JPH0532638A - ピリミジンまたはトリアジン誘導体及び除草剤 - Google Patents
ピリミジンまたはトリアジン誘導体及び除草剤Info
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Abstract
(57)【要約】
【目的】本発明は、水田および畑作における有害雑草に
対して優れた除草効果を有する新規な除草剤を提供する
にある。 【構成】一般式 【化1】 (式中、R1は置換されてもよいエテニル基またはエチ
ニル基を示し、R2は水素原子、アルキル基、2−トリ
メチルシリルエチル基等を示し、R3及びR4は同一また
は相異なりメトキシ基、ハロゲン原子等を示し、Xは酸
素原子または硫黄原子を示し、Zは窒素原子またはメチ
ン基を示す。)にて表されるピリミジンまたはトリアジ
ン誘導体及びそれらの塩を有効成分として含有する除草
剤。
対して優れた除草効果を有する新規な除草剤を提供する
にある。 【構成】一般式 【化1】 (式中、R1は置換されてもよいエテニル基またはエチ
ニル基を示し、R2は水素原子、アルキル基、2−トリ
メチルシリルエチル基等を示し、R3及びR4は同一また
は相異なりメトキシ基、ハロゲン原子等を示し、Xは酸
素原子または硫黄原子を示し、Zは窒素原子またはメチ
ン基を示す。)にて表されるピリミジンまたはトリアジ
ン誘導体及びそれらの塩を有効成分として含有する除草
剤。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、新規なピリミジンまた
はトリアジン誘導体及びそれらの塩並びにこれを含有す
る水田、畑及び非農耕地等に適用できる除草剤に関す
る。
はトリアジン誘導体及びそれらの塩並びにこれを含有す
る水田、畑及び非農耕地等に適用できる除草剤に関す
る。
【0002】
【従来の技術】本出願人らは特開平1−250366号
公報明細書において次の一般式
公報明細書において次の一般式
【0003】
【化3】
【0004】(式中、X’はハロゲン原子、低級アルキ
ル基または低級アルコキシ基を示し、Rは水素原子また
はベンジル基を示し、nは0または1、2の整数を示
す。)で表わされる化合物が除草活性を有することを見
出している。
ル基または低級アルコキシ基を示し、Rは水素原子また
はベンジル基を示し、nは0または1、2の整数を示
す。)で表わされる化合物が除草活性を有することを見
出している。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記特
許公報明細書に記載された化合物の除草効果は必ずしも
充分なものとはいえず、さらに優れた除草効果を示す化
合物が望まれている。
許公報明細書に記載された化合物の除草効果は必ずしも
充分なものとはいえず、さらに優れた除草効果を示す化
合物が望まれている。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明者らはピリミジン
またはトリアジン系化合物について、さらに改良された
化合物を開発することを目的に鋭意研究した結果、ベン
ゼン環上にフェノキシ基の代りにトリフルオロメタンス
ルホニルオキシ基、任意に置換されていてもよいエテニ
ル基または任意に置換されていてもよいエチニル基を導
入した本発明のピリミジンまたはトリアジン誘導体が、
上記公開特許公報記載化合物と比較して一年生はもとよ
り多年生雑草に対しても優れた除草効果を示すことを見
いだし、本発明を完成した。すなわち、本発明は、一般
式〔1〕
またはトリアジン系化合物について、さらに改良された
化合物を開発することを目的に鋭意研究した結果、ベン
ゼン環上にフェノキシ基の代りにトリフルオロメタンス
ルホニルオキシ基、任意に置換されていてもよいエテニ
ル基または任意に置換されていてもよいエチニル基を導
入した本発明のピリミジンまたはトリアジン誘導体が、
上記公開特許公報記載化合物と比較して一年生はもとよ
り多年生雑草に対しても優れた除草効果を示すことを見
いだし、本発明を完成した。すなわち、本発明は、一般
式〔1〕
【0007】
【化4】
{式中、R1はトリフルオロメタンスルホニルオキシ
基、式−C(R5)=CR6R7(式中、R5は水素原子、
クロル原子、低級アルキル基または低級アルコキシ基を
示し、R6は水素原子、低級アルキル基、シアノ基また
はニトロ基を示し、R7は水素原子、低級アルキル基、
フェニル基、アルコキシカルボニル基、ハロアルコキシ
カルボニル基、フェノキシカルボニル基、シアノ基、ニ
トロ基、チエニル基、フリル基またはピリジル基を示し
す。)または式
基、式−C(R5)=CR6R7(式中、R5は水素原子、
クロル原子、低級アルキル基または低級アルコキシ基を
示し、R6は水素原子、低級アルキル基、シアノ基また
はニトロ基を示し、R7は水素原子、低級アルキル基、
フェニル基、アルコキシカルボニル基、ハロアルコキシ
カルボニル基、フェノキシカルボニル基、シアノ基、ニ
トロ基、チエニル基、フリル基またはピリジル基を示し
す。)または式
【0008】
【化5】
【0009】(式中、R8は水素原子、低級アルキル
基、低級アルケニル基、低級アルコキシ基、アルコキシ
アルキル基、アルキルチオアルキル基、フェニル基、ハ
ロアルキル基、シクロアルキル基、シクロアルケニル
基、トリメチルシリル基、シアノアルキル基、トリフル
オロメチル基、ジメチルアミノアルキル基またはアシル
オキシアルキル基を示す。)で表される基を示し、R2
は水素原子、低級アルキル基、低級アルケニル基、低級
アルキニル基、ベンジル基、2−トリメチルシリルエチ
ル基、アルコキシアルキル基、アルキルチオアルキル
基、アルコキシカルボニルアルキル基、シアノアルキル
基、ニトロアルキル基、アルカリ金属、アルカリ土類金
属または有機アミンのカチオンを示し、R3及びR4は同
一または相異なりハロゲン原子、低級アルキル基、低級
アルコキシ基、ジフルオロメトキシ基、トリフルオロメ
チル基または低級アルキル基で置換されていてもよいア
ミノ基を示し、Xは酸素原子または硫黄原子を示し、Z
は窒素原子またはメチン基を示す。}にて表されるピリ
ミジンまたはトリアジン誘導体及びそれらの塩並びにこ
れを有効成分として含有する除草剤である。
基、低級アルケニル基、低級アルコキシ基、アルコキシ
アルキル基、アルキルチオアルキル基、フェニル基、ハ
ロアルキル基、シクロアルキル基、シクロアルケニル
基、トリメチルシリル基、シアノアルキル基、トリフル
オロメチル基、ジメチルアミノアルキル基またはアシル
オキシアルキル基を示す。)で表される基を示し、R2
は水素原子、低級アルキル基、低級アルケニル基、低級
アルキニル基、ベンジル基、2−トリメチルシリルエチ
ル基、アルコキシアルキル基、アルキルチオアルキル
基、アルコキシカルボニルアルキル基、シアノアルキル
基、ニトロアルキル基、アルカリ金属、アルカリ土類金
属または有機アミンのカチオンを示し、R3及びR4は同
一または相異なりハロゲン原子、低級アルキル基、低級
アルコキシ基、ジフルオロメトキシ基、トリフルオロメ
チル基または低級アルキル基で置換されていてもよいア
ミノ基を示し、Xは酸素原子または硫黄原子を示し、Z
は窒素原子またはメチン基を示す。}にて表されるピリ
ミジンまたはトリアジン誘導体及びそれらの塩並びにこ
れを有効成分として含有する除草剤である。
【0010】ここで一般式〔1〕における好適な置換基
を例示すると、R2のうち低級アルキル基としてはメチ
ル基、エチル基、プロピル基、低級アルケニル基として
はアリル基、低級アルキニル基としてはプロパルギル
基、アルコキシアルキル基としてはメトキシメチル基、
アルキルチオアルキル基としてはメチルチオメチル基、
アルコキシカルボニルアルキル基としてはメトキシカル
ボニルメチル基、1−メトキシカルボニルエチル基、シ
アノアルキル基としてはシアノメチル基、ニトロアルキ
ル基としてはニトロメチル基、アルカリ金属としてはナ
トリウム原子、カリウム原子、アルカリ土類金属として
はカルシウム原子、有機アミンのカチオンとしてはジエ
チルアンモニウムカチオン、ジイソプロピルアンモニウ
ムカチオン等があげられる。
を例示すると、R2のうち低級アルキル基としてはメチ
ル基、エチル基、プロピル基、低級アルケニル基として
はアリル基、低級アルキニル基としてはプロパルギル
基、アルコキシアルキル基としてはメトキシメチル基、
アルキルチオアルキル基としてはメチルチオメチル基、
アルコキシカルボニルアルキル基としてはメトキシカル
ボニルメチル基、1−メトキシカルボニルエチル基、シ
アノアルキル基としてはシアノメチル基、ニトロアルキ
ル基としてはニトロメチル基、アルカリ金属としてはナ
トリウム原子、カリウム原子、アルカリ土類金属として
はカルシウム原子、有機アミンのカチオンとしてはジエ
チルアンモニウムカチオン、ジイソプロピルアンモニウ
ムカチオン等があげられる。
【0011】また、R3及びR4においてはハロゲン原子
として塩素原子、低級アルキル基としてメチル基、低級
アルコキシ基としてメトキシ基、さらに、低級アルキル
基で置換されていてもよいアミノ基としてはジメチルア
ミノ基等があげられる。R5としては低級アルキル基と
してメチル基、エチル基、低級アルコキシ基としてはメ
トキシ基、エトキシ基等があげられる。R6としては低
級アルキル基としてメチル基、エチル基等があげられ
る。R7としてはハロゲン原子として塩素原子、低級ア
ルキル基としてメチル基、エチル基、アルコキシカルボ
ニル基としてメトキシカルボニル基、トリフルオロエト
キシカルボニル基、フェノキシカルボニル基等があげら
れる。R8としては低級アルキル基としてメチル基、エ
チル基、プロピル基、ブチル基、低級アルケニル基とし
てはアリル基、低級アルコキシ基としてエトキシ基、ア
ルコキシアルキル基としてメトキシメチル基、アルキル
チオアルキル基としてメチルチオメチル基、ハロアルキ
ル基としてクロロプロピル基、シクロアルキル基として
シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロアルケニ
ル基として1−シクロヘキセニル基、シアノアルキル基
としてシアノプロピル基、アシルオキシアルキル基とし
てアセトキシメチル基等があげられる。次に、一般式
〔1〕で表される本発明化合物を表1A〜Fに例示す
る。尚、化合物番号は以後の記載において参照される。
として塩素原子、低級アルキル基としてメチル基、低級
アルコキシ基としてメトキシ基、さらに、低級アルキル
基で置換されていてもよいアミノ基としてはジメチルア
ミノ基等があげられる。R5としては低級アルキル基と
してメチル基、エチル基、低級アルコキシ基としてはメ
トキシ基、エトキシ基等があげられる。R6としては低
級アルキル基としてメチル基、エチル基等があげられ
る。R7としてはハロゲン原子として塩素原子、低級ア
ルキル基としてメチル基、エチル基、アルコキシカルボ
ニル基としてメトキシカルボニル基、トリフルオロエト
キシカルボニル基、フェノキシカルボニル基等があげら
れる。R8としては低級アルキル基としてメチル基、エ
チル基、プロピル基、ブチル基、低級アルケニル基とし
てはアリル基、低級アルコキシ基としてエトキシ基、ア
ルコキシアルキル基としてメトキシメチル基、アルキル
チオアルキル基としてメチルチオメチル基、ハロアルキ
ル基としてクロロプロピル基、シクロアルキル基として
シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロアルケニ
ル基として1−シクロヘキセニル基、シアノアルキル基
としてシアノプロピル基、アシルオキシアルキル基とし
てアセトキシメチル基等があげられる。次に、一般式
〔1〕で表される本発明化合物を表1A〜Fに例示す
る。尚、化合物番号は以後の記載において参照される。
【0012】
【表1A】
【0013】
【表1B】
【0014】
【表1C】
【0015】
【表1D】
【0016】
【表1E】
【0017】
【表1F】
【0018】本発明化合物は下記の方法に従って製造す
ることができるが、これらの方法に限定されるものでは
ない。 製造法〈A〉 下記反応式1に示すように、一般式〔1〕で示される本
発明化合物は一般式〔2〕で示される化合物と一般式
〔3〕で示されるピリミジン化合物もしくはトリアジン
化合物とを塩基の存在下、好ましくは室温から溶媒の沸
点の温度範囲内で反応させることによって製造すること
ができる。
ることができるが、これらの方法に限定されるものでは
ない。 製造法〈A〉 下記反応式1に示すように、一般式〔1〕で示される本
発明化合物は一般式〔2〕で示される化合物と一般式
〔3〕で示されるピリミジン化合物もしくはトリアジン
化合物とを塩基の存在下、好ましくは室温から溶媒の沸
点の温度範囲内で反応させることによって製造すること
ができる。
【0019】
【反応式1】
【0020】(式中、R1、R2、R3、R4、X及びZは
前記と同じ意味を示し、Lはハロゲン原子、アルキルス
ルホニル基、ベンジルスルホニル基または置換ベンジル
スルホニル基を示す。)
前記と同じ意味を示し、Lはハロゲン原子、アルキルス
ルホニル基、ベンジルスルホニル基または置換ベンジル
スルホニル基を示す。)
【0021】ここで使用される塩基としては、例えば金
属ナトリウム、金属カリウム等のアルカリ金属、水素化
ナトリウム、水素化カリウム、水素化カルシウム等の水
素化アルカリ金属及び水素化アルカリ土類金属、炭酸ナ
トリウム、炭酸カリウム、炭酸カルシウム等の炭酸塩
類、炭酸水素ナトリウム、炭酸水素カリウム等の重炭酸
塩類、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等の水酸化ア
ルカリ金属、酢酸カリウム等の有機酸塩、ナトリウムメ
チラート等のアルコラート等があげられる。さらに、ピ
リジン、トリエチルアミン等の有機塩基を使用すること
もできる。また、使用される溶媒としてはベンゼン、ト
ルエン等の炭化水素系溶媒、塩化メチレン、クロロホル
ム等のハロゲン化炭化水素系溶媒、エタノール、メタノ
ール等のアルコール系溶媒、エチルエーテル、テトラハ
イドロフラン、1,2−ジメトキシエタン等のエーテル
系溶媒、N,N−ジメチルホルムアミド、N N−ジメチ
ルアセトアミド、ジメチルスルホキシド等の非プロトン
系極性溶媒、酢酸エチル、酢酸メチル等のエステル系溶
媒、さらにアセトン、メチルエチルケトン等のケトン系
溶媒があげられる。無溶媒下で反応を行う場合の条件は
特定されてはいないが、好ましくは塩基として無水炭酸
カリウムのようなアルカリ金属の炭酸塩を使用して12
0〜160℃の温度範囲内で反応させることもできる。
属ナトリウム、金属カリウム等のアルカリ金属、水素化
ナトリウム、水素化カリウム、水素化カルシウム等の水
素化アルカリ金属及び水素化アルカリ土類金属、炭酸ナ
トリウム、炭酸カリウム、炭酸カルシウム等の炭酸塩
類、炭酸水素ナトリウム、炭酸水素カリウム等の重炭酸
塩類、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等の水酸化ア
ルカリ金属、酢酸カリウム等の有機酸塩、ナトリウムメ
チラート等のアルコラート等があげられる。さらに、ピ
リジン、トリエチルアミン等の有機塩基を使用すること
もできる。また、使用される溶媒としてはベンゼン、ト
ルエン等の炭化水素系溶媒、塩化メチレン、クロロホル
ム等のハロゲン化炭化水素系溶媒、エタノール、メタノ
ール等のアルコール系溶媒、エチルエーテル、テトラハ
イドロフラン、1,2−ジメトキシエタン等のエーテル
系溶媒、N,N−ジメチルホルムアミド、N N−ジメチ
ルアセトアミド、ジメチルスルホキシド等の非プロトン
系極性溶媒、酢酸エチル、酢酸メチル等のエステル系溶
媒、さらにアセトン、メチルエチルケトン等のケトン系
溶媒があげられる。無溶媒下で反応を行う場合の条件は
特定されてはいないが、好ましくは塩基として無水炭酸
