JPH0533122A - 蒸着フイルム - Google Patents
蒸着フイルムInfo
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- JPH0533122A JPH0533122A JP18757391A JP18757391A JPH0533122A JP H0533122 A JPH0533122 A JP H0533122A JP 18757391 A JP18757391 A JP 18757391A JP 18757391 A JP18757391 A JP 18757391A JP H0533122 A JPH0533122 A JP H0533122A
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- JP
- Japan
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- film
- vapor
- magnesium oxide
- vapor deposition
- gas
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Abstract
(57)【要約】
【目的】ガス遮断性が一層優れ、かつ、そのバラツキが
極めて小さい酸化マグネシウム蒸着フィルムを提供す
る。 【構成】酸化マグネシウムを窒素ガス等のプラズマ空間
を通過させることにより、基材フィルムの少なくとも片
面に結晶性を有する酸化マグネシウム薄膜を形成する。
極めて小さい酸化マグネシウム蒸着フィルムを提供す
る。 【構成】酸化マグネシウムを窒素ガス等のプラズマ空間
を通過させることにより、基材フィルムの少なくとも片
面に結晶性を有する酸化マグネシウム薄膜を形成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は蒸着フィルムに係わり、
さらに言えば、高分子基材フィルム上に酸化マグネシウ
ムの蒸着被膜を形成した蒸着フィルムに関する。
さらに言えば、高分子基材フィルム上に酸化マグネシウ
ムの蒸着被膜を形成した蒸着フィルムに関する。
【０００２】
【従来の技術】高分子から成る基材フィルムに金属酸化
物の蒸着膜を真空蒸着して成る蒸着フィルムは公知であ
り、透明であること、気体遮断性に優れること等の理由
から、食品の包装材料等に利用されつつある（特公昭５
１−４８５１１号、特公昭６３−２８０１７号、特公平
２−１５３８２号等）。
物の蒸着膜を真空蒸着して成る蒸着フィルムは公知であ
り、透明であること、気体遮断性に優れること等の理由
から、食品の包装材料等に利用されつつある（特公昭５
１−４８５１１号、特公昭６３−２８０１７号、特公平
２−１５３８２号等）。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、真空蒸
着して得られる金属酸化物の蒸着膜は、金属の真空蒸着
と異なり、蒸着膜の酸素透過率にばらつきが大きく、安
定した品質の蒸着フィルムを供給することが困難で、実
用上問題点を残していた。
着して得られる金属酸化物の蒸着膜は、金属の真空蒸着
と異なり、蒸着膜の酸素透過率にばらつきが大きく、安
定した品質の蒸着フィルムを供給することが困難で、実
用上問題点を残していた。
【０００４】本発明の目的は、ガス遮断性が一層優れ、
かつ、そのバラツキが極めて小さい酸化マグネシウム蒸
着フィルムを提供することにある。
かつ、そのバラツキが極めて小さい酸化マグネシウム蒸
着フィルムを提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明者らは鋭意検討し
た結果、従来の真空蒸着法で得られた金属酸化物の蒸着
膜は、アモルファス状態であり、不安定のものと考えら
れるとの知見より、基材フィルムに結晶性を有する酸化
マグネシウム薄膜を設けた蒸着が上記課題を解決するこ
とを見いだした。
た結果、従来の真空蒸着法で得られた金属酸化物の蒸着
膜は、アモルファス状態であり、不安定のものと考えら
れるとの知見より、基材フィルムに結晶性を有する酸化
マグネシウム薄膜を設けた蒸着が上記課題を解決するこ
とを見いだした。
【０００６】
