JPH053186A - 洗浄方法 - Google Patents
洗浄方法Info
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- JPH053186A JPH053186A JP18023891A JP18023891A JPH053186A JP H053186 A JPH053186 A JP H053186A JP 18023891 A JP18023891 A JP 18023891A JP 18023891 A JP18023891 A JP 18023891A JP H053186 A JPH053186 A JP H053186A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体ウェハのリンスを過不足なく行い、リ
ンス液等の無駄をなくす。 【構成】 リンスに使用したリンス液の汚染度をセンサ
ーにより検出し、その結果に従ってリンス液供給停止タ
イミング等リンス条件をコントロールする。
ンス液等の無駄をなくす。 【構成】 リンスに使用したリンス液の汚染度をセンサ
ーにより検出し、その結果に従ってリンス液供給停止タ
イミング等リンス条件をコントロールする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、洗浄方法、特に例えば
半導体ウェハ等の被洗浄物を例えば純水等の洗浄液によ
り洗浄する洗浄方法に関する。
半導体ウェハ等の被洗浄物を例えば純水等の洗浄液によ
り洗浄する洗浄方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体ウェハの製造において半導体ウェ
ハに対する洗浄は不可欠であり、その洗浄は、図２
（Ａ）に示すように薬液槽ａにウェハキャリアｈに入っ
た半導体ウェハｃを浸漬して薬液処理を行い、その後、
図２（Ｂ）に示すように純水リンス槽ｄに上記ウェハキ
ャリアｂに入った半導体ウェハｃを浸漬して純水ｅによ
るリンスをするという方法で行われる。
ハに対する洗浄は不可欠であり、その洗浄は、図２
（Ａ）に示すように薬液槽ａにウェハキャリアｈに入っ
た半導体ウェハｃを浸漬して薬液処理を行い、その後、
図２（Ｂ）に示すように純水リンス槽ｄに上記ウェハキ
ャリアｂに入った半導体ウェハｃを浸漬して純水ｅによ
るリンスをするという方法で行われる。
【０００３】そして、純水ｄによるリンスは、一般に、
半導体ウェハｃの入ったウェハキャリアｂを純水リンス
槽ｄに入れると該純水リンス槽ｄに純水ｅを所定時間供
給して純水リンス槽ｄから純水ｅをオーバーフローさせ
るという方法で行われていた。
半導体ウェハｃの入ったウェハキャリアｂを純水リンス
槽ｄに入れると該純水リンス槽ｄに純水ｅを所定時間供
給して純水リンス槽ｄから純水ｅをオーバーフローさせ
るという方法で行われていた。
【０００４】即ち、従来において、リンスは、純水ｅの
供給時間を一旦設定するとウェハキャリアｂに入った半
導体ウェハｃ、ｃ、…の汚れ具合に無関係に一定時間純
水リンス槽ｄに純水ｅを供給するという方法で行われて
いたのである。
供給時間を一旦設定するとウェハキャリアｂに入った半
導体ウェハｃ、ｃ、…の汚れ具合に無関係に一定時間純
水リンス槽ｄに純水ｅを供給するという方法で行われて
いたのである。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従って、従来のリンス
方法には、半導体ウェハの汚れ具合に関係なくリンス
（洗浄）条件が一定なので、半導体ウェハの汚れ度合が
ひどいときにはリンス不足になる虞れがあった。逆に半
導体ウェハの汚れ度合が少ないときはリンス過剰にな
り、高価な純水ｅを無駄に使用する虞れがあった。特
に、リンス不足を回避するために純水リンス槽ｄの供給
時間を長く設定すると、純水ｅの無駄な使用量が増え、
著しいコスト増を招き、また、スループットの低下にも
つながる。
方法には、半導体ウェハの汚れ具合に関係なくリンス
（洗浄）条件が一定なので、半導体ウェハの汚れ度合が
ひどいときにはリンス不足になる虞れがあった。逆に半
導体ウェハの汚れ度合が少ないときはリンス過剰にな
り、高価な純水ｅを無駄に使用する虞れがあった。特
に、リンス不足を回避するために純水リンス槽ｄの供給
