生できる。一方、エッジ変動を
生じ得るデータ部を再生する際には、請求項２記載の発
明の場合と同様に、ＰＬＬが引込むまでは２つのＰＬＬ
に各々前エッジ及び後エッジに対応した両信号を入力さ
せるので、確実かつ素早くＰＬＬの引込みが行われる。
よって、データ部におけるＰＬＬ引込み用のＶＦＯエリ
アを長くする必要はない。ＰＬＬが引込んだ後は、各々
のＰＬＬで前エッジ、後エッジに対応した各々の信号を
独立して再生することにより、前後エッジ独立再生方式
によるエッジ変動を補正した再生が行われる。
再生する際には、請求項３記載の発明の場合と同様に、
一方のＰＬＬのみを用い、これに前エッジ及び後エッジ
に対応した両信号を入力させて行うが、ＩＤ部は光ディ
スク製造時に予めプリフォーマットされているので、エ
ッジ変動が殆どないため、前、後エッジを独立して再生
しなくても、支障なく再生できる。一方、エッジ変動を
生じ得るデータ部を再生する際には、請求項２記載の発
明の場合と同様に、ＰＬＬが引込むまでは２つのＰＬＬ
に各々前エッジ及び後エッジに対応した両信号を入力さ
せるので、確実かつ素早くＰＬＬの引込みが行われる。
よって、データ部におけるＰＬＬ引込み用のＶＦＯエリ
アを長くする必要はない。ＰＬＬが引込んだ後は、各々
のＰＬＬで前エッジ、後エッジに対応した各々の信号を
独立して再生することにより、前後エッジ独立再生方式
によるエッジ変動を補正した再生が行われる。
【００２７】請求項５記載の発明においては、前エッジ
用選択手段及び後エッジ用選択手段により、前エッジ及
び後とエッジに対応した両信号、又は、その一方の信号
のみを選択してＰＬＬに入力させるので、極めて簡単な
構成で請求項１，２記載の発明の再生方法が実現され
る。
用選択手段及び後エッジ用選択手段により、前エッジ及
び後とエッジに対応した両信号、又は、その一方の信号
のみを選択してＰＬＬに入力させるので、極めて簡単な
構成で請求項１，２記載の発明の再生方法が実現され
る。
【００２８】この際、請求項６記載の発明においては、
ＰＬＬ引込み完了を示すステート信号をこれらの選択手
段のセレクト信号とするので、ＰＬＬ引込み後、確実に
ＰＬＬの入力切換えが行われる。
ＰＬＬ引込み完了を示すステート信号をこれらの選択手
段のセレクト信号とするので、ＰＬＬ引込み後、確実に
ＰＬＬの入力切換えが行われる。
【００２９】請求項７記載の発明においては、ＰＬＬの
入力を切換える前又は後エッジ用選択手段と、一方のＰ
ＬＬのみを用いて再生したデータと２つのＰＬＬを用い
て再生し合成したデータとの出力を選択切換えする出力
選択手段とを備えることにより、極めて簡単な構成で請
求項３，４記載の発明の再生方法が実現される。
入力を切換える前又は後エッジ用選択手段と、一方のＰ
ＬＬのみを用いて再生したデータと２つのＰＬＬを用い
て再生し合成したデータとの出力を選択切換えする出力
選択手段とを備えることにより、極めて簡単な構成で請
求項３，４記載の発明の再生方法が実現される。
【００３０】一方、請求項８記載の発明においては、元
の再生信号を１階微分した信号を用いてクロックを検出
することになるので、時定数も小さく、ＰＬＬを高速か
つ確実に引込み得るものとなり、実質的に情報の記録密
度の高いものとなる。
の再生信号を１階微分した信号を用いてクロックを検出
することになるので、時定数も小さく、ＰＬＬを高速か
つ確実に引込み得るものとなり、実質的に情報の記録密
度の高いものとなる。
【００３１】請求項９記載の発明においても同様であ
り、クロックを高速で引込むことが可能なため、ＰＬＬ
引込み用のＶＦＯエリアは短くてよいものとなる。ま
た、情報信号の再生も正確に行われるので、実質的に情
報の記録密度の高いものとなる。
り、クロックを高速で引込むことが可能なため、ＰＬＬ
引込み用のＶＦＯエリアは短くてよいものとなる。ま
た、情報信号の再生も正確に行われるので、実質的に情
報の記録密度の高いものとなる。
【００３２】さらに、請求項１０記載の発明において
は、フルＲＯＭ又はパーシャルＲＯＭのＲＯＭ部の再生
時には、一方のＰＬＬのみを用い、前エッジ及び後エッ
ジに対応した両信号を入力させて再生するが、これらの
データ部は光ディスク製造時に予めプリフォーマットさ
れているので、エッジ位置変動が殆どないため、前、後
エッジを独立して再生しなくても、支障なく再生でき
る。
は、フルＲＯＭ又はパーシャルＲＯＭのＲＯＭ部の再生
時には、一方のＰＬＬのみを用い、前エッジ及び後エッ
ジに対応した両信号を入力させて再生するが、これらの
データ部は光ディスク製造時に予めプリフォーマットさ
れているので、エッジ位置変動が殆どないため、前、後
エッジを独立して再生しなくても、支障なく再生でき
る。
【００３３】
【実施例】本発明の第一の実施例を図１に基づいて説明
する。図４で示した部分と同一部分は同一符号を用いて
示す。本実施例では、ＰＬＬ１，２の引込み前において
は、これらの２つのＰＬＬ１，２の両方に、前エッジ及
び後エッジに対応した両信号（両エッジパルス）を入力
させる一方、ＰＬＬ１，２の引込み後にはＰＬＬ１に対
しては前エッジに対応した信号（前エッジパルス）のみ
を入力させ、ＰＬＬ２に対しては後エッジに対応した信
号（後エッジパルス）のみを入力させて、前、後エッジ
を独立して再生させるようにしたものである。このよう
な再生方法によれば、ＰＬＬ１，２がロック（引込み完
了）するまでは、前、後エッジパルスの両方を用いて位
相比較を行えるので、確実かつ素早くＰＬＬ１，２を引
込ませることができる。このため、ＰＬＬ引込み用のＶ
ＦＯエリアを長くする必要のないものとなる。また、Ｐ
ＬＬ引込み後には、前後エッジ独立再生方式に準じて、
前、後エッジパルスを独立して再生するので、エッジ位
置の変動を再生時に補正できるものとなる。
する。図４で示した部分と同一部分は同一符号を用いて
示す。本実施例では、ＰＬＬ１，２の引込み前において
は、これらの２つのＰＬＬ１，２の両方に、前エッジ及
び後エッジに対応した両信号（両エッジパルス）を入力
させる一方、ＰＬＬ１，２の引込み後にはＰＬＬ１に対
しては前エッジに対応した信号（前エッジパルス）のみ
を入力させ、ＰＬＬ２に対しては後エッジに対応した信
号（後エッジパルス）のみを入力させて、前、後エッジ