カリウムのようなアルカリ金属の炭酸塩を使用して12
0〜160℃の温度範囲内で反応させることもできる。
【0022】製造法〈A−1〉
一般式〔2〕で示される化合物のうち、R1がトリフル
オロメタンスルホニルオキシ基で、Xが酸素原子である
一般式〔5〕で示される化合物は、一般式〔4〕で示さ
れる化合物とトリフルオロメタンスルホン酸無水物とを
塩基の存在下、好ましくは−20℃〜5℃の温度範囲内
で反応させることによって製造することができる。
オロメタンスルホニルオキシ基で、Xが酸素原子である
一般式〔5〕で示される化合物は、一般式〔4〕で示さ
れる化合物とトリフルオロメタンスルホン酸無水物とを
塩基の存在下、好ましくは−20℃〜5℃の温度範囲内
で反応させることによって製造することができる。
【0023】
【反応式2】
(式中R2は前記と同じ意味を表す。)
【0024】ここで使用される塩基及び溶媒はA法と同
様のものを使用することができるが、好ましい塩基とし
てはピリジン、ジメチルアミノピリジン、トリエチルア
ミン等の有機アミン類、炭酸水素ナトリウム、炭酸水素
カリウム等の重炭酸塩類、炭酸ナトリウム、炭酸カリウ
ム等の炭酸塩類があげられる。また、好ましい溶媒とし
ては塩化メチレン、クロロホルム等のハロゲン化炭化水
素系溶媒、エチルエーテル、テトラハイドロフラン等の
エーテル系溶媒、N,N−ジメチルホルムアミド、N N
−ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド等の非
プロトン系極性溶媒等があげられる。
様のものを使用することができるが、好ましい塩基とし
てはピリジン、ジメチルアミノピリジン、トリエチルア
ミン等の有機アミン類、炭酸水素ナトリウム、炭酸水素
カリウム等の重炭酸塩類、炭酸ナトリウム、炭酸カリウ
ム等の炭酸塩類があげられる。また、好ましい溶媒とし
ては塩化メチレン、クロロホルム等のハロゲン化炭化水
素系溶媒、エチルエーテル、テトラハイドロフラン等の
エーテル系溶媒、N,N−ジメチルホルムアミド、N N
−ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド等の非
プロトン系極性溶媒等があげられる。
【0025】製造法〈A−2〉
一般式〔2〕で示される化合物のうち、R1がトリフル
オロメタンスルホニルオキシ基以外で、Xが酸素原子で
ある一般式〔8〕で示される化合物は一般式〔6〕で示
される化合物と一般式〔7〕で示される化合物を触媒と
塩基の存在下、好ましくは室温から溶媒の沸点の温度範
囲で反応させることによって製造することができる。
オロメタンスルホニルオキシ基以外で、Xが酸素原子で
ある一般式〔8〕で示される化合物は一般式〔6〕で示
される化合物と一般式〔7〕で示される化合物を触媒と
塩基の存在下、好ましくは室温から溶媒の沸点の温度範
囲で反応させることによって製造することができる。
【0026】
【反応式3】
【0027】(式中R1は式−C(R5)=CR6CR7ま
たは化5で表される基を示し、またR2、R5、R6、R7
及びR8は前記と同じ意味を表す。R9はハロゲン原子ま
たはトリフルオロメタンスルホニルオキシ基を示し、Y
は水素原子またはトリアルキルスズ基を示す。)
たは化5で表される基を示し、またR2、R5、R6、R7
及びR8は前記と同じ意味を表す。R9はハロゲン原子ま
たはトリフルオロメタンスルホニルオキシ基を示し、Y
は水素原子またはトリアルキルスズ基を示す。)
【0028】ここで使用される触媒としては、好ましく
はテトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム
(0)、ビス(トリフェニルホスフィン)パラジウムジ
クロライド等があげられるが、その他として(酢酸パラ
ジウム、トリフェニルホスフィン)、{酢酸パラジウ
ム、トリス(O−トリル)ホスフィン}等のパラジウム
触媒が使用される。使用される塩基としては炭酸ナトリ
ウム、炭酸カリウム等の炭酸塩、炭酸水素ナトリウム等
の重炭酸塩またはトリエチルアミン、ピリジン等の有機
アミンがあげられる。また、使用される溶媒としてはベ
ンゼン、トルエン等の炭化水素系溶媒、エタノール、メ
タノール等のアルコール系溶媒、エチルエーテル、テト
ラハイドロフラン、1,2−ジメトキシエタン等のエー
テル系溶媒、N,N−ジメチルホルムアミド、N N−ジ
メチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド等の非プロ
トン系極性溶媒、さらに、酢酸エチル等のエステル系溶
媒、アセトン、メチルエチルケトン等のケトン系溶媒、
その他アセトニトリル等があげられる。
はテトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム
(0)、ビス(トリフェニルホスフィン)パラジウムジ
クロライド等があげられるが、その他として(酢酸パラ
ジウム、トリフェニルホスフィン)、{酢酸パラジウ
ム、トリス(O−トリル)ホスフィン}等のパラジウム
触媒が使用される。使用される塩基としては炭酸ナトリ
ウム、炭酸カリウム等の炭酸塩、炭酸水素ナトリウム等
の重炭酸塩またはトリエチルアミン、ピリジン等の有機
アミンがあげられる。また、使用される溶媒としてはベ
ンゼン、トルエン等の炭化水素系溶媒、エタノール、メ
タノール等のアルコール系溶媒、エチルエーテル、テト
ラハイドロフラン、1,2−ジメトキシエタン等のエー
テル系溶媒、N,N−ジメチルホルムアミド、N N−ジ
メチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド等の非プロ
トン系極性溶媒、さらに、酢酸エチル等のエステル系溶
媒、アセトン、メチルエチルケトン等のケトン系溶媒、
その他アセトニトリル等があげられる。
【0029】製造法〈A−3〉
一般式〔2〕で示される化合物のうち、R1がCH=C
R6R7で、Xが酸素原子である一般式〔11〕で示され
る化合物は一般式
R6R7で、Xが酸素原子である一般式〔11〕で示され
る化合物は一般式
〔9〕で示される化合物に塩基の存在
下カルボニル化合物を、好ましくは−78℃〜50℃の
温度範囲内で反応させて得られる一般式〔10〕で示さ
れる化合物に、好ましくは−78℃から室温の温度範囲
内で脱メチル化剤を反応させることによっても製造する
ことができる。
下カルボニル化合物を、好ましくは−78℃〜50℃の
温度範囲内で反応させて得られる一般式〔10〕で示さ
れる化合物に、好ましくは−78℃から室温の温度範囲
内で脱メチル化剤を反応させることによっても製造する
ことができる。
【0030】
【反応式4】
【0031】上記ウィッティヒ(Wittig)反応で
使用される塩基としては、好ましくはアルキルリチウ
ム、リチウム−ビス(トリアルキルシリル)アミド等の
リチウム試薬、水素化ナトリウム等の水素化アルカリ金
属、炭酸カリウム等の炭酸塩類、カリウム−tert−
ブトキサイド等のアルカリ金属アルコキサイド類等があ
げられるが、その他ナトリウムアミド等も使用すること
ができる。また、脱メチル化に使用される試薬として
は、好ましくは三臭化ホウ素、三フッ化ホウ素、三塩化
ホウ素、塩化アルミニウム等のルイス酸があげられる
が、ヨウ化水素酸、臭化水素酸等のハロゲン化水素酸
類、トリフルオロ酢酸、ピリジンの塩酸塩、ヨウ化マグ
ネシウムエーテル錯体、リチウムビフェニル、ヨウ化リ
チウム、ナトリウムチオラート、リチウムジフェニルホ
スフィド等を使用することもできる。使用される溶媒と
しては塩化メチレン、クロロホルム等のハロゲン系溶
媒、ヘキサン、ベンゼン、トルエン等の炭化水素系溶
媒、エチルエーテル、テトラハイドロフラン等のエーテ
ル系溶媒、N,N−ジメチルホルムアミド、N N−ジメ
チルアセトアミド、ジメチルスルホキシド等の非プロト
ン系極性溶媒、酢酸エチル等のエステル系溶媒、さらに
コリジン、ルチジン、ピリジン等の芳香族アミン類、そ
の他アセトニトリル、無水酢酸、水等があげられる。
使用される塩基としては、好ましくはアルキルリチウ
ム、リチウム−ビス(トリアルキルシリル)アミド等の
リチウム試薬、水素化ナトリウム等の水素化アルカリ金
属、炭酸カリウム等の炭酸塩類、カリウム−tert−
ブトキサイド等のアルカリ金属アルコキサイド類等があ
げられるが、その他ナトリウムアミド等も使用すること
ができる。また、脱メチル化に使用される試薬として
は、好ましくは三臭化ホウ素、三フッ化ホウ素、三塩化
ホウ素、塩化アルミニウム等のルイス酸があげられる
が、ヨウ化水素酸、臭化水素酸等のハロゲン化水素酸
類、トリフルオロ酢酸、ピリジンの塩酸塩、ヨウ化マグ
ネシウムエーテル錯体、リチウムビフェニル、ヨウ化リ
チウム、ナトリウムチオラート、リチウムジフェニルホ
スフィド等を使用することもできる。使用される溶媒と
しては塩化メチレン、クロロホルム等のハロゲン系溶
媒、ヘキサン、ベンゼン、トルエン等の炭化水素系溶
媒、エチルエーテル、テトラハイドロフラン等のエーテ
ル系溶媒、N,N−ジメチルホルムアミド、N N−ジメ
チルアセトアミド、ジメチルスルホキシド等の非プロト
ン系極性溶媒、酢酸エチル等のエステル系溶媒、さらに
コリジン、ルチジン、ピリジン等の芳香族アミン類、そ
の他アセトニトリル、無水酢酸、水等があげられる。
【0032】製造法〈A−4〉
一般式〔2〕で示される化合物のうち、Xがイオウ原子
である一般式〔13〕で示される化合物は、一般式〔1
2〕で示されるアントラニル酸誘導体に、好ましくは1
0℃以下で亜硝酸ナトリウムを反応させて得られるジア
ゾニウム塩に二硫化ナトリウムを反応させることによっ
て製造することができる。
である一般式〔13〕で示される化合物は、一般式〔1
2〕で示されるアントラニル酸誘導体に、好ましくは1
0℃以下で亜硝酸ナトリウムを反応させて得られるジア
ゾニウム塩に二硫化ナトリウムを反応させることによっ
て製造することができる。
【0033】
【反応式5】
(式中、R1、R2は前記と同じ意味を表す。)
【0034】製造法〈B〉
一般式〔1〕で示される本発明化合物は式〔14〕で表
される化合物を用いて下記の反応を行うことにより製造
することができる。尚、触媒、塩基及び溶媒は製造法
〈A−2〉と同じものを用いることができる。
される化合物を用いて下記の反応を行うことにより製造
することができる。尚、触媒、塩基及び溶媒は製造法
〈A−2〉と同じものを用いることができる。
【0035】
【反応式6】
【0036】(式中、R1は式−C(R5)=CR6R7ま
たは化2で表される基を示し、R3及びR4は同一または
相異なり低級アルキル基、低級アルコキシ基、ジフルオ
ロメトキシ基、トリフルオロメチル基または低級アルキ
ル基で置換されていてもよいアミノ基を示し、R2、
R5、R6、R7、R8、R9、X、Y及びZは前記と同じ
意味を示す。)
たは化2で表される基を示し、R3及びR4は同一または
相異なり低級アルキル基、低級アルコキシ基、ジフルオ
ロメトキシ基、トリフルオロメチル基または低級アルキ
ル基で置換されていてもよいアミノ基を示し、R2、
R5、R6、R7、R8、R9、X、Y及びZは前記と同じ
意味を示す。)
【0037】製造法〈C〉
さらに、一般式〔1〕で示される本発明化合物のうちR
2が水素である一般式〔16〕で示される化合物は、エ
ステル残基を加水分解することによって得ることができ
る。その方法は特定されてはいないが、本発明では一般
式〔1〕でR2が2−トリメチルシリルエチル基である
一般式〔15〕で示される化合物に、好ましくは室温か
ら溶媒の沸点の温度範囲内でフッ素試薬を反応させて製
造した。
2が水素である一般式〔16〕で示される化合物は、エ
ステル残基を加水分解することによって得ることができ
る。その方法は特定されてはいないが、本発明では一般
式〔1〕でR2が2−トリメチルシリルエチル基である
一般式〔15〕で示される化合物に、好ましくは室温か
ら溶媒の沸点の温度範囲内でフッ素試薬を反応させて製
造した。
【0038】
【反応式7】
(式中、X、Y、R1、R3及びR4は前記と同じ意味を
表す。)
表す。)
【0039】ここで使用するフッ素試薬としては、好ま
しくはトリブチルアンモニウムフルオライド等の四級ア
ンモニウムフルオライド化合物等があげられるが、その
他フッ化カリウム、フッ化セシウム等のアルカリ金属フ
ルオライド等があげられる。また、使用される溶媒とし
てはベンゼン、トルエン等の炭化水素系溶媒、塩化メチ
レン、クロロホルム等のハロゲン化炭化水素系溶媒、エ
タノール、メタノール等のアルコール系溶媒、エチルエ
ーテル、テトラハイドロフラン、1,2−ジメトキシエ
タン等のエーテル系溶媒、N,N−ジメチルホルムアミ
ド、N N−ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキ
シド等の非プロトン系極性溶媒、酢酸エチル、酢酸メチ
ル等のエステル系溶媒、さらにアセトン、メチルエチル
ケトン等のケトン系溶媒等があげられる。
しくはトリブチルアンモニウムフルオライド等の四級ア
ンモニウムフルオライド化合物等があげられるが、その
他フッ化カリウム、フッ化セシウム等のアルカリ金属フ
ルオライド等があげられる。また、使用される溶媒とし
てはベンゼン、トルエン等の炭化水素系溶媒、塩化メチ
レン、クロロホルム等のハロゲン化炭化水素系溶媒、エ
タノール、メタノール等のアルコール系溶媒、エチルエ
ーテル、テトラハイドロフラン、1,2−ジメトキシエ
タン等のエーテル系溶媒、N,N−ジメチルホルムアミ
ド、N N−ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキ
シド等の非プロトン系極性溶媒、酢酸エチル、酢酸メチ
ル等のエステル系溶媒、さらにアセトン、メチルエチル
ケトン等のケトン系溶媒等があげられる。
【0040】製造法〈D〉
また、一般式〔1〕でR2がアルカリ金属、アルカリ土
類金属、または有機アミン等のカチオンを示す一般式
〔17〕で示される化合物は、例えば製造法〈C〉によ
って製造される一般式〔1〕でR2が水素原子である一
般式〔16〕で示される化合物と塩基とを好ましくは室
温から溶媒の沸点の温度範囲内で反応させることにより
製造することができる。
類金属、または有機アミン等のカチオンを示す一般式
〔17〕で示される化合物は、例えば製造法〈C〉によ
って製造される一般式〔1〕でR2が水素原子である一
般式〔16〕で示される化合物と塩基とを好ましくは室
温から溶媒の沸点の温度範囲内で反応させることにより
製造することができる。
【0041】
【反応式8】
【0042】(式中、R1、R3、R4、X、Yは前記と
同じ意味を表す。Mはナトリウム、カリウム等のアルカ
リ金属、カルシウム等のアルカリ土類金属、有機アミン
のカチオンを示す。)
同じ意味を表す。Mはナトリウム、カリウム等のアルカ
リ金属、カルシウム等のアルカリ土類金属、有機アミン
のカチオンを示す。)
【0043】ここで使用される塩基としては、例えば金
属ナトリウム、金属カリウム等のアルカリ金属、水素化
ナトリウム、水素化カリウム、水素化カルシウム等の水
素化アルカリ金属及び水素化アルカリ土類金属、炭酸ナ
トリウム、炭酸カリウム、炭酸カルシウム等の炭酸塩
類、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等の水酸化アル
カリ金属が使用できる。さらに、有機塩基としては、ア
ンモニア、メチルアミン等のモノアルキルアミン類、ジ
メチルアミン等のジアルキルアミン類、トリエチルアミ
ン等のトリアルキルアミン類、更にピリジン等の芳香族
アミン類があげられる。
属ナトリウム、金属カリウム等のアルカリ金属、水素化
ナトリウム、水素化カリウム、水素化カルシウム等の水
素化アルカリ金属及び水素化アルカリ土類金属、炭酸ナ
トリウム、炭酸カリウム、炭酸カルシウム等の炭酸塩
