JP2968882B2 - ＳｉＣ質焼結体およびその焼成方法 - Google Patents
ＳｉＣ質焼結体およびその焼成方法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＳｉＣ質焼結体および
その焼成方法に係り、さらに詳しくは、タイル焼成など
の迅速焼成炉用棚板などとして好ましく使用されるＳｉ
Ｃ質焼結体とその焼成方法に関する。
その焼成方法に係り、さらに詳しくは、タイル焼成など
の迅速焼成炉用棚板などとして好ましく使用されるＳｉ
Ｃ質焼結体とその焼成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】炭化珪素（ＳｉＣ）質焼結体は、その優
れた耐熱性、耐火性から工業上重要な地位を占めてお
り、例えば陶磁器焼成用の棚板、その他半導体焼成用炉
芯管などに多用されている。このようなＳｉＣ質焼結体
の中で、ＳｉＣとＳｉを構成成分として含むＳｉ−Ｓｉ
Ｃ焼結体が知られている。このＳｉ−ＳｉＣ焼結体はＳ
ｉＣ粒子にカーボン（Ｃ）微粉末および有機バインダー
を添加し、これを流し込み成形、押出成形またはプレス
成形等により成形後、Ｓｉ雰囲気中で焼成することによ
り製造されている。
れた耐熱性、耐火性から工業上重要な地位を占めてお
り、例えば陶磁器焼成用の棚板、その他半導体焼成用炉
芯管などに多用されている。このようなＳｉＣ質焼結体
の中で、ＳｉＣとＳｉを構成成分として含むＳｉ−Ｓｉ
Ｃ焼結体が知られている。このＳｉ−ＳｉＣ焼結体はＳ
ｉＣ粒子にカーボン（Ｃ）微粉末および有機バインダー
を添加し、これを流し込み成形、押出成形またはプレス
成形等により成形後、Ｓｉ雰囲気中で焼成することによ
り製造されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、流し込
み成形による方法で得られる焼結体では、表層と中心部
で密度および気孔率に大きな差ができ、極端な場合には
中心部に巣ができるという問題があった。押出成形で
は、例えば板状に押出しする場合反りが発生するほか、
口金が高価であるという問題があった。プレス成形の場
合には、成形時にラミネーション（層状の剥離）が生じ
易く、また保形性が低いため取扱い時に破損が生じるこ
とがあった。Ｓｉ−ＳｉＣ焼結体の製造に際してプレス
成形を用いることができれば量産化、工業化に好適と考
えられるが、前記したような問題があった。
み成形による方法で得られる焼結体では、表層と中心部
で密度および気孔率に大きな差ができ、極端な場合には
中心部に巣ができるという問題があった。押出成形で
は、例えば板状に押出しする場合反りが発生するほか、
口金が高価であるという問題があった。プレス成形の場
合には、成形時にラミネーション（層状の剥離）が生じ
易く、また保形性が低いため取扱い時に破損が生じるこ
とがあった。Ｓｉ−ＳｉＣ焼結体の製造に際してプレス
成形を用いることができれば量産化、工業化に好適と考
えられるが、前記したような問題があった。
【０００４】また、本発明者が検討したところ、成形体
をＳｉ雰囲気中で焼成するに際しても、焼成条件、すな
わち雰囲気、焼成温度、昇温速度等をいかに制御するか
によって得られる焼結体の特性が大きく左右されること
がわかってきた。従って、本発明は例えばプレス成形な
どによって得られた成形体の焼成方法とそれによって得
られる特性の優れたＳｉＣ質焼結体を提供することを目
的とするものである。
