JPH053368A - 半導体レーザの製造方法 - Google Patents
半導体レーザの製造方法Info
- Publication number
- JPH053368A JPH053368A JP18039291A JP18039291A JPH053368A JP H053368 A JPH053368 A JP H053368A JP 18039291 A JP18039291 A JP 18039291A JP 18039291 A JP18039291 A JP 18039291A JP H053368 A JPH053368 A JP H053368A
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- Japan
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- layer
- mask
- sio
- film
- semiconductor laser
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 この発明は、埋め込み構造をもつ半導体レー
ザを容易に製造できる方法を提供することを目的とす
る。 【構成】 基板８上にクラッド層７、活性層６、クラッ
ド層５、キャップ層４をこの順序で積層形成する。この
キャップ層４上に、ＡｌＡｓ層３、Ｇａ1-xＡｌxＡｓ層
２及びＳｉＯ2層１からなる積層マスク１０を設ける。
この積層マスク１０のＳｉＯ2膜１をパターニングし
て、このＳｉＯ2膜１をマスクとして、メサ形成を行な
った後、選択液相成長により埋め込み層９を形成し、そ
の後積層マスク１０のＡｌＡｓ層３のみを選択的にエッ
チング除去することにより積層マスク１０を除去する。
ザを容易に製造できる方法を提供することを目的とす
る。 【構成】 基板８上にクラッド層７、活性層６、クラッ
ド層５、キャップ層４をこの順序で積層形成する。この
キャップ層４上に、ＡｌＡｓ層３、Ｇａ1-xＡｌxＡｓ層
２及びＳｉＯ2層１からなる積層マスク１０を設ける。
この積層マスク１０のＳｉＯ2膜１をパターニングし
て、このＳｉＯ2膜１をマスクとして、メサ形成を行な
った後、選択液相成長により埋め込み層９を形成し、そ
の後積層マスク１０のＡｌＡｓ層３のみを選択的にエッ
チング除去することにより積層マスク１０を除去する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、埋め込み構造をもつ半
導体レーザの製造方法に関するものである。
導体レーザの製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、埋め込み構造をもつ半導体レーザ
装置は、基板上に、ＧａＡｌＡｓからなるクラッド層、
ＧａＡｓからなる活性層、ＧａＡｌＡｓからなるクラッ
ド層及びＧａＡｌＡｓからなるキャップ層をこの順序で
積層してダブルヘテロ構造を形成した後、ＳｉＯ2膜を
マスクとしてメサ形成を行う。そして、このＳｉＯ2膜
をマスクとして、選択液相成長によりＧａＡｌＡｓから
なる埋め込み層を成長形成していた。
装置は、基板上に、ＧａＡｌＡｓからなるクラッド層、
ＧａＡｓからなる活性層、ＧａＡｌＡｓからなるクラッ
ド層及びＧａＡｌＡｓからなるキャップ層をこの順序で
積層してダブルヘテロ構造を形成した後、ＳｉＯ2膜を
マスクとしてメサ形成を行う。そして、このＳｉＯ2膜
をマスクとして、選択液相成長によりＧａＡｌＡｓから
なる埋め込み層を成長形成していた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、埋め込
み成長時のマスクにＳｉＯ2を用いて、選択液相成長に
より埋め込み成長を行った場合、Ａｌ組成０．５以上の
埋め込み層の成長を行うと、成長メルトであるＧａＡｌ
ＡｓメルトとＳｉＯ2膜が反応し、成長後にＳｉＯ2膜の
除去が困難になるという問題があった。
み成長時のマスクにＳｉＯ2を用いて、選択液相成長に
より埋め込み成長を行った場合、Ａｌ組成０．５以上の
埋め込み層の成長を行うと、成長メルトであるＧａＡｌ