類、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等の水酸化アル
カリ金属が使用できる。さらに、有機塩基としては、ア
ンモニア、メチルアミン等のモノアルキルアミン類、ジ
メチルアミン等のジアルキルアミン類、トリエチルアミ
ン等のトリアルキルアミン類、更にピリジン等の芳香族
アミン類があげられる。
【0044】また、使用される溶媒としては、水、ベン
ゼン、トルエン等の炭化水素系溶媒、塩化メチレン、ク
ロロホルム等のハロゲン化炭化水素系溶媒、エタノー
ル、メタノール等のアルコール系溶媒、エチルエーテ
ル、テトラハイドロフラン、1,2−ジメトキシエタ
ン、1,4−ジオキサンのようなエーテル系溶媒、さら
に、酢酸エチル等のエステル系溶媒、アセトン、メチル
エチルケトン等のケトン系溶媒、その他アセトニトリル
等があげられる。
ゼン、トルエン等の炭化水素系溶媒、塩化メチレン、ク
ロロホルム等のハロゲン化炭化水素系溶媒、エタノー
ル、メタノール等のアルコール系溶媒、エチルエーテ
ル、テトラハイドロフラン、1,2−ジメトキシエタ
ン、1,4−ジオキサンのようなエーテル系溶媒、さら
に、酢酸エチル等のエステル系溶媒、アセトン、メチル
エチルケトン等のケトン系溶媒、その他アセトニトリル
等があげられる。
【0045】製造法〈E〉
また、一般式〔1〕でR2が低級アルキル基、低級アル
ケニル基、低級アルキニル基、アルコキシアルキル基、
ベンジル基、アルキルチオアルキル基、アルコキシカル
ボニルアルキル基、シアノアルキル基、ニトロアルキル
基を表す一般式〔19〕で示される化合物は、例えば製
造法〈C〉によって製造される一般式〔1〕でR2が水
素原子である一般式〔16〕で示される化合物と一般式
〔18〕で示される化合物を適当な塩基の存在下、好ま
しくは室温から溶媒の沸点の温度範囲内で反応させるこ
とによっても製造することができる。
ケニル基、低級アルキニル基、アルコキシアルキル基、
ベンジル基、アルキルチオアルキル基、アルコキシカル
ボニルアルキル基、シアノアルキル基、ニトロアルキル
基を表す一般式〔19〕で示される化合物は、例えば製
造法〈C〉によって製造される一般式〔1〕でR2が水
素原子である一般式〔16〕で示される化合物と一般式
〔18〕で示される化合物を適当な塩基の存在下、好ま
しくは室温から溶媒の沸点の温度範囲内で反応させるこ
とによっても製造することができる。
【0046】
【反応式9】
【0047】(式中R1、R3、R4、X、Y、Lは前記
と同じ意味を示し、R10は低級アルキル基、低級アルケ
ニル基、低級アルキニル基、アルコキシアルキル基、ベ
ンジル基、アルキルチオアルキル基、シアノアルキル
基、ニトロアルキル基、アルコキシカルボニルアルキル
基を表す)
と同じ意味を示し、R10は低級アルキル基、低級アルケ
ニル基、低級アルキニル基、アルコキシアルキル基、ベ
ンジル基、アルキルチオアルキル基、シアノアルキル
基、ニトロアルキル基、アルコキシカルボニルアルキル
基を表す)
【0048】ここで使用される塩基としては、例えば金
属ナトリウム、金属カリウム等のアルカリ金属、水素化
ナトリウム、水素化カリウム等の水素化アルカリ金属、
炭酸ナトリウム、炭酸カリウム等の炭酸塩類、炭酸水素
ナトリウム、炭酸水素カリウム等の重炭酸塩類、または
トリエチルアミン、N,N−ジイソプロピルエチルアミ
ン、ピリジン等の有機アミン類が使用できる。また、使
用される溶媒としてはベンゼン、トルエン等の炭化水素
系溶媒、エチルエーテル、テトラハイドロフラン、1,
2−ジメトキシエタン、1,4−ジオキサンのようなエ
ーテル系溶媒、さらに、酢酸エチル等のエステル系溶
媒、アセトン、メチルエチルケトン等のケトン系溶媒、
塩化メチレン、クロロホルム等のハロゲン系溶媒、N,
N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセトア
ミド、ジメチルスルホキシド等の非プロトン系極性溶
媒、その他アセトニトリル等があげられる。
属ナトリウム、金属カリウム等のアルカリ金属、水素化
ナトリウム、水素化カリウム等の水素化アルカリ金属、
炭酸ナトリウム、炭酸カリウム等の炭酸塩類、炭酸水素
ナトリウム、炭酸水素カリウム等の重炭酸塩類、または
トリエチルアミン、N,N−ジイソプロピルエチルアミ
ン、ピリジン等の有機アミン類が使用できる。また、使
用される溶媒としてはベンゼン、トルエン等の炭化水素
系溶媒、エチルエーテル、テトラハイドロフラン、1,
2−ジメトキシエタン、1,4−ジオキサンのようなエ
ーテル系溶媒、さらに、酢酸エチル等のエステル系溶
媒、アセトン、メチルエチルケトン等のケトン系溶媒、
塩化メチレン、クロロホルム等のハロゲン系溶媒、N,
N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセトア
ミド、ジメチルスルホキシド等の非プロトン系極性溶
媒、その他アセトニトリル等があげられる。
【0049】
【実施例】次に実施例をあげて本発明化合物の製造法を
具体的に説明する。 実施例1 2−[(4,6−ジメトキシピリミジン−2−イル)オ
キシ]−6−(1−プロペニル)安息香酸2−トリメチ
ルシリルエチル(化合物1)の合成 50ml容量のナスフラスコに6−(1−プロペニル)
サリチル酸 2−トリメチルシリルエチル(3.1g、
11.0mM)と4,6−ジメトキシ−2−メタンスルホ
ニルピリミジン(2.4g、11.0mM)、炭酸カリウ
ム(1.8g、13.0mM)及びN,N−ジメチルホル
ムアミド(以下DMFと略す)10mlをいれ、80℃
において1時間反応させた。冷却した後、減圧下でDM
Fを留去し、残査を酢酸エチルに溶解し、水、飽和食塩
水で洗浄、無水硫酸ナトリウムで乾燥、濃縮して得られ
た残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製
して目的物(無色透明粘稠液体、2.0g、収率47.6
%)を得た。
具体的に説明する。 実施例1 2−[(4,6−ジメトキシピリミジン−2−イル)オ
キシ]−6−(1−プロペニル)安息香酸2−トリメチ
ルシリルエチル(化合物1)の合成 50ml容量のナスフラスコに6−(1−プロペニル)
サリチル酸 2−トリメチルシリルエチル(3.1g、
11.0mM)と4,6−ジメトキシ−2−メタンスルホ
ニルピリミジン(2.4g、11.0mM)、炭酸カリウ
ム(1.8g、13.0mM)及びN,N−ジメチルホル
ムアミド(以下DMFと略す)10mlをいれ、80℃
において1時間反応させた。冷却した後、減圧下でDM
Fを留去し、残査を酢酸エチルに溶解し、水、飽和食塩
水で洗浄、無水硫酸ナトリウムで乾燥、濃縮して得られ
た残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製
して目的物(無色透明粘稠液体、2.0g、収率47.6
%)を得た。
【0050】実施例2
2−[(4,6−ジメトキシピリミジン−2−イル)オ
キシ]−6−(1−プロペニル)安息香酸(化合物2)
の合成 50ml容量のナスフラスコに2−[(4,6−ジメト
キシピリミジン−2−イル)オキシ]−6−(1−プロ
ペニル)安息香酸 (2−トリメチルシリル)エチル
(2.0g、5.0mM)をテトラハイドロフラン(20
ml、以下THFと略す)に溶解して、テトラブチルア
ンモニウムフルオライド水和物(3.5g、13.3m
M)を少量ずつ加えた。室温にて2時間攪拌した後、減
圧下でTHFを留去した。残渣に水を加え、10%塩酸
でpHを3に調製して酢酸エチルで抽出した。水、飽和
食塩水で洗浄、無水硫酸ナトリウムで乾燥、濃縮して得
られた残渣をヘキサンで洗浄し、完全に溶媒を留去する
ことにより目的物(赤褐色ガラス状物質、1.0g、収
率66.7%)を得た。
キシ]−6−(1−プロペニル)安息香酸(化合物2)
の合成 50ml容量のナスフラスコに2−[(4,6−ジメト
キシピリミジン−2−イル)オキシ]−6−(1−プロ
ペニル)安息香酸 (2−トリメチルシリル)エチル
(2.0g、5.0mM)をテトラハイドロフラン(20
ml、以下THFと略す)に溶解して、テトラブチルア
ンモニウムフルオライド水和物(3.5g、13.3m
M)を少量ずつ加えた。室温にて2時間攪拌した後、減
圧下でTHFを留去した。残渣に水を加え、10%塩酸
でpHを3に調製して酢酸エチルで抽出した。水、飽和
食塩水で洗浄、無水硫酸ナトリウムで乾燥、濃縮して得
られた残渣をヘキサンで洗浄し、完全に溶媒を留去する
ことにより目的物(赤褐色ガラス状物質、1.0g、収
率66.7%)を得た。
【0051】実施例3
2−[(4,6−ジメトキシピリミジン−2−イル)オ
キシ]−6−ビニル安息香酸2−トリメチルシリルエチ
ル(化合物41)の合成 温度計、冷却管及び窒素導入管を付した100ml容量
のフラスコに2−[(4,6−ジメトキシピリミジン−
2−イル)オキシ]−6−トリフルオロメタンスルホニ
ルオキシ安息香酸2−トリメチルシリルエチル(3.1
5g、6.0mM)とテトラキス(トリフェニルホスフ
ィン)パラジウム(0)(400mg、0.34m
M)、トルエン(30ml)をいれ、窒素気流下室温に
おいて1時間攪拌した。2,6−ジ−tert−ブチル
−4−メチルフェノール(触媒量)を加えた後にビニル
トリブチルスズ(3.17g、10.0mM)を加え、8
0〜90℃で3時間反応させた。冷却した後、トルエン
を加え、有機層を水、飽和食塩水で洗浄、無水硫酸ナト
リウムで乾燥、濃縮して得られた残渣をシリカゲルカラ
ムクロマトグラフィーにて精製して目的物(橙色透明粘
稠液体、0.50g、収率20.8%)を得た。
キシ]−6−ビニル安息香酸2−トリメチルシリルエチ
ル(化合物41)の合成 温度計、冷却管及び窒素導入管を付した100ml容量
のフラスコに2−[(4,6−ジメトキシピリミジン−
2−イル)オキシ]−6−トリフルオロメタンスルホニ
ルオキシ安息香酸2−トリメチルシリルエチル(3.1
5g、6.0mM)とテトラキス(トリフェニルホスフ
ィン)パラジウム(0)(400mg、0.34m
M)、トルエン(30ml)をいれ、窒素気流下室温に
おいて1時間攪拌した。2,6−ジ−tert−ブチル
−4−メチルフェノール(触媒量)を加えた後にビニル
トリブチルスズ(3.17g、10.0mM)を加え、8
0〜90℃で3時間反応させた。冷却した後、トルエン
を加え、有機層を水、飽和食塩水で洗浄、無水硫酸ナト
リウムで乾燥、濃縮して得られた残渣をシリカゲルカラ
ムクロマトグラフィーにて精製して目的物(橙色透明粘
稠液体、0.50g、収率20.8%)を得た。
【0052】実施例4
2−[(4,6−ジメトキシピリミジン−2−イル)オ
キシ]−6−(1−ペンチニル)安息香酸2−トリメチ
ルシリルエチル(化合物52)の合成 温度計、冷却管及び窒素導入管を付した100ml容量
のフラスコにに2−[(4,6−ジメトキシピリミジン
−2−イル)オキシ]−6−トリフルオロメタンスルホ
ニルオキシ安息香酸2−トリメチルシリルエチル(4.
72g、9.0mM)とビス(トリフェニルホスフィ
ン)パラジウムジクロライド(300mg、0.4m
M)、DMF(30ml)、トリエチルアミン(5m
l)をいれ、窒素気流下室温において1時間攪拌した。
1−ペンチン(2.0g、29.40mM)を加え、80
〜90℃で3時間反応させた。冷却した後、氷水中にそ
そぎ入れ、酢酸エチルで抽出、有機層を水、飽和食塩水
で洗浄、無水硫酸ナトリウムで乾燥、濃縮して得られた
残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し
て目的物(赤褐色透明粘稠液体、2.50g、収率62.
8%)を得た。
キシ]−6−(1−ペンチニル)安息香酸2−トリメチ
ルシリルエチル(化合物52)の合成 温度計、冷却管及び窒素導入管を付した100ml容量
のフラスコにに2−[(4,6−ジメトキシピリミジン
−2−イル)オキシ]−6−トリフルオロメタンスルホ
ニルオキシ安息香酸2−トリメチルシリルエチル(4.
72g、9.0mM)とビス(トリフェニルホスフィ
ン)パラジウムジクロライド(300mg、0.4m
M)、DMF(30ml)、トリエチルアミン(5m
l)をいれ、窒素気流下室温において1時間攪拌した。
1−ペンチン(2.0g、29.40mM)を加え、80
〜90℃で3時間反応させた。冷却した後、氷水中にそ
そぎ入れ、酢酸エチルで抽出、有機層を水、飽和食塩水
で洗浄、無水硫酸ナトリウムで乾燥、濃縮して得られた
残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し
て目的物(赤褐色透明粘稠液体、2.50g、収率62.
8%)を得た。
【0053】実施例5
2−[(4,6−ジメトキシピリミジン−2−イル)オ
キシ]−6−(1−ペンチニル)安息香酸ジイソプロピ
ルアンモニウム(化合物53)の合成 100ml容量のナスフラスコ中にTHF(50ml)
に溶解した2−[(4,6−ジメトキシピリミジン−2
−イル)オキシ]−6−(1−ペンチニル)安息香酸2
−トリメチルシリルエチル(2.10g、4.7mM)を
入れ、テトラブチルアンモニウムフルオライド水和物
(1M−THF溶液、14.2ml、14.2mM)を加
えて室温で3時間攪拌した。減圧下でTHFを留去し、
水を加え、10%塩酸でpHを3に調整した後、酢酸エ
チルで抽出した。有機層を水、飽和食塩水で洗浄、無水
硫酸ナトリウムで乾燥、濃縮して得られた残渣をジイソ
プロピルアミン(1.01g、10.0mM)を溶解した
メタノール(50ml)に加え、50℃において2時間
攪拌した。冷却後溶媒を留去し、イソプロピルエーテル
より再結晶して目的物(淡黄色粒状結晶、1.74g、
収率83.7%)を得た。
キシ]−6−(1−ペンチニル)安息香酸ジイソプロピ
ルアンモニウム(化合物53)の合成 100ml容量のナスフラスコ中にTHF(50ml)
に溶解した2−[(4,6−ジメトキシピリミジン−2
−イル)オキシ]−6−(1−ペンチニル)安息香酸2
−トリメチルシリルエチル(2.10g、4.7mM)を
入れ、テトラブチルアンモニウムフルオライド水和物
(1M−THF溶液、14.2ml、14.2mM)を加
えて室温で3時間攪拌した。減圧下でTHFを留去し、
水を加え、10%塩酸でpHを3に調整した後、酢酸エ
チルで抽出した。有機層を水、飽和食塩水で洗浄、無水
硫酸ナトリウムで乾燥、濃縮して得られた残渣をジイソ
プロピルアミン(1.01g、10.0mM)を溶解した
メタノール(50ml)に加え、50℃において2時間
攪拌した。冷却後溶媒を留去し、イソプロピルエーテル
より再結晶して目的物(淡黄色粒状結晶、1.74g、
収率83.7%)を得た。
【0054】実施例6
2−[(4,6−ジメトキシピリミジン−2−イル)オ
キシ]−6−(1−ペンチニル)安息香酸メチル(化合
物54)の合成 50ml容量のナスフラスコに2−[(4,6−ジメト
キシピリミジン−2−イル)オキシ]−6−(1−ペン
チニル)安息香酸 ジイソプロピルアンモニウム(1.
00g、2.3mM)をテトラハイドロフラン(20m
l)−DMF(10ml)に溶解して、ヨウ化メチル
(1.4g、10.0mM)を少量ずつ加えた。50℃に
おいて2時間攪拌した後、減圧下でTHF−DMFを留
去した。残渣に水を加え酢酸エチルで抽出した。有機層
を水、飽和食塩水で洗浄、無水硫酸ナトリウムで乾燥、
濃縮して得られた残渣にフロリジールを適当量加え、イ
ソプロピルエーテルで溶出させた。減圧下で溶媒を留去
することにより目的物(黄色粘稠液体、0.61g、収
率76.3%)を得た。
キシ]−6−(1−ペンチニル)安息香酸メチル(化合
物54)の合成 50ml容量のナスフラスコに2−[(4,6−ジメト
キシピリミジン−2−イル)オキシ]−6−(1−ペン
チニル)安息香酸 ジイソプロピルアンモニウム(1.