をＳｉ雰囲気中で焼成するに際しても、焼成条件、すな
わち雰囲気、焼成温度、昇温速度等をいかに制御するか
によって得られる焼結体の特性が大きく左右されること
がわかってきた。従って、本発明は例えばプレス成形な
どによって得られた成形体の焼成方法とそれによって得
られる特性の優れたＳｉＣ質焼結体を提供することを目
的とするものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】すなわち、本発明によれ
ば、ＳｉＣとＳｉを少なくとも構成成分として含むＳｉ
Ｃ質焼結体であって、曲げ強度が１５kg/mm2以上、気孔
率が１．０％以下で、かつ中心部と表層部の気孔率の差
が２０％以内であり、中心部と表層部の曲げ強度差が２
０％以内であり、耐酸化性および耐スポーリング性に優
れたことを特徴とするＳｉＣ質焼結体、が提供される。
ば、ＳｉＣとＳｉを少なくとも構成成分として含むＳｉ
Ｃ質焼結体であって、曲げ強度が１５kg/mm2以上、気孔
率が１．０％以下で、かつ中心部と表層部の気孔率の差
が２０％以内であり、中心部と表層部の曲げ強度差が２
０％以内であり、耐酸化性および耐スポーリング性に優
れたことを特徴とするＳｉＣ質焼結体、が提供される。
【０００６】また、本発明によれば、ＳｉＣ粉体、凝集
粒子の９０重量％以上が解砕されるまで解砕した黒鉛
粉、有機質バインダーおよび水分または有機溶剤を含有
してなる成形用原料を用い、これを成形した後、得られ
る成形体を立設して焼成するにあたり、金属シリコン雰
囲気でかつ減圧の不活性ガス雰囲気又は真空中におい
て、１３５０〜２５００℃で焼成することを特徴とする
ＳｉＣ質焼結体の焼成方法、が提供される。本発明にお
いては、１３５０〜１５００℃の間に、５０℃／hr以下
の昇温速度で昇温する昇温過程を少なくとも一度以上有
し、かつこの昇温過程を２時間以上維持することが、Ｓ
ｉとＣの反応を促進してＳｉＣの生成を充分に行なうた
めに好ましい。
粒子の９０重量％以上が解砕されるまで解砕した黒鉛
粉、有機質バインダーおよび水分または有機溶剤を含有
してなる成形用原料を用い、これを成形した後、得られ
る成形体を立設して焼成するにあたり、金属シリコン雰
囲気でかつ減圧の不活性ガス雰囲気又は真空中におい
て、１３５０〜２５００℃で焼成することを特徴とする
ＳｉＣ質焼結体の焼成方法、が提供される。本発明にお
いては、１３５０〜１５００℃の間に、５０℃／hr以下
の昇温速度で昇温する昇温過程を少なくとも一度以上有
し、かつこの昇温過程を２時間以上維持することが、Ｓ
ｉとＣの反応を促進してＳｉＣの生成を充分に行なうた
めに好ましい。
【０００７】
【作用】本発明は、雰囲気、焼成温度、昇温速度等の焼
成条件を特定とし、特性の優れたＳｉＣ質焼結体を得る
ための焼成方法とそれによって得られた特定物性を有す
るＳｉＣ質焼結体である。このような特定物性を有する
ＳｉＣ質焼結体は、耐酸化性および耐スポーリング性に
優れており、タイル焼成などの迅速焼成炉用棚板などと
して好ましく使用される。まず、本発明で用いる成形用
原料について説明する。成形用原料としては、ＳｉＣ微
粉とＳｉＣ粗粉を含むことが好ましい。ＳｉＣ微粉は、
好ましくは平均粒径が１〜１０μｍで、しかも０．１〜
１５μｍの粒径範囲に９０重量％以上の粒子が分布する
ものであり、ＳｉＣ粗粉は、好ましくは平均粒径が２５
〜１５００μｍ、しかも２０〜２０００μｍの粒径範囲
に９０重量％以上の粒子が分布するものである。また、