を独立して再生させるようにしたものである。このよう
な再生方法によれば、ＰＬＬ１，２がロック（引込み完
了）するまでは、前、後エッジパルスの両方を用いて位
相比較を行えるので、確実かつ素早くＰＬＬ１，２を引
込ませることができる。このため、ＰＬＬ引込み用のＶ
ＦＯエリアを長くする必要のないものとなる。また、Ｐ
ＬＬ引込み後には、前後エッジ独立再生方式に準じて、
前、後エッジパルスを独立して再生するので、エッジ位
置の変動を再生時に補正できるものとなる。
【００３４】このような再生方法を、セクタフォーマッ
トのＩＤ部の再生時に行うようにしてもよく（請求項１
記載の発明に相当）、さらには、ＩＤ部に加え、データ
部の再生時にも行うようにしてもよい（請求項２記載の
発明に相当）。前者によれば、ＩＤ部用のＶＦＯ１，Ｖ
ＦＯ２エリアを長くする必要がなく、後者によれば、こ
れに加えて、データ部用のＶＦＯ３エリアを長くする必
要のないものとなる。
トのＩＤ部の再生時に行うようにしてもよく（請求項１
記載の発明に相当）、さらには、ＩＤ部に加え、データ
部の再生時にも行うようにしてもよい（請求項２記載の
発明に相当）。前者によれば、ＩＤ部用のＶＦＯ１，Ｖ
ＦＯ２エリアを長くする必要がなく、後者によれば、こ
れに加えて、データ部用のＶＦＯ３エリアを長くする必
要のないものとなる。
【００３５】これらの方法を実施する上で、構成的に
は、図４に示した前後エッジ独立再生方式の構成に加
え、各々、前エッジ用選択手段、後エッジ用選択手段と
なるセレクタ７，８を各々のＰＬＬ１，２の前段に設け
ればよい（請求項５記載の発明に相当）。ここに、これ
らのセレクタ７，８の前段には前後エッジパルス分離回
路９が設けられている。これにより、前記セレクタ７に
はエッジパルス（前エッジ及び後エッジに対応した両信
号）とこの前後エッジパルス分離回路９により分離され
た前エッジパルスとが入力されており、その何れか一方
のみを選択してＰＬＬ１に入力させるものである。同様
に、前記セレクタ８にはエッジパルスと前後エッジパル
ス分離回路９により分離された後エッジパルスとが入力
されており、その何れか一方のみを選択してＰＬＬ２に
入力させるものである。これらのセレクタ７，８のセレ
クト信号としては、ＰＬＬ１，２より出力されるＰＬＬ
引込み完了を示すステート信号が用いられており（請求
項６記載の発明に相当）、ＰＬＬ引込み完了後にＰＬＬ
１，２に対する入力切換えが確実に行われる。
は、図４に示した前後エッジ独立再生方式の構成に加
え、各々、前エッジ用選択手段、後エッジ用選択手段と
なるセレクタ７，８を各々のＰＬＬ１，２の前段に設け
ればよい（請求項５記載の発明に相当）。ここに、これ
らのセレクタ７，８の前段には前後エッジパルス分離回
路９が設けられている。これにより、前記セレクタ７に
はエッジパルス（前エッジ及び後エッジに対応した両信
号）とこの前後エッジパルス分離回路９により分離され
た前エッジパルスとが入力されており、その何れか一方
のみを選択してＰＬＬ１に入力させるものである。同様
に、前記セレクタ８にはエッジパルスと前後エッジパル
ス分離回路９により分離された後エッジパルスとが入力
されており、その何れか一方のみを選択してＰＬＬ２に
入力させるものである。これらのセレクタ７，８のセレ
クト信号としては、ＰＬＬ１，２より出力されるＰＬＬ
引込み完了を示すステート信号が用いられており（請求
項６記載の発明に相当）、ＰＬＬ引込み完了後にＰＬＬ
１，２に対する入力切換えが確実に行われる。
【００３６】つづいて、本発明の第二の実施例を図２に
より説明する。本実施例は、光ディスクにおいて、ＩＤ
部はディスク製造時に予めプリフォーマットされてお
り、エッジ位置の変動が殆どない点に着目し、データ部
の再生時とは処理を異ならせるようにしたものである。
より説明する。本実施例は、光ディスクにおいて、ＩＤ
部はディスク製造時に予めプリフォーマットされてお
り、エッジ位置の変動が殆どない点に着目し、データ部
の再生時とは処理を異ならせるようにしたものである。
【００３７】まず、ＩＤ部についてはエッジ位置に変動
が殆どないため、その再生に際して、前エッジと後エッ
ジとを独立に再生せず、通常のように１つのＰＬＬ１
（又は、ＰＬＬ２）のみで再生しても、正確に再生し得
る。そして、エッジ位置の変動を生じ得るデータ部の再
生時のみ、２つのＰＬＬ１，２を用いて、前後エッジ独
立再生方式により再生することにより、そのエッジ変動
を補正した再生ができる（請求項３記載の発明に相
当）。このような再生方法によれば、ＩＤ部内のＶＦＯ
１，ＶＦＯ２エリアのバイト数を増やす必要のないもの
となる。つまり、ＩＤ部の再生時には、前後エッジパル
スを分離せず、セレクタ７により一方のＰＬＬ１に与
え、このＰＬＬ１、弁別器３のみを用いてデータを再生
し、これを出力選択手段となるセレクタ１０で選択出力
し、復調器６で復調すればよい。一方、データの再生時
には、エッジパルスを前後エッジパルス分離回路９によ
り分離し、前エッジパルスはセレクタ７を介してＰＬＬ
１に入力させ、後エッジパルスはＰＬＬ２に入力させ、
各々弁別器３，４を用いてデータを独立して検出し、こ
れらを合成回路５で合成した結果をセレクタ１０で選択
して復調器６に出力させ、復調すればよい。
が殆どないため、その再生に際して、前エッジと後エッ
ジとを独立に再生せず、通常のように１つのＰＬＬ１
（又は、ＰＬＬ２）のみで再生しても、正確に再生し得
る。そして、エッジ位置の変動を生じ得るデータ部の再
生時のみ、２つのＰＬＬ１，２を用いて、前後エッジ独
立再生方式により再生することにより、そのエッジ変動
を補正した再生ができる（請求項３記載の発明に相
当）。このような再生方法によれば、ＩＤ部内のＶＦＯ
１，ＶＦＯ２エリアのバイト数を増やす必要のないもの
となる。つまり、ＩＤ部の再生時には、前後エッジパル
スを分離せず、セレクタ７により一方のＰＬＬ１に与
え、このＰＬＬ１、弁別器３のみを用いてデータを再生
し、これを出力選択手段となるセレクタ１０で選択出力
し、復調器６で復調すればよい。一方、データの再生時
には、エッジパルスを前後エッジパルス分離回路９によ
り分離し、前エッジパルスはセレクタ７を介してＰＬＬ