00g、2.3mM)をテトラハイドロフラン(20m
l)−DMF(10ml)に溶解して、ヨウ化メチル
(1.4g、10.0mM)を少量ずつ加えた。50℃に
おいて2時間攪拌した後、減圧下でTHF−DMFを留
去した。残渣に水を加え酢酸エチルで抽出した。有機層
を水、飽和食塩水で洗浄、無水硫酸ナトリウムで乾燥、
濃縮して得られた残渣にフロリジールを適当量加え、イ
ソプロピルエーテルで溶出させた。減圧下で溶媒を留去
することにより目的物(黄色粘稠液体、0.61g、収
率76.3%)を得た。
【0055】本発明の除草剤は、一般式〔1〕で示され
るピリミジンまたはトリアジン誘導体を有効成分として
なる。本発明化合物を除草剤として使用するには本発明
化合物それ自体で用いてもよいが、製剤化に一般的に用
いられる担体、界面活性剤、分散剤または補助剤等を配
合して、粉剤、水和剤、乳剤、微粒剤または粒剤等に製
剤して使用することもできる。
るピリミジンまたはトリアジン誘導体を有効成分として
なる。本発明化合物を除草剤として使用するには本発明
化合物それ自体で用いてもよいが、製剤化に一般的に用
いられる担体、界面活性剤、分散剤または補助剤等を配
合して、粉剤、水和剤、乳剤、微粒剤または粒剤等に製
剤して使用することもできる。
【0056】製剤化に際して用いられる担体としては、
例えばジークライト、タルク、ベントナイト、クレー、
カオリン、珪藻土、ホワイトカーボン、バーミキュライ
ト、炭酸カルシウム、消石灰、珪砂、硫安、尿素等の固
体担体、イソプロピルアルコール、キシレン、シクロヘ
キサノン、メチルナフタレン等の液体担体等があげられ
る。
例えばジークライト、タルク、ベントナイト、クレー、
カオリン、珪藻土、ホワイトカーボン、バーミキュライ
ト、炭酸カルシウム、消石灰、珪砂、硫安、尿素等の固
体担体、イソプロピルアルコール、キシレン、シクロヘ
キサノン、メチルナフタレン等の液体担体等があげられ
る。
【0057】界面活性剤及び分散剤としては、例えばア
ルキルベンゼンスルホン酸金属塩、ジナフチルメタンジ
スルホン酸金属塩、アルコール硫酸エステル塩、アルキ
ルアリールスルホン酸塩、リグニンスルホン酸塩、ポリ
オキシエチレングリコールエーテル、ポリオキシエチレ
ンアルキルアリールエーテル、ポリオキシエチレンソル
ビタンモノアルキレート等があげられる。補助剤として
は、例えばカルボキシメチルセルロース、ポリエチレン
グリコール、アラビアゴム等があげられる。使用に際し
ては適当な濃度に希釈して散布するかまたは直接施用す
る。
ルキルベンゼンスルホン酸金属塩、ジナフチルメタンジ
スルホン酸金属塩、アルコール硫酸エステル塩、アルキ
ルアリールスルホン酸塩、リグニンスルホン酸塩、ポリ
オキシエチレングリコールエーテル、ポリオキシエチレ
ンアルキルアリールエーテル、ポリオキシエチレンソル
ビタンモノアルキレート等があげられる。補助剤として
は、例えばカルボキシメチルセルロース、ポリエチレン
グリコール、アラビアゴム等があげられる。使用に際し
ては適当な濃度に希釈して散布するかまたは直接施用す
る。
【0058】本発明の除草剤は茎葉散布、土壌施用また
は水面施用等により使用することができる。有効成分の
配合割合については必要に応じて適宜選ばれるが、粉剤
または粒剤とする場合は0.01〜10%(重量)、好
ましくは0.05〜5%(重量)の範囲から適宜選ぶの
がよい。また、乳剤及び水和剤とする場合は1〜50%
(重量)、好ましくは5〜20%(重量)の範囲から適
宜選ぶのがよい。
は水面施用等により使用することができる。有効成分の
配合割合については必要に応じて適宜選ばれるが、粉剤
または粒剤とする場合は0.01〜10%(重量)、好
ましくは0.05〜5%(重量)の範囲から適宜選ぶの
がよい。また、乳剤及び水和剤とする場合は1〜50%
(重量)、好ましくは5〜20%(重量)の範囲から適
宜選ぶのがよい。
【0059】本発明の除草剤の施用量は使用される化合
物の種類、対象雑草、発生傾向、環境条件ならびに使用
する剤型等によってかわるが、粉剤及び粒剤のようにそ
のまま使用する場合は、有効成分として10アール当り
0.1g〜5kg、好ましくは1g〜1kgの範囲から
適宜選ぶのがよい。また、乳剤及び水和剤とする場合の
ように液状で使用する場合は、0.1〜50,000pp
m、好ましくは10〜10,000ppmの範囲から適
宜選ぶのがよい。
物の種類、対象雑草、発生傾向、環境条件ならびに使用
する剤型等によってかわるが、粉剤及び粒剤のようにそ
のまま使用する場合は、有効成分として10アール当り
0.1g〜5kg、好ましくは1g〜1kgの範囲から
適宜選ぶのがよい。また、乳剤及び水和剤とする場合の
ように液状で使用する場合は、0.1〜50,000pp
m、好ましくは10〜10,000ppmの範囲から適
宜選ぶのがよい。
【0060】また、本発明の化合物は必要に応じて殺虫
剤、殺菌剤、他の除草剤、植物生長調節剤、肥料等と混
用してもよい。次に代表的な製剤例をあげて製剤方法を
具体的に説明する。化合物、添加剤の種類及び配合比率
は、これのみに限定されることなく広い範囲で変更可能
である。以下の説明において「部」は重量部を意味す
る。
剤、殺菌剤、他の除草剤、植物生長調節剤、肥料等と混
用してもよい。次に代表的な製剤例をあげて製剤方法を
具体的に説明する。化合物、添加剤の種類及び配合比率
は、これのみに限定されることなく広い範囲で変更可能
である。以下の説明において「部」は重量部を意味す
る。
【0061】製剤例1 水和剤
化合物(64)の10部にエマルゲン(花王株式会社の
登録商標)810の0.5部、デモール(花王株式会社
の登録商標)Nの0.5部、クニライト(クニミネ工業
株式会社の登録商標)201の20部、ジークライト
(ジークライト株式会社の登録商標)CAの69部を混
合粉砕し、水和剤を得る。
登録商標)810の0.5部、デモール(花王株式会社
の登録商標)Nの0.5部、クニライト(クニミネ工業
株式会社の登録商標)201の20部、ジークライト
(ジークライト株式会社の登録商標)CAの69部を混
合粉砕し、水和剤を得る。
【0062】製剤例2 水和剤
化合物(58)の10部にエマルゲン810の0.5
部、デモールNの0.5部、クニライト201の20
部、カープレックス80の5部、ジークライトCAの6
4部を混合粉砕し、水和剤を得る。
部、デモールNの0.5部、クニライト201の20
部、カープレックス80の5部、ジークライトCAの6
4部を混合粉砕し、水和剤を得る。
【0063】製剤例3 水和剤(炭酸カルシウム処方)
化合物(18)の10部にデモールNの0.5部、エマ
ール(花王アトラス株式会社の登録商標)10の0.5
部、クニライト301の20部、カープレックス80の
5部、炭酸カルシウムの64部を混合粉砕し、水和剤を
得る。
ール(花王アトラス株式会社の登録商標)10の0.5
部、クニライト301の20部、カープレックス80の
5部、炭酸カルシウムの64部を混合粉砕し、水和剤を
得る。
【0064】製剤例4 乳剤
化合物(38)の30部にキシレンとイソホロンの等量
混合物60部、界面活性剤ソルポール(東邦化学工業株
式会社の登録商標)800Aの10部を加え、これらを
よくかきまぜることによって乳剤を得る。
混合物60部、界面活性剤ソルポール(東邦化学工業株
式会社の登録商標)800Aの10部を加え、これらを
よくかきまぜることによって乳剤を得る。
【0065】製剤例5 粒剤
化合物(2)の3部、タルクとベントナイトを1:3の
割合の混合した増量剤の77部、ホワイトカーボンの5
部、界面活性剤ソルポール800Aの5部に水10部を
加え、よく練ってペースト状としたものを直径0.7m
mのふるい穴から押し出して乾燥した後に0.5〜1m
mの長さに切断し、粒剤を得る。
割合の混合した増量剤の77部、ホワイトカーボンの5
部、界面活性剤ソルポール800Aの5部に水10部を
加え、よく練ってペースト状としたものを直径0.7m
mのふるい穴から押し出して乾燥した後に0.5〜1m
mの長さに切断し、粒剤を得る。
【0066】次に試験例をあげて本発明化合物の奏する
効果を説明する。 試験例1(水田土壌処理による除草効果試験) 100cm2プラスチックポットに水田土壌を充填し、
代掻後、タイヌビエ(Ec)、コナギ(Mo)及びホタルイ(Sc)
の各種子を播種し、水深3cmに湛水した。翌日、製剤
例1に準じて調製した水和剤を水で希釈し、水面滴下処
理した。施用量は、有効成分を10アール当り100g
とした。その後、温室内で育成し、処理21日目に表2
の基準に従い、除草効果を調査した。その結果を表3に
示した。
効果を説明する。 試験例1(水田土壌処理による除草効果試験) 100cm2プラスチックポットに水田土壌を充填し、
代掻後、タイヌビエ(Ec)、コナギ(Mo)及びホタルイ(Sc)
の各種子を播種し、水深3cmに湛水した。翌日、製剤
例1に準じて調製した水和剤を水で希釈し、水面滴下処
理した。施用量は、有効成分を10アール当り100g
とした。その後、温室内で育成し、処理21日目に表2
の基準に従い、除草効果を調査した。その結果を表3に
示した。
【0067】
【表2】
【0068】
【表3】
【0069】試験例2(畑地土壌処理による除草効果試
験) 120cm2プラスチックポットに畑地土壌を充填し、
食用ビエ(Ec)、オオイヌタデ(Po)、アオビユ(Am)、シロ
ザ(Ch)、コゴメガヤツリ(Ci)の各種子を播種して覆土し
た。製剤例1に準じて調製した水和剤を水で希釈し、1
0アール当り有効成分が100gになる様に、10アー
ル当り100lを小型噴霧器で土壌表面に均一に散布し
た。その後、温室内で育成し、処理21日目に表2の基
準に従って、除草効果を調査した。その結果を表4に示
す。
験) 120cm2プラスチックポットに畑地土壌を充填し、
食用ビエ(Ec)、オオイヌタデ(Po)、アオビユ(Am)、シロ
ザ(Ch)、コゴメガヤツリ(Ci)の各種子を播種して覆土し
た。製剤例1に準じて調製した水和剤を水で希釈し、1
0アール当り有効成分が100gになる様に、10アー
ル当り100lを小型噴霧器で土壌表面に均一に散布し
た。その後、温室内で育成し、処理21日目に表2の基
準に従って、除草効果を調査した。その結果を表4に示
す。
【0070】
【表4】
【0071】試験例3(畑地茎葉処理による除草効果試
験) 120cm2プラスチックポットに畑地土壌を充填し、
食用ビエ(Ec)、オオイヌタデ(Po)、アオビユ(Am)、シロ
ザ(Ch)、コゴメガヤツリ(Ci)の各種子を播種し、温室内
で2週間育成後、製剤例1に準じて調製した水和剤を水
に希釈し、10アール当り有効成分が100gになる様
に、10アール当り100lを小型噴霧器で植物体の上
方から全体に茎葉散布処理した。その後、温室内で育成
し、処理14日目に表2の基準に従って、除草効果を調
査した。その結果を表5に示す。
験) 120cm2プラスチックポットに畑地土壌を充填し、
食用ビエ(Ec)、オオイヌタデ(Po)、アオビユ(Am)、シロ
ザ(Ch)、コゴメガヤツリ(Ci)の各種子を播種し、温室内
で2週間育成後、製剤例1に準じて調製した水和剤を水
に希釈し、10アール当り有効成分が100gになる様
に、10アール当り100lを小型噴霧器で植物体の上
方から全体に茎葉散布処理した。その後、温室内で育成
し、処理14日目に表2の基準に従って、除草効果を調
査した。その結果を表5に示す。
【0072】
【表5】
【0073】
【発明の効果】一般式〔1〕で表される本発明の化合物
及びその塩は、畑地において問題となる種々の雑草、例
えばオオイヌタデ、アオビユ、シロザ、ハコベ、イチ
ビ、アメリカキンゴジカ、アメリカツノクサネム、ノア
サガオ、オナモミ等の広葉雑草をはじめ、ハマスゲ、キ
ハマスゲ、ヒメクグ、カヤツリグサ、コゴメガヤツリ等
の多年生および1年生カヤツリグサ科雑草、ヒエ、メヒ
シバ、エノコログサ、スズメノカタビラ、ジョンソング
ラス、ノスズメノテッポウ、野生エンバク等のイネ科雑
草の発芽前から生育期の広い範囲にわたって優れた除草
効果を発揮する。また、水田に発生するタイヌビエ、タ
マガヤツリ、コナギ等の一年生雑草及びウリカワ、オモ
ダカ、ミズガヤツリ、クログワイ、ホタルイ、ヘラオモ
ダカ等の多年生雑草を防除することもできる。
及びその塩は、畑地において問題となる種々の雑草、例
えばオオイヌタデ、アオビユ、シロザ、ハコベ、イチ
ビ、アメリカキンゴジカ、アメリカツノクサネム、ノア
サガオ、オナモミ等の広葉雑草をはじめ、ハマスゲ、キ
ハマスゲ、ヒメクグ、カヤツリグサ、コゴメガヤツリ等
の多年生および1年生カヤツリグサ科雑草、ヒエ、メヒ
シバ、エノコログサ、スズメノカタビラ、ジョンソング
ラス、ノスズメノテッポウ、野生エンバク等のイネ科雑
草の発芽前から生育期の広い範囲にわたって優れた除草
効果を発揮する。また、水田に発生するタイヌビエ、タ
マガヤツリ、コナギ等の一年生雑草及びウリカワ、オモ
ダカ、ミズガヤツリ、クログワイ、ホタルイ、ヘラオモ
ダカ等の多年生雑草を防除することもできる。
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成4年8月19日
【手続補正1】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正内容】
【書類名】 明細書
【発明の名称】 ピリミジンまたはトリアジン
誘導体及び除草剤
誘導体及び除草剤
【特許請求の範囲】
【化1】
(式中、R1はトリフルオロメタンスルホニルオキシ
基、式−C(R5)=CR6R7(式中、R5は水素原
子、クロル原子、低級アルキル基または低級アルコキシ
基を示し、R6は水素原子、低級アルキル基、シアノ基
またはニトロ基を示し、R7は水素原子、低級アルキル
基、フェニル基、アルコキシカルボニル基、ハロアルコ
キシカルボニル基、フェノキシカルボニル基、シアノ
基、ニトロ基、チエニル基、フリル基またはピリジル基
を示す。)または式
基、式−C(R5)=CR6R7(式中、R5は水素原
子、クロル原子、低級アルキル基または低級アルコキシ
基を示し、R6は水素原子、低級アルキル基、シアノ基
またはニトロ基を示し、R7は水素原子、低級アルキル
基、フェニル基、アルコキシカルボニル基、ハロアルコ
キシカルボニル基、フェノキシカルボニル基、シアノ
基、ニトロ基、チエニル基、フリル基またはピリジル基
を示す。)または式
【化2】
(式中、R8は水素原子、低級アルキル基、低級アルケ
ニル基、低級アルコキシ基、アルコキシアルキル基、ア
ルキルチオアルキル基、フェニル基、ハロアルキル基、
シクロアルキル基、シクロアルケニル基、トリメチルシ
リル基、シアノアルキル基、トリフルオロメチル基、ジ
メチルアミノアルキル基またはアシルオキシアルキル基
を示す。)で表される基を示し、R2は水素原子、低級
アルキル基、低級アルケニル基、低級アルキニル基、ベ
ンジル基、2−トリメチルシリルエチル基、アルコキシ
アルキル基、アルキルチオアルキル基、アルコキシカル
ボニルアルキル基、シアノアルキル基、ニトロアルキル
基、アルカリ金属、アルカリ土類金属または有機アミン
のカチオンを示し、R3及びR4は同一または相異なり
ハロゲン原子、低級アルキル基、低級アルコキシ基、ジ
フルオロメトキシ基、トリフルオロメチル基または低級
アルキル基で置換されていてもよいアミノ基を示し、X
は酸素原子または硫黄原子を示し、Zは窒素原子または
メチン基を示す。}にて表されるピリミジンまたはトリ
アジン誘導体及びそれらの塩。
ニル基、低級アルコキシ基、アルコキシアルキル基、ア
ルキルチオアルキル基、フェニル基、ハロアルキル基、
シクロアルキル基、シクロアルケニル基、トリメチルシ
リル基、シアノアルキル基、トリフルオロメチル基、ジ
メチルアミノアルキル基またはアシルオキシアルキル基
を示す。)で表される基を示し、R2は水素原子、低級
アルキル基、低級アルケニル基、低級アルキニル基、ベ
