JPH05326454A - ドライエッチング装置およびエッチング方法 - Google Patents
ドライエッチング装置およびエッチング方法Info
- Publication number
- JPH05326454A JPH05326454A JP13220092A JP13220092A JPH05326454A JP H05326454 A JPH05326454 A JP H05326454A JP 13220092 A JP13220092 A JP 13220092A JP 13220092 A JP13220092 A JP 13220092A JP H05326454 A JPH05326454 A JP H05326454A
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- JP
- Japan
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- etching
- wafer
- base
- electrode
- etched
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体のパターン配線の異方性エッチングに
おいて、下地段差の影響によって発生する微小な残りを
防止する。 【構成】 下部電極１を固定し、上部電極２をエッチン
グ中に傾斜、回転可能とすることで、イオンを斜めにし
て、半導体ウェーハ６の下地段差部分の被エッチング物
質を除去する。 【効果】 下地の膜減り、配線寸法の不均一をなくして
完全な残りの無いエッチングができる。
おいて、下地段差の影響によって発生する微小な残りを
防止する。 【構成】 下部電極１を固定し、上部電極２をエッチン
グ中に傾斜、回転可能とすることで、イオンを斜めにし
て、半導体ウェーハ６の下地段差部分の被エッチング物
質を除去する。 【効果】 下地の膜減り、配線寸法の不均一をなくして
完全な残りの無いエッチングができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体の製造工程にお
いてパターンの加工に用いられる異方性ドライエッチン
グにおいて、被エッチ物質の下地のパターン段差により
発生する被エッチング物質の残りを防止することができ
る機構を有するエッチング装置及びそれによるエッチン
グ方法に関する。
いてパターンの加工に用いられる異方性ドライエッチン
グにおいて、被エッチ物質の下地のパターン段差により
発生する被エッチング物質の残りを防止することができ
る機構を有するエッチング装置及びそれによるエッチン
グ方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の異方性エッチングでは、エッチン
グガスの種類・流量と、チャンバー内真空度、印加電力
等によって異方度を調節して半導体素子の配線等に用い
られるポリシリコン、アルミ、高融点金属等のエッチン
グをおこなっている。これら異方性エッチングの実例に
関しては、ドライプロセス応用技術（日刊工業新聞社）
Ｐ１２２等で詳細に説明されている。
グガスの種類・流量と、チャンバー内真空度、印加電力
等によって異方度を調節して半導体素子の配線等に用い
られるポリシリコン、アルミ、高融点金属等のエッチン
グをおこなっている。これら異方性エッチングの実例に
関しては、ドライプロセス応用技術（日刊工業新聞社）
Ｐ１２２等で詳細に説明されている。
【０００３】図４は従来のエッチング装置の断面であ
る。チャンバー内に下部電極１とそれいに平行に配置し
た上部電極１０を有し、エッチングガスを導入（図示せ
ず）しつつ、真空排気系５により排気して、所定の真空
度とする。ウェーハ６を下部電極１上に配置して、前記
両電極間に高周波電圧を電源３より印加して、放電させ
てウェーハ表面をエッチングする。
る。チャンバー内に下部電極１とそれいに平行に配置し
た上部電極１０を有し、エッチングガスを導入（図示せ
ず）しつつ、真空排気系５により排気して、所定の真空
度とする。ウェーハ６を下部電極１上に配置して、前記
両電極間に高周波電圧を電源３より印加して、放電させ
てウェーハ表面をエッチングする。
【０００４】前記のように条件を選んで異方性エッチン
グとすれば、図５に示すウェーハの断面図のように下地
９上に形成した被エッチング物質膜８をレジストパター
ン７をマスクにエッチングするとき、レジストパターン
７に精度良くあった被エッチング物質８のパターンとす
ることができる。
グとすれば、図５に示すウェーハの断面図のように下地
９上に形成した被エッチング物質膜８をレジストパター
ン７をマスクにエッチングするとき、レジストパターン
７に精度良くあった被エッチング物質８のパターンとす
ることができる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、下地９
に段差があるパターン上の被エッチング物質を異方性エ
ッチングする場合、段差部に部分的に被エッチング物質
の膜厚差が生じるので被エッチング物質の残り１４が生