１に入力させ、後エッジパルスはＰＬＬ２に入力させ、
各々弁別器３，４を用いてデータを独立して検出し、こ
れらを合成回路５で合成した結果をセレクタ１０で選択
して復調器６に出力させ、復調すればよい。
【００３８】さらに、この際、データ部の再生時に、Ｐ
ＬＬ引込みまでは２つのＰＬＬ１，２の両方に対して、
前エッジパルス、後エッジパルスの両方を入力させ、Ｐ
ＬＬ引込み後には、ＰＬＬ１に対しては前エッジパルス
のみを入力させる一方、ＰＬＬ２に対しては後エッジパ
ルスのみを入力させて、前後エッジを独立して再生する
ようにしてもよい（請求項４記載の発明に相当）。これ
によれば、ＩＤ部用のＶＦＯ１，ＶＦＯ２エリアだけで
なく、データ部用のＶＦＯ３エリアも長くする必要のな
いものとなる。
ＬＬ引込みまでは２つのＰＬＬ１，２の両方に対して、
前エッジパルス、後エッジパルスの両方を入力させ、Ｐ
ＬＬ引込み後には、ＰＬＬ１に対しては前エッジパルス
のみを入力させる一方、ＰＬＬ２に対しては後エッジパ
ルスのみを入力させて、前後エッジを独立して再生する
ようにしてもよい（請求項４記載の発明に相当）。これ
によれば、ＩＤ部用のＶＦＯ１，ＶＦＯ２エリアだけで
なく、データ部用のＶＦＯ３エリアも長くする必要のな
いものとなる。
【００３９】なお、これらの再生方法を実施する上で、
セレクタ７に代えて、セレクタ８を用い、ＩＤ部の再生
用にＰＬＬ２側を用いるようにしてもよい。
セレクタ７に代えて、セレクタ８を用い、ＩＤ部の再生
用にＰＬＬ２側を用いるようにしてもよい。
【００４０】また、フルＲＯＭやパーシャルＲＯＭのＲ
ＯＭ部に着目した場合も、これらのデータ部は、ディス
ク製造時に予めプリフォーマットされており、エッジ位
置の変動が殆どないので、上記のＩＤ部再生方法を応用
できる。即ち、フルＲＯＭやパーシャルＲＯＭのＲＯＭ
部の再生時には、一方のＰＬＬ１（又は、ＰＬＬ２）の
みを用い、前エッジパルス、後エッジパルスの両方を入
力させて再生するようにすればよい（請求項１０記載の
発明に相当）。これにより、ＶＦＯエリアを長くとって
おく必要がないものとなる。
ＯＭ部に着目した場合も、これらのデータ部は、ディス
ク製造時に予めプリフォーマットされており、エッジ位
置の変動が殆どないので、上記のＩＤ部再生方法を応用
できる。即ち、フルＲＯＭやパーシャルＲＯＭのＲＯＭ
部の再生時には、一方のＰＬＬ１（又は、ＰＬＬ２）の
みを用い、前エッジパルス、後エッジパルスの両方を入
力させて再生するようにすればよい（請求項１０記載の
発明に相当）。これにより、ＶＦＯエリアを長くとって
おく必要がないものとなる。
【００４１】さらに、本発明の第三の実施例を図３を参
照して説明する。まず、図３（ａ）に光ディスク上に記
録された情報信号の一例を示す。ＶＦＯは前述したよう
にビット同期信号とも呼ばれ、シリアルデータのビット
クロックの周期と位相を検出する役割を持ち、フレーム
同期信号、情報信号に先立って設けられる。このような
クロックの周期と位相を検出する方法として、通常、Ｐ
ＬＬが多用されているが、クロックの周期と位相の検出
を高速かつ確実に行うためには、クロックの周期と位相
を含んだ情報がなるべく頻繁に出現する情報パターンを
ＶＦＯに用いることが効果的である。同図（ｂ）にＶＦ
Ｏパターンとして好ましい例を示す。同図（ｂ）に示す
ＶＦＯパターン情報は、同図（ｃ）で示すように、ビッ
ト“１”で２値の状態が反転する形態（ＮＲＺＩ＝Ｎon
Ｒeturn to Ｚro Ｉnverted）で、同図（ｄ）に示すよ
うに、光ディスクの情報トラックに沿って記録する際
に、記録マークＭ1 ，Ｍ2 ，Ｍ3 ，Ｍ4 ，〜と非マーク
（記録マーク間）との遷移を繰返したパターンとなる。
照して説明する。まず、図３（ａ）に光ディスク上に記
録された情報信号の一例を示す。ＶＦＯは前述したよう
にビット同期信号とも呼ばれ、シリアルデータのビット
クロックの周期と位相を検出する役割を持ち、フレーム
同期信号、情報信号に先立って設けられる。このような
クロックの周期と位相を検出する方法として、通常、Ｐ
ＬＬが多用されているが、クロックの周期と位相の検出
を高速かつ確実に行うためには、クロックの周期と位相
を含んだ情報がなるべく頻繁に出現する情報パターンを
ＶＦＯに用いることが効果的である。同図（ｂ）にＶＦ
Ｏパターンとして好ましい例を示す。同図（ｂ）に示す
ＶＦＯパターン情報は、同図（ｃ）で示すように、ビッ
ト“１”で２値の状態が反転する形態（ＮＲＺＩ＝Ｎon
Ｒeturn to Ｚro Ｉnverted）で、同図（ｄ）に示すよ
うに、光ディスクの情報トラックに沿って記録する際
に、記録マークＭ1 ，Ｍ2 ，Ｍ3 ，Ｍ4 ，〜と非マーク
（記録マーク間）との遷移を繰返したパターンとなる。
【００４２】ここに、ＰＬＬ引込み用のＶＦＯパターン
のエッジ間隔（マーク長さ）としては、再生光ビームＢ
の半値ビーム径の０．５〜１．５倍として記録するのが
よい。なお、半値ビーム径はレーザ光波長を集光レンズ
の開口数で除した数値の０．４〜０．７倍で与えられ
る。即ち、図３において、再生光ビームＢを矢印方向に
走査させてＶＦＯパターンを再生した時、同図（ｅ）に
示すように正弦波形に近い再生波形Ｓ1 が得られ、この
再生波形Ｓ1 の平均レベルＬ1 を閾値として２値化する
だけで、容易に記録マークＭの前エッジと後エッジとを
正確に検出できる。記録マークＭの長さと非マークの長
さとは、記録条件（記録光パワー、記録パルスデューテ
ィ比のずれなど）により正確にコントロールできていな
い場合が発生しやすいが、記録マークＭの長さを再生光
ビームＢの半値ビーム径の０．５〜１．５倍に選択設定
しておくと、２次高調波成分が少なく再生されるので、
再生波形が正弦波形に近くなる。よって、前述した方法
で２値化するだけで記録マークＭの前エッジと後エッジ
との位相のずれを少なくすることができる。同図（ｅ
１）は前エッジに対応したパルス列、同図（ｅ２）は後
エッジに対応したパルス列、同図（ｅ３）はこれらを合
成した前後両エッジに対応したパルス列を示す。この同
図（ｅ３）に示すパルス列を用いれば、クロックの周期
と位相の検出に必要な情報が高い頻度で出現するので、
高速かつ確実にクロックを検出することができる。