ンジル基、2−トリメチルシリルエチル基、アルコキシ
アルキル基、アルキルチオアルキル基、アルコキシカル
ボニルアルキル基、シアノアルキル基、ニトロアルキル
基、アルカリ金属、アルカリ土類金属または有機アミン
のカチオンを示し、R3及びR4は同一または相異なり
ハロゲン原子、低級アルキル基、低級アルコキシ基、ジ
フルオロメトキシ基、トリフルオロメチル基または低級
アルキル基で置換されていてもよいアミノ基を示し、X
は酸素原子または硫黄原子を示し、Zは窒素原子または
メチン基を示す。}にて表されるピリミジンまたはトリ
アジン誘導体及びそれらの塩。
【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、新規なピリミジンまた
はトリアジン誘導体及びそれらの塩並びにこれを含有す
る水田、畑及び非農耕地等に適用できる除草剤に関す
る。
はトリアジン誘導体及びそれらの塩並びにこれを含有す
る水田、畑及び非農耕地等に適用できる除草剤に関す
る。
【0002】
【従来の技術】本出願人らは特開平1−250366号
公報明細書において次の一般式
公報明細書において次の一般式
【0003】
【化3】
【0004】(式中、X’はハロゲン原子、低級アルキ
ル基または低級アルコキシ基を示し、Rは水素原子また
はベンジル基を示し、nは0または1、2の整数を示
す。)で表わされる化合物が除草活性を有することを見
出している。
ル基または低級アルコキシ基を示し、Rは水素原子また
はベンジル基を示し、nは0または1、2の整数を示
す。)で表わされる化合物が除草活性を有することを見
出している。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記特
許公報明細書に記載された化合物の除草効果は必ずしも
充分なものとはいえず、さらに優れた除草効果を示す化
合物が望まれている。
許公報明細書に記載された化合物の除草効果は必ずしも
充分なものとはいえず、さらに優れた除草効果を示す化
合物が望まれている。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明者らはピリミジン
またはトリアジン系化合物について、さらに改良された
化合物を開発することを目的に鋭意研究した結果、ベン
ゼン環上にフェノキシ基の代りにトリフルオロメタンス
ルホニルオキシ基、任意に置換されていてもよいエテニ
ル基または任意に置換されていてもよいエチニル基を導
入した本発明のピリミジンまたはトリアジン誘導体が、
上記公開特許公報記載化合物と比較して一年生はもとよ
り多年生雑草に対しても優れた除草効果を示すことを見
いだし、本発明を完成した。すなわち、本発明は、一般
式〔1〕
またはトリアジン系化合物について、さらに改良された
化合物を開発することを目的に鋭意研究した結果、ベン
ゼン環上にフェノキシ基の代りにトリフルオロメタンス
ルホニルオキシ基、任意に置換されていてもよいエテニ
ル基または任意に置換されていてもよいエチニル基を導
入した本発明のピリミジンまたはトリアジン誘導体が、
上記公開特許公報記載化合物と比較して一年生はもとよ
り多年生雑草に対しても優れた除草効果を示すことを見
いだし、本発明を完成した。すなわち、本発明は、一般
式〔1〕
【0007】
【化4】
{式中、R1はトリフルオロメタンスルホニルオキシ
基、式−C(R5)=CR6R7(式中、R5は水素原
子、クロル原子、低級アルキル基または低級アルコキシ
基を示し、R6は水素原子、低級アルキル基、シアノ基
またはニトロ基を示し、R7は水素原子、低級アルキル
基、フェニル基、アルコキシカルボニル基、ハロアルコ
キシカルボニル基、フェノキシカルボニル基、シアノ
基、ニトロ基、チェニル基、フリル基またはピリジル基
を示しす。)または式
基、式−C(R5)=CR6R7(式中、R5は水素原
子、クロル原子、低級アルキル基または低級アルコキシ
基を示し、R6は水素原子、低級アルキル基、シアノ基
またはニトロ基を示し、R7は水素原子、低級アルキル
基、フェニル基、アルコキシカルボニル基、ハロアルコ
キシカルボニル基、フェノキシカルボニル基、シアノ
基、ニトロ基、チェニル基、フリル基またはピリジル基
を示しす。)または式
【0008】
【化5】
【0009】(式中、R8は水素原子、低級アルキル
基、低級アルケニル基、低級アルコキシ基、アルコキシ
アルキル基、アルキルチオアルキル基、フェニル基、ハ
ロアルキル基、シクロアルキル基、シクロアルケニル
基、トリメチルシリル基、シアノアルキル基、トリフル
オロメチル基、ジメチルアミノアルキル基またはアシル
オキシアルキル基を示す。)で表される基を示し、R2
は水素原子、低級アルキル基、低級アルケニル基、低級
アルキニル基、ベンジル基、2−トリメチルシリルエチ
ル基、アルコキシアルキル基、アルキルチオアルキル
基、アルコキシカルボニルアルキル基、シアノアルキル
基、ニトロアルキル基、アルカリ金属、アルカリ土類金
属または有機アミンのカチオンを示し、R3びR4は同
一または相異なりハロゲン原子、低級アルキル基、低級
アルコキシ基、ジフルオロメトキシ基、トリフルオロメ
チル基または低級アルキル基で置換されていてもよいア
ミノ基を示し、Xは酸素原子または硫黄原子を示し、Z
は窒素原子またはメチン基を示す。}にて表されるピリ
ミジンまたはトリアジン誘導体及びそれらの塩並びにこ
れを有効成分として含有する除草剤である。
基、低級アルケニル基、低級アルコキシ基、アルコキシ
アルキル基、アルキルチオアルキル基、フェニル基、ハ
ロアルキル基、シクロアルキル基、シクロアルケニル
基、トリメチルシリル基、シアノアルキル基、トリフル
オロメチル基、ジメチルアミノアルキル基またはアシル
オキシアルキル基を示す。)で表される基を示し、R2
は水素原子、低級アルキル基、低級アルケニル基、低級
アルキニル基、ベンジル基、2−トリメチルシリルエチ
ル基、アルコキシアルキル基、アルキルチオアルキル
基、アルコキシカルボニルアルキル基、シアノアルキル
基、ニトロアルキル基、アルカリ金属、アルカリ土類金
属または有機アミンのカチオンを示し、R3びR4は同
一または相異なりハロゲン原子、低級アルキル基、低級
アルコキシ基、ジフルオロメトキシ基、トリフルオロメ
チル基または低級アルキル基で置換されていてもよいア
ミノ基を示し、Xは酸素原子または硫黄原子を示し、Z
は窒素原子またはメチン基を示す。}にて表されるピリ
ミジンまたはトリアジン誘導体及びそれらの塩並びにこ
れを有効成分として含有する除草剤である。
【0010】ここで一般式〔1〕における好適な置換基
を例示すると、R2のうち低級アルキル基としてはメチ
ル基、エチル基、プロピル基、低級アルケニル基として
はアリル基、低級アルキニル基としてはプロパルギル
基、アルコキシアルキル基としてはメトキシメチル基、
アルキルチオアルキル基としてはメチルチオメチル基、
アルコキシカルボニルアルキル基としてはメトキシカル
ボニルメチル基、1−メトキシカルボニルエチル基、シ
アノアルキル基としてはシアノメチル基、ニトロアルキ
ル基としてはニトロメチル基、アルカリ金属としてはナ
トリウム原子、カリウム原子、アルカリ土類金属として
はカルシウム原子、有機アミンのカチオンとしてはジエ
チルアンモニウムカチオン、ジイソプロピルアンモニウ
ムカチオン等があげられる。
を例示すると、R2のうち低級アルキル基としてはメチ
ル基、エチル基、プロピル基、低級アルケニル基として
はアリル基、低級アルキニル基としてはプロパルギル
基、アルコキシアルキル基としてはメトキシメチル基、
アルキルチオアルキル基としてはメチルチオメチル基、
アルコキシカルボニルアルキル基としてはメトキシカル
ボニルメチル基、1−メトキシカルボニルエチル基、シ
アノアルキル基としてはシアノメチル基、ニトロアルキ
ル基としてはニトロメチル基、アルカリ金属としてはナ
トリウム原子、カリウム原子、アルカリ土類金属として
はカルシウム原子、有機アミンのカチオンとしてはジエ
チルアンモニウムカチオン、ジイソプロピルアンモニウ
ムカチオン等があげられる。
【0011】また、R3及びR4においてはハロゲン原
子として塩素原子、低級アルキル基としてメチル基、低
級アルコキシ基としてメトキシ基、さらに、低級アルキ
ル基で置換されていてもよいアミノ基としてはジメチル
アミノ基等があげられる。R5としては低級アルキル基
としてメチル基、エチル基、低級アルコキシ基としては
メトキシ基、エトキシ基等があげられる。R6としては
低級アルキル基としてメチル基、エチル基等があげられ
る。R7としてはハロゲン原子として塩素原子、低級ア
ルキル基としてメチル基、エチル基、アルコキシカルボ
ニル基としてメトキシカルボニル基、トリフルオロエト
キシカルボニル基、フェノキシカルボニル基等があげら
れる。R8としては低級アルキル基としてメチル基、エ
チル基、プロピル基、ブチル基、低級アルケニル基とし
てはアリル基、低級アルコキシ基としてエトキシ基、ア
ルコキシアルキル基としてメトキシメチル基、アルキル
チオアルキル基としてメチルチオメチル基、ハロアルキ
ル基としてクロロプロピル基、シクロアルキル基として
シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロアルケニ
ル基として1−シクロヘキセニル基、シアノアルキル基
としてシアノプロピル基、アシルオキシアルキル基とし
てアセトキシメチル基等があげられる。次に、一般式
〔1〕で表される本発明化合物を表1〜7に例示する。
尚、化合物番号は以後の記載において参照される。
子として塩素原子、低級アルキル基としてメチル基、低
級アルコキシ基としてメトキシ基、さらに、低級アルキ
ル基で置換されていてもよいアミノ基としてはジメチル
アミノ基等があげられる。R5としては低級アルキル基
としてメチル基、エチル基、低級アルコキシ基としては
メトキシ基、エトキシ基等があげられる。R6としては
低級アルキル基としてメチル基、エチル基等があげられ
る。R7としてはハロゲン原子として塩素原子、低級ア
ルキル基としてメチル基、エチル基、アルコキシカルボ
ニル基としてメトキシカルボニル基、トリフルオロエト
キシカルボニル基、フェノキシカルボニル基等があげら
れる。R8としては低級アルキル基としてメチル基、エ
チル基、プロピル基、ブチル基、低級アルケニル基とし
てはアリル基、低級アルコキシ基としてエトキシ基、ア
ルコキシアルキル基としてメトキシメチル基、アルキル
チオアルキル基としてメチルチオメチル基、ハロアルキ
ル基としてクロロプロピル基、シクロアルキル基として
シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロアルケニ
ル基として1−シクロヘキセニル基、シアノアルキル基
としてシアノプロピル基、アシルオキシアルキル基とし
てアセトキシメチル基等があげられる。次に、一般式
〔1〕で表される本発明化合物を表1〜7に例示する。
尚、化合物番号は以後の記載において参照される。
【0012】
【表1】
【0013】
【表2】
【0014】
【表3】
【0015】
【表4】
【0016】
【表5】
【0017】
【表6】
【0018】
【表7】
【0019】本発明化合物は下記の方法に従って製造す
ることができるが、これらの方法に限定されるものでは
ない。 製造法<A> 下記の反応式1に示すように、一般式〔1〕で示される
本発明化合物は一般式〔2〕で示される化合物と一般式
〔3〕で示されるピリミジン化合物もしくはトリアジン
化合物とを塩基の存在下、好ましくは室温から溶媒の沸
点の温度範囲内で反応させることによって製造すること
ができる。
ることができるが、これらの方法に限定されるものでは
ない。 製造法<A> 下記の反応式1に示すように、一般式〔1〕で示される
本発明化合物は一般式〔2〕で示される化合物と一般式
〔3〕で示されるピリミジン化合物もしくはトリアジン
化合物とを塩基の存在下、好ましくは室温から溶媒の沸
点の温度範囲内で反応させることによって製造すること
ができる。
【0020】
【化6】
【0021】(式中、R1、R2、R3、R4、X及び
Zは前記と同じ意味を示し、Lはハロゲン原子、アルキ
ルスルホニル基、ベンジルスルホニル基または置換ベン
ジルスルホニル基を示す。)
Zは前記と同じ意味を示し、Lはハロゲン原子、アルキ
ルスルホニル基、ベンジルスルホニル基または置換ベン
ジルスルホニル基を示す。)
【0022】ここで使用される塩基としては、例えば金
属ナトリウム、金属カリウム等のアルカリ金属、水素化
ナトリウム、水素化カリウム、水素化カルシウム等の水
素化アルカリ金属及び水素化アルカリ土類金属、炭酸ナ
トリウム、炭酸カリウム、炭酸カルシウム等の炭酸塩
類、炭酸水素ナトリウム、炭酸水素カリウム等の重炭酸
塩類、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等の水酸化ア
ルカリ金属、酢酸カリウム等の有機酸塩、ナトリウムメ
チラート等のアルコラート等があげられる。さらに、ピ
リジン、トリエチルアミン等の有機塩基を使用すること
もできる。また、使用される溶媒としてはベンゼン、ト
ルエン等の炭化水素系溶媒、塩化メチレン、クロロホル
ム等のハロゲン化炭化水素系溶媒、エタノール、メタノ
ール等のアルコール系溶媒、エチルエーテル、テトラハ
イドロフラン、1,2−ジメトキシエタン等のエーテル
系溶媒、N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメ
チルアセトアミド、ジメチルスルホキシド等の非プロト
ン系極性溶媒、酢酸エチル、酢酸メチル等のエステル系
溶媒、さらにアセトン、メチルエチルケトン等のケトン
系溶媒があげられる。無溶媒下で反応を行う場合の条件
は特定されてはいないが、好ましくは塩基として無水炭
酸カリウムのようなアルカリ金属の炭酸塩を使用して1
20〜160℃の温度範囲内で反応させることもでき
る。
属ナトリウム、金属カリウム等のアルカリ金属、水素化
ナトリウム、水素化カリウム、水素化カルシウム等の水
素化アルカリ金属及び水素化アルカリ土類金属、炭酸ナ
トリウム、炭酸カリウム、炭酸カルシウム等の炭酸塩
類、炭酸水素ナトリウム、炭酸水素カリウム等の重炭酸
塩類、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等の水酸化ア
ルカリ金属、酢酸カリウム等の有機酸塩、ナトリウムメ
チラート等のアルコラート等があげられる。さらに、ピ
リジン、トリエチルアミン等の有機塩基を使用すること
もできる。また、使用される溶媒としてはベンゼン、ト
ルエン等の炭化水素系溶媒、塩化メチレン、クロロホル
ム等のハロゲン化炭化水素系溶媒、エタノール、メタノ
ール等のアルコール系溶媒、エチルエーテル、テトラハ
イドロフラン、1,2−ジメトキシエタン等のエーテル
系溶媒、N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメ
チルアセトアミド、ジメチルスルホキシド等の非プロト
ン系極性溶媒、酢酸エチル、酢酸メチル等のエステル系
溶媒、さらにアセトン、メチルエチルケトン等のケトン
系溶媒があげられる。無溶媒下で反応を行う場合の条件
は特定されてはいないが、好ましくは塩基として無水炭
酸カリウムのようなアルカリ金属の炭酸塩を使用して1
20〜160℃の温度範囲内で反応させることもでき
る。
【0023】製造法<A−1>
一般式〔2〕で示される化合物のうち、R1がトリフル
オロメタンスルホニルオキシ基で、Xが酸素原子である
一般式〔5〕で示される化合物は、一般式〔4〕で示さ
れる化合物とトリフルオロメタンスルホン酸無水物とを
塩基の存在下、好ましくは−20℃〜5℃の温度範囲内
で反応させることによって製造することができる。
オロメタンスルホニルオキシ基で、Xが酸素原子である
一般式〔5〕で示される化合物は、一般式〔4〕で示さ
