JPH05341866A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPH05341866A
JPH05341866A JP17189292A JP17189292A JPH05341866A JP H05341866 A JPH05341866 A JP H05341866A JP 17189292 A JP17189292 A JP 17189292A JP 17189292 A JP17189292 A JP 17189292A JP H05341866 A JPH05341866 A JP H05341866A
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voltage
bias
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analog
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Yoshiko Hanada
佳子 花田
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 1つのIC内にバイアス回路,アナログ回
路,基準電圧回路を含む半導体装置において、1つのバ
イアス回路で、条件に適したバイアス電圧を発生させる
ことを目的とする。 【構成】 バイアス回路5と、アナログ回路6,7とに
別々に抵抗1,2および1a,2aからなる基準電圧回
路を持たせ、バイアス回路5に入力する抵抗1,2によ
る基準電圧を、外付けの可変抵抗3,4により制御さ
せ、これによりバイアス回路5のバイアス電圧を可変さ
せて、出力する構成とした。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】この発明はバイアス回路,アナロ
グ回路に供給する基準電圧を発生する基準電圧回路を有
する半導体装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】図5は従来のバイアス回路,アナログ回
路,基準電圧回路を含むIC内における各回路の関係図
である。
【0003】図5において、6,7はアナログ回路、5
はアナログ回路7に供給するバイアス電圧を発生させる
バイアス回路、1,2はバイアス回路5,およびアナロ
グ回路6,7に供給する基準電圧を抵抗分割により発生
させるための抵抗、また8,9はアナログ回路6,7の
出力端子である。
【0004】図2は上記バイアス回路5の一例を示す。
20は図1における抵抗1,2により発生された基準電
圧の入力信号、21,22はバイアス回路5により発生
されるバイアス電圧を制御する信号、12,13,14
は上記バイアス電圧を制御するトランジスタ、15,1
6,17,18,19は上記バイアス電圧を発生させる
ためのトランジスタ、23は上記バイアス電圧を出力す
る出力端子である。
【0005】図3は上記アナログ回路7の一例を示す。
該アナログ回路7はボルテージフォロワ接続のオペアン
プであり、その出力はその反転入力に負帰還されてお
り、24はその非反転入力への入力信号端子であり、2
3は上記バイアス回路5からのバイアス電圧が入力され
る端子である。
【0006】図4は上記アナログ回路6の一例である。
該アナログ回路6はボルテージフォロワ接続のコンパレ
ータであり、その出力はその反転入力に負帰還されてお
り、24はその非反転入力への入力信号端子である。
【0007】次に動作について説明する。まず、抵抗1
と2よりなる抵抗分割による基準電圧回路により、例え
ば1/2VDDの基準電圧を発生する。この1/2VDD
の,例えば1.5Vの電圧はバイアス回路5に供給され
る。
【0008】図2に示すバイアス回路5において、端子
20より入力された基準電圧信号は、入力信号21,2
2によって制御されるアナログスイッチ11を通り、ト
ランジスタ15へ入力される。入力信号20はアナログ
スイッチ11がON状態のときトランジスタ15へ入力
され、トランジスタ16,17,18,19によって例
えば1.7Vのバイアス電圧が作られ、端子23から出
力される。アナログスイッチ11がOFF状態のとき、
トランジスタ12,13,14が各々ONとなり、バイ
アス電圧の出力が遮断される。
【0009】このようにして端子20より入力された基
準電圧信号に応じて、バイアス回路5から発生される電
圧は、アナログ回路7に入力される。一方、アナログ回
路6には、上記抵抗1,2による1/2VDDの基準電圧
が供給され、図4に示すボルテージフォロワ接続のコン
パレータよりなるアナログ回路6は、この信号を端子2
4から受けて動作し、例えば非反転入力端子にこれを受
けた場合には、これを反転し、出力端子9に出力するバ
ッファとして動作する。また上記抵抗1,2による1/
2VDDの基準電圧は上記アナログ回路7にも供給され、
該アナログ回路7では、上記バイアス回路5からの出力
23をバイアス電圧として動作を行い、上記抵抗1,2
による分割電圧を、たとえば端子24から該アナログ回
路7を構成するボルテージフォロワ接続のオペアンプの
非反転入力に受けた場合には、これを反転し、出力端子
8に出力するバッファとして動作する。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】従来の抵抗分割による
基準電圧回路1,2およびバイアス回路5は以上のよう
に構成されているので、抵抗分割によって決まる1/2
