JPH05327125A - アレー導波路型レーザ - Google Patents
アレー導波路型レーザInfo
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- JPH05327125A JPH05327125A JP12303992A JP12303992A JPH05327125A JP H05327125 A JPH05327125 A JP H05327125A JP 12303992 A JP12303992 A JP 12303992A JP 12303992 A JP12303992 A JP 12303992A JP H05327125 A JPH05327125 A JP H05327125A
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- waveguide
- dimensional
- laser
- dimensional waveguide
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/026—Monolithically integrated components, e.g. waveguides, monitoring photo-detectors, drivers
- H01S5/0268—Integrated waveguide grating router, e.g. emission of a multi-wavelength laser array is combined by a "dragon router"
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- Lasers (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 光導波路で構成されたアレー導波路型回折格
子とＬＤなどの増幅媒体を組み合わせて等間隔で安定な
多波長発振レーザを得る。 【構成】 入力端を有する２次元導波路３と、該２次元
導波路に接続した複数の長さの異なる３次元導波路４の
他端は高反射率終端６とされており、かつ前記２次元導
波路の入力端に接続した増幅媒体８を有するアレー導波
路型レーザ。また、少なくとも入力端を有する第１の２
次元導波路と、出力端を有する第２の２次元導波路と、
第１の２次元導波路と第２の２次元導波路を接続する長
さの異なる複数の３次元導波路からなる光回路と、該光
回路の入力端又は出力端に接続した増幅媒体を有するア
レー導波路型レーザ。
子とＬＤなどの増幅媒体を組み合わせて等間隔で安定な
多波長発振レーザを得る。 【構成】 入力端を有する２次元導波路３と、該２次元
導波路に接続した複数の長さの異なる３次元導波路４の
他端は高反射率終端６とされており、かつ前記２次元導
波路の入力端に接続した増幅媒体８を有するアレー導波
路型レーザ。また、少なくとも入力端を有する第１の２
次元導波路と、出力端を有する第２の２次元導波路と、
第１の２次元導波路と第２の２次元導波路を接続する長
さの異なる複数の３次元導波路からなる光回路と、該光
回路の入力端又は出力端に接続した増幅媒体を有するア
レー導波路型レーザ。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、主に光通信用部品分野
で利用されるアレー導波路型レーザに関するものであ
る。
で利用されるアレー導波路型レーザに関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】光通信において、伝送情報密度を上げる
には、光ファイバを伝搬する信号光の波長を多重化する
ことが有効な方法の一つである。波長多重方式には、狭
帯域で波長が正確に制御された多数の半導体レーザ（Ｌ
Ｄ）が必要である。また、高密度多重波長合波・分波の
ためには、各ＬＤの波長が等間隔で、その波長間隔は狭
いほうが望ましい。現在まで、狭帯域な分布帰還型半導
体レーザ（ＤＦＢ−ＬＤ）を温度及び電流制御すること
によって波長を調節し、波長多重に用いるベく開発が進
められている。
には、光ファイバを伝搬する信号光の波長を多重化する
ことが有効な方法の一つである。波長多重方式には、狭