ＡｓメルトとＳｉＯ2膜が反応し、成長後にＳｉＯ2膜の
除去が困難になるという問題があった。
【０００４】また、大気に触れたＡｌＡｓ膜はすぐに酸
化し、酸化膜が表面にできる。この酸化膜上にＳｉＯ2
膜を形成すると、ＳｉＯ2膜がはがれる等の現象が発生
し、安定したＳｉＯ2膜の形成が難しいという問題があ
った。
化し、酸化膜が表面にできる。この酸化膜上にＳｉＯ2
膜を形成すると、ＳｉＯ2膜がはがれる等の現象が発生
し、安定したＳｉＯ2膜の形成が難しいという問題があ
った。
【０００５】この発明は、上述した問題点を解決するた
めになされたものにして、埋め込み構造をもつ半導体レ
ーザを容易に製造できる製造方法を提供することを目的
とする。
めになされたものにして、埋め込み構造をもつ半導体レ
ーザを容易に製造できる製造方法を提供することを目的
とする。
【０００６】
【課題が解決するための手段】この発明の半導体レーザ
の製造方法は、基板上にクラッド層、活性層、クラッド
層、キャップ層をこの順序で積層形成し、このキャップ
層上に、ＡｌＡｓ層、Ｇａ1-xＡｌxＡｓ（０．５５≧ｘ
≧０）層及びＳｉＯ2層からなる積層マスクを設け、こ
の積層マスクのＳｉＯ2膜をパターニングして、このＳ
ｉＯ2膜をマスクとして、メサ形成を行なった後、選択
液相成長により埋め込み層を形成し、その後積層マスク
のＡｌＡｓ層のみを選択的にエッチング除去することに
より積層マスクを除去することを特徴とする。
の製造方法は、基板上にクラッド層、活性層、クラッド
層、キャップ層をこの順序で積層形成し、このキャップ
層上に、ＡｌＡｓ層、Ｇａ1-xＡｌxＡｓ（０．５５≧ｘ
≧０）層及びＳｉＯ2層からなる積層マスクを設け、こ
の積層マスクのＳｉＯ2膜をパターニングして、このＳ
ｉＯ2膜をマスクとして、メサ形成を行なった後、選択
液相成長により埋め込み層を形成し、その後積層マスク
のＡｌＡｓ層のみを選択的にエッチング除去することに
より積層マスクを除去することを特徴とする。
【０００７】
【作用】ＡｌＡｓ層はフッ酸系エッチャントにより容易
にエッチングされる。一方、埋め込み層のＡｌ組成比
は、ＡｌＡｓ層に比べて小さいか、表面をＧａＡｓ層で
カバーすることが一般的であり、フッ酸混合濃度の低い
フッ酸系エッチャントにおいては、ほとんどエッチング
されることはないので、ＡｌＡｓ層の選択的エッチング
が可能になる。従って、埋め込み成長後にＡｌＡｓ層の
みを選択的にエッチングすることにより、積層マスクを
リフトオフによって除去することが可能になる。
にエッチングされる。一方、埋め込み層のＡｌ組成比
は、ＡｌＡｓ層に比べて小さいか、表面をＧａＡｓ層で
カバーすることが一般的であり、フッ酸混合濃度の低い
フッ酸系エッチャントにおいては、ほとんどエッチング
されることはないので、ＡｌＡｓ層の選択的エッチング
が可能になる。従って、埋め込み成長後にＡｌＡｓ層の
みを選択的にエッチングすることにより、積層マスクを
リフトオフによって除去することが可能になる。
【０００８】更に、ＡｌＡｓ層の上にＡｌ組成比０．５
５以下のＧａＡｌＡｓ層を設け、その上にＳｉＯ2膜を
形成する構造とすることで、付着力が弱くなるＡｌＡｓ
層上へＳｉＯ2膜を形成することを避けることができ
る。
５以下のＧａＡｌＡｓ層を設け、その上にＳｉＯ2膜を
形成する構造とすることで、付着力が弱くなるＡｌＡｓ
層上へＳｉＯ2膜を形成することを避けることができ
る。
【０００９】
【実施例】図１はこの発明による半導体レーザの製造方
法の一実施例を工程順に示した断面図である。
法の一実施例を工程順に示した断面図である。
【００１０】図１（ａ）に示すように、基板８上に、Ｇ
ａ0.65Ａｌ0.35Ａｓからなる膜厚０．５μｍの第２クラ
ッド層７、膜厚０．１μｍのＧａＡｓからなる活性層
６、Ｇａ0.65Ａｌ0.35Ａｓからなる膜厚０．５μｍの第
１クラッド層５、Ｇａ0.94Ａｌ0.06Ａｓからなる膜厚
０．５μｍのキャップ層４をこの順序で積層し、基板８
上にダブルヘテロ構造を形成する。そして、キャップ層
４上に、膜厚０．５μｍのＡｌＡｓ層３、膜厚０．３μ
ｍのＧａ0.8Ａｌ0.2Ａｓ層２及びＳｉＯ2膜１からなる
積層マスク１０を形成した後、ＳｉＯ2膜１をパターニ