時間を長く設定すると、純水ｅの無駄な使用量が増え、
著しいコスト増を招き、また、スループットの低下にも
つながる。
【０００６】本発明はこのような問題点を解決すべく為
されたものであり、被洗浄物に対する洗浄を過不足なく
行い、洗浄液や洗浄時間、洗浄に要するエネルギーに無
駄を生じることがないようにすることを目的とする。
されたものであり、被洗浄物に対する洗浄を過不足なく
行い、洗浄液や洗浄時間、洗浄に要するエネルギーに無
駄を生じることがないようにすることを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明洗浄方法は、被洗
浄物を洗浄した洗浄液の汚染度を検出し、その検出結果
に基づいて洗浄条件を制御することを特徴とする。
浄物を洗浄した洗浄液の汚染度を検出し、その検出結果
に基づいて洗浄条件を制御することを特徴とする。
【０００８】
【実施例】以下、本発明洗浄方法を図示実施例に従って
詳細に説明する。図１（Ａ）、（Ｂ）は本発明洗浄方法
の一つの実施例を示すもので、（Ａ）は薬液処理を終え
た半導体ウェハを純水によりリンスする洗浄装置（リン
ス装置）を示し、（Ｂ）は洗浄液である純水の供給量の
変化を示すタイムチャートである。
詳細に説明する。図１（Ａ）、（Ｂ）は本発明洗浄方法
の一つの実施例を示すもので、（Ａ）は薬液処理を終え
た半導体ウェハを純水によりリンスする洗浄装置（リン
ス装置）を示し、（Ｂ）は洗浄液である純水の供給量の
変化を示すタイムチャートである。
【０００９】図面において、１は純水リンス槽で、この
内部に洗浄液（リンス液）たる純水２が供給される。具
体的には、２本の純水供給管３、４から供給される。
５、６は純水供給管３、４を開閉するバルブである。７
は排液槽で、純水リンス槽１からオーバーフローした純
水２を溜めるもので、この排液槽７内の純水２は排液管
８により排出される。
内部に洗浄液（リンス液）たる純水２が供給される。具
体的には、２本の純水供給管３、４から供給される。
５、６は純水供給管３、４を開閉するバルブである。７
は排液槽で、純水リンス槽１からオーバーフローした純
水２を溜めるもので、この排液槽７内の純水２は排液管
８により排出される。
【００１０】９は排液管８を通って排出される純水２の
汚染度を検出するセンサー、１０は該センサー９から出
力された汚染度検出信号により制御されて上記純水供給
管４のバルブ６を制御するバルブコントローラ、１１は
センサー９から出力された汚染度検出信号を表示するデ
ィスプレイである。１２はウェハキャリアで、多数枚、
例えば２５〜５０枚の純水供給管１３、１３、…（図面
では１枚のみが現われる）を収納し、純水リンス槽１中
の純水２内に浸漬される。
汚染度を検出するセンサー、１０は該センサー９から出
力された汚染度検出信号により制御されて上記純水供給
管４のバルブ６を制御するバルブコントローラ、１１は
センサー９から出力された汚染度検出信号を表示するデ
ィスプレイである。１２はウェハキャリアで、多数枚、
例えば２５〜５０枚の純水供給管１３、１３、…（図面
では１枚のみが現われる）を収納し、純水リンス槽１中
の純水２内に浸漬される。
【００１１】次に、洗浄方法を説明する。本洗浄装置の
使用中常に純水供給管３のバルブ５は開き、従って純水
リンス槽１には常に一定の流量（リンス時に供給される
流量よりは相当に少ない）の純水２が純水供給管３を通
じて供給されている。一方、通常時は純水供給管４のバ
ルブ６は閉じており、純水供給管４を通じての純水リン
ス槽１への供給は行われていない。
使用中常に純水供給管３のバルブ５は開き、従って純水
リンス槽１には常に一定の流量（リンス時に供給される
流量よりは相当に少ない）の純水２が純水供給管３を通
じて供給されている。一方、通常時は純水供給管４のバ
ルブ６は閉じており、純水供給管４を通じての純水リン
ス槽１への供給は行われていない。
【００１２】というのは、通常時は純水供給管３を通し
て純水リンス槽１に供給された汚染されない純水２がそ
のまま純水リンス槽１からオーバーフローし排液管８か
ら排出され、センサー９からはバルブコントローラ１０
からバルブ６へそれを開かせる駆動信号を発生させるよ
うなレベルに汚染度検出信号が達していないからであ
る。