帯域で波長が正確に制御された多数の半導体レーザ（Ｌ
Ｄ）が必要である。また、高密度多重波長合波・分波の
ためには、各ＬＤの波長が等間隔で、その波長間隔は狭
いほうが望ましい。現在まで、狭帯域な分布帰還型半導
体レーザ（ＤＦＢ−ＬＤ）を温度及び電流制御すること
によって波長を調節し、波長多重に用いるベく開発が進
められている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記Ｄ
ＦＢ−ＬＤにおいては、狭い等間隔に波長を制御するこ
とは安定性などで困難な問題点が多かった。
ＦＢ−ＬＤにおいては、狭い等間隔に波長を制御するこ
とは安定性などで困難な問題点が多かった。
【０００４】本発明は、前記問題点を解決するためにな
されたものであり、本発明の目的は、波長多重化方式用
に、光導波路で構成されたアレー導波路型回折格子とＬ
Ｄなどの増幅媒体を組み合わせて等間隔で安定な多波長
発振レーザを提供することにある。
されたものであり、本発明の目的は、波長多重化方式用
に、光導波路で構成されたアレー導波路型回折格子とＬ
Ｄなどの増幅媒体を組み合わせて等間隔で安定な多波長
発振レーザを提供することにある。
【０００５】本発明の前記ならびにその他の目的及び新
規な特徴は、本明細書の記述及び添付図面によって明ら
かにする。
規な特徴は、本明細書の記述及び添付図面によって明ら
かにする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に、本発明の（１）の手段は、入力端を有する２次元導
波路と、該２次元導波路に接続した複数の長さの異なる
３次元導波路の他端は高反射率終端とされており、かつ
前記２次元導波路の入力端に接続した増幅媒体を有する
ことを特徴とする。
に、本発明の（１）の手段は、入力端を有する２次元導
波路と、該２次元導波路に接続した複数の長さの異なる
３次元導波路の他端は高反射率終端とされており、かつ
前記２次元導波路の入力端に接続した増幅媒体を有する
ことを特徴とする。
【０００７】本発明の（２）の手段は、少なくとも入力
端を有する第１の２次元導波路と、出力端を有する第２
の２次元導波路と、第１の２次元導波路と第２の２次元
導波路を接続する長さの異なる複数の３次元導波路から
なる光回路と、該光回路の入力端又は出力端に接続した
増幅媒体を有することを特徴とする。
端を有する第１の２次元導波路と、出力端を有する第２
の２次元導波路と、第１の２次元導波路と第２の２次元
導波路を接続する長さの異なる複数の３次元導波路から
なる光回路と、該光回路の入力端又は出力端に接続した
増幅媒体を有することを特徴とする。
【０００８】また、前記増幅媒体として半導体アンプを
用いることを特徴とする。
用いることを特徴とする。
【０００９】また、前記増幅媒体として希土類添加光フ
ァイバを用いることを特徴とする。
ァイバを用いることを特徴とする。
【００１０】
【作用】前述の手段によれば、多数のレーザの発振波長
を単一のアレー導波路型回折格子により制御するので、
安定で高精度に波長間隔を制御された多波長レーザを作
製することができる。
を単一のアレー導波路型回折格子により制御するので、
安定で高精度に波長間隔を制御された多波長レーザを作
製することができる。
【００１１】
【実施例】以下、図面を参照して、本発明の実施例を詳
細に説明する。
細に説明する。
【００１２】最初に、本発明のアレー導波路型レーザの
全実施例の基本的な構造について説明する。
全実施例の基本的な構造について説明する。
【００１３】図１は、本発明のアレー導波路型レーザの
全実施例の基本的な構造を説明するための模式図であ
り、１はシリコン（Ｓｉ）基板、２は入射用３次元導波
路、３は２次元導波路、４，５は３次元導波路、６，７
は高反射率終端部、８は増幅媒体のアレー、９は誘電体
多層膜ミラー、１０はローランド円である。
全実施例の基本的な構造を説明するための模式図であ
り、１はシリコン（Ｓｉ）基板、２は入射用３次元導波
路、３は２次元導波路、４，５は３次元導波路、６，７
は高反射率終端部、８は増幅媒体のアレー、９は誘電体
多層膜ミラー、１０はローランド円である。
【００１４】まず、アレー導波路型回折格子の機能を図
１を用いて説明する。
１を用いて説明する。