ングする。
ａ0.65Ａｌ0.35Ａｓからなる膜厚０．５μｍの第２クラ
ッド層７、膜厚０．１μｍのＧａＡｓからなる活性層
６、Ｇａ0.65Ａｌ0.35Ａｓからなる膜厚０．５μｍの第
１クラッド層５、Ｇａ0.94Ａｌ0.06Ａｓからなる膜厚
０．５μｍのキャップ層４をこの順序で積層し、基板８
上にダブルヘテロ構造を形成する。そして、キャップ層
４上に、膜厚０．５μｍのＡｌＡｓ層３、膜厚０．３μ
ｍのＧａ0.8Ａｌ0.2Ａｓ層２及びＳｉＯ2膜１からなる
積層マスク１０を形成した後、ＳｉＯ2膜１をパターニ
ングする。
【００１１】続いて、図１（ｂ）に示すように、ＳｉＯ
2膜１をマスクにして、ドライエッチング技術によりメ
サエッチングを行なう。
2膜１をマスクにして、ドライエッチング技術によりメ
サエッチングを行なう。
【００１２】次に、図１（ｃ）に示すように、ＳｉＯ2
膜１をマスクにして、選択液相成長により埋め込み層９
を形成する。この選択液相成長において、通常ＡｌＡｓ
層には成長することはないので、ＡｌＡｓ層２より上
部、すなわちＳｉＯ2膜１／ＧａＡｌＡｓ層２／ＡｌＡ
ｓ層３部分は、例えばｐ−ｎ逆バイアス特性を有する複
数の層からなるＧａ0.5Ａｌ0.5Ａｓ層にて形成される埋
め込み層９により埋め込まれることはない。
膜１をマスクにして、選択液相成長により埋め込み層９
を形成する。この選択液相成長において、通常ＡｌＡｓ
層には成長することはないので、ＡｌＡｓ層２より上
部、すなわちＳｉＯ2膜１／ＧａＡｌＡｓ層２／ＡｌＡ
ｓ層３部分は、例えばｐ−ｎ逆バイアス特性を有する複
数の層からなるＧａ0.5Ａｌ0.5Ａｓ層にて形成される埋
め込み層９により埋め込まれることはない。
【００１３】その後、図１（ｄ）に示すように、積層マ
スク１０の除去を行なう。例えば、バッファードフッ酸
を用いれば、埋め込み層９をほとんどエッチングするこ
となく、ＡｌＡｓ層３を選択的にエッチングすることが
できる。図１（ｄ）の状態は、ＡｌＡｓ層３のエッチン
グが進行している段階である。このようにＡｌＡｓ層３
のエッチングが進むことにより、積層マスク１０をリフ
トオフによって除去することができる。
スク１０の除去を行なう。例えば、バッファードフッ酸
を用いれば、埋め込み層９をほとんどエッチングするこ
となく、ＡｌＡｓ層３を選択的にエッチングすることが
できる。図１（ｄ）の状態は、ＡｌＡｓ層３のエッチン
グが進行している段階である。このようにＡｌＡｓ層３
のエッチングが進むことにより、積層マスク１０をリフ
トオフによって除去することができる。
【００１４】尚、この発明による積層マスクは、ドライ
エッチングによりメサ形成を行う工程をもつ半導体レー
ザに適用できるのみでなく、他の方法例えばウェットエ
ッチングによってメサ形成を行う場合にも使用すること
ができる。
エッチングによりメサ形成を行う工程をもつ半導体レー
ザに適用できるのみでなく、他の方法例えばウェットエ
ッチングによってメサ形成を行う場合にも使用すること
ができる。
【００１５】
【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、埋め込み成長後のＳｉＯ2表面状態にかかわらず、
マスクを除去することができ、埋め込み構造をもつ半導
体レーザを容易に製造することができる。
ば、埋め込み成長後のＳｉＯ2表面状態にかかわらず、
マスクを除去することができ、埋め込み構造をもつ半導
体レーザを容易に製造することができる。
【図１】この発明による半導体レーザの製造方法の一実
施例を工程順に示した断面図である。
施例を工程順に示した断面図である。
１ ＳｉＯ2膜 ２ Ｇａ0.8Ａｌ0.2Ａｓ層 ３ ＡｌＡｓ層 ４ キャップ層 ５ 第１グラッド層 ６ 活性層 ７ 第２グラッド層 ８ 基板 ９ 埋め込み層 １０ 積層マスク
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 【請求項１】 基板上にクラッド層、活性層、クラッド
層、キャップ層をこの順序で積層形成し、このキャップ
層上に、ＡｌＡｓ層、Ｇａ1-xＡｌxＡｓ層及びＳｉＯ2
層からなる積層マスクを設け、この積層マスクのＳｉＯ