のエッジ間隔（マーク長さ）としては、再生光ビームＢ
の半値ビーム径の０．５〜１．５倍として記録するのが
よい。なお、半値ビーム径はレーザ光波長を集光レンズ
の開口数で除した数値の０．４〜０．７倍で与えられ
る。即ち、図３において、再生光ビームＢを矢印方向に
走査させてＶＦＯパターンを再生した時、同図（ｅ）に
示すように正弦波形に近い再生波形Ｓ1 が得られ、この
再生波形Ｓ1 の平均レベルＬ1 を閾値として２値化する
だけで、容易に記録マークＭの前エッジと後エッジとを
正確に検出できる。記録マークＭの長さと非マークの長
さとは、記録条件（記録光パワー、記録パルスデューテ
ィ比のずれなど）により正確にコントロールできていな
い場合が発生しやすいが、記録マークＭの長さを再生光
ビームＢの半値ビーム径の０．５〜１．５倍に選択設定
しておくと、２次高調波成分が少なく再生されるので、
再生波形が正弦波形に近くなる。よって、前述した方法
で２値化するだけで記録マークＭの前エッジと後エッジ
との位相のずれを少なくすることができる。同図（ｅ
１）は前エッジに対応したパルス列、同図（ｅ２）は後
エッジに対応したパルス列、同図（ｅ３）はこれらを合
成した前後両エッジに対応したパルス列を示す。この同
図（ｅ３）に示すパルス列を用いれば、クロックの周期
と位相の検出に必要な情報が高い頻度で出現するので、
高速かつ確実にクロックを検出することができる。
【００４３】ちなみに、記録マークＭの長さを再生光ビ
ームＢの半値ビーム径の０．５倍以下に設定すると、再
生信号の振幅が小さくなり過ぎ、Ｓ／Ｎ比が低下するの
で好ましくない。また、記録マークＭの長さを再生光ビ
ームＢの半値ビーム径の１．５倍以上に設定すると、２
次高調波成分が多くなり、前後エッジの位相差が大きく
なる場合を生ずるので、汎用性に欠け、好ましくない。
ームＢの半値ビーム径の０．５倍以下に設定すると、再
生信号の振幅が小さくなり過ぎ、Ｓ／Ｎ比が低下するの
で好ましくない。また、記録マークＭの長さを再生光ビ
ームＢの半値ビーム径の１．５倍以上に設定すると、２
次高調波成分が多くなり、前後エッジの位相差が大きく
なる場合を生ずるので、汎用性に欠け、好ましくない。
【００４４】なお、記録マークＭのエッジを検出する方
法として、同図（ｅ）に示す再生波形Ｓ1 を２階微分し
てなる同図（ｇ）に示すような波形を用い、ゼロレベル
Ｌ0を基準にして２値化し、同図（ｇ０）に示すような
２値化信号を得るようにしてもよい。この検出方法の場
合、時定数が小さいので、同図（ｇ０）に示す２値化信
号を殆どＶＦＯパターンの第１ビット目から正確に得る
ことができるので、ＰＬＬ引込み時間を短縮させるため
には好都合である。
法として、同図（ｅ）に示す再生波形Ｓ1 を２階微分し
てなる同図（ｇ）に示すような波形を用い、ゼロレベル
Ｌ0を基準にして２値化し、同図（ｇ０）に示すような
２値化信号を得るようにしてもよい。この検出方法の場
合、時定数が小さいので、同図（ｇ０）に示す２値化信
号を殆どＶＦＯパターンの第１ビット目から正確に得る
ことができるので、ＰＬＬ引込み時間を短縮させるため
には好都合である。
【００４５】また、ＰＬＬ引込み用のＶＦＯパターンの
周期に関しては、クロック周期の１倍、２倍又は３倍と
するのがよい。このように設定すると、４倍以上とした
場合に比して、クロック周期と位相の検出に必要な情報
を高い頻度で出現させることができ、高速かつ確実にク
ロックを検出し得るものとなる。
周期に関しては、クロック周期の１倍、２倍又は３倍と
するのがよい。このように設定すると、４倍以上とした
場合に比して、クロック周期と位相の検出に必要な情報
を高い頻度で出現させることができ、高速かつ確実にク
ロックを検出し得るものとなる。
【００４６】本実施例では、クロック周期の２倍に設定
されているものとする。しかして、請求項８記載の発明
の場合、このような前提の下、ＰＬＬ引込み用のＶＦＯ
パターンの記録マークをそのエッジ間隔が再生光ビーム
の半値ビーム径の０．５〜１．５倍であってクロック周
期の２倍となるように記録しておき、前記記録マークの
再生信号におけるエッジの中間点に対応した検出信号を
単独で用い、又は、この検出信号と前エッジ及び後エッ
ジに対応した両信号とを併用して、１つ又は２つのＰＬ
Ｌの引込みを行い、その引込み後に前エッジ及び後エッ
ジに対応した両信号よりこれらのＰＬＬの引込み状態を
維持しながら前エッジ、後エッジに対応した信号を用い
て情報の再生を行うようにしたものである。
されているものとする。しかして、請求項８記載の発明
の場合、このような前提の下、ＰＬＬ引込み用のＶＦＯ
パターンの記録マークをそのエッジ間隔が再生光ビーム
の半値ビーム径の０．５〜１．５倍であってクロック周
期の２倍となるように記録しておき、前記記録マークの
再生信号におけるエッジの中間点に対応した検出信号を
単独で用い、又は、この検出信号と前エッジ及び後エッ
ジに対応した両信号とを併用して、１つ又は２つのＰＬ
Ｌの引込みを行い、その引込み後に前エッジ及び後エッ
ジに対応した両信号よりこれらのＰＬＬの引込み状態を
維持しながら前エッジ、後エッジに対応した信号を用い
て情報の再生を行うようにしたものである。
【００４７】まず、ＰＬＬ引込み用のＶＦＯパターンの
エッジ間隔を、再生光ビームＢの半値ビーム径の０．５
〜１．５倍とし、かつ、クロック周期の２倍となるよう
に記録しておくと、再生信号における前エッジと後エッ
ジとの中間点に対応した検出信号として図３（ｈ）に示
すように元の再生信号を１階微分した信号を用い、その
ゼロレベルＬ0 を基準として２値化することにより、同
図（ｈ０）に示すような２値化信号を得ることができ
る。ここに、ＶＦＯパターンのエッジ間隔を、上記条件
を満たすように設定しているので、同図（ｈ０）に示す
２値化信号の立上りと立下りのタイミングが、丁度、ク
ロックのタイミングに合致するので、このような２値化
信号を用いてクロックを検出し得ることが分かる。この
方法による場合、時定数が小さいので、２値化信号を殆
どＶＦＯパターンの第１ビット目から正確に得ることが
でき、ＰＬＬを高速かつ確実に引込めるものとなる。
エッジ間隔を、再生光ビームＢの半値ビーム径の０．５
