JPH053368A - 半導体レーザの製造方法 - Google Patents
半導体レーザの製造方法Info
- Publication number
- JPH053368A JPH053368A JP18039291A JP18039291A JPH053368A JP H053368 A JPH053368 A JP H053368A JP 18039291 A JP18039291 A JP 18039291A JP 18039291 A JP18039291 A JP 18039291A JP H053368 A JPH053368 A JP H053368A
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- Japan
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- layer
- mask
- sio
- film
- semiconductor laser
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 この発明は、埋め込み構造をもつ半導体レー
ザを容易に製造できる方法を提供することを目的とす
る。 【構成】 基板8上にクラッド層7、活性層6、クラッ
ド層5、キャップ層4をこの順序で積層形成する。この
キャップ層4上に、AlAs層3、Ga1-xAlxAs層
2及びSiO2層1からなる積層マスク10を設ける。
この積層マスク10のSiO2膜1をパターニングし
て、このSiO2膜1をマスクとして、メサ形成を行な
った後、選択液相成長により埋め込み層9を形成し、そ
の後積層マスク10のAlAs層3のみを選択的にエッ
チング除去することにより積層マスク10を除去する。
ザを容易に製造できる方法を提供することを目的とす
る。 【構成】 基板8上にクラッド層7、活性層6、クラッ
ド層5、キャップ層4をこの順序で積層形成する。この
キャップ層4上に、AlAs層3、Ga1-xAlxAs層
2及びSiO2層1からなる積層マスク10を設ける。
この積層マスク10のSiO2膜1をパターニングし
て、このSiO2膜1をマスクとして、メサ形成を行な
った後、選択液相成長により埋め込み層9を形成し、そ
の後積層マスク10のAlAs層3のみを選択的にエッ
チング除去することにより積層マスク10を除去する。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、埋め込み構造をもつ半
導体レーザの製造方法に関するものである。
導体レーザの製造方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来、埋め込み構造をもつ半導体レーザ
装置は、基板上に、GaAlAsからなるクラッド層、
GaAsからなる活性層、GaAlAsからなるクラッ
ド層及びGaAlAsからなるキャップ層をこの順序で
積層してダブルヘテロ構造を形成した後、SiO2膜を
マスクとしてメサ形成を行う。そして、このSiO2膜
をマスクとして、選択液相成長によりGaAlAsから
なる埋め込み層を成長形成していた。
装置は、基板上に、GaAlAsからなるクラッド層、
GaAsからなる活性層、GaAlAsからなるクラッ
ド層及びGaAlAsからなるキャップ層をこの順序で
積層してダブルヘテロ構造を形成した後、SiO2膜を
マスクとしてメサ形成を行う。そして、このSiO2膜
をマスクとして、選択液相成長によりGaAlAsから
なる埋め込み層を成長形成していた。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、埋め込
み成長時のマスクにSiO2を用いて、選択液相成長に
より埋め込み成長を行った場合、Al組成0.5以上の
埋め込み層の成長を行うと、成長メルトであるGaAl
AsメルトとSiO2膜が反応し、成長後にSiO2膜の
除去が困難になるという問題があった。
み成長時のマスクにSiO2を用いて、選択液相成長に
より埋め込み成長を行った場合、Al組成0.5以上の
埋め込み層の成長を行うと、成長メルトであるGaAl
AsメルトとSiO2膜が反応し、成長後にSiO2膜の
除去が困難になるという問題があった。
【0004】また、大気に触れたAlAs膜はすぐに酸
化し、酸化膜が表面にできる。この酸化膜上にSiO2
膜を形成すると、SiO2膜がはがれる等の現象が発生
し、安定したSiO2膜の形成が難しいという問題があ
った。
化し、酸化膜が表面にできる。この酸化膜上にSiO2
膜を形成すると、SiO2膜がはがれる等の現象が発生
し、安定したSiO2膜の形成が難しいという問題があ
った。
【0005】この発明は、上述した問題点を解決するた
めになされたものにして、埋め込み構造をもつ半導体レ
ーザを容易に製造できる製造方法を提供することを目的
とする。
めになされたものにして、埋め込み構造をもつ半導体レ
ーザを容易に製造できる製造方法を提供することを目的
とする。
【0006】
【課題が解決するための手段】この発明の半導体レーザ
の製造方法は、基板上にクラッド層、活性層、クラッド
層、キャップ層をこの順序で積層形成し、このキャップ
層上に、AlAs層、Ga1-xAlxAs(0.55≧x
≧0)層及びSiO2層からなる積層マスクを設け、こ
の積層マスクのSiO2膜をパターニングして、このS
iO2膜をマスクとして、メサ形成を行なった後、選択
液相成長により埋め込み層を形成し、その後積層マスク
のAlAs層のみを選択的にエッチング除去することに