【００１５】本発明に用いるアレー導波路型回折格子
は、長さが異なる複数の３次元導波路４，５によって、
光の位相を各３次元導波路４，５間で異ならせることに
より、形状的に制限されることなく３次元導波路４，５
間に大きな行路長差を生じさせて高分解能を実現する。
理論的には、隣接する３次元導波路４，５間の行路長差
をΔＬ／２とすると、入射用３次元導波路２から入射
し、２次元導波路３及び３次元導波路４，５を通って反
射して戻ってきた光の２次元導波路３内の回折光の回折
角βは次式で与えられる。
は、長さが異なる複数の３次元導波路４，５によって、
光の位相を各３次元導波路４，５間で異ならせることに
より、形状的に制限されることなく３次元導波路４，５
間に大きな行路長差を生じさせて高分解能を実現する。
理論的には、隣接する３次元導波路４，５間の行路長差
をΔＬ／２とすると、入射用３次元導波路２から入射
し、２次元導波路３及び３次元導波路４，５を通って反
射して戻ってきた光の２次元導波路３内の回折光の回折
角βは次式で与えられる。
【００１６】
【数１】 ｄ（sinα＋sinβ）ｎ＋ΔＬｎ＝ｍλ …………（１） ここで、ｄは２次元導波路３に結合する部分における複
数の３次元導波路４，５の間隔、αは入射角、ｎは屈折
率、ｍは整数である。入射角０，回折角０の近傍では集
光位置ｘと波長λの関係は次式で与えられる。
数の３次元導波路４，５の間隔、αは入射角、ｎは屈折
率、ｍは整数である。入射角０，回折角０の近傍では集
光位置ｘと波長λの関係は次式で与えられる。
【００１７】
【数２】ｄｘ／ｄλ＝ｆｍ／ｎｄ …………（２）
【００１８】
【数３】ｍ＝ΔＬｎ／λ …………（３） ここで、ｆは２次元導波路３の曲率半径であって、焦点
距離に相当する。アレー導波路型回折格子ではΔＬに制
限がないため容易に高分解能化が可能である。
距離に相当する。アレー導波路型回折格子ではΔＬに制
限がないため容易に高分解能化が可能である。
【００１９】以上のように、入射用３次元導波路２には
特定の波長のみが回折される。従って、各入射用３次元
導波路２に接続した増幅媒体のアレー８の各増幅媒体に
はそれぞれ特定の波長が回折され、各増幅媒体はそれぞ
れ異なる波長でレーザ発振することになる。また、アレ
ー導波路型回折格子では入射用３次元導波路２に回折さ
れる光の波長は等間隔になるので、各増幅媒体のレーザ
発振波長を等間隔にすることができる。
特定の波長のみが回折される。従って、各入射用３次元
導波路２に接続した増幅媒体のアレー８の各増幅媒体に
はそれぞれ特定の波長が回折され、各増幅媒体はそれぞ
れ異なる波長でレーザ発振することになる。また、アレ
ー導波路型回折格子では入射用３次元導波路２に回折さ
れる光の波長は等間隔になるので、各増幅媒体のレーザ
発振波長を等間隔にすることができる。
【００２０】〔実施例１〕本実施例１では、アレー導波
路型回折格子を石英系ガラス光導波路で作製し、増幅媒
体として１.５５μm帯の半導体アンプを接続した。
路型回折格子を石英系ガラス光導波路で作製し、増幅媒
体として１.５５μm帯の半導体アンプを接続した。
【００２１】図２は、本発明の実施例１のアレー導波路
型レーザの概略構成を説明するための模式図であり、１
ａはシリコン基板、２ａは石英系ガラスからなる入射用
３次元導波路、３ａは石英系ガラスからなる２次元導波
路、４ａ，５ａは石英系ガラスからなる３次元導波路、
１０ａはローランド円、１１は全反射ミラー、１２は半
導体アンプである。
型レーザの概略構成を説明するための模式図であり、１
ａはシリコン基板、２ａは石英系ガラスからなる入射用
３次元導波路、３ａは石英系ガラスからなる２次元導波
路、４ａ，５ａは石英系ガラスからなる３次元導波路、
１０ａはローランド円、１１は全反射ミラー、１２は半
導体アンプである。
【００２２】アレー導波路型回折格子を構成した石英系
光導波路を作製するには、火炎堆積（ＦＨＤ）と反応性
イオンエッチング（ＲＩＥ）法によった。
光導波路を作製するには、火炎堆積（ＦＨＤ）と反応性
イオンエッチング（ＲＩＥ）法によった。
【００２３】以下に本実施例１の作製手順を説明する。
【００２４】 シリコン基板１ａにＦＨＤ法により下
部クラッドとコアを形成する。
部クラッドとコアを形成する。