て純水リンス槽１に供給された汚染されない純水２がそ
のまま純水リンス槽１からオーバーフローし排液管８か
ら排出され、センサー９からはバルブコントローラ１０
からバルブ６へそれを開かせる駆動信号を発生させるよ
うなレベルに汚染度検出信号が達していないからであ
る。
【００１３】次に、薬液処理を終えた半導体ウェハ１
３、１３、…が入ったウェハキャリア１２を純水リンス
槽１内に浸漬すると半導体ウェハ１３、１３、…に付着
している薬液により汚染された純水２が純水リンス槽１
からオーバーフローして排液槽７に入り、そして排液管
８から排出される。そのとき、センサー９により汚染が
検出され、汚染度検出信号のレベルが高くなり、そのレ
ベルが予め設定した値よりも高くなる。すると、バルブ
コントローラ２０からバルブ６を開く駆動信号が出力さ
れ、バルブ６が開く。
３、１３、…が入ったウェハキャリア１２を純水リンス
槽１内に浸漬すると半導体ウェハ１３、１３、…に付着
している薬液により汚染された純水２が純水リンス槽１
からオーバーフローして排液槽７に入り、そして排液管
８から排出される。そのとき、センサー９により汚染が
検出され、汚染度検出信号のレベルが高くなり、そのレ
ベルが予め設定した値よりも高くなる。すると、バルブ
コントローラ２０からバルブ６を開く駆動信号が出力さ
れ、バルブ６が開く。
【００１４】バルブ６が開くと純水供給管４からも純水
が供給され、純水供給量が一挙に増大してリンスが迅速
化する。尚、センサー９から出力された汚染度検出信号
はバルブコントローラ１０内においてディスプレイ用信
号に変換されてディスプレイ１１に送出され、汚染度が
該ディスプレイ１１により表示されるようになってい
る。そして、リンスが進行するとそれに伴って純水リン
ス槽１内の純水２の汚染度も低下し、充分にリンスされ
た状態になるとセンサー９の出力である汚染度検出信号
が予め設定された値よりも低くなり、それに伴ってバル
ブコントローラ１０からバルブ６を閉じる駆動信号が送
出され、バルブ６が閉じる。その結果、純水供給管４を
通しての純水２の供給が停止される。
が供給され、純水供給量が一挙に増大してリンスが迅速
化する。尚、センサー９から出力された汚染度検出信号
はバルブコントローラ１０内においてディスプレイ用信
号に変換されてディスプレイ１１に送出され、汚染度が
該ディスプレイ１１により表示されるようになってい
る。そして、リンスが進行するとそれに伴って純水リン
ス槽１内の純水２の汚染度も低下し、充分にリンスされ
た状態になるとセンサー９の出力である汚染度検出信号
が予め設定された値よりも低くなり、それに伴ってバル
ブコントローラ１０からバルブ６を閉じる駆動信号が送
出され、バルブ６が閉じる。その結果、純水供給管４を
通しての純水２の供給が停止される。
【００１５】本洗浄方法によれば、半導体ウェハ１３、
１３、…のリンスに用いた純水２の汚染度をセンサー９
により検出することによりリンスの進行状態を把握し、
リンスが充分に行われると自動的に純水供給管４を通し
ての純水２の大量供給を停止するので、純水２を大量に
無駄に使用する虞れがなくなる。従って、例えば半導体
ウェハ１３、１３、…の当初の汚染度が高い場合には、
純水供給管４を通しての純水２の大量供給時間が長くな
り［図１（Ｂ）の破線参照］、逆に汚染度が低い場合に
は純水２の大量供給時間が短くなる［図１（Ｂ）の二点
鎖線参照］。
１３、…のリンスに用いた純水２の汚染度をセンサー９
により検出することによりリンスの進行状態を把握し、
リンスが充分に行われると自動的に純水供給管４を通し
ての純水２の大量供給を停止するので、純水２を大量に
無駄に使用する虞れがなくなる。従って、例えば半導体
ウェハ１３、１３、…の当初の汚染度が高い場合には、
純水供給管４を通しての純水２の大量供給時間が長くな
り［図１（Ｂ）の破線参照］、逆に汚染度が低い場合に
は純水２の大量供給時間が短くなる［図１（Ｂ）の二点
鎖線参照］。
【００１６】尚、純水の汚染度の測定項目は、リンスの
前の工程での半導体ウェハに対する洗浄に用いた薬液の
種類、次の工程の内容等により適宜に設定される。測定
項目としては、比抵抗、ＴＯＣ（全有機分炭素）、薬液
濃度、液中パーティクル数、微量金属イオン、ＰＨ（ペ
ーハー）、シリカ分、コロイド物質等が挙げられる。普
