JPH05339058A - Ｓｉ−ＳｉＣ質棚板及びその製造方法 - Google Patents
Ｓｉ−ＳｉＣ質棚板及びその製造方法Info
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- JPH05339058A JPH05339058A JP4147436A JP14743692A JPH05339058A JP H05339058 A JPH05339058 A JP H05339058A JP 4147436 A JP4147436 A JP 4147436A JP 14743692 A JP14743692 A JP 14743692A JP H05339058 A JPH05339058 A JP H05339058A
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 ＳｉＣとＳｉを少なくとも構成成分として含
有するＳｉ−ＳｉＣ質焼結体からなり、応力緩和のため
のスリットまたは溝を設けた棚板であって、このスリッ
トまたは溝を金属Ｓｉで埋め込んだＳｉ−ＳｉＣ質棚板
である。ＳｉＣ粉体、有機質バインダーおよび水分また
は有機溶剤を含有し、要すれば黒鉛粉を更に含有した原
料を用い、スリットまたは溝を有する成形体を成形した
後、減圧の不活性ガス雰囲気又は真空中において金属シ
リコンを該成形体中に含浸させるとともに、該スリット
または溝を金属シリコンにて埋め込むようにしたＳｉ−
ＳｉＣ質棚板の製造方法である。 【効果】 強度が大きく載置できる被焼成物の量を増加
できるほか、耐スポーリング性、耐クリープ性および耐
酸化性に優れる。
有するＳｉ−ＳｉＣ質焼結体からなり、応力緩和のため
のスリットまたは溝を設けた棚板であって、このスリッ
トまたは溝を金属Ｓｉで埋め込んだＳｉ−ＳｉＣ質棚板
である。ＳｉＣ粉体、有機質バインダーおよび水分また
は有機溶剤を含有し、要すれば黒鉛粉を更に含有した原
料を用い、スリットまたは溝を有する成形体を成形した
後、減圧の不活性ガス雰囲気又は真空中において金属シ
リコンを該成形体中に含浸させるとともに、該スリット
または溝を金属シリコンにて埋め込むようにしたＳｉ−
ＳｉＣ質棚板の製造方法である。 【効果】 強度が大きく載置できる被焼成物の量を増加
できるほか、耐スポーリング性、耐クリープ性および耐
酸化性に優れる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、陶磁器、タイルなどの
迅速焼成炉用として好ましく使用することができる、高
強度で耐酸化性、耐クリープ性及び耐スポーリング性に
優れたＳｉ−ＳｉＣ質棚板及びその製造方法に関する。
迅速焼成炉用として好ましく使用することができる、高
強度で耐酸化性、耐クリープ性及び耐スポーリング性に
優れたＳｉ−ＳｉＣ質棚板及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、炭化珪素（ＳｉＣ）質焼結体は、
その優れた耐熱性、耐火性から工業上重要な地位を占め
ており、例えば碍子、衛生陶器、食器、額縁および陶管
等の陶磁器や、タイルなどの焼成用棚板として多用され
ている。このようなＳｉＣ質焼結体の中で、ＳｉＣとＳ
ｉを構成成分として含むＳｉ−ＳｉＣ質焼結体は知られ
ているが、現在までこれを棚板に応用した例は見当たら
ない。
その優れた耐熱性、耐火性から工業上重要な地位を占め
ており、例えば碍子、衛生陶器、食器、額縁および陶管
等の陶磁器や、タイルなどの焼成用棚板として多用され
ている。このようなＳｉＣ質焼結体の中で、ＳｉＣとＳ
ｉを構成成分として含むＳｉ−ＳｉＣ質焼結体は知られ
ているが、現在までこれを棚板に応用した例は見当たら
ない。
【０００３】また、上記のような陶磁器、タイルなどを
焼成するに際して、端辺より切込み（スリット）を設け
たＳｉＣ質の耐火物製棚板（実開昭４９−４６０４４