【００２５】 フォトリソグラフ法により、図１に示
す構造の導波路コアパターンを転写し、ＲＩＥ法でコア
を形成する。
す構造の導波路コアパターンを転写し、ＲＩＥ法でコア
を形成する。
【００２６】 ＦＤＨ法により上部クラッドを堆積
し、埋め込み型導波路を作製する。
し、埋め込み型導波路を作製する。
【００２７】作製した３次元導波路２ａ，４ａ，５ａの
コアのサイズは６.５×６.５μm、コア・クラッドの非
屈折率差は０.７５％とした。アレー導波路型回折格子
の入射用３次元導波路２ａに回折する光の波長間隔を１
０ＧＨｚになるように、２次元導波路３ａ，３次元導波
路４ａ，５ａを設計した。
コアのサイズは６.５×６.５μm、コア・クラッドの非
屈折率差は０.７５％とした。アレー導波路型回折格子
の入射用３次元導波路２ａに回折する光の波長間隔を１
０ＧＨｚになるように、２次元導波路３ａ，３次元導波
路４ａ，５ａを設計した。
【００２８】導波路作製後、全反射ミラー１１を接着し
た。また、半導体アンプ１２においては、導波路と接続
する端面には反射が生じないように無反射誘電体多層膜
を、出射側の端面には波長１.５５μm帯で反射率約９０
％になる誘電体多層膜ミラーをそれぞれ蒸着した。
た。また、半導体アンプ１２においては、導波路と接続
する端面には反射が生じないように無反射誘電体多層膜
を、出射側の端面には波長１.５５μm帯で反射率約９０
％になる誘電体多層膜ミラーをそれぞれ蒸着した。
【００２９】作製したレーザに関し、半導体アンプ１２
に電流を流して特性を調べた。３個の半導体アンプ１２
のそれぞれに電流を５０ｍＡずつ流したところ、各半導
体アンプ１２からは別々の波長で発振し、波長間隔は１
０ＧＨｚであった。
に電流を流して特性を調べた。３個の半導体アンプ１２
のそれぞれに電流を５０ｍＡずつ流したところ、各半導
体アンプ１２からは別々の波長で発振し、波長間隔は１
０ＧＨｚであった。
【００３０】以上の本実施例の結果より、本発明の有効
性が確認された。
性が確認された。
【００３１】〔実施例２〕本実施例２においては、増幅
媒体として、実施例１で用いた半導体アンプの代わり
に、Ｅｒ添加光ファイバを用いた。
媒体として、実施例１で用いた半導体アンプの代わり
に、Ｅｒ添加光ファイバを用いた。
【００３２】図３は、本発明の本実施例２のレーザの概
略構成を説明するための模式図であり、１ｂはシリコン
基板、３ｂは２次元導波路、４ｂ，５ｂは３次元導波
路、１０ｂはローランド円、１１ａは全反射ミラー、１
３，１３ａはＥｒ添加光ファイバ、１４，１４ａはＥｒ
添加光ファイバからなるポンプ用ＬＤ（波長１.４７μ
m）、１５，１５ａはポンプ光導入用光方向性結合器、
１６は光ファイバアレー取り付け部品、１７はレーザ発
振光取り出し用誘電体多層膜ミラー付き光ファイバアレ
ーである。
略構成を説明するための模式図であり、１ｂはシリコン
基板、３ｂは２次元導波路、４ｂ，５ｂは３次元導波
路、１０ｂはローランド円、１１ａは全反射ミラー、１
３，１３ａはＥｒ添加光ファイバ、１４，１４ａはＥｒ
添加光ファイバからなるポンプ用ＬＤ（波長１.４７μ
m）、１５，１５ａはポンプ光導入用光方向性結合器、
１６は光ファイバアレー取り付け部品、１７はレーザ発
振光取り出し用誘電体多層膜ミラー付き光ファイバアレ
ーである。
【００３３】アレー導波路型回折格子を実施例１と同じ
方法でシリコン基板１ｂ上に作製した。回折格子の３次
元導波路４ｂ，５ｂへの回折間隔を２０ＧＨｚとなるよ
うに設計した。作製したレーザについて、各Ｅｒ励起用
ＬＤの出力を方向性結合器を介してを各Ｅｒ添加光ファ
イバ１３，１３ａに入射しレーザ発振特性を調べた。Ｅ
ｒ添加光ファイバ１３，１３ａに波長１.４７μm出力３
０ｍＷのポンプ光を入射した場合、誘電体多層膜ミラー
を取り付けた光ファイバアレー１７から各光ファイバご
とにレーザ出力が得られた。各光ファイバからのレーザ
光は、アレー導波路型回折格子の波長間隔に合わせて２
０ＧＨｚ間隔で別々に発振した。
方法でシリコン基板１ｂ上に作製した。回折格子の３次
元導波路４ｂ，５ｂへの回折間隔を２０ＧＨｚとなるよ
うに設計した。作製したレーザについて、各Ｅｒ励起用
ＬＤの出力を方向性結合器を介してを各Ｅｒ添加光ファ
イバ１３，１３ａに入射しレーザ発振特性を調べた。Ｅ