〜１．５倍とし、かつ、クロック周期の２倍となるよう
に記録しておくと、再生信号における前エッジと後エッ
ジとの中間点に対応した検出信号として図３（ｈ）に示
すように元の再生信号を１階微分した信号を用い、その
ゼロレベルＬ0 を基準として２値化することにより、同
図（ｈ０）に示すような２値化信号を得ることができ
る。ここに、ＶＦＯパターンのエッジ間隔を、上記条件
を満たすように設定しているので、同図（ｈ０）に示す
２値化信号の立上りと立下りのタイミングが、丁度、ク
ロックのタイミングに合致するので、このような２値化
信号を用いてクロックを検出し得ることが分かる。この
方法による場合、時定数が小さいので、２値化信号を殆
どＶＦＯパターンの第１ビット目から正確に得ることが
でき、ＰＬＬを高速かつ確実に引込めるものとなる。
【００４８】一方、請求項９記載の発明の場合も、同様
に、ＰＬＬ引込み用のＶＦＯパターンの記録マークをそ
のエッジ間隔が再生光ビームの半値ビーム径の０．５〜
１．５倍であってクロック周期の２倍となるように記録
しておく条件下に、記録マークＭの再生信号におけるエ
ッジの中間点に対応した検出信号を用いて２つのＰＬＬ
の引込みを同時に行い、その引込み後に前エッジ及び後
エッジに対応した信号を分離して各々のＰＬＬの引込み
状態を維持しながら前エッジ、後エッジに各々対応した
信号を再生した後、元の一連のビット列を再合成して情
報の再生を行うようにしたものである。
に、ＰＬＬ引込み用のＶＦＯパターンの記録マークをそ
のエッジ間隔が再生光ビームの半値ビーム径の０．５〜
１．５倍であってクロック周期の２倍となるように記録
しておく条件下に、記録マークＭの再生信号におけるエ
ッジの中間点に対応した検出信号を用いて２つのＰＬＬ
の引込みを同時に行い、その引込み後に前エッジ及び後
エッジに対応した信号を分離して各々のＰＬＬの引込み
状態を維持しながら前エッジ、後エッジに各々対応した
信号を再生した後、元の一連のビット列を再合成して情
報の再生を行うようにしたものである。
【００４９】即ち、ＶＦＯパターンでは前エッジと後エ
ッジの位相差は少なくなるが、ＶＦＯパターンに続く情
報信号部分では、再生光ビームＢの半値ビーム径の１．
５倍以上のエッジ間隔となるるパターンが多く含まれて
くるようになり、前エッジと後エッジの位相差が２値化
信号に発生してくるので、前エッジ及び後エッジの各々
に対応した検出信号を前後エッジパルス分離回路９によ
り分離して用い、２つのＰＬＬ１，２の引込み状態を維
持しながら、前エッジ、後エッジ各々に対応した信号を
再生した後、元の一連のビット列を再合成することによ
り、情報を再生すれば、正確に情報を再生し得るものと
なる。ＰＬＬ１，２の引込みが完了した後は、ＰＬＬ引
込み状態を維持するだけであるので、前後何れか一方の
エッジに対応した信号を用いるだけで安定したＰＬＬ動
作を行わせることができる。
ッジの位相差は少なくなるが、ＶＦＯパターンに続く情
報信号部分では、再生光ビームＢの半値ビーム径の１．
５倍以上のエッジ間隔となるるパターンが多く含まれて
くるようになり、前エッジと後エッジの位相差が２値化
信号に発生してくるので、前エッジ及び後エッジの各々
に対応した検出信号を前後エッジパルス分離回路９によ
り分離して用い、２つのＰＬＬ１，２の引込み状態を維
持しながら、前エッジ、後エッジ各々に対応した信号を
再生した後、元の一連のビット列を再合成することによ
り、情報を再生すれば、正確に情報を再生し得るものと
なる。ＰＬＬ１，２の引込みが完了した後は、ＰＬＬ引
込み状態を維持するだけであるので、前後何れか一方の
エッジに対応した信号を用いるだけで安定したＰＬＬ動
作を行わせることができる。
【００５０】
【発明の効果】請求項１記載の発明によれば、セクタフ
ォーマットのＩＤ部を再生する際、ＰＬＬの引込み前に
は２つのＰＬＬに各々前エッジ及び後エッジに対応した
両信号を入力させるようにしたので、前、後エッジパル
スの両方で位相比較を行うことができ、よって、確実か
つ素早くＰＬＬの引込みを行えるとともに、ＩＤ部にお
けるＰＬＬ引込み用のＶＦＯエリアを長くする必要もな
いものとなり、また、ＰＬＬが引込んだ後は、各々のＰ
ＬＬで前エッジ、後エッジに対応した各々の信号を独立
して再生するようにしたので、前後エッジ独立再生方式
によるエッジ変動を補正した再生を行うことができる。
ォーマットのＩＤ部を再生する際、ＰＬＬの引込み前に
は２つのＰＬＬに各々前エッジ及び後エッジに対応した
両信号を入力させるようにしたので、前、後エッジパル
スの両方で位相比較を行うことができ、よって、確実か
つ素早くＰＬＬの引込みを行えるとともに、ＩＤ部にお
けるＰＬＬ引込み用のＶＦＯエリアを長くする必要もな
いものとなり、また、ＰＬＬが引込んだ後は、各々のＰ
ＬＬで前エッジ、後エッジに対応した各々の信号を独立
して再生するようにしたので、前後エッジ独立再生方式
によるエッジ変動を補正した再生を行うことができる。
【００５１】請求項２記載の発明によれば、請求項１記
載の発明によるＩＤ部再生に加え、データ部再生につい
ても同様に、ＰＬＬが引込むまでは２つのＰＬＬに各々
前エッジ及び後エッジに対応した両信号を入力させるよ
うにしたので、確実かつ素早くＰＬＬの引込みを行せる
ことができ、よって、データ部におけるＰＬＬ引込み用
のＶＦＯエリアを長くする必要のないものとすることが
でき、また、ＰＬＬが引込んだ後は、各々のＰＬＬで前
エッジ、後エッジに対応した各々の信号を独立して再生
するようにしたので、前後エッジ独立再生方式によるエ
ッジ変動を補正した再生を行うことができる。
載の発明によるＩＤ部再生に加え、データ部再生につい
ても同様に、ＰＬＬが引込むまでは２つのＰＬＬに各々
前エッジ及び後エッジに対応した両信号を入力させるよ
うにしたので、確実かつ素早くＰＬＬの引込みを行せる
ことができ、よって、データ部におけるＰＬＬ引込み用
のＶＦＯエリアを長くする必要のないものとすることが
でき、また、ＰＬＬが引込んだ後は、各々のＰＬＬで前
エッジ、後エッジに対応した各々の信号を独立して再生
するようにしたので、前後エッジ独立再生方式によるエ
ッジ変動を補正した再生を行うことができる。
【００５２】請求項３記載の発明によれば、ＩＤ部は光