号）、および該スリットにムライトやアルミナ、粘土、
ファイバーなどの充填材を埋めて、スリットの隙間から
異物が落下する（ボロフリ現象）ことを防止したＳｉＣ
質の耐火物製棚板（実公昭５４−３３９７４号）が用い
られている。このような耐火物製棚板は、１時間当りの
昇温速度が４００℃を超すような過酷な使用条件下であ
っても、スリットにより応力が緩和されており、棚板に
対して熱的スポーリングや機械的スポーリングが発生し
にくいという優れた効果が認められている。
焼成するに際して、端辺より切込み（スリット）を設け
たＳｉＣ質の耐火物製棚板（実開昭４９−４６０４４
号）、および該スリットにムライトやアルミナ、粘土、
ファイバーなどの充填材を埋めて、スリットの隙間から
異物が落下する（ボロフリ現象）ことを防止したＳｉＣ
質の耐火物製棚板（実公昭５４−３３９７４号）が用い
られている。このような耐火物製棚板は、１時間当りの
昇温速度が４００℃を超すような過酷な使用条件下であ
っても、スリットにより応力が緩和されており、棚板に
対して熱的スポーリングや機械的スポーリングが発生し
にくいという優れた効果が認められている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】Ｓｉ−ＳｉＣ質焼結体
は、高強度で耐酸化性、耐クリープ性に優れることか
ら、これを棚板に適用できれば、載置できる陶磁器等の
被焼成物の量を増加できるとともに耐久性が更に向上
し、焼成効率向上の観点およびコスト的にみて極めて好
ましい。一方、Ｓｉ−ＳｉＣ質焼結体を棚板に適用する
場合、応力緩和のために端辺よりスリットを設けかつボ
ロフリ現象防止のためにスリットに充填材を埋めること
が必要であるが、従来の粘土、アルミナ、ファイバー類
をＳｉ−ＳｉＣ質棚板のスリットに埋め込もうとして
も、Ｓｉ−ＳｉＣ質棚板は表面の平滑度が大きいため、
埋め込むことができなかった。従って、本発明は、特定
物質をＳｉ−ＳｉＣ質棚板のスリットに埋め込むことに
より作製されたＳｉ−ＳｉＣ質棚板とその製造方法を提
供することを目的とするものである。
は、高強度で耐酸化性、耐クリープ性に優れることか
ら、これを棚板に適用できれば、載置できる陶磁器等の
被焼成物の量を増加できるとともに耐久性が更に向上
し、焼成効率向上の観点およびコスト的にみて極めて好
ましい。一方、Ｓｉ−ＳｉＣ質焼結体を棚板に適用する
場合、応力緩和のために端辺よりスリットを設けかつボ
ロフリ現象防止のためにスリットに充填材を埋めること
が必要であるが、従来の粘土、アルミナ、ファイバー類
をＳｉ−ＳｉＣ質棚板のスリットに埋め込もうとして
も、Ｓｉ−ＳｉＣ質棚板は表面の平滑度が大きいため、
埋め込むことができなかった。従って、本発明は、特定
物質をＳｉ−ＳｉＣ質棚板のスリットに埋め込むことに
より作製されたＳｉ−ＳｉＣ質棚板とその製造方法を提
供することを目的とするものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】すなわち、本発明によれ
ば、ＳｉＣとＳｉを少なくとも構成成分として含有する
Ｓｉ−ＳｉＣ質焼結体からなり、応力緩和のためのスリ
ットまたは溝を設けた棚板であって、該スリットまたは
溝を金属Ｓｉで埋め込んだことを特徴とするＳｉ−Ｓｉ
Ｃ質棚板、が提供される。また、本発明によれば、Ｓｉ
Ｃ粉体、有機質バインダーおよび水分または有機溶剤を
含有し、要すれば黒鉛粉を更に含有した原料を用い、ス
リットまたは溝を有する成形体を成形した後、減圧の不
活性ガス雰囲気又は真空中において金属シリコンを該成
形体中に含浸させるとともに、該スリットまたは溝を金
属シリコンにて埋め込むことを特徴とするＳｉ−ＳｉＣ
質棚板の製造方法、が提供される。
ば、ＳｉＣとＳｉを少なくとも構成成分として含有する
Ｓｉ−ＳｉＣ質焼結体からなり、応力緩和のためのスリ
ットまたは溝を設けた棚板であって、該スリットまたは