ｒ添加光ファイバ１３，１３ａに波長１.４７μm出力３
０ｍＷのポンプ光を入射した場合、誘電体多層膜ミラー
を取り付けた光ファイバアレー１７から各光ファイバご
とにレーザ出力が得られた。各光ファイバからのレーザ
光は、アレー導波路型回折格子の波長間隔に合わせて２
０ＧＨｚ間隔で別々に発振した。
【００３４】〔実施例３〕本実施例３では、アレー導波
路型回折格子を用いてリング共振器型のレーザを構成し
た。
路型回折格子を用いてリング共振器型のレーザを構成し
た。
【００３５】図４は、本発明の実施例３のアレー導波路
型回折格子を用いてリング共振器型のレーザの概略構成
を説明するための図であり、１ｃはシリコン基板、３
ｃ，３ｄは２次元導波路、１０ｃ，１０ｄはローランド
円、１３ｂ，１３ｃはＥｒ添加光ファイバ、１４ｂ，１
４ｃはＥｒ添加光ファイバからなるポンプ用ＬＤ、１５
ｂ，１５ｃはポンプ光導入用光方向性結合器、１８はア
レー３次元導波路、１９，１９ａはレーザ発振光取り出
し用方向性結合器である。
型回折格子を用いてリング共振器型のレーザの概略構成
を説明するための図であり、１ｃはシリコン基板、３
ｃ，３ｄは２次元導波路、１０ｃ，１０ｄはローランド
円、１３ｂ，１３ｃはＥｒ添加光ファイバ、１４ｂ，１
４ｃはＥｒ添加光ファイバからなるポンプ用ＬＤ、１５
ｂ，１５ｃはポンプ光導入用光方向性結合器、１８はア
レー３次元導波路、１９，１９ａはレーザ発振光取り出
し用方向性結合器である。
【００３６】シリコン基板１ｃ上に作製したアレー導波
路型回折格子を実施例１と同じ方法で作製した。作製し
た導波路のコアのサイズは６.５×６.５μm、コア・ク
ラッドの非屈折率差は０.７５％とした。アレー導波路
型回折格子の入射用３次元導波路２ｃ，２ｄに回折する
光の波長間隔は１０ＧＨｚになるようにした。作製した
回折格子の両端面にＥｒ添加光ファイバ１３ｂ，１３ｃ
をリング共振器構造になるように接続した。この場合光
ファイバを接続する入射用３次元導波路２ｃと２ｄの回
折波長が一致するようにした。Ｅｒ添加光ファイバ１３
ｂ，１３ｃの長さは各２０ｍとした。ＬＤは波長１.４
７μmのものである。
路型回折格子を実施例１と同じ方法で作製した。作製し
た導波路のコアのサイズは６.５×６.５μm、コア・ク
ラッドの非屈折率差は０.７５％とした。アレー導波路
型回折格子の入射用３次元導波路２ｃ，２ｄに回折する
光の波長間隔は１０ＧＨｚになるようにした。作製した
回折格子の両端面にＥｒ添加光ファイバ１３ｂ，１３ｃ
をリング共振器構造になるように接続した。この場合光
ファイバを接続する入射用３次元導波路２ｃと２ｄの回
折波長が一致するようにした。Ｅｒ添加光ファイバ１３
ｂ，１３ｃの長さは各２０ｍとした。ＬＤは波長１.４
７μmのものである。
【００３７】作製したレーザについて、各Ｅｒ励起用Ｌ
Ｄの出力を方向性結合器を介して各Ｅｒ添加光ファイバ
１３ｂ，１３ｃに入射し、レーザ発振特性を調べた。各
ポンプ用ＬＤには電流を５０ｍＡずつ流し、Ｅｒ添加光
ファイバ１３ｂ，１３ｃに３０ｍＷのポンプ光を入射し
た。その結果、各Ｅｒ添加光ファイバ１３ｂ，１３ｃに
取り付けたレーザ出力取り出し用方向性結合器から別々
の波長で発振するレーザ光が得られた。波長間隔は１０
ＧＨｚで、レーザスペクトルの半値幅は０.１ｎｍであ
った。
Ｄの出力を方向性結合器を介して各Ｅｒ添加光ファイバ
１３ｂ，１３ｃに入射し、レーザ発振特性を調べた。各
ポンプ用ＬＤには電流を５０ｍＡずつ流し、Ｅｒ添加光
ファイバ１３ｂ，１３ｃに３０ｍＷのポンプ光を入射し
た。その結果、各Ｅｒ添加光ファイバ１３ｂ，１３ｃに
取り付けたレーザ出力取り出し用方向性結合器から別々
の波長で発振するレーザ光が得られた。波長間隔は１０
ＧＨｚで、レーザスペクトルの半値幅は０.１ｎｍであ
った。
【００３８】以上説明した本実施例１，２，３の結果よ
り、本発明の有効性が確認された。
り、本発明の有効性が確認された。
【００３９】また、本実施例１，２，３では、増幅媒体
としてＥｒ添加光ファイバを用いたが、そのかわりにＬ
Ｄアレーと光ファイバアレーを用いることもできる。
としてＥｒ添加光ファイバを用いたが、そのかわりにＬ
Ｄアレーと光ファイバアレーを用いることもできる。
【００４０】以上の実施例で説明した以外に、増幅媒体