通これ等の測定項目から適宜いくつかの項目を選び、そ
のいくつかの項目についてセンサー９により測定して予
め決めた基準に従って汚染されているか否かの判断（例
えば、各測定値を所定の数式で演算し、その演算値を予
め設定した値と比較することにより行う。）をしてバル
ブコントローラ１０によりバルブ６を開閉するのであ
る。
前の工程での半導体ウェハに対する洗浄に用いた薬液の
種類、次の工程の内容等により適宜に設定される。測定
項目としては、比抵抗、ＴＯＣ（全有機分炭素）、薬液
濃度、液中パーティクル数、微量金属イオン、ＰＨ（ペ
ーハー）、シリカ分、コロイド物質等が挙げられる。普
通これ等の測定項目から適宜いくつかの項目を選び、そ
のいくつかの項目についてセンサー９により測定して予
め決めた基準に従って汚染されているか否かの判断（例
えば、各測定値を所定の数式で演算し、その演算値を予
め設定した値と比較することにより行う。）をしてバル
ブコントローラ１０によりバルブ６を開閉するのであ
る。
【００１７】尚、各項目についての検出原理、検出法に
ついて説明すると下記のとおりである。比抵抗は導電率
の測定により、ＴＯＣ（全有機分炭素）は赤外線ガス分
析（排液中の有機物成分をＣＯ2 まで酸化して定量分析
する）により、薬液濃度は吸光度、屈折率の測定、ある
いはＰＨ電極、Ｈ2 Ｏ電極、イオン電極式測定により、
液中パーティクル数はレーザによる光散乱方式により、
微量金属分析はイオンクロマトグラフィにより、ＰＨは
電極法により、シリカ分はモリブデン黄（青）吸光光度
法により、コロイド物質は透過水チェック法により行う
ことができる。
ついて説明すると下記のとおりである。比抵抗は導電率
の測定により、ＴＯＣ（全有機分炭素）は赤外線ガス分
析（排液中の有機物成分をＣＯ2 まで酸化して定量分析
する）により、薬液濃度は吸光度、屈折率の測定、ある
いはＰＨ電極、Ｈ2 Ｏ電極、イオン電極式測定により、
液中パーティクル数はレーザによる光散乱方式により、
微量金属分析はイオンクロマトグラフィにより、ＰＨは
電極法により、シリカ分はモリブデン黄（青）吸光光度
法により、コロイド物質は透過水チェック法により行う
ことができる。
【００１８】尚、上記実施例は、半導体ウェハ１３、１
３、…を洗浄した純水の汚染度に従って純水の大量供給
の開始、終了タイミングをコントロールするようにして
いた。しかしながら、洗浄した純水２の汚染度によって
純水の供給量をリニアにコントロールする、即ち、汚染
度と純水の供給量を比例させるようにしても良い。これ
は、バルブコントローラ１０によりバルブの開口度をリ
ニアに制御することにより行うことができる。
３、…を洗浄した純水の汚染度に従って純水の大量供給
の開始、終了タイミングをコントロールするようにして
いた。しかしながら、洗浄した純水２の汚染度によって
純水の供給量をリニアにコントロールする、即ち、汚染
度と純水の供給量を比例させるようにしても良い。これ
は、バルブコントローラ１０によりバルブの開口度をリ
ニアに制御することにより行うことができる。
【００１９】また、純水あるいはそれ以外のリンス液を
使用しリンス液の温度によりリンス効果が違うことを利
用してリンスをする場合には、リンス液の加熱が行われ
るが、この洗浄方法に本発明を、リンス液加熱用ヒータ
ーを汚染度に応じてオン・オフ制御あるいは電流値制御
する態様で適用することができる。そして、これにより
ヒーターの消費電力量の無駄をなくすことが可能にな
る。
使用しリンス液の温度によりリンス効果が違うことを利
用してリンスをする場合には、リンス液の加熱が行われ
るが、この洗浄方法に本発明を、リンス液加熱用ヒータ
ーを汚染度に応じてオン・オフ制御あるいは電流値制御
する態様で適用することができる。そして、これにより
ヒーターの消費電力量の無駄をなくすことが可能にな
る。
【００２０】更に、汚染度により供給するリンス液の種
類を切換えるようにすることも可能である。即ち、クリ
ーン度の異なる純水を複数種、例えば２種用い、リンス
開始後の半導体ウェハの汚染度がまだ比較的高い間はク
リーン度の低い純水（当然に安価）を用い、半導体ウェ
ハの汚染度がある程度高くなった後仕上げのリンスにク
リーン度の高い純水（当然高価）を使う場合がある。こ