溝を金属Ｓｉで埋め込んだことを特徴とするＳｉ−Ｓｉ
Ｃ質棚板、が提供される。また、本発明によれば、Ｓｉ
Ｃ粉体、有機質バインダーおよび水分または有機溶剤を
含有し、要すれば黒鉛粉を更に含有した原料を用い、ス
リットまたは溝を有する成形体を成形した後、減圧の不
活性ガス雰囲気又は真空中において金属シリコンを該成
形体中に含浸させるとともに、該スリットまたは溝を金
属シリコンにて埋め込むことを特徴とするＳｉ−ＳｉＣ
質棚板の製造方法、が提供される。
【０００６】
【作用】本発明は、Ｓｉ−ＳｉＣ質棚板のスリットに金
属Ｓｉを埋め込んだことを特徴とする。このような棚板
は、高強度で耐酸化性、耐クリープ性及び耐スポーリン
グ性に優れており、載置できる陶磁器等の被焼成物の量
が増加できるとともに耐久性が更に向上し、焼成効率が
向上する。さらに棚板の破断や爆裂現象を引き起すこと
がなく、焼成炉用棚板として好ましく使用される。本発
明の棚板では、スリットの埋め込み用の充填材として金
属Ｓｉを用いる。金属Ｓｉは、Ｓｉ−ＳｉＣ質棚板と接
着性が良好で適切にスリットを埋め込むことができる。
また、金属Ｓｉでスリットを埋めた場合においても、金
属Ｓｉ自体はもろいため、焼成中に容易にマイクロクラ
ックを生じ、応力緩和効果をもたらす。
属Ｓｉを埋め込んだことを特徴とする。このような棚板
は、高強度で耐酸化性、耐クリープ性及び耐スポーリン
グ性に優れており、載置できる陶磁器等の被焼成物の量
が増加できるとともに耐久性が更に向上し、焼成効率が
向上する。さらに棚板の破断や爆裂現象を引き起すこと
がなく、焼成炉用棚板として好ましく使用される。本発
明の棚板では、スリットの埋め込み用の充填材として金
属Ｓｉを用いる。金属Ｓｉは、Ｓｉ−ＳｉＣ質棚板と接
着性が良好で適切にスリットを埋め込むことができる。
また、金属Ｓｉでスリットを埋めた場合においても、金
属Ｓｉ自体はもろいため、焼成中に容易にマイクロクラ
ックを生じ、応力緩和効果をもたらす。
【０００７】次に、スリットに金属Ｓｉを埋め込んだ本
発明のＳｉ−ＳｉＣ質棚板の製造方法を説明する。先
ず、成形用原料として、ＳｉＣ粉体、有機質バインダー
および水分または有機溶剤を含有し、要すれば黒鉛粉を
更に含有した原料を用いる。この成形用原料を混練した
後、スリットまたは溝を有する成形体を成形する。ここ
で、スリット、溝の形成は成形中であっても成形後であ
ってもよい。次いで、成形体を、金属シリコン雰囲気下
で、減圧の不活性ガス雰囲気又は真空中に置き、成形体
中に金属シリコンを含浸させると同時にスリットまたは
溝を金属シリコンにて埋め込むことによりＳｉ−ＳｉＣ
質棚板を製造する。
発明のＳｉ−ＳｉＣ質棚板の製造方法を説明する。先
ず、成形用原料として、ＳｉＣ粉体、有機質バインダー
および水分または有機溶剤を含有し、要すれば黒鉛粉を
更に含有した原料を用いる。この成形用原料を混練した
後、スリットまたは溝を有する成形体を成形する。ここ
で、スリット、溝の形成は成形中であっても成形後であ
ってもよい。次いで、成形体を、金属シリコン雰囲気下
で、減圧の不活性ガス雰囲気又は真空中に置き、成形体
中に金属シリコンを含浸させると同時にスリットまたは
溝を金属シリコンにて埋め込むことによりＳｉ−ＳｉＣ
質棚板を製造する。
【０００８】また、本発明における成形体の成形方法と
しては、プレス成形、流し込み成形、押出し成形のいず
れも可能であるが、スリットまたは溝の形成を同時に行
なうことができ、量産性に優れることからプレス成形が
好ましい。又プレス成形としては油圧プレスが好まし
い。また油圧プレス圧としては通常５０〜２０００kgf/
cm2 を用いる。
しては、プレス成形、流し込み成形、押出し成形のいず
れも可能であるが、スリットまたは溝の形成を同時に行
なうことができ、量産性に優れることからプレス成形が
好ましい。又プレス成形としては油圧プレスが好まし