【作用】本発明に係わる蒸着フィルムの酸化マグネシウ
ム薄膜（以下単に膜ともいう）は、従来の真空蒸着法で
得られたものとは、明らかに異なっており、結晶性を有
することが特徴である。
ム薄膜（以下単に膜ともいう）は、従来の真空蒸着法で
得られたものとは、明らかに異なっており、結晶性を有
することが特徴である。
【０００７】これにより従来の完全アモルファス状態の
膜に比べ、部分的にでも結晶性を有することで見かけの
密度が向上し、膜緻密性が上がり、また、成膜後空気中
の水分等が膜中へ侵入し難くなり、膜自体が環境に依存
しない安定なものとなり、結果として、いっそうガスの
遮断性が優れると考えられるが詳細は不明である。ま
た、Ｏ／Ｍｇ比が従来のものより小さいということは、
上記の如く従来の真空蒸着法によるものは、蒸着膜がア
モルファス状態で緻密性に欠けるので、成膜後、空気中
の水分等が蒸着膜中に入り、膜変質、劣化をしており、
このため、見かけのＯ／Ｍｇ比が本発明のものより大き
くなっていると考えられる。
膜に比べ、部分的にでも結晶性を有することで見かけの
密度が向上し、膜緻密性が上がり、また、成膜後空気中
の水分等が膜中へ侵入し難くなり、膜自体が環境に依存
しない安定なものとなり、結果として、いっそうガスの
遮断性が優れると考えられるが詳細は不明である。ま
た、Ｏ／Ｍｇ比が従来のものより小さいということは、
上記の如く従来の真空蒸着法によるものは、蒸着膜がア
モルファス状態で緻密性に欠けるので、成膜後、空気中
の水分等が蒸着膜中に入り、膜変質、劣化をしており、
このため、見かけのＯ／Ｍｇ比が本発明のものより大き
くなっていると考えられる。
【０００８】以下本発明を詳述する。本発明で用いる基
材フィルムは酸化マグネシウム薄膜の支持体であって、
ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリブテン等のポリオ
レフィン、ポリスチレン、ポリエチレンテレフタレー
ト、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレン−２，
６−ナフタレート等のポリエステル、ナイロン−６、ナ
イロン−１１、などのポリアミド、ポリカーボネート、
ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリフルオロエ
チレン、芳香族ポリアミド、ポリイミド、などの単体、
あるいは共重合体等からなるフィルム状のものである。
材フィルムは酸化マグネシウム薄膜の支持体であって、
ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリブテン等のポリオ
レフィン、ポリスチレン、ポリエチレンテレフタレー
ト、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレン−２，
６−ナフタレート等のポリエステル、ナイロン−６、ナ
イロン−１１、などのポリアミド、ポリカーボネート、
ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリフルオロエ
チレン、芳香族ポリアミド、ポリイミド、などの単体、
あるいは共重合体等からなるフィルム状のものである。
【０００９】好ましくは、耐熱性、機械的強度、寸法安
定性に優れるポリエステル、ポリフェニレンスルファイ
ドであるが、特に限定しない。必要に応じて公知の添加
剤、例えば、帯電防止剤、紫外線吸収剤、可塑剤、溶剤
など含んでいてもかまわない。
定性に優れるポリエステル、ポリフェニレンスルファイ
ドであるが、特に限定しない。必要に応じて公知の添加
剤、例えば、帯電防止剤、紫外線吸収剤、可塑剤、溶剤
など含んでいてもかまわない。
【００１０】基材フィルムの厚さとしては、特に限定し
ないが、強度、ハンドリングの点から３μ以上、４００
μの範囲で、好ましくは６μ〜２００μが望ましい。
ないが、強度、ハンドリングの点から３μ以上、４００
μの範囲で、好ましくは６μ〜２００μが望ましい。
【００１１】次に、本発明に用いる酸化マグネシウム
は、天然の炭酸マグネシウムを焼成したもの、海水中の
マグネシウムを出発原料として化学反応により水酸化マ
グネシウムとし、これを焼成したもの、金属マグネシウ
ムを酸素と反応させ、焼成したもの等が使用できる。焼