としては、他の希土類添加光ファイバを用いることもも
ちろんできる。また、希土類添加石英系ガラス導波路を
用いてアレー導波路型回折格子を構成し、モノリシック
なレーザを作ることも可能である。
としては、他の希土類添加光ファイバを用いることもも
ちろんできる。また、希土類添加石英系ガラス導波路を
用いてアレー導波路型回折格子を構成し、モノリシック
なレーザを作ることも可能である。
【００４１】以上、本発明を実施例に基づき具体的に説
明したが、本発明は、前記実施例に限定されるものでは
なく、その要旨を逸脱しない範囲において種々変更し得
ることはいうまでもない。
明したが、本発明は、前記実施例に限定されるものでは
なく、その要旨を逸脱しない範囲において種々変更し得
ることはいうまでもない。
【００４２】
【発明の効果】以上、説明したように、本発明によれ
ば、多数のレーザの発振波長を単一のアレー導波路型回
折格子により制御するので、安定で高精度に波長間隔を
制御された多波長レーザを作製することができる。
ば、多数のレーザの発振波長を単一のアレー導波路型回
折格子により制御するので、安定で高精度に波長間隔を
制御された多波長レーザを作製することができる。
【図１】 本発明のアレー導波路型レーザの全実施例の
基本的な構造を説明するための模式図、
基本的な構造を説明するための模式図、
【図２】 本発明の実施例１のアレー導波路型レーザの
概略構成を説明するための模式図、
概略構成を説明するための模式図、
【図３】 本発明の本実施例２のレーザの概略構成を説
明するための模式図
明するための模式図
【図４】 本発明の実施例３のアレー導波路型回折格子
を用いてリング共振器型のレーザの概略構成を説明する
ための図。
を用いてリング共振器型のレーザの概略構成を説明する
ための図。
１，１ａ，１ｂ，１ｃ…シリコン（Ｓｉ）基板、２，２
ａ，２ｂ，２ｃ，２ｄ…入射用３次元導波路、３，３
ａ，３ｂ，３ｃ，３ｄ…２次元導波路、４，４ａ，４ｂ
…３次元導波路、５，５ａ，５ｂ…３次元導波路、６…
高反射率終端部、７…高反射率終端部、８…増幅媒体の
アレー、９…誘電体多層膜ミラー、１０，１０ａ，１０
ｂ…ローランド円、１１，１１ａ…全反射ミラー、１２
…半導体アンプ、１３，１３ａ，１３ｂ，１３ｃ…Ｅｒ
添加光ファイバ、１４，１４ａ…ポンプ用ＬＤ、１５，
１５ａ，１５ｂ，１５ｃ…ポンプ光導入用光方向性結合
器、１６…光ファイバアレー取り付け部品、１７…レー
ザ発振光取り出し用誘電体多層膜ミラー付き光ファイバ
アレー、１８…アレー３次元導波路、１９，１９ａ…レ
ーザ発振光取り出し用方向性結合器。
ａ，２ｂ，２ｃ，２ｄ…入射用３次元導波路、３，３
ａ，３ｂ，３ｃ，３ｄ…２次元導波路、４，４ａ，４ｂ
…３次元導波路、５，５ａ，５ｂ…３次元導波路、６…
高反射率終端部、７…高反射率終端部、８…増幅媒体の
アレー、９…誘電体多層膜ミラー、１０，１０ａ，１０
ｂ…ローランド円、１１，１１ａ…全反射ミラー、１２
…半導体アンプ、１３，１３ａ，１３ｂ，１３ｃ…Ｅｒ
添加光ファイバ、１４，１４ａ…ポンプ用ＬＤ、１５，
１５ａ，１５ｂ，１５ｃ…ポンプ光導入用光方向性結合
器、１６…光ファイバアレー取り付け部品、１７…レー
ザ発振光取り出し用誘電体多層膜ミラー付き光ファイバ
アレー、１８…アレー３次元導波路、１９，１９ａ…レ
ーザ発振光取り出し用方向性結合器。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 肥田 安弘 東京都千代田区内幸町一丁目１番６号 日 本電信電話株式会社内 (72)発明者 神宮寺 要 東京都千代田区内幸町一丁目１番６号 日 本電信電話株式会社内 (72)発明者 鈴木 扇太 東京都千代田区内幸町一丁目１番６号 日 本電信電話株式会社内 (72)発明者 井上 靖之 東京都千代田区内幸町一丁目１番６号 日 本電信電話株式会社内
Claims (4)
- 【請求項１】 入力端を有する２次元導波路と、該２次
元導波路に接続した複数の長さの異なる３次元導波路の
他端は高反射率終端とされており、かつ前記２次元導波
路の入力端に接続した増幅媒体を有することを特徴とす
るアレー導波路型レーザ。 - 【請求項２】 少なくとも入力端を有する第１の２次元
導波路と、出力端を有する第２の２次元導波路と、第１
