JP4436463B2 - 3つの独立制御電極を具備したエッチングチャンバ装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本願発明は、半導体ウェーハの製造に関し、特に、半導体ウェーハ製造における多結晶シリコンおよび金属導体の選択性・異方性エッチング用3電極エッチングチャンバ装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
半導体ウェーハ製造において、多結晶シリコンはゲート材料として広く使用されている。この技術分野では現代の傾向としてデバイス密度が増加の一途をたどっており、それに伴って必要とされるより小さな最小加工寸法を半導体処理の間精確に維持しなければならない。これは、比較的低圧の高密度プラズマを利用した異方性・選択性エッチングにより達成されている。
【0003】
当業者には明らかであるように、プラズマエッチングではRF電圧に結合されたプラズマを用いて化学的に活性のエッチャントが発生され、それが基板の非保護層と反応して揮発性のエッチング生成物が形成される。この手法は基板とエッチングガスの適切な組み合わせにより可能となる。そのような組み合わせが半導体デバイスの製造に使用される膜の大部分に関して分かっている。代表的なエッチングガスの例としては塩素およびフッ素化合物があり、それぞれCCl4とCF4の形で利用可能である。これらの化合物はポリシリコン、SiO2,Si3N4,および金属類のエッチング用に組成されている。例えば、フッ素ラジカルはシリコンと反応して揮発性のシリコンテトラフルオリドエッチング生成物を形成する。レジスト等の有機フィルムをエッチングしたり、エッチングガスのエッチング速度を大幅に増加させるために、酸素を含んだプラズマが広く用いられている。
【0004】
プラズマエッチングは一般的に図1に示すようなエッチングチャンバ内で行われる。図1の公知技術によるエッチングチャンバ10は壁面12と、超純度の石英板で作られた誘電体窓14で構成される。チャンバ10の誘電体窓14上方には誘導コイル16が配設されており、RF発振器18によって駆動される。チャンバ10内には一般的にチャックと呼ばれる導電性のウェーハ固定機構22が置かれている。このウェーハチャックは第2のRF発振器20により駆動される。コイル16を発振器18で駆動することにより高密度の誘導結合されたプラズマが発生する。第2の発振器20によりウェーハ24にRFバイアスがかけられ、それによりウェーハ表面へイオンが衝撃されることにより、異方的な反応性イオンエッチング(R.I.E)が達成される。
【0005】
しかしながら、上記したようなチャンバ内エッチングでは必ずしも所望の異方性が確保できない。例えば、図1のチャンバ内でプラズマエッチングしてポリシリコンゲートを形成すると、ゲート側壁に傾斜ないしはアンダーカットが生じてしまうことが少なくない。これは選択性の問題である。特に選択性が必要となるのは、ポリシリコンゲート電極をパターニングする際に、下地層のゲート酸化物を除去してしまうことのないようにするためであるが、それはデバイスが小さくなるにつれて双方において必要とされるエッチング比が増大するからである。より詳細には、シリコンに比して、シリコン酸化物に対する高い選択性が必要とされるが、それは接合深度がフィールド酸化物の厚さよりも速く減少するからである。さらに、シリコン酸化物に比して、シリコンに対する高い選択性が必要となる、というのもゲート酸化物の厚さはゲート電極の厚さよりも速く減少するからである。また、必要とされる選択性は前処理段階で形成された形状のみならず、エッチングされた、ないしは下地層の厚さに依存する。
【0006】
よって、図1のチャンバ内でプラズマエッチングを行う際に異方性を得るためには、接合部側壁に保護膜を形成する必要がある。これは図1の従来技術によるチャンバでは上記したエッチング生成物を適当に選択することにより達成される。しかし、選択を適当に行ったとしても、エッチプロセスの終期においてはそれらエッチング生成物の濃度は減少し、側壁保護膜形成の進行が低下する。その結果多くの場合えぐれが生じ、ゲート酸化物等の下地層に対する選択性が低下する。よって、エッチング生成物を慎重に選択するという手法に頼らず、側壁保護膜形成を制御する必要がある。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
本願発明の課題は側壁保護膜形成をより精確に制御可能な、改良されたエッチングチャンバ装置を提供することである。
【0008】
【課題を解決するための手段】
前記の課題を解決するため、本願発明のエッチングチャンバ装置は以下の構成を有している。すなわち、上部に石英板製の平らな誘電体窓を有したエンクロージャと、第1のRF発振器からのRF電圧に誘導的に結合され、かつ、渦巻き状の平らな誘導コイルを前記エンクロージャの外部の前記誘電体窓の上方に有する第1の電極手段と、第2のRF発振器に結合され、かつ、導電性チャックを前記エンクロージャ内に有する第2の電極手段とを具備し、前記第1の電極手段により、前記誘電体窓を介して、前記エンクロージャ内に導入されたプロセスガスがRF電圧と誘導結合されてプラズマに変換され、前記第2の電極手段により、前記第1の電極手段によって発生された前記プラズマが励起され、これにより半導体ウェーハ上にゲートがエッチングされる、半導体ウェーハの異方性・選択性エッチング用エッチングチャンバ装置において、前記第2のRF発振器により、少なくとも1つのエッチング用の半導体ウェーハと前記導電性チャックとが一体として独立に駆動され、さらに、第3のRF発振器に結合され、かつ、前記第1の電極手段と前記誘電体窓との間に配置された平らな第3のグリッド型電極手段が設けられており、エッチングの終期においてエッチング生成物の濃度が低減してきたときに、前記第3のグリッド型電極手段を独立に制御することにより、前記誘電体窓がスパッタされて少なくとも1つのゲートの側壁に保護膜が形成され、前記第1,第2および第3の電極手段がそれぞれ別個の前記第1,前記第2および前記第3のRF発振器手段に接続されて独立して制御されることにより、前記ゲートの異方性・選択性エッチングが可能となる。