成温度６００〜１０００℃の軽質マグネシア、焼成温度
１０００〜１５００℃のマグネシア、焼成温度１０００
〜２０００℃のマグネシアクリンカ、あるいはアーク炉
で溶融させて得られる電融マグネシア等のいずれであっ
ても良い。
は、天然の炭酸マグネシウムを焼成したもの、海水中の
マグネシウムを出発原料として化学反応により水酸化マ
グネシウムとし、これを焼成したもの、金属マグネシウ
ムを酸素と反応させ、焼成したもの等が使用できる。焼
成温度６００〜１０００℃の軽質マグネシア、焼成温度
１０００〜１５００℃のマグネシア、焼成温度１０００
〜２０００℃のマグネシアクリンカ、あるいはアーク炉
で溶融させて得られる電融マグネシア等のいずれであっ
ても良い。
【００１２】本発明における結晶性を有する酸化マグネ
シウム薄膜を得る製法としては、特願平３−４７０００
号に示す代表的なもの他、従来からの電子ビームによ
り、上記酸化マグネシウム材料を１０-5〜１０-6Ｔｏｒ
ｒ代の真空系内で蒸発させ、基板上に被膜形成させる真
空蒸着法技術に、直流、交流、高周波、マイクロ波等の
電力を該真空系内に導入し、任意のプラズマ空間を形
成、利用することで目的を達成できる。
シウム薄膜を得る製法としては、特願平３−４７０００
号に示す代表的なもの他、従来からの電子ビームによ
り、上記酸化マグネシウム材料を１０-5〜１０-6Ｔｏｒ
ｒ代の真空系内で蒸発させ、基板上に被膜形成させる真
空蒸着法技術に、直流、交流、高周波、マイクロ波等の
電力を該真空系内に導入し、任意のプラズマ空間を形
成、利用することで目的を達成できる。
【００１３】この際、プラズマ形成させるためのガス種
は、アルゴン、酸素、窒素、二酸化炭素等の一般ガス、
あるいはヘキサメレンジシロキサン等の有機シロキサン
等のガス、または、上記酸素、窒素等との混合ガスでも
よい。
は、アルゴン、酸素、窒素、二酸化炭素等の一般ガス、
あるいはヘキサメレンジシロキサン等の有機シロキサン
等のガス、または、上記酸素、窒素等との混合ガスでも
よい。
【００１４】このガスは、上述のように１０-5〜１０-6
Ｔｏｒｒに排気された真空密閉系内の圧力が、１×１０
-4〜５×１０-3Ｔｏｒｒ程度になるように導入すること
が好ましいが、最適条件は、プラズマ発生用の電源の種
類、投入電力に依存するので、各々最適化が必要であ
る。
Ｔｏｒｒに排気された真空密閉系内の圧力が、１×１０
-4〜５×１０-3Ｔｏｒｒ程度になるように導入すること
が好ましいが、最適条件は、プラズマ発生用の電源の種
類、投入電力に依存するので、各々最適化が必要であ
る。
【００１５】本発明における結晶性の確認には、通常用
いられているＸ線回折装置、あるいは薄膜Ｘ線回折装置
により容易に確認できる。
いられているＸ線回折装置、あるいは薄膜Ｘ線回折装置
により容易に確認できる。
【００１６】更に本発明の酸化マグネシウム薄膜につい
て述べると、少なくともミラー指数（２２０）、（２０
０）、（１１１）の回折ピークを有し、（２２０）面の
回折ピークが最も大きいことが特徴的である。
て述べると、少なくともミラー指数（２２０）、（２０
０）、（１１１）の回折ピークを有し、（２２０）面の
回折ピークが最も大きいことが特徴的である。
【００１７】また、光電子分光法（ＸＰＳ）による膜の
組成として、酸素（Ｏ）及びマグネシウム（Ｍｇ）の原
子比（Ｏ／Ｍｇ比）は、１．２５〜１．３２で従来の真
空蒸着法により得られたものより小さいのが特徴であ
る。
組成として、酸素（Ｏ）及びマグネシウム（Ｍｇ）の原
子比（Ｏ／Ｍｇ比）は、１．２５〜１．３２で従来の真
空蒸着法により得られたものより小さいのが特徴であ
る。
【００１８】本発明の酸化マグネシウム薄膜の膜厚は、
５００Å以上２０００Å以下の範囲で、ガス遮断性の極
めて安定した特性を示す。
５００Å以上２０００Å以下の範囲で、ガス遮断性の極
めて安定した特性を示す。
【００１９】従来の真空蒸着法で得られたものは、上記
の如く広い範囲で安定した特性を示さず、不安定のもの
と考えられる。これは、膜の成膜条件の違いによる、蒸
着膜の内部否等の大小によるものと考えられる。
の如く広い範囲で安定した特性を示さず、不安定のもの
と考えられる。これは、膜の成膜条件の違いによる、蒸
着膜の内部否等の大小によるものと考えられる。