い。また油圧プレス圧としては通常５０〜２０００kgf/
cm2 を用いる。
【０００９】なお本発明におけるスリットは所定の長さ
を有することが好ましい。すなわちこのスリットは、棚
板の端辺部からそれに対向する端辺部に向けて形成さ
れ、スリット長さは棚板の各辺長さの１５〜３５％の範
囲、特に２０〜３０％の範囲であることが好ましい。ス
リット長さが上記範囲内の場合には、爆裂現象を引き起
すことがなく、しかも棚板の破壊が極力抑制される。
を有することが好ましい。すなわちこのスリットは、棚
板の端辺部からそれに対向する端辺部に向けて形成さ
れ、スリット長さは棚板の各辺長さの１５〜３５％の範
囲、特に２０〜３０％の範囲であることが好ましい。ス
リット長さが上記範囲内の場合には、爆裂現象を引き起
すことがなく、しかも棚板の破壊が極力抑制される。
【００１０】
【実施例】以下、本発明を実施例に基づいて更に詳細に
説明するが、本発明はこれらの実施例に限られるもので
はない。 （耐スポーリング性（△Ｔ）の評価方法）焼結体上にそ
の５０％面積分の肉厚２０ｍｍのアルミナレンガを載置
し、一定温度Ｔ2 の炉から大気中（温度Ｔ1 ）に引き出
してクラックまたは爆烈が発生する△Ｔ（＝Ｔ2 −Ｔ
1 ）を測定した。
説明するが、本発明はこれらの実施例に限られるもので
はない。 （耐スポーリング性（△Ｔ）の評価方法）焼結体上にそ
の５０％面積分の肉厚２０ｍｍのアルミナレンガを載置
し、一定温度Ｔ2 の炉から大気中（温度Ｔ1 ）に引き出
してクラックまたは爆烈が発生する△Ｔ（＝Ｔ2 −Ｔ
1 ）を測定した。
【００１１】（耐クリープ性の評価方法）１１０mm×２
０mm×５mm（厚さ）のテストピースを切り出し、これを
図２のように１００mmの間隔で下方から支持し、中央部
から下向きに大気中１３５０℃で３００kgf/cm2 の荷重
を掛け、０〜１００hrの間に変形した量を測定した。 （耐酸化性の評価方法）焼結体を１０５０℃で１００ｈ
ｒ、Ｈ2 Ｏ＋Ｏ2 のガス中に置き、その増量分（△Ｗ）
を測定した。
０mm×５mm（厚さ）のテストピースを切り出し、これを
図２のように１００mmの間隔で下方から支持し、中央部
から下向きに大気中１３５０℃で３００kgf/cm2 の荷重
を掛け、０〜１００hrの間に変形した量を測定した。 （耐酸化性の評価方法）焼結体を１０５０℃で１００ｈ
ｒ、Ｈ2 Ｏ＋Ｏ2 のガス中に置き、その増量分（△Ｗ）
を測定した。
【００１２】（実施例１）平均粒径５．０μｍのＳｉＣ
微粉と平均粒径１００μｍのＳｉＣ粗粉を３５：６５
（重量比率）で混合したＳｉＣ粉末に対し、平均粒径
１．５μｍの黒鉛粉５．０重量％、有機バインダー（メ
チルセルロース）１．０重量％、および水分または有機
溶剤５．０重量％を外配で配合し、成形用原料を得た。
次に、これらの成形用原料をボールミルを用いて解砕し
た後、解砕した成形用原料を金型内に導入し、油圧プレ
スを用いて４００kgf/cm2 で成形し、厚さ５mm、１０mm
の２種類で、スリット無し及び図１のように４つのスリ
ットを有する各種の板状成形体（４００mm×３５０mm）
を得た。なお、板状成形体の４００mm辺に平行に設けた
スリット１０、１１は夫々１００mmの長さ、３５０mm辺
に平行に設けたスリット１２、１３は夫々９０mmの長さ
とした。
微粉と平均粒径１００μｍのＳｉＣ粗粉を３５：６５
（重量比率）で混合したＳｉＣ粉末に対し、平均粒径
１．５μｍの黒鉛粉５．０重量％、有機バインダー（メ
チルセルロース）１．０重量％、および水分または有機
溶剤５．０重量％を外配で配合し、成形用原料を得た。
次に、これらの成形用原料をボールミルを用いて解砕し
た後、解砕した成形用原料を金型内に導入し、油圧プレ
スを用いて４００kgf/cm2 で成形し、厚さ５mm、１０mm
の２種類で、スリット無し及び図１のように４つのスリ
ットを有する各種の板状成形体（４００mm×３５０mm）