ＳｉＣ微粉とＳｉＣ粗粉の含有割合は１０／９０〜９０
／１０の範囲が好ましい。
成条件を特定とし、特性の優れたＳｉＣ質焼結体を得る
ための焼成方法とそれによって得られた特定物性を有す
るＳｉＣ質焼結体である。このような特定物性を有する
ＳｉＣ質焼結体は、耐酸化性および耐スポーリング性に
優れており、タイル焼成などの迅速焼成炉用棚板などと
して好ましく使用される。まず、本発明で用いる成形用
原料について説明する。成形用原料としては、ＳｉＣ微
粉とＳｉＣ粗粉を含むことが好ましい。ＳｉＣ微粉は、
好ましくは平均粒径が１〜１０μｍで、しかも０．１〜
１５μｍの粒径範囲に９０重量％以上の粒子が分布する
ものであり、ＳｉＣ粗粉は、好ましくは平均粒径が２５
〜１５００μｍ、しかも２０〜２０００μｍの粒径範囲
に９０重量％以上の粒子が分布するものである。また、
ＳｉＣ微粉とＳｉＣ粗粉の含有割合は１０／９０〜９０
／１０の範囲が好ましい。
【０００８】また成形用原料には黒鉛粉を含むが、その
粒度としては、好ましくは平均粒径が０．１〜２０μｍ
で、０．０５〜３０μｍの粒径範囲に９０重量％以上分
布するものを用いる。黒鉛粉は、ＳｉＣ微粉とＳｉＣ粗
粉の合計量に対して０．５〜２５重量％含有する。そし
て、このＳｉＣの微粉と粗粉、および黒鉛粉に、さらに
有機質バインダーと水分または有機溶剤を含有して成形
用原料が構成される。なお、有機質バインダーとしては
メチルセルロース、イソバン等が好ましく用いられ、そ
の含有量はＳｉＣ微粉とＳｉＣ粗粉の合計量に対して
０．１〜５．０重量％である。また、水分または有機溶
剤の含有量はＳｉＣ微粉とＳｉＣ粗粉の合計量に対して
０．５〜５．０重量％である。
粒度としては、好ましくは平均粒径が０．１〜２０μｍ
で、０．０５〜３０μｍの粒径範囲に９０重量％以上分
布するものを用いる。黒鉛粉は、ＳｉＣ微粉とＳｉＣ粗
粉の合計量に対して０．５〜２５重量％含有する。そし
て、このＳｉＣの微粉と粗粉、および黒鉛粉に、さらに
有機質バインダーと水分または有機溶剤を含有して成形
用原料が構成される。なお、有機質バインダーとしては
メチルセルロース、イソバン等が好ましく用いられ、そ
の含有量はＳｉＣ微粉とＳｉＣ粗粉の合計量に対して
０．１〜５．０重量％である。また、水分または有機溶
剤の含有量はＳｉＣ微粉とＳｉＣ粗粉の合計量に対して
０．５〜５．０重量％である。
【０００９】このような所定粒度のＳｉＣ微粉、ＳｉＣ
粗粉および黒鉛粉を所定量含有し、さらに有機質バイン
ダーと水分又は有機溶剤を含有した成形用原料を混合
し、この混合物を好ましくはボールミル又はフレットミ
ル等の粉砕機を用いて原料を調整する。この調整の際、
本発明では、黒鉛の凝集粒子の９０重量％以上が解砕さ
れるまで解砕する。尚、ここで解砕度は２０ｍｍ×２０
ｍｍの成形型に適量、解砕前の原料を入れプレス成形し
た時にプレス面にある黒鉛凝集粉の数と解砕後の原料の
それを拡大鏡で測定することによりその比を求めて計算
される。
粗粉および黒鉛粉を所定量含有し、さらに有機質バイン
ダーと水分又は有機溶剤を含有した成形用原料を混合
し、この混合物を好ましくはボールミル又はフレットミ
ル等の粉砕機を用いて原料を調整する。この調整の際、
本発明では、黒鉛の凝集粒子の９０重量％以上が解砕さ
れるまで解砕する。尚、ここで解砕度は２０ｍｍ×２０
ｍｍの成形型に適量、解砕前の原料を入れプレス成形し
た時にプレス面にある黒鉛凝集粉の数と解砕後の原料の