の場合のリンス液の種類の切換えをセンサーによる汚染
度の検出結果に従って行うのである。このようにすれ
ば、高価な純水の使用量を少なくしつつ充分なリンスが
できるのである。
類を切換えるようにすることも可能である。即ち、クリ
ーン度の異なる純水を複数種、例えば２種用い、リンス
開始後の半導体ウェハの汚染度がまだ比較的高い間はク
リーン度の低い純水（当然に安価）を用い、半導体ウェ
ハの汚染度がある程度高くなった後仕上げのリンスにク
リーン度の高い純水（当然高価）を使う場合がある。こ
の場合のリンス液の種類の切換えをセンサーによる汚染
度の検出結果に従って行うのである。このようにすれ
ば、高価な純水の使用量を少なくしつつ充分なリンスが
できるのである。
【００２１】また、クイップダンプリンスを行う場合に
は、センサーによる汚染度の検出結果に基づいてクイッ
プダンプリンス動作をコントロールするようにする。そ
して、純水等のリンス液に超音波を与えてリンス効果を
高める場合においては、汚染度の検出結果に応じて超音
波発生スイッチをオン・オフすることにより超音波発生
に使用するエネルギーを有効に利用し、超音波発生装置
の高寿命化を図ることができる。このように、本発明は
種々の態様で実施することができる。また、単に純水等
によるリンスのみならず薬液による洗浄にも本発明を適
用できる。
は、センサーによる汚染度の検出結果に基づいてクイッ
プダンプリンス動作をコントロールするようにする。そ
して、純水等のリンス液に超音波を与えてリンス効果を
高める場合においては、汚染度の検出結果に応じて超音
波発生スイッチをオン・オフすることにより超音波発生
に使用するエネルギーを有効に利用し、超音波発生装置
の高寿命化を図ることができる。このように、本発明は
種々の態様で実施することができる。また、単に純水等
によるリンスのみならず薬液による洗浄にも本発明を適
用できる。
【００２２】
【発明の効果】本発明洗浄方法は、被洗浄物を洗浄液に
より洗浄する洗浄方法において、被洗浄物を洗浄した洗
浄液の汚染度を検出し、この汚染度の検出結果に基づい
て洗浄条件の制御を行うことを特徴とするものである。
従って、本発明洗浄方法によれば、被洗浄物に対する洗
浄を過不足なく行い、洗浄液や洗浄時間、洗浄に要する
エネルギーの無駄なく行われるようにすることができ
る。
より洗浄する洗浄方法において、被洗浄物を洗浄した洗
浄液の汚染度を検出し、この汚染度の検出結果に基づい
て洗浄条件の制御を行うことを特徴とするものである。
従って、本発明洗浄方法によれば、被洗浄物に対する洗
浄を過不足なく行い、洗浄液や洗浄時間、洗浄に要する
エネルギーの無駄なく行われるようにすることができ
る。
【図１】（Ａ）、（Ｂ）は本発明洗浄方法の一つの実施
例を示すもので、（Ａ）は洗浄（リンス）装置の構成
図、（Ｂ）は液供給に関するタイミングを示すタイムチ
ャートである。
例を示すもので、（Ａ）は洗浄（リンス）装置の構成
図、（Ｂ）は液供給に関するタイミングを示すタイムチ
ャートである。
【図２】（Ａ）、（Ｂ）は従来例の説明図で、（Ａ）は
薬液による洗浄を示し、（Ｂ）は薬液処理後のリンスを
示す。
薬液による洗浄を示し、（Ｂ）は薬液処理後のリンスを
示す。
１ 純水リンス槽 ２ 洗浄液 ４、５ 洗浄液供給管 ６ バルブ ９ 汚染度検出センサー １０ バルブコントローラ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 【請求項１】 被洗浄物を洗浄液により洗浄する洗浄方
法において、被洗浄物を洗浄した洗浄液の汚染度を検出
し、上記汚染度の検出結果に基づいて洗浄条件の制御を
行うことを特徴とする洗浄方法
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18023891A JP3364931B2 (ja) | 1991-06-24 | 1991-06-24 | 洗浄方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18023891A JP3364931B2 (ja) | 1991-06-24 | 1991-06-24 | 洗浄方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH053186A true JPH053186A (ja) | 1993-01-08 |