ディスク製造時に予めプリフォーマットされているの
で、エッジ変動が殆どない点に着目し、ＩＤ部を再生す
る際には、一方のＰＬＬのみを用い、これに前エッジ及
び後エッジに対応した両信号を入力させて行うようにし
たので、前、後エッジを独立して再生するものではない
が、支障なく再生できるものであり、よって、ＩＤ部に
おけるＰＬＬ引込み用のＶＦＯエリアを長くする必要の
ないものとすることができる。一方、エッジ変動を生じ
得るデータ部を再生する際には、２つのＰＬＬに各々前
エッジ、後エッジに対応した信号の一方ずつを入力させ
て独立再生するようにしたので、前後エッジ独立再生方
式によるエッジ変動を補正した再生を行うことができ
る。
ディスク製造時に予めプリフォーマットされているの
で、エッジ変動が殆どない点に着目し、ＩＤ部を再生す
る際には、一方のＰＬＬのみを用い、これに前エッジ及
び後エッジに対応した両信号を入力させて行うようにし
たので、前、後エッジを独立して再生するものではない
が、支障なく再生できるものであり、よって、ＩＤ部に
おけるＰＬＬ引込み用のＶＦＯエリアを長くする必要の
ないものとすることができる。一方、エッジ変動を生じ
得るデータ部を再生する際には、２つのＰＬＬに各々前
エッジ、後エッジに対応した信号の一方ずつを入力させ
て独立再生するようにしたので、前後エッジ独立再生方
式によるエッジ変動を補正した再生を行うことができ
る。
【００５３】請求項４記載の発明によれば、ＩＤ部を再
生する際には、請求項３記載の発明の場合と同様に、一
方のＰＬＬのみを用い、これに前エッジ及び後エッジに
対応した両信号を入力させて行うようにしたので、ＩＤ
部におけるＰＬＬ引込み用のＶＦＯエリアを長くする必
要のないものとすることができ、エッジ変動を生じ得る
データ部を再生する際には、請求項２記載の発明の場合
と同様に、ＰＬＬが引込むまでは２つのＰＬＬに各々前
エッジ及び後エッジに対応した両信号を入力させるよう
にしたので、確実かつ素早くＰＬＬの引込みを行わせる
ことができ、よって、データ部におけるＰＬＬ引込み用
のＶＦＯエリアを長くする必要のないものとなり、ＰＬ
Ｌが引込んだ後は、各々のＰＬＬで前エッジ、後エッジ
に対応した各々の信号を独立して再生するようにしたの
で、前後エッジ独立再生方式によるエッジ変動を補正し
た再生を行うことができる。
生する際には、請求項３記載の発明の場合と同様に、一
方のＰＬＬのみを用い、これに前エッジ及び後エッジに
対応した両信号を入力させて行うようにしたので、ＩＤ
部におけるＰＬＬ引込み用のＶＦＯエリアを長くする必
要のないものとすることができ、エッジ変動を生じ得る
データ部を再生する際には、請求項２記載の発明の場合
と同様に、ＰＬＬが引込むまでは２つのＰＬＬに各々前
エッジ及び後エッジに対応した両信号を入力させるよう
にしたので、確実かつ素早くＰＬＬの引込みを行わせる
ことができ、よって、データ部におけるＰＬＬ引込み用
のＶＦＯエリアを長くする必要のないものとなり、ＰＬ
Ｌが引込んだ後は、各々のＰＬＬで前エッジ、後エッジ
に対応した各々の信号を独立して再生するようにしたの
で、前後エッジ独立再生方式によるエッジ変動を補正し
た再生を行うことができる。
【００５４】請求項５記載の発明によれば、前エッジ用
選択手段及び後エッジ用選択手段により、前エッジ及び
後エッジに対応した両信号、又は、その一方の信号のみ
を選択してＰＬＬに入力させるように構成したので、極
めて簡単な構成で請求項１，２記載の発明の再生方法を
実現することができる。
選択手段及び後エッジ用選択手段により、前エッジ及び
後エッジに対応した両信号、又は、その一方の信号のみ
を選択してＰＬＬに入力させるように構成したので、極
めて簡単な構成で請求項１，２記載の発明の再生方法を
実現することができる。
【００５５】この際、請求項６記載の発明によれば、Ｐ
ＬＬ引込み完了を示すステート信号をこれらの選択手段
のセレクト信号としたので、ＰＬＬ引込み後、確実にＰ
ＬＬの入力切換えを行わせることができる。
ＬＬ引込み完了を示すステート信号をこれらの選択手段
のセレクト信号としたので、ＰＬＬ引込み後、確実にＰ
ＬＬの入力切換えを行わせることができる。
【００５６】請求項７記載の発明によれば、ＰＬＬの入
力を切換える前又は後エッジ用選択手段と、一方のＰＬ
Ｌのみを用いて再生したデータと２つのＰＬＬを用いて
再生し合成したデータとの出力を選択切換えする出力選
択手段とを備えた構成としたので、極めて簡単な構成で
請求項３，４記載の発明の再生方法を実現することがで
きる。
力を切換える前又は後エッジ用選択手段と、一方のＰＬ
Ｌのみを用いて再生したデータと２つのＰＬＬを用いて
再生し合成したデータとの出力を選択切換えする出力選
択手段とを備えた構成としたので、極めて簡単な構成で
請求項３，４記載の発明の再生方法を実現することがで
きる。
【００５７】一方、請求項８記載の発明によれば、実質
的に元の再生信号を１階微分した信号を用いてクロック
を検出するようにしたので、時定数も小さく、ＰＬＬを
高速かつ確実に引込めることになり、実質的に情報の記
録密度の高いものとすることができる。
的に元の再生信号を１階微分した信号を用いてクロック
を検出するようにしたので、時定数も小さく、ＰＬＬを
高速かつ確実に引込めることになり、実質的に情報の記
録密度の高いものとすることができる。
【００５８】請求項９記載の発明による場合も同様であ
り、実質的にクロックを高速で引込めるようにしたの
で、ＰＬＬ引込み用のＶＦＯエリアが短くてよいものと
なり、また、情報信号の再生も正確に行われるので、実
質的に情報の記録密度の高いものとすることができる。
り、実質的にクロックを高速で引込めるようにしたの
で、ＰＬＬ引込み用のＶＦＯエリアが短くてよいものと
なり、また、情報信号の再生も正確に行われるので、実
質的に情報の記録密度の高いものとすることができる。
【００５９】さらに、請求項１０記載の発明によれば、
フルＲＯＭ又はパーシャルＲＯＭのＲＯＭ部の場合、こ
れらのデータ部は光ディスク製造時に予めプリフォーマ
ットされており、エッジ位置変動が殆どない点に着目
し、その再生時には、一方のＰＬＬのみを用い、前エッ
ジ及び後エッジに対応した両信号を入力させて再生する