【００２０】光学的透明性については従来の真空蒸着法
のものと全く違いがなく、可視波長（８００〜４００ｎ
ｍ）領域で極めて高い透明性を示す。（８０％以上）
のものと全く違いがなく、可視波長（８００〜４００ｎ
ｍ）領域で極めて高い透明性を示す。（８０％以上）
【００２１】また、結晶性を有する酸化マグネシウム薄
膜を得る他の製法としては、従来法によるアモルファス
状態を有する蒸着膜の形成された基材フィルムを熱処理
することによっても得ることができる。
膜を得る他の製法としては、従来法によるアモルファス
状態を有する蒸着膜の形成された基材フィルムを熱処理
することによっても得ることができる。
【００２２】次に、本発明の酸化マグネシウム薄膜を得
るための一例を、具体的に図１に示す装置を用いて製造
することができる。図１は本発明の製造装置の一説明図
である。
るための一例を、具体的に図１に示す装置を用いて製造
することができる。図１は本発明の製造装置の一説明図
である。
【００２３】すなわち、図１において、装置はその内部
全体が１０-5〜１０-6Ｔｏｒｒに排気されている。排気
は排気口７に接続されたポンプ（図示せず）によりでき
る。
全体が１０-5〜１０-6Ｔｏｒｒに排気されている。排気
は排気口７に接続されたポンプ（図示せず）によりでき
る。
【００２４】基材フィルム１は帯状のもので、巻き出し
ロール１１から巻き出され、ダンサーロール３２、制御
ロール３１、エキスパンダーロール３３を順次通過した
後、冷却ロール３４に抱かれながら走行し、再度エキス
パンダーロール３３、制御ロール３１、ダンサーロール
３２をこの順に通過して巻取りロール１２に巻き取られ
る。
ロール１１から巻き出され、ダンサーロール３２、制御
ロール３１、エキスパンダーロール３３を順次通過した
後、冷却ロール３４に抱かれながら走行し、再度エキス
パンダーロール３３、制御ロール３１、ダンサーロール
３２をこの順に通過して巻取りロール１２に巻き取られ
る。
【００２５】冷却ロール３４と蒸着源４とは、その間に
コイル状アンテナ７０１を挟んで配置されており、加熱
により気化（蒸発）した酸化マグネシウム２蒸気は、コ
イル状アンテナ７０１の内部を通過して冷却ロール３４
表面に到達する。２００は遮蔽板で、この遮蔽板２００
の間の位置で冷却ロール３４は蒸着源４に露出してお
り、酸化マグネシウム２が基材フィルム１表面に付着す
る。
コイル状アンテナ７０１を挟んで配置されており、加熱
により気化（蒸発）した酸化マグネシウム２蒸気は、コ
イル状アンテナ７０１の内部を通過して冷却ロール３４
表面に到達する。２００は遮蔽板で、この遮蔽板２００
の間の位置で冷却ロール３４は蒸着源４に露出してお
り、酸化マグネシウム２が基材フィルム１表面に付着す
る。
【００２６】コイル状アンテナ７０１はマッチングボッ
クス７２を介して高周波電源７１に接続しており、所定
の高周波電力を供給することができる。
クス７２を介して高周波電源７１に接続しており、所定
の高周波電力を供給することができる。
【００２７】また、コイル状アンテナ７０１の近傍に
は、プラズマ用ガスの導入管５の排出口が配置されてい
る。この導入管５はマスフロコントローラー６を介して
ガス導入源５１に接続している。
は、プラズマ用ガスの導入管５の排出口が配置されてい
る。この導入管５はマスフロコントローラー６を介して
ガス導入源５１に接続している。
【００２８】なお、有機シロキサン化合物を使用する場
合には、この有機シロキサン化合物を一旦気化さた後導
入する必要がある。１００はこの気化装置を示してい
る。
合には、この有機シロキサン化合物を一旦気化さた後導
入する必要がある。１００はこの気化装置を示してい
る。
【００２９】この装置を用いて蒸着フィルムを作成する
ためには、まず装置内部を排気して真空状態とした後、
マスフロコントローラー６により流量を調節しながらプ
ラズマ用ガスを導入管５から導入し、同時にマッチング
ボックス７２を介してコイル状アンテナ７０１に高周波
電力を供給してプラズマを発生させ、基材フィルム１を
所定速度で走行させながら、蒸着源４を加熱して酸化マ
グネシウム２を気化させれば良い。コイル状アンテナ７
０１の負荷に変動があった場合には、マッチングボック
ス７２により供給電力を即時に補正することができる。