れる化合物とトリフルオロメタンスルホン酸無水物とを
塩基の存在下、好ましくは−20℃〜5℃の温度範囲内
で反応させることによって製造することができる。
【0024】
【化7】
【0025】(式中R2は前記と同じ意味を表す。)
【0026】ここで使用される塩基及び溶媒はA法と同
様のものを使用することができるが、好ましい塩基とし
てはピリジン、ジメチルアミノピリジン、トリエチルア
ミン等の有機アミン類、炭酸水素ナトリウム、炭酸水素
カリウム等の重炭酸塩類、炭酸ナトリウム、炭酸カリウ
ム等の炭酸塩類があげられる。また、好ましい溶媒とし
ては塩化メチレン、クロロホルム等のハロゲン化炭化水
素系溶媒、エチルエーテル、テトラハイドロフラン等の
エーテル系溶媒、N,N−ジメチルホルムアド、N,N
−ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド等の非
プロトン系極性溶媒等があげられる。
様のものを使用することができるが、好ましい塩基とし
てはピリジン、ジメチルアミノピリジン、トリエチルア
ミン等の有機アミン類、炭酸水素ナトリウム、炭酸水素
カリウム等の重炭酸塩類、炭酸ナトリウム、炭酸カリウ
ム等の炭酸塩類があげられる。また、好ましい溶媒とし
ては塩化メチレン、クロロホルム等のハロゲン化炭化水
素系溶媒、エチルエーテル、テトラハイドロフラン等の
エーテル系溶媒、N,N−ジメチルホルムアド、N,N
−ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド等の非
プロトン系極性溶媒等があげられる。
【0027】製造法<A−2>
一般式〔2〕で示される化合物のうち、R1がトリフル
オロメタンスルホニルオキシ基以外で、Xが酸素原子で
ある一般式〔8〕で示される化合物は一般式〔6〕で示
される化合物と一般式〔7〕で示される化合物を触媒と
塩基の存在下、好ましくは室温から溶媒の沸点の温度範
囲で反応させることによって製造することができる。
オロメタンスルホニルオキシ基以外で、Xが酸素原子で
ある一般式〔8〕で示される化合物は一般式〔6〕で示
される化合物と一般式〔7〕で示される化合物を触媒と
塩基の存在下、好ましくは室温から溶媒の沸点の温度範
囲で反応させることによって製造することができる。
【0028】
【化8】
【0029】(式中R1は式−C(R5)=CR6CR
7または化5で表される基を示し、またR2、R5、R
6、R7及びR8は前記と同じ意味を表す。R9はハロ
ゲン原子またはトリフルオロメタンスルホニルオキシ基
を示し、Yは水素原子またはトリアルキルスズ基を示
す。)
7または化5で表される基を示し、またR2、R5、R
6、R7及びR8は前記と同じ意味を表す。R9はハロ
ゲン原子またはトリフルオロメタンスルホニルオキシ基
を示し、Yは水素原子またはトリアルキルスズ基を示
す。)
【0030】ここで使用される触媒としては、好ましく
はテトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム
(0)、ビス(トリフェニルホスフィン)パラジウムジ
クロライド等があげられるが、その他として(酢酸パラ
ジウム、トリフェニルホスフィン)、{酢酸パラジウ
ム、トリス(0−トリル)ホスフィン}等のパラジウム
触媒が使用される。使用される塩基としては炭酸ナトリ
ウム、炭酸カリウム等の炭酸塩、炭酸水素ナトリウム等
の重炭酸塩またはトリエチルアミン、ピリジン等の有機
アミンがあげられる。また、使用される溶媒としてはベ
ンゼン、トルエン等の炭化水素系溶媒、エタノール、メ
タノール等のアルコール系溶媒、エチルエーテル,テト
ラハイドロフラン、1,2−ジメトキシエタン等のエー
テル系溶媒、N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−
ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド等の非プ
ロトン系極性溶媒、さらに、酢酸エチル等のエステル系
溶媒、アセトン、メチルエチルケトン等のケトン系溶
媒、その他アセトニトリル等があげられる。
はテトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム
(0)、ビス(トリフェニルホスフィン)パラジウムジ
クロライド等があげられるが、その他として(酢酸パラ
ジウム、トリフェニルホスフィン)、{酢酸パラジウ
ム、トリス(0−トリル)ホスフィン}等のパラジウム
触媒が使用される。使用される塩基としては炭酸ナトリ
ウム、炭酸カリウム等の炭酸塩、炭酸水素ナトリウム等
の重炭酸塩またはトリエチルアミン、ピリジン等の有機
アミンがあげられる。また、使用される溶媒としてはベ
ンゼン、トルエン等の炭化水素系溶媒、エタノール、メ
タノール等のアルコール系溶媒、エチルエーテル,テト
ラハイドロフラン、1,2−ジメトキシエタン等のエー
テル系溶媒、N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−
ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド等の非プ
ロトン系極性溶媒、さらに、酢酸エチル等のエステル系
溶媒、アセトン、メチルエチルケトン等のケトン系溶
媒、その他アセトニトリル等があげられる。
【0031】製造法<A−3>
一般式〔2〕で示される化合物のうち、R1がCH=C
R6R7でXが酸素原子である一般式〔11〕で示され
る化合物は一般式
R6R7でXが酸素原子である一般式〔11〕で示され
る化合物は一般式
〔9〕で示される化合物に塩基の存在
下カルボニル化合物を、好ましくは−78℃〜50℃の
温度範囲内で反応させて得られる一般式〔10〕で示さ
れる化合物に、好ましくは−78℃から室温の温度範囲
内で脱メチル化剤を反応させることによっても製造する
ことができる。
下カルボニル化合物を、好ましくは−78℃〜50℃の
温度範囲内で反応させて得られる一般式〔10〕で示さ
れる化合物に、好ましくは−78℃から室温の温度範囲
内で脱メチル化剤を反応させることによっても製造する
ことができる。
【0032】
【化9】
【0033】上記ウィッティヒ(Wittig)反応で
使用される塩基としては、好ましくはアルキルリチウ
ム、リチウム−ビス(トリアルキルシリル)アミド等の
リチウム試薬、水素化ナトリウム等の水素化アルカリ金
属、炭酸カリウム等の炭酸塩類、カリウム−tert−
ブトキサイド等のアルカリ金属アルコキサイド類等があ
げられるが、その他ナトリウムアミド等も使用すること
ができる。また、脱メチル化に使用される試薬として
は、好ましくは三臭化ホウ素、三フッ化ホウ素、三塩化
ホウ素、塩化アルミニウム等のルイス酸があげられる
が、ヨウ化水素酸、臭化水素酸等のハロゲン化水素酸
類、トリフルオロ酢酸、ピリジンの塩酸塩、ヨウ化マグ
ネシウムエーテル錯体、リチウムビフェニル、ヨウ化リ
チウム、ナトリウムチオラート、リチウムジフェニルホ
スフィド等を使用することもできる。使用される溶媒と
しては塩化メチレン、クロロホルム等のハロゲン系溶
媒、ヘキサン、ベンゼン、トルエン等の炭化水素系溶
媒、エチルエーテル、テトラハイドロフラン等のエーテ
ル系溶媒、N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジ
メチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド等の非プロ
トン系極性溶媒、酢酸エチル等のエステル系溶媒、さら
にコリジン、ルチジン、ピリジン等の芳香族アミン類、
その他アセトニトリル、無水酢酸、水等があげられる。
使用される塩基としては、好ましくはアルキルリチウ
ム、リチウム−ビス(トリアルキルシリル)アミド等の
リチウム試薬、水素化ナトリウム等の水素化アルカリ金
属、炭酸カリウム等の炭酸塩類、カリウム−tert−
ブトキサイド等のアルカリ金属アルコキサイド類等があ
げられるが、その他ナトリウムアミド等も使用すること
ができる。また、脱メチル化に使用される試薬として
は、好ましくは三臭化ホウ素、三フッ化ホウ素、三塩化
ホウ素、塩化アルミニウム等のルイス酸があげられる
が、ヨウ化水素酸、臭化水素酸等のハロゲン化水素酸
類、トリフルオロ酢酸、ピリジンの塩酸塩、ヨウ化マグ
ネシウムエーテル錯体、リチウムビフェニル、ヨウ化リ
チウム、ナトリウムチオラート、リチウムジフェニルホ
スフィド等を使用することもできる。使用される溶媒と
しては塩化メチレン、クロロホルム等のハロゲン系溶
媒、ヘキサン、ベンゼン、トルエン等の炭化水素系溶
媒、エチルエーテル、テトラハイドロフラン等のエーテ
ル系溶媒、N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジ
メチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド等の非プロ
トン系極性溶媒、酢酸エチル等のエステル系溶媒、さら
にコリジン、ルチジン、ピリジン等の芳香族アミン類、
その他アセトニトリル、無水酢酸、水等があげられる。
【0034】製造法<A−4>
一般式〔2〕で示される化合物のうち、Xがイオウ原子
である一般式〔13〕で示される化合物は、一般式〔1
2〕で示されるアントラニル酸誘導体に、好ましくは1
0℃以下で亜硝酸ナトリウムを反応させて得られるジア
ゾニウム塩に二硫化ナトリウムを反応させることによっ
て製造することができる。
である一般式〔13〕で示される化合物は、一般式〔1
2〕で示されるアントラニル酸誘導体に、好ましくは1
0℃以下で亜硝酸ナトリウムを反応させて得られるジア
ゾニウム塩に二硫化ナトリウムを反応させることによっ
て製造することができる。
【0035】
【化10】
【0036】(式中、R1、R2は前記と同じ意味を表
す。)
す。)
【0037】製造法<B>
一般式〔1〕で示される本発明化合物は式〔14〕で表
される化合物を用いて下記の反応を行うことにより製造
することができる。尚、触媒、塩基及び溶媒は製造法<
A−2>と同じものを用いることができる。
される化合物を用いて下記の反応を行うことにより製造
することができる。尚、触媒、塩基及び溶媒は製造法<
A−2>と同じものを用いることができる。
【0038】
【化11】
【0039】(式中、R1は式−C(R5)=CR6、
R7または化2で表される基を示し、R3及びR4は同
一または相異なり低級アルキル基、低級アルコキシ基、
ジフルオロメトキシ基、トリフルオロメチル基または低
級アルキル基で置換されていてもよいアミノ基を示し、
R2、R5、R6、R7、R8、R9、X、Y及びZは
前記と同じ意味を示す。)
R7または化2で表される基を示し、R3及びR4は同
一または相異なり低級アルキル基、低級アルコキシ基、
ジフルオロメトキシ基、トリフルオロメチル基または低
級アルキル基で置換されていてもよいアミノ基を示し、
R2、R5、R6、R7、R8、R9、X、Y及びZは
前記と同じ意味を示す。)
【0040】製造法<C>
さらに、一般式〔1〕で示される本発明化合物のうちR
2が水素である一般式〔16〕で示される化合物は、エ
ステル残基を加水分解することによって得ることができ
る。その方法は特定されてはいないが、本発明では一般
式〔1〕でR2が2−トリメチルシリルエチル基である
一般式〔15〕で示される化合物に、好ましくは室温か
ら溶媒の沸点の温度範囲内でフッ素試薬を反応させて製
造した。
2が水素である一般式〔16〕で示される化合物は、エ
ステル残基を加水分解することによって得ることができ
る。その方法は特定されてはいないが、本発明では一般
式〔1〕でR2が2−トリメチルシリルエチル基である
一般式〔15〕で示される化合物に、好ましくは室温か
ら溶媒の沸点の温度範囲内でフッ素試薬を反応させて製
造した。
【0041】
【化12】
【0042】(式中、X、Y、R1、R3及びR4は前
記と同じ意味を表す。)
記と同じ意味を表す。)
【0043】ここで使用するフッ素試薬としては、好ま
しくはトリブチルアンモニウムフルオライド等の四級ア
ンモニウムフルオライド化合物等があげられるが、その
他フッ化カリウム、フッ化セシウム等のアルカリ金属フ
ルオライド等があげられる。また、使用される溶媒とし
てはベンゼン、トルエン等の炭化水素系溶媒、塩化メチ
レン、クロロホルム等のハロゲン化炭化水素系溶媒、エ
タノール、メタノール等のアルコール系溶媒、エチルエ
ーテル、テトラハイドロフラン、1,2−ジメトキシエ
タン等のエーテル系溶媒、N,N−ジメチルホルムアミ
ド、N,N−ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキ
シド等の非プロトン系極性溶媒、酢酸エチル、酢酸メチ
ル等のエステル系溶媒、さらにアセトン、メチルエチル
ケトン等のケトン系溶媒等があげられる。
しくはトリブチルアンモニウムフルオライド等の四級ア
ンモニウムフルオライド化合物等があげられるが、その
他フッ化カリウム、フッ化セシウム等のアルカリ金属フ
ルオライド等があげられる。また、使用される溶媒とし
てはベンゼン、トルエン等の炭化水素系溶媒、塩化メチ
レン、クロロホルム等のハロゲン化炭化水素系溶媒、エ
タノール、メタノール等のアルコール系溶媒、エチルエ
ーテル、テトラハイドロフラン、1,2−ジメトキシエ
タン等のエーテル系溶媒、N,N−ジメチルホルムアミ
ド、N,N−ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキ
シド等の非プロトン系極性溶媒、酢酸エチル、酢酸メチ
ル等のエステル系溶媒、さらにアセトン、メチルエチル
ケトン等のケトン系溶媒等があげられる。
【0044】製造法<D>
また、一般式〔1〕でR2がアルカリ金属、アルカリ土
類金属、または有機アミン等のカチオンを示す一般式
〔17〕で示される化合物は、例えば製造法<C>によ
って製造される一般式〔1〕でR2が水素原子である一
般式〔16〕で示される化合物と塩基とを好ましくは室
温から溶媒の沸点の温度範囲内で反応させることにより
製造することができる。
類金属、または有機アミン等のカチオンを示す一般式
〔17〕で示される化合物は、例えば製造法<C>によ
って製造される一般式〔1〕でR2が水素原子である一
般式〔16〕で示される化合物と塩基とを好ましくは室
温から溶媒の沸点の温度範囲内で反応させることにより
製造することができる。
【0045】
【化13】
【0046】(式中、R1、R3、R4、X、Yは前記
と同じ意味を表す。Mはナトリウム、カリウム等のアル
カリ金属、カルシウム等のアルカリ土類金属、有機アミ
ンのカチオンを示す。)
と同じ意味を表す。Mはナトリウム、カリウム等のアル
カリ金属、カルシウム等のアルカリ土類金属、有機アミ
ンのカチオンを示す。)
【0047】ここで使用される塩基としては、例えば金
属ナトリウム、金属カリウム等のアルカリ金属、水素化
ナトリウム、水素化カリウム、水素化カルシウム等の水
素化アルカリ金属及び水素化アルカリ土類金属、炭酸ナ
トリウム、炭酸カリウム、炭酸カルシウム等の炭酸塩
類、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等の水酸化アル
カリ金属が使用できる。さらに、有機塩基としては、ア
ンモニア、メチルアミン等のモノアルキルアミン類、ジ
メチルアミン等のジアルキルアミン類、トリエチルアミ
ン等のトリアルキルアミン類、更にピリジン等の芳香族
アミン類があげられる。
属ナトリウム、金属カリウム等のアルカリ金属、水素化
ナトリウム、水素化カリウム、水素化カルシウム等の水
素化アルカリ金属及び水素化アルカリ土類金属、炭酸ナ
トリウム、炭酸カリウム、炭酸カルシウム等の炭酸塩
類、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等の水酸化アル