ようにしたので、ＰＬＬ引込み用のＶＦＯエリアを長く
することなく確実にＰＬＬ引込みを行わせることができ
る。
フルＲＯＭ又はパーシャルＲＯＭのＲＯＭ部の場合、こ
れらのデータ部は光ディスク製造時に予めプリフォーマ
ットされており、エッジ位置変動が殆どない点に着目
し、その再生時には、一方のＰＬＬのみを用い、前エッ
ジ及び後エッジに対応した両信号を入力させて再生する
ようにしたので、ＰＬＬ引込み用のＶＦＯエリアを長く
することなく確実にＰＬＬ引込みを行わせることができ
る。
【図１】本発明の第一の実施例を示すブロック図であ
る。
る。
【図２】本発明の第二の実施例を示すブロック図であ
る。
る。
【図３】本発明の第三の実施例を示すタイミングチャー
トである。
トである。
【図４】従来の前後エッジ独立再生方式を示すブロック
図である。
図である。
【図５】その動作を示すタイミングチャートである。
【図６】９０mm光磁気ディスクの現ＩＳＯ規格によるセ
クタフオーマットを示す模式図である。
クタフオーマットを示す模式図である。
【図７】１３０mm光磁気ディスクの現ＩＳＯ規格による
セクタフオーマットを示す模式図である。
セクタフオーマットを示す模式図である。
【図８】１３０mm光磁気ディスクの現ＩＳＯ規格による
セクタフオーマットの別例を示す模式図である。
セクタフオーマットの別例を示す模式図である。
１，２ ＰＬＬ ７ 前エッジ用選択手段 ８ 後エッジ用選択手段 １０ 出力選択手段
Claims (10)
- 【請求項１】 マークエッジ記録方式により光ディスク
上に記録された記録マークの前エッジ及び後エッジに対
応した信号を各々独立して検出し、これらの信号から各
々別個の２つのＰＬＬによって同期信号を独立して生成
し、各々の同期信号に基づき前記光ディスクに記録され
た情報の再生を行うようにした光ディスク再生方法にお
いて、前記光ディスクにプリフォーマットされたセクタ
フォーマット中のＩＤ部再生時に、ＰＬＬが引込むまで
は２つの前記ＰＬＬに対して各々前エッジ及び後エッジ
に対応した両信号を入力させ、これらのＰＬＬの引込み
後には各々のＰＬＬに対して前エッジ、後エッジに対応
した信号の一方ずつを入力側に戻して、前エッジと後エ
ッジとで独立してＩＤ部の情報の再生を行うようにした
ことを特徴とする光ディスク再生方法。 - 【請求項２】 マークエッジ記録方式により光ディスク
上に記録された記録マークの前エッジ及び後エッジに対
応した信号を各々独立して検出し、これらの信号から各
々別個の２つのＰＬＬによって同期信号を独立して生成
し、各々の同期信号に基づき前記光ディスクに記録され
た情報の再生を行うようにした光ディスク再生方法にお
いて、前記光ディスクにプリフォーマットされたセクタ
フォーマット中のＩＤ部及びデータ部再生時に、ＰＬＬ
が引込むまでは２つの前記ＰＬＬに対して各々前エッジ
及び後エッジに対応した両信号を入力させ、これらのＰ
ＬＬの引込み後には各々のＰＬＬに対して前エッジ、後
エッジに対応した信号の一方ずつを入力側に戻して、前
エッジと後エッジとで独立してＩＤ部及びデータ部の情
報の再生を行うようにしたことを特徴とする光ディスク
再生方法。 - 【請求項３】 マークエッジ記録方式により光ディスク
上に記録された記録マークの前エッジ及び後エッジに対
応した信号を各々独立して検出し、これらの信号から各
々別個の２つのＰＬＬによって同期信号を独立して生成
し、各々の同期信号に基づき前記光ディスクに記録され
た情報の再生を行うようにした光ディスク再生方法にお
いて、前記光ディスクにプリフォーマットされたセクタ
フォーマット中のＩＤ部再生時には２つの前記ＰＬＬ中
の一方のＰＬＬのみを用いて、前エッジ及び後エッジに
対応した両信号を入力させてＩＤ部の情報の再生を行
い、データ部再生時には各々のＰＬＬに対して前エッ
ジ、後エッジに対応した信号の一方ずつを入力側に戻し
て、前エッジと後エッジとで独立してデータ部の情報の
再生を行うようにしたことを特徴とする光ディスク再生
方法。 - 【請求項４】 マークエッジ記録方式により光ディスク
上に記録された記録マークの前エッジ及び後エッジに対
応した信号を各々独立して検出し、これらの信号から各
々別個の２つのＰＬＬによって同期信号を独立して生成
し、各々の同期信号に基づき前記光ディスクに記録され
た情報の再生を行うようにした光ディスク再生方法にお
いて、前記光ディスクにプリフォーマットされたセクタ
フォーマット中のＩＤ部再生時には２つの前記ＰＬＬ中
の一方のＰＬＬのみを用いて、前エッジ及び後エッジに
対応した両信号を入力させてＩＤ部の情報の再生を行
い、データ部再生時にはＰＬＬが引込むまでは２つの前
記ＰＬＬに対して各々前エッジ及び後エッジに対応した
両信号を入力させ、これらのＰＬＬの引込み後には各々
のＰＬＬに対して前エッジ、後エッジに対応した信号の
一方ずつを入力側に戻して、前エッジと後エッジとで独
立してデータ部の情報の再生を行うようにしたことを特
徴とする光ディスク再生方法。 - 【請求項５】 マークエッジ記録方式により光ディスク
上に記録された記録マークの前エッジ及び後エッジに対
応した信号を各々独立して検出し、これらの信号から各
々別個に設けた２つのＰＬＬによって同期信号を独立し
て生成し、各々の同期信号に基づき前記光ディスクに記
録された情報の再生を行うようにした光ディスク再生装
置において、前記前エッジ及び後エッジに対応した両信
号と前エッジのみに対応した信号との何れか一方を選択
して一方のＰＬＬに入力させる前エッジ用選択手段と、
前記前エッジ及び後エッジに対応した両信号と後エッジ
のみに対応した信号との何れか一方を選択して他方のＰ
ＬＬに入力させる後エッジ用選択手段とを設けたことを
特徴とする光ディスク再生装置。 - 【請求項６】 前エッジ用選択手段及び後エッジ用選択
手段のセレクト信号を、ＰＬＬより出力されてＰＬＬ引
込み完了を示すステート信号としたことを特徴とする請
求項５記載の光ディスク再生装置。 - 【請求項７】 マークエッジ記録方式により光ディスク
上に記録された記録マークの前エッジ及び後エッジに対
応した信号を各々独立して検出し、これらの信号から各
々別個に設けた２つのＰＬＬによって同期信号を独立し