| JP3364931B2 JP3364931B2 (ja) | 2003-01-08 |
Family
ID=16079785
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18023891A Expired - Fee Related JP3364931B2 (ja) | 1991-06-24 | 1991-06-24 | 洗浄方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3364931B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5419351A (en) * | 1993-04-02 | 1995-05-30 | National Semiconductor Corporation | Final rinse/dry system for critical cleaning applications |
| US5896874A (en) * | 1996-07-02 | 1999-04-27 | Hirama Rika Kenkyujo Ltd. | Apparatus for controlling resist stripping solution |
| JP2006192431A (ja) * | 2005-01-13 | 2006-07-27 | Robert Bosch Gmbh | プロセス室を清浄化するための装置および方法 |
| JP2008294328A (ja) * | 2007-05-28 | 2008-12-04 | Sony Corp | 基板洗浄方法および基板洗浄装置 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101888598B1 (ko) * | 2017-02-14 | 2018-08-14 | 주식회사 싸이노스 | 린스장치 |
-
1991
- 1991-06-24 JP JP18023891A patent/JP3364931B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5419351A (en) * | 1993-04-02 | 1995-05-30 | National Semiconductor Corporation | Final rinse/dry system for critical cleaning applications |
| US5776259A (en) * | 1993-04-02 | 1998-07-07 | National Semiconductor Corporation | Method for final rinse/dry for critical cleaning application |
| US5896874A (en) * | 1996-07-02 | 1999-04-27 | Hirama Rika Kenkyujo Ltd. | Apparatus for controlling resist stripping solution |
| JP2006192431A (ja) * | 2005-01-13 | 2006-07-27 | Robert Bosch Gmbh | プロセス室を清浄化するための装置および方法 |
| JP2008294328A (ja) * | 2007-05-28 | 2008-12-04 | Sony Corp | 基板洗浄方法および基板洗浄装置 |
| US8038798B2 (en) | 2007-05-28 | 2011-10-18 | Sony Corporation | Method of and apparatus for cleaning substrate |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3364931B2 (ja) | 2003-01-08 |
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