より積層マスクを除去することを特徴とする。
の製造方法は、基板上にクラッド層、活性層、クラッド
層、キャップ層をこの順序で積層形成し、このキャップ
層上に、AlAs層、Ga1-xAlxAs(0.55≧x
≧0)層及びSiO2層からなる積層マスクを設け、こ
の積層マスクのSiO2膜をパターニングして、このS
iO2膜をマスクとして、メサ形成を行なった後、選択
液相成長により埋め込み層を形成し、その後積層マスク
のAlAs層のみを選択的にエッチング除去することに
より積層マスクを除去することを特徴とする。
【0007】
【作用】AlAs層はフッ酸系エッチャントにより容易
にエッチングされる。一方、埋め込み層のAl組成比
は、AlAs層に比べて小さいか、表面をGaAs層で
カバーすることが一般的であり、フッ酸混合濃度の低い
フッ酸系エッチャントにおいては、ほとんどエッチング
されることはないので、AlAs層の選択的エッチング
が可能になる。従って、埋め込み成長後にAlAs層の
みを選択的にエッチングすることにより、積層マスクを
リフトオフによって除去することが可能になる。
にエッチングされる。一方、埋め込み層のAl組成比
は、AlAs層に比べて小さいか、表面をGaAs層で
カバーすることが一般的であり、フッ酸混合濃度の低い
フッ酸系エッチャントにおいては、ほとんどエッチング
されることはないので、AlAs層の選択的エッチング
が可能になる。従って、埋め込み成長後にAlAs層の
みを選択的にエッチングすることにより、積層マスクを
リフトオフによって除去することが可能になる。
【0008】更に、AlAs層の上にAl組成比0.5
5以下のGaAlAs層を設け、その上にSiO2膜を
形成する構造とすることで、付着力が弱くなるAlAs
層上へSiO2膜を形成することを避けることができ
る。
5以下のGaAlAs層を設け、その上にSiO2膜を
形成する構造とすることで、付着力が弱くなるAlAs
層上へSiO2膜を形成することを避けることができ
る。
【0009】
【実施例】図1はこの発明による半導体レーザの製造方
法の一実施例を工程順に示した断面図である。
法の一実施例を工程順に示した断面図である。
【0010】図1(a)に示すように、基板8上に、G
a0.65Al0.35Asからなる膜厚0.5μmの第2クラ
ッド層7、膜厚0.1μmのGaAsからなる活性層
6、Ga0.65Al0.35Asからなる膜厚0.5μmの第
1クラッド層5、Ga0.94Al0.06Asからなる膜厚
0.5μmのキャップ層4をこの順序で積層し、基板8
上にダブルヘテロ構造を形成する。そして、キャップ層
4上に、膜厚0.5μmのAlAs層3、膜厚0.3μ
mのGa0.8Al0.2As層2及びSiO2膜1からなる
積層マスク10を形成した後、SiO2膜1をパターニ
ングする。
a0.65Al0.35Asからなる膜厚0.5μmの第2クラ
ッド層7、膜厚0.1μmのGaAsからなる活性層
6、Ga0.65Al0.35Asからなる膜厚0.5μmの第
1クラッド層5、Ga0.94Al0.06Asからなる膜厚
0.5μmのキャップ層4をこの順序で積層し、基板8
上にダブルヘテロ構造を形成する。そして、キャップ層
4上に、膜厚0.5μmのAlAs層3、膜厚0.3μ
mのGa0.8Al0.2As層2及びSiO2膜1からなる
積層マスク10を形成した後、SiO2膜1をパターニ
ングする。
【0011】続いて、図1(b)に示すように、SiO
2膜1をマスクにして、ドライエッチング技術によりメ
サエッチングを行なう。
2膜1をマスクにして、ドライエッチング技術によりメ
サエッチングを行なう。
【0012】次に、図1(c)に示すように、SiO2
膜1をマスクにして、選択液相成長により埋め込み層9
を形成する。この選択液相成長において、通常AlAs
層には成長することはないので、AlAs層2より上
部、すなわちSiO2膜1/GaAlAs層2/AlA
s層3部分は、例えばp−n逆バイアス特性を有する複
数の層からなるGa0.5Al0.5As層にて形成される埋
め込み層9により埋め込まれることはない。
膜1をマスクにして、選択液相成長により埋め込み層9
を形成する。この選択液相成長において、通常AlAs
層には成長することはないので、AlAs層2より上
部、すなわちSiO2膜1/GaAlAs層2/AlA
s層3部分は、例えばp−n逆バイアス特性を有する複
数の層からなるGa0.5Al0.5As層にて形成される埋
め込み層9により埋め込まれることはない。
【0013】その後、図1(d)に示すように、積層マ
スク10の除去を行なう。例えば、バッファードフッ酸
を用いれば、埋め込み層9をほとんどエッチングするこ
となく、AlAs層3を選択的にエッチングすることが
できる。図1(d)の状態は、AlAs層3のエッチン
グが進行している段階である。このようにAlAs層3
のエッチングが進むことにより、積層マスク10をリフ
トオフによって除去することができる。
スク10の除去を行なう。例えば、バッファードフッ酸
を用いれば、埋め込み層9をほとんどエッチングするこ
となく、AlAs層3を選択的にエッチングすることが
できる。図1(d)の状態は、AlAs層3のエッチン
グが進行している段階である。このようにAlAs層3
のエッチングが進むことにより、積層マスク10をリフ
トオフによって除去することができる。
【0014】尚、この発明による積層マスクは、ドライ
エッチングによりメサ形成を行う工程をもつ半導体レー
ザに適用できるのみでなく、他の方法例えばウェットエ