ためには、まず装置内部を排気して真空状態とした後、
マスフロコントローラー６により流量を調節しながらプ
ラズマ用ガスを導入管５から導入し、同時にマッチング
ボックス７２を介してコイル状アンテナ７０１に高周波
電力を供給してプラズマを発生させ、基材フィルム１を
所定速度で走行させながら、蒸着源４を加熱して酸化マ
グネシウム２を気化させれば良い。コイル状アンテナ７
０１の負荷に変動があった場合には、マッチングボック
ス７２により供給電力を即時に補正することができる。
【００３０】
＜実施例１＞ （Ａ）装置─図１の装置。 （Ｂ）排気による初期圧力─５×１０-6Ｔｏｒｒ。 （Ｃ）基材フィルム。 （ａ）材質─二軸延伸ポリエチレンテレフタレートフィ
ルム。 （ｂ）厚み─１２μｍ。 （ｃ）幅──２００ｍｍ。 （ｄ）長さ─１０００ｍ。 （Ｄ）冷却ロール温度─約−１０℃。
ルム。 （ｂ）厚み─１２μｍ。 （ｃ）幅──２００ｍｍ。 （ｄ）長さ─１０００ｍ。 （Ｄ）冷却ロール温度─約−１０℃。
【００３１】（Ｅ）蒸着源。 （ａ）冷却ロールとの距離─３００ｍｍ。 （ｂ）蒸発材料─電融マグネシア（タテホ化学（株）社
製ＳＳＰ＃１）。 （ｃ）加熱源─電子銃（加速電圧６ｋＶ、エミッション
電流２５０ｍＡ）。 （Ｆ）コイル状アンテナの電力─１３．５６ＭＨｚ、５
００Ｗ。 （Ｇ）プラズマ用ガス。 （ａ）ガス組成─高純度酸素（４Ｎ）。 （ｂ）流量─装置内が１×１０-4Ｔｏｒｒになるように
マスクロコントローラーで調整。
製ＳＳＰ＃１）。 （ｃ）加熱源─電子銃（加速電圧６ｋＶ、エミッション
電流２５０ｍＡ）。 （Ｆ）コイル状アンテナの電力─１３．５６ＭＨｚ、５
００Ｗ。 （Ｇ）プラズマ用ガス。 （ａ）ガス組成─高純度酸素（４Ｎ）。 （ｂ）流量─装置内が１×１０-4Ｔｏｒｒになるように
マスクロコントローラーで調整。
【００３２】以上の条件で、水晶式膜厚系で薄膜形成速
度が２５Å／ｓｅｃとなる速度で基材フィルムを走行さ
せ、酸化マグネシウム薄膜の厚みが１８００Åになるよ
うに蒸着した。この蒸着フィルムを、サンプリングし
て、薄膜Ｘ線回折及び光電子分光法（ＥＳＣＡ）により
膜の結晶性、組成分析を行ったところ、図２の如く（２
２０）、（１１１）、（２００）のミラー指数を有する
結晶性のものであり、また、膜のマグネシウムに対する
酸素の割合（原子比）は、１．３２０であった。
度が２５Å／ｓｅｃとなる速度で基材フィルムを走行さ
せ、酸化マグネシウム薄膜の厚みが１８００Åになるよ
うに蒸着した。この蒸着フィルムを、サンプリングし
て、薄膜Ｘ線回折及び光電子分光法（ＥＳＣＡ）により
膜の結晶性、組成分析を行ったところ、図２の如く（２
２０）、（１１１）、（２００）のミラー指数を有する
結晶性のものであり、また、膜のマグネシウムに対する
酸素の割合（原子比）は、１．３２０であった。
【００３３】また、この蒸着フィルムの酸素透過率を、
ＭＯＣＯＮ社製のＭＯＣＯＮ ＯＸ−ＴＲＡＮ−１０／
５０Ａにより測定したところ、０．８ｍｌ／ｍ2 ・ｄａ
ｙ・ａｔｍ（２５℃）であった。
ＭＯＣＯＮ社製のＭＯＣＯＮ ＯＸ−ＴＲＡＮ−１０／
５０Ａにより測定したところ、０．８ｍｌ／ｍ2 ・ｄａ
ｙ・ａｔｍ（２５℃）であった。
【００３４】＜実施例２〜５＞実施例１と同様で、膜厚
が７００Å、９５０Å、１２００Å、２２５０Å、にな
るように蒸着フィルムを作成した。
が７００Å、９５０Å、１２００Å、２２５０Å、にな
るように蒸着フィルムを作成した。
【００３５】＜実施例６〜８＞プラズマ用ガスとしてア
ルゴン（４Ｎ）、窒素（４Ｎ）、ヘキサメチレンジシロ
キサンを使用し、膜厚をそれぞれ、１６００Å、２１０
０Å、１８８０Å、とした他は実施例１と同様に蒸着フ
ィルムを得た。
ルゴン（４Ｎ）、窒素（４Ｎ）、ヘキサメチレンジシロ
キサンを使用し、膜厚をそれぞれ、１６００Å、２１０
０Å、１８８０Å、とした他は実施例１と同様に蒸着フ
ィルムを得た。
【００３６】＜比較例１＞真空度を３×１０-5Ｔｏｒｒ
とし、コイル状アンテナに電力を供給せず、いわゆる通
常の真空蒸着法で、真空蒸着フィルムを得た。膜厚は１
６５０Åであった。この蒸着フィルムを、実施例１と同
様に膜の分析をしたところ、図３の如く結晶性はなくア
モルファスのものであり、また、Ｏ／Ｍｇは１．３６５
であった。