VDD等の基準電圧しか得られず、またその基準電圧によ
り作成できるある特定のバイアス電圧しか得られなかっ
た。従って、このような回路を用いたまま電源電圧を変
化させた場合には、各々の電源電圧に対応したバイアス
回路,基準電圧回路をその都度設計しなければならな
い、あるいはある特定の電源電圧でしかその回路を使用
することができないという問題があった。
【0011】この発明は上記のような従来の問題点を解
消するためになされたもので、1つのバイアス回路で、
使用する条件にあったバイアス電圧を得られる半導体装
置を得ることを目的としている。
【0012】
【課題を解決するための手段】この発明に係る半導体装
置は、抵抗分割回路による基準電圧を受け、バイアス電
圧を発生するバイアス回路と、上記バイアス電圧を受け
て動作するアナログ回路とを備えた半導体装置におい
て、該半導体装置外に設けられ、上記集積回路内にて上
記抵抗分割回路より上記バイアス回路に供給する基準電
圧を、該半導体装置の外から制御する、電源とアース間
に接続され、可変基準電圧を発生する可変抵抗回路を備
えたものである。
【0013】
【作用】この発明においては、外付けの可変抵抗回路
は、基準電圧回路による基準電圧を該半導体装置外から
制御し、これによりバイアス回路により発生するバイア
ス電圧を可変させることができる。
【0014】
【実施例】図1はこの発明の一実施例による半導体装置
を示す。図1において、1,2は電源電圧VDDとGND
間に接続され、所定の分割電圧、例えば1/2VDDを発
生させる分割抵抗、1a,2aは同じく、電源電圧VDD
とGND間に接続され、上記1,2によるものと同じ、
あるいは異なる、所定の分割電圧を発生させる分割抵
抗、3,4はIC外に設けられ、電源とアース間に接続
されてその可変分割電圧を、上記IC内の分割抵抗1,
2の接続点に供給する一対の可変抵抗からなる可変抵抗
分割回路である。5はバイアス電圧を発生させるバイア
ス回路、7はバイアス回路5が発生するバイアス電圧が
供給されるアナログ回路であり、8はその出力端子であ
る。また、6は上記分割抵抗1a,2aによる分割電圧
が供給されるアナログ回路であり、9は該アナログ回路
6の出力端子である。また、10は半導体集積回路(I
C)内であることを示している。
【0015】図2は上記バイアス回路5の一例を示す。
これは従来例において説明したのと同じであるが、20
は図1における抵抗1,2により発生された基準電圧の
入力信号、21,22はバイアス回路5により発生され
るバイアス電圧を制御する信号、12,13,14は上
記バイアス電圧を制御するトランジスタ、15,16,
17,18,19は上記バイアス電圧を発生させるため
のトランジスタ、23は上記バイアス電圧を出力する出
力端子である。
【0016】図3は上記アナログ回路7の一例を示す。
これも従来例において説明したのと同じであるが、該ア
ナログ回路7はボルテージフォロワ接続のオペアンプで
あり、その出力はその反転入力に負帰還されており、2
4はその非反転入力への入力信号端子であり、23は上
記バイアス回路5からのバイアス電圧である。
【0017】図4は上記アナログ回路6の一例を示す。
これも従来例において説明したのと同じであるが、該ア
ナログ回路6はボルテージフォロワ接続のコンパレータ
であり、その出力はその反転入力に負帰還されており、
24はその非反転入力への入力信号端子である。
【0018】次に上記実施例の動作を図1,図2を参照
しながら説明する。まず、バイアス回路5と、アナログ
回路6,7とに、別々にそれぞれ抵抗1,2よりなる抵
抗分割による基準電圧回路と、抵抗1a,1bよりなる
抵抗分割による基準電圧回路を持たせ、また、抵抗1,
2よりなる基準電圧回路に対し、半導体装置外に、電源
とアース間に接続され、その可変分割電圧を、上記IC
内の分割抵抗1,2の接続点に供給する一対の可変抵抗
3,4からなる可変抵抗分割回路を設ける。そして、バ
イアス回路5の入力端子20に供給されるべき,抵抗
1,2による基準電圧が、該抵抗1,2が本来発生する
1/2VDDでよい場合は、可変抵抗3と4の抵抗値の比
を同一にすると、抵抗3,4により発生される電圧はや
はり1/2VDDとなり、抵抗1,2間の基準電圧点から
は1/2VDDの,例えば1.5Vの電圧がバイアス回路
5に供給される。また、条件により抵抗1,2間の基準
電圧点から1/2VDDと異なる電圧をバイアス回路5に
供給したい場合は、可変抵抗3と4の抵抗値を異なる値
とすることにより、上記1/2VDDと異なる電圧をバイ
アス回路5に供給することができ、上記と異なるバイア
ス電圧をバイアス回路5から出力することができる。
【0019】即ち、上記バイアス回路5において、端子
20より入力された基準電圧信号は、入力信号21,2
2によって制御されるアナログスイッチ11を通り、ト
ランジスタ15へ入力される。入力信号20はアナログ
スイッチ11がON状態のときトランジスタ15へ入力
され、トランジスタ16,17,18,19によってバ
イアス電圧が作られ、出力端子23から出力される。ま
た、アナログスイッチ11がOFF状態のとき、トラン
ジスタ12,13,14が各々ONとなり、バイアス電
圧の出力を遮断させる。例えば、上記1/2VDDの電圧
が入力端子20に入力された場合は、該バイアス回路5
の出力端子23からは1.7Vの電圧が出力され、上記
1/2VDDと異なる電圧が入力端子20に入力された場
合は、該バイアス回路5の出力端子23からは上記1.