じる。所望のパターンを完全に形成するためには，図６
（ａ）のように極端にオーバーにエッチングするか、図
６（ｂ）のように若干等方性エッチング成分を加えた条
件を選定してエッチングする必要があった。
に段差があるパターン上の被エッチング物質を異方性エ
ッチングする場合、段差部に部分的に被エッチング物質
の膜厚差が生じるので被エッチング物質の残り１４が生
じる。所望のパターンを完全に形成するためには，図６
（ａ）のように極端にオーバーにエッチングするか、図
６（ｂ）のように若干等方性エッチング成分を加えた条
件を選定してエッチングする必要があった。
【０００６】しかし，図６（ａ）の場合は、下地の膜が
エッチングされて減少してしまう。また、図６（ｂ）の
場合は、等方性の程度をコントロールすることがむずか
しく部分的にパターン寸法が不安定になると言う問題が
あった。
エッチングされて減少してしまう。また、図６（ｂ）の
場合は、等方性の程度をコントロールすることがむずか
しく部分的にパターン寸法が不安定になると言う問題が
あった。
【０００７】そこで、この発明は等方性エッチングの程
度を精度よくコントロールできるエッチング装置および
エッチング方法を提供することを目的とする。
度を精度よくコントロールできるエッチング装置および
エッチング方法を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、対向する上下
電極間の傾を任意に設定、可変とし、かつ少なくとも一
方の電極を回転可能としたことを特徴とするドライエッ
チング装置である。この場合，上部電極を傾斜可能かつ
回転可能にすることが望ましい。また、エッチング方法
としては、対向する電極間を非平行に所定角度傾け、少
なくとも一方の電極を回転して両電極間の最接近場所を
いどうさせつつエッチングすることを特徴とする。
電極間の傾を任意に設定、可変とし、かつ少なくとも一
方の電極を回転可能としたことを特徴とするドライエッ
チング装置である。この場合，上部電極を傾斜可能かつ
回転可能にすることが望ましい。また、エッチング方法
としては、対向する電極間を非平行に所定角度傾け、少
なくとも一方の電極を回転して両電極間の最接近場所を
いどうさせつつエッチングすることを特徴とする。
【０００９】
【作用】上記の構成の装置によると、エッチング途中の
任意の時点で電極を傾けることによって、ウェーハ面に
対して傾斜したイオンによって被エッチング物質をエッ
チングすることができ、下地段差部分も容易にかつ寸法
も安定して形成することができる。すなわち、エッチン
グ条件としては異方性の条件のまま、等方性の必要度に
応じて電極を傾けて斜め異方性エッチを回転しつつ行う
のでコントロールが容易である。
任意の時点で電極を傾けることによって、ウェーハ面に
対して傾斜したイオンによって被エッチング物質をエッ
チングすることができ、下地段差部分も容易にかつ寸法
も安定して形成することができる。すなわち、エッチン
グ条件としては異方性の条件のまま、等方性の必要度に
応じて電極を傾けて斜め異方性エッチを回転しつつ行う
のでコントロールが容易である。
【００１０】
【実施例】以下、本発明について図面を参照して説明す
る。
る。
【００１１】図１は本発明のドライエッチング装置のエ
ッチングチャンバー部分の断面図で高周波電源３を印加
し、ウェーハを載せる下部電極１および、電極面の傾斜
回転機構を有する上部電極２、真空排気系５から成る。
ッチングチャンバー部分の断面図で高周波電源３を印加
し、ウェーハを載せる下部電極１および、電極面の傾斜
回転機構を有する上部電極２、真空排気系５から成る。
【００１２】エッチングの方法は、まず通常のごとく電
極を平行に保持してエッチングをおこなった後、下地が
露出し始めた時点で上部電極２を傾けながら回転させ
る。
極を平行に保持してエッチングをおこなった後、下地が
露出し始めた時点で上部電極２を傾けながら回転させ
る。
【００１３】これによって図３に断面図として示すよう
にウェーハ６に入射するイオン１３が、斜めに傾き，下
地段差の斜面部分の被エッチング物質８をエッチングし
易くする。レジストパターンん７の下側もエッチングさ
れるがレジストパターン７自信を初めから太目に製作し
ておくことで解決する。
にウェーハ６に入射するイオン１３が、斜めに傾き，下
地段差の斜面部分の被エッチング物質８をエッチングし
易くする。レジストパターンん７の下側もエッチングさ
れるがレジストパターン７自信を初めから太目に製作し
ておくことで解決する。
【００１４】このように下部電極１を水平かつ固定式と
することで、下部電極１上へのウェーハ６のロード、ア
ンロード作業が容易になるばかりでなく、ウェーハ６の
ずれ落ちの心配がなくなる利点がある。
することで、下部電極１上へのウェーハ６のロード、ア
ンロード作業が容易になるばかりでなく、ウェーハ６の
ずれ落ちの心配がなくなる利点がある。
【００１５】
【実施例２】図２はこの発明の第２実施例であるエッチ
ングチャンバー部分の断面図である。この実施例は前記
第１の実施例の電極面の傾斜、回転機構を有する上部電
極に代えて、ウェーハの載る下部電極側を傾斜できかつ