を得た。なお、板状成形体の４００mm辺に平行に設けた
スリット１０、１１は夫々１００mmの長さ、３５０mm辺
に平行に設けたスリット１２、１３は夫々９０mmの長さ
とした。
【００１３】次いで、ＢＮ（窒化ホウ素）コーティング
の反応防止層を施したカーボンルツボ中に、板状成形体
および該成形体の５０重量％の金属Ｓｉを設置し、室温
から６００℃まで０．１Torrの真空下、６００〜１００
０℃の間は２Torrのアルゴンガス雰囲気下、１０００〜
１８００℃までアルゴンガス雰囲気で５Torrの減圧下で
焼成することにより、スリット無しのＳｉ−ＳｉＣ焼結
体およびスリット中に金属Ｓｉが埋め込まれたＳｉ−Ｓ
ｉＣ焼結体を製造した。なお最高温度（１８００℃）の
保持時間は２時間とした。また、１４００〜１５００℃
間は１０℃／hrで昇温した。 得られたＳｉ−ＳｉＣ焼
結体の曲げ強度、耐スポーリング性（△Ｔ）、耐クリー
プ性および耐酸化性（△Ｗ）を評価した。結果を表１に
示す。
の反応防止層を施したカーボンルツボ中に、板状成形体
および該成形体の５０重量％の金属Ｓｉを設置し、室温
から６００℃まで０．１Torrの真空下、６００〜１００
０℃の間は２Torrのアルゴンガス雰囲気下、１０００〜
１８００℃までアルゴンガス雰囲気で５Torrの減圧下で
焼成することにより、スリット無しのＳｉ−ＳｉＣ焼結
体およびスリット中に金属Ｓｉが埋め込まれたＳｉ−Ｓ
ｉＣ焼結体を製造した。なお最高温度（１８００℃）の
保持時間は２時間とした。また、１４００〜１５００℃
間は１０℃／hrで昇温した。 得られたＳｉ−ＳｉＣ焼
結体の曲げ強度、耐スポーリング性（△Ｔ）、耐クリー
プ性および耐酸化性（△Ｗ）を評価した。結果を表１に
示す。
【００１４】
【表１】
【００１５】表１から明らかなように、スリットを設け
そこに金属Ｓｉを埋め込んだＳｉ−ＳｉＣ焼結体は、ス
リット無しのＳｉ−ＳｉＣ焼結体に比して△Ｔが大き
く、耐スポーリング性に優れていることが判明した。ま
た、曲げ強度も大きく、耐クリープ性および耐酸化性も
優れていることが分かる。
そこに金属Ｓｉを埋め込んだＳｉ−ＳｉＣ焼結体は、ス
リット無しのＳｉ−ＳｉＣ焼結体に比して△Ｔが大き
く、耐スポーリング性に優れていることが判明した。ま
た、曲げ強度も大きく、耐クリープ性および耐酸化性も
優れていることが分かる。
【００１６】
【発明の効果】以上説明した通り、本発明の棚板によれ
ば、強度が大きいため載置できる被焼成物の量を増加で
きるほか、耐スポーリング性、耐クリープ性および耐酸
化性に優れるものである。従って、本発明の棚板は、耐
スポーリング性、耐クリープ性および耐酸化性を重視す
る迅速焼成炉用棚板、匣鉢、サヤなどの窯道具、特にロ
ーラーハースキルンを用いたタイル焼成用棚板に好まし
く用いることができる。
ば、強度が大きいため載置できる被焼成物の量を増加で
きるほか、耐スポーリング性、耐クリープ性および耐酸
化性に優れるものである。従って、本発明の棚板は、耐
スポーリング性、耐クリープ性および耐酸化性を重視す
る迅速焼成炉用棚板、匣鉢、サヤなどの窯道具、特にロ
ーラーハースキルンを用いたタイル焼成用棚板に好まし
く用いることができる。
【図１】スリット入りの棚板の例を示す説明図である。
【図２】実施例のクリープ評価試験の例を示す説明図で
ある。
ある。
１０，１１，１２，１３ スリット
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成５年８月３１日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正内容】
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００５】
【課題を解決するための手段】すなわち、本発明によれ
ば、ＳｉＣとＳｉを少なくとも構成成分として含有する
Ｓｉ−ＳｉＣ質焼結体からなり、応力緩和のためのスリ