ッチングによってメサ形成を行う場合にも使用すること
ができる。
エッチングによりメサ形成を行う工程をもつ半導体レー
ザに適用できるのみでなく、他の方法例えばウェットエ
ッチングによってメサ形成を行う場合にも使用すること
ができる。
【0015】
【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、埋め込み成長後のSiO2表面状態にかかわらず、
マスクを除去することができ、埋め込み構造をもつ半導
体レーザを容易に製造することができる。
ば、埋め込み成長後のSiO2表面状態にかかわらず、
マスクを除去することができ、埋め込み構造をもつ半導
体レーザを容易に製造することができる。
【図1】この発明による半導体レーザの製造方法の一実
施例を工程順に示した断面図である。
施例を工程順に示した断面図である。
1 SiO2膜 2 Ga0.8Al0.2As層 3 AlAs層 4 キャップ層 5 第1グラッド層 6 活性層 7 第2グラッド層 8 基板 9 埋め込み層 10 積層マスク
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 【請求項1】 基板上にクラッド層、活性層、クラッド
層、キャップ層をこの順序で積層形成し、このキャップ
層上に、AlAs層、Ga1-xAlxAs層及びSiO2
層からなる積層マスクを設け、この積層マスクのSiO
2膜をパターニングして、このSiO2膜をマスクとし
て、メサ形成を行なった後、選択液相成長により埋め込
み層を形成し、その後積層マスクのAlAs層のみを選
択的にエッチング除去することにより積層マスクを除去
することを特徴とする半導体レーザの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18039291A JPH053368A (ja) | 1991-06-25 | 1991-06-25 | 半導体レーザの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18039291A JPH053368A (ja) | 1991-06-25 | 1991-06-25 | 半導体レーザの製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH053368A true JPH053368A (ja) | 1993-01-08 |
Family
ID=16082437
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP18039291A Pending JPH053368A (ja) | 1991-06-25 | 1991-06-25 | 半導体レーザの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH053368A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004363287A (ja) * | 2003-06-04 | 2004-12-24 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 半導体装置の製造方法 |
WO2013100082A1 (ja) | 2011-12-28 | 2013-07-04 | 旭化成イーマテリアルズ株式会社 | レドックスフロー二次電池及びレドックスフロー二次電池用電解質膜 |
US20150166731A1 (en) * | 2013-12-16 | 2015-06-18 | Chevron Phillips Chemical Company Lp | Reinforced Poly(Arylene Sulfide) Polymer Compositions |
US9567437B2 (en) | 2012-12-27 | 2017-02-14 | Toray Industries, Inc. | Production method of cyclic polyarylene sulfide |
-
1991
- 1991-06-25 JP JP18039291A patent/JPH053368A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004363287A (ja) * | 2003-06-04 | 2004-12-24 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 半導体装置の製造方法 |
WO2013100082A1 (ja) | 2011-12-28 | 2013-07-04 | 旭化成イーマテリアルズ株式会社 | レドックスフロー二次電池及びレドックスフロー二次電池用電解質膜 |
US9567437B2 (en) | 2012-12-27 | 2017-02-14 | Toray Industries, Inc. | Production method of cyclic polyarylene sulfide |
US20150166731A1 (en) * | 2013-12-16 | 2015-06-18 | Chevron Phillips Chemical Company Lp | Reinforced Poly(Arylene Sulfide) Polymer Compositions |
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