それを拡大鏡で測定することによりその比を求めて計算
される。
【００１０】次に、得られた成形用原料を成形するが、
成形方法としてはプレス成形が好ましい。又プレス成形
としては油圧プレスが好ましい。また油圧プレス圧とし
ては通常５０〜２０００kgf/cm2 を用いる。なお、油圧
プレス後の成形体に対しラバープレスを施すことは、成
形体ひいては焼結体の均質性を増すため有効である。
又、成形体が肉薄の場合には、上記プレスを施すに際
し、成形圧の１／２以下の圧力で原料を予備成形して原
料中に含まれる空気を除去し、次いで所定の成形圧で成
形することが、ラミネーションの発生防止の観点から好
ましい。
成形方法としてはプレス成形が好ましい。又プレス成形
としては油圧プレスが好ましい。また油圧プレス圧とし
ては通常５０〜２０００kgf/cm2 を用いる。なお、油圧
プレス後の成形体に対しラバープレスを施すことは、成
形体ひいては焼結体の均質性を増すため有効である。
又、成形体が肉薄の場合には、上記プレスを施すに際
し、成形圧の１／２以下の圧力で原料を予備成形して原
料中に含まれる空気を除去し、次いで所定の成形圧で成
形することが、ラミネーションの発生防止の観点から好
ましい。
【００１１】上記したように成形して得られる成形体
を、金属シリコン雰囲気下（焼成時に金属シリコンが溶
融し、成形体は金属シリコンの液相下に置かれる）にお
いて所定の条件で焼成することにより、耐酸化性および
耐スポーリング性の優れた焼結体を得ることができる。
上記焼成に際しては、成形体を立設して焼成することが
反り発生防止のために重要である。ここで立設とは、成
形体が例えば棚板などの板状成形体の場合、垂直方向に
立てて焼成することを云う。また、成形体を立設するに
際しては、各成形体の間隔を２ｍｍ以上、好ましくは５
ｍｍ以上とし、さらに板状成形体の場合には肉厚の１／
２以上の間隔を設けることが、Ｓｉのしみ出しによる各
成形体同士の接着防止の観点から好ましい。
を、金属シリコン雰囲気下（焼成時に金属シリコンが溶
融し、成形体は金属シリコンの液相下に置かれる）にお
いて所定の条件で焼成することにより、耐酸化性および
耐スポーリング性の優れた焼結体を得ることができる。
上記焼成に際しては、成形体を立設して焼成することが
反り発生防止のために重要である。ここで立設とは、成
形体が例えば棚板などの板状成形体の場合、垂直方向に
立てて焼成することを云う。また、成形体を立設するに
際しては、各成形体の間隔を２ｍｍ以上、好ましくは５
ｍｍ以上とし、さらに板状成形体の場合には肉厚の１／
２以上の間隔を設けることが、Ｓｉのしみ出しによる各
成形体同士の接着防止の観点から好ましい。
【００１２】次に、焼成条件としては、基本的に、金属
シリコン雰囲気でかつ減圧の不活性ガス雰囲気又は真空
中において、１３５０〜２５００℃で焼成することが必
要である。そして、ＳｉとＣの反応を促進してＳｉＣの
生成を充分に行なうため、１３５０〜１５００℃の温度
範囲を、５０℃／hr以下の昇温速度で昇温する昇温過程
を少なくとも一度以上有し、かつこの昇温過程を２時間
以上維持するようにすることが好ましい。また、不活性
ガス雰囲気としては、ＳｉＣとの反応性を考慮すると、
Ｎ2ガス雰囲気は不適当であり、その他のアルゴン（Ａ
ｒ）ガス、ヘリウム（Ｈｅ）ガスなどの雰囲気下が好ま
しい。
シリコン雰囲気でかつ減圧の不活性ガス雰囲気又は真空
中において、１３５０〜２５００℃で焼成することが必