2膜をパターニングして、このＳｉＯ2膜をマスクとし
て、メサ形成を行なった後、選択液相成長により埋め込
み層を形成し、その後積層マスクのＡｌＡｓ層のみを選
択的にエッチング除去することにより積層マスクを除去
することを特徴とする半導体レーザの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18039291A JPH053368A (ja) | 1991-06-25 | 1991-06-25 | 半導体レーザの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18039291A JPH053368A (ja) | 1991-06-25 | 1991-06-25 | 半導体レーザの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH053368A true JPH053368A (ja) | 1993-01-08 |
Family
ID=16082437
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18039291A Pending JPH053368A (ja) | 1991-06-25 | 1991-06-25 | 半導体レーザの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH053368A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004363287A (ja) * | 2003-06-04 | 2004-12-24 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 半導体装置の製造方法 |
| WO2013100082A1 (ja) | 2011-12-28 | 2013-07-04 | 旭化成イーマテリアルズ株式会社 | レドックスフロー二次電池及びレドックスフロー二次電池用電解質膜 |
| US20150166731A1 (en) * | 2013-12-16 | 2015-06-18 | Chevron Phillips Chemical Company Lp | Reinforced Poly(Arylene Sulfide) Polymer Compositions |
| US9567437B2 (en) | 2012-12-27 | 2017-02-14 | Toray Industries, Inc. | Production method of cyclic polyarylene sulfide |
-
1991
- 1991-06-25 JP JP18039291A patent/JPH053368A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004363287A (ja) * | 2003-06-04 | 2004-12-24 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 半導体装置の製造方法 |
| WO2013100082A1 (ja) | 2011-12-28 | 2013-07-04 | 旭化成イーマテリアルズ株式会社 | レドックスフロー二次電池及びレドックスフロー二次電池用電解質膜 |
| US9567437B2 (en) | 2012-12-27 | 2017-02-14 | Toray Industries, Inc. | Production method of cyclic polyarylene sulfide |
| US20150166731A1 (en) * | 2013-12-16 | 2015-06-18 | Chevron Phillips Chemical Company Lp | Reinforced Poly(Arylene Sulfide) Polymer Compositions |
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