の２次元導波路と第２の２次元導波路を接続する長さの
異なる複数の３次元導波路からなる光回路と、該光回路
の入力端又は出力端に接続した増幅媒体を有することを
特徴とするアレー導波路型レーザ。 - 【請求項３】 前記増幅媒体として半導体アンプを用い
ることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のアレ
ー導波路型レーザ。 - 【請求項４】 前記増幅媒体として希土類添加光ファイ
バを用いることを特徴とする請求項１又は請求項２に記
載のアレー導波路型レーザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12303992A JP3196785B2 (ja) | 1992-05-15 | 1992-05-15 | 導波路型レーザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12303992A JP3196785B2 (ja) | 1992-05-15 | 1992-05-15 | 導波路型レーザ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05327125A true JPH05327125A (ja) | 1993-12-10 |
| JP3196785B2 JP3196785B2 (ja) | 2001-08-06 |
Family
ID=14850698
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12303992A Expired - Fee Related JP3196785B2 (ja) | 1992-05-15 | 1992-05-15 | 導波路型レーザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3196785B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002047217A1 (fr) * | 2000-12-08 | 2002-06-13 | Photonixnet Kabushiki Kaisha | Source lumineuse et dispositif à multiplexage en longueurs d'ondes |
| WO2006006681A1 (ja) * | 2004-07-15 | 2006-01-19 | Asahi Glass Company, Limited | ガラス光導波路 |
| WO2014129613A1 (ja) * | 2013-02-25 | 2014-08-28 | カナレ電気株式会社 | 光増幅器及びレーザ発振器 |
-
1992
- 1992-05-15 JP JP12303992A patent/JP3196785B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002047217A1 (fr) * | 2000-12-08 | 2002-06-13 | Photonixnet Kabushiki Kaisha | Source lumineuse et dispositif à multiplexage en longueurs d'ondes |
| WO2006006681A1 (ja) * | 2004-07-15 | 2006-01-19 | Asahi Glass Company, Limited | ガラス光導波路 |
| US7369733B2 (en) | 2004-07-15 | 2008-05-06 | Asahi Glass Company, Limited | Glass optical waveguide |
| WO2014129613A1 (ja) * | 2013-02-25 | 2014-08-28 | カナレ電気株式会社 | 光増幅器及びレーザ発振器 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3196785B2 (ja) | 2001-08-06 |
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