要である。そして、ＳｉとＣの反応を促進してＳｉＣの
生成を充分に行なうため、１３５０〜１５００℃の温度
範囲を、５０℃／hr以下の昇温速度で昇温する昇温過程
を少なくとも一度以上有し、かつこの昇温過程を２時間
以上維持するようにすることが好ましい。また、不活性
ガス雰囲気としては、ＳｉＣとの反応性を考慮すると、
Ｎ2ガス雰囲気は不適当であり、その他のアルゴン（Ａ
ｒ）ガス、ヘリウム（Ｈｅ）ガスなどの雰囲気下が好ま
しい。
【００１３】以下具体的な焼成スケジュールを説明す
る。まず、室温から約６００℃までは１０Torr以下、好
ましくは０．０１〜０．１の真空下で焼成する。約６０
０℃〜約１０００℃の間は、５０Torr以下、好ましくは
０．１〜１０Torrの真空下あるいはアルゴンガス等の雰
囲気下で焼成する。次に、約１０００℃から最高温度
（約１６００〜約２５００℃の間）まではアルゴンガス
雰囲気で減圧下とすることがＳｉＣへのＳｉの濡れ性が
改善されるため好ましい。
る。まず、室温から約６００℃までは１０Torr以下、好
ましくは０．０１〜０．１の真空下で焼成する。約６０
０℃〜約１０００℃の間は、５０Torr以下、好ましくは
０．１〜１０Torrの真空下あるいはアルゴンガス等の雰
囲気下で焼成する。次に、約１０００℃から最高温度
（約１６００〜約２５００℃の間）まではアルゴンガス
雰囲気で減圧下とすることがＳｉＣへのＳｉの濡れ性が
改善されるため好ましい。
【００１４】なお上記焼成工程のうち、１３５０〜１５
００℃の間を、５０℃／hr以下の昇温速度で昇温する昇
温過程を少なくとも一度以上有し、かつこの昇温過程を
２時間以上維持するように制御することが重要である。
これは、約１４２０℃が金属Ｓｉの溶解温度であり、溶
解されたＳｉとＣとの反応を促進し、Ｓｉ＋Ｃ→ＳｉＣ
の反応を充分に行なうことができる。以上のような条件
で焼成されたＳｉＣ質焼結体は、反り、切れが発生せ
ず、しかも中心部に巣がなく、また特性的には強度が大
きくて気孔率が小さいものである。そして、このＳｉＣ
質焼結体はさらに中心部と表層部の気孔率および強度の
差が所定以下に小さいもので、耐酸化性および耐スポー
リング性に優れたものである。
００℃の間を、５０℃／hr以下の昇温速度で昇温する昇
温過程を少なくとも一度以上有し、かつこの昇温過程を
２時間以上維持するように制御することが重要である。
これは、約１４２０℃が金属Ｓｉの溶解温度であり、溶
解されたＳｉとＣとの反応を促進し、Ｓｉ＋Ｃ→ＳｉＣ
の反応を充分に行なうことができる。以上のような条件
で焼成されたＳｉＣ質焼結体は、反り、切れが発生せ
ず、しかも中心部に巣がなく、また特性的には強度が大
きくて気孔率が小さいものである。そして、このＳｉＣ
質焼結体はさらに中心部と表層部の気孔率および強度の
差が所定以下に小さいもので、耐酸化性および耐スポー
リング性に優れたものである。
【００１５】即ち、得られるＳｉＣ質焼結体は、ＳｉＣ
とＳｉを少なくとも構成成分として含むＳｉＣ質焼結体
であって、曲げ強度が１５kg/mm2以上、気孔率が１．０
％以下で、かつ中心部と表層部の気孔率の差が２０％以
内であり、中心部と表層部の曲げ強度差が２０％以内で
あり、耐酸化性および耐スポーリング性に優れたもので
ある。ＳｉＣ質焼結体の気孔率が１．０％を超える場
合、あるいは中心部と表層部の気孔率の差が２０％を超
える場合には、強度、および耐酸化性、耐スポーリング
性が低くなる。