回転できるようにした点を除いては第１の実施例と同様
であるため、同一部分には同一参照符号を付してその説
明を省略する。
ングチャンバー部分の断面図である。この実施例は前記
第１の実施例の電極面の傾斜、回転機構を有する上部電
極に代えて、ウェーハの載る下部電極側を傾斜できかつ
回転できるようにした点を除いては第１の実施例と同様
であるため、同一部分には同一参照符号を付してその説
明を省略する。
【００１６】
【発明の効果】以上説明したように、この発明は、下地
段差の状態によらず安全なエッチングによるパターン形
成ができる。
段差の状態によらず安全なエッチングによるパターン形
成ができる。
【図１】 この発明の第１の実施例のエッチングチャン
バー部分の断面図である。
バー部分の断面図である。
【図２】 この発明の第２の実施例のエッチングチャン
バー部分の断面図である。
バー部分の断面図である。
【図３】 この発明の実施時のウェーハの断面形状図で
ある。
ある。
【図４】 従来のエッチング装置のチャンバー部分の断
面図である。
面図である。
【図５】 従来のエッチング実施時のウェーハの断面形
状図である。
状図である。
【図６】 下地段差部の被エッチング物質を従来技術で
除去した場合のウェーハの断面形状図。
除去した場合のウェーハの断面形状図。
１ 下部電極 ２ 電極面の傾斜、回転機構を有する上部電極 ３ 高周波電源 ４ 傾斜機構部 ５ 真空排気系 ６ ウェーハ ７ レジストパターン ８ 被エッチング物質 ９ 下地 １０ 上部電極 １１ ウェーハの回転機構 １２ ウェーハの傾斜機構 １３ イオンの方向 １４ 被エッチング物質の残り
Claims (3)
- 【請求項１】異方性ドライエッチング装置において、対
向する２電極の間の傾きを任意に設定でき、かつ少なく
とも一方の電極を回転可能とした機構を有するドライエ
ッチング装置。 - 【請求項２】上部電極が傾斜可能かつ回転可能な機構を
有する請求項１記載のドライエッチング装置。 - 【請求項３】対向する電極間を非平行に所定角度傾け、
少なくとも一方の電極を回転して、両電極間の最接近場
所を移動させつつエッチングすることを特徴とするエッ
チング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13220092A JPH05326454A (ja) | 1992-05-25 | 1992-05-25 | ドライエッチング装置およびエッチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13220092A JPH05326454A (ja) | 1992-05-25 | 1992-05-25 | ドライエッチング装置およびエッチング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05326454A true JPH05326454A (ja) | 1993-12-10 |
Family
ID=15075739
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13220092A Pending JPH05326454A (ja) | 1992-05-25 | 1992-05-25 | ドライエッチング装置およびエッチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05326454A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002056353A1 (fr) * | 2001-01-10 | 2002-07-18 | Tokyo Electron Limited | Dispositif de traitement et procede de traitement |
| JP2018521509A (ja) * | 2015-06-25 | 2018-08-02 | ヴァリアン セミコンダクター イクイップメント アソシエイツ インコーポレイテッド | イオンを用いてナノスケール・パターン化された特徴形状を加工する技術 |
-
1992
- 1992-05-25 JP JP13220092A patent/JPH05326454A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002056353A1 (fr) * | 2001-01-10 | 2002-07-18 | Tokyo Electron Limited | Dispositif de traitement et procede de traitement |
| JP2018521509A (ja) * | 2015-06-25 | 2018-08-02 | ヴァリアン セミコンダクター イクイップメント アソシエイツ インコーポレイテッド | イオンを用いてナノスケール・パターン化された特徴形状を加工する技術 |
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