て生成し、各々の同期信号に基づき前記光ディスクに記
録された情報の再生を行うようにした光ディスク再生装
置において、前記前エッジ及び後エッジに対応した両信
号と前エッジ又は後エッジのみに対応した信号との何れ
か一方を選択して一方のＰＬＬに入力させる前又は後エ
ッジ用選択手段と、前記一方のＰＬＬのみを用いて前エ
ッジ及び後エッジを再生したデータと２つのＰＬＬを用
いて前エッジと後エッジとで独立して再生したデータを
合成したデータとの何れか一方を選択して出力する出力
選択手段とを設けたことを特徴とする光ディスク再生装
置。 - 【請求項８】 マークエッジ記録方式により光ディスク
上に記録された記録マークの前エッジ及び後エッジに対
応した信号を検出し、これらの信号から１つ又は２つの
ＰＬＬによって同期信号を生成し、この同期信号に基づ
き前記光ディスクに記録された情報の再生を行うように
した光ディスク再生方法において、ＰＬＬ引込み用のＶ
ＦＯパターンの記録マークをそのエッジ間隔が再生光ビ
ームの半値ビーム径の０．５〜１．５倍であってクロッ
ク周期の２倍となるように記録しておき、前記記録マー
クの再生信号におけるエッジの中間点に対応した検出信
号を単独で用い、又は、この検出信号と前エッジ及び後
エッジに対応した両信号とを併用して、１つ又は２つの
ＰＬＬの引込みを行い、その引込み後に前エッジ及び後
エッジに対応した両信号によりこれらのＰＬＬの引込み
状態を維持しながら前エッジ、後エッジに対応した信号
を用いて情報の再生を行うようにしたことを特徴とする
光ディスク再生方法。 - 【請求項９】 マークエッジ記録方式により光ディスク
上に記録された記録マークの前エッジ及び後エッジに対
応した信号を検出し、これらの信号から２つのＰＬＬに
よって同期信号を生成し、この同期信号に基づき前記光
ディスクに記録された情報の再生を行うようにした光デ
ィスク再生方法において、ＰＬＬ引込み用のＶＦＯパタ
ーンの記録マークをそのエッジ間隔が再生光ビームの半
値ビーム径の０．５〜１．５倍であってクロック周期の
２倍となるように記録しておき、前記記録マークの再生
信号におけるエッジの中間点に対応した検出信号を用い
て２つのＰＬＬの引込みを同時に行い、その引込み後に
前エッジ及び後エッジに対応した信号を分離して各々の
ＰＬＬの引込み状態を維持しながら前エッジ、後エッジ
に各々対応した信号を再生した後、元の一連のビット列
を再合成して情報の再生を行うようにしたことを特徴と
する光ディスク再生方法。 - 【請求項１０】 マークエッジ記録方式により光ディス
ク上に記録された記録マークの前エッジ及び後エッジに
対応した信号を各々独立して検出し、これらの信号から
各々別個の２つのＰＬＬによって同期信号を独立して生
成し、各々の同期信号に基づき前記光ディスクに記録さ
れた情報の再生を行うようにした光ディスク再生方法に
おいて、フルＲＯＭ又はパーシャルＲＯＭのＲＯＭ部再
生時に、２つの前記ＰＬＬ中の一方のＰＬＬのみを用い
て、前エッジ及び後エッジに対応した両信号を入力させ
てＲＯＭ部の情報の再生を行うようにしたことを特徴と
する光ディスク再生方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4153998A JP3049155B2 (ja) | 1992-06-15 | 1992-06-15 | 光ディスク再生方法及びその装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4153998A JP3049155B2 (ja) | 1992-06-15 | 1992-06-15 | 光ディスク再生方法及びその装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05342591A true JPH05342591A (ja) | 1993-12-24 |
| JP3049155B2 JP3049155B2 (ja) | 2000-06-05 |
Family
ID=15574683
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4153998A Expired - Fee Related JP3049155B2 (ja) | 1992-06-15 | 1992-06-15 | 光ディスク再生方法及びその装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3049155B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100484208B1 (ko) * | 1995-12-04 | 2005-08-17 | 소니 가부시끼 가이샤 | 정보신호와재생제어신호를합성하는방법및장치와정보신호기록장치 |
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| US7838143B2 (en) | 2007-06-22 | 2010-11-23 | Boston-Power, Inc. | CID retention device for Li-ion cell |
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1992
- 1992-06-15 JP JP4153998A patent/JP3049155B2/ja not_active Expired - Fee Related
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|---|---|---|---|---|
| KR100484208B1 (ko) * | 1995-12-04 | 2005-08-17 | 소니 가부시끼 가이샤 | 정보신호와재생제어신호를합성하는방법및장치와정보신호기록장치 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3049155B2 (ja) | 2000-06-05 |
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