とＳｉを少なくとも構成成分として含むＳｉＣ質焼結体
であって、曲げ強度が１５kg/mm2以上、気孔率が１．０
％以下で、かつ中心部と表層部の気孔率の差が２０％以
内であり、中心部と表層部の曲げ強度差が２０％以内で
あり、耐酸化性および耐スポーリング性に優れたもので
ある。ＳｉＣ質焼結体の気孔率が１．０％を超える場
合、あるいは中心部と表層部の気孔率の差が２０％を超
える場合には、強度、および耐酸化性、耐スポーリング
性が低くなる。
【００１６】
【実施例】以下、本発明を実施例に基づいて更に詳細に
説明するが、本発明はこれらの実施例に限られるもので
はない。 （耐スポーリング性（△Ｔ）の評価方法）焼結体の７０
％面積で肉厚１０ｍｍのアルミナレンガを積載し、一定
温度Ｔ2の炉から大気中（温度Ｔ1 ）に引き出してクラ
ックが発生する△Ｔ（＝Ｔ2 −Ｔ1 ）を測定した。 （耐酸化性の評価方法）焼結体を、１１５０℃で１００
ｈｒ、Ｈ2 Ｏ＋Ｏ2 のガス中に置き、その増量分（△
Ｗ）を測定した。
説明するが、本発明はこれらの実施例に限られるもので
はない。 （耐スポーリング性（△Ｔ）の評価方法）焼結体の７０
％面積で肉厚１０ｍｍのアルミナレンガを積載し、一定
温度Ｔ2の炉から大気中（温度Ｔ1 ）に引き出してクラ
ックが発生する△Ｔ（＝Ｔ2 −Ｔ1 ）を測定した。 （耐酸化性の評価方法）焼結体を、１１５０℃で１００
ｈｒ、Ｈ2 Ｏ＋Ｏ2 のガス中に置き、その増量分（△
Ｗ）を測定した。
【００１７】（実施例１〜６、比較例１〜２）平均粒
径、粒径分布および含有率を表１のように変えたＳｉＣ
微粉、ＳｉＣ粗粉および黒鉛粉に、有機質バインダー
（メチルセルロース）および水分または有機溶剤を外配
で表１に示す割合で配合し、成形用原料を得た。次に、
これらの成形用原料をボールミルを用いて表１のような
黒鉛凝集粒子の解砕度となるように解砕した。ボールミ
ルとしては、１１００rpm で、ボールは表面にプラスチ
ックスがコートされたモノボールを使用した。次に、解
砕された成形用原料を金型内に導入し、油圧プレスを用
い表１の圧力で成形し、表１に示す各種肉厚の板状成形
体を得た。
径、粒径分布および含有率を表１のように変えたＳｉＣ
微粉、ＳｉＣ粗粉および黒鉛粉に、有機質バインダー
（メチルセルロース）および水分または有機溶剤を外配
で表１に示す割合で配合し、成形用原料を得た。次に、
これらの成形用原料をボールミルを用いて表１のような
黒鉛凝集粒子の解砕度となるように解砕した。ボールミ
ルとしては、１１００rpm で、ボールは表面にプラスチ
ックスがコートされたモノボールを使用した。次に、解
砕された成形用原料を金型内に導入し、油圧プレスを用
い表１の圧力で成形し、表１に示す各種肉厚の板状成形
体を得た。
【００１８】
【表１】
【００１９】次いで、この板状成形体のうち、２００×
３０×１０（厚さ）（mm）のものを表２に示す条件で焼
成し、ＳｉＣ質焼結体を得た。得られたＳｉＣ質焼結体
の気孔率、曲げ強度を表２に示す。なお、表層部は表面
から３mmまでの部分、中心部は表面から３mm〜７mmの部
分として測定した。また、ＳｉＣ質焼結体の耐スポーリ
ング性（△Ｔ）および耐酸化性（△Ｗ）を評価した。結
果を表２に示す。表２に示すように、実施例１〜６の焼
結体は比較例１〜２の焼結体に比し、気孔率が小さく、
しかもその差が小さく、曲げ強度が大きいことがわか
る。また、△Ｔは大きいが、△Ｗは小さく、耐スポーリ
ング性および耐酸化性に優れていることも判明した。