カリ金属が使用できる。さらに、有機塩基としては、ア
ンモニア、メチルアミン等のモノアルキルアミン類、ジ
メチルアミン等のジアルキルアミン類、トリエチルアミ
ン等のトリアルキルアミン類、更にピリジン等の芳香族
アミン類があげられる。
【0048】また、使用される溶媒としては、水、ベン
ゼン、トルエン等の炭化水素系溶媒、塩化メチレン、ク
ロロホルム等のハロゲン化炭化水素系溶媒、エタノー
ル、メタノール等のアルコール系溶媒、エチルエーテ
ル、テトラハイドロフラン、1,2−ジメトキシエタ
ン、1,4−ジオキサンのようなエーテル系溶媒、さら
に、酢酸エチル等のエステル系溶媒、アセトン、メチル
エチルケトン等のケトン系溶媒、その他アセトニトリル
等があげられる。
ゼン、トルエン等の炭化水素系溶媒、塩化メチレン、ク
ロロホルム等のハロゲン化炭化水素系溶媒、エタノー
ル、メタノール等のアルコール系溶媒、エチルエーテ
ル、テトラハイドロフラン、1,2−ジメトキシエタ
ン、1,4−ジオキサンのようなエーテル系溶媒、さら
に、酢酸エチル等のエステル系溶媒、アセトン、メチル
エチルケトン等のケトン系溶媒、その他アセトニトリル
等があげられる。
【0049】製造法<E>
また、一般式〔1〕でR2が低級アルキル基、低級アル
ケニル基、低級アルキニル基、アルコキシアルキル基、
ベンジル基、アルキルチオアルキル基、アルコキシカル
ボニルアルキル基、シアノアルキル基、ニトロアルキル
基を表す一般式〔19〕で示される化合物は、例えば製
造法<C>によって製造される一般式〔1〕でR2が水
素原子である一般式〔16〕で示される化合物と一般式
〔18〕で示される化合物を適当な塩基の存在下、好ま
しくは室温から溶媒の沸点の温度範囲内で反応させるこ
とによっても製造することができる。
ケニル基、低級アルキニル基、アルコキシアルキル基、
ベンジル基、アルキルチオアルキル基、アルコキシカル
ボニルアルキル基、シアノアルキル基、ニトロアルキル
基を表す一般式〔19〕で示される化合物は、例えば製
造法<C>によって製造される一般式〔1〕でR2が水
素原子である一般式〔16〕で示される化合物と一般式
〔18〕で示される化合物を適当な塩基の存在下、好ま
しくは室温から溶媒の沸点の温度範囲内で反応させるこ
とによっても製造することができる。
【0050】
【化14】
【0051】(式中、R1、R3、R4、X、Y、Lは
前記と同じ意味を示し、R10は低級アルキル基、低級
アルケニル基、低級アルキニル基、アルコキシアルキル
基、ベンジル基、アルキルチオアルキル基、シアノアル
キル基、ニトロアルキル基、アルコキシカルボニルアル
キル基を表す)
前記と同じ意味を示し、R10は低級アルキル基、低級
アルケニル基、低級アルキニル基、アルコキシアルキル
基、ベンジル基、アルキルチオアルキル基、シアノアル
キル基、ニトロアルキル基、アルコキシカルボニルアル
キル基を表す)
【0052】ここで使用される塩基としては、例えば金
属ナトリウム、金属カリウム等のアルカリ金属、水素化
ナトリウム、水素化カリウム等の水素化アルカリ金属、
炭酸ナトリウム、炭酸カリウム等の炭酸塩類、炭酸水素
ナトリウム、炭酸水素カリウム等の重炭酸塩類、または
トリエチルアミン、N,N−ジイソプロピルエチルアミ
ン、ピリジン等の有機アミン類が使用できる。また、使
用される溶媒としてはベンゼン、トルエン等の炭化水素
系溶媒、エチルエーテル、テトラヒドロフラン、1,2
−ジメトキシエタン、1,4−ジオキサンのようなエー
テル系溶媒、さらに、酢酸エチル等のエステル系溶媒、
アセトン、メチルエチルケトン等のケトン系溶媒、塩化
メチレン、クロロホルム等のハロゲン系溶媒、N,N−
ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミ
ド、ジメチルスルホキシド等の非プロトン系極性溶媒、
その他アセトニトリル等があげられる。
属ナトリウム、金属カリウム等のアルカリ金属、水素化
ナトリウム、水素化カリウム等の水素化アルカリ金属、
炭酸ナトリウム、炭酸カリウム等の炭酸塩類、炭酸水素
ナトリウム、炭酸水素カリウム等の重炭酸塩類、または
トリエチルアミン、N,N−ジイソプロピルエチルアミ
ン、ピリジン等の有機アミン類が使用できる。また、使
用される溶媒としてはベンゼン、トルエン等の炭化水素
系溶媒、エチルエーテル、テトラヒドロフラン、1,2
−ジメトキシエタン、1,4−ジオキサンのようなエー
テル系溶媒、さらに、酢酸エチル等のエステル系溶媒、
アセトン、メチルエチルケトン等のケトン系溶媒、塩化
メチレン、クロロホルム等のハロゲン系溶媒、N,N−
ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミ
ド、ジメチルスルホキシド等の非プロトン系極性溶媒、
その他アセトニトリル等があげられる。
【0053】
【実施例】次に実施例をあげて本発明化合物の製造法を
具体的に説明する。 実施例1 2−[(4,6−ジメトキシピリミジン−2−イル)オ
キシ]−6−(1−プロペニル)安息香酸2−トリメチ
ルシリルエチル(化合物1)の合成 50ml容量のナスフラスコに6−(1−プロペニル)
サリチル酸2−トリメチルシリルエチル(3.1g、1
1.0mM)と4,6−ジメトキシ−2−メタンスルホ
ニルピリミジン(2.4g、11.0mM)、炭酸カリ
ウム(1.8g,13.0mM)及びN,N−ジメチル
ホルムアミド(以下DMFと略す)10mlをいれ、8
0℃において1時間反応させた。冷却した後、減圧下で
DMFを留去し、残査を酢酸エチルに溶解し、水、飽和
食塩水で洗浄、無水硫酸ナトリウムで乾燥、濃縮して得
られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて
精製して目的物(無色透明粘稠液体、2.0g、収率4
7.6%)を得た。
具体的に説明する。 実施例1 2−[(4,6−ジメトキシピリミジン−2−イル)オ
キシ]−6−(1−プロペニル)安息香酸2−トリメチ
ルシリルエチル(化合物1)の合成 50ml容量のナスフラスコに6−(1−プロペニル)
サリチル酸2−トリメチルシリルエチル(3.1g、1
1.0mM)と4,6−ジメトキシ−2−メタンスルホ
ニルピリミジン(2.4g、11.0mM)、炭酸カリ
ウム(1.8g,13.0mM)及びN,N−ジメチル
ホルムアミド(以下DMFと略す)10mlをいれ、8
0℃において1時間反応させた。冷却した後、減圧下で
DMFを留去し、残査を酢酸エチルに溶解し、水、飽和
食塩水で洗浄、無水硫酸ナトリウムで乾燥、濃縮して得
られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて
精製して目的物(無色透明粘稠液体、2.0g、収率4
7.6%)を得た。
【0054】実施例2
2−[(4,6−ジメトキシピリミジン−2−イル)オ
キシ]−6−(1−プロペニル)安息香酸(化合物2)
の合成 50ml容量のナスフラスコに2−[(4,6−ジメト
キシピリミジン−2−イル)オキシ]−6−(1−プロ
ペニル)安息香酸(2−トリメチルシリル)エチル
(2.0g,5.0mM)をテトラヒドロフラン(20
ml、以下THFと略す)に溶解して、テトラブチルア
ンモニウムフルオライド水和物(3.5g、13.3m
M)を少量ずつ加えた。室温にて2時間攪拌した後、減
圧下でTHFを留去した。残渣に水を加え、10%塩酸
でpHを3に調製して酢酸エチルで抽出した。水、飽和
食塩水で洗浄、無水硫酸ナトリウムで乾燥、濃縮して得
られた残渣をヘキサンで洗浄し、完全に溶媒を留去する
ことにより目的物(赤褐色ガラス状物質、1.0g、収
率66.7%)を得た。
キシ]−6−(1−プロペニル)安息香酸(化合物2)
の合成 50ml容量のナスフラスコに2−[(4,6−ジメト
キシピリミジン−2−イル)オキシ]−6−(1−プロ
ペニル)安息香酸(2−トリメチルシリル)エチル
(2.0g,5.0mM)をテトラヒドロフラン(20
ml、以下THFと略す)に溶解して、テトラブチルア
ンモニウムフルオライド水和物(3.5g、13.3m
M)を少量ずつ加えた。室温にて2時間攪拌した後、減
圧下でTHFを留去した。残渣に水を加え、10%塩酸
でpHを3に調製して酢酸エチルで抽出した。水、飽和
食塩水で洗浄、無水硫酸ナトリウムで乾燥、濃縮して得
られた残渣をヘキサンで洗浄し、完全に溶媒を留去する
ことにより目的物(赤褐色ガラス状物質、1.0g、収
率66.7%)を得た。
【0055】実施例3
2−[(4,6−ジメトキシピリミジン−2−イル)オ
キシ]−6−ビニル安息香酸2−トリメチルシリルエチ
ル(化合物41)の合成 温度計、冷却管及び窒素導入管を付した100ml容量
のフラスコに2−[(4,6−ジメトキシピリミジン−
2−イル)オキシ]−6−トリフルオロメタンスルホニ
ルオキシ安息香酸2−トリメチルシリルエチル(3.1
5g、6.0mM)とテトラキス(トリフェニルホスフ
ィン)パラジウム(0)(400mg、0.34m
M)、トルエン(30ml)をいれ、窒素気流下室温に
おいて1時間攪拌した。2,6−ジ−tert−ブチル
−4−メチルフェノール(触媒量)を加えた後にビニル
トリブチルスズ(3.17g,10.0mM)を加え、
80〜90℃で3時間反応させた。冷却した後、トルエ
ンを加え、有機層を水、飽和食塩水で洗浄、無水硫酸ナ
トリウムで乾燥、濃縮して得られた残渣をシリカゲルカ
ラムクロマトグラフィーにて精製して目的物(橙色透明
粘稠液体、0.50g、収率20.8%)を得た。
キシ]−6−ビニル安息香酸2−トリメチルシリルエチ
ル(化合物41)の合成 温度計、冷却管及び窒素導入管を付した100ml容量
のフラスコに2−[(4,6−ジメトキシピリミジン−
2−イル)オキシ]−6−トリフルオロメタンスルホニ
ルオキシ安息香酸2−トリメチルシリルエチル(3.1
5g、6.0mM)とテトラキス(トリフェニルホスフ
ィン)パラジウム(0)(400mg、0.34m
M)、トルエン(30ml)をいれ、窒素気流下室温に
おいて1時間攪拌した。2,6−ジ−tert−ブチル
−4−メチルフェノール(触媒量)を加えた後にビニル
トリブチルスズ(3.17g,10.0mM)を加え、
80〜90℃で3時間反応させた。冷却した後、トルエ
ンを加え、有機層を水、飽和食塩水で洗浄、無水硫酸ナ
トリウムで乾燥、濃縮して得られた残渣をシリカゲルカ
ラムクロマトグラフィーにて精製して目的物(橙色透明
粘稠液体、0.50g、収率20.8%)を得た。
【0056】実施例4
2−[(4,6−ジメトキシピリミジン−2−イル)オ
キシ]−6−(1−ペンチニル)安息香酸2−トリメチ
ルシリルエチル(化合物52)の合成 温度計、冷却管及び窒素導入管を付した100ml容量
のフラスコに2−[(4,6−ジメトキシピリミジン−
2−イル)オキシ]−6−トリフルオロメタンスルホニ
ルオキシ安息香酸2−トリメチルシリルエチル(4.7
2g、9.0mM)とビス(トリフェニルホスフィン)
パラジウムジクロライド(300mg、0.4mM)、
DMF(30ml)、トリエチルアミン(5ml)をい
れ、窒素気流下室温において1時間攪拌した。1−ペン
チン(2.0g、29.40mM)を加え、80〜90
℃で3時間反応させた。冷却した後、氷水中にそそぎ入
れ、酢酸エチルで抽出、有機層を水、飽和食塩水で洗
浄、無水硫酸ナトリウムで乾燥、濃縮して得られた残渣
をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製して目
的物(赤褐色透明粘稠液体、2.50g、収率62.8
%)を得た。
キシ]−6−(1−ペンチニル)安息香酸2−トリメチ
ルシリルエチル(化合物52)の合成 温度計、冷却管及び窒素導入管を付した100ml容量
のフラスコに2−[(4,6−ジメトキシピリミジン−
2−イル)オキシ]−6−トリフルオロメタンスルホニ
ルオキシ安息香酸2−トリメチルシリルエチル(4.7
2g、9.0mM)とビス(トリフェニルホスフィン)
パラジウムジクロライド(300mg、0.4mM)、
DMF(30ml)、トリエチルアミン(5ml)をい
れ、窒素気流下室温において1時間攪拌した。1−ペン
チン(2.0g、29.40mM)を加え、80〜90
℃で3時間反応させた。冷却した後、氷水中にそそぎ入
れ、酢酸エチルで抽出、有機層を水、飽和食塩水で洗
浄、無水硫酸ナトリウムで乾燥、濃縮して得られた残渣
をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製して目
的物(赤褐色透明粘稠液体、2.50g、収率62.8
%)を得た。
【0057】実施例5
2−[(4,6−ジメトキシピリミジン−2−イル)オ
キシ]−6−(1−ペンチニル)安息香酸ジイソプロピ
ルアンモニウム(化合物53)の合成 100ml容量のナスフラスコ中にTHF(50ml)
に溶解した2−[(4,6−ジメトキシピリミジン−2
−イル)オキシ]−6−(1−ペンチニル)安息香酸2
−トリメチルシリルエチル(2.10g、4.7mM)
を入れ、テトラブチルアンモニウムフルオライド水和物
(1M−THF溶液、14.2ml,14.2mM)を
加えて室温で3時間攪拌した。減圧下でTHFを留去
し、水を加え、10%塩酸でpHを3に調整した後、酢
酸エチルで抽出した。有機層を水、飽和食塩水で洗浄、
無水硫酸ナトリウムで乾燥、濃縮して得られた残渣をジ
イソプロピルアミン(1.01g、10.0mM)を溶
解したメタノール(50ml)に加え、50℃において
2時間攪拌した。冷却後溶媒を留去し、イソプロピルエ
ーテルより再結晶して目的物(淡黄色粒状結晶、1.7
4g、収率83.7%)を得た。
キシ]−6−(1−ペンチニル)安息香酸ジイソプロピ
ルアンモニウム(化合物53)の合成 100ml容量のナスフラスコ中にTHF(50ml)
に溶解した2−[(4,6−ジメトキシピリミジン−2
−イル)オキシ]−6−(1−ペンチニル)安息香酸2
−トリメチルシリルエチル(2.10g、4.7mM)
を入れ、テトラブチルアンモニウムフルオライド水和物
(1M−THF溶液、14.2ml,14.2mM)を
加えて室温で3時間攪拌した。減圧下でTHFを留去
し、水を加え、10%塩酸でpHを3に調整した後、酢
酸エチルで抽出した。有機層を水、飽和食塩水で洗浄、
無水硫酸ナトリウムで乾燥、濃縮して得られた残渣をジ
イソプロピルアミン(1.01g、10.0mM)を溶
解したメタノール(50ml)に加え、50℃において
2時間攪拌した。冷却後溶媒を留去し、イソプロピルエ
ーテルより再結晶して目的物(淡黄色粒状結晶、1.7
4g、収率83.7%)を得た。
【0058】実施例6
2−[(4,6−ジメトキシピリミジン−2−イル)オ
キシ]−6−(1−ペンチニル)安息香酸メチル(化合
物54)の合成 50ml容量のナスフラスコに2−[(4,6−ジメト
キシピリミジン−2−イル)オキシ]−6−(1−ペン
チニル)安息香酸ジイソプロピルアンモニウム(1.0
0g、2.3mM)をテトラヒドロフラン(20ml)
−DMF(10ml)に溶解して、ヨウ化メチル(1.
4g、10.0mM)を少量ずつ加えた。50℃におい
て2時間攪拌した後、減圧下でTHF−DMFを留去し
た。残渣に水を加え酢酸エチルで抽出した。有機層を
水、飽和食塩水で洗浄、無水硫酸ナトリウムで乾燥、濃
縮して得られた残渣にフロリジールを適当量加え、イソ
プロピルエーテルで溶出させた。減圧下で溶媒を留去す
ることにより目的物(黄色粘稠液体、0.61g、収率
76.3%)を得た。
キシ]−6−(1−ペンチニル)安息香酸メチル(化合
物54)の合成 50ml容量のナスフラスコに2−[(4,6−ジメト
キシピリミジン−2−イル)オキシ]−6−(1−ペン
チニル)安息香酸ジイソプロピルアンモニウム(1.0
0g、2.3mM)をテトラヒドロフラン(20ml)
−DMF(10ml)に溶解して、ヨウ化メチル(1.