7Vとは異なる電圧が出力されることとなる。
【0020】このようにして端子20より入力された基
準電圧信号に応じて、バイアス回路5から発生される電
圧は、アナログ回路7に入力される。一方、アナログ回
路6には、抵抗1a,2aによるある特定の基準電圧が
供給され、またこの電圧は上記アナログ回路7にも供給
される。上記アナログ回路7,6の一例をそれぞれ図
3,図4に示しているが、上記アナログ回路7では、上
記バイアス回路5からの出力23をバイアス電圧として
動作を行い、例えば抵抗1a,2aによる1/2VDDの
分割電圧を端子24からボルテージフォロワ接続のオペ
アンプの非反転入力に入力して、例えばこれを反転する
バッファとしての動作を行い、出力端子8に信号を出力
する。また、上記アナログ回路6では、例えば抵抗1
a,2aによる1/2VDDの分割電圧を端子24からボ
ルテージフォロワ接続のコンパレータ6の非反転入力に
入力して、例えばこれを反転するバッファとしての動作
を行い、出力端子9に信号を出力する。なお、ここで出
力端子8,9は単にIC内での端子であり、その後必要
に応じ、各種の信号処理がなされるものである。
【0021】このような本実施例によれば、バイアス回
路5と、アナログ回路6,7とに、別々にそれぞれ抵抗
分割による基準電圧回路1,2および1a,1bを持た
せ、バイアス回路5に供給されるべき基準電圧回路1,
2による基準電圧を、外付け抵抗3,4により制御する
ようにしたので、1つのバイアス回路で使用する条件に
あったバイアス電圧を得ることができ、しかもアナログ
回路6,7が1/2VDDの分割電圧を信号入力として必
要とする等の場合においても、これと異なるバイアス電
圧を抵抗分割による基準電圧回路1,2側で作成するこ
とができる等の効果が得られる。
【0022】
【発明の効果】以上のように、この発明によれば、1つ
のIC内にバイアス回路,アナログ回路,基準電圧回路
を含む半導体装置において、IC内のバイアス回路に供
給する基準電圧を外付けの可変抵抗で制御するように構
成したので、電源電圧等の使用する条件にあったバイア
ス電圧を得ることができ、しかも簡単な構成でこれをえ
ることができる効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の一実施例による半導体装置を示す
図。
【図2】バイアス回路5の一例を示す図。
【図3】アナログ回路7の一例を示す図。
【図4】アナログ回路6の一例を示す図。
【図5】従来のバイアス回路,アナログ回路,基準電圧
回路の関係図。
【符号の説明】
1 分割抵抗 2 分割抵抗 1a 分割抵抗 2a 分割抵抗 3 可変抵抗 4 可変抵抗 5 バイアス回路 6 アナログ回路 7 アナログ回路 10 IC(チップ)内部 20 バイアス回路入力端子 21 制御信号端子 22 制御信号端子 11 アナログスイッチ 12,13,14 バイアス電圧を制御するトランジス
タ 15,16,17,18,19 バイアス電圧を発生さ
せるためのトランジスタ 23 バイアス電圧出力端子

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 集積回路内に設けられた、抵抗分割回路
    による基準電圧を受け、バイアス電圧を発生するバイア
    ス回路と、上記バイアス電圧を受けて動作するアナログ
    回路とを備えた半導体装置において、 該半導体装置外に設けられ、上記集積回路内にて上記抵
    抗分割回路より上記バイアス回路に供給する基準電圧
    を、該半導体装置の外から制御する、電源とアース間に
    接続され、可変基準電圧を発生する可変抵抗回路を備え
    たことを特徴とする半導体装置。
  2. 【請求項2】 第2の抵抗分割による基準電圧を発生す
    る第2の抵抗分割回路、および該第2の抵抗分割回路に
    よる基準電圧を入力として受けて信号処理を行う第2の
    アナログ回路を該半導体装置内に備え、 上記第1のアナログ回路はこの第2の抵抗分割回路によ
    る基準電圧を入力として受けて信号処理を行うものであ
    る請求項1記載の半導体装置。
JP17189292A 1992-06-04 1992-06-04 半導体装置 Expired - Lifetime JP2908123B2 (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4507292B2 (ja) * 1999-04-23 2010-07-21 ソニー株式会社 定電圧レギュレータ回路

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP4507292B2 (ja) * 1999-04-23 2010-07-21 ソニー株式会社 定電圧レギュレータ回路

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