【0009】
【発明の実施の形態】
本願発明のエッチングチャンバ装置は特に半導体ゲート導体スタックおよび金属配線用の異方性・選択性エッチング装置であるが、その他の半導体構造にも有用である。
【0010】
【実施例】
図2に本願発明によるエッチングチャンバ装置の実施例を参照番号30で示す。エッチングチャンバ30は1つながりの壁面32を有したエンクロージャ31と、超純度の石英製の平らな誘電体窓34から概略構成されている。エンクロージャ31はアルミニウム等の導電性金属から作られるが、その他の公知材料から作ることもできる。
【0011】
引き続き図2において、本願発明のエッチングチャンバ30は3つの独立して制御される電極36、42、48を有し、それらによって、半導体ウェーハ上のゲート導電体スタックと金属導線の高選択性・異方性エッチングが可能となっている。より詳細には、電極36は、エンクロージャ31の誘電体窓34の上部に配設された渦巻き状の誘導コイルを有する。電極36はRF発振器38に接続されており、それによって駆動される。エンクロージャ31内部には電極42が配置されており、1つあるいは複数の半導体ウェーハ44を保持するための通常の導電性チャックを有している。チャック42はウェーハ44を保持するのみならず、エッチング中にウェーハ温度を一定に保つよう動作する。第2のRF発振器46がチャック42に結合されており、チャック42とウェーハ44を駆動する。電極48は新規なグリッド型電極を構成しており、それにより側壁の保護膜形成が独立して制御される。このグリッド型電極48はいずれの適当な導電材料からも作ることができる。グリッド型電極48はチャンバ30の誘導コイル36と誘電体窓34間に配設されている。グリッド型電極48には第3の発振器50が結合されており、前者専用に制御されるRFエネルギー源を構成している。
【0012】
半導体ウェーハ44をエッチングする際には、RF発振器38、誘導コイル36、および誘電体窓34は共働して、エンクロージャ31の40の部分へ導入された特定のプロセスガスへRF電圧を誘導結合する。使用するガスの例としては、塩化水素(HCl)、塩素(Cl2)、窒素(N2)、酸素(O2)、その他の適当なエッチングガスがある。この誘導性結合により、特定の選択されたガスが誘導性プラズマに変換される。第2のRF発振器46によりチャックとウェーハが一体として独立に駆動され、誘導コイル36と誘電体窓34によって発生された誘導性プラズマがさらに励起される。グリッド電極48を駆動するRF発振器50を選択的に制御してチャンバ30の誘電体窓34をスパッタすることにより付加的な側壁保護膜を形成することができるので、主エッチングの終期におけるエッチング生成物の濃度が低減してきた時にも、異方性エッチングが可能となる。これにより、ウェーハ44の下部酸化層に対する選択性も向上する。
【図面の簡単な説明】
【図1】図1は従来技術によるエッチングチャンバ装置の略図である。
【図2】図2は本願発明によるエッチングチャンバ装置の略図である。
【符号の説明】
12、32 壁面
14、34 誘電体窓
16 誘導コイル
18 RF発振器
20 第2RF発振器
22 チャック
24 ウェーハ
31 エンクロージャ
36 第1電極
38 第1RF発振器
42 第2電極
44 ウェーハ
46 第2RF発振器
48 第3電極
50 第3RF発振器
Claims (1)
- 上部に石英板製の平らな誘電体窓を有したエンクロージャと、
第1のRF発振器からのRF電圧に誘導的に結合され、かつ、渦巻き状の平らな誘導コイルを前記エンクロージャの外部の前記誘電体窓の上方に有する第1の電極手段と、
第2のRF発振器に結合され、かつ、導電性チャックを前記エンクロージャ内に有する第2の電極手段と
を具備し、
前記第1の電極手段により、前記誘電体窓を介して、前記エンクロージャ内に導入されたプロセスガスがRF電圧と誘導結合されてプラズマに変換され、
前記第2の電極手段により、前記第1の電極手段によって発生された前記プラズマが励起され、
これにより半導体ウェーハ上にゲートがエッチングされる、
半導体ウェーハの異方性・選択性エッチング用エッチングチャンバ装置において、
前記第2のRF発振器により、少なくとも1つのエッチング用の半導体ウェーハと前記導電性チャックとが一体として独立に駆動され、
さらに、第3のRF発振器に結合され、かつ、前記第1の電極手段と前記誘電体窓との間に配置された平らな第3のグリッド型電極手段が設けられており、
エッチングの終期においてエッチング生成物の濃度が低減してきたときに、前記第3のグリッド型電極手段を独立に制御することにより、前記誘電体窓がスパッタされて少なくとも1つのゲートの側壁に保護膜が形成され、
前記第1,第2および第3の電極手段がそれぞれ別個の前記第1,前記第2および前記第3のRF発振器手段に接続されて独立して制御されることにより、前記ゲートの異方性・選択性エッチングが可能となる
ことを特徴とする半導体ウェーハの異方性・選択性エッチング用エッチングチャンバ装置。
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JPH10144656A JPH10144656A (ja) | 1998-05-29 |
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1996
- 1996-11-06 JP JP29401096A patent/JP4436463B2/ja not_active Expired - Fee Related
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