ットまたは溝を設けた棚板であって、該スリットまたは
溝を金属Ｓｉで埋め込んだことを特徴とするＳｉ−Ｓｉ
Ｃ質棚板、が提供される。また、本発明によれば、Ｓｉ
Ｃ粉体、有機質バインダーおよび水分または有機溶剤を
含有し、要すれば炭素質粉を更に含有した原料を用い、
スリットまたは溝を有する成形体を成形した後、減圧の
不活性ガス雰囲気又は真空中において金属シリコンを該
成形体中に含浸させるとともに、該スリットまたは溝を
金属シリコンにて埋め込むことを特徴とするＳｉ−Ｓｉ
Ｃ質棚板の製造方法、が提供される。
ば、ＳｉＣとＳｉを少なくとも構成成分として含有する
Ｓｉ−ＳｉＣ質焼結体からなり、応力緩和のためのスリ
ットまたは溝を設けた棚板であって、該スリットまたは
溝を金属Ｓｉで埋め込んだことを特徴とするＳｉ−Ｓｉ
Ｃ質棚板、が提供される。また、本発明によれば、Ｓｉ
Ｃ粉体、有機質バインダーおよび水分または有機溶剤を
含有し、要すれば炭素質粉を更に含有した原料を用い、
スリットまたは溝を有する成形体を成形した後、減圧の
不活性ガス雰囲気又は真空中において金属シリコンを該
成形体中に含浸させるとともに、該スリットまたは溝を
金属シリコンにて埋め込むことを特徴とするＳｉ−Ｓｉ
Ｃ質棚板の製造方法、が提供される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００７】次に、スリットに金属Ｓｉを埋め込んだ本
発明のＳｉ−ＳｉＣ質棚板の製造方法を説明する。先
ず、成形用原料として、ＳｉＣ粉体、有機質バインダー
および水分または有機溶剤を含有し、要すれば炭素質粉
を更に含有した原料を用いる。この成形用原料を混練し
た後、スリットまたは溝を有する成形体を成形する。こ
こで、スリット、溝の形成は成形中であっても成形後で
あってもよい。次いで、成形体を、金属シリコン雰囲気
下で、減圧の不活性ガス雰囲気又は真空中に置き、成形
体中に金属シリコンを含浸させると同時にスリットまた
は溝を金属シリコンにて埋め込むことによりＳｉ−Ｓｉ
Ｃ質棚板を製造する。
発明のＳｉ−ＳｉＣ質棚板の製造方法を説明する。先
ず、成形用原料として、ＳｉＣ粉体、有機質バインダー
および水分または有機溶剤を含有し、要すれば炭素質粉
を更に含有した原料を用いる。この成形用原料を混練し
た後、スリットまたは溝を有する成形体を成形する。こ
こで、スリット、溝の形成は成形中であっても成形後で
あってもよい。次いで、成形体を、金属シリコン雰囲気
下で、減圧の不活性ガス雰囲気又は真空中に置き、成形
体中に金属シリコンを含浸させると同時にスリットまた
は溝を金属シリコンにて埋め込むことによりＳｉ−Ｓｉ
Ｃ質棚板を製造する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１２】（実施例１）平均粒径５．０μｍのＳｉＣ
微粉と平均粒径１００μｍのＳｉＣ粗粉を３５：６５
（重量比率）で混合したＳｉＣ粉末に対し、平均粒径
１．５μｍの炭素質粉５．０重量％、有機バインダー
（メチルセルロース）１．０重量％、および水分または
有機溶剤５．０重量％を外配で配合し、成形用原料を得
た。次に、これらの成形用原料をボールミルを用いて解
砕した後、解砕した成形用原料を金型内に導入し、油圧
プレスを用いて４００kgf/cm2 で成形し、厚さ５mm、１
０mmの２種類で、スリット無し及び図１のように４つの
スリットを有する各種の板状成形体（４００mm×３５０
mm）を得た。なお、板状成形体の４００mm辺に平行に設
けたスリット１０、１１は夫々１００mmの長さ、３５０
mm辺に平行に設けたスリット１２、１３は夫々９０mmの
長さとした。
微粉と平均粒径１００μｍのＳｉＣ粗粉を３５：６５
（重量比率）で混合したＳｉＣ粉末に対し、平均粒径
１．５μｍの炭素質粉５．０重量％、有機バインダー
（メチルセルロース）１．０重量％、および水分または