３０×１０（厚さ）（mm）のものを表２に示す条件で焼
成し、ＳｉＣ質焼結体を得た。得られたＳｉＣ質焼結体
の気孔率、曲げ強度を表２に示す。なお、表層部は表面
から３mmまでの部分、中心部は表面から３mm〜７mmの部
分として測定した。また、ＳｉＣ質焼結体の耐スポーリ
ング性（△Ｔ）および耐酸化性（△Ｗ）を評価した。結
果を表２に示す。表２に示すように、実施例１〜６の焼
結体は比較例１〜２の焼結体に比し、気孔率が小さく、
しかもその差が小さく、曲げ強度が大きいことがわか
る。また、△Ｔは大きいが、△Ｗは小さく、耐スポーリ
ング性および耐酸化性に優れていることも判明した。
【００２０】
【表２】
【００２１】
【発明の効果】以上説明した通り、本発明によれば、雰
囲気、焼成温度、昇温速度等の焼成条件を特定としたの
で、反り、切れがなく、中心部に巣がない、耐酸化性お
よび耐スポーリング性に優れたＳｉＣ質焼結体を得るこ
とができる。得られるＳｉＣ質焼結体は、耐酸化性、耐
スポーリング性を重視する迅速焼成炉用棚板、匣鉢、サ
ヤなどの窯道具、特にローラーハースキルンを用いたタ
イル焼成用棚板に好ましく用いることができる。
囲気、焼成温度、昇温速度等の焼成条件を特定としたの
で、反り、切れがなく、中心部に巣がない、耐酸化性お
よび耐スポーリング性に優れたＳｉＣ質焼結体を得るこ
とができる。得られるＳｉＣ質焼結体は、耐酸化性、耐
スポーリング性を重視する迅速焼成炉用棚板、匣鉢、サ
ヤなどの窯道具、特にローラーハースキルンを用いたタ
イル焼成用棚板に好ましく用いることができる。
Claims (4)
- 【請求項１】 ＳｉＣとＳｉを少なくとも構成成分とし
て含むＳｉＣ質焼結体であって、曲げ強度が１５kg/mm2
以上、気孔率が１．０％以下で、かつ中心部と表層部の
気孔率の差が２０％以内であり、中心部と表層部の曲げ
強度差が２０％以内であり、耐酸化性および耐スポーリ
ング性に優れたことを特徴とするＳｉＣ質焼結体。 - 【請求項２】 ＳｉＣ粉体、凝集粒子の９０重量％以上
が解砕されるまで解砕した黒鉛粉、有機質バインダーお
よび水分または有機溶剤を含有してなる成形用原料を用
い、これを成形した後、得られる成形体を立設して焼成
するにあたり、金属シリコン雰囲気でかつ減圧の不活性
ガス雰囲気又は真空中において、１３５０〜２５００℃
で焼成することを特徴とするＳｉＣ質焼結体の焼成方
法。 - 【請求項３】 １３５０〜１５００℃の間に、５０℃／
hr以下の昇温速度で昇温する昇温過程を少なくとも一度
以上有し、かつこの昇温過程を２時間以上維持する請求
項２記載の焼成方法。 - 【請求項４】 成形をプレス成形により行う請求項２記
載の焼成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4064608A JP2968882B2 (ja) | 1992-03-23 | 1992-03-23 | ＳｉＣ質焼結体およびその焼成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4064608A JP2968882B2 (ja) | 1992-03-23 | 1992-03-23 | ＳｉＣ質焼結体およびその焼成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
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