とし、コイル状アンテナに電力を供給せず、いわゆる通
常の真空蒸着法で、真空蒸着フィルムを得た。膜厚は１
６５０Åであった。この蒸着フィルムを、実施例１と同
様に膜の分析をしたところ、図３の如く結晶性はなくア
モルファスのものであり、また、Ｏ／Ｍｇは１．３６５
であった。
【００３７】＜比較例２〜４＞比較例１と同様で、膜厚
を５５０Å、８５０Å、１０５０Åと変えた。
を５５０Å、８５０Å、１０５０Åと変えた。
【００３８】実施例１〜８、比較例１〜４の結果を表１
に示す。
に示す。
【００３９】
【表１】
【００４０】また、酸素透過率と酸化マグネシウム膜厚
の関係のグラフ図を図４に示す。
の関係のグラフ図を図４に示す。
【００４１】
【発明の効果】本発明によれば、従来からの真空蒸着法
により得られる結晶性を有さない蒸着フィルムに比べ、
ガス遮断性が膜厚の増加に伴い劣化せず、極めて安定し
たものが得られ、かつ、良好な酸素遮断性をもつ蒸着フ
ィルムを提供することができる。
により得られる結晶性を有さない蒸着フィルムに比べ、
ガス遮断性が膜厚の増加に伴い劣化せず、極めて安定し
たものが得られ、かつ、良好な酸素遮断性をもつ蒸着フ
ィルムを提供することができる。
【００４２】
【図１】本発明の蒸着フィルムを得る製造装置の一例を
示す説明図である。
示す説明図である。
【図２】本発明の一実施例の蒸着フィルムのＸ線回折曲
線を示すグラフ図である。
線を示すグラフ図である。
【図３】比較例の蒸着フィルムのＸ線回折曲線を示すグ
ラフ図である。
ラフ図である。
【図４】酸素透過率と酸化マグネシウム膜厚の関係を示
すグラフ図である。
すグラフ図である。
１ 基材フィルム ２ 酸化マグネシウム ３１ 制御ロール ３２ ダンサーロール ３３ エキスパンダーロール ３４ 冷却ロール ４ 蒸着源 ５ プラズマ用ガス導入管 ５１ プラズマ用ガス導入源 ６ マスフロコントローラー ７０１ コイル状アンテナ ７１ 高周波電源 ７２ マッチングボックス ７ 排気口
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 【請求項１】基材フィルムの少なくとも片面に結晶性を
有する酸化マグネシウム薄膜を形成したことを特徴とす
る蒸着フィルム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18757391A JPH0533122A (ja) | 1991-07-26 | 1991-07-26 | 蒸着フイルム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18757391A JPH0533122A (ja) | 1991-07-26 | 1991-07-26 | 蒸着フイルム |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0533122A true JPH0533122A (ja) | 1993-02-09 |
Family
ID=16208467
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18757391A Pending JPH0533122A (ja) | 1991-07-26 | 1991-07-26 | 蒸着フイルム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0533122A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06312478A (ja) * | 1993-04-30 | 1994-11-08 | Toppan Printing Co Ltd | 脱酸素剤用包装体 |
-
1991
- 1991-07-26 JP JP18757391A patent/JPH0533122A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06312478A (ja) * | 1993-04-30 | 1994-11-08 | Toppan Printing Co Ltd | 脱酸素剤用包装体 |
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