有機溶剤５．０重量％を外配で配合し、成形用原料を得
た。次に、これらの成形用原料をボールミルを用いて解
砕した後、解砕した成形用原料を金型内に導入し、油圧
プレスを用いて４００kgf/cm2 で成形し、厚さ５mm、１
０mmの２種類で、スリット無し及び図１のように４つの
スリットを有する各種の板状成形体（４００mm×３５０
mm）を得た。なお、板状成形体の４００mm辺に平行に設
けたスリット１０、１１は夫々１００mmの長さ、３５０
mm辺に平行に設けたスリット１２、１３は夫々９０mmの
長さとした。
Claims (2)
- 【請求項１】 ＳｉＣとＳｉを少なくとも構成成分とし
て含有するＳｉ−ＳｉＣ質焼結体からなり、応力緩和の
ためのスリットまたは溝を設けた棚板であって、該スリ
ットまたは溝を金属Ｓｉで埋め込んだことを特徴とする
Ｓｉ−ＳｉＣ質棚板。 - 【請求項２】 ＳｉＣ粉体、有機質バインダーおよび水
分または有機溶剤を含有し、要すれば黒鉛粉を更に含有
した原料を用い、スリットまたは溝を有する成形体を成
形した後、減圧の不活性ガス雰囲気又は真空中において
金属シリコンを該成形体中に含浸させるとともに、該ス
リットまたは溝を金属シリコンにて埋め込むことを特徴
とするＳｉ−ＳｉＣ質棚板の製造方法。
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|---|---|---|---|
| JP04147436A JP3137737B2 (ja) | 1992-06-08 | 1992-06-08 | Ｓｉ−ＳｉＣ質棚板 |
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| JP04147436A JP3137737B2 (ja) | 1992-06-08 | 1992-06-08 | Ｓｉ−ＳｉＣ質棚板 |
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|---|---|
| JPH05339058A true JPH05339058A (ja) | 1993-12-21 |
| JP3137737B2 JP3137737B2 (ja) | 2001-02-26 |
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ID=15430292
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP04147436A Expired - Lifetime JP3137737B2 (ja) | 1992-06-08 | 1992-06-08 | Ｓｉ−ＳｉＣ質棚板 |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3137737B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4946044U (ja) * | 1972-08-02 | 1974-04-23 | ||
| JPS5433974Y2 (ja) * | 1975-04-09 | 1979-10-18 | ||
| JPS6311589A (ja) * | 1986-07-01 | 1988-01-19 | イビデン株式会社 | 耐熱性治具及びその製造方法 |
| JPH0413089A (ja) * | 1990-05-02 | 1992-01-17 | Ngk Insulators Ltd | 棚板及びその成形装置 |
-
1992
- 1992-06-08 JP JP04147436A patent/JP3137737B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (4)
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