4g、10.0mM)を少量ずつ加えた。50℃におい
て2時間攪拌した後、減圧下でTHF−DMFを留去し
た。残渣に水を加え酢酸エチルで抽出した。有機層を
水、飽和食塩水で洗浄、無水硫酸ナトリウムで乾燥、濃
縮して得られた残渣にフロリジールを適当量加え、イソ
プロピルエーテルで溶出させた。減圧下で溶媒を留去す
ることにより目的物(黄色粘稠液体、0.61g、収率
76.3%)を得た。
【0059】本発明の除草剤は、一般式〔1〕で示され
るピリミジンまたはトリアジン誘導体を有効成分として
なる。本発明化合物を除草剤として使用するには本発明
化合物それ自体で用いてもよいが、製剤化に一般的に用
いられる担体、界面活性剤、分散剤または補助剤等を配
合して、粉剤、水和剤、乳剤、微粒剤または粒剤等に製
剤して使用することもできる。
るピリミジンまたはトリアジン誘導体を有効成分として
なる。本発明化合物を除草剤として使用するには本発明
化合物それ自体で用いてもよいが、製剤化に一般的に用
いられる担体、界面活性剤、分散剤または補助剤等を配
合して、粉剤、水和剤、乳剤、微粒剤または粒剤等に製
剤して使用することもできる。
【0060】製剤化に際して用いられる担体としては、
例えばジークライト、タルク、ベントナイト、クレー、
カオリン、珪藻土、ホワイトカーボン、バーミキュライ
ト、炭酸カルシウム、消石灰、珪砂、硫安、尿素等の固
体担体、イソプロピルアルコール、キシレン、シクロヘ
キサノン、メチルナフタレン等の液体担体等があげられ
る。
例えばジークライト、タルク、ベントナイト、クレー、
カオリン、珪藻土、ホワイトカーボン、バーミキュライ
ト、炭酸カルシウム、消石灰、珪砂、硫安、尿素等の固
体担体、イソプロピルアルコール、キシレン、シクロヘ
キサノン、メチルナフタレン等の液体担体等があげられ
る。
【0061】界面活性剤及び分散剤としては、例えばア
ルキルベンゼンスルホン酸金属塩、ジナフチルメタンジ
スルホン酸金属塩、アルコール硫酸エステル塩、アルキ
ルアリールスルホン酸塩、リグニンスルホン酸塩、ポリ
オキシエチレングリコールエーテル、ポリオキシエチレ
ンアルキルアリールエーテル、ポリオキシエチレンソル
ビタンモノアルキレート等があげられる。補助剤として
は、例えばカルボキシメチルセルロース、ポリエチレン
グリコール、アラビアゴム等があげられる。使用に際し
ては適当な濃度に希釈して散布するかまたは直接施用す
る。
ルキルベンゼンスルホン酸金属塩、ジナフチルメタンジ
スルホン酸金属塩、アルコール硫酸エステル塩、アルキ
ルアリールスルホン酸塩、リグニンスルホン酸塩、ポリ
オキシエチレングリコールエーテル、ポリオキシエチレ
ンアルキルアリールエーテル、ポリオキシエチレンソル
ビタンモノアルキレート等があげられる。補助剤として
は、例えばカルボキシメチルセルロース、ポリエチレン
グリコール、アラビアゴム等があげられる。使用に際し
ては適当な濃度に希釈して散布するかまたは直接施用す
る。
【0062】本発明の除草剤は茎葉散布、土壌施用また
は水面施用等により使用することができる。有効成分の
配合割合については必要に応じて適宜選ばれるが、粉剤
または粒剤とする場合は0.01〜10%(重量)、好
ましくは0.05〜5%(重量)の範囲から適宜選ぶの
がよい。また、乳剤及び水和剤とする場合は1〜50%
(重量)、好ましくは5〜20%(重量)の範囲から適
宜選ぶのがよい。
は水面施用等により使用することができる。有効成分の
配合割合については必要に応じて適宜選ばれるが、粉剤
または粒剤とする場合は0.01〜10%(重量)、好
ましくは0.05〜5%(重量)の範囲から適宜選ぶの
がよい。また、乳剤及び水和剤とする場合は1〜50%
(重量)、好ましくは5〜20%(重量)の範囲から適
宜選ぶのがよい。
【0063】本発明の除草剤の施用量は使用される化合
物の種類、対象雑草、発生傾向、環境条件ならびに使用
する剤型等によってかわるが、粉剤及び粒剤のようにそ
のまま使用する場合は、有効成分として10アール当り
0.1g〜5kg、好ましくは1g〜1kgの範囲から
適宜選ぶのがよい。また、乳剤及び水和剤とする場合の
ように液状で使用する場合は、0.1〜50,000p
pm、好ましくは10〜10,00ppmの範囲から適
宜選ぶのがよい。
物の種類、対象雑草、発生傾向、環境条件ならびに使用
する剤型等によってかわるが、粉剤及び粒剤のようにそ
のまま使用する場合は、有効成分として10アール当り
0.1g〜5kg、好ましくは1g〜1kgの範囲から
適宜選ぶのがよい。また、乳剤及び水和剤とする場合の
ように液状で使用する場合は、0.1〜50,000p
pm、好ましくは10〜10,00ppmの範囲から適
宜選ぶのがよい。
【0064】また、本発明の化合物は必要に応じて殺虫
剤、殺菌剤、他の除草剤、植物生長調節剤、肥料等と混
用してもよい。次に代表的な製剤例をあげて製剤方法を
具体的に説明する。化合物、添加剤の種類及び配合比率
は、これのみに限定されることなく広い範囲で変更可能
である。以下の説明において「部」は重量部を意味す
る。
剤、殺菌剤、他の除草剤、植物生長調節剤、肥料等と混
用してもよい。次に代表的な製剤例をあげて製剤方法を
具体的に説明する。化合物、添加剤の種類及び配合比率
は、これのみに限定されることなく広い範囲で変更可能
である。以下の説明において「部」は重量部を意味す
る。
【0065】製剤例1 水和剤
化合物(64)の10部にエマルゲン(花王株式会社の
登録商標)810の0.5部、デモール(花王株式会社
の登録商標)Nの0.5部、クニライト(クニネ工業株
式会社の登録商標)201の20部、ジークライト(ジ
ークライト株式会社の登録商標)CAの69部を混合粉
砕し、水和剤を得る。
登録商標)810の0.5部、デモール(花王株式会社
の登録商標)Nの0.5部、クニライト(クニネ工業株
式会社の登録商標)201の20部、ジークライト(ジ
ークライト株式会社の登録商標)CAの69部を混合粉
砕し、水和剤を得る。
【0066】製剤例2 水和剤
化合物(58)の10部にエマルゲン810の0.5
部、デモールNの0.5部、クニライト201の20
部、カーブレックス80の5部、ジークライトCAの6
4部を混合粉砕し、水和剤を得る。
部、デモールNの0.5部、クニライト201の20
部、カーブレックス80の5部、ジークライトCAの6
4部を混合粉砕し、水和剤を得る。
【0067】製剤例3 水和剤
化合物(18)の10部にデモールNの0.5部、エマ
ール(花王アトラス株式会社の登録商標)10の0.5
部、クニライト301の20部、カープレックス80の
5部、炭酸カルシウムの64部を混合粉砕し、水和剤を
得る。
ール(花王アトラス株式会社の登録商標)10の0.5
部、クニライト301の20部、カープレックス80の
5部、炭酸カルシウムの64部を混合粉砕し、水和剤を
得る。
【0068】製剤例4 乳剤
化合物(38)の30部にキシレンとイソホロンの等量
混合物60部、界面活性剤ソルポール(東邦化学工業株
式会社の登録商標)800Aの10部を加え、これらを
よくかきまぜることによって乳剤を得る。
混合物60部、界面活性剤ソルポール(東邦化学工業株
式会社の登録商標)800Aの10部を加え、これらを
よくかきまぜることによって乳剤を得る。
【0069】製剤例5 粒剤
化合物(2)の3部、タルクとベントナイトを1:3の
割合の混合した増量剤の77部、ホワイトカーボンの5
部、界面活性剤ソルポール800Aの5部に水10部を
加え、よく練つてペースト状としたものを直径0.7m
mのふるい穴から押し出して乾燥した後に0.5〜1m
mの長さに切断し、粒剤を得る。
割合の混合した増量剤の77部、ホワイトカーボンの5
部、界面活性剤ソルポール800Aの5部に水10部を
加え、よく練つてペースト状としたものを直径0.7m
mのふるい穴から押し出して乾燥した後に0.5〜1m
mの長さに切断し、粒剤を得る。
【0070】次に試験例をあげて本発明化合物の奏する
効果を説明する。 試験例1(水田土壌処理による除草効果試験) 100cm2プラスチックポットに水田土壌を充填し、
代掻後、タイヌビエ(Ec)、コナギ(Mo)及びホタ
ルイ(Sc)の各種子を播種し、水深3cmに湛水し
た。翌日、製剤例1に準じて調製した水和剤を水で希釈
し、水面滴下処理した。施用量は、有効成分を10アー
ル当り100gとした。その後、温室内で育成し、処理
21日目に表8の基準に従い、除草効果を調査した。そ
の結果を表9に示した。
効果を説明する。 試験例1(水田土壌処理による除草効果試験) 100cm2プラスチックポットに水田土壌を充填し、
代掻後、タイヌビエ(Ec)、コナギ(Mo)及びホタ
ルイ(Sc)の各種子を播種し、水深3cmに湛水し
た。翌日、製剤例1に準じて調製した水和剤を水で希釈
し、水面滴下処理した。施用量は、有効成分を10アー
ル当り100gとした。その後、温室内で育成し、処理
21日目に表8の基準に従い、除草効果を調査した。そ
の結果を表9に示した。
【0071】
【表8】
【0072】
【表9】
【0073】試験例2(畑地土壌処理による除草効果試
験) 120cm2プラスチックポットに畑地土壌を充填し、
食用ビエ(Ec)、オオイヌタデ(Po)、アオビユ
(Am)、シロザ(Ch)、コゴメガヤツリ(Ci)の
各種子を播種して覆土した。製剤例1に準じて調製した
水和剤を水で希釈し、10アール当り有効成分が100
gになる様に、10アール当り100lを小型噴霧器で
土壌表面に均一に散布した。その後、温室内で育成し、
処理21日目に表8の基準に従って、除草効果を調査し
た。その結果を表10に示す。
験) 120cm2プラスチックポットに畑地土壌を充填し、
食用ビエ(Ec)、オオイヌタデ(Po)、アオビユ
(Am)、シロザ(Ch)、コゴメガヤツリ(Ci)の
各種子を播種して覆土した。製剤例1に準じて調製した
水和剤を水で希釈し、10アール当り有効成分が100
gになる様に、10アール当り100lを小型噴霧器で
土壌表面に均一に散布した。その後、温室内で育成し、
処理21日目に表8の基準に従って、除草効果を調査し
た。その結果を表10に示す。
【0074】
【表10】
【0075】試験例3(畑地茎葉処理による除草効果試
験) 120cm2プラスチックポットに畑地土壌を充填し、
食用ビエ(Ec)、オオイヌタデ(Po)、アオビユ
(Am)、シロザ(Ch)、コゴメガヤツリ(Ci)の
各種子を播種し、温室内で2週間育成後、製剤例1に準
じて調製した水和剤を水に希釈し、10アール当り有効
成分が100gになる様に、10アール当り100lを
小型噴霧器で植物体の上方から全体に茎葉散布処理し
た。その後、温室内で育成し、処理14日目に表8の基
準に従って、除草効果を調査した。その結果を表11に
示す。
験) 120cm2プラスチックポットに畑地土壌を充填し、
食用ビエ(Ec)、オオイヌタデ(Po)、アオビユ
(Am)、シロザ(Ch)、コゴメガヤツリ(Ci)の
各種子を播種し、温室内で2週間育成後、製剤例1に準
じて調製した水和剤を水に希釈し、10アール当り有効
成分が100gになる様に、10アール当り100lを
小型噴霧器で植物体の上方から全体に茎葉散布処理し
た。その後、温室内で育成し、処理14日目に表8の基
準に従って、除草効果を調査した。その結果を表11に
示す。
【0076】
【表11】
【0077】
【発明の効果】一般式〔1〕で表される本発明の化合物
及びその塩は、畑地において問題となる種々の雑草、例
えばオオイヌタデ、アオビユ、シロザ、ハコベ、イチ
ビ、アメリカキンゴジカ、アメリカツノクサネム、ノア
サガオ、オナモミ等の広葉雑草をはじめ、ハマスゲ、キ
ハマスゲ、ヒメクグ、カヤツリグサ、コゴメガヤツリ等
の多年生および1年生カヤツリグサ科雑草、ヒエ、メヒ
シバ、エノコログサ、スズメノカタビラ、ションソング
ラス、ノスズメノテッポウ、野生エンバク等のイネ科雑
草の発芽前から生育期の広い範囲にわたって優れた除草
効果を発揮する。また、水田に発生するタイヌビエ、タ
マガヤツリ、コナギ等の一年生雑草及びウリカワ、オモ
ダカ、ミズガヤツリ、クログワイ、ホタルイ、ヘラオモ
ダカ等の多年生雑草を防除することもできる。
及びその塩は、畑地において問題となる種々の雑草、例
えばオオイヌタデ、アオビユ、シロザ、ハコベ、イチ
ビ、アメリカキンゴジカ、アメリカツノクサネム、ノア
サガオ、オナモミ等の広葉雑草をはじめ、ハマスゲ、キ
ハマスゲ、ヒメクグ、カヤツリグサ、コゴメガヤツリ等
の多年生および1年生カヤツリグサ科雑草、ヒエ、メヒ
シバ、エノコログサ、スズメノカタビラ、ションソング
ラス、ノスズメノテッポウ、野生エンバク等のイネ科雑
草の発芽前から生育期の広い範囲にわたって優れた除草
効果を発揮する。また、水田に発生するタイヌビエ、タ
マガヤツリ、コナギ等の一年生雑草及びウリカワ、オモ
ダカ、ミズガヤツリ、クログワイ、ホタルイ、ヘラオモ
ダカ等の多年生雑草を防除することもできる。
【0078】
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所
C07D 239/52 7038−4C
251/20 7019−4C
251/22 7019−4C
251/26 7019−4C
251/30 7019−4C
251/42 7019−4C
251/46 7019−4C
251/48 7019−4C
401/10 8829−4C
405/10 8829−4C
409/10 8829−4C
Claims (2)
- 【請求項1】一般式 【化1】 {式中、R1はトリフルオロメタンスルホニルオキシ
基、式−C(R5)=CR6R7(式中、R5は水素原子、
クロル原子、低級アルキル基または低級アルコキシ基を
示し、R6は水素原子、低級アルキル基、シアノ基また
はニトロ基を示し、R7は水素原子、低級アルキル基、
フェニル基、アルコキシカルボニル基、ハロアルコキシ
カルボニル基、フェノキシカルボニル基、シアノ基、ニ
トロ基、チエニル基、フリル基またはピリジル基を示
す。)または式 【化2】 (式中、R8は水素原子、低級アルキル基、低級アルケ
ニル基、低級アルコキシ基、アルコキシアルキル基、ア
ルキルチオアルキル基、フェニル基、ハロアルキル基、
シクロアルキル基、シクロアルケニル基、トリメチルシ
リル基、シアノアルキル基、トリフルオロメチル基、ジ
メチルアミノアルキル基またはアシルオキシアルキル基
を示す。)で表される基を示し、R2は水素原子、低級
アルキル基、低級アルケニル基、低級アルキニル基、ベ
ンジル基、2−トリメチルシリルエチル基、アルコキシ
アルキル基、アルキルチオアルキル基、アルコキシカル
ボニルアルキル基、シアノアルキル基、ニトロアルキル
基、アルカリ金属、アルカリ土類金属または有機アミン
のカチオンを示し、R3及びR4は同一または相異なりハ
ロゲン原子、低級アルキル基、低級アルコキシ基、ジフ
ルオロメトキシ基、トリフルオロメチル基または低級ア
ルキル基で置換されていてもよいアミノ基を示し、Xは
酸素原子または硫黄原子を示し、Zは窒素原子またはメ
チン基を示す。}にて表されるピリミジンまたはトリア
ジン誘導体及びそれらの塩。 - 【請求項2】請求項1に記載のピリミジンまたはトリア
ジン誘導体及びそれらの塩を有効成分として含有する除
草剤。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3213085A JPH0532638A (ja) | 1991-07-31 | 1991-07-31 | ピリミジンまたはトリアジン誘導体及び除草剤 |
EP19920916529 EP0555488A4 (en) | 1991-07-31 | 1992-07-30 | Pyrimidine or triazine derivative and herbicide |
PCT/JP1992/000965 WO1993003017A1 (en) | 1991-07-31 | 1992-07-30 | Pyrimidine or triazine derivative and herbicide |
US08/011,908 US5401711A (en) | 1991-07-31 | 1993-02-01 | Pyrimidine derivatives and herbicidal composition |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3213085A JPH0532638A (ja) | 1991-07-31 | 1991-07-31 | ピリミジンまたはトリアジン誘導体及び除草剤 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0532638A true JPH0532638A (ja) | 1993-02-09 |
Family
ID=16633309
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3213085A Pending JPH0532638A (ja) | 1991-07-31 | 1991-07-31 | ピリミジンまたはトリアジン誘導体及び除草剤 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP0555488A4 (ja) |
JP (1) | JPH0532638A (ja) |
WO (1) | WO1993003017A1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012250969A (ja) * | 2011-05-09 | 2012-12-20 | Tokyo Univ Of Science | カルボン酸化合物、塩基発生剤及び当該塩基発生剤を含有する感光性樹脂組成物 |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE4328414A1 (de) * | 1993-08-24 | 1995-05-04 | Hoechst Schering Agrevo Gmbh | Neue Phenylglyoxylsäurederivate, Verfahren zu ihrer Herstellung und ihre Verwendung als Herbizide und Pflanzenwachstumsregulatoren |
DE4337321A1 (de) * | 1993-11-02 | 1995-05-04 | Basf Ag | Cyclische Acetale, Verfahren zu deren Herstellung und deren Umsetzung zu Pflanzenschutzmitteln |
DE19627433A1 (de) * | 1996-07-08 | 1998-03-05 | Hoechst Schering Agrevo Gmbh | Pyrimidinyl-oder Triazinyl-o-(nitroalkyl)- phenylethern, ihre Herstellung und ihre Verwendung als Herbizide oder Pflanzenwachstumsregulatoren |
CN106831609B (zh) * | 2017-01-04 | 2020-02-21 | 华中师范大学 | 一种6-磺酸酯基嘧啶水杨酸类化合物及其制备方法和应用 |
CN109111405B (zh) * | 2018-10-22 | 2021-07-30 | 南开大学 | 一种芳香硫醚类化合物及其农药和医药用途 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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